JP3073185U - 化合物半導体素子の電極構造 - Google Patents
化合物半導体素子の電極構造Info
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- JP3073185U JP3073185U JP2000003140U JP2000003140U JP3073185U JP 3073185 U JP3073185 U JP 3073185U JP 2000003140 U JP2000003140 U JP 2000003140U JP 2000003140 U JP2000003140 U JP 2000003140U JP 3073185 U JP3073185 U JP 3073185U
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電流の流動が均衡である化合物半導体素子の
電極構造を提供する。 【解決手段】 基板と、前記基板を覆うnタイプ層と、
前記nタイプ層の一部を覆う台地状のpタイプ層と、前
記pタイプ層を覆う透明導電層と、透明導電層における
正極と、露出したnタイプ層の表面、即ち台地状pタイ
プ層に覆われないnタイプ層の表面における負極とを有
する化合物半導体素子において、負極が正極を囲む囲み
部分を有し、この囲み部分が露出したnタイプ層の表面
の周縁部に位置するように形成される電極構造を有す
る。
電極構造を提供する。 【解決手段】 基板と、前記基板を覆うnタイプ層と、
前記nタイプ層の一部を覆う台地状のpタイプ層と、前
記pタイプ層を覆う透明導電層と、透明導電層における
正極と、露出したnタイプ層の表面、即ち台地状pタイ
プ層に覆われないnタイプ層の表面における負極とを有
する化合物半導体素子において、負極が正極を囲む囲み
部分を有し、この囲み部分が露出したnタイプ層の表面
の周縁部に位置するように形成される電極構造を有す
る。
Description
【0001】
本考案は、化合物半導体素子の電極構造に係わるもので、特に電極の負極が正 極を囲む囲み部分を有する化合物半導体素子の電極構造に係わるものである。
【0002】
化合物半導体素子は通信と表示装置の分野では広範的な用途を有し、近年、ブ ルーライト光源のニーズが増えるため、窒化ガリウム系III−V族化合物半導 体が研究開発のポイントとなる。窒化ガリウム系III−V族化合物半導体は一 般その主要な組成成分が窒化インジウムガリウムや窒化アルミニウムガリウムや 窒化アルミニウムインジウムガリウムなどである。目前、窒化ガリウム系III −V族化合物半導体を成長するにはよく使用される尤も効率を有する基板が三酸 化二アルミニウム単結晶基板であり、しかしながら、この種の基板が導電しない ので、素子を製造する際、例えば発光ダイオードを製造する際、その正極と負極 とが同一の面に形成されなければならない。且つオーム接触層を介して発光ダイ オードのpタイプ層とnタイプ層と連結する必要がある。
【0003】 米国特許第5,563,422に開示した日本Nichia会社の提案した窒 化ガリウム系III−V族化合物半導体の製造方法には、金属薄膜をpタイプ層 にメッキし、且つ焼きなまし処理を行い、ホールフローの拡散作用を強化する手 段が提案されている。また、2つの電極をチップの対角線の両端に形成させ、方 形の大きい空間を形成し、方形素子を配置できるようにした技術も提案された。 しかしながら、電流が負極より正極に流れる場合、各点の距離が異なり、同様な 電流量を形成できないため、発光ダイオードの結晶粒の明るさが負極より正極に いたる場合明るいことより暗黒になる現象がはっきりと発見できる。
【0004】
そのため、本考案は発光不均一の現象を改善できる窒化ガリウム系化合物半導 体素子の電極構造を提供することをその主要な目的とする。
【0005】
前記の目的を図るために、本考案は、負極が正極を囲む囲み部分を有し、電流 が負極より正極に流れる場合それぞれの点間の距離が同じになり、発光の均一性 を確保できる窒化ガリウム系化合物半導体素子の電極構造を提供する。
【0006】
以下に添付図面を参照しながら本考案の好適な実施の形態を詳細に説明する。 図1と図2とは本考案による電極構造の平面図と正面図である。図1に示すよ うに、本考案の電極構造の特徴は、負極200に正極210を囲む囲み部分20 1を有し、そのため、電流が負極より均一的に正極に流れられる。図2に示すよ うに、窒化ガリウム発光ダイオードを製造する場合に基板100が一般非導体の 三酸化二アルミニウムであり、そのため、正極210と負極200とが基板10 0の同一の表面に設けられる。正極210と負極200とを隔離するため、基板 100にpn接合面を有する窒化ガリウム化合物半導体層を成長してから、非同 方向腐食法、例えば反応イオン腐食法(RIE)によって窒化ガリウム化合物半 導体層を腐食し、基板100の全面におけるnタイプ層102aと、nタイプ層 102aの一部の表面における台地状pタイプ層102bを形成する。