JP3065380B2 - エッチング速度モニタ - Google Patents
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- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体その他のウェー
ハのエッチング室内での加工中のエッチング速度をモニ
タする技術に関するものである。
ハのエッチング室内での加工中のエッチング速度をモニ
タする技術に関するものである。
【0002】
【従来技術】半導体ウェーハ加工中のエッチング速度の
従来のモニタ方法では、窓を通してエッチング室内のウ
ェーハ上の繰返しパタンを照射して、光検出装置を使用
して繰返しパタンからの回折図形の変化をモニタしてい
る。
従来のモニタ方法では、窓を通してエッチング室内のウ
ェーハ上の繰返しパタンを照射して、光検出装置を使用
して繰返しパタンからの回折図形の変化をモニタしてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような在来の装置
は、極端にパタンに依存しており、そのために組立て、
保守および使用がかなり複雑なものになっている。また
アライメントに対しきわめて鋭敏であるため、細部に十
分深く浸透させることが困難で、ごく僅かの次数の回折
光だけしか集光、処理されないために、ノイズ比に対す
る信号が劣ったものとなっている。
は、極端にパタンに依存しており、そのために組立て、
保守および使用がかなり複雑なものになっている。また
アライメントに対しきわめて鋭敏であるため、細部に十
分深く浸透させることが困難で、ごく僅かの次数の回折
光だけしか集光、処理されないために、ノイズ比に対す
る信号が劣ったものとなっている。
【0004】
【課題を解決するための手段】先行技術の前記欠点は、
エッチング室内のマスクウェーハ表面に垂直入射する平
行光ビームを当てるための手段と、ウェーハ表面から回
折した光を集めるための手段と、時間によって変わる光
の強度に応じてエッチング室内のエッチング速度をモニ
タするための手段とから成る、ウェーハ加工用エッチン
グ速度モニタを提供する本発明により、対処、克服され
る。
エッチング室内のマスクウェーハ表面に垂直入射する平
行光ビームを当てるための手段と、ウェーハ表面から回
折した光を集めるための手段と、時間によって変わる光
の強度に応じてエッチング室内のエッチング速度をモニ
タするための手段とから成る、ウェーハ加工用エッチン
グ速度モニタを提供する本発明により、対処、克服され
る。
【0005】更に本発明は、加工中のマスクウェーハ表
面に垂直入射する平行光ビームを当て、ウェーハ表面か
ら回折した光を集め、時間によって変わる集められた光
の強度に応じてエッチング速度をモニタすることによっ
て、ウェーハ加工中のエッチング速度をモニタする方法
を提供するものである。本発明のその他の特徴および利
点は、以下の詳細な説明と添付図面からさらに明らかに
なる。図面と説明文の数字は本発明の数々の特徴を示し
たもので、図面および説明を通じて同じ特徴に対し同じ
数字が付されている。
面に垂直入射する平行光ビームを当て、ウェーハ表面か
ら回折した光を集め、時間によって変わる集められた光
の強度に応じてエッチング速度をモニタすることによっ
て、ウェーハ加工中のエッチング速度をモニタする方法
を提供するものである。本発明のその他の特徴および利
点は、以下の詳細な説明と添付図面からさらに明らかに
なる。図面と説明文の数字は本発明の数々の特徴を示し
たもので、図面および説明を通じて同じ特徴に対し同じ
数字が付されている。
【0006】
【実施例】図1は、半導体ウェーハ12を含んだエッチ
ング室10の一部を示したものである。エッチング加工
には様々な種類があり、色々な素材がエッチングされ、
レジスト、マスク、レジストマスクなどで保護される
が、本発明を適切に説明するため、以下ではそれらの共
通例を挙げて説明する。
ング室10の一部を示したものである。エッチング加工
には様々な種類があり、色々な素材がエッチングされ、
レジスト、マスク、レジストマスクなどで保護される
が、本発明を適切に説明するため、以下ではそれらの共
通例を挙げて説明する。
【0007】半導体ウェーハ12は珪素結晶体のベース
14で形成され、ベース上には二酸化珪素などの素材層
16があり、これがエッチング室10における加工工程
でエッチングされる。レジストパタン18など、耐腐食
材のパタンが、二酸化珪素層16などのエッチングを施
