JP3089798B2 - 位置合わせ装置 - Google Patents

位置合わせ装置

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JP3089798B2
JP3089798B2 JP04074943A JP7494392A JP3089798B2 JP 3089798 B2 JP3089798 B2 JP 3089798B2 JP 04074943 A JP04074943 A JP 04074943A JP 7494392 A JP7494392 A JP 7494392A JP 3089798 B2 JP3089798 B2 JP 3089798B2
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は被検物体の位置並びに回
転量を検出する位置検出装置に関するものであり、特
に、ICやLSI 等の半導体素子及び液晶ディスプレイを製
造するために、1枚の被露光基板上に形成された複数の
回路パターンにマスク(又はレチクル)の回路パターン
をステップアンドリピート方式で重ね合わせ露光するス
テップアンドリピート方式の露光装置の位置検出装置に
好適なものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子及び液晶ディスプレイ
製造のために半導体ウェハ又は、ガラス基板(以下ウェ
ハと称する)上にマスクまたはレチクル(以下レチクル
と称する)の回路パターンを繰り返し露光する装置、所
謂ステップアンドリピート露光装置が生産現場で多数使
用され、多大な効果を得ている。特にレチクルの回路パ
ターンを縮小投影レンズを介してウェハ上に転写する縮
小投影型露光装置は、レチクルの回路パターンを縮小投
影するため、レチクル上に付着した微小な異物が縮小投
影レンズの解像力によって転写されにくいという利点が
あり、さらにウェハ上に形成された複数の回路パターン
の各々に、レチクルの回路パターンを重ねて露光するた
め、ウェハの各種処理による伸縮に対しても常に正確な
重ね合わせができるという利点もあり、極めて生産性の
高い露光装置といえる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この種の露光装置はウ
ェハを載置する2次元移動ステージを有し、このステー
ジをレチクルの回路パターン像に対して所定の座標系に
従って一定ピッチで歩進させては露光することを繰り返
す。このため、ウェハ上にはマトリックス状に回路パタ
ーンが配列される。このウェハ上の回路パターンの配列
座標は露光中のステージの座標系に従っているが、ウェ
ハを交換するとそのウェハ上の配列座標とステージの座
標系とは回転ずれが生じる。
【0004】この回転ずれはウェハを回転させることで
複正できるが、それでも微小角度の回転ずれは残存す
る。このウェハ上の配列座標とステージの座標系との微
小な回転ずれは、所謂ウェハローテーションと呼ばれる
ものである。より高精度な重ね合せ露光を達成するため
に、特開昭56−102823号公報にウェハローテーションの
補正方法を開示した。これらの公報に開示された縮小投
影型露光装置では、ウェハ上の回路パターンの5倍(ま
たは任意の固定倍率)の拡大パターンが描かれたレチク
ルを使ってステップアンドリピート方式で露光するが、
その際レチクルはステージの座標系に対して回転ずれな
く装着されるとした。
【0005】ところが、ウェハ上に転写すべき回路パタ
ーンのサイズが小さくなり、線幅が1μm程度になると
レチクルの微小な回転ずれが無視できなくなる。レチク
ルが微小回転していると、ウェハ上の各回路パターンと
の重ね合せ精度が低下するばかりでなくウェハ上に第1
層目の回路パターンを転写したとき、ウェハの配列座標
に対して転写された回路パターンが微小回転することに
なり、第2層目以降の重ね合せが不十分なものとなり、
所期の特性を満足する半導体素子及び液晶基板を高い生
産性で得ることができない。このため、特開昭60-18684
5 号公報では、レチクルの微小回転ずれ、所謂レチクル
ローテーションの補正方法等を開示した。
【0006】しかしながら、レチクル上には、2次元的
なアライメントを行うためのマークに加え、レチクルの
微小回転を検出すべきマークが必要となるため、ウェハ
上に転写すべき回路パターンの大きさが制約されてしま
