JP3070004B2 - プラズマ・プロセス監視装置 - Google Patents
プラズマ・プロセス監視装置Info
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- plasma
- process monitoring
- processing apparatus
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜を生成するた
めのプラズマ・プロセス装置において、電界の状態変化
を検出し、また、状態変化が原因で発生する製造物の不
良を軽減するとともに、不良の可能性がある製造物を選
別するために使用するプラズマ・プロセス監視装置に関
する。
めのプラズマ・プロセス装置において、電界の状態変化
を検出し、また、状態変化が原因で発生する製造物の不
良を軽減するとともに、不良の可能性がある製造物を選
別するために使用するプラズマ・プロセス監視装置に関
する。
【0001】
【従来の技術】近年、半導体、磁気記憶媒体、光学記憶
媒体、液晶表示素子等の製造においては、その土台とな
る基板の上に各種の薄膜を生成するために、薄膜の厚さ
を精度高く制御する装置が要求されており、この要求を
満足させるものとして、プラズマ技術を応用したプラズ
マ・プロセス装置が使用されるようになってきた。この
プラズマ・プロセス装置を図3に示す。図3において、
プラズマ・プロセス装置は薄膜を生成するプラズマ・プ
ロセス成膜部1と、このプラズマ・プロセス成膜部1に
高圧電源を供給する電源装置2と、プラズマ・プロセス
成膜部1を真空にするための真空ポンプ3およびプラズ
マ・プロセス成膜部1にスパッタガスを供給するガスタ
ンク4とから構成されている。
媒体、液晶表示素子等の製造においては、その土台とな
る基板の上に各種の薄膜を生成するために、薄膜の厚さ
を精度高く制御する装置が要求されており、この要求を
満足させるものとして、プラズマ技術を応用したプラズ
マ・プロセス装置が使用されるようになってきた。この
プラズマ・プロセス装置を図3に示す。図3において、
プラズマ・プロセス装置は薄膜を生成するプラズマ・プ
ロセス成膜部1と、このプラズマ・プロセス成膜部1に
高圧電源を供給する電源装置2と、プラズマ・プロセス
成膜部1を真空にするための真空ポンプ3およびプラズ
マ・プロセス成膜部1にスパッタガスを供給するガスタ
ンク4とから構成されている。
【0002】プラズマ・プロセス成膜部1は、グロー放
電によりプラズマを発生させて薄膜を生成するスパッタ
装置であり、内部に対向してターゲットとなる陰極5と
陽極6が備えられ、陽極6の上に薄膜を生成する基板7
が設置される。このプラズマ・プロセス成膜部1は、真
空ポンプ3で装置内部を10-5Toor 程度の真空度にし
て,装置内にガスタンク4よりアルゴン等のスパッタガ
スを入れ、接続ケーブル8を介して電源装置2で−50
0V程度の電圧を陰極5と陽極6に印加すると、グロー
放電が発生する。このグロー放電により発生した陽子イ
オンが陰極5に衝突して2次電子や陰極5の物質である
中性粒子を放出させる。この放出された中性粒子が基板
7に堆積して薄膜7aを形成する。
電によりプラズマを発生させて薄膜を生成するスパッタ
装置であり、内部に対向してターゲットとなる陰極5と
陽極6が備えられ、陽極6の上に薄膜を生成する基板7
が設置される。このプラズマ・プロセス成膜部1は、真
空ポンプ3で装置内部を10-5Toor 程度の真空度にし
て,装置内にガスタンク4よりアルゴン等のスパッタガ
スを入れ、接続ケーブル8を介して電源装置2で−50
0V程度の電圧を陰極5と陽極6に印加すると、グロー
放電が発生する。このグロー放電により発生した陽子イ