される層上に、希望の繰返しマスキングパタンとして形
成されている。マスキングパタンの繰返しが、次工程に
おいて型13などの半導体分離型に分離される半導体ウ
ェーハ12の部位を表している。エッチング室10にお
ける作業過程の間、二酸化珪素層16のレジストパタン
18によって保護されていない部位、20,22,24
等は、図示されていないエッチング加工によって食刻、
除去される。このシステムはほかにも、単結晶やポリシ
リコンの埋め込み加工を含む他のウェーハ加工における
エッチング速度のモニタリングにも利用することができ
る。
14で形成され、ベース上には二酸化珪素などの素材層
16があり、これがエッチング室10における加工工程
でエッチングされる。レジストパタン18など、耐腐食
材のパタンが、二酸化珪素層16などのエッチングを施
される層上に、希望の繰返しマスキングパタンとして形
成されている。マスキングパタンの繰返しが、次工程に
おいて型13などの半導体分離型に分離される半導体ウ
ェーハ12の部位を表している。エッチング室10にお
ける作業過程の間、二酸化珪素層16のレジストパタン
18によって保護されていない部位、20,22,24
等は、図示されていないエッチング加工によって食刻、
除去される。このシステムはほかにも、単結晶やポリシ
リコンの埋め込み加工を含む他のウェーハ加工における
エッチング速度のモニタリングにも利用することができ
る。
【0008】エッチング工程の重要ポイントは、エッチ
ングの深さである。細心の注意と計画によって希望通り
の分量の素材を除去するために必要なエッチングの深さ
を事前に決める試みがなされるにもかかわらず、エッチ
ングが適切に行なわれたウェーハ歩留を良くするため
に、加工されているウェーハに対し適切なタイミングで
エッチング工程を終了させるため、エッチングの深さを
実際にモニタすることがなおきわめて重要である。
ングの深さである。細心の注意と計画によって希望通り
の分量の素材を除去するために必要なエッチングの深さ
を事前に決める試みがなされるにもかかわらず、エッチ
ングが適切に行なわれたウェーハ歩留を良くするため
に、加工されているウェーハに対し適切なタイミングで
エッチング工程を終了させるため、エッチングの深さを
実際にモニタすることがなおきわめて重要である。
【0009】エッチング室10には窓26があり、これ
を通してエッチング工程を観察することができる。本発
明に従った方法において、光源28は入射平行光ビーム
30を供給する。その直径d(入射)は、型13の最大
直径よりも若干大きくなっているのが望ましい。型13
が長方形である場合には、d(入射)を型13の対角線
の長さよりごく僅かだけ大きくし、窓26を通って出現
する回折光の集光と競合しないようにしなければならな
い。
を通してエッチング工程を観察することができる。本発
明に従った方法において、光源28は入射平行光ビーム
30を供給する。その直径d(入射)は、型13の最大
直径よりも若干大きくなっているのが望ましい。型13
が長方形である場合には、d(入射)を型13の対角線
の長さよりごく僅かだけ大きくし、窓26を通って出現
する回折光の集光と競合しないようにしなければならな
い。
【0010】すなわち、d(入射)の直径の増大にとも
なって、d(入射)が通過しなければならない集光素子
36を貫通する図示されていない開口部は大きくならな
ければならない。その結果、集光素子36の有効面積は
小さくなり、従って、集光素子によって集められる回折
光は少なくなる。光源28及び光源と連携する光学素子
32は、平行光ビーム30が前記集光素子36の開口部
を通って半導体ウェーハ12の表面に垂直に入射するよ
う、エッチング室10に対して取付けられている。入射
平行光ビーム30は、回折光の集光を最大にするため、
窓26の周囲付近に入るのが好ましい。
なって、d(入射)が通過しなければならない集光素子
36を貫通する図示されていない開口部は大きくならな
ければならない。その結果、集光素子36の有効面積は
小さくなり、従って、集光素子によって集められる回折
光は少なくなる。光源28及び光源と連携する光学素子
32は、平行光ビーム30が前記集光素子36の開口部
を通って半導体ウェーハ12の表面に垂直に入射するよ
う、エッチング室10に対して取付けられている。入射
平行光ビーム30は、回折光の集光を最大にするため、
窓26の周囲付近に入るのが好ましい。
【0011】光源素子32は強化ファイバビームホモジ
