JP3084417B2 - 光結合デバイス - Google Patents
光結合デバイスInfo
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- waveguide
- optical waveguide
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路を伝わる光波
のスポット径を変換する低損失の光結合デバイスに関す
るものである。
のスポット径を変換する低損失の光結合デバイスに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムにおいては、光送受信装
置，光交換装置などの高性能，多機能，小型化が求めら
れている。このため、これらの光通信装置に使用される
半導体光デバイスの集積化が進んでいる。例えば同一の
半導体基板上に発光素子や光スイッチなどの光能動素子
を複数形成した半導体モノリシック光集積デバイスやあ
るいは異なる基板に光機能素子を形成した光デバイス間
を光結合させたハイブリッド光集積デバイスの開発が進
められている。これらの光半導体デバイスにおいて、２
つの光機能素子の間あるいは光機能素子と光ファイバと
の間を低損失で光結合させる必要がある。
置，光交換装置などの高性能，多機能，小型化が求めら
れている。このため、これらの光通信装置に使用される
半導体光デバイスの集積化が進んでいる。例えば同一の
半導体基板上に発光素子や光スイッチなどの光能動素子
を複数形成した半導体モノリシック光集積デバイスやあ
るいは異なる基板に光機能素子を形成した光デバイス間
を光結合させたハイブリッド光集積デバイスの開発が進
められている。これらの光半導体デバイスにおいて、２
つの光機能素子の間あるいは光機能素子と光ファイバと
の間を低損失で光結合させる必要がある。
【０００３】半導体レーザダイオード（ＬＤ）と単一モ
ードファイバとの間を光結合させる場合、ＬＤ素子端面
とファイバとを直接突合わせ結合（バットジョイント）
させると、互いの光導波路光波スポットサイズが異なっ
ているために直接突合わせ部の結合損失が問題になる。
通常、ＬＤの光波スポットサイズ（モード半径：Ｗ）は
１μｍ程度であり、ファイバのスポットサイズは約５μ
ｍであるので、この場合の結合損失は、約１０ｄＢにな
る。そこでレンズによってスポットサイズを変換して結
合損失を低減化する方法が一般にとられている。
ードファイバとの間を光結合させる場合、ＬＤ素子端面
とファイバとを直接突合わせ結合（バットジョイント）
させると、互いの光導波路光波スポットサイズが異なっ
ているために直接突合わせ部の結合損失が問題になる。
通常、ＬＤの光波スポットサイズ（モード半径：Ｗ）は
１μｍ程度であり、ファイバのスポットサイズは約５μ
ｍであるので、この場合の結合損失は、約１０ｄＢにな
る。そこでレンズによってスポットサイズを変換して結
合損失を低減化する方法が一般にとられている。
【０００４】複数のレーザダイオード（ＬＤ）を形成し
た光機能素子とアレーファイバとの間を１個のレンズで
光結合させた場合の従来の構成例を図５に示す。図５に
おいて、５０４は半導体基板、５０５はＬＤの活性領域
（光導波路部）、５１６はレンズ、５０６はファイバ、
５０７はファイバ５０６を一定間隔で固定するためのＶ
−グルーブアレーである。
た光機能素子とアレーファイバとの間を１個のレンズで
光結合させた場合の従来の構成例を図５に示す。図５に
おいて、５０４は半導体基板、５０５はＬＤの活性領域
（光導波路部）、５１６はレンズ、５０６はファイバ、
５０７はファイバ５０６を一定間隔で固定するためのＶ
−グルーブアレーである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成においては、ＬＤの集積規模が大きくなるにし
たがってレンズの収差などの影響により結合損失が大き
くなるために１枚の半導体基板に集積できるＬＤの個数
に制限が生じ、高性能かつ高集積の光デバイスを実現す
ることが困難であつた。
うな構成においては、ＬＤの集積規模が大きくなるにし
たがってレンズの収差などの影響により結合損失が大き
くなるために１枚の半導体基板に集積できるＬＤの個数
に制限が生じ、高性能かつ高集積の光デバイスを実現す
ることが困難であつた。
【０００６】したがって本発明は、前述した従来の課題
