JP3066963B1 - はんだバンプの成形方法及び成形装置 - Google Patents
はんだバンプの成形方法及び成形装置Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
【要約】
【課題】 調整作業をほとんど必要とすることなく、は
んだの種類を選ばないで、適切な大きさのバンプを形成
する。 【解決手段】 溶融はんだ１２を溜める容器１４と、パ
ッドを備えた平坦面２４との間で、溶融はんだが取り込
まれるチャンバー２６を形成する側壁部材２８と天井部
材３０とを備え、その側壁部材の外部にパッド上に付着
した溶融はんだの高さを規制する平坦な面から成る高さ
制御部３６を備える成形部材１６と、加熱手段１８と、
成形部材のチャンバーと容器との間に溶融はんだを通す
通路３２と、容器内の溶融はんだを加圧して通路から成
形部材のチャンバー内に入れるとともにそのチャンバー
内の溶融はんだを加圧する加圧手段と、容器内を減圧し
てチャンバー内の溶融はんだをその表面張力により通路
から容器内に戻す減圧手段とを含んではんだバンプの成
形装置１０を構成した。
んだの種類を選ばないで、適切な大きさのバンプを形成
する。 【解決手段】 溶融はんだ１２を溜める容器１４と、パ
ッドを備えた平坦面２４との間で、溶融はんだが取り込
まれるチャンバー２６を形成する側壁部材２８と天井部
材３０とを備え、その側壁部材の外部にパッド上に付着
した溶融はんだの高さを規制する平坦な面から成る高さ
制御部３６を備える成形部材１６と、加熱手段１８と、
成形部材のチャンバーと容器との間に溶融はんだを通す
通路３２と、容器内の溶融はんだを加圧して通路から成
形部材のチャンバー内に入れるとともにそのチャンバー
内の溶融はんだを加圧する加圧手段と、容器内を減圧し
てチャンバー内の溶融はんだをその表面張力により通路
から容器内に戻す減圧手段とを含んではんだバンプの成
形装置１０を構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明ははんだバンプの成形
方法及び成形装置に関し、より詳しくは微細なはんだバ
ンプを基板あるいはチップに適切な大きさで成形する方
法及び装置に関する。
方法及び成形装置に関し、より詳しくは微細なはんだバ
ンプを基板あるいはチップに適切な大きさで成形する方
法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細はんだバンプの形成は電子機器の部
品にとって非常に重要なテクノロジーであり、特に高密
度の基板、チップキャリア、半導体デバイスにはフリッ
プチップ実装を行う上で不可欠のものとなっている。そ
のため、業界においても様々な手段が考案、開発されて
おり、主なものとして、はんだめっき法、はんだ微粉接
着法がある。しかし、これらの方法は、大掛かりな装置
が必要なこと、バンプ密度に限界があること、はんだの
種類を選ぶこと、等の理由により、普及させるには制限
があった。
品にとって非常に重要なテクノロジーであり、特に高密
度の基板、チップキャリア、半導体デバイスにはフリッ
プチップ実装を行う上で不可欠のものとなっている。そ
のため、業界においても様々な手段が考案、開発されて
おり、主なものとして、はんだめっき法、はんだ微粉接
着法がある。しかし、これらの方法は、大掛かりな装置
が必要なこと、バンプ密度に限界があること、はんだの
種類を選ぶこと、等の理由により、普及させるには制限
があった。
【０００３】唯一、はんだの種類に対して制限が緩く、
高密度のバンプ形成ができる方法として、本出願人の特
許である”はんだインジェクション法”（米国特許第５
２３８１７６号、特公平６−６６３１４号）がある。こ
の方法は図１４に示すように、ターゲットとなる基板１
のパッド２と同じパターンの穴３を持つ金属マスク４を
準備し、その金属マスク４を底面に備えてチャンバー５
を形成する。そして、この金属マスク４上のチャンバー
５内に溶融はんだ６を溜めておく。このとき、溶融はん
だ６はその表面張力により金属マスク４の穴３を通して
落下することはない。次に、金属マスク４を基板１のパ
ッド２に合わせて位置決めした後、チャンバー５内にガ
スを送って溶融はんだ６を加圧して穴３から押し出す。
このとき、溶融はんだ６を金属マスク４の物理的寸法に
よって決められる量だけ基板１のパッド２上に置くこと
ができる。次いで、ガスの圧力を弱めることによって、
溶融はんだ６自身の表面張力と、溶融はんだ６とパッド
２との付着力で、金属マスク４内の溶融はんだ６と上部
のチャンバ−５内の溶融はんだ６とを分離し、均一なバ
ンプ７をパッド２上に成形する。
高密度のバンプ形成ができる方法として、本出願人の特
許である”はんだインジェクション法”（米国特許第５
２３８１７６号、特公平６−６６３１４号）がある。こ
の方法は図１４に示すように、ターゲットとなる基板１
のパッド２と同じパターンの穴３を持つ金属マスク４を
準備し、その金属マスク４を底面に備えてチャンバー５
を形成する。そして、この金属マスク４上のチャンバー
５内に溶融はんだ６を溜めておく。このとき、溶融はん
だ６はその表面張力により金属マスク４の穴３を通して
落下することはない。次に、金属マスク４を基板１のパ
ッド２に合わせて位置決めした後、チャンバー５内にガ
スを送って溶融はんだ６を加圧して穴３から押し出す。
このとき、溶融はんだ６を金属マスク４の物理的寸法に
よって決められる量だけ基板１のパッド２上に置くこと
ができる。次いで、ガスの圧力を弱めることによって、
溶融はんだ６自身の表面張力と、溶融はんだ６とパッド
２との付着力で、金属マスク４内の溶融はんだ６と上部
のチャンバ−５内の溶融はんだ６とを分離し、均一なバ
ンプ７をパッド２上に成形する。
【０００４】このはんだバンプの形成方法は、チップの
端子パターン毎に、その端子パターンに対応した微細穴
加工を施した金属マスクが必要であり、製造コストが高
くつく課題があった。また、端子パターンと微細穴加工
が施された金属マスクとの高度な位置決め精度が求めら
れ、その調整作業に時間を要し、生産性が悪いという課
題もあった。
端子パターン毎に、その端子パターンに対応した微細穴
加工を施した金属マスクが必要であり、製造コストが高
くつく課題があった。また、端子パターンと微細穴加工
が施された金属マスクとの高度な位置決め精度が求めら
れ、その調整作業に時間を要し、生産性が悪いという課
題もあった。
【０００５】ところで、はんだバンプの形成方法ではな
いが、物理的に適量のはんだをターゲットのパッドに塗
布する方法が知られている。最もシンプルな物理的塗布
方法として、パッド群の上に溶融はんだの滴を通過させ
るものである。この塗布方法は図１５に示すように、溶
融はんだの滴８自身の表面張力が大きいため、パッド２
上の溶融はんだ６が滴８に引っ張られて吸収されてしま
う。その結果、薄いはんだ６が膜として残るだけであ
り、バンプの成形に応用することはできない。この現象
は、はんだウェーブ法やはんだディップ法においても同
様であり、これらの方法をはんだバンプの形成に利用す
ることはできない。
いが、物理的に適量のはんだをターゲットのパッドに塗
布する方法が知られている。最もシンプルな物理的塗布
方法として、パッド群の上に溶融はんだの滴を通過させ
るものである。この塗布方法は図１５に示すように、溶
融はんだの滴８自身の表面張力が大きいため、パッド２
上の溶融はんだ６が滴８に引っ張られて吸収されてしま
う。その結果、薄いはんだ６が膜として残るだけであ
り、バンプの成形に応用することはできない。この現象
は、はんだウェーブ法やはんだディップ法においても同
様であり、これらの方法をはんだバンプの形成に利用す
ることはできない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、バン
プを形成するパッドの密度やパターンにかかわらず、調
整作業をほとんど必要とすることなく、適切な大きさの
バンプを形成することにある。
プを形成するパッドの密度やパターンにかかわらず、調
整作業をほとんど必要とすることなく、適切な大きさの
バンプを形成することにある。
【０００７】また、本発明の他の目的は、はんだの種類
を選ばないで、バンプを形成することにある。
を選ばないで、バンプを形成することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者は上述
の目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、本発明
に至ったのである。本発明に係るはんだバンプの成形方
法の要旨とするところは、パッドを備えた平坦面に対し
て溶融はんだが入れられた枠を相対的に平行移動させ、
該溶融はんだをパッドに付着させるステップと、該パッ
ドに付着させられた溶融はんだを枠の一端により１方向
に移動させ、該溶融はんだとパッドとの付着力と溶融は
んだの表面張力とによって、パッド上の溶融はんだと枠
内の溶融はんだとを分離するステップとを含み、さら
に、枠の一部に形成された溶融はんだの高さを規制する
高さ制御部とパッドとの間に溶融はんだを加圧して充填
するステップを含むことにある。
の目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、本発明
に至ったのである。本発明に係るはんだバンプの成形方
法の要旨とするところは、パッドを備えた平坦面に対し
て溶融はんだが入れられた枠を相対的に平行移動させ、
該溶融はんだをパッドに付着させるステップと、該パッ
ドに付着させられた溶融はんだを枠の一端により１方向
に移動させ、該溶融はんだとパッドとの付着力と溶融は
んだの表面張力とによって、パッド上の溶融はんだと枠