ェナイザ37を含み、このビームホモジェナイザ37
は、光学レーザであるのが好ましい光源28と、可変焦
点距離のコリメートレンズ39との間に配置され、入射
平行光ビーム30の光が極力均質になるようにしてい
る。入射平行光ビーム30の直径は、可変焦点距離のコ
リメートレンズ39を強化ファイバのビームホモジェナ
イザ37に対して移動させることにより、調整すること
ができる。
ェナイザ37を含み、このビームホモジェナイザ37
は、光学レーザであるのが好ましい光源28と、可変焦
点距離のコリメートレンズ39との間に配置され、入射
平行光ビーム30の光が極力均質になるようにしてい
る。入射平行光ビーム30の直径は、可変焦点距離のコ
リメートレンズ39を強化ファイバのビームホモジェナ
イザ37に対して移動させることにより、調整すること
ができる。
【0012】繰返しレジストパタン18は回折格子とし
て機能し、入射平行光ビーム30を受けて多くの回折光
を反射する。多くの回折光は窓26を通って出現する。
そのうちの幾つかは、図2に関する説明で後述されるよ
うに、窓26を通って出現し、反射光路34に沿って集
光素子36に至る。半導体ウェーハ12は、少なくとも
1象限の回折光が窓26から出現できるように、できる
だけ窓26の近くに位置決めされるべきである。
て機能し、入射平行光ビーム30を受けて多くの回折光
を反射する。多くの回折光は窓26を通って出現する。
そのうちの幾つかは、図2に関する説明で後述されるよ
うに、窓26を通って出現し、反射光路34に沿って集
光素子36に至る。半導体ウェーハ12は、少なくとも
1象限の回折光が窓26から出現できるように、できる
だけ窓26の近くに位置決めされるべきである。
【0013】集光素子36は、できるだけ多くの回折光
を集めるため、フレネルレンズや正のレンズ等の、直径
が大きく焦点距離が短いレンズになっている。構造上光
を分散する傾向があるフレネルレンズより正のレンズの
方が、検出器38に達する回折光の質が優れたものにな
る。しかし正のレンズはきわめて分厚くならざるを得
ず、そのため重くて扱いにくい。ほかにもレンズの厚み
そのものによって、入射光が減衰してしまう。フレネル
レンズはこれよりも薄くて扱い易いが、光を分散するた
め応用分野によっては使用できない。この問題を軽減す
る別の実施例を以下図3および図4に示す。
を集めるため、フレネルレンズや正のレンズ等の、直径
が大きく焦点距離が短いレンズになっている。構造上光
を分散する傾向があるフレネルレンズより正のレンズの
方が、検出器38に達する回折光の質が優れたものにな
る。しかし正のレンズはきわめて分厚くならざるを得
ず、そのため重くて扱いにくい。ほかにもレンズの厚み
そのものによって、入射光が減衰してしまう。フレネル
レンズはこれよりも薄くて扱い易いが、光を分散するた
め応用分野によっては使用できない。この問題を軽減す
る別の実施例を以下図3および図4に示す。
【0014】集光素子36には穴などの開口部があり、
入射平行光ビーム30が妨害されずに半導体ウェーハ1
2に到達できるようになっている。集光素子36は、反
射路34に沿って出現した、検出器38に向かう回折光
の向きを、集光素子36の光軸と平行に変える役割を果
たしている。検出器38は通常の光検出装置で良く、図
示されていない電気系とともに、エッチング室10内の
エッチング速度のモニタリングに使用される。
入射平行光ビーム30が妨害されずに半導体ウェーハ1
2に到達できるようになっている。集光素子36は、反
射路34に沿って出現した、検出器38に向かう回折光
の向きを、集光素子36の光軸と平行に変える役割を果
たしている。検出器38は通常の光検出装置で良く、図
示されていない電気系とともに、エッチング室10内の
エッチング速度のモニタリングに使用される。
【0015】作業中、エッチング速度Rは、レジストパ
タン18によって回折された光のうち集めたれた部分の
強度をモニタすることにより、測定することができる。
この強度は、1つの繰返しパタン内でエッチングの深さ
の関数として変化する。図2を参照して以下で詳述する
ように、特徴深さdと呼ばれるエッチングの深さが入射
光の波長の二分の一増すごとに、強度は最大値から最小
値に変わる。
タン18によって回折された光のうち集めたれた部分の
強度をモニタすることにより、測定することができる。
この強度は、1つの繰返しパタン内でエッチングの深さ
の関数として変化する。図2を参照して以下で詳述する
ように、特徴深さdと呼ばれるエッチングの深さが入射
