JP3088478B2 - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気媒体等において、
磁界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子
に関するものである。実用性の高い磁気抵抗効果素子
は、小さい外部磁場で、抵抗変化率が大きいことが要求
される。本発明に係る磁気抵抗効果素子は、小さい外部
磁場で、抵抗変化率が大きく、充分な実用性を有してい
る。
磁界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子
に関するものである。実用性の高い磁気抵抗効果素子
は、小さい外部磁場で、抵抗変化率が大きいことが要求
される。本発明に係る磁気抵抗効果素子は、小さい外部
磁場で、抵抗変化率が大きく、充分な実用性を有してい
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気センサーの高感度化、及び磁
気記録における高密度化が進められており、これに伴い
磁気抵抗効果型磁気センサー（以下、ＭＲセンサーとい
う。）及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッ
ドという。）の開発が盛んに進められている。ＭＲセン
サーもＭＲヘッドも、磁性材料からなる読み取りセンサ
ー部の抵抗変化により、外部磁界信号を読み出す訳であ
るが、ＭＲセンサー及びＭＲヘッドは、記録媒体との相
対速度が再生出力に依存しないことから、ＭＲセンサー
では高感度が、ＭＲヘッドでは高密度磁気記録において
も高い出力が得られるという特長がある。
気記録における高密度化が進められており、これに伴い
磁気抵抗効果型磁気センサー（以下、ＭＲセンサーとい
う。）及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッ
ドという。）の開発が盛んに進められている。ＭＲセン
サーもＭＲヘッドも、磁性材料からなる読み取りセンサ
ー部の抵抗変化により、外部磁界信号を読み出す訳であ
るが、ＭＲセンサー及びＭＲヘッドは、記録媒体との相
対速度が再生出力に依存しないことから、ＭＲセンサー
では高感度が、ＭＲヘッドでは高密度磁気記録において
も高い出力が得られるという特長がある。
【０００３】しかし、従来の異方性磁気抵抗効果による
磁性体Ｎi0.8Ｆe0.2等を利用したＭＲセンサーでは、抵
抗変化率△Ｒ／Ｒ（後に定義する。）がせいぜい２〜５
％位であることから、さらに抵抗変化率の大きなＭＲ素
子が求められてきた。
磁性体Ｎi0.8Ｆe0.2等を利用したＭＲセンサーでは、抵
抗変化率△Ｒ／Ｒ（後に定義する。）がせいぜい２〜５
％位であることから、さらに抵抗変化率の大きなＭＲ素
子が求められてきた。
【０００４】最近、磁性層間で磁化方向が互いに逆向き
になっている[Ｆe／Ｃr]Ｎを代表とする人工格子膜で大
きな磁気抵抗効果が起きることが発見された［フィジカ
ル・レビュー・レターズ（Ｐhys．Ｒev．Ｌett．）第６
１巻、２４７２頁、１９８８年］。しかし、この人工格
子膜では最大抵抗変化の起きる外部磁場が十数ＫＯe〜
数十ＫＯeと大きく、このままでは実用性がない。
になっている[Ｆe／Ｃr]Ｎを代表とする人工格子膜で大
きな磁気抵抗効果が起きることが発見された［フィジカ
ル・レビュー・レターズ（Ｐhys．Ｒev．Ｌett．）第６
１巻、２４７２頁、１９８８年］。しかし、この人工格
子膜では最大抵抗変化の起きる外部磁場が十数ＫＯe〜
数十ＫＯeと大きく、このままでは実用性がない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
ＭＲセンサー及びＭＲヘッドでは抵抗変化率が小さく、
またＦe／Ｃrをはじめとする人工格子膜では抵抗変化の
起こる外部磁場が大きすぎるという問題があった。本発
明者らは、この問題点を解決するため鋭意研究を重ねた
結果、極めて実用性の高い磁気抵抗効果素子の作製に成
功したのである。
ＭＲセンサー及びＭＲヘッドでは抵抗変化率が小さく、
またＦe／Ｃrをはじめとする人工格子膜では抵抗変化の
起こる外部磁場が大きすぎるという問題があった。本発
明者らは、この問題点を解決するため鋭意研究を重ねた
結果、極めて実用性の高い磁気抵抗効果素子の作製に成
功したのである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、基
板、及び該基板上に非磁性薄膜層を介して積層された少
なくとも２層の磁性薄膜を有してなり、非磁性薄膜層を
介して隣合う磁性薄膜の保磁力が異なっており、磁性薄
膜層及び非磁性薄膜層の厚みが各々２００オングストロ
ーム以下であり、非磁性薄膜層を介して積層された少な
くとも２層の磁性薄膜からなる人工格子膜の繰返し積層
回数が少なくとも２であることを特徴とする磁気抵抗効
果素子を提供するものである。
板、及び該基板上に非磁性薄膜層を介して積層された少
なくとも２層の磁性薄膜を有してなり、非磁性薄膜層を
介して隣合う磁性薄膜の保磁力が異なっており、磁性薄
膜層及び非磁性薄膜層の厚みが各々２００オングストロ
ーム以下であり、非磁性薄膜層を介して積層された少な
くとも２層の磁性薄膜からなる人工格子膜の繰返し積層
回数が少なくとも２であることを特徴とする磁気抵抗効
果素子を提供するものである。
【０００７】本発明の磁気抵抗効果素子では、非磁性薄
膜を介して隣合った磁性薄膜層の保磁力は互いに異なっ
ていることが必須である。その理由は、本発明の原理
が、隣合った磁性層の磁化の向きがズレているとき、伝
導電子がスピンに依存した散乱を受け、抵抗が増え、磁
化の向きが互いに逆向きに向いたとき、最大の抵抗を示
すことにあるからである。すなわち、本発明では、図２
で示すごとく外部磁場が磁性薄膜層の保磁力Ｈc2と磁性
薄膜層の保磁力Ｈc3の間（Ｈc2＜Ｈ＜Ｈc3）であると
き、隣合った磁性層の磁化の方向が互いに逆向きにな
り、抵抗が増大する。なお、外部磁場、保磁力及び磁化
の方向の関係に付いては後に詳述する。
膜を介して隣合った磁性薄膜層の保磁力は互いに異なっ
ていることが必須である。その理由は、本発明の原理
が、隣合った磁性層の磁化の向きがズレているとき、伝
導電子がスピンに依存した散乱を受け、抵抗が増え、磁
化の向きが互いに逆向きに向いたとき、最大の抵抗を示
すことにあるからである。すなわち、本発明では、図２
で示すごとく外部磁場が磁性薄膜層の保磁力Ｈc2と磁性
薄膜層の保磁力Ｈc3の間（Ｈc2＜Ｈ＜Ｈc3）であると
き、隣合った磁性層の磁化の方向が互いに逆向きにな
り、抵抗が増大する。なお、外部磁場、保磁力及び磁化
の方向の関係に付いては後に詳述する。
【０００８】本発明の磁性薄膜に用いる磁性体の種類は
特に制限されないが、具体的には、Ｆe，Ｎi，Ｃo，Ｍ
n，Ｃr，Ｄy，Ｅr，Ｎd，Ｔb，Ｔm，Ｃe,Ｇd等が好まし
