JP3073618B2 - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基板面にスパッタリン
グによって膜形成を行う半導体製造装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for forming a film on a substrate surface by sputtering.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より知られているように、半導体基
板面に所定の膜形成を行う半導体製造装置には、プラズ
マが生成された減圧容器内に半導体基板を保持して膜形
成を行うスパッタリング装置がある。2. Description of the Related Art As is conventionally known, a semiconductor manufacturing apparatus for forming a predetermined film on a semiconductor substrate surface includes a sputtering method for forming a film while holding the semiconductor substrate in a reduced-pressure vessel in which plasma is generated. There is a device.
【０００３】以下、従来のスパッタリング装置について
図２を参照して説明する。図２は概略構成を示す断面図
で、図において１は減圧容器であり、２は電極板３に固
着されたターゲットである。４はターゲット２に対向し
て設けられた半導体基板５を支持する基板支持体で、こ
の基板支持体４の周囲には防着板６が容器１の内壁面と
の間に隙間を形成するようにして配置されている。なお
７は容器１内に所定のガスを導入するガス導入口であ
り、８はガスの排気を行う排気口であり、また９は電極
板３に高電圧を印加する直流電源である。Hereinafter, a conventional sputtering apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration, in which 1 is a decompression vessel, and 2 is a target fixed to the electrode plate 3. Reference numeral 4 denotes a substrate support for supporting a semiconductor substrate 5 provided to face the target 2, and an adhesion preventing plate 6 is formed around the substrate support 4 so as to form a gap between the substrate 1 and the inner wall surface of the container 1. It is arranged to. Reference numeral 7 denotes a gas introduction port for introducing a predetermined gas into the container 1, reference numeral 8 denotes an exhaust port for exhausting the gas, and reference numeral 9 denotes a DC power supply for applying a high voltage to the electrode plate 3.
【０００４】そして半導体基板５の主面にターゲット２
と同材質の膜を形成するにあたり、基板支持体４に半導
体基板５がその主面がターゲット２に対向するように取
り付けられる。さらに容器１内は所定圧力となるよう減
圧されると共に容器１内にガスが導入され、電極板９に
高電圧が印加されてターゲット２と基板支持体４及び防
着板６との間にプラズマが生成され、半導体基板５の主
面にターゲット２と同材質の膜が形成される。A target 2 is provided on the main surface of the semiconductor substrate 5.
In forming a film of the same material as above, a semiconductor substrate 5 is attached to the substrate support 4 such that the main surface thereof faces the target 2. Further, the inside of the container 1 is depressurized to a predetermined pressure, gas is introduced into the container 1, a high voltage is applied to the electrode plate 9, and plasma is generated between the target 2, the substrate support 4 and the deposition-preventing plate 6. Is generated, and a film of the same material as the target 2 is formed on the main surface of the semiconductor substrate 5.
【０００５】この過程で、基板支持体４の周囲に配置さ
れた防着板６には半導体基板５におけると同様にターゲ
ット２と同材質の膜が付着し、容器１の内面にターゲッ
ト２と同材質の膜が付着するのを防止するようになって
いる。そして半導体基板５への膜形成が所定数行われた
時点で防着板６の取り外しての清掃や、あるいは新しい
防着板６への交換が行われる。In this process, a film made of the same material as the target 2 adheres to the deposition-preventing plate 6 arranged around the substrate support 4 in the same manner as in the semiconductor substrate 5, and the same film as the target 2 is formed on the inner surface of the container 1. The film of the material is prevented from adhering. Then, when a predetermined number of films are formed on the semiconductor substrate 5, cleaning is performed by removing the deposition-preventing plate 6, or replacement with a new deposition-preventing plate 6.
【０００６】しかしながら上記の従来技術においては、
防着板６を再取付けする際、基板支持体４に対して防着
板６の位置が当初の位置からずれないよう、位置合わせ
治具等を使用して取付けが行われるが、取付け作業のば
らつきなどから当初位置に一致させることが困難であ
る。そして基板支持体４に支持された半導体基板５に対
し、プラズマの分布やその位置が適正なものとなるよう
にすることは難しいものとなっていた。[0006] However, in the above prior art,
When the attachment plate 6 is reattached, the attachment is performed using a positioning jig or the like so that the position of the attachment plate 6 with respect to the substrate support 4 does not deviate from the initial position. It is difficult to match the initial position due to variations and the like. Then, it has been difficult to make the distribution and the position of the plasma appropriate for the semiconductor substrate 5 supported by the substrate support 4.