を解決するためになされたものであり、その目的は、前
述した異なる２つの光機能素子、特に複数のデバイスを
集積化した光機能素子間を低損失に光結合させることが
できる光結合デバイスを提供することにある。
を解決するためになされたものであり、その目的は、前
述した異なる２つの光機能素子、特に複数のデバイスを
集積化した光機能素子間を低損失に光結合させることが
できる光結合デバイスを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明は、少なくとも２つの光導波層からなる
導波路で構成され、少なくとも一方の導波層の厚さある
いは屈折率をテーパ状に形成し、かつこれらの光導波層
の幅を光伝搬方向に沿って互いに逆向きのテーパ状に形
成するものである。
るために本発明は、少なくとも２つの光導波層からなる
導波路で構成され、少なくとも一方の導波層の厚さある
いは屈折率をテーパ状に形成し、かつこれらの光導波層
の幅を光伝搬方向に沿って互いに逆向きのテーパ状に形
成するものである。
【０００８】
【作用】本発明においては、導波層の厚さあるいは屈折
率をテーパ状に形成することにより、光波スポットサイ
ズが低損失に変換される。
率をテーパ状に形成することにより、光波スポットサイ
ズが低損失に変換される。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は本発明の一実施例であり、アレーＬ
Ｄ素子とファイバとの間に本発明による光結合デバイス
を挿入し、低損失に光結合をとる場合の構成を示す図で
ある。図２および図３は本発明の光結合デバイスの一実
施例として半導体基板を用いた場合のデバイス構造およ
び動作原理を説明するための図である。図１（ａ）は上
から見た平面図，図１（ｂ）は断面図である。同図にお
いて、１０１は本発明による光結合デバイスの半導体基
板、１０２はスポットサイズ変換導波路、１０３は反射
防止膜、１０４は半導体レーザ基板、１０５はＬＤ活性
層（光導波路部）、１０６は単一モード光ファイバ、１
０７はＶ−グルーブアレーである。光結合デバイスの光
導波路によってＬＤの光波スポットサイズは、ファイバ
のスポットサイズに変換されるので、ファイバ１０６と
低損失に光結合される。
に説明する。図１は本発明の一実施例であり、アレーＬ
Ｄ素子とファイバとの間に本発明による光結合デバイス
を挿入し、低損失に光結合をとる場合の構成を示す図で
ある。図２および図３は本発明の光結合デバイスの一実
施例として半導体基板を用いた場合のデバイス構造およ
び動作原理を説明するための図である。図１（ａ）は上
から見た平面図，図１（ｂ）は断面図である。同図にお
いて、１０１は本発明による光結合デバイスの半導体基
板、１０２はスポットサイズ変換導波路、１０３は反射
防止膜、１０４は半導体レーザ基板、１０５はＬＤ活性
層（光導波路部）、１０６は単一モード光ファイバ、１
０７はＶ−グルーブアレーである。光結合デバイスの光
導波路によってＬＤの光波スポットサイズは、ファイバ
のスポットサイズに変換されるので、ファイバ１０６と
低損失に光結合される。
【００１０】図２（ａ）は本発明による光結合デバイス
の上から見た平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−
Ａ′線の断面図，図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ′線
の断面図，図２（ｄ）は図２（ｂ）のＣ部の拡大断面図
である。同図において、２０１はＩｎＰよりなる半導体
基板であり、光導波路のクラッド部になる。２０８はＩ
ｎＧａＡｓＰやＩｎＡｌＡｓなどからなる第１の導波層
（疑似クラッド層）、２０９はＩｎＧａＡｓ井戸層２１
３とＩｎＰ障壁層２１４とからなる多重量子井戸層で構
成される第２の導波層（疑似コア層）、２１０はＩｎＰ
よりなるクラッド層である。２１１は入射光、２１２は
出射光である。第１導波層２０８の幅ｗ1，厚さｔ1
は、光入射部ではそれぞれｗi1，ｔi1であり、光出射部
ではそれぞれｗo1，ｔo1である。また、第２導波層２０
９の幅ｗ2 ，厚さｔ2 は、光入射部ではそれぞれｗi2，
ｔi2であり、光出射部ではそれぞれｗo2，ｔo2である。
さらに第１導波層２０８および第２導波層２０９の屈折
率の大きさは、それぞれｎ1 ，ｎ2 である。