オンが陰極5に衝突して2次電子や陰極5の物質である
中性粒子を放出させる。この放出された中性粒子が基板
7に堆積して薄膜7aを形成する。
【0003】しかしながら、上述したプラズマ・プロセ
ス装置においては、電源装置2の変動や、ターゲットで
ある陰極5の消耗状態、真空度の変動、スパッタガスの
成分や濃度の変動により、プラズマの乱れやアーク放電
等の異常放電が発生し、この異常放電が発生した場合
は、生成される薄膜に異なる特性を有する部分(以下、
パーティクルという)が発生する可能性があり、薄膜生
成上の問題となっていた。このパーティクルの発生を減
らすため、熟練したオペレータがプラズマ・プロセス装
置の状態変化を目視や経過時間等から、経験的にプラズ
マ・プロセス成膜部1、電源装置2、真空ポンプ3、ガ
スタンク4等を操作し、良品と不良品を選別するため製
造後に全数検査をすることによりパーティクルの有無を
選別という非常に厄介な問題があった。
ス装置においては、電源装置2の変動や、ターゲットで
ある陰極5の消耗状態、真空度の変動、スパッタガスの
成分や濃度の変動により、プラズマの乱れやアーク放電
等の異常放電が発生し、この異常放電が発生した場合
は、生成される薄膜に異なる特性を有する部分(以下、
パーティクルという)が発生する可能性があり、薄膜生
成上の問題となっていた。このパーティクルの発生を減
らすため、熟練したオペレータがプラズマ・プロセス装
置の状態変化を目視や経過時間等から、経験的にプラズ
マ・プロセス成膜部1、電源装置2、真空ポンプ3、ガ
スタンク4等を操作し、良品と不良品を選別するため製
造後に全数検査をすることによりパーティクルの有無を
選別という非常に厄介な問題があった。
【0004】また、プラズマ成膜装置による薄膜の質的
な良否は、成膜時における装置や付属機器、関連材料の
適切な状態が反映した結果なので、特にプラズマの発生
機構の信頼性や均一性の確保は、諸々のパラメータの確
認することの困難さと共に、長時間に亘る成膜期間中
に、正常動作を確保することは課題が多かった。この中
でも特に、プラズマを安定的に発生させること、および
その安定状態を保持することは難しく、成膜時の状態を
直接監視することが困難な状況を勘案して、成膜機構の
動作確認を容易にならしめる方法が望まれていた。
な良否は、成膜時における装置や付属機器、関連材料の
適切な状態が反映した結果なので、特にプラズマの発生
機構の信頼性や均一性の確保は、諸々のパラメータの確
認することの困難さと共に、長時間に亘る成膜期間中
に、正常動作を確保することは課題が多かった。この中
でも特に、プラズマを安定的に発生させること、および
その安定状態を保持することは難しく、成膜時の状態を
直接監視することが困難な状況を勘案して、成膜機構の
動作確認を容易にならしめる方法が望まれていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点に鑑みなされたもので、プラズマ・プロセス装置の
状態を定量的に判断し、その結果を製造装置にフィード
バックすることにより、パーティクルの少ない薄膜を生
成するとともに、薄膜へのパーティクル混入を予見し、
プロセスの早い段階で不良品を製造ラインから除外する
ことにより、無駄な工程を省くことのできる経済的な装
置を提供するものである。
題点に鑑みなされたもので、プラズマ・プロセス装置の
状態を定量的に判断し、その結果を製造装置にフィード
バックすることにより、パーティクルの少ない薄膜を生
成するとともに、薄膜へのパーティクル混入を予見し、
プロセスの早い段階で不良品を製造ラインから除外する
ことにより、無駄な工程を省くことのできる経済的な装
置を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明プラズマ・プロセスの監視装置は、プラズマ