内の溶融はんだとを分離するステップとを含み、さら
に、枠の一部に形成された溶融はんだの高さを規制する
高さ制御部とパッドとの間に溶融はんだを加圧して充填
するステップを含むことにある。
【０００９】また、本発明に係るはんだバンプの成形装
置の要旨とするところは、パッドを備えた平坦面との間
で、溶融はんだが取り込まれるチャンバーを形成する側
壁部材と天井部材とを備える成形部材を含むことにあ
り、さらに、溶融はんだを溜める容器と、前記成形部材
のチャンバーと容器との間に溶融はんだを通す通路と、
前記容器内の溶融はんだを加圧して通路から成形部材の
チャンバー内に入れる加圧手段と、前記加圧された容器
内を大気圧に開放又は大気圧以下に減圧してチャンバー
内の溶融はんだを前記通路から容器内に戻す減圧手段と
を含み、さらに、成形部材を構成する側壁部材の外部
に、パッド上に付着した溶融はんだの高さを規制する平
坦な面から成る高さ制御部を含むことにある。
置の要旨とするところは、パッドを備えた平坦面との間
で、溶融はんだが取り込まれるチャンバーを形成する側
壁部材と天井部材とを備える成形部材を含むことにあ
り、さらに、溶融はんだを溜める容器と、前記成形部材
のチャンバーと容器との間に溶融はんだを通す通路と、
前記容器内の溶融はんだを加圧して通路から成形部材の
チャンバー内に入れる加圧手段と、前記加圧された容器
内を大気圧に開放又は大気圧以下に減圧してチャンバー
内の溶融はんだを前記通路から容器内に戻す減圧手段と
を含み、さらに、成形部材を構成する側壁部材の外部
に、パッド上に付着した溶融はんだの高さを規制する平
坦な面から成る高さ制御部を含むことにある。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係るはんだバンプ
の成形方法及び成形装置の実施の形態を図面に基づいて
詳しく説明する。
の成形方法及び成形装置の実施の形態を図面に基づいて
詳しく説明する。
【００１１】図１に示すように、本実施形態に係るはん
だバンプの成形装置１０は、溶融させられたはんだ１２
を貯めておく密閉構造の容器１４と、はんだバンプを成
形するための成形部材１６を備えて構成されている。そ
して、容器１４には、１又は複数のヒーター１８が適宜
箇所に配設されていて、更に容器１４内にガスを給排気
するためのパイプ２０が容器１４の上部に配設されてい
る。
だバンプの成形装置１０は、溶融させられたはんだ１２
を貯めておく密閉構造の容器１４と、はんだバンプを成
形するための成形部材１６を備えて構成されている。そ
して、容器１４には、１又は複数のヒーター１８が適宜
箇所に配設されていて、更に容器１４内にガスを給排気
するためのパイプ２０が容器１４の上部に配設されてい
る。
【００１２】容器１４はアルミニウムなどの溶融はんだ
の加熱温度に対して耐える金属などの耐熱性材料であれ
ばよく、特に限定されない。また、容器１４は、溶融は
んだ１２の温度をほぼ一定に保つために、たとえば二重
構造にするなどによって、断熱仕様とするのが好まし
い。ヒーター１８は、固体のはんだを加熱して溶融させ
たり、あるいは溶融させられたはんだを適切な温度に維
持するために配設されている。したがって、容器１４内
などに温度センサーを配設し、そのセンサーによりヒー
ター１８を制御するのが好ましい。ヒーター１８はシー
ズヒーターなど電気抵抗によるヒーターや、誘電加熱装
置など、各種の加熱装置を用いることができ、特に限定
されないが、温度制御が容易であるものが好ましい。ま
た、ヒーター１８は図示するように、容器１４を構成す
る構造体の中に埋設して、溶融はんだ１２を間接的に加
熱するようにしてもよいが、容器１４内の溶融はんだ１
２と直接接触する箇所に配設されていてもよい。さら
に、ヒーター１８を成形部材１６に配設し、成形部材１
６からの熱伝導により容器１４内のはんだを加熱するよ
うに構成することも可能である。
の加熱温度に対して耐える金属などの耐熱性材料であれ
ばよく、特に限定されない。また、容器１４は、溶融は
んだ１２の温度をほぼ一定に保つために、たとえば二重
構造にするなどによって、断熱仕様とするのが好まし
い。ヒーター１８は、固体のはんだを加熱して溶融させ
たり、あるいは溶融させられたはんだを適切な温度に維
持するために配設されている。したがって、容器１４内
などに温度センサーを配設し、そのセンサーによりヒー
ター１８を制御するのが好ましい。ヒーター１８はシー
ズヒーターなど電気抵抗によるヒーターや、誘電加熱装
置など、各種の加熱装置を用いることができ、特に限定
されないが、温度制御が容易であるものが好ましい。ま
た、ヒーター１８は図示するように、容器１４を構成す
る構造体の中に埋設して、溶融はんだ１２を間接的に加
熱するようにしてもよいが、容器１４内の溶融はんだ１
２と直接接触する箇所に配設されていてもよい。さら
に、ヒーター１８を成形部材１６に配設し、成形部材１
６からの熱伝導により容器１４内のはんだを加熱するよ
うに構成することも可能である。
【００１３】また、パイプ２０は後述するように、容器
１４内にガスを給気して、容器１４内の溶融はんだ１２
を加圧して押し出したり、あるいは容器１４内のガスを
排気したり又は大気に開放することにより、容器１４内
を減圧し又は大気圧にして、押し出された溶融はんだ１
２を吸引し又は表面張力により容器１４内に戻すために
配設されている。したがって、パイプ２０には図示しな
いガス圧送装置又は大気圧に切り換える弁が配設されて
いる。
１４内にガスを給気して、容器１４内の溶融はんだ１２
を加圧して押し出したり、あるいは容器１４内のガスを
排気したり又は大気に開放することにより、容器１４内
を減圧し又は大気圧にして、押し出された溶融はんだ１
２を吸引し又は表面張力により容器１４内に戻すために
配設されている。したがって、パイプ２０には図示しな
いガス圧送装置又は大気圧に切り換える弁が配設されて
いる。
【００１４】一方、成形部材１６は、図２及び図３に拡
大して示すように、容器１４の底面に取り付けられ、パ
ッド２２の形成された基板２４に対峙させられてチャン
バー２６を形成する側壁部材２８と天井部材３０から構
成されている。天井部材３０は容器１４の底面を塞ぐと
ともにチャンバー２６を構成する一部を成している。こ
の天井部材３０には１又は複数の孔３２が形成されてい
て、上述したように、その孔３２を通して溶融はんだ１
２が容器１４とチャンバー２６との間を出入りするよう
にされている。孔３２の大きさは、容器１４内の溶融は
んだ１２がその表面張力に抗して自重などの内圧によっ
て孔３２から押し出されない寸法に設定されている。
大して示すように、容器１４の底面に取り付けられ、パ
ッド２２の形成された基板２４に対峙させられてチャン
バー２６を形成する側壁部材２８と天井部材３０から構
成されている。天井部材３０は容器１４の底面を塞ぐと
ともにチャンバー２６を構成する一部を成している。こ
の天井部材３０には１又は複数の孔３２が形成されてい
て、上述したように、その孔３２を通して溶融はんだ１
２が容器１４とチャンバー２６との間を出入りするよう
にされている。孔３２の大きさは、容器１４内の溶融は
んだ１２がその表面張力に抗して自重などの内圧によっ
て孔３２から押し出されない寸法に設定されている。
【００１５】また、側壁部材２８は溶融はんだ１２を基
板２４との間でチャンバー２６内に閉じ込めるためのも
のであり、枠を形成している。側壁部材２８と基板２４
との隙間は溶融はんだ１２の表面張力によって、その隙
間から溶融はんだ１２が流れ出ない寸法に設定される。
したがって、側壁部材２８と基板２４との間に隙間があ
るため、基板２４表面にパッド２２やリードなどの突起
物が出ていても、その突起物と側壁部材２８とが接触す
ることはほとんどない。さらに、側壁部材２８によって
形成されるチャンバー２６の大きさは、基板２４上の複
数のパッド２２群を同時に覆うことができる寸法である
のが好ましい。また、側壁部材２８の高さは、チャンバ
−２６内の溶融はんだ１２が表面張力によって丸くなろ
うと作用することにより、溶融はんだ１２が孔３２を通
って容器１４内に戻ることができる寸法に設定される。
あるいは、側壁部材２８の高さは、溶融はんだ１２が天
井部材３０の孔３２から吸引されて容器１４内に引き込
まれるとき、表面張力に抗して溶融はんだ１２の自重に
より分断させられることがない寸法にされる。
板２４との間でチャンバー２６内に閉じ込めるためのも
のであり、枠を形成している。側壁部材２８と基板２４
との隙間は溶融はんだ１２の表面張力によって、その隙
間から溶融はんだ１２が流れ出ない寸法に設定される。
したがって、側壁部材２８と基板２４との間に隙間があ
るため、基板２４表面にパッド２２やリードなどの突起
物が出ていても、その突起物と側壁部材２８とが接触す
ることはほとんどない。さらに、側壁部材２８によって
形成されるチャンバー２６の大きさは、基板２４上の複
数のパッド２２群を同時に覆うことができる寸法である
のが好ましい。また、側壁部材２８の高さは、チャンバ
−２６内の溶融はんだ１２が表面張力によって丸くなろ
うと作用することにより、溶融はんだ１２が孔３２を通
って容器１４内に戻ることができる寸法に設定される。
あるいは、側壁部材２８の高さは、溶融はんだ１２が天
井部材３０の孔３２から吸引されて容器１４内に引き込
まれるとき、表面張力に抗して溶融はんだ１２の自重に
より分断させられることがない寸法にされる。
【００１６】側壁部材２８の１側面は幅を小さく形成し
て、ナイフ状のつば３４とされていて、つば３４の外側
には平坦な高さ制御部３６が形成されている。つば３４
を除く側壁部材２８が位置する箇所の基板２４にはパッ
ド２２がなく、その基板２４は溶融はんだ１２に濡れな
い。しかも、つば３４を除く側壁部材２８の幅は、溶融