の上から見た平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−
Ａ′線の断面図，図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ′線
の断面図，図２（ｄ）は図２（ｂ）のＣ部の拡大断面図
である。同図において、２０１はＩｎＰよりなる半導体
基板であり、光導波路のクラッド部になる。２０８はＩ
ｎＧａＡｓＰやＩｎＡｌＡｓなどからなる第１の導波層
（疑似クラッド層）、２０９はＩｎＧａＡｓ井戸層２１
３とＩｎＰ障壁層２１４とからなる多重量子井戸層で構
成される第２の導波層（疑似コア層）、２１０はＩｎＰ
よりなるクラッド層である。２１１は入射光、２１２は
出射光である。第１導波層２０８の幅ｗ1，厚さｔ1
は、光入射部ではそれぞれｗi1，ｔi1であり、光出射部
ではそれぞれｗo1，ｔo1である。また、第２導波層２０
９の幅ｗ2 ，厚さｔ2 は、光入射部ではそれぞれｗi2，
ｔi2であり、光出射部ではそれぞれｗo2，ｔo2である。
さらに第１導波層２０８および第２導波層２０９の屈折
率の大きさは、それぞれｎ1 ，ｎ2 である。
【００１１】このような構成において、光導波路におけ
る光波スポットサイズは、各導波層の寸法ｗ，ｔと屈折
率ｎとの大きさに依存する。例えば図２の構成におい
て、光導波路の深さ方向の光波スポットサイズ（基本モ
ードの半径）Ｗについて、スラブ導波路モデルによる計
算結果を図３に示す。ここでは、波長λ＝１．５５μｍ
とし、第１の導波層２０８の厚さはｔi1＝ｔo0＝３μｍ
一定，その屈折率ｎ1 ＝３．１８６（クラッド層に対す
る規格化屈折率差Δｎ1 ＝（ｎ1 −ｎc ）／ｎc＝０．
５％，ｎc ：クラッド層の屈折率＝３．１６６）とし、
第２導波層の規格化屈折率差Δｎ2 をパラメータとして
いる。図２から分かるようにｔ2 ＝０のとき、第１導波
層のみある光導波路のスポットサイズ（ｗ＝〜２μｍ）
になるが、ｔ2 が大きくなるにしたがって光波スポット
サイズＷは極大値をとった後、小さくなる傾向を示し、
第２導波層のみがある（ｔ1 ＝０）導波路のスポットサ
イズに近ずく。
る光波スポットサイズは、各導波層の寸法ｗ，ｔと屈折
率ｎとの大きさに依存する。例えば図２の構成におい
て、光導波路の深さ方向の光波スポットサイズ（基本モ
ードの半径）Ｗについて、スラブ導波路モデルによる計
算結果を図３に示す。ここでは、波長λ＝１．５５μｍ
とし、第１の導波層２０８の厚さはｔi1＝ｔo0＝３μｍ
一定，その屈折率ｎ1 ＝３．１８６（クラッド層に対す
る規格化屈折率差Δｎ1 ＝（ｎ1 −ｎc ）／ｎc＝０．
５％，ｎc ：クラッド層の屈折率＝３．１６６）とし、
第２導波層の規格化屈折率差Δｎ2 をパラメータとして
いる。図２から分かるようにｔ2 ＝０のとき、第１導波
層のみある光導波路のスポットサイズ（ｗ＝〜２μｍ）
になるが、ｔ2 が大きくなるにしたがって光波スポット
サイズＷは極大値をとった後、小さくなる傾向を示し、
第２導波層のみがある（ｔ1 ＝０）導波路のスポットサ
イズに近ずく。
【００１２】以上のことから、例えばＬＤと光ファイバ
との光結合をとる場合、図２において、光入射側のスポ
ットサイズが、ＬＤのスポットサイズと同程度の大きさ
になるように幅ｗi2，厚さｔi2，屈折率ｎ2の大きさを
設定すれば良く、光出射側では、ファイバのスポットサ
イズと同程度のスポットサイズを与える幅ｗo1，厚さｔ
o1，屈折率ｎ1 および幅ｗo2，厚さｔo2（≦ｔi2），屈
折率ｎo2（≦ｎi2）を設定すれば良い。このとき、導波
層がテーパ状になる領域の長さｌは、モードサイズ変換
に伴う放射損失が充分小さくなる大きさにすれば良い
（ｌ＝数１００μｍ〜数ｍｍ程度）。また、モードサイ
ズ変換に伴う高次モード変換損失に対しては、図２に示
すように例えばｗo1＞ｗi1（〜０），ｗi2＞ｗo2（〜
０）の構造として高次モードをカットオフとする光導波
路構成にすれば低損失化が可能である。
との光結合をとる場合、図２において、光入射側のスポ
ットサイズが、ＬＤのスポットサイズと同程度の大きさ
になるように幅ｗi2，厚さｔi2，屈折率ｎ2の大きさを
設定すれば良く、光出射側では、ファイバのスポットサ
イズと同程度のスポットサイズを与える幅ｗo1，厚さｔ
o1，屈折率ｎ1 および幅ｗo2，厚さｔo2（≦ｔi2），屈