い。また、これらの元素を含む合金や化合物としては、
例えば、Ｆe−Ｓi，Ｆe−Ｎi，Ｆe−Ｃo，Ｆe−Ｇd，Ｆ
e−Ａl−Ｓi（センダスト等），Ｆe−Ｙ，Ｆe−Ｍn，Ｃ
r−Ｓb，Ｃo系アモルファス合金、Ｃo−Ｐt，Ｆe−Ａ
l，Ｆe−Ｃ，Ｍn−Ｓb，Ｎi−Ｍn，Ｃo−Ｏ，Ｎi−Ｏ，
Ｆe−Ｏ，Ｎi−Ｆ，フェライト等が好ましい。
特に制限されないが、具体的には、Ｆe，Ｎi，Ｃo，Ｍ
n，Ｃr，Ｄy，Ｅr，Ｎd，Ｔb，Ｔm，Ｃe,Ｇd等が好まし
い。また、これらの元素を含む合金や化合物としては、
例えば、Ｆe−Ｓi，Ｆe−Ｎi，Ｆe−Ｃo，Ｆe−Ｇd，Ｆ
e−Ａl−Ｓi（センダスト等），Ｆe−Ｙ，Ｆe−Ｍn，Ｃ
r−Ｓb，Ｃo系アモルファス合金、Ｃo−Ｐt，Ｆe−Ａ
l，Ｆe−Ｃ，Ｍn−Ｓb，Ｎi−Ｍn，Ｃo−Ｏ，Ｎi−Ｏ，
Ｆe−Ｏ，Ｎi−Ｆ，フェライト等が好ましい。
【０００９】本発明では、これらの磁性体から保磁力の
異なる２種またはそれ以上を選択して磁性薄膜を形成す
る。
異なる２種またはそれ以上を選択して磁性薄膜を形成す
る。
【００１０】各磁性薄膜層の膜厚の上限は、２００オン
グストームである。一方、磁性薄膜の厚さの下限は特に
ないが、４オングストローム以下はキューリー点が室温
より低くなって実用性がなくなる。また、厚さを４オン
グストローム以上とすれば、膜厚を均一に保つことが容
易となり、膜質も良好となる。また、飽和磁化の大きさ
が小さくなりすぎることもない。膜厚を２００オングス
トローム以上としても効果は落ちないが、膜厚の増加に
伴って効果が増大することもなく、膜の作製上無駄が多
く、不経済である。
グストームである。一方、磁性薄膜の厚さの下限は特に
ないが、４オングストローム以下はキューリー点が室温
より低くなって実用性がなくなる。また、厚さを４オン
グストローム以上とすれば、膜厚を均一に保つことが容
易となり、膜質も良好となる。また、飽和磁化の大きさ
が小さくなりすぎることもない。膜厚を２００オングス
トローム以上としても効果は落ちないが、膜厚の増加に
伴って効果が増大することもなく、膜の作製上無駄が多
く、不経済である。
【００１１】各磁性膜の保磁力は、適用される素子にお
ける外部磁界強度や要求される抵抗変化率等に応じて、
例えば約０．００１Ｏe〜約１０kＯeの範囲から適宜選
択すればよい。また、隣接する磁性薄膜の保磁力の比
は、１．２：１〜１００：１、好ましくは５：１〜５
０：１、より好ましくは８：１〜２０：１である。
ける外部磁界強度や要求される抵抗変化率等に応じて、
例えば約０．００１Ｏe〜約１０kＯeの範囲から適宜選
択すればよい。また、隣接する磁性薄膜の保磁力の比
は、１．２：１〜１００：１、好ましくは５：１〜５
０：１、より好ましくは８：１〜２０：１である。
【００１２】なお、磁気抵抗効果素子中に存在する磁性
薄膜の磁気特性を直接測定することはできないので、通
常、下記のようにして測定する。測定すべき磁性薄膜
を、磁性薄膜の合計厚さが２００〜４００オングストロ
ーム程度になるまで非磁性薄膜と交互に蒸着して測定用
サンプルを作製し、これに付いて磁気特性を測定する。
この場合、磁性薄膜の厚さ、非磁性薄膜の厚さ及び非磁
性薄膜の組成は、磁気抵抗効果測定素子におけるものと
同じにする。
薄膜の磁気特性を直接測定することはできないので、通
常、下記のようにして測定する。測定すべき磁性薄膜
を、磁性薄膜の合計厚さが２００〜４００オングストロ
ーム程度になるまで非磁性薄膜と交互に蒸着して測定用
サンプルを作製し、これに付いて磁気特性を測定する。
この場合、磁性薄膜の厚さ、非磁性薄膜の厚さ及び非磁
性薄膜の組成は、磁気抵抗効果測定素子におけるものと
同じにする。
【００１３】保磁力以外の磁性薄膜の磁気特性に特に限
定はないが、低保磁力の磁性薄膜の角形比は０．９〜
１．０であるのが好ましい。
定はないが、低保磁力の磁性薄膜の角形比は０．９〜
１．０であるのが好ましい。
【００１４】非磁性薄膜層は、保磁力の異なる磁性薄膜
層間の磁気相互作用を弱める役割をはたす材料であり、
その種類に特に制限はなく、各種金属ないし半金属非磁
性体及び非金属非磁性体から適宜選択すればよい。
層間の磁気相互作用を弱める役割をはたす材料であり、
その種類に特に制限はなく、各種金属ないし半金属非磁
性体及び非金属非磁性体から適宜選択すればよい。
【００１５】金属非磁性体としては、Ａu，Ａg，Ｃu，
Ｐt，Ａl，Ｍg，Ｍo，Ｚn，Ｎb，Ｔa，Ｖ，Ｈf，Ｓb，
Ｚr，Ｇa，Ｔi，Ｓn，Ｐb等及びこれらの合金が好まし
い。半金属非磁性体としては、Ｓi，Ｇe，Ｃ，Ｂ等及び
これらに別の元素を添加したものが好ましい。非金属非
磁性体としては、ＳiＯ2，ＳiＯ，ＳiＮ，Ａl2Ｏ3，Ｚn
Ｏ，ＭgＯ，ＴiＮ等及びこれらに別の元素を添加したも
のが好ましい。
Ｐt，Ａl，Ｍg，Ｍo，Ｚn，Ｎb，Ｔa，Ｖ，Ｈf，Ｓb，
Ｚr，Ｇa，Ｔi，Ｓn，Ｐb等及びこれらの合金が好まし
い。半金属非磁性体としては、Ｓi，Ｇe，Ｃ，Ｂ等及び
これらに別の元素を添加したものが好ましい。非金属非
磁性体としては、ＳiＯ2，ＳiＯ，ＳiＮ，Ａl2Ｏ3，Ｚn
Ｏ，ＭgＯ，ＴiＮ等及びこれらに別の元素を添加したも
のが好ましい。
【００１６】非磁性薄膜の厚さは、２００オングストロ
ーム以下が望ましい。一般に膜厚が２００オングストロ
ームを超えると、非磁性薄膜層により抵抗が決まってし
まい、スピンに依存する散乱効果が相対的に小さくなっ
てしまい、その結果、磁気抵抗変化率が小さくなってし
まう。一方、膜厚が４オングストローム以下になると、
磁性薄膜層間の磁気相互作用が大きくなり過ぎ、両磁性
薄膜の磁化方向が相異なる状態が生じにくくなる。
ーム以下が望ましい。一般に膜厚が２００オングストロ
ームを超えると、非磁性薄膜層により抵抗が決まってし
まい、スピンに依存する散乱効果が相対的に小さくなっ
てしまい、その結果、磁気抵抗変化率が小さくなってし
まう。一方、膜厚が４オングストローム以下になると、
磁性薄膜層間の磁気相互作用が大きくなり過ぎ、両磁性
薄膜の磁化方向が相異なる状態が生じにくくなる。
【００１７】磁性又は非磁性薄膜の膜厚は、透過型電子
顕微鏡、走査型電子顕微鏡、オージェ電子分光分析等に
より測定することができる。また、薄膜の結晶構造は、
Ｘ線回折や高速電子線回折等により確認することができ
る。
顕微鏡、走査型電子顕微鏡、オージェ電子分光分析等に
より測定することができる。また、薄膜の結晶構造は、
Ｘ線回折や高速電子線回折等により確認することができ
る。
【００１８】本発明の磁気抵抗効果素子において、人工
格子膜の繰返し積層回数Ｎに特に制限はなく、目的とす
る磁気抵抗変化率等に応じて適宜選定すればよいが、十
分な磁気抵抗変化率を得るためには、Ｎを３以上にする
のが好ましい。また、積層数を増加するに従って、抵抗
変化率も増加するが、生産性が悪くなり、さらにＮが大
きすぎると素子全体の抵抗が低くなりすぎて実用上の不