はんだ１２を内部から加圧しても側壁部材２８の端面と
基板２４との隙間から溶融はんだ１２が容易に漏れでな
い寸法に設定され、且つその側壁部材２８と基板２４と
の隙間は、表面張力により溶融はんだ１２を内部から加
圧しても漏れでない寸法に位置決めされる。
て、ナイフ状のつば３４とされていて、つば３４の外側
には平坦な高さ制御部３６が形成されている。つば３４
を除く側壁部材２８が位置する箇所の基板２４にはパッ
ド２２がなく、その基板２４は溶融はんだ１２に濡れな
い。しかも、つば３４を除く側壁部材２８の幅は、溶融
はんだ１２を内部から加圧しても側壁部材２８の端面と
基板２４との隙間から溶融はんだ１２が容易に漏れでな
い寸法に設定され、且つその側壁部材２８と基板２４と
の隙間は、表面張力により溶融はんだ１２を内部から加
圧しても漏れでない寸法に位置決めされる。
【００１７】一方、つば３４の箇所は、加圧された溶融
はんだ１２の内圧によって、溶融はんだ１２が外へ出易
くなっている。しかも、パッド２２に対してつば３４が
移動させられるため、パッド２２に付着させられた溶融
はんだ１２がその付着力によって引っ張られることにな
り、つば３４の外部の高さ制御部３６に溶融はんだ１２
が溜まることになる。そして、溶融はんだ１２が加圧さ
れていることにより、パッド２２と高さ制御部３６とに
挟まれた箇所に、溶融はんだ１２が樽型に充満させられ
る。なお、パッド２２以外の基板２４の箇所には溶融は
んだ１２が付着させられないため、表面張力が作用し
て、つば３４の外部の高さ制御部３６に溶融はんだ１２
が溜まることはない。
はんだ１２の内圧によって、溶融はんだ１２が外へ出易
くなっている。しかも、パッド２２に対してつば３４が
移動させられるため、パッド２２に付着させられた溶融
はんだ１２がその付着力によって引っ張られることにな
り、つば３４の外部の高さ制御部３６に溶融はんだ１２
が溜まることになる。そして、溶融はんだ１２が加圧さ
れていることにより、パッド２２と高さ制御部３６とに
挟まれた箇所に、溶融はんだ１２が樽型に充満させられ
る。なお、パッド２２以外の基板２４の箇所には溶融は
んだ１２が付着させられないため、表面張力が作用し
て、つば３４の外部の高さ制御部３６に溶融はんだ１２
が溜まることはない。
【００１８】高さ制御部３６はパッド２２の上に付着さ
せられた溶融はんだ１２の高さを規制するものであり、
これによってパッド２２上のはんだバンプの大きさ、す
なわちはんだの量を制御することができる。このはんだ
高さ制御部３６とターゲットの基板２４までの隙間は、
つば３４（側壁部材２８）と基板２４までの隙間よりも
大きく形成されている。また、この高さ制御部３６の長
さは、パッド２２のピッチよりも長く形成されているの
が好ましい。これは、１つ目のパッド２２の上にバンプ
となる溶融はんだ１２を切り離して、２つ目のパッド２
２の上の溶融はんだ１２と完全に分離する必要があり、
このとき、１つ目のパッド２２上のバンプとなる溶融は
んだ１２が高さ制御部３６で保護されているのが好まし
いからである。
せられた溶融はんだ１２の高さを規制するものであり、
これによってパッド２２上のはんだバンプの大きさ、す
なわちはんだの量を制御することができる。このはんだ
高さ制御部３６とターゲットの基板２４までの隙間は、
つば３４（側壁部材２８）と基板２４までの隙間よりも
大きく形成されている。また、この高さ制御部３６の長
さは、パッド２２のピッチよりも長く形成されているの
が好ましい。これは、１つ目のパッド２２の上にバンプ
となる溶融はんだ１２を切り離して、２つ目のパッド２
２の上の溶融はんだ１２と完全に分離する必要があり、
このとき、１つ目のパッド２２上のバンプとなる溶融は
んだ１２が高さ制御部３６で保護されているのが好まし
いからである。
【００１９】なお、成形部材１６は溶融はんだ１２が被
着しない材料で形成されるか、あるいは表面に剥離処理
が施されているのが好ましい。また、成形部材１６は、
溶融はんだ１２を冷却させないように、溶融はんだ１２
と同じ温度にされているのが好ましい。パッド２２と高
さ制御部３６で挟まれた箇所などで、溶融はんだ１２を
固化させないためである。
着しない材料で形成されるか、あるいは表面に剥離処理
が施されているのが好ましい。また、成形部材１６は、
溶融はんだ１２を冷却させないように、溶融はんだ１２
と同じ温度にされているのが好ましい。パッド２２と高
さ制御部３６で挟まれた箇所などで、溶融はんだ１２を
固化させないためである。
【００２０】以上の成形部材１６と容器１４が一体的に
組み込まれた成形装置１０は、たとえば図４に示すよう
に、支持部材３８に支持され、図示しない移動手段によ
って基板２４に対して平行に移動させられるように構成
されている。支持部材３８はパッド２２が形成された基
板２４に対して平行を成す面４０を備え、たとえばロボ
ットアームなどの作動で、基板２４の所定の位置で、且
つ基板に対し所定の高さに配置される。一方、容器１４
の上部には支持部材３８の面４０を転動させられるロー
ラ４２が設けられていて、ローラ４２を支持部材３８の
面４０に置いたとき、基板２４の表面と成形部材１６の
下端面との隙間が所定の隙間になるようにされる。そし
て、移動手段によってローラ４２を支持部材３８の面４
０に沿って転動させて、成形装置１０を基板２４に対し
て平行移動させる。このとき、容器１４から溶融はんだ
１２を成形部材１６のチャンバー２６内に押し出すこと
により、基板２４上のパッド２２にはんだバンプ４４を
成形することができる。
組み込まれた成形装置１０は、たとえば図４に示すよう
に、支持部材３８に支持され、図示しない移動手段によ
って基板２４に対して平行に移動させられるように構成
されている。支持部材３８はパッド２２が形成された基
板２４に対して平行を成す面４０を備え、たとえばロボ
ットアームなどの作動で、基板２４の所定の位置で、且
つ基板に対し所定の高さに配置される。一方、容器１４
の上部には支持部材３８の面４０を転動させられるロー
ラ４２が設けられていて、ローラ４２を支持部材３８の
面４０に置いたとき、基板２４の表面と成形部材１６の
下端面との隙間が所定の隙間になるようにされる。そし
て、移動手段によってローラ４２を支持部材３８の面４
０に沿って転動させて、成形装置１０を基板２４に対し
て平行移動させる。このとき、容器１４から溶融はんだ
１２を成形部材１６のチャンバー２６内に押し出すこと
により、基板２４上のパッド２２にはんだバンプ４４を
成形することができる。
【００２１】ここで次に、この成形装置１０の作動をよ
り詳しく説明する。まず図５（ａ）に示すように、容器
１４の中にはんだを入れ、ヒーター１８により加熱して
はんだを溶融させる。このとき、溶融はんだ１２は容器
１４の底の孔３２から表面張力によって出ることはな
い。次に、図示しない加圧手段によりパイプ２０を通し
てガスを容器１４の中に供給し、同図（ｂ）に示すよう
に、溶融はんだ１２を加圧して孔３２からチャンバー２
６内に押し出す。このとき、溶融はんだ１２を加圧する
圧力は、つば３４を含む側壁部材２８と基板２４との隙
間から溶融はんだ１２が漏れでない値に設定される。こ
の加圧力は、側壁部材２８と基板２４との隙間が小さく
されているため、比較的大きな値とすることができる。
り詳しく説明する。まず図５（ａ）に示すように、容器
１４の中にはんだを入れ、ヒーター１８により加熱して
はんだを溶融させる。このとき、溶融はんだ１２は容器
１４の底の孔３２から表面張力によって出ることはな
い。次に、図示しない加圧手段によりパイプ２０を通し
てガスを容器１４の中に供給し、同図（ｂ）に示すよう
に、溶融はんだ１２を加圧して孔３２からチャンバー２
６内に押し出す。このとき、溶融はんだ１２を加圧する
圧力は、つば３４を含む側壁部材２８と基板２４との隙
間から溶融はんだ１２が漏れでない値に設定される。こ
の加圧力は、側壁部材２８と基板２４との隙間が小さく
されているため、比較的大きな値とすることができる。
【００２２】次いで、フラックスを塗布した基板２４上
のパッド２２群の上を、チャンバー２６内に溶融はんだ
１２が充満させられた状態で、チャンバー２６を移動さ
せる。すると、同図（ｃ）に示すように、チャンバー２
６内で溶融はんだ１２とパッド２２は接触して、パッド
２２群は溶融はんだ１２と濡れて付着する。さらに、同
図（ｄ）に示すように、チャンバー２６を移動させる
と、パッド２２は端からつば３４の外に出る。このと
き、濡れたパッド２２上の溶融はんだ１２とチャンバー
２６内の溶融はんだ１２は表面張力によって容易に切れ
ることはなく、一時的につながった状態を持つ。
のパッド２２群の上を、チャンバー２６内に溶融はんだ
１２が充満させられた状態で、チャンバー２６を移動さ
せる。すると、同図（ｃ）に示すように、チャンバー２
６内で溶融はんだ１２とパッド２２は接触して、パッド
２２群は溶融はんだ１２と濡れて付着する。さらに、同
図（ｄ）に示すように、チャンバー２６を移動させる
と、パッド２２は端からつば３４の外に出る。このと
き、濡れたパッド２２上の溶融はんだ１２とチャンバー
２６内の溶融はんだ１２は表面張力によって容易に切れ
ることはなく、一時的につながった状態を持つ。
【００２３】更に図６を用いて詳しく説明すると、同図
（ａ）に示すように、チャンバー２６内に入ったパッド
２２は溶融はんだ１２と接触して濡れ、パッド２２と溶
融はんだ１２との間に付着力が生じる。一方、パッド２
２を除く基板２４面と溶融はんだ１２とは濡れた状態に
ならないため、両者の間に付着力は生じない。なお、つ
ば３４及び側壁部材２８と基板２４との間には隙間が存
在するが、溶融はんだ１２の表面張力によって外部に流
れ出ることはない。
（ａ）に示すように、チャンバー２６内に入ったパッド