い、この事も生産性を低くする要因の1つとなってい
た。また、通常とは異なるサイズのレチクルで露光を行
う場合には、レチクルのサイズが異なるに伴いレチクル
上に形成されるマークの位置が異なる。このために、ア
ライメント光学系を移動させてレチクル上の各マークを
正確に検出しなければならず、スループットを低下させ
る要因になっていた。
【0007】本発明は上記欠点を解決し、ウェハに対し
てレチクルに回転ずれが残在する場合、及び通常とは異
なるサイズのレチクルをアライメントする場合にも、位
置合わせ装置をレチクルの各マークに対して厳密に合わ
せ込まなくとも、原理的に2つのレチクルマークによっ
てレチクルとウエハとの高精度な検出が迅速にできる位
置検出装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、図1及び図2に示す如く、所定のXY直
交座標に沿って移動するXYステージ1上に保持された
ウエハW上に、所定のパターンPrが形成されたレチク
ルRを露光する際に、レチクルRとウエハWとの相対的
な位置に合わせを行う位置合わせ装置において、そのレ
チクルR上に設けられた第1レチクルマークRxyとウ
エハW上に設けられた第1ウエハマークWM1との位置
を検出する第1検出系10と、その第1レチクルマーク
Rxyとは異なるレチクルR上の所定の位置に設けられ
た第2レチクルマークRθxと第1ウエハマークWM1
とは異なるウエハ上の所定の位置に設けられた第2ウエ
ハマークWM2との位置を検出する第2検出系20とを
有するものである。
【0009】そして、この基本構成に基づいて、その第
1検出系10は、第1対物レンズ11と、その第1対物
レンズ11を介して第1レチクルマークRxyの像及び
第1ウエハマークWM1の像を検出する第1像検出手段
14と、その第1対物レンズ11とその第1像検出手段
14との光路間に順次配置された第1のレチクル側光分
割部材15及び第1の検出側光分割部材17と、その第
1のレチクル側光分割部材15の光分割方向に設けられ
て第1レチクルマークRxy及び第1ウエハマークWM
1のX方向を検出する第1のX方向検出手段13と、第
1の検出側光分割部材17の光分割方向に設けられて第
1レチクルマークRxy及び第1ウエハマークWM1の
Y方向を検出する第1のY方向検出手段12とを有し、
その第2検出系20は、第2対物レンズ21と、その第
2対物レンズ21を介して第2レチクルマークRθxの
像及び前記第2ウエハマークWM2の像を検出する第2
像検出手段24と、第2対物レンズ21と第2像検出手
段24との光路間に順次配置された第2のレチクル側光
分割部材25及び第2の検出側光分割部材27と、その
第2のレチクル側光分割部材25の光分割方向に設けら
れて第2レチクルマークRθx及び第2ウエハマークW
M2のX方向を検出する第2のX方向検出手段22と、
その第2の検出側光分割部材27の光分割方向に設けら
れて第2レチクルマークRθx及び前記第2ウエハマー
クWM2のY方向を検出する第1のY方向検出手段23
とを有し、第1のレチクル側光分割部材15と第1の検
出側光分割部材17との間に、第1検出系10の光軸を
X方向に変位させる第1補正部材16を配置すると共
に、第2のレチクル側光分割部材25と第2の検出側光
分割部材27との間に、第2検出系20の光軸をY方向
に変位させる第2補正部材26を配置したものである。
【0010】そして、本発明の好ましき構成として、第
1補正部材16は第1検出系10の光軸Ax1 に垂直で
Y方向に回転軸S1 を持つ傾角可変な平行平面板で構成
され、第2補正部材26は第2光学系20の光軸Ax2
に垂直でX方向に回転軸S2を持つ傾角可変な平行平面
板とすることが良い。
【0011】
【作用】本発明の装置では、レチクルRが回転誤差Δθ
を含んだ状態のままで、各レチクルマークを検出し、そ
の後、レチクルRの回転誤差Δθが補正されることによ
りレチクルRに対して第1及び第2検出系の視野がずれ
たとしても、第1及び第2補正部材により第1及び第2
検出系を移動させることなく各レチクルマークを正確に
検出することができる。
【0012】また、レチクルが通常のサイズとは異なる
事に伴いレチクルマークの位置が異なっても、各検出系
をこのレチクルマークに対して厳密に合わせ込まなくて
も、レチクルマークを正確に検出することができる。従
って、レチクルRが回転誤差Δθを含んだ状態及び、レ