【０００７】このため、このような状態では半導体基板
５に形成された膜の厚さに大きなばらつきを生じる虞が
あり、歩留の低下やこれによって形成される半導体装置
の特性不良や信頼性の低下をまねく虞があった。それ
故、半導体基板５に形成された膜の厚さのばらつきを少
なくすることが要求されていた。なおプラズマの分布を
電極板に印加する電圧の調節や、図示しない磁場形成手
段による磁場の調節によって変化させることができるよ
うに構成されているが、これらの調節だけでは所望する
分布にすることができないのが実状であった。For this reason, in such a state, there is a possibility that the thickness of the film formed on the semiconductor substrate 5 may vary greatly, and the yield is reduced, and the characteristic failure and reliability of the semiconductor device formed thereby are reduced. There was a risk of lowering. Therefore, it has been required to reduce the variation in the thickness of the film formed on the semiconductor substrate 5. The distribution of the plasma can be changed by adjusting the voltage applied to the electrode plate or by adjusting the magnetic field by a magnetic field forming means (not shown). The reality was that they could not.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記のように防着板の
付け替えによって減圧容器内に生成されるプラズマの分
布や位置が変化し、基板表面に形成される膜の厚さに大
きなばらつきを生じる虞があり、またこの基板で形成さ
れる半導体装置の特性不良や信頼性の低下をまねく虞が
あった。このような状況に鑑みて本発明はなされたもの
で、その目的とするところは防着板の付け替え等を行っ
た後においてもプラズマの分布等を所望のものとするこ
とができ、基板表面に形成される膜の厚さのばらつきが
少なくなり製造歩留を向上させることができる半導体製
造装置を提供することにある。As described above, the distribution and position of the plasma generated in the decompression vessel change due to the replacement of the deposition-preventing plate, causing a large variation in the thickness of the film formed on the substrate surface. There is a possibility that the semiconductor device formed from this substrate may have poor characteristics or lower reliability. In view of such circumstances, the present invention has been made, and the purpose thereof is to make it possible to obtain a desired plasma distribution and the like even after performing replacement of a deposition-preventing plate, etc. It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of reducing a variation in thickness of a film to be formed and improving a manufacturing yield.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、プラズマを生成する減圧容器と、この容器内に支持
されたターゲットと、このターゲットに対向するよう基
板を支持する容器内に設けられた基板支持体と、この基
板支持体の周囲に容器内壁面との間に間隙を設けて配置
された防着板とを備えてなる半導体製造装置において、
防着板が固定防着部と可動防着部とでなると共に、該可
動防着部が基板支持体のターゲットに対向する面に平行
な方向に移動可能に設けられたものであることを特徴と
するものである。SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is provided in a reduced-pressure container for generating plasma, a target supported in the container, and a container supporting a substrate so as to face the target. In a semiconductor manufacturing apparatus comprising a substrate support, and a deposition-preventing plate disposed with a gap between the substrate support and the inner wall surface of the container,
The protection plate comprises a fixed deposition portion and a movable deposition portion, and the movable deposition portion is provided so as to be movable in a direction parallel to a surface of the substrate support facing the target. It is assumed that.