便が生じることから、通常、Ｎを５０以下とするのが好
ましい。
格子膜の繰返し積層回数Ｎに特に制限はなく、目的とす
る磁気抵抗変化率等に応じて適宜選定すればよいが、十
分な磁気抵抗変化率を得るためには、Ｎを３以上にする
のが好ましい。また、積層数を増加するに従って、抵抗
変化率も増加するが、生産性が悪くなり、さらにＮが大
きすぎると素子全体の抵抗が低くなりすぎて実用上の不
便が生じることから、通常、Ｎを５０以下とするのが好
ましい。
【００１９】以上の説明では、磁性薄膜として保磁力の
異なる２種類の磁性薄膜だけを用いているが、保磁力が
それぞれ異なる３種以上の磁性薄膜を用いることによ
り、磁化方向が逆転する外部磁界を２箇所以上設定で
き、動作磁界強度の範囲を拡大することができる。
異なる２種類の磁性薄膜だけを用いているが、保磁力が
それぞれ異なる３種以上の磁性薄膜を用いることによ
り、磁化方向が逆転する外部磁界を２箇所以上設定で
き、動作磁界強度の範囲を拡大することができる。
【００２０】なお、最上層の磁性薄膜の表面には、窒化
けい素や酸化けい素等の酸化防止膜が設けられてもよ
く、電極引出のための金属導電層が設けられてもよい。
けい素や酸化けい素等の酸化防止膜が設けられてもよ
く、電極引出のための金属導電層が設けられてもよい。
【００２１】製膜は、蒸着法、スパッタリング法、分子
線エピタキシー法（ＭＢＥ）等の方法で行う。また、基
板としては、ガラス，けい素，ＭgＯ，ＧaＡs，フェラ
イト，ＣaＴiＯ等を用いることができる。
線エピタキシー法（ＭＢＥ）等の方法で行う。また、基
板としては、ガラス，けい素，ＭgＯ，ＧaＡs，フェラ
イト，ＣaＴiＯ等を用いることができる。
【００２２】ここで、外部磁場、保磁力及び磁化の方向
の関係を説明する。簡素化の為、保磁力の異なった２種
類の磁性薄膜及びに限定して説明する。図２に示す
ように、２種類の磁性薄膜層のＨcをそれぞれＨc2及び
Ｈc3とする（０＜Ｈc2＜Ｈc3）。最初、外部磁場Ｈを、
Ｈ＜−Ｈcm（Ｈcmは、磁性薄膜の磁化が飽和する外部
磁界である。）となるようにかけておく。磁性薄膜層
及びの磁化方向は、Ｈと同じ−（負）方向に向いてい
る。次に外部磁場を上げていくと、Ｈ＜Ｈc2の領域
（Ｉ）では、まだ両磁性薄膜層磁化方向は−方向を向い
ている。
の関係を説明する。簡素化の為、保磁力の異なった２種
類の磁性薄膜及びに限定して説明する。図２に示す
ように、２種類の磁性薄膜層のＨcをそれぞれＨc2及び
Ｈc3とする（０＜Ｈc2＜Ｈc3）。最初、外部磁場Ｈを、
Ｈ＜−Ｈcm（Ｈcmは、磁性薄膜の磁化が飽和する外部
磁界である。）となるようにかけておく。磁性薄膜層
及びの磁化方向は、Ｈと同じ−（負）方向に向いてい
る。次に外部磁場を上げていくと、Ｈ＜Ｈc2の領域
（Ｉ）では、まだ両磁性薄膜層磁化方向は−方向を向い
ている。
【００２３】外部磁場を上げてＨc2＜Ｈ＜Ｈc3の領域
（II）になると、磁性薄膜層の磁化方向が反転し、磁
性薄膜層及びの磁化方向は互いに逆向きになる。更
に外部磁場を大きくしたＨcm＜Ｈの領域（III）では、
磁性薄膜層及びの磁化方向は、＋方向に揃って向
く。
（II）になると、磁性薄膜層の磁化方向が反転し、磁
性薄膜層及びの磁化方向は互いに逆向きになる。更
に外部磁場を大きくしたＨcm＜Ｈの領域（III）では、
磁性薄膜層及びの磁化方向は、＋方向に揃って向
く。
【００２４】今度は外部磁場Ｈを減少させると、−Ｈc2
＜Ｈの領域（IV）では磁性薄膜層及びの磁化方向は
＋方向のままであるが、−Ｈc3＜Ｈ＜−Ｈc2の領域
（Ｖ）では、磁性薄膜層の磁化方向は−方向に反転
し、磁性薄膜層及びの磁化方向は互いに逆向きにな
る。更に、Ｈ＜−Ｈcmの領域（VI）では、磁性薄膜層
及びの磁化方向は−方向に揃って向く。この磁性薄膜
層及びの磁化方向が互いに逆向きになっている領域
（II）及び（Ｖ）で、伝導電子がスピンに依存した散乱
を受け、抵抗は大きくなる。
＜Ｈの領域（IV）では磁性薄膜層及びの磁化方向は
＋方向のままであるが、−Ｈc3＜Ｈ＜−Ｈc2の領域
（Ｖ）では、磁性薄膜層の磁化方向は−方向に反転
し、磁性薄膜層及びの磁化方向は互いに逆向きにな
る。更に、Ｈ＜−Ｈcmの領域（VI）では、磁性薄膜層
及びの磁化方向は−方向に揃って向く。この磁性薄膜
層及びの磁化方向が互いに逆向きになっている領域
（II）及び（Ｖ）で、伝導電子がスピンに依存した散乱
を受け、抵抗は大きくなる。
【００２５】磁性薄膜層に例えばＨcの小さなＮi0.8
Ｆe0.2（Ｈc2数Ｏe）を選び、磁性薄膜層にＨcのやや
大きい例えばＣo（Ｈc3数十Ｏe）を選ぶことにより、外
部磁場Ｈc2付近の小外部磁場で大きな抵抗変化率を示す
ＭＲ素子が得られる。
Ｆe0.2（Ｈc2数Ｏe）を選び、磁性薄膜層にＨcのやや
大きい例えばＣo（Ｈc3数十Ｏe）を選ぶことにより、外
部磁場Ｈc2付近の小外部磁場で大きな抵抗変化率を示す
ＭＲ素子が得られる。
【００２６】
【実施例】本発明の磁気抵抗効果素子を添付図面を参照
して説明する。図１は、本発明の実施例である人工格子
膜１の断面図である。図１において、人工格子膜１は、
基板４上に磁性薄膜Ｍ1，Ｍ2，…，Ｍn-1，Ｍnを有し、
隣接する２層の磁性薄膜の間に、非磁性薄膜Ｎ1，Ｎ2，
…，Ｎn-2，Ｎn-1を有する。
して説明する。図１は、本発明の実施例である人工格子
膜１の断面図である。図１において、人工格子膜１は、
基板４上に磁性薄膜Ｍ1，Ｍ2，…，Ｍn-1，Ｍnを有し、
隣接する２層の磁性薄膜の間に、非磁性薄膜Ｎ1，Ｎ2，
…，Ｎn-2，Ｎn-1を有する。
【００２７】以下、本発明を具体的な実験結果により説
明する。実施例１ 基板としてガラス基板４を用い、超高真空蒸着装置の
中に入れ、１０-9〜１０-10torrまで真空引きを行う。
基板温度は室温に保ったまま基板を回転させながら、以
下の組成をもつ人工格子膜１を作製した。磁界を基板の
面内方向に印加しながら、約０.３オングストローム／
秒の製膜速度で、製膜を行った。
明する。実施例１ 基板としてガラス基板４を用い、超高真空蒸着装置の
中に入れ、１０-9〜１０-10torrまで真空引きを行う。
基板温度は室温に保ったまま基板を回転させながら、以
下の組成をもつ人工格子膜１を作製した。磁界を基板の
面内方向に印加しながら、約０.３オングストローム／
秒の製膜速度で、製膜を行った。
【００２８】磁性薄膜と非磁性薄膜とからなる多層膜の
構成及び磁気抵抗変化率を下記表１に示す。なお、表１
において、例えば、[Ｎi0.8Ｆe0.2(30)／Ｃu(20)／Ｃo
(30)／Ｃu(20)]5と表示されている場合、３０オングス
トローム厚のＮi８０％−Ｆｅ２０％の合金薄膜、２０
オングストローム厚のＣｕ薄膜、３０オングストローム
厚のＣo薄膜及び２０オングストローム厚のＣu薄膜を順
次蒸着する工程を５回繰り返したことを意味する。
構成及び磁気抵抗変化率を下記表１に示す。なお、表１
において、例えば、[Ｎi0.8Ｆe0.2(30)／Ｃu(20)／Ｃo