チクルサイズの異なるに伴い第1及び第2検出系を移動
させても横ずれを含んでレチクルマークが検出された状
態でも、第1及び第2検出系を検出マークに対して厳密
に合わせ込むことなく、レチクル上では原理的に2つの
検出マークでも迅速かつ高精度なアライメントが可能と
なる。
【0013】
【実施例】図1には本発明による位置検出装置を縮小投
影露光装置に応用した例を示しており、この図1を参照
しながら説明する。所定のパターンが形成されるレチク
ル(マスク)Rは、不図示の照明光学系によって均一に
照明され、レチクルRのパターン領域Prの像が投影レ
ンズ2によってウエハW上に転写される。レチクルR
は、レチクルステージ3上に載置されており、このレチ
クルステージ3のX方向には駆動部4が、Y方向には駆
動部5がそれぞれ設けられている。この駆動部4は、レ
チクルステージ3をX方向に移動させ、また駆動部5
は、レチクルステージ3をY方向に移動させて、レチク
ルRの回転誤差を含めた2次元的な位置合わせを行う。
【0014】一方、ウエハWはウエハステージ1上に載
置されており、このステージ8上の一端にはウエハステ
ージ座標に対し、後述するアライメント光学系10、2
0の基準の位置出し、あるいはレチクルRの回転誤差等
を検出するための基準マーク板(十字状のマーク)30
(以下、基準マークと称する)が設けられている。ウエ
ハステージ1は駆動部6によってX方向に移動され、駆
動部7によってY方向に移動される。また、このウエハ
ステージ1の下方にはこれをZ方向(図1では上下方
向)へ移動させるZステージ8が設けられている。な
お、不図示ではあるが、ウエハステージ1のXY座標内
での位置を検出するための干渉系が設けられている。
【0015】さて、本発明の装置には位置合せ(アライ
メント)用の光学系及び検出系が設けられている。図3
に示すようにレチクルRを装置本体(例えば投影レチク
ルRの光軸Ax0)に対してアライメントするための2
つのアライメント系10、20である。この2つのアラ
イメント系10、20は、サイズの異なるレチクルにも
対応できるように、X方向へ移動可能に設けられてい
る。アライメント系10はレチクルR上の所定のパター
ンが描かれた領域(以下パターン領域とする)Pr の周
辺に設けられたレチクルマーク(十字状のマーク)Rx
yを観察し、アライメント系20はパターン領域Pr
周辺でレチクルマーク(十字状のマーク)Rxyとは異
なる位置に設けられたレチクルマークRθxを観察す
る。すなわち、アライメント系10、20は、レチクル
アライメント顕微鏡として機能する。
【0016】レチクルマークRxyをレチクルアライメ
ント系10中の指標(挟み込み十字状のマーク)に合わ
せるように駆動部4、5を作動させることによってレチ
クルRのX方向とY方向の位置決めが達成され、レチク
ルマークRθxをレチクルアライメント系20中の指標
に合わせるように駆動部4、5を作動させることによっ
てレチクルRの回転方向の位置決めが達成される。これ
らレチクルアライメント系10、20は目視による位置
合せ(目合せ)として使ってもよいが、目視ではなくCC
D カメラなどを使用し、モニター像を画像処置しても良
く、もしくは、レチクルマークRxy、Rθxの観察像
を光電的に検出して自動位置合せとして使っても良い。
【0017】さて、上記アライメント系10、20のも
う一つの使い方としてレチクルR上のマークRxy又は
RθxとウェハW上のマークとを投影レンズ2を介して
重ね合せて観察するダイ・バイ・ダイ(Die by Die)ア
ライメント系(以下、DDA 系と呼ぶ)としても使用でき
る。DDA 系はレチクルRのパターン領域Pr の周辺に設
けられたマークRxy、Rθxに露光光と同一波長の照
明光を照射する。この照明光はマークRxy、Rθxを
照明するとともに投影レンズ2を通って、ウェハW上の
マークWM1,WM2を含む微小領域も照明する。そし
て投影レンズ2で逆投影されたウェハW上のマークWM
1,WM2の像とレチクルRのマークRxy、Rθxの
像とがDDA 系によって形成され、レチクルRのパターン
領域Pr とウェハW上の露光すべき1つの局所領域との
位置合せ状態が検出される。尚、ダイ・バイ・ダイのア
ライメント方式では、レチクルRのパターン領域Pr
投影像とウェハW上の1つの局所領域とが正確に重ね合
わされたとき、ウェハW上のマークとレチクルRのマー