【００１０】[0010]
【作用】上記のように構成された半導体製造装置は、基
板支持体の周囲に配置された防着板が固定防着部と可動
防着部とでなると共に、この可動防着部が基板支持体の
ターゲットに対向する面に平行な方向に移動可能に設け
られているので、防着板を清掃等のため新たに取り付け
直した際、当初の取付け位置に対しずれた位置に取り付
けられ生成されたプラズマの分布や位置などが変わって
しまっても、防着板の可動防着部を基板支持体のターゲ
ットに対向する面に平行な方向に移動させることでプラ
ズマの分布や位置などを変えることができる。このため
可動防着部を移動させてプラズマの分布等を所望のもの
とし、当初に基板表面に形成された膜と同様の膜形成を
行い得るようにすることで、基板表面に形成される膜の
厚さのばらつきを少なくすることができ、歩留を向上さ
せることができる。In the semiconductor manufacturing apparatus constructed as described above, the deposition-preventing plate disposed around the substrate support comprises a fixed deposition-preventing portion and a movable deposition-preventing portion. Since it is provided so as to be movable in a direction parallel to the surface facing the target of the body, when the attachment plate is newly attached for cleaning etc., it is attached to a position shifted from the original attachment position and generated. Even if the distribution or position of the plasma has changed, the distribution or position of the plasma can be changed by moving the movable deposition part of the deposition plate in a direction parallel to the surface of the substrate support facing the target. Can be. For this reason, the movable deposition part is moved to obtain a desired plasma distribution and the like, and a film formed on the substrate surface can be formed in the same manner as the film originally formed on the substrate surface. Can be reduced, and the yield can be improved.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明の一実施例のスパッタリング装
置を図１を参照して説明する。図１は概略構成を示す断
面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A sputtering apparatus according to one embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration.
【００１２】図において、減圧容器１１は角筒状をなす
もので、天井端板１２に排気口１３が形成され、底面端
板１４に電極板１５が設けられ、さらに側壁１６の下部
にガス導入口１７が形成されるようにして構成されてい
る。なおガス導入口１７にはアルゴン（Ａｒ）等の不活
性ガスの図示しないガス源が接続されており、また排気
口１３には容器内を減圧し、この減圧状態を保ちながら
導入された不活性ガスを排出する真空ポンプ等の図示し
ない排気装置が接続されている。さらに電極板１５には
容器１１外の直流電源１８から高電圧が印加されるよう
になっている。In FIG. 1, a decompression vessel 11 is formed in a rectangular cylindrical shape, an exhaust port 13 is formed in a ceiling end plate 12, an electrode plate 15 is provided in a bottom end plate 14, and a gas introduction is provided below a side wall 16. The mouth 17 is formed. A gas source (not shown) of an inert gas such as argon (Ar) is connected to the gas inlet 17, and the inside of the container is depressurized to the exhaust port 13. An exhaust device (not shown) such as a vacuum pump for discharging gas is connected. Further, a high voltage is applied to the electrode plate 15 from a DC power supply 18 outside the container 11.
【００１３】また容器１１内には、電極板１５の上面に
固着されたターゲット１９に対して所定の間隔が設けら
れるような位置に基板支持体２０が設けられており、こ
の基板支持体２０のターゲット１９に対向する下面２１
に半導体基板２２が支持されるようになっている。さら
に容器１１内には、基板支持体２０の外周を囲むように
して容器１１の内面への膜の付着を防止する防着板２３
が設けられている。A substrate support 20 is provided in the container 11 at a position where a predetermined distance is provided from a target 19 fixed on the upper surface of the electrode plate 15. Lower surface 21 facing target 19
The semiconductor substrate 22 is supported on the substrate. Further, in the container 11, a deposition preventing plate 23 which surrounds the outer periphery of the substrate support 20 and prevents the film from adhering to the inner surface of the container 11.
Is provided.
【００１４】防着板２３は、固定防着部２４と可動防着
部２５とを設けて構成されており、このうち固定防着部
２４は基板支持体２０の側面下部外周に配着された時
に、基板支持体２０の鍔部をなすように、またその外周
端縁部分と容器１１の内壁面との間に隙間が形成される
ような角環状板で形成されている。The deposition-preventing plate 23 is provided with a fixed deposition-preventing portion 24 and a movable deposition-preventing portion 25, of which the fixed deposition-preventing portion 24 is mounted on the outer periphery of the lower portion of the side surface of the substrate support 20. Sometimes, it is formed of a rectangular annular plate so as to form a flange of the substrate support 20 and to form a gap between the outer peripheral edge portion and the inner wall surface of the container 11.