(30)／Ｃu(20)]5と表示されている場合、３０オングス
トローム厚のＮi８０％−Ｆｅ２０％の合金薄膜、２０
オングストローム厚のＣｕ薄膜、３０オングストローム
厚のＣo薄膜及び２０オングストローム厚のＣu薄膜を順
次蒸着する工程を５回繰り返したことを意味する。
【００２９】磁化の測定は、振動型磁力計により行っ
た。抵抗測定は、表１に示される構成の試料から０.３
×１０mmの形状のサンプルを作成し、外部磁界を面内に
電流と垂直方向になるようにかけながら、−５００〜５
００Ｏeまで変化させたときの抵抗を４端子法により測
定し、その抵抗から磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒを求めた。
抵抗変化率ΔＲ／Ｒは、最大抵抗値をＲmax、最小抵抗
値をＲminとし、次式により計算した：
た。抵抗測定は、表１に示される構成の試料から０.３
×１０mmの形状のサンプルを作成し、外部磁界を面内に
電流と垂直方向になるようにかけながら、−５００〜５
００Ｏeまで変化させたときの抵抗を４端子法により測
定し、その抵抗から磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒを求めた。
抵抗変化率ΔＲ／Ｒは、最大抵抗値をＲmax、最小抵抗
値をＲminとし、次式により計算した：
【００３０】
【数１】
【００３１】
【表１】 人 工 格 子 膜 構 成 △Ｒ/Ｒ(%) [Ｎi0.8Ｆe0.2(25)／Ｃu(55)／Ｃo(25)／Ｃu(55)]1 １.２ [Ｎi0.8Ｆe0.2(25)／Ｃu(55)／Ｃo(25)／Ｃu(55)]2 ２.９ [Ｎi0.8Ｆe0.2(25)／Ｃu(55)／Ｃo(25)／Ｃu(55)]3 ４.１ [Ｎi0.8Ｆe0.2(25)／Ｃu(55)／Ｃo(25)／Ｃu(55)]5 ５.５ [Ｎi0.8Ｆe0.2(25)／Ｃu(55)／Ｃo(25)／Ｃu(55)]7 ６.１ [Ｎi0.8Ｆe0.2(25)／Ｃu(55)／Ｃo(25)／Ｃu(55)]10 ７.５ [Ｎi0.8Ｆe0.2(25)／Ｃu(55)／Ｃo(25)／Ｃu(55)]15 ８.８ [Ｎi0.8Ｆe0.15Ｍo0.05(25)／Ｃu(55)／Ｃo(25)／ Ｃu(55)]5 ５.０ [Ｎi0.8Ｆe0.2(25)／Ｐt(50)／Ｃo(25)／Ｐt(50)]5 ３.０ [Ｎi0.8Ｆe0.2(25)／Ａl(4)／Ｃo(25)／Ａl(4)]15 ３.０ [Ｎi0.8Ｆe0.2(25)／Ｔi(4)／Ｃo(25)／Ｔi(4)]15 ４.０
【００３２】図３及び図４に[ＮiＦe(25)／Ｃu(55)／Ｃ
o(25)／Ｃu(55)]5のＢ−Ｈ曲線及び外部磁場−抵抗曲線
をそれぞれ示す。
o(25)／Ｃu(55)]5のＢ−Ｈ曲線及び外部磁場−抵抗曲線
をそれぞれ示す。
【００３３】実施例２ 実施例１と同様にして表２に示す構造の６種の磁気抵
抗効果素子を作成した。
抗効果素子を作成した。
【００３４】膜の容易軸方向(Ｅ．Ａ．）又は困難軸方
向（Ｈ．Ａ．）に外部磁場を−３０００Ｏｅ〜３０００
Ｏｅまで変化させてかけ、抵抗変化率を測定した。結果
を表２に示す。
向（Ｈ．Ａ．）に外部磁場を−３０００Ｏｅ〜３０００
Ｏｅまで変化させてかけ、抵抗変化率を測定した。結果
を表２に示す。
【００３５】
【表２】 人 工 格 子 膜 構 成 △Ｒ/Ｒ(%) Ｈ//H.A. Ｈ//E.A. [Ｎi0.8Ｆe0.2(30)／Ｃu(20)／Ｃo(30)／Ｃu(20)]15 １.４ −− [Ｎi0.8Ｆe0.2(30)／Ｃu(35)／Ｃo(30)／Ｃu(35)]15 ４.４ −− [Ｎi0.8Ｆe0.2(30)／Ｃu(50)／Ｃo(30)／Ｃu(50)]15 ９.９ ８.８ [Ｎi0.8Ｆe0.2(30)／Ａu(20)／Ｃo(30)／Ａu(20)]15 ２.９ ０.７ [Ｎi0.8Ｆe0.2(30)／Ａu(35)／Ｃo(30)／Ａu(35)]15 ４.０ ２.９ [Ｎi0.8Ｆe0.2(30)／Ａu(50)／Ｃo(30)／Ａu(50)]15 ４.７ −−
【００３６】[Ｆe(30)／Ｃu(35)／Ｃo(30)／Ｃu(35)]15
および[Ｎi(30)／Ｃu(35)／Ｃo(30)／Ｃu(35)]15の構成
でも上記とほぼ同様の効果を得た。
および[Ｎi(30)／Ｃu(35)／Ｃo(30)／Ｃu(35)]15の構成
でも上記とほぼ同様の効果を得た。
【００３７】尚、上記実施例の他に、非磁性薄膜層の種
類、膜厚を変える実験を行ったところ、人工格子膜のＢ
−Ｈ曲線の形状が少しずつ変わり、それにつれて抵抗変
化率△Ｒ／Ｒの大きさ、外部磁場−抵抗曲線の形状、最
大抵抗値Ｒmaxを示すときの外部磁場ＨRが変化すること
が明らかとなった。すなわち、本発明の磁気抵抗効果素
子では、磁性薄膜の磁気特性、非磁性薄膜の厚さ、種類
を選択することにより、極めて高い抵抗変化率が実現
し、しかも抵抗値が最大となる磁界強度を比較的自由に
設定することができる。
類、膜厚を変える実験を行ったところ、人工格子膜のＢ
−Ｈ曲線の形状が少しずつ変わり、それにつれて抵抗変
化率△Ｒ／Ｒの大きさ、外部磁場−抵抗曲線の形状、最
大抵抗値Ｒmaxを示すときの外部磁場ＨRが変化すること
が明らかとなった。すなわち、本発明の磁気抵抗効果素
子では、磁性薄膜の磁気特性、非磁性薄膜の厚さ、種類
を選択することにより、極めて高い抵抗変化率が実現
し、しかも抵抗値が最大となる磁界強度を比較的自由に
設定することができる。
【００３８】
【発明の効果】本発明は、以上説明した通りの磁気抵抗
効果素子で、数Ｏe〜数十Ｏe程度の小さい外部磁場で数
％〜数十％の大きい抵抗変化率をもつ磁気抵抗効果素子
が得られる。従って高感度のＭＲセンサー及び高密度磁
気記録が可能なＭＲヘッドを提供することできる。
効果素子で、数Ｏe〜数十Ｏe程度の小さい外部磁場で数
％〜数十％の大きい抵抗変化率をもつ磁気抵抗効果素子
が得られる。従って高感度のＭＲセンサー及び高密度磁
気記録が可能なＭＲヘッドを提供することできる。
【図１】 本発明に係る磁気抵抗効果素子の一部省略側
面図である。
面図である。
【図２】 本発明の作用を説明するＢ−Ｈ曲線の模式図
である。
である。
【図３】 [ＮiＦe(25)／Ｃu(55)／Ｃo(25)／Ｃu(55)]5
のＢ−Ｈ曲線である。
のＢ−Ｈ曲線である。
【図４】 [ＮiＦe(25)／Ｃu(55)／Ｃo(25)／Ｃu(55)]5
の外部磁界Ｈと抵抗Ｒとの関係を示す曲線である。
の外部磁界Ｈと抵抗Ｒとの関係を示す曲線である。
１：人工格子膜、Ｍ1,Ｍ2,…,Ｍn-1,Ｍn：磁性薄膜層、
Ｎ1,Ｎ2,…,Ｎn-1：非磁性薄膜層、４：基板
Ｎ1,Ｎ2,…,Ｎn-1：非磁性薄膜層、４：基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平2−244669 (32)優先日 平成２年９月14日(1990．9．14) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 43/08