折率ｎo2（≦ｎi2）を設定すれば良い。このとき、導波
層がテーパ状になる領域の長さｌは、モードサイズ変換
に伴う放射損失が充分小さくなる大きさにすれば良い
（ｌ＝数１００μｍ〜数ｍｍ程度）。また、モードサイ
ズ変換に伴う高次モード変換損失に対しては、図２に示
すように例えばｗo1＞ｗi1（〜０），ｗi2＞ｗo2（〜
０）の構造として高次モードをカットオフとする光導波
路構成にすれば低損失化が可能である。
【００１３】第１導波層２０８の厚さｔ1 あるいは第２
導波層２０９の厚さｔ2 をテーパ状に形成する方法とし
ては、例えば半導体基板２０１上に導波層をエピタキシ
ャル成長で形成するときに成長速度が基板温度に依存す
ること（参考文献：例えばＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ｖｏ
ｌ．ＱＥ−２７，ｎｏ．３，ｐｐ６８７，１９９１）あ
るいはＳｉＯ2 などの絶縁体よりなる選択成長マスクの
形状，寸法によって異なること（参考文献：特願平３−
１７０４５２号）を利用すれば良い。また、ウェットエ
ッチングあるいはドライエッチング技術によって形成す
ることもできる。また、幅ｗ1 ，ｗ2 についても、エッ
チング技術を利用すればテーパ状に形成できる。
導波層２０９の厚さｔ2 をテーパ状に形成する方法とし
ては、例えば半導体基板２０１上に導波層をエピタキシ
ャル成長で形成するときに成長速度が基板温度に依存す
ること（参考文献：例えばＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ｖｏ
ｌ．ＱＥ−２７，ｎｏ．３，ｐｐ６８７，１９９１）あ
るいはＳｉＯ2 などの絶縁体よりなる選択成長マスクの
形状，寸法によって異なること（参考文献：特願平３−
１７０４５２号）を利用すれば良い。また、ウェットエ
ッチングあるいはドライエッチング技術によって形成す
ることもできる。また、幅ｗ1 ，ｗ2 についても、エッ
チング技術を利用すればテーパ状に形成できる。
【００１４】第１導波層２０８，第２導波層２０９の屈
折率の大きさｎ1，ｎ2 については、ＩｎＧａＡｓＰの
組成を制御するあるいはＩｎＡｌＡｓなどの適当な半導
体材料を選定することによって調節できる。また、図２
の第２導波層のように多重量子井戸構造として井戸層，
障壁層の厚さを適当に組み合わせることにより調節でき
る。すなわちこの屈折率ｎ2 は、井戸層２１３の厚さｄ
w と障壁層２１４の厚さｄb とに依存し、例えばＴＥモ
ード光に対しては、 ｎ2 ＝［（ｎw 2ｄw ＋ｎb 2ｄb ）／（ｄw ＋ｄb ）］1/2 の関係で与えられることが知られている。ここで、ｎ
w ，ｎbは井戸層，障壁層の屈折率であり、波長λ＝
１．５５μｍ帯の光に対しては、ｎw ＝３．６，ｎb＝
３．１７程度の大きさになる。井戸層２１３の厚さｄw
は、量子井戸構造の実効禁制帯幅エネルギーが光子エネ
ルギーより充分大きくなるように構成すれば、第２導波
層２０９による吸収損失を小さくできる。例えばλ＝
１．５５μｍ帯の光に対しては、ｄw を〜０．５ｎｍ以
下にすれば良い。
折率の大きさｎ1，ｎ2 については、ＩｎＧａＡｓＰの
組成を制御するあるいはＩｎＡｌＡｓなどの適当な半導
体材料を選定することによって調節できる。また、図２
の第２導波層のように多重量子井戸構造として井戸層，
障壁層の厚さを適当に組み合わせることにより調節でき
る。すなわちこの屈折率ｎ2 は、井戸層２１３の厚さｄ
w と障壁層２１４の厚さｄb とに依存し、例えばＴＥモ
ード光に対しては、 ｎ2 ＝［（ｎw 2ｄw ＋ｎb 2ｄb ）／（ｄw ＋ｄb ）］1/2 の関係で与えられることが知られている。ここで、ｎ
w ，ｎbは井戸層，障壁層の屈折率であり、波長λ＝
１．５５μｍ帯の光に対しては、ｎw ＝３．６，ｎb＝
３．１７程度の大きさになる。井戸層２１３の厚さｄw
は、量子井戸構造の実効禁制帯幅エネルギーが光子エネ
ルギーより充分大きくなるように構成すれば、第２導波
層２０９による吸収損失を小さくできる。例えばλ＝
１．５５μｍ帯の光に対しては、ｄw を〜０．５ｎｍ以
下にすれば良い。
【００１５】図４は本発明による光結合デバイスの他の
実施例を示す断面図であり、クラッド層４１０と第２導
波層４０９との間に第３の導波路層４１５を形成した構
成例である。この場合、第３導波層４１５の厚さｔ3 ，
屈折率ｎ3 を、ｔi3＝ｔi1，ｔo3＝ｔo1，ｎ3 ＝ｔ1 と