・プロセス装置に並設して設置され、前記プラズマ・プ
ロセス装置の電界の攪乱により引き起こされる状態変化
を監視する装置であって、前記プラズマ・プロセス装置
に供給される積算電力を検出する検出手段と、前記検出
手段で検出した積算電力から前記状態変化により製造物
が受けたダメージを判別する判別手段とを備えている。
め、本発明プラズマ・プロセスの監視装置は、プラズマ
・プロセス装置に並設して設置され、前記プラズマ・プ
ロセス装置の電界の攪乱により引き起こされる状態変化
を監視する装置であって、前記プラズマ・プロセス装置
に供給される積算電力を検出する検出手段と、前記検出
手段で検出した積算電力から前記状態変化により製造物
が受けたダメージを判別する判別手段とを備えている。
【0007】また、このプラズマ・プロセス監視装置
は、前記プラズマ・プロセス装置の状態変化の回数を計
数する回数計数手段を備えている。また、このプラズマ
・プロセス監視装置は、前記プラズマ・プロセス装置の
状態変化の発生率を計数する発生率計数手段とを備えて
いる。また、このプラズマ・プロセス監視装置は、前記
プラズマ・プロセス装置の状態変化の規模を識別する識
別手段を備えている。また、このプラズマ・プロセス監
視装置は、前記プラズマ・プロセス装置の状態および状
態変化の情報を情報処理装置に通知する送信手段を備え
ている。また、このプラズマ・プロセス監視装置は、前
記プラズマ・プロセス装置に状態変化があった場合に加
工された製造物を識別する識別手段を備えている。ま
た、このプラズマ・プロセス監視装置は、前記プラズマ
・プロセス装置の状態、状態変化、状態変化回数、状態
変化率の全て或いはその一部を表示する表示手段を備え
ている。また、このプラズマ・プロセス監視装置は、前
記プラズマ・プロセス装置に状態変化があった場合に、
前記プラズマ・プロセス装置を制御する構成とした。
は、前記プラズマ・プロセス装置の状態変化の回数を計
数する回数計数手段を備えている。また、このプラズマ
・プロセス監視装置は、前記プラズマ・プロセス装置の
状態変化の発生率を計数する発生率計数手段とを備えて
いる。また、このプラズマ・プロセス監視装置は、前記
プラズマ・プロセス装置の状態変化の規模を識別する識
別手段を備えている。また、このプラズマ・プロセス監
視装置は、前記プラズマ・プロセス装置の状態および状
態変化の情報を情報処理装置に通知する送信手段を備え
ている。また、このプラズマ・プロセス監視装置は、前
記プラズマ・プロセス装置に状態変化があった場合に加
工された製造物を識別する識別手段を備えている。ま
た、このプラズマ・プロセス監視装置は、前記プラズマ
・プロセス装置の状態、状態変化、状態変化回数、状態
変化率の全て或いはその一部を表示する表示手段を備え
ている。また、このプラズマ・プロセス監視装置は、前
記プラズマ・プロセス装置に状態変化があった場合に、
前記プラズマ・プロセス装置を制御する構成とした。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。図1は、本発明のプラズマ・プロセ
ス監視装置を使用したプラズマ・プロセス装置を示す説
明図、図2は、図1のプラズマ・プロセス監視装置の構
成を示すブロック図、である。なお、従来例と同一部品
には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
基づいて説明する。図1は、本発明のプラズマ・プロセ
ス監視装置を使用したプラズマ・プロセス装置を示す説
明図、図2は、図1のプラズマ・プロセス監視装置の構
成を示すブロック図、である。なお、従来例と同一部品