２２は溶融はんだ１２と接触して濡れ、パッド２２と溶
融はんだ１２との間に付着力が生じる。一方、パッド２
２を除く基板２４面と溶融はんだ１２とは濡れた状態に
ならないため、両者の間に付着力は生じない。なお、つ
ば３４及び側壁部材２８と基板２４との間には隙間が存
在するが、溶融はんだ１２の表面張力によって外部に流
れ出ることはない。
【００２４】次に、同図（ｂ）に示すように、チャンバ
ー２６と基板２４とが相対的に移動し、パッド２２がつ
ば３４から外に出る。このとき、つば３４と溶融はんだ
１２との間には付着力が作用し、溶融はんだ１２自身に
は表面張力が作用しているため、パッド２２上の溶融は
んだ１２はパッド２２とともにつば３４から外に出るこ
とになる。そして、つば３４の外に出た溶融はんだ１２
は、チャンバー２６内の加圧力によって高さ制御部３６
の上にまで充満し、表面張力と加圧力とが釣り合った状
態で安定する。一方、パッド２２を除く基板２４面と溶
融はんだ１２との間には付着力が作用していないため、
基板２４面の上は表面張力によってつば３４から外に溶
融はんだ１２が出ることはない。
ー２６と基板２４とが相対的に移動し、パッド２２がつ
ば３４から外に出る。このとき、つば３４と溶融はんだ
１２との間には付着力が作用し、溶融はんだ１２自身に
は表面張力が作用しているため、パッド２２上の溶融は
んだ１２はパッド２２とともにつば３４から外に出るこ
とになる。そして、つば３４の外に出た溶融はんだ１２
は、チャンバー２６内の加圧力によって高さ制御部３６
の上にまで充満し、表面張力と加圧力とが釣り合った状
態で安定する。一方、パッド２２を除く基板２４面と溶
融はんだ１２との間には付着力が作用していないため、
基板２４面の上は表面張力によってつば３４から外に溶
融はんだ１２が出ることはない。
【００２５】さらに、同図（ｃ）に示すように、チャン
バー２６と基板２４とが相対的に移動すると、高さ制御
部３６の下にあるパッド２２上の溶融はんだ１２は最も
安定した形状である樽型になろうとする表面張力が作用
する。また、つば３４の先端とその直下の基板２４との
間にも、表面張力が作用する。その結果、双方の表面張
力の作用によって、溶融はんだ１２に濡れていない箇所
から空洞４５が成長してくる。そして遂には、同図
（ｄ）に示すように、高さ制御部３６の下のパッド２２
上の溶融はんだ１２と、チャンバー２６内の溶融はんだ
１２とは分離することになる。
バー２６と基板２４とが相対的に移動すると、高さ制御
部３６の下にあるパッド２２上の溶融はんだ１２は最も
安定した形状である樽型になろうとする表面張力が作用
する。また、つば３４の先端とその直下の基板２４との
間にも、表面張力が作用する。その結果、双方の表面張
力の作用によって、溶融はんだ１２に濡れていない箇所
から空洞４５が成長してくる。そして遂には、同図
（ｄ）に示すように、高さ制御部３６の下のパッド２２
上の溶融はんだ１２と、チャンバー２６内の溶融はんだ
１２とは分離することになる。
【００２６】このような作動により図７（ａ）に示すよ
うに、高さ制御部３６の下のパッド２２上に、溶融はん
だ１２が独立した存在で形成される。次いで、同図
（ｂ）に示すように、さらにチャンバー２６と基板２４
とが相対的に移動すると、次のパッド２２の上にも同様
にして独立した溶融はんだ１２が形成される。また、高
さ制御部３６から外に出たパッド２２上の溶融はんだ１
２は、外力から開放されるため、表面張力によって球状
になり、自然冷却されて、球状のバンプ４４が成形され
る。この作動は安定した条件下で行われるため、ほぼ同
一の溶融はんだ１２の量がパッド２２の上に付着・成形
されることになる。
うに、高さ制御部３６の下のパッド２２上に、溶融はん
だ１２が独立した存在で形成される。次いで、同図
（ｂ）に示すように、さらにチャンバー２６と基板２４
とが相対的に移動すると、次のパッド２２の上にも同様
にして独立した溶融はんだ１２が形成される。また、高
さ制御部３６から外に出たパッド２２上の溶融はんだ１
２は、外力から開放されるため、表面張力によって球状
になり、自然冷却されて、球状のバンプ４４が成形され
る。この作動は安定した条件下で行われるため、ほぼ同
一の溶融はんだ１２の量がパッド２２の上に付着・成形
されることになる。
【００２７】ターゲットとする基板２４上のパッド２２
群にバンプ４４を成形し終わった後、同図（ｃ）に示す
ように、容器１４内を大気に開放し、その圧力を大気圧
にすると、チャンバー２６内の溶融はんだ１２は自身の
表面張力によって孔３２を通って容器１４内に戻る。以
上の一連の操作を繰り返して行うことにより、ほぼ同じ
形状で、ほぼ同じはんだ量のバンプ４４をパッド２２の
上に成形することができる。
群にバンプ４４を成形し終わった後、同図（ｃ）に示す
ように、容器１４内を大気に開放し、その圧力を大気圧
にすると、チャンバー２６内の溶融はんだ１２は自身の
表面張力によって孔３２を通って容器１４内に戻る。以
上の一連の操作を繰り返して行うことにより、ほぼ同じ
形状で、ほぼ同じはんだ量のバンプ４４をパッド２２の
上に成形することができる。
【００２８】このはんだバンプの成形装置及び成形方法
において、パッドのパターンやパッドの密度、形状など
が成形作業に影響を与えることはなく、複数のパッドに
同時に且つ連続的に、はんだバンプを成形することがで
きる。したがって、マスクやグラスマスターを必要とせ
ず、装置側に微細加工は必要がない。しかも、容器内の
溶融はんだに加えられる圧力と、成形部材と基板との隙
間とは、相互に関係するが、表面張力に伴う圧力と隙間
の関係は後述するように、それらの値の変動に対して安
定しており、若干圧力が大きくなったとしてもそれによ
って隙間からはんだが漏れ出ることはない。したがっ
て、圧力や隙間の調整作業をほとんど必要とせず、平坦
なものであればターゲットの基板の種類を選ばない。さ
らに、上述から明らかな通り、はんだの種類を選ばず、
また、小さな装置でバンプ形成を実現できる。
において、パッドのパターンやパッドの密度、形状など
が成形作業に影響を与えることはなく、複数のパッドに
同時に且つ連続的に、はんだバンプを成形することがで
きる。したがって、マスクやグラスマスターを必要とせ
ず、装置側に微細加工は必要がない。しかも、容器内の
溶融はんだに加えられる圧力と、成形部材と基板との隙
間とは、相互に関係するが、表面張力に伴う圧力と隙間
の関係は後述するように、それらの値の変動に対して安
定しており、若干圧力が大きくなったとしてもそれによ
って隙間からはんだが漏れ出ることはない。したがっ
て、圧力や隙間の調整作業をほとんど必要とせず、平坦
なものであればターゲットの基板の種類を選ばない。さ
らに、上述から明らかな通り、はんだの種類を選ばず、
また、小さな装置でバンプ形成を実現できる。
【００２９】以上、本発明に係るはんだバンプの成形装
置と成形方法の１実施形態を説明したが、本発明は上述
の実施形態に限定されるものではない。
置と成形方法の１実施形態を説明したが、本発明は上述
の実施形態に限定されるものではない。
【００３０】たとえば図８に示すように、基板２４のパ
ッド２２周辺に、常法通りのソルダーレジスト４６を設
けておくのが好ましい。ソルダーレジスト４６ははんだ
１２によって濡れるのを防ぐものである。したがって、
ソルダーレジスト４６がパッド２２とパッド２２の間に
設けられていると、同図（ｃ）及び（ｄ）に示すよう
に、高さ制御部３６の下にあるパッド２２上の溶融はん
だ１２と、チャンバー２６内の溶融はんだ１２とをつば
３４の先端で表面張力により分離する作用が確実になさ
れ、パッド２２間がはんだ１２でつながることがなくな
る。
ッド２２周辺に、常法通りのソルダーレジスト４６を設
けておくのが好ましい。ソルダーレジスト４６ははんだ
１２によって濡れるのを防ぐものである。したがって、
ソルダーレジスト４６がパッド２２とパッド２２の間に
設けられていると、同図（ｃ）及び（ｄ）に示すよう
に、高さ制御部３６の下にあるパッド２２上の溶融はん
だ１２と、チャンバー２６内の溶融はんだ１２とをつば
３４の先端で表面張力により分離する作用が確実になさ
れ、パッド２２間がはんだ１２でつながることがなくな
る。
【００３１】ソルダーレジスト４６の高さがパッド２２
の高さよりも高いのが、溶融はんだ１２を分離する作用
を確実なものとする上でより好ましい。しかし、基板２
４が溶融はんだ１２に濡れない材料で構成されている
か、あるいは基板２４上の特にパッド２２部の周囲が溶
融はんだ１２に濡れないように処理されていれば、ソル
ダーレジスト４６を設ける必要はない。
の高さよりも高いのが、溶融はんだ１２を分離する作用
を確実なものとする上でより好ましい。しかし、基板２
４が溶融はんだ１２に濡れない材料で構成されている
か、あるいは基板２４上の特にパッド２２部の周囲が溶
融はんだ１２に濡れないように処理されていれば、ソル
ダーレジスト４６を設ける必要はない。
【００３２】上述の実施形態では側壁部材２８の一部を
つば３４とし、そのつば３４の外に高さ制御部３６を設
けていたが、次に図９に示すように、側壁部材４８が高
さ制御部を兼ねた構造とすることも可能である。すなわ
ち、側壁部材４８を基板２４から所定の高さのところに
配置し、側壁部材４８から成る成形部材５０と基板２４
とを相対的に平行に移動させるのである。この実施形態
においても、前述の実施形態と同様に、側壁部材４８の
下端面の高さ制御部５２にパッド２２が移動してきたと
き、そのパッド２２に付着している溶融はんだ１２も高
さ制御部５２の下に潜り込んでくる。そして、チャンバ
ー２６内の溶融はんだ１２は加圧されているため、高さ
制御部５２の下の溶融はんだ１２はその高さ制御部５２
の高さまで膨出し、樽状になって安定する（同図
（ｂ））。
つば３４とし、そのつば３４の外に高さ制御部３６を設