Claims (1)
- 【請求項１】 基板、及び該基板上に非磁性薄膜層を介
して積層された少なくとも２層の磁性薄膜を有してな
り、非磁性薄膜層を介して隣合う磁性薄膜の保磁力が異
なっており、磁性薄膜層及び非磁性薄膜層の厚みが各々
２００オングストローム以下であり、非磁性薄膜層を介
して積層された少なくとも２層の磁性薄膜からなる人工
格子膜の繰返し積層回数が少なくとも２であることを特
徴とする磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03078824A JP3088478B2 (ja) | 1990-05-21 | 1991-04-11 | 磁気抵抗効果素子 |
| DE69132804T DE69132804T2 (de) | 1990-05-21 | 1991-05-20 | Magnetwiderstandseffekt-element |
| EP91909096A EP0483373B1 (en) | 1990-05-21 | 1991-05-20 | Magnetoresistance effect element |
| PCT/JP1991/000671 WO1991018424A1 (fr) | 1990-05-21 | 1991-05-20 | Element a effet de magnetoresistance |
| US07/820,866 US5315282A (en) | 1990-05-21 | 1991-05-20 | Magnetoresistance effect element |
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13160290 | 1990-05-21 | ||
| JP15566590 | 1990-06-14 | ||
| JP24307690 | 1990-09-12 | ||
| JP2-131602 | 1990-09-14 | ||
| JP2-243076 | 1990-09-14 | ||
| JP2-155665 | 1990-09-14 | ||
| JP24466990 | 1990-09-14 | ||
| JP2-244669 | 1990-09-14 | ||
| JP03078824A JP3088478B2 (ja) | 1990-05-21 | 1991-04-11 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04218982A JPH04218982A (ja) | 1992-08-10 |
| JP3088478B2 true JP3088478B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=27524747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03078824A Expired - Lifetime JP3088478B2 (ja) | 1990-05-21 | 1991-04-11 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5315282A (ja) |
| EP (1) | EP0483373B1 (ja) |
| JP (1) | JP3088478B2 (ja) |
| DE (1) | DE69132804T2 (ja) |
| WO (1) | WO1991018424A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0648592U (ja) * | 1992-10-16 | 1994-07-05 | 三星電子株式会社 | 全自動洗濯機 |
Families Citing this family (62)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69219936T3 (de) † | 1991-03-29 | 2008-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetowiderstandseffekt-Element |
| JP3088519B2 (ja) * | 1991-10-23 | 2000-09-18 | 財団法人生産開発科学研究所 | 磁気抵抗効果素子 |
| US5304975A (en) * | 1991-10-23 | 1994-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect sensor |
| JP3207477B2 (ja) * | 1991-12-24 | 2001-09-10 | 財団法人生産開発科学研究所 | 磁気抵抗効果素子 |
| EP0565102A2 (en) * | 1992-04-10 | 1993-10-13 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic laminations and magnetic heads and magnetic recording/reproducing devices using a magnetic lamination |
| JP3285937B2 (ja) * | 1992-06-23 | 2002-05-27 | ティーディーケイ株式会社 | 磁性多層膜および磁気抵抗変化素子ならびにそれらの製造方法 |
| JPH0629589A (ja) * | 1992-07-07 | 1994-02-04 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
| JP3411626B2 (ja) * | 1992-08-27 | 2003-06-03 | ティーディーケイ株式会社 | 磁性多層膜および磁気抵抗効果素子ならびにそれらの製造方法 |
| DE69332699T2 (de) * | 1992-11-16 | 2003-09-18 | Nve Corp | Magnetoresistive struktur mit einer legierungsschicht |
| US5569544A (en) * | 1992-11-16 | 1996-10-29 | Nonvolatile Electronics, Incorporated | Magnetoresistive structure comprising ferromagnetic thin films and intermediate layers of less than 30 angstroms formed of alloys having immiscible components |