クRxy、Rθxとが所定の位置関係で整列してDDA 系
によって観察される。このためDDA 系でアライメントさ
れるようにウェハステージ8やレチクルステージ3を微
動された後は、ただちに露光動作に移れる。
【0018】また、各アライメント系10,20及び駆
動部4〜7は不図示であるが主制御装置により総括的に
制御されている。次に、図2を参照しながら図1に示し
たアライメント系10、20の具体的な構成について説
明する。アライメント系10(20)中の光源19(2
9)からのアライメント光はハーフミラー18(28)
及び対物レンズ11(21)を介してレチクルマークR
xy(Rθx)を照明すると共に、投影レンズ2を介し
てウエハマークWM1(WM2)、あるいは基準マーク
30を照明する。
【0019】各マークからの反射光(検出光)は逆の光
路を辿って再び対物レンズ11(21)を介して、ハー
フミラー18(28)を通過する。その後、検出光は、
ハーフミラー18(28)によって2つの光路に分割さ
れ、一方は反射されて、各マークのY方向を光電的に検
出するY方向検出系12(アライメント系20では、各
マークのX方向を光電的に検出するX方向検出系22)
に達し、ここで、各マークのY方向(X方向検出系22
ではX方向)が光電的に検出される。
【0020】一方、ハーフミラー18(28)によって
透過しする他方の検出光は、平行平面板16(26)を
介して、ハーフミラー17(27)によって2つの光路
に分割される。ハーフミラー17(27)を反射した一
方の検出光は、各マークのX方向を光電的に検出するX
方向検出系13(アライメント系20では、各マークの
Y方向を光電的に検出するY方向検出系23)に達し、
ここで、各マークのX方向(Y方向検出系23ではY方
向)が光電的に検出される。
【0021】また、ハーフミラー17(27)を透過し
た他方の検出光は、画像検出系14(24)に達し、こ
こで画像検出がなされる。ここで、画像検出系14(2
4)は、指標マーク(挟み込み十字状マーク)を有する
指標板及びCCD等を含んでおり、画像アライメントの
際には、この指標マークに対して各アライメントマーク
が合致するように位置合わせが行われる。
【0022】ここで、アライメント系10内の平行平面
板16は、紙面方向に対して垂直な方向(Y方向)に回
転軸S1 を有し、紙面内で傾角可変に設けられている。
従って、これの傾角を変化させると、図3に示す如く、
アライメント系10の光軸Ax1 がX方向に変位し、X
方向検出系13及び画像検出系14はレチクルRのX方
向における検出領域を変位させることができる。
【0023】一方、アライメント系20内の平行平面板
26は、紙面方向(X方向)に回転軸S2 を有し、紙面
内で傾角可変に設けられており、すなわち、平行平面板
26の回転軸S2 は、平行平面板16の回転軸S1 に対
して直交して設けられている。従って、これの傾角を変
化させると、図4に示す如く、アライメント系20の光
軸Ax2 がY方向に変位し、Y方向検出系23及び画像
検出系24はレチクルRのY方向における検出領域を変
位させることができる。
【0024】この様に、アライメント系10内のX方向
とY方向との光電検出系をアライメント系20内のX方
向とY方向との光電検出系とは逆の配置関係としている
ために、本実施例での装置では、各アライメント系内の
2つの検出系に関する各方向の光軸調整を原理的に1つ
ずつの平行平面板で可能としている。さて、上記平行平
面板16及び26を用いたレチクルアライメント動作の
一例を説明する。
【0025】先ず、ウエハステージ1の直交座標に対し
てアライメント系10,20との各光軸位置が所定の位
置関係となるように調整されているとする。次に、レチ
クルRがレチクルステージ3に載置されると、各レチク
ルマークRxy,Rθxが各アライメント系10,20
内の画像検出系14,24の指標と合致するように、駆
動系4,5によって位置合わせが行われ、少なくともア
ライメント系10の画像検出系14内の指標に合致する
ように位置合わせが行われる。ここで、通常のサイズの
レチクルが必ずしもレチクルステージ3に載置されると
は限らないので、通常とは異なるサイズのレチクルRが
レチクルステージ3に載置された時には、アライメント
系10,20内をX方向へ移動させ、レチクルマークR
xy,Rθxが各アライメント系10,20の各視野内