それから 、台地状のpタイプ層102bに透明導電層104を形成し、pタイプ層のホー ル移動度(Hole Mobility)が劣るため、透明導電層104に正極 210を形成し、また、露出したnタイプ層102aの表面、即ち台地状pタイ プ層102bに覆われないnタイプ層102aの表面に負極200を形成する。 従来の電極構造、例えば米国特許第5,563,422号の日本Nichia会 社の提出した電極構造が、其の正極と負極とが方形結晶粒の表面の対角の両側に あるため、電流が負極より正極に流れる際にそれぞれの点の距離が異なり、同様 の電流量を形成できないので、発光ダイオード結晶粒の明るさが負極より正極に いたって明るい状態より暗黒になる現象をはっきりと観察できる。
【0007】 図1と図3は図4(本考案の構造の斜視図)に示すように、本考案の負極20 0には露出したnタイプ層の表面の周縁部にあり、正極210を囲む囲み部分2 01を有するので、電流が負極より正極に流れる場合、それぞれの点の間の距離 が同じになり、発光の均衡度を増加できる。前記図面において、囲み部分201 は正極210の両側を囲むが、図5に示すように、正極210全体を囲み、且つ 正極210に2つのブランチ同士211を形成させる場合、電流が更に均衡にな る。
【0008】 図6に示すように、図6は本考案の電極の側面図であり、本考案のダイオード にCVD層106を覆うことによって負極200と正極210との間の絶縁構造 を形成できる。
【0009】
前記のように、本考案の化合物半導体素子の電極構造によれば、正極と負極と の間の電流を均衡にならせることができる。
【図1】本考案の好適な実施の形態の電極構造の平面図
である。
である。
【図2】本考案の好適な実施の形態の電極構造の正面図
である。
である。
【図3】本考案の好適な実施の形態の電極構造の側面図
である。
である。
【図4】本考案の好適な実施の形態の電極構造の斜視図
である。
である。
【図5】本考案の他の好適な実施の形態を示す平面図で
ある。
ある。
【図6】本考案の好適な実施の形態の電極構造にCVD
を加える場合を示す側面図である。
を加える場合を示す側面図である。
100 基板 102a nタイプ層 102b pタイプ層 104 透明導電層 106 CVD層 200 負極 201 囲み部分 210 正極 211 ブランチ部分
Claims (2)
- 【請求項1】 基板と、前記基板を覆うnタイプ層と、
前記nタイプ層の一部を覆う台地状のpタイプ層と、前
記pタイプ層を覆う透明導電層と、透明導電層における
正極と、露出したnタイプ層の表面、即ち台地状pタイ
プ層に覆われないnタイプ層の表面における負極とを有
する化合物半導体素子において、 負極が正極を囲む囲み部分を有し、この囲み部分が露出
したnタイプ層の表面の周縁部に位置するように形成さ
れる電極構造を有することを特徴とする化合物半導体素
子の電極構造。 - 【請求項2】 前記正極には側辺部より延出したブラン
チ部分を有することを特徴とする請求項1に記載の化合
物半導体素子の電極構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000003140U JP3073185U (ja) | 2000-05-11 | 2000-05-11 | 化合物半導体素子の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000003140U JP3073185U (ja) | 2000-05-11 | 2000-05-11 | 化合物半導体素子の電極構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3073185U true JP3073185U (ja) | 2000-11-14 |
Family
ID=43206428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000003140U Expired - Lifetime JP3073185U (ja) | 2000-05-11 | 2000-05-11 | 化合物半導体素子の電極構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3073185U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012151415A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
-
2000
- 2000-05-11 JP JP2000003140U patent/JP3073185U/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012151415A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |