JP3066783B2 - 電極材料及びそれを用いたプラズマ処理装置 - Google Patents
電極材料及びそれを用いたプラズマ処理装置Info
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐食、耐熱性の電極材
料、及びこの電極材料を用いた、例えばイオン源、ＣＶ
Ｄ装置、エッチング装置などのプラズマ処理装置に関す
る。
料、及びこの電極材料を用いた、例えばイオン源、ＣＶ
Ｄ装置、エッチング装置などのプラズマ処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、プラズマを使用した装置が数多く
出回っており、特に、半導体製造工程での表面処理等に
利用されている。例えばエッチング処理は、電極を備え
たチャンバ内に処理ガスを導入し、電極間に電圧を印加
してプラズマを発生させこのプラズマにより直接処理が
行われ、またイオン注入処理では、チャンバ内で発生し
たプラズマ中からイオンを電極により引き出し、このイ
オンにより処理が行われる。
出回っており、特に、半導体製造工程での表面処理等に
利用されている。例えばエッチング処理は、電極を備え
たチャンバ内に処理ガスを導入し、電極間に電圧を印加
してプラズマを発生させこのプラズマにより直接処理が
行われ、またイオン注入処理では、チャンバ内で発生し
たプラズマ中からイオンを電極により引き出し、このイ
オンにより処理が行われる。
【０００３】プラズマ処理装置の中で、半導体ウエハの
表面に不純物としてのイオンを注入するイオン注入装置
に用いられるイオン源を例にとってその構成を説明する
と、例えば電子ビーム励起イオン源の場合、フィラメン
トが設けられた電子生成室と、処理ガスが導入されるイ
オン生成室とを備え、電子生成室内にてフィラメントの
加熱と放電電圧により放電ガスをプラズマ化すると共
に、このプラズマから加速電圧により電子を引き出して
イオン生成室内の処理ガスに衝突させることにより当該
処理ガスをプラズマ化し、このプラズマからイオンを引
き出すように構成されている。このような装置では、プ
ラズマ発生により温度が相当高くなるだけでなく、腐食
性のガスやイオンの雰囲気にさらされる。従って、この
ような雰囲気に接する材料としては、高融点金属である
モリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）が使用されて
いる。
表面に不純物としてのイオンを注入するイオン注入装置
に用いられるイオン源を例にとってその構成を説明する
と、例えば電子ビーム励起イオン源の場合、フィラメン
トが設けられた電子生成室と、処理ガスが導入されるイ
オン生成室とを備え、電子生成室内にてフィラメントの
加熱と放電電圧により放電ガスをプラズマ化すると共
に、このプラズマから加速電圧により電子を引き出して
イオン生成室内の処理ガスに衝突させることにより当該
処理ガスをプラズマ化し、このプラズマからイオンを引
き出すように構成されている。このような装置では、プ
ラズマ発生により温度が相当高くなるだけでなく、腐食
性のガスやイオンの雰囲気にさらされる。従って、この
ような雰囲気に接する材料としては、高融点金属である
モリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）が使用されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プラズマ処理装置例えばイオン源では、プラズマによる
スパッタリングなどの作用によって例えばモリブデンな
どからなるチャンバの表面が削られて損傷を受け、特に
処理ガスとしてＢＦ３などのハロゲン化ガスを用いる場
合には、処理ガスの腐食性（反応性）が非常に強く、ス
パッタリングという物理的作用の他に強い化学的作用が
加わるためチャンバの損傷の程度は相当に大きい。従っ
てチャンバや電極の寿命が短く、また例えばモリブデン
は高価なものであるため装置のランニングコストが高騰
していた。
プラズマ処理装置例えばイオン源では、プラズマによる
スパッタリングなどの作用によって例えばモリブデンな
どからなるチャンバの表面が削られて損傷を受け、特に
処理ガスとしてＢＦ３などのハロゲン化ガスを用いる場
合には、処理ガスの腐食性（反応性）が非常に強く、ス
パッタリングという物理的作用の他に強い化学的作用が
加わるためチャンバの損傷の程度は相当に大きい。従っ
てチャンバや電極の寿命が短く、また例えばモリブデン
は高価なものであるため装置のランニングコストが高騰
していた。
【０００５】またチャンバや電極が削られて飛翔した粒
子例えばフッ化モリブデンなどの絶縁性物質がイオン引
き出し電極に付着して汚染し、この汚染物質を除去する
ためにメンテナンスを頻繁に行わなければならず、従っ
て上述のようにチャンバの寿命が短くて、短期間で交換
しなければならないことも加わって装置の稼働率が低下
し、スループットが低くなるという問題があった。
子例えばフッ化モリブデンなどの絶縁性物質がイオン引
き出し電極に付着して汚染し、この汚染物質を除去する
ためにメンテナンスを頻繁に行わなければならず、従っ
て上述のようにチャンバの寿命が短くて、短期間で交換
しなければならないことも加わって装置の稼働率が低下
し、スループットが低くなるという問題があった。
【０００６】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、耐食、耐熱性に優れ、ライ
フの長い電極材料を提供することにある。
たものであり、その目的は、耐食、耐熱性に優れ、ライ
フの長い電極材料を提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、電極、あるいは電極
を兼用するチャンバの損傷を抑え、これによりメンテナ
ンスの頻度を抑えて装置の稼働率を向上させることので
きるプラズマ処理装置を提供することにある。
を兼用するチャンバの損傷を抑え、これによりメンテナ
ンスの頻度を抑えて装置の稼働率を向上させることので
きるプラズマ処理装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１の発
明は、ＺｒＢ２（二ホウ化ジルコニウム）及び／又はＴ
ｉＢ２（二ホウ化チタン）が４０〜６０重量％、ＢＮ
（窒化ホウ素）２０〜５０重量％、ＡｌＮ（窒化アルミ
ニウム）３０重量％以下からなり、比抵抗が１×１０5
μΩ・ｃｍ以下である耐食、耐熱性電極材料である。
明は、ＺｒＢ２（二ホウ化ジルコニウム）及び／又はＴ
ｉＢ２（二ホウ化チタン）が４０〜６０重量％、ＢＮ
（窒化ホウ素）２０〜５０重量％、ＡｌＮ（窒化アルミ
ニウム）３０重量％以下からなり、比抵抗が１×１０5
μΩ・ｃｍ以下である耐食、耐熱性電極材料である。
【０００９】さらに請求項２の発明は、処理ガスを電気
的にプラズマ化し、このプラズマを利用して被処理体に
処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理ガスと
接触する電極の少なくとも表面部を、ＺｒＢ２及び／又