| DE4401476A1 (de) * | 1993-01-20 | 1994-07-28 | Fuji Electric Co Ltd | Magneto-resistives Element, magnetisches Induktionselement und solche enthaltender Dünnschicht-Magnetkopf |
| US5422571A (en) * | 1993-02-08 | 1995-06-06 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive spin valve sensor having a nonmagnetic back layer |
| US5657190A (en) * | 1993-03-02 | 1997-08-12 | Tdk Corporation | Apparatus for detecting a magnetic field using a giant magnetoresistance effect multilayer |
| DE4408274C2 (de) * | 1993-03-12 | 2001-04-26 | Toshiba Kawasaki Kk | Magnetoresistenzeffekt-Element |
| US5736921A (en) * | 1994-03-23 | 1998-04-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive element |
| US5585198A (en) * | 1993-10-20 | 1996-12-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetorsistance effect element |
| JP2629583B2 (ja) * | 1993-05-13 | 1997-07-09 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 |
| JP2731506B2 (ja) * | 1993-11-22 | 1998-03-25 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
| EP0676746B1 (en) * | 1994-03-09 | 1999-08-04 | Eastman Kodak Company | Spin-valve dual magnetoresistive reproduce head |
| US5695858A (en) * | 1994-03-23 | 1997-12-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive element |
| EP0675554A1 (en) * | 1994-03-24 | 1995-10-04 | Nec Corporation | Magnetoresistive effect element |
| EP0685746A3 (en) * | 1994-05-30 | 1996-12-04 | Sony Corp | Magnetoresistive effect device having improved thermal resistance. |
| JPH10503883A (ja) * | 1994-06-18 | 1998-04-07 | ザ ユニヴァーシティ オブ シェフィールド | 磁場応答デバイス |
| JPH0845034A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Sony Corp | 磁気抵抗型磁気ヘッド及び記録・再生用複合型磁気ヘッド、並びにこれらの製造方法 |
| DE4427495C2 (de) * | 1994-08-03 | 2000-04-13 | Siemens Ag | Sensoreinrichtung mit einem GMR-Sensorelement |
| JPH0849062A (ja) * | 1994-08-04 | 1996-02-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果膜 |
| JP2901501B2 (ja) * | 1994-08-29 | 1999-06-07 | ティーディーケイ株式会社 | 磁性多層膜およびその製造方法ならびに磁気抵抗効果素子 |
| JPH08130337A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-05-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗素子及びその製造方法 |
| JP2748876B2 (ja) * | 1995-01-27 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果膜 |
| US5585986A (en) * | 1995-05-15 | 1996-12-17 | International Business Machines Corporation | Digital magnetoresistive sensor based on the giant magnetoresistance effect |
| DE19520172A1 (de) * | 1995-06-01 | 1996-12-05 | Siemens Ag | Magnetisierungseinrichtung für ein magnetoresistives Dünnschicht-Sensorelement mit einem Biasschichtteil |
| DE19520178A1 (de) * | 1995-06-01 | 1996-12-05 | Siemens Ag | Magnetisierungsvorrichtung für magnetoresistive Dünnschicht-Sensorelemente in einer Brückenschaltung |
| DE19520206C2 (de) * | 1995-06-01 | 1997-03-27 | Siemens Ag | Magnetfeldsensor mit einer Brückenschaltung von magnetoresistiven Brückenelementen |
| DE19536433C2 (de) * | 1995-09-29 | 1999-04-08 | Siemens Ag | Vorrichtung zur berührungslosen Positionserfassung eines Objektes und Verwendung der Vorrichtung |