けていたが、次に図９に示すように、側壁部材４８が高
さ制御部を兼ねた構造とすることも可能である。すなわ
ち、側壁部材４８を基板２４から所定の高さのところに
配置し、側壁部材４８から成る成形部材５０と基板２４
とを相対的に平行に移動させるのである。この実施形態
においても、前述の実施形態と同様に、側壁部材４８の
下端面の高さ制御部５２にパッド２２が移動してきたと
き、そのパッド２２に付着している溶融はんだ１２も高
さ制御部５２の下に潜り込んでくる。そして、チャンバ
ー２６内の溶融はんだ１２は加圧されているため、高さ
制御部５２の下の溶融はんだ１２はその高さ制御部５２
の高さまで膨出し、樽状になって安定する（同図
（ｂ））。
【００３３】次いで、同図（ｃ）に示すように、さらに
成形部材５０と基板２４とが相対的に移動すると、基板
２４上の濡れていない箇所すなわち付着力の作用しない
箇所で、溶融はんだ１２の表面張力によって基板２４面
から空洞が成長する。そして、同図（ｄ）に示すよう
に、側壁部材４８の高さ制御部５２の下のパッド２２上
に樽状の溶融はんだ１２が形成される。さらに、その溶
融はんだ１２が高さ制御部５２の外に出ると、パッド２
２上にほぼ球状のバンプが成形される。
成形部材５０と基板２４とが相対的に移動すると、基板
２４上の濡れていない箇所すなわち付着力の作用しない
箇所で、溶融はんだ１２の表面張力によって基板２４面
から空洞が成長する。そして、同図（ｄ）に示すよう
に、側壁部材４８の高さ制御部５２の下のパッド２２上
に樽状の溶融はんだ１２が形成される。さらに、その溶
融はんだ１２が高さ制御部５２の外に出ると、パッド２
２上にほぼ球状のバンプが成形される。
【００３４】このように側壁部材４８にナイフ状のつば
が下方向に突出した状態で設けられている必要は必ずし
もない。但し、溶融はんだの表面張力の大きさにもよる
が、高さ制御部５２の下にある溶融はんだ１２とチャン
バー２６内の溶融はんだ１２とを分離する作用が低下す
ることがある。
が下方向に突出した状態で設けられている必要は必ずし
もない。但し、溶融はんだの表面張力の大きさにもよる
が、高さ制御部５２の下にある溶融はんだ１２とチャン
バー２６内の溶融はんだ１２とを分離する作用が低下す
ることがある。
【００３５】また、成形部材５０を構成する側壁部材４
８が全て高さ制御部５２と同じ高さで形成されている
と、相対的に移動させられる移動方向と平行を成す側壁
部材４８の下から、溶融はんだ１２が漏れ出る可能性が
ある。このような場合は、図１０に示すように、バンプ
を成形する側壁部材４８に対して、その他の側壁部材５
４の下端面を基板２４側に長く形成するのが好ましい。
８が全て高さ制御部５２と同じ高さで形成されている
と、相対的に移動させられる移動方向と平行を成す側壁
部材４８の下から、溶融はんだ１２が漏れ出る可能性が
ある。このような場合は、図１０に示すように、バンプ
を成形する側壁部材４８に対して、その他の側壁部材５
４の下端面を基板２４側に長く形成するのが好ましい。
【００３６】次に、図１１に示すように、チャンバー２
６に溶融はんだ１２を供給し、またチャンバー２６内の
溶融はんだ１２を排出する容器５６は複数に分割されて
いてもよい。すなわち、チャンバー２６に溶融はんだ１
２を供給するための孔３２が複数ある場合、その孔３２
に対応させて容器５６を設けるのも好ましい。容器５６
を分割して、個別に溶融はんだ１２の供給・排出を制御
することができる。また、容器５６を分割するのに対応
して、チャンバー２６を分割することも可能である。
６に溶融はんだ１２を供給し、またチャンバー２６内の
溶融はんだ１２を排出する容器５６は複数に分割されて
いてもよい。すなわち、チャンバー２６に溶融はんだ１
２を供給するための孔３２が複数ある場合、その孔３２
に対応させて容器５６を設けるのも好ましい。容器５６
を分割して、個別に溶融はんだ１２の供給・排出を制御
することができる。また、容器５６を分割するのに対応
して、チャンバー２６を分割することも可能である。
【００３７】さらに、同図（ａ）に示すように、成形部
材５８の高さ制御部６０にヒーター６２を内蔵させるこ
とも可能である。溶融はんだ１２などからの熱伝導によ
って高さ制御部６０などを保温するのも好ましいが、溶
融はんだ１２が高さ制御部６０で固化しないようにヒー
ター６２で加熱するもの好ましい。
材５８の高さ制御部６０にヒーター６２を内蔵させるこ
とも可能である。溶融はんだ１２などからの熱伝導によ
って高さ制御部６０などを保温するのも好ましいが、溶
融はんだ１２が高さ制御部６０で固化しないようにヒー
ター６２で加熱するもの好ましい。
【００３８】また、図示を省略するが、基板２４特には
んだバンプを成形するパッド２２部周辺を予備加熱する
のが好ましい。チャンバー２６内に溶融はんだ１２を充
填したとき、溶融はんだ１２の急激な温度降下を防ぐこ
とができる。予備加熱の方法は基板２４の裏面から余熱
する方法や、成形装置に基板表面、特にパッド部周辺を
加熱するヒーターを設ける方法などがあるが、いずれで
あってもよい。
んだバンプを成形するパッド２２部周辺を予備加熱する
のが好ましい。チャンバー２６内に溶融はんだ１２を充
填したとき、溶融はんだ１２の急激な温度降下を防ぐこ
とができる。予備加熱の方法は基板２４の裏面から余熱
する方法や、成形装置に基板表面、特にパッド部周辺を
加熱するヒーターを設ける方法などがあるが、いずれで
あってもよい。
【００３９】ところで、本発明の基本原理である溶融は
んだの表面張力は、その形状によって異なり、次のラプ
ラスの式によって与えられる値を持つ。 Ｐ＝Ｔ×(1/R1+1/R2) N/m2 Ｔ＝溶融はんだの表面張力 : 0.4 J/m2 （共晶はんだ） Ｐ＝圧力差（加圧力）
んだの表面張力は、その形状によって異なり、次のラプ
ラスの式によって与えられる値を持つ。 Ｐ＝Ｔ×(1/R1+1/R2) N/m2 Ｔ＝溶融はんだの表面張力 : 0.4 J/m2 （共晶はんだ） Ｐ＝圧力差（加圧力）
【００４０】この式によって樽型、半球型、スリット型
の各々の表面張力をグラフにしたのが図１２である。こ
のグラフから明らかなように、適切な加圧力であれば、
側壁部材と基板との間の隙間から溶融はんだが漏れるこ
とはない。さらに、高さ制御部とパッドとの間に樽状と
なるように溶融はんだを供給でき、また、溶融はんだを
樽状とすることにより、形状が安定することを示してい
る。
の各々の表面張力をグラフにしたのが図１２である。こ
のグラフから明らかなように、適切な加圧力であれば、
側壁部材と基板との間の隙間から溶融はんだが漏れるこ
とはない。さらに、高さ制御部とパッドとの間に樽状と
なるように溶融はんだを供給でき、また、溶融はんだを
樽状とすることにより、形状が安定することを示してい
る。
【００４１】ここで、溶融はんだの高さ制御部が設けら
れていない場合、図１３の各図に工程を示すように、一
応、はんだバンプを成形することが可能である。すなわ
ち、同図（ｂ）に示されるように、側壁部材の一部を成
すつば６４の外にパッド２２が移動したとき、パッド２
２に付着させられた溶融はんだ１２は何らの拘束も受け
ずに表面張力のみによって表面を成形することになる。
ところが、このパッド２２上の溶融はんだ１２はチャン
バー２６内の溶融はんだ１２とつながっており、チャン
バー２６内の溶融はんだ１２に加圧された加圧力は、溶
融はんだ１２の内部を伝わってパッド２２上の溶融はん
だ１２の表面張力に抗して内部から加圧する結果、パッ
ド２２上の溶融はんだ１２は半球状の形になる。
れていない場合、図１３の各図に工程を示すように、一
応、はんだバンプを成形することが可能である。すなわ
ち、同図（ｂ）に示されるように、側壁部材の一部を成
すつば６４の外にパッド２２が移動したとき、パッド２
２に付着させられた溶融はんだ１２は何らの拘束も受け
ずに表面張力のみによって表面を成形することになる。
ところが、このパッド２２上の溶融はんだ１２はチャン
バー２６内の溶融はんだ１２とつながっており、チャン
バー２６内の溶融はんだ１２に加圧された加圧力は、溶
融はんだ１２の内部を伝わってパッド２２上の溶融はん
だ１２の表面張力に抗して内部から加圧する結果、パッ
ド２２上の溶融はんだ１２は半球状の形になる。
【００４２】しかし、図１２から分かるように、半球状
の溶融はんだ１２が持つ最大表面張力は高さが半径と等
しい時であり、はんだの供給が過剰で、半径より高くな
った場合は、表面張力が小さくなり、この半球は破裂に
至ることになる。したがって、溶融はんだを加圧する加
圧力の最大値を充分低くおさえる必要があり、このこと
はバンプ高さを高くすることができないことを意味す
る。このように、高さ制御部がない場合も一応はんだバ
ンプを成形することができるが、成形が安定せず、生産
性が悪いものとなる。
の溶融はんだ１２が持つ最大表面張力は高さが半径と等
しい時であり、はんだの供給が過剰で、半径より高くな
った場合は、表面張力が小さくなり、この半球は破裂に
至ることになる。したがって、溶融はんだを加圧する加
圧力の最大値を充分低くおさえる必要があり、このこと
はバンプ高さを高くすることができないことを意味す
る。このように、高さ制御部がない場合も一応はんだバ
ンプを成形することができるが、成形が安定せず、生産
性が悪いものとなる。
【００４３】これに対して、図１などで説明したよう
に、高さ制御部３６をつば３４の外一辺に設けた場合、
つば３４の外にパッド２２が出るまでは上述と同様であ
るが、つば３４の外にでたとき、パッド２２の上に高さ
制御部があるため、半球状になることはできず樽状とな
る。ところが、図１２で読めるように、樽状のはんだが
持つ表面張力は、半球のそれに比べて数倍高く、ガスの
圧力を高めても樽状のはんだは破裂には至りにくい。こ