はＴｉＢ２４０〜６０重量％、及びＢＮ６０〜４０重量
％からなる導電性セラミックスにより構成したことを特
徴としたものである。
的にプラズマ化し、このプラズマを利用して被処理体に
処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理ガスと
接触する電極の少なくとも表面部を、ＺｒＢ２及び／又
はＴｉＢ２４０〜６０重量％、及びＢＮ６０〜４０重量
％からなる導電性セラミックスにより構成したことを特
徴としたものである。
【００１０】さらにまた請求項３の発明は、処理ガスを
電気的にプラズマ化し、このプラズマを利用して被処理
体に処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理ガ
スと接触する電極の少なくとも表面部を、請求項１記載
の電極材料により構成し、この電極材料のホットプレス
の加圧方向に平行な面がプラズマ雰囲気に接するように
構成したことを特徴としたものである。
電気的にプラズマ化し、このプラズマを利用して被処理
体に処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理ガ
スと接触する電極の少なくとも表面部を、請求項１記載
の電極材料により構成し、この電極材料のホットプレス
の加圧方向に平行な面がプラズマ雰囲気に接するように
構成したことを特徴としたものである。
【００１１】以下、さらに詳しく本発明について説明す
る。
る。
【００１２】本発明者らは、プラズマ雰囲気中で耐え得
る導電性材料を鋭意検討した結果、ＺｒＢ２及び／又は
ＴｉＢ２が良好であること、さらに、耐熱衝撃性を付与
するためにＢＮ、熱伝導性を向上させるためにＡｌＮを
用いることが良いことを見出だし、本発明を完成するに
至った。
る導電性材料を鋭意検討した結果、ＺｒＢ２及び／又は
ＴｉＢ２が良好であること、さらに、耐熱衝撃性を付与
するためにＢＮ、熱伝導性を向上させるためにＡｌＮを
用いることが良いことを見出だし、本発明を完成するに
至った。
【００１３】導電性、高融点、耐食性材料であるＺｒＢ
２及び／又はＴｉＢ２の配合量は４０〜６０重量％が望
ましい。４０重量％未満では導電性が低く電極としての
機能が低下し、６０重量％を越えると耐熱衝撃性等が問
題となる。耐熱衝撃性の向上のために好ましいＢＮの配
合量は４０〜６０重量％である。４０重量％未満では耐
熱衝撃性が十分でなく、６０重量％を越えると耐プラズ
マ性、耐食性が劣化する。また熱伝導性の向上のために
ＡｌＮを混合することが好ましく、その配合量は３０重
量％以下が好ましい。３０重量％を越えると耐プラズマ
性、耐食性が劣化する。
２及び／又はＴｉＢ２の配合量は４０〜６０重量％が望
ましい。４０重量％未満では導電性が低く電極としての
機能が低下し、６０重量％を越えると耐熱衝撃性等が問
題となる。耐熱衝撃性の向上のために好ましいＢＮの配
合量は４０〜６０重量％である。４０重量％未満では耐
熱衝撃性が十分でなく、６０重量％を越えると耐プラズ
マ性、耐食性が劣化する。また熱伝導性の向上のために
ＡｌＮを混合することが好ましく、その配合量は３０重
量％以下が好ましい。３０重量％を越えると耐プラズマ
性、耐食性が劣化する。
【００１４】本発明の耐食、耐熱性電極材料は、通常、
発明構成材料である原料粉末を均一混合した後、焼結す
ることによって作製する。原料粉末の粒度は平均粒径で
１０μｍ以下、好ましくは数μｍ以下である。純度は高
い程良い。粉末混合はボ−ルミル、振動ミル、アトライ
タ−ミル等が使用されるが、特に限定されない。焼結方
法は常圧焼結、ホットプレス焼結、ＨＩＰ焼結等がある
が、本発明の構造材料であるＺｒＢ２、ＴｉＢ２、ＢＮ
は難焼結性のためホットプレス焼結が適する。焼結温度
は例えば１８００〜２１００℃、圧力は数百ｋｇ／ｃｍ
2 程度である。
発明構成材料である原料粉末を均一混合した後、焼結す
ることによって作製する。原料粉末の粒度は平均粒径で
１０μｍ以下、好ましくは数μｍ以下である。純度は高
い程良い。粉末混合はボ−ルミル、振動ミル、アトライ
タ−ミル等が使用されるが、特に限定されない。焼結方
法は常圧焼結、ホットプレス焼結、ＨＩＰ焼結等がある
が、本発明の構造材料であるＺｒＢ２、ＴｉＢ２、ＢＮ
は難焼結性のためホットプレス焼結が適する。焼結温度
は例えば１８００〜２１００℃、圧力は数百ｋｇ／ｃｍ
2 程度である。
【００１５】ホットプレス焼結では圧力に方向性がある
ため、焼結体組織に異方性があり、本発明では、ホット
プレスの加圧方向に平行な面をプラズマ雰囲気に接する
ようにすることが耐食、耐熱性電極材料として良好であ
ることを見出だしている。
ため、焼結体組織に異方性があり、本発明では、ホット
プレスの加圧方向に平行な面をプラズマ雰囲気に接する
ようにすることが耐食、耐熱性電極材料として良好であ
ることを見出だしている。
【００１６】本発明では、焼結体の相対密度が９０％以
上であることが望ましい。気孔率が高いと耐食性、耐プ
ラズマ性が劣化するだけでなく、雰囲気中のガス吸着が
多く、電極材料としての機能が経時変化する。また比抵
抗は１×１０5 μΩ・ｃｍを越えると耐食性が悪くな
り、１×１０2 〜１×１０5 μΩ・ｃｍの範囲が好まし
い。
上であることが望ましい。気孔率が高いと耐食性、耐プ
ラズマ性が劣化するだけでなく、雰囲気中のガス吸着が
多く、電極材料としての機能が経時変化する。また比抵
抗は１×１０5 μΩ・ｃｍを越えると耐食性が悪くな
り、１×１０2 〜１×１０5 μΩ・ｃｍの範囲が好まし
い。
【００１７】
【作用】本発明の電極材料によれば大きな耐熱衝撃性が
得られ、熱伝導性も良好であり、例えばプラズマ処理装
置の電極として好適に用いることができる。そして本発
明のプラズマ処理装置によれば、電極例えば電極を兼用
するチャンバの耐熱衝撃性が大きいため、チャンバの表
面の損傷が抑えられ、また例えば電極中にＡｌＮ等が含
有されている場合にはチャンバの一の個所と他の個所と
の間、例えば外壁面と内壁面との間に大きな温度差があ
ってもクラックが生じない。更にＡｌＮは熱伝導率が大
きいので、チャンバの表面が熱的に均一になりプラズマ
が安定する。
得られ、熱伝導性も良好であり、例えばプラズマ処理装
置の電極として好適に用いることができる。そして本発
明のプラズマ処理装置によれば、電極例えば電極を兼用
するチャンバの耐熱衝撃性が大きいため、チャンバの表
面の損傷が抑えられ、また例えば電極中にＡｌＮ等が含
有されている場合にはチャンバの一の個所と他の個所と
の間、例えば外壁面と内壁面との間に大きな温度差があ
ってもクラックが生じない。更にＡｌＮは熱伝導率が大
きいので、チャンバの表面が熱的に均一になりプラズマ
が安定する。
【００１８】
【実施例】まず本発明の電極材料に係る実施例を、比較
例をあげてさらに具体的に説明する。平均粒径８μｍの
ＺｒＢ２及びＴｉＢ２、平均粒径３μｍのＢＮ、平均粒
径２μｍのＡｌＮの各原料を表１に示す割合でボ−ルミ
ルで混合した後、窒素雰囲気下、２０００℃の温度で、
２時間ホットプレス焼結し、得られた焼結体の比抵抗及
び耐熱衝撃性及び耐食性を測定した。その結果を表１に
示す。
例をあげてさらに具体的に説明する。平均粒径８μｍの
ＺｒＢ２及びＴｉＢ２、平均粒径３μｍのＢＮ、平均粒
径２μｍのＡｌＮの各原料を表１に示す割合でボ−ルミ
ルで混合した後、窒素雰囲気下、２０００℃の温度で、
２時間ホットプレス焼結し、得られた焼結体の比抵抗及
び耐熱衝撃性及び耐食性を測定した。その結果を表１に
示す。
【００１９】
【表１】 ただし実験Ｎｏ．１、４、５、１１、１３、１４、１８
は比較例、実験Ｎｏ．２、３、６〜１０、１２、１５〜
１７は実施例である。
は比較例、実験Ｎｏ．２、３、６〜１０、１２、１５〜
１７は実施例である。
【００２０】なお各物性の測定方法は次の通りである。
【００２１】 比抵抗 …（総抵抗×試片巾×試片厚）／測定間距離 耐熱衝撃性…Ａｒガス雰囲気のプラズマ中（１２００
℃）に試片を一気に挿入し、試片のクラック発生等を目
視観察した。評価は○…良好、×…不良の２段階で、相
対的に行った。
℃）に試片を一気に挿入し、試片のクラック発生等を目
視観察した。評価は○…良好、×…不良の２段階で、相
対的に行った。
【００２２】耐食性 …ＢＦ３の腐食性ガス雰囲気中
でプラズマを発生させ、そのプラズマ中にさらされた試
片及びＭｏ電極の消耗状態を目視観察した。なお、ホッ
トプレスの加圧方向に平行な面がプラズマ雰囲気に接す
るように加工した試験片を平行試片、同じく垂直な面が
接するように加工した試片を垂直試片とする。評価は、
◎…かなり良好、○…良好、×…不良の３段階で相対的
に行った。評価装置としてはイオン注入装置のイオン発
生源の電極に用いた。
でプラズマを発生させ、そのプラズマ中にさらされた試
片及びＭｏ電極の消耗状態を目視観察した。なお、ホッ
トプレスの加圧方向に平行な面がプラズマ雰囲気に接す
るように加工した試験片を平行試片、同じく垂直な面が
接するように加工した試片を垂直試片とする。評価は、
◎…かなり良好、○…良好、×…不良の３段階で相対的
に行った。評価装置としてはイオン注入装置のイオン発
生源の電極に用いた。
【００２３】上述の結果から、ＺｒＢ２及び／又はＴｉ
Ｂ２とＢＮとの割合が適切でないと耐食性又は耐熱衝撃
性が不良となる。ＡｌＮを配合すると熱伝導性が向上す
るが、その割合が３０重量％をこえると耐食性が劣るよ
うになる。更に平行試片については、垂直試片に比べて
耐食性が良好である。
Ｂ２とＢＮとの割合が適切でないと耐食性又は耐熱衝撃
性が不良となる。ＡｌＮを配合すると熱伝導性が向上す
るが、その割合が３０重量％をこえると耐食性が劣るよ
うになる。更に平行試片については、垂直試片に比べて
耐食性が良好である。
【００２４】次に本発明を電子ビ−ム励起イオン源に適
用した実施例について説明する。図１に示すようにイオ
ン源１の上部には、各辺の長さが数ｃｍ程度の矩形容器
状に形成された電子生成室２が設けられている。この電
子生成室２は後で詳述する導電性セラミックスにより構
成されており、その一側面に形成された開口を閉塞する
ように絶縁板２１が設けられている。この絶縁板２１に
は、例えばタングステンからなるＵ字状のフィラメント
２２がその両端を支持されて電子生成室２内に突出して
取り付けられている。
用した実施例について説明する。図１に示すようにイオ
ン源１の上部には、各辺の長さが数ｃｍ程度の矩形容器
状に形成された電子生成室２が設けられている。この電
子生成室２は後で詳述する導電性セラミックスにより構
成されており、その一側面に形成された開口を閉塞する
ように絶縁板２１が設けられている。この絶縁板２１に
は、例えばタングステンからなるＵ字状のフィラメント
２２がその両端を支持されて電子生成室２内に突出して
取り付けられている。
【００２５】前記電子生成室２の天井部には、放電用ガ
ス例えばアルゴン（Ａｒ）ガスを導入するための放電用
ガス導入口２３が形成される一方、電子生成室２１の下
部には、絶縁性部材３を介して、導電性セラミックスよ
りなる側壁部に囲まれたプラズマカソード室３１が形成
されており、電子生成室２１の底板び絶縁性部材３に
は、電子生成室２１とプラズマカソード室３１とを連通
するように夫々円孔路２４及び３２が形成されている。
ス例えばアルゴン（Ａｒ）ガスを導入するための放電用
ガス導入口２３が形成される一方、電子生成室２１の下
部には、絶縁性部材３を介して、導電性セラミックスよ
りなる側壁部に囲まれたプラズマカソード室３１が形成
されており、電子生成室２１の底板び絶縁性部材３に
は、電子生成室２１とプラズマカソード室３１とを連通
するように夫々円孔路２４及び３２が形成されている。
【００２６】前記プラズマカソード室３１の底面は、複
数の電子通過用の透孔及びその周りに形成されたガス抜
き用の複数の透孔を有する導電性セラミックスよりなる
電子引き出し電極３３により形成されており、この電子
引き出し電極３３の下部側には絶縁性部材３４を介して
イオン生成室４が接続されている。このイオン生成室４
は導電性セラミックスにより外形が矩形状に、また内部
が円筒状に形成されており、イオン生成室４の底部には
絶縁性部材４１を介して導電性セラミックスよりなる底
板４２が固定されている。またイオン生成室４の側面に
は、所望のイオンを生成するための処理ガス例えばＢＦ
３ガスなどを当該イオン生成室４内に導入するための処
理ガス導入口４３が形成されると共に、この処理ガス導
入口４３に対向する位置にイオン引き出し用スリット開
口４４が形成されいる。
数の電子通過用の透孔及びその周りに形成されたガス抜
き用の複数の透孔を有する導電性セラミックスよりなる
電子引き出し電極３３により形成されており、この電子
引き出し電極３３の下部側には絶縁性部材３４を介して
イオン生成室４が接続されている。このイオン生成室４
は導電性セラミックスにより外形が矩形状に、また内部
が円筒状に形成されており、イオン生成室４の底部には
絶縁性部材４１を介して導電性セラミックスよりなる底
板４２が固定されている。またイオン生成室４の側面に
は、所望のイオンを生成するための処理ガス例えばＢＦ
３ガスなどを当該イオン生成室４内に導入するための処
理ガス導入口４３が形成されると共に、この処理ガス導
入口４３に対向する位置にイオン引き出し用スリット開
口４４が形成されいる。
【００２７】更に前記イオン源１の電圧印加部分に関し
て説明すると、フィラメント２２の両端間にはフィラメ
ント電源Ｖｆが接続されると共にフィラメント２２の一
端と電子生成室２の壁部との間には放電電源Ｖｆが接続
されている。前記電子引き出し電極３３とイオン生成室
４の壁部との間には加速電源ＶＡが接続され、加速電源
ＶＡの負極側、放電電源Ｖｄの正極側及びイオン生成室
４の底板４２は互に電気的に接続されている。
て説明すると、フィラメント２２の両端間にはフィラメ
ント電源Ｖｆが接続されると共にフィラメント２２の一
端と電子生成室２の壁部との間には放電電源Ｖｆが接続
されている。前記電子引き出し電極３３とイオン生成室
４の壁部との間には加速電源ＶＡが接続され、加速電源
ＶＡの負極側、放電電源Ｖｄの正極側及びイオン生成室
４の底板４２は互に電気的に接続されている。
【００２８】ここで電子生成室２、プラズマカソード室
３１及びイオン生成室４を構成する導電性セラミックス
としては、ＺｒＢ２及び／又はＴｉＢ２４０〜６０重量
％とＢＮ６０〜４０重量％からなる焼結体、又はＺｒＢ
２及び／又はＴｉＢ２４０〜６０重量％とＢＮ２０〜５
０重量％とＡｌＮ１〜３０重量％からなる焼結体が望ま
しい。
３１及びイオン生成室４を構成する導電性セラミックス
としては、ＺｒＢ２及び／又はＴｉＢ２４０〜６０重量
％とＢＮ６０〜４０重量％からなる焼結体、又はＺｒＢ
２及び／又はＴｉＢ２４０〜６０重量％とＢＮ２０〜５
０重量％とＡｌＮ１〜３０重量％からなる焼結体が望ま
しい。
【００２９】次に上述実施例の作用について述べる。先
ず図示しない磁場生成手段により図示矢印ＢＺのように
電子引き出し方向に対して電子をガイドするための磁場
を印加すると共に、フィラメント電源Ｖｆ、放電電源Ｖ
ｄ、加速電源ＶＡによって各部に所定の電圧を印加す
る。そして放電用ガス導入口２３から電子生成室２内に
例えばアルゴンガスを０．０５〜０．７ＳＣＣＭで導入
して放電させ、プラズマを発生させる。このプラズマ中
の電子は電場により加速され、円孔路２４、３２を介し
てプラズマカソード室３１内に引き出されると共に、そ
の中の電子が加速電圧ＶＡにより加速されて電子引き出
し電極３３の透孔を介してイオン生成室４内に引き出さ
れる。
ず図示しない磁場生成手段により図示矢印ＢＺのように
電子引き出し方向に対して電子をガイドするための磁場
を印加すると共に、フィラメント電源Ｖｆ、放電電源Ｖ
ｄ、加速電源ＶＡによって各部に所定の電圧を印加す
る。そして放電用ガス導入口２３から電子生成室２内に
例えばアルゴンガスを０．０５〜０．７ＳＣＣＭで導入
して放電させ、プラズマを発生させる。このプラズマ中
の電子は電場により加速され、円孔路２４、３２を介し
てプラズマカソード室３１内に引き出されると共に、そ
の中の電子が加速電圧ＶＡにより加速されて電子引き出
し電極３３の透孔を介してイオン生成室４内に引き出さ
れる。
【００３０】一方イオン生成室４内には処理ガス導入口
４３から処理ガス例えばＢＦ３ガスを０．１〜１．０Ｓ
ＣＣＭで導入しておき、イオン生成室４内に流入した電
子はＢＦ３ガス分子と衝突して濃いプラズマを発生させ
る。このプラズマ中からイオンが図示しないイオン引き
出し電極によりスリット４４を介して外部に引き出さ
れ、ターゲットである半導体ウエハに走査照射されてイ
オン注入が行われる。
４３から処理ガス例えばＢＦ３ガスを０．１〜１．０Ｓ
ＣＣＭで導入しておき、イオン生成室４内に流入した電
子はＢＦ３ガス分子と衝突して濃いプラズマを発生させ
る。このプラズマ中からイオンが図示しないイオン引き
出し電極によりスリット４４を介して外部に引き出さ
れ、ターゲットである半導体ウエハに走査照射されてイ
オン注入が行われる。
【００３１】このような実施例では、腐食性の高い処理
ガス例えばＢＦ３ガスが電子の照射を受けて励起され、
更に磁場ＢＺなどの作用により反応性の高いプラズマと
なり、このプラズマにイオン生成室４の内壁面がさらさ
れることになるが、イオン生成室４は上記の導電性セラ
ミックスにより構成されているため、処理ガスとの反応
性が低い。特に電子引き出し電極３３及び底板４２は負
電位であるためプラズマ中のイオンが大きな運動エネル
ギ−で衝突し、化学的作用に加えて物理的作用も受ける
が、導電性セラミックスは耐スパッタリング性が大きい
ため、その損傷が可成り抑えられる。従ってイオン生成
室４の寿命も長くなるし、イオン引き出し電極などの汚
染も低減することができ、メンテナンスの頻度が少なく
て済むのでその手間が減るし、また装置の稼動率が向上
する。
ガス例えばＢＦ３ガスが電子の照射を受けて励起され、
更に磁場ＢＺなどの作用により反応性の高いプラズマと
なり、このプラズマにイオン生成室４の内壁面がさらさ
れることになるが、イオン生成室４は上記の導電性セラ
ミックスにより構成されているため、処理ガスとの反応
性が低い。特に電子引き出し電極３３及び底板４２は負
電位であるためプラズマ中のイオンが大きな運動エネル
ギ−で衝突し、化学的作用に加えて物理的作用も受ける
が、導電性セラミックスは耐スパッタリング性が大きい
ため、その損傷が可成り抑えられる。従ってイオン生成
室４の寿命も長くなるし、イオン引き出し電極などの汚
染も低減することができ、メンテナンスの頻度が少なく
て済むのでその手間が減るし、また装置の稼動率が向上
する。
【００３２】ここでイオン生成室４の損傷が抑えられる
理由について考察すると、導電性セラミックスの中に含
まれているＺｒＢ２は共有結合で構成されているため、
非常に結合力が強いため、物理的粒子の衝突に対しても
削られにくく、つまり耐スパッタリング性に優れてい
る。さらにＢＦ３などの化学的な反応性の高いハロゲン
化ガスがプラズマ化された極めて活性の高い粒子と接触
しても腐食されにくいことに起因していると推察され
る。
理由について考察すると、導電性セラミックスの中に含
まれているＺｒＢ２は共有結合で構成されているため、
非常に結合力が強いため、物理的粒子の衝突に対しても
削られにくく、つまり耐スパッタリング性に優れてい
る。さらにＢＦ３などの化学的な反応性の高いハロゲン
化ガスがプラズマ化された極めて活性の高い粒子と接触
しても腐食されにくいことに起因していると推察され
る。
【００３３】ところでＺｒＢ２は熱衝撃性、つまり温度
差があるときの耐破壊性がそれ程大きくなく、例えば３
００℃程度の温度差を越えると、クラックが入ることも
ある。一方イオン生成室４は外壁面と内壁面との差が場
所によっては５００℃を越えることもあるので、ＺｒＢ
２のみを用いた場合には、クラックの入るおそれがあ
る。
差があるときの耐破壊性がそれ程大きくなく、例えば３
００℃程度の温度差を越えると、クラックが入ることも
ある。一方イオン生成室４は外壁面と内壁面との差が場
所によっては５００℃を越えることもあるので、ＺｒＢ
２のみを用いた場合には、クラックの入るおそれがあ
る。
【００３４】そこで上述実施例では耐熱衝撃性の優れた
ＢＮに着目してこれを導電性セラミックスの中に含有さ
せるようにした。このＢＮは耐熱衝撃性が優れているた
めイオン生成室４にクラックが入るおそれはないが、反
面耐スパッタリング性や耐食性はそれ程大きくなく、従
ってＢＮとＺｒＢ２とを混合させることによりこれらの
要求をはじめて満足させることができる。
ＢＮに着目してこれを導電性セラミックスの中に含有さ
せるようにした。このＢＮは耐熱衝撃性が優れているた
めイオン生成室４にクラックが入るおそれはないが、反
面耐スパッタリング性や耐食性はそれ程大きくなく、従
ってＢＮとＺｒＢ２とを混合させることによりこれらの
要求をはじめて満足させることができる。
【００３５】更に上述実施例では、導電性セラミックス
の中にＡｌＮを混合させているが、この物質は熱伝導性
に優れているため、イオン生成室４の内壁面が熱的に均
一になる。そのためプラズマにより一層の安定化を期待
することができる。
の中にＡｌＮを混合させているが、この物質は熱伝導性
に優れているため、イオン生成室４の内壁面が熱的に均
一になる。そのためプラズマにより一層の安定化を期待
することができる。
【００３６】以上のことから導電性セラミックスの組成
については、ＺｒＢ２、ＢＮ及びＡｌＮの組成を種々変
えて、イオン源として使用した場合の損傷やクラックな
どを観察し、上述実施例の説明の中で具体的に組成を示
したように、実効性のある各成分の含有割合を定めた。
ただし本発明では、ＡｌＮの代わりにＳｉ３Ｎ４やＡｌ
２Ｏ３などを配合させてもよいし、またこれらは必ずし
も導電性セラミックスの中に含有されていなくてもよ
く、この場合導電性セラミックスはＺｒＢ２４０〜６０
重量％、ＢＮ４０〜６０重量であることが好ましい。
については、ＺｒＢ２、ＢＮ及びＡｌＮの組成を種々変
えて、イオン源として使用した場合の損傷やクラックな
どを観察し、上述実施例の説明の中で具体的に組成を示
したように、実効性のある各成分の含有割合を定めた。
ただし本発明では、ＡｌＮの代わりにＳｉ３Ｎ４やＡｌ
２Ｏ３などを配合させてもよいし、またこれらは必ずし
も導電性セラミックスの中に含有されていなくてもよ
く、この場合導電性セラミックスはＺｒＢ２４０〜６０
重量％、ＢＮ４０〜６０重量であることが好ましい。
【００３７】また本発明にて用いられる導電性セラミッ
クスとしては、ＺｒＢ２の代りに又はその一部としてＴ
ｉＢ２を用いてもよく、このＴｉＢ２についても大きな
耐スパッタリング性、耐食性があり、実際にＴｉＢ２を
含有する導電性セラミックスを用いてイオン源を製作
し、実験を行ったところ、同様の効果が得られた。
クスとしては、ＺｒＢ２の代りに又はその一部としてＴ
ｉＢ２を用いてもよく、このＴｉＢ２についても大きな
耐スパッタリング性、耐食性があり、実際にＴｉＢ２を
含有する導電性セラミックスを用いてイオン源を製作
し、実験を行ったところ、同様の効果が得られた。
【００３８】このＴｉＢ２を含む導電性セラミックスの
好ましい組成は、ＡｌＮを含む場合はＴｉＢ２４０〜６
０重量％、ＢＮ２０〜５０重量％、ＡｌＮ３０重量％以
下（０は含まず）であり、ＡｌＮを含まない場合はＴｉ
Ｂ２４０〜６０重量％、ＢＮ４０〜６０重量％である。
好ましい組成は、ＡｌＮを含む場合はＴｉＢ２４０〜６
０重量％、ＢＮ２０〜５０重量％、ＡｌＮ３０重量％以
下（０は含まず）であり、ＡｌＮを含まない場合はＴｉ
Ｂ２４０〜６０重量％、ＢＮ４０〜６０重量％である。
【００３９】本発明は、電極（電極とチャンバとを兼用
しているものも含む）の全部を上記の導電性セラミック
スで構成することなく、処理ガス（プラズマ）と接触す
る表面部のみを導電性セラミックスで構成してもよく、
図２に示すようにイオン生成室などを、例えばモリブデ
ンなどの金属と上記導電性セラミックスの二層構造とし
てもよい。
しているものも含む）の全部を上記の導電性セラミック
スで構成することなく、処理ガス（プラズマ）と接触す
る表面部のみを導電性セラミックスで構成してもよく、
図２に示すようにイオン生成室などを、例えばモリブデ
ンなどの金属と上記導電性セラミックスの二層構造とし
てもよい。
【００４０】即ち図２の例では、電子引き出し電極３３
をモリブデンなどの高融点金属により構成すると共に、
その下面側に、絶縁部材３５と上記の導電性セラミック
スよりなる導電性板３６（この部分は電子引き出し電極
３３に形成された透孔に対応する透孔が形成されてい
る）とからなる保護板３６が貼設されている。またこの
実施例では、イオン生成室４の側壁部分をモリブデンな
どからなる外筒部４ａの内面に導電性セラミックスから
なる内筒部（ライナ）４ｂを積層して構成し、更にイオ
ン生成室４の底板４２をモリブデンなどからなる外装板
４２ａの内面に導電性セラミックスからなる内装板４２
ｂを積層して構成している。
をモリブデンなどの高融点金属により構成すると共に、
その下面側に、絶縁部材３５と上記の導電性セラミック
スよりなる導電性板３６（この部分は電子引き出し電極
３３に形成された透孔に対応する透孔が形成されてい
る）とからなる保護板３６が貼設されている。またこの
実施例では、イオン生成室４の側壁部分をモリブデンな
どからなる外筒部４ａの内面に導電性セラミックスから
なる内筒部（ライナ）４ｂを積層して構成し、更にイオ
ン生成室４の底板４２をモリブデンなどからなる外装板
４２ａの内面に導電性セラミックスからなる内装板４２
ｂを積層して構成している。
【００４１】なお、上述実施例では、イオン生成室４の
他に電子生成室２及びプラズマカソード室３１も導電性
セラミックスで構成しているが、電子生成室２及びプラ
ズマカソード室３１は必ずしも導電性セラミックスで構
成する必要はなく、例えばモリブデンなどの導電性の高
融点金属により構成してもよい。
他に電子生成室２及びプラズマカソード室３１も導電性
セラミックスで構成しているが、電子生成室２及びプラ
ズマカソード室３１は必ずしも導電性セラミックスで構
成する必要はなく、例えばモリブデンなどの導電性の高
融点金属により構成してもよい。
【００４２】上述のイオン源装置１を用いたイオン注入
装置の全体構成の一例を図３に示すと、イオン源装置１
よりのイオンビームの照射路に沿って質量分析用のマグ
ネット５１、可変スリット５２及び加速管５３が設置さ
れ、更に加速管５３の出口側には静電四重極レンズ５
４、Ｙ方向走査電極５５及びＸ方向走査電極５６が配置
される。従ってイオンビームは、マグネット５１を通過
して不要な不純物のイオンが除去された後加速管５３で
加速され、走査電極５５、５６にて所定のパターンで走
査された後、ファラデーカップ５７内の半導体ウエハＷ
に照射されて所定のイオン注入が行われる。
装置の全体構成の一例を図３に示すと、イオン源装置１
よりのイオンビームの照射路に沿って質量分析用のマグ
ネット５１、可変スリット５２及び加速管５３が設置さ
れ、更に加速管５３の出口側には静電四重極レンズ５
４、Ｙ方向走査電極５５及びＸ方向走査電極５６が配置
される。従ってイオンビームは、マグネット５１を通過
して不要な不純物のイオンが除去された後加速管５３で
加速され、走査電極５５、５６にて所定のパターンで走
査された後、ファラデーカップ５７内の半導体ウエハＷ
に照射されて所定のイオン注入が行われる。
【００４３】次に図４を参照して、本発明をフリーマン
型のイオン源に適用した実施例について説明する。図３
に示すように、フリーマン型のイオン源６０には、円筒
状に形成されたチャンバ６１が設けられており、このチ
ャンバ６１内には、その両端部を絶縁性の支持部材６２
によって支持された棒状のフィラメント６３がチャンバ
６１内を貫通するようにして設けられている。
型のイオン源に適用した実施例について説明する。図３
に示すように、フリーマン型のイオン源６０には、円筒
状に形成されたチャンバ６１が設けられており、このチ
ャンバ６１内には、その両端部を絶縁性の支持部材６２
によって支持された棒状のフィラメント６３がチャンバ
６１内を貫通するようにして設けられている。
【００４４】前記チャンバ６１内の前部にはイオン引き
出し用開口６４が設けられており、このイオン引き出し
用開口６４に対向するようにイオン引き出し電極６５が
設けられている。一方チャンバ６１の後部には、処理ガ
ス導入用開口６６が設けられている。チャンバ６１内に
は、チャンバ６１の内壁を覆うようにして先の実施例と
同様の導電性セラミックス製のライナ６７が設けられて
いる。
出し用開口６４が設けられており、このイオン引き出し
用開口６４に対向するようにイオン引き出し電極６５が
設けられている。一方チャンバ６１の後部には、処理ガ
ス導入用開口６６が設けられている。チャンバ６１内に
は、チャンバ６１の内壁を覆うようにして先の実施例と
同様の導電性セラミックス製のライナ６７が設けられて
いる。
【００４５】上記構成のフリーマン型のイオン源６０で
は、図示しないフィラメント電源により、フィラメント
６３に所定の電圧を印加し例えば５０〜２００Ａの電流
を流すと共に、放電電源６８によってフィラメント６３
とチャンバ６１との間に例えば８０〜１００Ｖ程度の放
電電圧を印加する。そして、処理ガス導入用開口６６か
らチャンバ６１内に、所定の処理ガス（原料ガス）例え
ばＢＦ３ガスを導入し、チャンバ６１内に放電を生じさ
せてこの処理ガスをイオン化する。このイオンをイオン
引き出し用開口６４及びイオン引き出し電極６５によっ
て引き出し、例えば半導体ウエハ等に対してイオン注入
処理を行う。
は、図示しないフィラメント電源により、フィラメント
６３に所定の電圧を印加し例えば５０〜２００Ａの電流
を流すと共に、放電電源６８によってフィラメント６３
とチャンバ６１との間に例えば８０〜１００Ｖ程度の放
電電圧を印加する。そして、処理ガス導入用開口６６か
らチャンバ６１内に、所定の処理ガス（原料ガス）例え
ばＢＦ３ガスを導入し、チャンバ６１内に放電を生じさ
せてこの処理ガスをイオン化する。このイオンをイオン
引き出し用開口６４及びイオン引き出し電極６５によっ
て引き出し、例えば半導体ウエハ等に対してイオン注入
処理を行う。
【００４６】図４の実施例では、放電電源６８によっ
て、フィラメント６３に対してチャンバ６１が正電位と
なるよう放電電圧が印加されるため、チャンバ６１のイ
オン引出し用開口６４の近傍にプラズマが生成される
が、先述したようにチャンバ６１の内壁を覆うように導
電性セラミックス製のライナ６７が設けられているた
め、チャンバ６１が腐食性ガス例えばＢＦ３ガスにより
損傷されることを防止することができ、先述の実施例と
同様な効果を得ることができる。
て、フィラメント６３に対してチャンバ６１が正電位と
なるよう放電電圧が印加されるため、チャンバ６１のイ
オン引出し用開口６４の近傍にプラズマが生成される
が、先述したようにチャンバ６１の内壁を覆うように導
電性セラミックス製のライナ６７が設けられているた
め、チャンバ６１が腐食性ガス例えばＢＦ３ガスにより
損傷されることを防止することができ、先述の実施例と
同様な効果を得ることができる。
【００４７】なお、この実施例では導電性セラミックス
製のライナ６７を設けた例について説明したが、チャン
バ６１全体を導電性セラミックスによって構成しても良
い。
製のライナ６７を設けた例について説明したが、チャン
バ６１全体を導電性セラミックスによって構成しても良
い。
【００４８】次に本発明をプラズマエッチング装置に適
用した実施例を図５を参照して説明する。図５に示すよ
うに、プラズマエッチング装置７０には、材質例えば石
英などからなり、内部を気密に閉塞可能に構成されたチ
ャンバ７１が設けられている。このチャンバ７１内に
は、円板状に形成された上部電極７２と下部電極７３
が、互いに平行に対向して設けられており、下部電極７
３上には、被処理体としての半導体ウエハ３４が載置で
きるように構成されている。これらの上部電極７２と下
部電極７３は、上記の導電性セラミックスによって構成
されており、高周波電源７５に接続されている。また、
チャンバ７１には、ガス導入管７６と、排気管７７が接
続されている。
用した実施例を図５を参照して説明する。図５に示すよ
うに、プラズマエッチング装置７０には、材質例えば石
英などからなり、内部を気密に閉塞可能に構成されたチ
ャンバ７１が設けられている。このチャンバ７１内に
は、円板状に形成された上部電極７２と下部電極７３
が、互いに平行に対向して設けられており、下部電極７
３上には、被処理体としての半導体ウエハ３４が載置で
きるように構成されている。これらの上部電極７２と下
部電極７３は、上記の導電性セラミックスによって構成
されており、高周波電源７５に接続されている。また、
チャンバ７１には、ガス導入管７６と、排気管７７が接
続されている。
【００４９】この実施例では、チャンバ７１の図示しな
い開閉機構を開として、下部電極７３上に半導体ウエハ
７４を載置し、この開閉機構を閉じてチャンバ７１内を
気密に閉塞する。その後排気管７７から排気を行うと共
に、ガス導入配管７６から所定の処理ガス（例えばエッ
チングガスとして、腐食性の強いＣｌ２、ＳＦ６、ＣＨ
Ｆ３、ＣＦ４、ＢＣｌ３、ＨＢｒなど）を導入し、チャ
ンバ７１内を所定圧力の雰囲気とする。そして、高周波
電源７５により上部電極７２と下部電極７３との間に例
えば２．４５ＧＨｚ、１３．７５ＭＨｚ、４３５ＫＨｚ
等の所定周波数の電力を印加し、処理ガスをプラズマ化
して半導体ウエハ７４に作用させてエッチング処理を行
う。
い開閉機構を開として、下部電極７３上に半導体ウエハ
７４を載置し、この開閉機構を閉じてチャンバ７１内を
気密に閉塞する。その後排気管７７から排気を行うと共
に、ガス導入配管７６から所定の処理ガス（例えばエッ
チングガスとして、腐食性の強いＣｌ２、ＳＦ６、ＣＨ
Ｆ３、ＣＦ４、ＢＣｌ３、ＨＢｒなど）を導入し、チャ
ンバ７１内を所定圧力の雰囲気とする。そして、高周波
電源７５により上部電極７２と下部電極７３との間に例
えば２．４５ＧＨｚ、１３．７５ＭＨｚ、４３５ＫＨｚ
等の所定周波数の電力を印加し、処理ガスをプラズマ化
して半導体ウエハ７４に作用させてエッチング処理を行
う。
【００５０】この実施例においても上部電極７２と下部
電極７３が上記と同様な導電性セラミックスによって構
成されているので、これらの上部電極７２と下部電極７
３がプラズマにより損傷することを防止することがで
き、同様な効果を得ることができる。
電極７３が上記と同様な導電性セラミックスによって構
成されているので、これらの上部電極７２と下部電極７
３がプラズマにより損傷することを防止することがで
き、同様な効果を得ることができる。
【００５１】次に本発明をプラズマＣＶＤ装置に適用し
た実施例を図６を参照して説明する図６に示すように、
プラズマＣＶＤ装置８０には、例えば石英等からなる、
内部を気密に閉塞可能に構成された円筒状のチャンバ８
１が設けられている。このチャンバ８１内には、円板状
の電極板８２が棚状に配列されており、これらの電極板
８２は、一つおきに高周波電源８３の反対極性側に接続
されている。これらの電極板８２は上記と同様な導電性
セラミックスによって構成されている。
た実施例を図６を参照して説明する図６に示すように、
プラズマＣＶＤ装置８０には、例えば石英等からなる、
内部を気密に閉塞可能に構成された円筒状のチャンバ８
１が設けられている。このチャンバ８１内には、円板状
の電極板８２が棚状に配列されており、これらの電極板
８２は、一つおきに高周波電源８３の反対極性側に接続
されている。これらの電極板８２は上記と同様な導電性
セラミックスによって構成されている。
【００５２】また、チャンバ８１内には、で電極板８２
列を挟んで互に対向するように処理ガス導入部８４と排
気部８５が設けられており、図示矢印の如く各電極板８
２間に所定の処理ガス（例えばＣＶＤ処理ガスとして、
腐食性の強いガス、ＷＦ６、ＴｉＣｌ４、ＳｉＨ４、Ｓ
ｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２など）を流過させることがで
きるように構成されている。
列を挟んで互に対向するように処理ガス導入部８４と排
気部８５が設けられており、図示矢印の如く各電極板８
２間に所定の処理ガス（例えばＣＶＤ処理ガスとして、
腐食性の強いガス、ＷＦ６、ＴｉＣｌ４、ＳｉＨ４、Ｓ
ｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２など）を流過させることがで
きるように構成されている。
【００５３】この実施例では、最上部の電極板４２を除
いて、各電極板８２上に半導体ウエハ８８を載置し、排
気部８５から排気を行うと共に、処理ガス導入部８４か
ら所定の処理ガスを導入し、各電極板８２間に所定の処
理ガスを流過させつつ高周波電源８３により各電極板８
２間に高周波電力を印加することにより処理ガスがプラ
ズマ化され、各半導体ウエハ８６上にＣＶＤ膜が形成さ
れる。
いて、各電極板８２上に半導体ウエハ８８を載置し、排
気部８５から排気を行うと共に、処理ガス導入部８４か
ら所定の処理ガスを導入し、各電極板８２間に所定の処
理ガスを流過させつつ高周波電源８３により各電極板８
２間に高周波電力を印加することにより処理ガスがプラ
ズマ化され、各半導体ウエハ８６上にＣＶＤ膜が形成さ
れる。
【００５４】この実施例でも、各電極板８２が同様な導
電性セラミックスによって構成されているので、これら
の電極板８２がプラズマにより損傷されることを防止す
ることができ、同様な効果を得ることができる。
電性セラミックスによって構成されているので、これら
の電極板８２がプラズマにより損傷されることを防止す
ることができ、同様な効果を得ることができる。
【００５５】なお、上記実施例では、本発明を電子ビー
ム励起イオン源に適用した実施例、フリーマン型のイオ
ン源に適用した実施例、プラズマエッチング装置に適用
した実施例、及びプラズマＣＶＤ装置に適用した実施例
について説明したが、本発明はかかる実施例に限定され
るものではなく、プラズマを用いる装置であればアッシ
ング装置やＸ線源などどのような装置に対しても適用す
ることができる。
ム励起イオン源に適用した実施例、フリーマン型のイオ
ン源に適用した実施例、プラズマエッチング装置に適用
した実施例、及びプラズマＣＶＤ装置に適用した実施例
について説明したが、本発明はかかる実施例に限定され
るものではなく、プラズマを用いる装置であればアッシ
ング装置やＸ線源などどのような装置に対しても適用す
ることができる。
【００５６】
【発明の効果】本発明の電極材料によれば、耐食、耐熱
性に優れた性質を有するので、プラズマ雰囲気中で使用
される電極の損傷を抑え、ライフの向上を図ることがで
きる。この結果本発明のプラズマ処理装置によればメン
テナンスの頻度を低減して、装置の稼動率を向上させ、
スループットの向上を図ることができる。
性に優れた性質を有するので、プラズマ雰囲気中で使用
される電極の損傷を抑え、ライフの向上を図ることがで
きる。この結果本発明のプラズマ処理装置によればメン
テナンスの頻度を低減して、装置の稼動率を向上させ、
スループットの向上を図ることができる。
【図１】本発明の実施例に係るイオン源の構成を示す斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明の他の実施例に係るイオン源の構成を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】イオン源を組み込んだイオン注入装置を示す構
成図である。
成図である。
【図４】本発明の実施例に係るフリーマン型のイオン源
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例に係るプラズマエッチング装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例に係るプラズマＣＶＤ装置を示
す略解側面図である。
す略解側面図である。
１ イオン源 ２ 電子生成室 ２２ フィラメント ３１ プラズマカソード室 ４ イオン生成室 ６１ チャンバ ６７ ライナ ７１ チャンバ ７２、７３ 電極 ８１ チャンバ ８２ 電極板
フロントページの続き (72)発明者 磯崎 啓 福岡県大牟田市新開町１ 電気化学工業 株式会社 大牟田工場内 (72)発明者 平島 豊 福岡県大牟田市新開町１ 電気化学工業 株式会社 大牟田工場内 (56)参考文献 特開 昭59−232994（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−140085（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−142627（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−258086（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−239121（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−358074（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−233826（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01J 1/48 H01L 21/265 H01L 21/3065
Claims (3)
- 【請求項１】 ＺｒＢ２及び／又はＴｉＢ２４０〜６０
重量％、ＢＮ２０〜５０重量％及びＡｌＮ３０重量％以
下（０は含まず）からなるホットプレス焼結体からな
り、比抵抗が１×１０5 μΩ・ｃｍ以下であることを特
徴とする電極材料。 - 【請求項２】 処理ガスを電気的にプラズマ化し、この
プラズマを利用して被処理体に処理を施すプラズマ処理
装置において、 前記処理ガスと接触する電極の少なくとも表面部を、Ｚ
ｒＢ２及び／又はＴｉＢ２４０〜６０重量％、及びＢＮ
６０〜４０重量％からなる導電性セラミックスにより構
成したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 処理ガスを電気的にプラズマ化し、この
プラズマを利用して被処理体に処理を施すプラズマ処理