して第１導波層４０８および第３導波層４１５のトータ
ルの厚さ（ｔ1 ＋ｔ3 ）を図２の実施例の第１導波層２
０８の厚さｔ1 と同程度にすることにより、同様にスポ
ットサイズを変換できるとともに深さ方向で対称性の良
い光波モード形状を実現できる。
実施例を示す断面図であり、クラッド層４１０と第２導
波層４０９との間に第３の導波路層４１５を形成した構
成例である。この場合、第３導波層４１５の厚さｔ3 ，
屈折率ｎ3 を、ｔi3＝ｔi1，ｔo3＝ｔo1，ｎ3 ＝ｔ1 と
して第１導波層４０８および第３導波層４１５のトータ
ルの厚さ（ｔ1 ＋ｔ3 ）を図２の実施例の第１導波層２
０８の厚さｔ1 と同程度にすることにより、同様にスポ
ットサイズを変換できるとともに深さ方向で対称性の良
い光波モード形状を実現できる。
【００１６】なお、前述した実施例においては、ＩｎＰ
基板上にスポットサイズ変換用導波層を形成した場合に
ついて説明したが、ＧａＡｓ半導体基板を用いてＡｌＧ
ａＡｓなどの半導体材料あるいは誘電体材料を基板，導
波層に用いても同様な効果を得ることができる。
基板上にスポットサイズ変換用導波層を形成した場合に
ついて説明したが、ＧａＡｓ半導体基板を用いてＡｌＧ
ａＡｓなどの半導体材料あるいは誘電体材料を基板，導
波層に用いても同様な効果を得ることができる。
【００１７】また、図１ではバットジョイントによる光
結合の構成例を示したが、ＬＤ素子１０４と光結合デバ
イス１０１との間あるいは光結合デバイス１０１とファ
イバ１０６との間にレンズを挿入して低損失な光結合を
得ることも可能である。
結合の構成例を示したが、ＬＤ素子１０４と光結合デバ
イス１０１との間あるいは光結合デバイス１０１とファ
イバ１０６との間にレンズを挿入して低損失な光結合を
得ることも可能である。
【００１８】本発明による光結合デバイスは、半導体材
料を用いることができるので、例えば半導体材料を用い
たＬＤ素子や光スイッチなどの光機能素子の光入出射端
部に本結合デバイスをモノリシック集積化することが可
能であり、この場合、高密度光集積デバイスが実現可能
である。
料を用いることができるので、例えば半導体材料を用い
たＬＤ素子や光スイッチなどの光機能素子の光入出射端
部に本結合デバイスをモノリシック集積化することが可
能であり、この場合、高密度光集積デバイスが実現可能
である。
【００１９】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
少なくとも２つの光導波層からなる導波路で構成されて
おり、少なくとも一方の導波層の厚さあるいは屈折率を
テーパ状に変化させることにより、光波スポットサイズ
を徐々に変換しているので、異なる２つの光機能デバイ
ス間を低損失で光結合させることが可能となる。また、
小型に構成できるので、高集積光デバイスが実現可能と
なるなどの極めて優れた効果が得られる。
少なくとも２つの光導波層からなる導波路で構成されて
おり、少なくとも一方の導波層の厚さあるいは屈折率を
テーパ状に変化させることにより、光波スポットサイズ
を徐々に変換しているので、異なる２つの光機能デバイ
ス間を低損失で光結合させることが可能となる。また、
小型に構成できるので、高集積光デバイスが実現可能と
なるなどの極めて優れた効果が得られる。
【図１】本発明による光結合デバイスをアレーＬＤ素子
とファイバとの間に挿入した構成を示す図である。
とファイバとの間に挿入した構成を示す図である。
【図２】本発明による光結合デバイスの一実施例による
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図３】図２に示す光結合デバイスの動作原理を説明す
る図である。
る図である。
【図４】本発明による光結合デバイスの他の実施例によ
る構成を示す図である。
る構成を示す図である。
【図５】従来の光結合デバイスの構成を示す図である。