| JP3397026B2 (ja) * | 1995-12-06 | 2003-04-14 | トヨタ自動車株式会社 | 磁気式回転検出装置 |
| DE19652536C2 (de) * | 1995-12-21 | 2002-01-31 | Siemens Ag | Dünnschichtenaufbau eines magnetfeldempfindlichen Sensors mit einem magnetoresistiven Magnetschichtsystem |
| DE19701509C2 (de) * | 1996-01-19 | 2003-08-21 | Fujitsu Ltd | Magnetsensoren |
| DE19608730C2 (de) * | 1996-03-06 | 1998-05-28 | Siemens Ag | Magnetfeldempfindlicher Sensor mit einem Dünnschichtaufbau und Verwendung des Sensors |
| DE19612422C2 (de) * | 1996-03-28 | 2000-06-15 | Siemens Ag | Potentiometereinrichtung mit einem linear verschiebbaren Stellelement und signalerzeugenden Mitteln |
| DE19619806A1 (de) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Siemens Ag | Magnetfeldempfindliche Sensoreinrichtung mit mehreren GMR-Sensorelementen |
| DE19633362A1 (de) * | 1996-08-19 | 1998-02-26 | Siemens Ag | Schichtaufbau mit einem magnetisch anisotropen Schichtteil |
| US5945904A (en) * | 1996-09-06 | 1999-08-31 | Ford Motor Company | Giant magnetoresistors with high sensitivity and reduced hysteresis and thin layers |
| DE19706106A1 (de) | 1997-02-17 | 1998-08-27 | Siemens Ag | Ventileinrichtung eines Verbrennungsmotors |
| DE19712833C2 (de) * | 1997-03-26 | 1999-10-14 | Siemens Ag | Einrichtung zur berührungslosen Positionserfassung eines Objektes und Verwendung der Einrichtung |
| DE19720197C2 (de) * | 1997-05-14 | 2001-11-15 | Siemens Ag | Dünnschichtenaufbau eines magnetfeldempfindlichen Sensors mit einem einen erhöhten magnetoresistiven Effekt zeigenden Magnetschichtensystem |
| DE19739550C1 (de) * | 1997-09-09 | 1998-11-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Einstellung der Biasmagnetisierung in einem magnetoresistiven Sensorelement sowie Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| EP0905523B1 (de) | 1997-09-24 | 2004-11-10 | Infineon Technologies AG | Sensoreinrichtung zur Richtungserfassung eines äu eren Magnetfeldes mittels eines magnetoresistiven Sensorelementes |
| DE19742366C1 (de) * | 1997-09-25 | 1999-05-27 | Siemens Ag | Einrichtung mit magnetoresistivem Sensorelement und zugeordneter Magnetisierungsvorrichtung |
| DE19743335C1 (de) * | 1997-09-30 | 1998-11-12 | Siemens Ag | Sensoreinrichtung mit einer Brückenschaltung ihrer einen großen magnetoresistiven Effekt zeigenden Brückenelemente |
| JPH11134620A (ja) | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Nec Corp | 強磁性トンネル接合素子センサ及びその製造方法 |
| DE19844890C2 (de) * | 1998-09-30 | 2002-02-14 | Infineon Technologies Ag | Dünnschichtenaufbau eines magnetfeldempfindlichen Sensors mit einem magnetoresistiven Mehrschichtensystem mit Spinabhängigkeit der Elektronenstreuung |
| DE10017374B4 (de) * | 1999-05-25 | 2007-05-10 | Siemens Ag | Magnetische Koppeleinrichtung und deren Verwendung |
| US6902826B1 (en) * | 2000-08-18 | 2005-06-07 | International Business Machines Corporation | High moment films with sub-monolayer nanolaminations retaining magnetic anisotropy after hard axis annealing |