装置において、 前記処理ガスと接触する電極の少なくとも表面部を、請
求項１記載の電極材料により構成し、この電極材料のホ
ットプレスの加圧方向に平行な面がプラズマ雰囲気に接
するように構成したことを特徴とするプラズマ処理装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33007292A JP3066783B2 (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 電極材料及びそれを用いたプラズマ処理装置 |
| KR1019930024345A KR100272044B1 (ko) | 1992-11-16 | 1993-11-16 | 내열성 전극재료와 그것을 이용한 전극 및 그 전극을 이용한 플라스마 생성부를 갖는 장치 |
| US08/782,939 US5698035A (en) | 1992-11-16 | 1997-01-13 | Heat-resistant electrode material, electrode using the same, and apparatus having plasma generating unit using this electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33007292A JP3066783B2 (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 電極材料及びそれを用いたプラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163431A JPH06163431A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3066783B2 true JP3066783B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=18228472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33007292A Expired - Fee Related JP3066783B2 (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 電極材料及びそれを用いたプラズマ処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5698035A (ja) |
| JP (1) | JP3066783B2 (ja) |
| KR (1) | KR100272044B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US6082294A (en) * | 1996-06-07 | 2000-07-04 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Method and apparatus for depositing diamond film |
| US5944940A (en) * | 1996-07-09 | 1999-08-31 | Gamma Precision Technology, Inc. | Wafer transfer system and method of using the same |
| US6079355A (en) * | 1997-02-11 | 2000-06-27 | United Microelectronics Corp. | Alignment aid for an electrode plate assembly |
| JP2000214575A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Sharp Corp | クロムマスクの形成方法 |
| JP4331427B2 (ja) * | 2001-10-03 | 2009-09-16 | 住友電気工業株式会社 | 半導体製造装置に使用される給電用電極部材 |
| US20060081337A1 (en) * | 2004-03-12 | 2006-04-20 | Shinji Himori | Capacitive coupling plasma processing apparatus |
| WO2006000846A1 (en) * | 2004-06-08 | 2006-01-05 | Epispeed S.A. | System for low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| CN101889329B (zh) * | 2007-10-31 | 2012-07-04 | 朗姆研究公司 | 长寿命可消耗氮化硅-二氧化硅等离子处理部件 |
| US20090166555A1 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | Olson Joseph C | RF electron source for ionizing gas clusters |
| US8476587B2 (en) | 2009-05-13 | 2013-07-02 | Micromass Uk Limited | Ion source with surface coating |
| GB0908246D0 (en) * | 2009-05-13 | 2009-06-24 | Micromass Ltd | Surface coating on ion source |
| US8410704B1 (en) * | 2011-11-30 | 2013-04-02 | Agilent Technologies, Inc. | Ionization device |
-
1992
- 1992-11-16 JP JP33007292A patent/JP3066783B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-11-16 KR KR1019930024345A patent/KR100272044B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-01-13 US US08/782,939 patent/US5698035A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940012514A (ko) | 1994-06-23 |
| US5698035A (en) | 1997-12-16 |
| KR100272044B1 (ko) | 2000-12-01 |
| JPH06163431A (ja) | 1994-06-10 |
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