の状態で更にチャンバー２６が移動すると、樽状のはん
だは高さ制御部の外に出て、ここで余熱により半球状の
はんだとなる。このとき、このはんだバンプの高さは高
さ制御部と基板との間のすきまよりも高いものになる。
に、高さ制御部３６をつば３４の外一辺に設けた場合、
つば３４の外にパッド２２が出るまでは上述と同様であ
るが、つば３４の外にでたとき、パッド２２の上に高さ
制御部があるため、半球状になることはできず樽状とな
る。ところが、図１２で読めるように、樽状のはんだが
持つ表面張力は、半球のそれに比べて数倍高く、ガスの
圧力を高めても樽状のはんだは破裂には至りにくい。こ
の状態で更にチャンバー２６が移動すると、樽状のはん
だは高さ制御部の外に出て、ここで余熱により半球状の
はんだとなる。このとき、このはんだバンプの高さは高
さ制御部と基板との間のすきまよりも高いものになる。
【００４４】バンプの高さを制御するためには、次のパ
ラメーターを変化させることができる。すなわち、溶
融はんだの加圧力、つばとパッド（基板）との隙間、
高さ制御部とパッド（基板）との隙間である。これら
のうちで、の高さ制御部とパッド（基板）との隙間が
最も重要で、この隙間を変化させることにより、大きく
バンプの大きさを変えることができる。また、の溶融
はんだの加圧力が弱いと、バンプの高さにばらつきが発
生する可能性があるが、加圧力を強くするとバンプの大
きさが大きくなるが、加圧力を大きく変化させても、バ
ンプの大きさを大きく変えることはできない。
ラメーターを変化させることができる。すなわち、溶
融はんだの加圧力、つばとパッド（基板）との隙間、
高さ制御部とパッド（基板）との隙間である。これら
のうちで、の高さ制御部とパッド（基板）との隙間が
最も重要で、この隙間を変化させることにより、大きく
バンプの大きさを変えることができる。また、の溶融
はんだの加圧力が弱いと、バンプの高さにばらつきが発
生する可能性があるが、加圧力を強くするとバンプの大
きさが大きくなるが、加圧力を大きく変化させても、バ
ンプの大きさを大きく変えることはできない。
【００４５】以上、本発明のはんだバンプの成形装置と
その成形方法を種々説明したが、本発明は上述の図示し
た例示に限定されるものではない。
その成形方法を種々説明したが、本発明は上述の図示し
た例示に限定されるものではない。
【００４６】たとえば、容器内の溶融はんだを加圧し
て、チャンバ−内に押し出すのにあたり、空気その他の
ガスを容器の中に圧送し、逆に、チャンバ−内の溶融は
んだを容器内に戻すのに、容器内を減圧したりしていた
が、他の手段によって構成することも可能である。たと
えば、容器をシリンダ構造とし、ピストンを作動させて
溶融はんだを加圧／減圧させるようにすることも可能で
ある。
て、チャンバ−内に押し出すのにあたり、空気その他の
ガスを容器の中に圧送し、逆に、チャンバ−内の溶融は
んだを容器内に戻すのに、容器内を減圧したりしていた
が、他の手段によって構成することも可能である。たと
えば、容器をシリンダ構造とし、ピストンを作動させて
溶融はんだを加圧／減圧させるようにすることも可能で
ある。
【００４７】また、溶融はんだを溜める容器と、はんだ
バンプを成形する成形部材とは、一体的に構成されてい
てもよいが、両者の間を可撓性を備えたパイプなどで連
結することも可能である。このパイプ内には溶融はんだ
が通るため、パイプの内部又は表面に、ヒーターが配設
されているのが好ましい。
バンプを成形する成形部材とは、一体的に構成されてい
てもよいが、両者の間を可撓性を備えたパイプなどで連
結することも可能である。このパイプ内には溶融はんだ
が通るため、パイプの内部又は表面に、ヒーターが配設
されているのが好ましい。
【００４８】本発明の成形装置においては、少なくとも
枠構造の成形部材を備えていればよく、成形部材のチャ
ンバ−内に溶融はんだを出し入れする必要のない場合、
たとえば、フィルム状基板に連続してはんだバンプを形
成する処理を施すときなどには容器を必要としない。ま
た、特に連続処理を施す場合には、容器内を含め、適切
な箇所にはんだを適宜補充し得るように構成するのが好
ましい。
枠構造の成形部材を備えていればよく、成形部材のチャ
ンバ−内に溶融はんだを出し入れする必要のない場合、
たとえば、フィルム状基板に連続してはんだバンプを形
成する処理を施すときなどには容器を必要としない。ま
た、特に連続処理を施す場合には、容器内を含め、適切
な箇所にはんだを適宜補充し得るように構成するのが好
ましい。
【００４９】さらに、本発明のはんだバンプの成形装置
は、生産用装置としては少なくとも高さ制御部を含む成
形部材が均一な隙間を基板との間に持つような機構と、
成形部材と基板が相対的に平行に移動する機構から成る
ものであればなんでもよい。したがって、ロボットを用
いることも可能である。
は、生産用装置としては少なくとも高さ制御部を含む成
形部材が均一な隙間を基板との間に持つような機構と、
成形部材と基板が相対的に平行に移動する機構から成る
ものであればなんでもよい。したがって、ロボットを用
いることも可能である。
【００５０】上述の実施形態では基板を例にして説明し
たが、本発明は基板に限定されず、パッドが平坦な面に
形成されたものであればどのようなものでもよく、たと
えば、フリップチップ形式の電子部品のパッドにはんだ
バンプを成形する場合にも適用し得るものである。ま
た、平坦面とは若干の凹凸を含むものであり、たとえば
パッドや基板の裏面から突出するリードの先端部などが
凸に出ていてもよい。表面張力によって隙間を開けるこ
とができる成形部材とほぼ平坦を成す面との間隔は、凹
凸の範囲として許容し得るものである。
たが、本発明は基板に限定されず、パッドが平坦な面に
形成されたものであればどのようなものでもよく、たと
えば、フリップチップ形式の電子部品のパッドにはんだ
バンプを成形する場合にも適用し得るものである。ま
た、平坦面とは若干の凹凸を含むものであり、たとえば
パッドや基板の裏面から突出するリードの先端部などが
凸に出ていてもよい。表面張力によって隙間を開けるこ
とができる成形部材とほぼ平坦を成す面との間隔は、凹
凸の範囲として許容し得るものである。
【００５１】その他、はんだバンプの形状が大きいた
め、成形装置が大型になる場合には、成形部材のチャン
バー内の溶融はんだを容器に戻すために、真空ポンプな
どを用いて吸引することも可能である。また、パッドと
言う用語に限定解釈されるべきではなく、同様の機能を
奏する電気的接続部は全て含まれるものであるなど、本
発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で、当業者の知識に
基づき種々なる改良、修正、変形を加えた態様で実施し
得るものである。
め、成形装置が大型になる場合には、成形部材のチャン
バー内の溶融はんだを容器に戻すために、真空ポンプな
どを用いて吸引することも可能である。また、パッドと
言う用語に限定解釈されるべきではなく、同様の機能を
奏する電気的接続部は全て含まれるものであるなど、本
発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で、当業者の知識に
基づき種々なる改良、修正、変形を加えた態様で実施し
得るものである。
【００５２】
【実施例】共晶はんだを用いて、つばと基板とのすきま
を２５μｍ、高さ制御部と基板とのすきまを５５μｍと
し、ガス圧力を１５０gf／cm2 に設定した。そして、直
径１４０μｍ径のパッドに高さ６５μｍのバンプを安定
に設けることができた。また、はんだの樽型成形とチャ
ンバーからの分離は、高さ制御部で表面張力により高速
で行われるため、プロセス時間はフリップチップサイト
当たり５〜１０秒で行うことができた。
を２５μｍ、高さ制御部と基板とのすきまを５５μｍと
し、ガス圧力を１５０gf／cm2 に設定した。そして、直
径１４０μｍ径のパッドに高さ６５μｍのバンプを安定
に設けることができた。また、はんだの樽型成形とチャ
ンバーからの分離は、高さ制御部で表面張力により高速
で行われるため、プロセス時間はフリップチップサイト
当たり５〜１０秒で行うことができた。
【００５３】
【発明の効果】本発明に係るはんだバンプの成形装置及
び成形方法は、ターゲットとするパッド群の上を基板を
含めて、枠内の所定の範囲にわたって溶融はんだを流し
込んだ状態で移動させつつ、パッドの上にはんだバンプ
を成形するものである。したがって、この装置及び方法
は、端子パターンを選ばないため、マスクやグラスマス
ターを必要としない。また、パターン密度はターゲット
のパッドによって決まり、はんだバンプを成形する装置
側に微細加工は必要がない。しかも、はんだの種類を選
ばないため、はんだバンプを形成すべき基板や電子部品
に対応させて、適切なはんだを使用することができる。
び成形方法は、ターゲットとするパッド群の上を基板を
含めて、枠内の所定の範囲にわたって溶融はんだを流し
込んだ状態で移動させつつ、パッドの上にはんだバンプ
を成形するものである。したがって、この装置及び方法
は、端子パターンを選ばないため、マスクやグラスマス
ターを必要としない。また、パターン密度はターゲット
のパッドによって決まり、はんだバンプを成形する装置
側に微細加工は必要がない。しかも、はんだの種類を選
ばないため、はんだバンプを形成すべき基板や電子部品
に対応させて、適切なはんだを使用することができる。
【００５４】さらに、本発明装置及び方法は、はんだバ
ンプを形成すべき対象が平坦なものであれば、ターゲッ
トの基板や電子部品の種類を選ばない。またさらに、本
発明装置の構成が簡単であるため、小さな装置でバンプ
形成を実現することができる。さらに、パッドの大きさ