に入るように駆動系4,5によって位置合わせが行われ
る。そして、図3に示す如く、主制御系により制御され
る不図示の駆動手段を介してアライメント系10内の平
行平面板16を傾けて、アライメント系10の光軸Ax
1 をX方向にΔXだけ変位させ、レチクルマークRxy
のX方向と合致させ、最終的にレチクルマークRxy,
RθxとのX方向を合わせ込み、少なくともアライメン
ト系10の画像検出系14内の指標に合致するように位
置合わせが行われる。
【0026】次に、レチクルRが図5の様に回転量ΘR
でレチクルローテーションを起こしてしまう場合がある
ため、レチクルの回転誤差(レチクルローテーション)
を検出する。先ず、アライメント系10,20の各視野
内へウエハステージ1上の基準マーク30を移動させ、
X方向検出系13及びY方向検出系12によって、基準
マーク30からの反射光の強度が最大となるX座標値と
Y座標値とを不図示の干渉系から求める。
【0027】また、これと同じ様に、X方向検出系22
及びY方向検出系23によって、基準マーク30からの
反射光の強度が最大となるX座標値とY座標値とを不図
示の干渉系から求める。この各マークのXY座標値は、
不図示のレチクル回転誤差検出部に入力される。ここ
で、レチクル上の各マークは所定の距離関係を持たせて
設けられているため、レチクル回転誤差検出部、この各
マーク間の距離の情報を予め記憶している。
【0028】従って、各マークのXY座標値がレチクル
回転誤差検出部に入力されると、ここで、各マークのX
Y座標値からレチクルローテーションが算出される。な
お、この場合、各画像検出系14、24によってこれら
の内部の指標と基準マーク30とが合致した状態でのX
座標値とY座標値とを不図示の干渉系から求め、その後
レチクル回転誤差検出部にてレチクルローテーションを
算出しても良い。
【0029】以上にして求められたレチクルローテーシ
ョンの算出結果に基づいて、レチクルローテーションの
分だけ制御部4,5によってレチクルステージ3を微小
量だけ回転させ、レチクルローテーションを補正する。
そして、このレチクルローテーションが許容範囲内であ
れば、各アライメント系10,20の各光電検出系(1
2,13,22,23)によってレチクルマーク(Rx
y,Rθx)とウエハマーク(WM1,WM2)との位
置合わせを行い、露光動作に移行する。
【0030】しかしながら、許容できないレチクルロー
テーションが存在する場合には、基準マーク30をアラ
イメント系20の画像検出系24内の指標中心に移動さ
せた後、更に基準マーク30をY方向にレチクルローテ
ーションの回転量ΘR に対応するずれ量ΔYの分だけ微
動させ、その時の基準マーク30にアライメント系20
の画像検出系24内の指標中心が合致するように、図4
に示す如く、平行平面板26を傾ける。これにより、レ
チクルローテーションが補正される。そして、このレチ
クルローテーションが補正されれば、各アライメント系
10,20の各光電検出系(12,13,22,23)
によってレチクルマーク(Rxy,Rθx)とウエハマ
ーク(WM1,WM2)との位置合わせを行い、露光動
作に移行する。
【0031】なお、ウエハステージ1を回転させてレチ
クルローテーションを補正しても良い。以上、本発明は
縮小投影型露光装置にのみ適用されるものではなく、例
えば軟X線を用いてプロシミティ方式で露光するX線露
光装置であっても、ステップアンドリピート方式であれ
ば、全く同様の効果が得られる。
【0032】また、本実施例では、アライメント系にお
いて画像処理系と光電検出系とを組み合わせた例を示し
たが、これらとは別の方式の検出系と適宜組み合わせて
も良い。
【0033】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、1
枚の被露光基板(ウェハ)にマスク(レチクル)のパタ
ーンを繰り返し重ね合せ露光する際、レチクルローテー
ションが存在する場合、あるいは通常とは異なるサイズ
のレチクルをアライメントする場合にも位置合わせ装置
をレチクルの各マークに対して厳密に合わせ込まなくと
も、原理的に2つのレチクルマークによってレチクルと
ウエハとの高精度な検出が迅速にできる。この結果、製
造された半導体素子又は液晶基板の良品率が高まり歩留
りが著しく向上するという効果が得られる。
【0034】さらにレチクルやウェハの回転ずれに関す
る位置決め精度を追求しなくとも、ウェハステージやレ