には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【0009】まず、本発明のプラズマ・プロセス監視装
置Aは、図1に示すように、プラズマ・プロセス装置B
に供給する電力を検出する検出手段である検出部9と、
この検出部9で検出した電力の変化からプラズマ・プロ
セス装置Bの状態変化を判別する本体部10とから構成
されている。また、プラズマ・プロセス装置Bは、薄膜
を生成するプラズマ・プロセス成膜部1と、このプラズ
マ・プロセス成膜部1に高圧電源を供給する電源装置2
と、プラズマ・プロセス成膜部1を真空にするための真
空ポンプ3およびプラズマ・プロセス成膜部1にスパッ
タガスを供給するガスタンク4とから構成され、プラズ
マ・プロセス成膜部1と電源装置2を接続する接続ケー
ブル8に前記プラズマ・プロセス監視装置Aの検出部9
が接続されている。また、プラズマ・プロセス監視装置
Aの本体部10には、インターフェイス21を介して接
続ケーブル22で情報処理装置Cが接続されており、こ
の情報処理装置Cはプラズマ・プロセス装置Bで製造さ
れた製造物の基板7を制御するため、製造ラインと接続
ケーブル24で接続されている。
置Aは、図1に示すように、プラズマ・プロセス装置B
に供給する電力を検出する検出手段である検出部9と、
この検出部9で検出した電力の変化からプラズマ・プロ
セス装置Bの状態変化を判別する本体部10とから構成
されている。また、プラズマ・プロセス装置Bは、薄膜
を生成するプラズマ・プロセス成膜部1と、このプラズ
マ・プロセス成膜部1に高圧電源を供給する電源装置2
と、プラズマ・プロセス成膜部1を真空にするための真
空ポンプ3およびプラズマ・プロセス成膜部1にスパッ
タガスを供給するガスタンク4とから構成され、プラズ
マ・プロセス成膜部1と電源装置2を接続する接続ケー
ブル8に前記プラズマ・プロセス監視装置Aの検出部9
が接続されている。また、プラズマ・プロセス監視装置
Aの本体部10には、インターフェイス21を介して接
続ケーブル22で情報処理装置Cが接続されており、こ
の情報処理装置Cはプラズマ・プロセス装置Bで製造さ
れた製造物の基板7を制御するため、製造ラインと接続
ケーブル24で接続されている。
【0010】検出部9と本体部10から構成されている
プラズマ・プロセス監視装置Aは、図2に示すように、
接続ケーブル12で接続されている。プラズマ・プロセ
ス成膜部1と、電源装置2を接続する接続ケーブル8に
接続される検出部9は、電力検出部13から構成されて
おり、電力検出部13で検出した値はケーブル12を通
じて後述する本体部10の状態変化検出部15により測
定される。
プラズマ・プロセス監視装置Aは、図2に示すように、
接続ケーブル12で接続されている。プラズマ・プロセ
ス成膜部1と、電源装置2を接続する接続ケーブル8に
接続される検出部9は、電力検出部13から構成されて
おり、電力検出部13で検出した値はケーブル12を通
じて後述する本体部10の状態変化検出部15により測
定される。
【0011】本体部10は、図1に示すように、金属製
の筐体の前面パネル10aに、プラズマ・プロセス装置
Bの状態変化をランプの点灯で表示する状態表示部16
と、時間当たりの状態変化の発生数を表示する状態変化
率表示部18と、状態変化の発生数の累積を表示する状
態変化回数表示部20とが備えられており、図示しない
筐体の背面には、前記検出部9および情報処理装置Cと
の接続用のコネクタを備えている。この本体部10の内
部には、図2に示すように、前記検出部9からの電力の
値を測定してプラズマ・プロセス装置Bの状態変化を判
断する状態変化検出部15と、この状態変化検出部15
の判断結果をランプで表示する状態表示部16と、状態
変化検出部15で読込んだデータの時間当たりの状態変
化の発生数をカウントする状態変化率計数部17と、こ