と、高さ制御部とパッドとの隙間を特に調整するだけ
で、必要とするはんだバンプの大きさを適宜設定するこ
とができる。
ンプを形成すべき対象が平坦なものであれば、ターゲッ
トの基板や電子部品の種類を選ばない。またさらに、本
発明装置の構成が簡単であるため、小さな装置でバンプ
形成を実現することができる。さらに、パッドの大きさ
と、高さ制御部とパッドとの隙間を特に調整するだけ
で、必要とするはんだバンプの大きさを適宜設定するこ
とができる。
【図１】本発明に係るはんだバンプの成形装置の１実施
形態を示す側面断面説明図である。
形態を示す側面断面説明図である。
【図２】図１に示す成形装置の要部拡大断面説明図であ
る。
る。
【図３】図１に示す成形装置を下から見た要部拡大斜視
説明図である。
説明図である。
【図４】図１に示す成形装置の装置構成を示す要部斜視
説明図である。
説明図である。
【図５】（ａ）乃至（ｄ）は図１に示す成形装置の作動
を順を追って示す断面説明図である。
を順を追って示す断面説明図である。
【図６】（ａ）乃至（ｄ）は図１に示す成形装置の作動
における要部をさらに詳しく順を追って示す断面説明図
である。
における要部をさらに詳しく順を追って示す断面説明図
である。
【図７】（ａ）乃至（ｃ）は図５に示す成形装置の作動
の続きを順を追って示す断面説明図である。
の続きを順を追って示す断面説明図である。
【図８】（ａ）乃至（ｄ）は図１に示す成形装置を用い
た他の実施形態の作動を順を追って示す断面説明図であ
る。
た他の実施形態の作動を順を追って示す断面説明図であ
る。
【図９】（ａ）乃至（ｄ）は本発明に係るはんだバンプ
の成形装置の他の実施形態の作動における要部をさらに
詳しく順を追って示す断面説明図である。
の成形装置の他の実施形態の作動における要部をさらに
詳しく順を追って示す断面説明図である。
【図１０】本発明に係るはんだバンプの成形装置の他の
実施形態の要部拡大正面断面図である。
実施形態の要部拡大正面断面図である。
【図１１】本発明に係るはんだバンプの成形装置の他の
実施形態を示す図であり、（ａ）は側面断面説明図であ
り、（ｂ）はの要部正面断面図である。
実施形態を示す図であり、（ａ）は側面断面説明図であ
り、（ｂ）はの要部正面断面図である。
【図１２】表面張力の総圧（圧力差）と高さの関係を示
す図である。
す図である。
【図１３】（ａ）乃至（ｄ）は本発明に係るはんだバン
プの成形装置の他の実施形態の作動における要部をさら
に詳しく順を追って示す断面説明図である。
プの成形装置の他の実施形態の作動における要部をさら
に詳しく順を追って示す断面説明図である。
【図１４】（ａ）乃至（ｄ）は従来のはんだバンプの成
形装置を作動を示す断面拡大説明図である。
形装置を作動を示す断面拡大説明図である。
【図１５】（ａ）乃至（ｄ）は従来のはんだバンプの他
の成形方法を示す断面拡大説明図である。
の成形方法を示す断面拡大説明図である。
１０：はんだバンプの成形装置 １２：溶融はんだ １４，５６：容器 １６，５０，５８：成形部材 １８，６２：ヒーター ２０：パイプ ２２：パッド ２４：基板 ２６：チャンバー ２８，４８，５４：側壁部材 ３０：天井部材 ３２：孔 ３４，６４：つば ３６，５２，６０：高さ制御部 ３８：支持部材 ４４：はんだバンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚田 裕 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲 事業所内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 B23K 3/06 H01L 23/12 H05K 3/34 505
Claims (14)
- 【請求項１】 パッドを備えた平坦面に対して溶融はん
だが入れられた枠を相対的に平行移動させ、該溶融はん
だをパッドに付着させるステップと、 該パッドに付着させられた溶融はんだを枠の一端により
１方向に移動させ、該溶融はんだとパッドとの付着力と
溶融はんだの表面張力とによって、パッド上の溶融はん
だと枠内の溶融はんだとを分離するステップとを含むは
んだバンプの成形方法。 - 【請求項２】 パッドを備えた平坦面の上に所定の間隔
を開けて枠を置くステップと、 該枠の中に溶融はんだを入れるステップと、 前記平坦面に対して溶融はんだが入れられた枠を相対的
に平行移動させ、該溶融はんだをパッドに付着させるス
テップと、 該パッドに付着させられた溶融はんだを枠の一端により
１方向に移動させ、該溶融はんだとパッドとの付着力と
溶融はんだの表面張力とによって、パッド上の溶融はん
だと枠内の溶融はんだとを分離するステップとを含むは
んだバンプの成形方法。 - 【請求項３】 前記溶融はんだを分離するステップが、
前記枠の一部に形成された溶融はんだの高さを規制する
高さ制御部とパッドとの間に溶融はんだを加圧して充填
するステップを含む請求項１又は請求項２に記載するは
んだバンプの成形方法。 - 【請求項４】 前記枠の中に溶融はんだを入れるステッ
プが、溶融はんだが入れられた容器に設けられた孔から
該溶融はんだを加圧して押し出し、前記枠の中に入れる
ステップである請求項２又は請求項３に記載するはんだ
バンプの成形方法。 - 【請求項５】 前記加圧された容器内を大気圧に開放又
は大気圧以下に減圧して、枠の中に入れられた溶融はん
だを容器内に戻すステップを含む請求項４に記載するは
んだバンプの成形方法。 - 【請求項６】 前記溶融はんだを分離するステップに続
いて、パッド上の溶融はんだを表面張力のみにより成形
させた後、冷却するステップを含む請求項１乃至請求項
５に記載するはんだバンプの成形方法。 - 【請求項７】 前記パッドを備えた平坦面を予備加熱す
るステップを含む請求項１乃至請求項６に記載するはん
だバンプの成形方法。 - 【請求項８】 パッドを備えた平坦面との間で、溶融は
んだが取り込まれるチャンバーを形成する側壁部材と天
井部材とを備える成形部材を含むはんだバンプの成形装
置。 - 【請求項９】 溶融はんだを溜める容器と、 前記成形部材のチャンバーと容器との間に溶融はんだを
通す通路と、 前記容器内の溶融はんだを加圧して通路から成形部材の
チャンバー内に入れる加圧手段と、 前記加圧された容器内を大気圧に開放又は大気圧以下に
減圧してチャンバー内の溶融はんだを前記通路から容器
内に戻す減圧手段と、 前記溶融はんだを加熱する加熱手段とを含む請求項８に
記載するはんだバンプの成形装置。 - 【請求項１０】 前記成形部材を構成する側壁部材の外
部に、パッド上に付着した溶融はんだの高さを規制する
平坦な面から成る高さ制御部を備える請求項８又は請求
項９に記載するはんだバンプの成形装置。 - 【請求項１１】 前記高さ制御部の長さがパッドのピッ
チより長い請求項１０に記載するはんだバンプの成形装
置。 - 【請求項１２】 前記パッドを備えた平坦面を予め加熱
する手段を含む請求項８乃至請求項１１に記載するはん
だバンプの成形装置。 - 【請求項１３】 前記成形部材をパッドを備えた平坦面
に対して所定の間隔を開けて平行に支持する支持手段
と、前記支持部材に対して少なくとも成形部材を移動さ
せる移動手段とを含む請求項８乃至請求項１２に記載す
るはんだバンプの成形装置。 - 【請求項１４】 溶融はんだを溜める容器と、 パッドを備えた平坦面との間で、溶融はんだが取り込ま
れるチャンバーを形成する側壁部材と天井部材とを備
え、該側壁部材の外部にパッド上に付着した溶融はんだ
の高さを規制する平坦な面から成る高さ制御部を備える
成形部材と、 前記溶融はんだを加熱する加熱手段と、 前記成形部材のチャンバーと容器との間に溶融はんだを
通す通路と、 前記容器内の溶融はんだを加圧して通路から成形部材の
チャンバー内に入れるとともに該チャンバー内の溶融は
んだを加圧する加圧手段と、 前記容器内を大気圧に開放又は大気圧以下に減圧してチ
ャンバー内の溶融はんだを前記通路から容器内に戻す減
圧手段とを含むはんだバンプの成形装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11092374A JP3066963B1 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | はんだバンプの成形方法及び成形装置 |
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| US09/832,073 US6427898B2 (en) | 1999-03-31 | 2001-04-10 | Solder bump forming method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11092374A JP3066963B1 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | はんだバンプの成形方法及び成形装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11092374A Expired - Fee Related JP3066963B1 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | はんだバンプの成形方法及び成形装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| KR20030003629A (ko) * | 2001-06-30 | 2003-01-10 | 주식회사 로코스텍 | 플럭스 도팅 시스템 |