【００１５】一方、可動防着部２５は固定防着部２４よ
り大きな略相似形状をなす角環状板で形成されていて、
図示しない移動機構によって容器１１の外部から基板支
持体２０の下面２１の面方向に平行な方向に移動可能な
ものとなっている。なお可動防着部２５の移動可能範囲
は、その外周端縁部分と容器１１の内壁面との間に固定
防着部２４が形成する隙間より小さい隙間が形成され、
内径部分では常にターゲット１９から容器１１の内面上
部が見通すことができないように、固定防着部２４の外
周部と重複する状態が得られるような範囲になってい
る。On the other hand, the movable shield portion 25 is formed by a substantially annular plate having a substantially similar shape to the fixed shield portion 24.
A moving mechanism (not shown) can move from the outside of the container 11 in a direction parallel to the surface direction of the lower surface 21 of the substrate support 20. In addition, the movable range of the movable deposition preventing portion 25 is formed with a gap smaller than the gap formed by the fixed deposition preventing portion 24 between the outer peripheral edge portion and the inner wall surface of the container 11,
In the inner diameter portion, the upper portion of the inner surface of the container 11 is always invisible from the target 19 so that a state overlapping with the outer peripheral portion of the fixed deposition preventing portion 24 is obtained.
【００１６】このように構成された装置では、例えばシ
リコン（Ｓｉ）の半導体基板２２へのＳｉＯ2 膜の形成
は次のようにして行われる。すなわち、二酸化けい素
（ＳｉＯ2 ）のターゲット１９を電極板１５に固着し、
先ず半導体基板２２が容器１１内に挿入され、基板支持
体２０に装着され支持されるようにする。次いで容器１
１を気密にし、排気口１３に接続された排気装置を作動
させて容器１１内を減圧する。In the apparatus configured as described above, the formation of the SiO 2 film on the semiconductor substrate 22 of, for example, silicon (Si) is performed as follows. That is, a target 19 of silicon dioxide (SiO 2 ) is fixed to the electrode plate 15,
First, the semiconductor substrate 22 is inserted into the container 11 and is mounted and supported on the substrate support 20. Then container 1
1 is hermetically sealed, and the exhaust device connected to the exhaust port 13 is operated to reduce the pressure inside the container 11.
【００１７】続いてこの減圧した状態の容器１１内に、
ガス導入口１７を介してガス源からＡｒガスを所定の流
入速度となるように制御しながら導入し、例えば０．１
〜０．５パスカル程度の圧力のＡｒガス雰囲気を形成す
る。Subsequently, in the container 11 in the decompressed state,
Ar gas is introduced from the gas source via the gas inlet 17 while controlling it to have a predetermined inflow speed.
An Ar gas atmosphere having a pressure of about 0.5 Pascal is formed.
【００１８】このガス雰囲気を維持した状態で直流電源
１８を起動して電極板１５に所定の高電圧を印加し、タ
ーゲット１９と基板支持体２０の間にプラズマを生成す
る。これにより半導体基板２２のターゲット１９に対向
する表面に、例えば０．１μｍ／分程度の被着速度で厚
さ０．７μｍのＳｉＯ2 膜を形成する。この時、防着板
２３にも同程度の厚さのＳｉＯ2 膜が付着し、容器１１
内面へのＳｉＯ2 膜の付着が防止される。While the gas atmosphere is maintained, the DC power supply 18 is started to apply a predetermined high voltage to the electrode plate 15, thereby generating plasma between the target 19 and the substrate support 20. Thus, a 0.7 μm thick SiO 2 film is formed on the surface of the semiconductor substrate 22 facing the target 19 at a deposition rate of, for example, about 0.1 μm / min. At this time, an SiO 2 film having the same thickness adheres to the deposition preventing plate 23,
The attachment of the SiO 2 film to the inner surface is prevented.
【００１９】半導体基板２２にＳｉＯ2 膜が形成された
後、容器１１内に常圧の窒素ガス等を導入し減圧された
ガス雰囲気を破壊する。そして容器１１内から基板支持
体２０に支持された所定の膜厚のＳｉＯ2 膜が形成され
た半導体基板２２を外して取り出す。After the SiO 2 film is formed on the semiconductor substrate 22, nitrogen gas or the like at normal pressure is introduced into the container 11 to destroy the depressurized gas atmosphere. Then, the semiconductor substrate 22 on which the SiO 2 film having a predetermined thickness is formed, which is supported by the substrate support 20, is removed from the container 11 and taken out.