の状態変化率計数部17でカウントした結果を表示する
状態変化率表示部18と、状態変化検出部15で読込ん
だ状態変化の発生数の累積をカウントする状態変化回数
計数部19と、この状態変化回数計数部19でカウント
した結果を表示する状態変化回数表示部20から構成さ
れている。
の筐体の前面パネル10aに、プラズマ・プロセス装置
Bの状態変化をランプの点灯で表示する状態表示部16
と、時間当たりの状態変化の発生数を表示する状態変化
率表示部18と、状態変化の発生数の累積を表示する状
態変化回数表示部20とが備えられており、図示しない
筐体の背面には、前記検出部9および情報処理装置Cと
の接続用のコネクタを備えている。この本体部10の内
部には、図2に示すように、前記検出部9からの電力の
値を測定してプラズマ・プロセス装置Bの状態変化を判
断する状態変化検出部15と、この状態変化検出部15
の判断結果をランプで表示する状態表示部16と、状態
変化検出部15で読込んだデータの時間当たりの状態変
化の発生数をカウントする状態変化率計数部17と、こ
の状態変化率計数部17でカウントした結果を表示する
状態変化率表示部18と、状態変化検出部15で読込ん
だ状態変化の発生数の累積をカウントする状態変化回数
計数部19と、この状態変化回数計数部19でカウント
した結果を表示する状態変化回数表示部20から構成さ
れている。
【0012】状態変化検出部15はトリガー回路、ロー
パスフィルタ、ハイパスフィルタ、比較回路を備え、検
出部9から入力される検出信号をトリガー回路でゲート
を開いて読み込み、ローパスフィルタ、ハイパスフィル
タを通して誤判断の原因となるノイズ部分をカットし、
比較回路の設定条件と比較して状態変化の発生を判断す
るものである。また、この判断結果を、状態表示部1
6、状態変化率計数部17、状態変化回数計数部19に
送るものである。
パスフィルタ、ハイパスフィルタ、比較回路を備え、検
出部9から入力される検出信号をトリガー回路でゲート
を開いて読み込み、ローパスフィルタ、ハイパスフィル
タを通して誤判断の原因となるノイズ部分をカットし、
比較回路の設定条件と比較して状態変化の発生を判断す
るものである。また、この判断結果を、状態表示部1
6、状態変化率計数部17、状態変化回数計数部19に
送るものである。
【0013】状態表示部16は、ランプの点灯でプラズ
マ・プロセス装置Bの状態変化を表示するもので、状態
変化検出部15で判断した結果、プラズマ・プロセス装
置Bの状態が正常であれば、例えば、グリーンのランプ
が点灯し、プラズマ・プロセス装置Bのプラズマ・プロ
セス成膜部1で状態変化が発生して異常になった場合
は、例えば赤のランプが点灯し、異常状態であることを
表示する。
マ・プロセス装置Bの状態変化を表示するもので、状態
変化検出部15で判断した結果、プラズマ・プロセス装
置Bの状態が正常であれば、例えば、グリーンのランプ
が点灯し、プラズマ・プロセス装置Bのプラズマ・プロ
セス成膜部1で状態変化が発生して異常になった場合
は、例えば赤のランプが点灯し、異常状態であることを
表示する。
【0014】状態変化率計数部17は、状態変化検出部
15より送られた状態変化の発生信号を、単位時間毎に
区切ってカウントするもので、単位時間としては、0.
125秒、0.25秒、0.5秒、1秒、2秒を選択で
きる。このカウントした結果を状態変化率表示部18に
送り、状態変化率表示部18で表示する。状態変化率表
示部18は、3桁の表示用セグメントを備え、状態変化
率計数部17でカウントした数字を表示する。また、カ
ウンタリセットスイッチを備えてカウント値をリセット
する。
15より送られた状態変化の発生信号を、単位時間毎に
区切ってカウントするもので、単位時間としては、0.