１０１ 半導体基板 １０２ スポットサイズ変換導波路 １０３ 反射防止膜 １０４ 半導体レーザ基板 １０５ ＬＤ活性層 １０６ 光ファイバ １０７ Ｖ−グルーブアレー ２０１ 半導体基板 ２０２ スポットサイズ変換導波路 ２０８ 第１導波層 ２０９ 第２導波層 ２１０ クラッド層 ２１１ 入射光 ２１２ 出射光 ２１３ 量子井戸層 ２１４ 障壁層 ４０１ 半導体基板 ４０２ スポットサイズ変換導波路 ４０８ 第１導波層 ４０９ 第２導波層 ４１０ クラッド層 ４１５ 第３導波層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−132105（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−283704（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−288102（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/14
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板と、前記半導体基板上に形成
された第１の光導波層と、前記第１の光導波層の上に形
成された第２の光導波層とから少なくとも構成される少
なくとも１本の光導波路を有する光機能デバイスにおい
て、前記第１の光導波層または第２の光導波層の少なく
とも厚さまたは屈折率を光伝搬方向に沿って徐々に変化
させ、かつ前記第１の光導波層の幅と前記第２の光導波
層の幅を光伝搬方向に沿って互いに逆向きに徐々に変化
させた構造を有することを特徴とする光結合デバイス。 - 【請求項２】 請求項１において、少なくとも前記第１
の光導波層または第２の光導波層を多重量子井戸構造と
したことを特徴とする光結合デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29962591A JP3084417B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 光結合デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29962591A JP3084417B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 光結合デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114762A JPH05114762A (ja) | 1993-05-07 |
| JP3084417B2 true JP3084417B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=17875028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29962591A Expired - Lifetime JP3084417B2 (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 光結合デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3084417B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2010128109A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Ｓｓｃチップ、ｓｓｃ付きファイバアレイ、ｓｓｃ付きｐｌｃモジュールおよびｓｓｃチップの製造方法 |
| JP5416003B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2014-02-12 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光導波路素子、半導体光導波路アレイ素子、およびその製造方法 |
| WO2023228263A1 (ja) * | 2022-05-24 | 2023-11-30 | 日本電信電話株式会社 | 光受信器 |
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-
1991
- 1991-10-21 JP JP29962591A patent/JP3084417B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH05114762A (ja) | 1993-05-07 |
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