【００２０】このようなＳｉＯ2 膜の形成工程を繰り返
すことによって、防着板２３に付着するＳｉＯ2 膜の膜
厚が増して防着板２３の清掃、あるいは新しいものとの
交換が必要になり、使用されていた防着板２３は容器１
１内から取り外される。そして新たに清掃を終えた防着
板２３、あるいは新しい防着板２３の容器１１内への取
付けが、基板支持体２０に対して防着板２３の位置が当
初の位置からずれないよう、位置合わせ治具等を使用し
て行われる。[0020] By repeating such SiO 2 film formation step, the cleaning of the deposition preventing plate 23 increases the thickness of the SiO 2 film adhering to the deposition preventing plate 23, or exchange of a new one is required The used protection plate 23 is the container 1
1 is removed from inside. Then, the newly cleaned shield plate 23 or the attachment of the new shield plate 23 into the container 11 is positioned so that the position of the shield plate 23 with respect to the substrate support 20 does not deviate from the initial position. This is performed using a matching jig or the like.
【００２１】防着板２３の取付けが終わった後、次の半
導体基板２２へのＳｉＯ2 膜の形成を行う前にターゲッ
ト１９と基板支持体２０の間にプラズマを生成し、生成
されたプラズマの分布状態やその中心位置が、当初と同
じように基板支持体２０の中心位置に合致した状態のも
のとなっているか否か容器１１外から観察確認する。こ
の時、取付け作業のばらつきなどからプラズマの分布や
中心位置が所望とするものとなっていず、ずれたものと
なっている場合には、移動機構を操作することによって
防着板２３の可動防着部２５を基板支持体２０の下面２
１に平行な方向に移動調節し、プラズマを移動させ、プ
ラズマの分布が基板支持体２０の中心位置に合致した状
態のものとなるようにし、可動防着部２５を移動させた
位置に固定する。After the attachment of the deposition-preventing plate 23, a plasma is generated between the target 19 and the substrate support 20 before the formation of the SiO 2 film on the next semiconductor substrate 22. It is checked from the outside of the container 11 whether or not the distribution state and the center position match the center position of the substrate support 20 as in the beginning. At this time, if the distribution or center position of the plasma is not as desired due to the variation in the mounting operation or the like, and is shifted, the movable mechanism is operated to prevent the movable plate 23 from moving. The attachment portion 25 is attached to the lower surface 2 of the substrate support 20.
The movement is adjusted in the direction parallel to 1 to move the plasma so that the distribution of the plasma coincides with the center position of the substrate support 20, and the movable deposition preventing portion 25 is fixed at the moved position. .
【００２２】このようにプラズマの分布状態等が当初の
状態に一致したものにした後、再び半導体基板２２への
ＳｉＯ2 膜の形成を行う。After the distribution state and the like of the plasma match the initial state as described above, an SiO 2 film is formed on the semiconductor substrate 22 again.
【００２３】そして上記のように構成した装置を用いる
ことによって、例えばＳｉ半導体基板２２への厚さ０．
７μｍのＳｉＯ2 膜の形成において、膜厚のばらつきが
基板内で±６．５〜±８．５％、１ロット２５枚の基板
間で±３．０％、２０ロットの間では±０．５％と従来
の膜厚のばらつきに比較して向上したものとすることが
できた。そして製造歩留が向上し、このような半導体基
板２２によって形成された半導体装置の特性試験結果や
信頼性を試験する加速試験等においても良好な結果が得
られた。Then, by using the apparatus configured as described above, for example, the thickness of the Si semiconductor substrate 22 is reduced to 0.1 mm.
In the formation of a 7 μm SiO 2 film, the variation in film thickness is ± 6.5 to ± 8.5% within the substrate, ± 3.0% between 25 substrates in one lot, and ± 0.0% between 20 lots. 5% was obtained, which was improved as compared with the conventional film thickness variation. The manufacturing yield was improved, and good results were obtained in a characteristic test result of a semiconductor device formed by using such a semiconductor substrate 22, an accelerated test for testing reliability, and the like.