125秒、0.25秒、0.5秒、1秒、2秒を選択で
きる。このカウントした結果を状態変化率表示部18に
送り、状態変化率表示部18で表示する。状態変化率表
示部18は、3桁の表示用セグメントを備え、状態変化
率計数部17でカウントした数字を表示する。また、カ
ウンタリセットスイッチを備えてカウント値をリセット
する。
【0015】状態変化回数計数部19は、状態変化検出
部15より送られた状態変化の発生信号を累積してカウ
ントする。そして、このカウントした結果を状態変化回
数表示部20に送り、状態変化回数表示部20で表示す
る。状態変化回数表示部20は、5桁の表示用セグメン
トを備え、状態変化回数計数部19でカウントした数字
を表示する。また、カウンタリセットスイッチを備えて
カウント値をリセットする。
部15より送られた状態変化の発生信号を累積してカウ
ントする。そして、このカウントした結果を状態変化回
数表示部20に送り、状態変化回数表示部20で表示す
る。状態変化回数表示部20は、5桁の表示用セグメン
トを備え、状態変化回数計数部19でカウントした数字
を表示する。また、カウンタリセットスイッチを備えて
カウント値をリセットする。
【0016】つぎに、上記のように構成されたプラズマ
・プロセス監視装置Aの動作を説明する。プラズマ・プ
ロセス装置Bにおいて、プラズマ・プロセス成膜部1で
アークが発生した場合は、陰極5と陽極6間の抵抗が極
端に下がり、大電流が流れて、電圧降下が発生する。こ
の時に製造物に与えるダメージは、アーク発生時の積算
電力から判断するもので、これは[数1]により求める
ことができる。
・プロセス監視装置Aの動作を説明する。プラズマ・プ
ロセス装置Bにおいて、プラズマ・プロセス成膜部1で
アークが発生した場合は、陰極5と陽極6間の抵抗が極
端に下がり、大電流が流れて、電圧降下が発生する。こ
の時に製造物に与えるダメージは、アーク発生時の積算
電力から判断するもので、これは[数1]により求める
ことができる。
【0017】
【数1】
【0018】また、この積算電力は電圧効果を利用して
も求めることができる。この場合は、一般的に電源装置
2にはコンデンサを装備しているため、電圧降下の2乗
に比例したエネルギーが放出されていると理解でき、そ
の値から製造物へのダメージを判断する。
も求めることができる。この場合は、一般的に電源装置
2にはコンデンサを装備しているため、電圧降下の2乗
に比例したエネルギーが放出されていると理解でき、そ
の値から製造物へのダメージを判断する。
【0019】このように、状態変化検出部15でアーク
の発生を判断し、その判断結果を状態表示部16がラン
プの色で表示するものである。そしてアーク放電等の異
常が発生した場合は、その単位時間当たりの発生数を状
態変化率計数部17でカウントして状態変化率表示部1
8で表示し、その累積の発生数を状態変化回数計数部1
9でカウントして状態変化回数表示部20で表示するも
のである。また、これらの結果は、図1に示すように、
通信手段であるインターフェイス21を介して接続ケー
ブル22で情報処理装置Cに伝達される。情報処理装置
Cは総合的に判断し、その判断結果によりプラズマ・プ
ロセス成膜部1、電源装置2、真空ポンプ3、ガスタン
ク4の制御が接続ケーブル23を通じて行われる。情報
処理装置Cにては、プラズマ・プロセス監視装置Aより
送られた結果をもとに、アーク発生による基板7の薄膜
へのダメージ具合を判断するが、その判断基準はアーク
発生の回数ならびに規模によるものである。
の発生を判断し、その判断結果を状態表示部16がラン
プの色で表示するものである。そしてアーク放電等の異
常が発生した場合は、その単位時間当たりの発生数を状
態変化率計数部17でカウントして状態変化率表示部1
8で表示し、その累積の発生数を状態変化回数計数部1
9でカウントして状態変化回数表示部20で表示するも
のである。また、これらの結果は、図1に示すように、
通信手段であるインターフェイス21を介して接続ケー
ブル22で情報処理装置Cに伝達される。情報処理装置
Cは総合的に判断し、その判断結果によりプラズマ・プ
ロセス成膜部1、電源装置2、真空ポンプ3、ガスタン
ク4の制御が接続ケーブル23を通じて行われる。情報
処理装置Cにては、プラズマ・プロセス監視装置Aより
送られた結果をもとに、アーク発生による基板7の薄膜
へのダメージ具合を判断するが、その判断基準はアーク
発生の回数ならびに規模によるものである。
【0020】上記のように情報処理装置Cで判断した結
果、基板7の薄膜がダメージを受けた可能性があると判
断された場合は、図1に示すように、接続ケーブル24
を通じて、製造ライン25の選別手段である選別装置2
5aに伝達される。製造ライン25では、プラズマ・プ
ロセス監視装置Aの状態変化回数計数部19により発生
時間から該当する製造物の基板7を識別するので、製造
ライン25の識別手段である選別装置25aにおいて、
該当する基板7が自動的に除去される。
果、基板7の薄膜がダメージを受けた可能性があると判
断された場合は、図1に示すように、接続ケーブル24
を通じて、製造ライン25の選別手段である選別装置2
5aに伝達される。製造ライン25では、プラズマ・プ
ロセス監視装置Aの状態変化回数計数部19により発生
時間から該当する製造物の基板7を識別するので、製造