| JP2003100801A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US6969909B2 (en) * | 2002-12-20 | 2005-11-29 | Vlt, Inc. | Flip chip FET device |
| US7038917B2 (en) * | 2002-12-27 | 2006-05-02 | Vlt, Inc. | Low loss, high density array interconnection |
| US7347349B2 (en) * | 2003-06-24 | 2008-03-25 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for printing micro metal structures |
| US20050263571A1 (en) * | 2004-05-30 | 2005-12-01 | Luc Belanger | Injection molded continuously solidified solder method and apparatus |
| JP4591330B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2010-12-01 | パナソニック株式会社 | 電子部品接続構造および電子部品接続方法 |
| US7410092B2 (en) * | 2006-04-21 | 2008-08-12 | International Business Machines Corporation | Fill head for injection molding of solder |
| US7416104B2 (en) * | 2006-04-21 | 2008-08-26 | International Business Machines Corporation | Rotational fill techniques for injection molding of solder |
| TW200839903A (en) * | 2007-03-21 | 2008-10-01 | Advanced Semiconductor Eng | Method for manufacturing electrical connections in wafer |
| US7931187B2 (en) * | 2008-11-12 | 2011-04-26 | International Business Machines Corporation | Injection molded solder method for forming solder bumps on substrates |
| TWI552824B (zh) * | 2011-10-18 | 2016-10-11 | 千住金屬工業股份有限公司 | 焊料凸塊形成方法及裝置 |
| US8740040B2 (en) * | 2012-07-31 | 2014-06-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Solder injection head |
| KR102034820B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2019-11-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩 실장장치 및 이를 이용한 반도체 칩의 실장방법 |
| JP6199988B2 (ja) * | 2013-12-05 | 2017-09-20 | 富士機械製造株式会社 | はんだ供給装置 |
| CN105792972B (zh) * | 2013-12-18 | 2018-09-14 | 富士机械制造株式会社 | 焊料供给装置 |
| JP6495112B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2019-04-03 | 株式会社Ｆｕｊｉ | はんだ供給装置 |
| US11298769B2 (en) * | 2019-05-13 | 2022-04-12 | International Business Machines Corporation | Prevention of dripping of material for material injection |
| US11823983B2 (en) * | 2021-03-23 | 2023-11-21 | Qualcomm Incorporated | Package with a substrate comprising pad-on-pad interconnects |
| US20230154887A1 (en) * | 2021-11-18 | 2023-05-18 | International Business Machines Corporation | Injection molded solder head with improved sealing performance |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5178479A (en) | 1990-06-25 | 1993-01-12 | Illinois Tool Works Inc. | Rod end clip |
| JPH0666314B2 (ja) | 1991-05-31 | 1994-08-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | バンプ形成方法及び装置 |
| US5673846A (en) * | 1995-08-24 | 1997-10-07 | International Business Machines Corporation | Solder anchor decal and method |
| US5597110A (en) * | 1995-08-25 | 1997-01-28 | Motorola, Inc. | Method for forming a solder bump by solder-jetting or the like |
| US6015083A (en) * | 1995-12-29 | 2000-01-18 | Microfab Technologies, Inc. | Direct solder bumping of hard to solder substrate |
| US5779971A (en) * | 1996-06-07 | 1998-07-14 | Hewlett-Packard Company | Solder jet printhead |
| US6063701A (en) * | 1996-09-14 | 2000-05-16 | Ricoh Company, Ltd. | Conductive particle transferring method |
| US5775569A (en) * | 1996-10-31 | 1998-07-07 | Ibm Corporation | Method for building interconnect structures by injection molded solder and structures built |
| US6053398A (en) * | 1996-12-06 | 2000-04-25 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Solder bump forming method, solder bump forming apparatus, head unit for use therein and soldering method using the head unit |
| DE19750073A1 (de) * | 1997-11-12 | 1999-05-20 | Bosch Gmbh Robert | Schaltungsträgerplatte |
| JPH11224980A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-08-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半田バンプ形成方法及び半田バンプ形成装置 |
| US6189772B1 (en) * | 1998-08-31 | 2001-02-20 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a solder ball |
| JP3024113B1 (ja) * | 1999-01-27 | 2000-03-21 | 株式会社日鉄マイクロメタル | 金属球配列方法及び配列装置 |
| JP3066963B1 (ja) * | 1999-03-31 | 2000-07-17 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション | はんだバンプの成形方法及び成形装置 |
| JP4142800B2 (ja) * | 1999-04-07 | 2008-09-03 | 株式会社ルネサステクノロジ | バンプ形成装置及びバンプ形成方法 |
| JP2001077143A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半田バンプ形成システムおよび半田バンプの形成方法 |
-
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