【００２４】尚、上記の実施例においては可動防着部２
５の移動調節を容器１１外からプラズマを観察確認しな
がら移動機構を操作して行うようになっているが、例え
ば複数の視覚センサ等を設けてプラズマの分布状態等を
捉え、これらセンサの出力にもとづき移動機構による可
動防着部２５の移動動作を自動制御し、プラズマが基板
支持体２０の中心位置を中心とした所望とする分布状態
となるようにしてもよく、また装置の方式や容器１１の
形状などについても上記のもののみに限定されるもので
はない等、要旨を逸脱しない範囲内で本発明は適宜変更
して実施し得るものである。In the above-described embodiment, the movable shield portion 2
The movement adjustment of 5 is performed by operating the movement mechanism while observing and confirming the plasma from outside the container 11. For example, a plurality of visual sensors and the like are provided to grasp the distribution state and the like of the plasma and output of these sensors. The moving operation of the movable deposition preventing unit 25 by the moving mechanism may be automatically controlled based on the above, so that the plasma may be in a desired distribution state centered on the center position of the substrate support 20. The present invention can be appropriately modified and implemented without departing from the gist, for example, the shape of 11 is not limited only to the above.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明
は、防着板が固定防着部と可動防着部とでなると共に、
該可動防着部が基板支持体のターゲットに対向する面に
平行な方向に移動可能に設けられる構成としたことによ
り、プラズマの分布等を所望のものとすることができ、
基板表面に形成される膜の厚さのばらつきが少なくする
ことができ、歩留を向上させることができる等の効果が
得られる。As is apparent from the above description, according to the present invention, the protection plate is composed of a fixed protection portion and a movable protection portion.
The movable deposition portion is provided so as to be movable in a direction parallel to a surface of the substrate support facing the target, so that the plasma distribution and the like can be made desired.
Variations in the thickness of the film formed on the substrate surface can be reduced, and effects such as an improvement in yield can be obtained.
【図１】本発明の一実施例の概略構成を示す断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of an embodiment of the present invention.
【図２】従来例の概略構成を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a schematic configuration of a conventional example.
１１…容器 １９…ターゲット ２０…基板支持体 ２２…半導体基板 ２３…防着板 ２４…固定防着部 ２５…可動防着部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Container 19 ... Target 20 ... Substrate support 22 ... Semiconductor substrate 23 ... Deposition plate 24 ... Fixed deposition prevention part 25 ... Movable deposition prevention part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−147970（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−54733（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−285067（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−196476（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−246169（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−50049（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−110756（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 C23C 14/34 H01L 21/203 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-4-147970 (JP, A) JP-A-64-54733 (JP, A) JP-A-2-285067 (JP, A) JP-A-Heisei 6 196476 (JP, A) JP-A-4-246169 (JP, A) JP-A-3-50049 (JP, U) JP-A-4-110756 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/31 C23C 14/34 H01L 21/203
Claims (1)
器内に支持されたターゲットと、このターゲットに対向
するよう基板を支持する前記容器内に設けられた基板支
持体と、この基板支持体の周囲に前記容器内壁面との間
に間隙を設けて配置された防着板とを備えてなる半導体
製造装置において、前記防着板が固定防着部と可動防着
部とでなると共に、該可動防着部が前記基板支持体の前
記ターゲットに対向する面に平行な方向に移動可能に設
けられたものであることを特徴とする半導体製造装置。1. A reduced-pressure container for generating plasma, a target supported in the container, a substrate support provided in the container for supporting a substrate so as to face the target, In a semiconductor manufacturing apparatus comprising a deposition prevention plate arranged around the inner wall surface of the container with a gap therebetween, the deposition prevention plate includes a fixed deposition prevention portion and a movable deposition prevention portion. A semiconductor manufacturing apparatus, wherein a movable attachment portion is provided so as to be movable in a direction parallel to a surface of the substrate support facing the target.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05008700A JP3073618B2 (en) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05008700A JP3073618B2 (en) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224180A JPH06224180A (en) | 1994-08-12 |
| JP3073618B2 true JP3073618B2 (en) | 2000-08-07 |
Family
ID=11700214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05008700A Expired - Fee Related JP3073618B2 (en) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3073618B2 (en) |
-
1993
- 1993-01-22 JP JP05008700A patent/JP3073618B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06224180A (en) | 1994-08-12 |
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