ライン25の識別手段である選別装置25aにおいて、
該当する基板7が自動的に除去される。
【0021】
【発明の効果】以上説明した本発明は、積算電力すなわ
ち電気的エネルギー量から製造物が受けたダメージを判
別するので、ダメージを確実に弁別することができる。
ち電気的エネルギー量から製造物が受けたダメージを判
別するので、ダメージを確実に弁別することができる。
【図1】本発明のプラズマ・プロセス監視装置を使用し
たプラズマ・プロセス装置を示す説明図である。
たプラズマ・プロセス装置を示す説明図である。
【図2】図1のプラズマ・プロセス監視装置の構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図3】従来のプラズマ・プロセス装置を示す説明図で
ある。
ある。
A プラズマ・プロセス監視装置 B プラズマ・プロセス装置 C 情報処理装置 1 プラズマ・プロセス成膜部 2 電源装置 3 真空ポンプ 4 ガスタンク 5 陰極 6 陽極 7 基板 8 接続ケーブル 9 検出部 10 本体部 12 接続ケーブル 13 電力検出部 15 状態変化検出部 16 状態表示部 17 状態変化率計数部 18 状態変化率表示部 19 状態変化回数計数部 20 状態変化回数表示部 21 インターフェイス 22 接続ケーブル 23 接続ケーブル 24 接続ケーブル 25 製造ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 靖文 東京都千代田区富士見1丁目5番8号 株式会社ランドマークテクノロジー内 (56)参考文献 特開 平2−205675(JP,A) 特開 平4−72064(JP,A) 特開 平4−165068(JP,A) 特開 平5−230652(JP,A) 特開 平8−225935(JP,A) 特開 平10−88338(JP,A) 特公 平6−53938(JP,B2) 特公 平7−45705(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 14/00 - 14/58 H05H 1/46 H01L 21/203 H01L 21/205 H01L 21/31
Claims (8)
- 【請求項1】 プラズマ・プロセス装置に並設して設置
され、前記プラズマ・プロセス装置の電界の攪乱により
引き起こされる状態変化を監視する装置であって、 前記プラズマ・プロセス装置に供給される積算電力を検
出する検出手段と、前記検出手段で検出した積算電力か
ら前記状態変化により製造物が受けたダメージを判別す
る判別手段と、 を備えたことを特徴とするプラズマ・プロセス監視装
置。 - 【請求項2】 前記プラズマ・プロセス監視装置に、前
記プラズマ・プロセス装置の状態変化の回数を計数する
回数計数手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載
のプラズマ・プロセス監視装置。 - 【請求項3】 前記プラズマ・プロセス監視装置に、前
記プラズマ・プロセス装置の状態変化の発生率を計数す
る発生率計数手段を備えたことを特徴とする請求項1乃
至請求項2に記載のプラズマ・プロセス監視装置。 - 【請求項4】 前記プラズマ・プロセス監視装置に、前
記プラズマ・プロセス装置の状態変化の規模を識別する
識別手段を備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項
3のいずれかの項に記載のプラズマ・プロセス監視装
置。 - 【請求項5】 前記プラズマ・プロセス監視装置に、前
記プラズマ・プロセス装置の状態および状態変化の情報
を情報処理装置に通知する通信手段を備えたことを特徴
とする請求項1乃至請求項4のいずれかの項に記載のプ
ラズマ・プロセス監視装置。 - 【請求項6】 前記プラズマ・プロセス監視装置に、前
記プラズマ・プロセス装置に状態変化があった場合に加
工された製造物を識別する識別手段を備えたことを特徴
とする請求項1乃至請求項5のいずれかの項に記載のプ
ラズマ・プロセス監視装置。 - 【請求項7】 前記プラズマ・プロセス監視装置に、前
記プラズマ・プロセス装置の状態、状態変化、状態変化
回数、状態変化率の全てまたはその一部を表示する表示
手段を備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項6の
いずれかの項に記載のプラズマ・プロセス監視装置。 - 【請求項8】 前記プラズマ・プロセス監視装置は、前
記プラズマ・プロセス装置に状態変化があった場合に、
前記プラズマ・プロセス装置を制御することを特徴とす
る請求項1乃至請求項7のいずれかの項に記載のプラズ
マ・プロセス監視装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8307855A JP3070004B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | プラズマ・プロセス監視装置 |