| JP3498737B2 (ja) | 2001-01-24 | 2004-02-16 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサの製造方法 |
| JP2003179283A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Tokai Rika Co Ltd | 磁気センサ |
| US6652906B1 (en) | 2002-11-19 | 2003-11-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Fabrication of a magnetoresistance sensor structure having a spacer layer produced by multiple deposition and oxidation steps |
| US20050013060A1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-01-20 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor |
| US7598555B1 (en) * | 2003-08-22 | 2009-10-06 | International Business Machines Corporation | MgO tunnel barriers and method of formation |
| JP4557134B2 (ja) | 2004-03-12 | 2010-10-06 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサの製造方法、同磁気センサの製造方法に使用されるマグネットアレイ及び同マグネットアレイの製造方法 |
| US7357995B2 (en) * | 2004-07-02 | 2008-04-15 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel barriers and associated magnetic tunnel junctions with high tunneling magnetoresistance |
| US7270896B2 (en) * | 2004-07-02 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | High performance magnetic tunnel barriers with amorphous materials |
| JP5558425B2 (ja) * | 2011-07-04 | 2014-07-23 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子、磁気メモリ及び磁気抵抗素子の製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3814863A (en) * | 1972-10-11 | 1974-06-04 | Ibm | Internally biased magnetoresistive magnetic transducer |
| US3813692A (en) * | 1972-10-11 | 1974-05-28 | Ibm | Internally biased magnetoresistive magnetic transducer |
| JPH0642566B2 (ja) * | 1987-12-09 | 1994-06-01 | 日本電気株式会社 | 磁気低抗効果素子の製造方法 |
| DE3820475C1 (ja) * | 1988-06-16 | 1989-12-21 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
| JPH0223681A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
| JPH0223678A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Nec Corp | 磁気抵抗効果型素子 |
| FR2648942B1 (fr) * | 1989-06-27 | 1995-08-11 | Thomson Csf | Capteur a effet magnetoresistif |
| US5206590A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
| JP2690623B2 (ja) * | 1991-02-04 | 1997-12-10 | 松下電器産業株式会社 | 磁気抵抗効果素子 |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP03078824A patent/JP3088478B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-20 WO PCT/JP1991/000671 patent/WO1991018424A1/ja active IP Right Grant
- 1991-05-20 US US07/820,866 patent/US5315282A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-20 EP EP91909096A patent/EP0483373B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-20 DE DE69132804T patent/DE69132804T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0648592U (ja) * | 1992-10-16 | 1994-07-05 | 三星電子株式会社 | 全自動洗濯機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0483373B1 (en) | 2001-11-07 |
| DE69132804T2 (de) | 2002-04-04 |
| WO1991018424A1 (fr) | 1991-11-28 |
| EP0483373A4 (en) | 1992-10-21 |
| US5315282A (en) | 1994-05-24 |
| JPH04218982A (ja) | 1992-08-10 |
| DE69132804D1 (de) | 2001-12-13 |
| EP0483373A1 (en) | 1992-05-06 |
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