チクルステージの直交座標(座標系XY)に対する位置決
め精度を上げるだけで位置合せ精度、再現性精度の高い
露光装置を容易に得ることができる利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の実施例の構成を示す図であ
る。
【図2】図2は、2つのアライメント系の構成を示す図
である。
【図3】図3は、一方のアライメント系の光軸をX方向
に変位させた様子を示す図である。
【図4】図4は、他方のアライメント系の光軸をY方向
に変位させた様子を示す図である。
【図5】図5は、レチクルローテーションが存在する時
のレチクルの様子を示す図である。
【主要部分の符号の説明】
1・・・ ウエハステージ 2・・・ 投影レンズ 3・・・ レチクルステージ 4、5、6、7・・・ 駆動部 8・・・ Zステージ 10、20・・・ アライメント系 11、21・・・ 対物レンズ 13、22・・・ X方向検出系 12、23・・・ Y方向検出系 14、24・・・ 画像検出系 16、26・・・ 平行平面板 15、17、18、25、27、28・・・ ハーフミラー 30・・・ 基準マーク板 R・・・ レチクル W・・・ ウエハ

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】所定のXY直交座標に沿って移動するXY
    ステージ上に保持されたウエハ上に、所定のパターンが
    形成されたレチクルを露光する際に、前記レチクルと前
    記ウエハとの相対的な位置に合わせを行う位置合わせ装
    置において、 前記レチクル上に設けられた第1レチクルマークとウエ
    ハ上に設けられた第1ウエハマークとの位置を検出する
    第1検出系と、前記第1レチクルマークとは異なる前記
    レチクル上の所定の位置に設けられた第2レチクルマー
    クと前記第1ウエハマークとは異なる前記ウエハ上の所
    定の位置に設けられた第2ウエハマークとの位置を検出
    する第2検出系とを有し、 前記第1検出系は、第1対物レンズと、該第1対物レン
    ズを介して前記第1レチクルマーク像及び前記第1ウエ
    ハマーク像を検出する第1像検出手段と、前記第1対物
    レンズと前記第1像検出手段との光路間に順次配置され
    た第1のレチクル側光分割部材及び第1の検出側光分割
    部材と、前記第1のレチクル側光分割部材の光分割方向
    に設けられて前記第1レチクルマーク及び前記第1ウエ
    ハマークのX方向を検出する第1のX方向検出手段と、
    前記第1の検出側光分割部材の光分割方向に設けられて
    前記第1レチクルマーク及び前記第1ウエハマークのY
    方向を検出する第1のY方向検出手段とを有し、 前記第2検出系は、第2対物レンズと、該第2対物レン
    ズを介して前記第2レチクルマーク像及び前記第2ウエ
    ハマーク像を検出する第2像検出手段と、前記第2対物
    レンズと前記第2像検出手段との光路間に順次配置され
    た第2のレチクル側光分割部材及び第2の検出側光分割
    部材と、前記第2のレチクル側光分割部材の光分割方向
    に設けられて前記第2レチクルマーク及び前記第2ウエ
    ハマークのX方向を検出する第2のX方向検出手段と、
    前記第2の検出側光分割部材の光分割方向に設けられて
    前記第2レチクルマーク及び前記第2ウエハマークのY
    方向を検出する第1のY方向検出手段とを有し、 前記第1のレチクル側光分割部材と前記第1の検出側光
    分割部材との間に、前記第1検出系の光軸をX方向に変
    位させる第1補正部材を配置すると共に、前記第2のレ
    チクル側光分割部材と前記第2の検出側光分割部材との
    間に、前記第2検出系の光軸をY方向に変位させる第2
    補正部材を配置したことを特徴とする位置合わせ装置。
  2. 【請求項2】前記第1補正部材は前記第1検出系の光軸
    に垂直でY方向に回転軸を持つ傾角可変な平行平面板で
    構成され、 前記第2補正部材は前記第2検出系の光軸に垂直でX方
    向に回転軸を持つ傾角可変な平行平面板で構成されるこ
    とを特徴とする請求項1記載の位置合わせ装置。
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