US08/974,498 US6080292A (en) | 1996-11-19 | 1997-11-19 | Monitoring apparatus for plasma process |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8307855A JP3070004B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | プラズマ・プロセス監視装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10147866A JPH10147866A (ja) | 1998-06-02 |
JP3070004B2 true JP3070004B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=17973995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8307855A Expired - Lifetime JP3070004B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | プラズマ・プロセス監視装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6080292A (ja) |
JP (1) | JP3070004B2 (ja) |
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JP2000049216A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置および当該装置で用いられる静電チャック吸着方法 |
KR20050012804A (ko) * | 2002-06-19 | 2005-02-02 | 토소우 에스엠디, 인크 | 스퍼터 타겟 모니터링 시스템 |
US20050205415A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Belousov Igor V | Multi-component deposition |
US7305311B2 (en) * | 2005-04-22 | 2007-12-04 | Advanced Energy Industries, Inc. | Arc detection and handling in radio frequency power applications |
US8217299B2 (en) * | 2007-02-22 | 2012-07-10 | Advanced Energy Industries, Inc. | Arc recovery without over-voltage for plasma chamber power supplies using a shunt switch |
US8044594B2 (en) * | 2008-07-31 | 2011-10-25 | Advanced Energy Industries, Inc. | Power supply ignition system and method |
US8395078B2 (en) | 2008-12-05 | 2013-03-12 | Advanced Energy Industries, Inc | Arc recovery with over-voltage protection for plasma-chamber power supplies |
EP2790205B1 (en) | 2009-02-17 | 2018-04-04 | Solvix GmbH | A power supply device for plasma processing |
US8552665B2 (en) | 2010-08-20 | 2013-10-08 | Advanced Energy Industries, Inc. | Proactive arc management of a plasma load |
Family Cites Families (2)
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US5556549A (en) * | 1994-05-02 | 1996-09-17 | Lsi Logic Corporation | Power control and delivery in plasma processing equipment |
US5576629A (en) * | 1994-10-24 | 1996-11-19 | Fourth State Technology, Inc. | Plasma monitoring and control method and system |
-
1996
- 1996-11-19 JP JP8307855A patent/JP3070004B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-11-19 US US08/974,498 patent/US6080292A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10147866A (ja) | 1998-06-02 |
US6080292A (en) | 2000-06-27 |
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