光の波長の二分の一増すごとに、強度は最大値から最小
値に変わる。
【0016】今、図2を参照すると、平行光ビーム30
はレジストパタン18に対し垂直に入射する。エッチン
グ加工によって、二酸化珪素層16のエッチング面35
は食刻され、食刻部はどんどん深くなってレジストパタ
ン18面の下方に達する。このようにエッチング加工に
よって、光線33で示される光源28からエッチング面
35に達する光路は長くなる。光源33からパタン18
に達する光路は光線31で示され、エッチング加工が行
なわれてもその全長に変化はない。従って光線33の全
長は、光線31の全長よりも特徴深さd分だけ長くなっ
ている。
はレジストパタン18に対し垂直に入射する。エッチン
グ加工によって、二酸化珪素層16のエッチング面35
は食刻され、食刻部はどんどん深くなってレジストパタ
ン18面の下方に達する。このようにエッチング加工に
よって、光線33で示される光源28からエッチング面
35に達する光路は長くなる。光源33からパタン18
に達する光路は光線31で示され、エッチング加工が行
なわれてもその全長に変化はない。従って光線33の全
長は、光線31の全長よりも特徴深さd分だけ長くなっ
ている。
【0017】光線31と光線33の長さの差が入射平行
光ビーム30の波長の二分の一の奇数倍に等しい時、両
者は互いに対し180°位相を異にして検出器38に達
し、弱めあうように干渉する。弱めあう干渉の結果、光
の強度は検出可能な範囲で減少し、検出器38はこれを
モニタする。光線31と光線33の長さの差が入射平行
光ビーム30の波長の二分の一の偶数倍に等しい時、両
者はぴったり同位相で検出器38に達し、強めあうよう
に干渉する。強めあう干渉の結果、弱めあう干渉の時よ
りも光の強度は検出可能な範囲で増大し、検出器38は
これをモニタする。
光ビーム30の波長の二分の一の奇数倍に等しい時、両
者は互いに対し180°位相を異にして検出器38に達
し、弱めあうように干渉する。弱めあう干渉の結果、光
の強度は検出可能な範囲で減少し、検出器38はこれを
モニタする。光線31と光線33の長さの差が入射平行
光ビーム30の波長の二分の一の偶数倍に等しい時、両
者はぴったり同位相で検出器38に達し、強めあうよう
に干渉する。強めあう干渉の結果、弱めあう干渉の時よ
りも光の強度は検出可能な範囲で増大し、検出器38は
これをモニタする。
【0018】このように検出器38がモニタする光の強
度は、次式に示されるように特徴深さdが入射光の波長
λの二分の一に等しい量Δd変化する毎に、強めあう干
渉、弱めあう干渉の結果として、最大値と最小値をと
る。 Δd = λ / 2 エッチング速度Rは、時間の関数としての特徴深さdの
変化速度であり、繰返し周期T、すなわち最大強度また
は最小強度の出現間隔(時間)をモニタすることにより
測定され、検出器38がこれを計算する。各々の繰返し
周期Tは、入射平行光ビーム30の波長の二分の一に等
しい深さの変化を示す。例えば、最小強度間の繰返し周
期Tをモニタするとしよう。その時のエッチング速度R
は、入射平行光ビーム30の波長と繰返し周期Tから、
次式に従って測定される。
度は、次式に示されるように特徴深さdが入射光の波長
λの二分の一に等しい量Δd変化する毎に、強めあう干
渉、弱めあう干渉の結果として、最大値と最小値をと
る。 Δd = λ / 2 エッチング速度Rは、時間の関数としての特徴深さdの
変化速度であり、繰返し周期T、すなわち最大強度また
は最小強度の出現間隔(時間)をモニタすることにより
測定され、検出器38がこれを計算する。各々の繰返し
周期Tは、入射平行光ビーム30の波長の二分の一に等
しい深さの変化を示す。例えば、最小強度間の繰返し周
期Tをモニタするとしよう。その時のエッチング速度R
は、入射平行光ビーム30の波長と繰返し周期Tから、
次式に従って測定される。
【0019】R = Δd / T = λ / 2T 検出器38が測定するエッチング速度モニタリング情報
の精度は、集光素子36と検出器38の間に干渉フィル
タ40を配置し、ノイズを増やしてモニタリング精度を
低下させるプラズマ光、周囲光、その他の光源を除去す
ることによって、向上させることができる。干渉フィル
タ40には、光ビームが垂直に入射しなければならな
い。そのため、コリメートレンズ42が集光素子36と
干渉フィルタ40の間に設けられている。コリメートレ
ンズ42は、負の焦点を有す平凹レンズであるのが便利
であろう。
の精度は、集光素子36と検出器38の間に干渉フィル
タ40を配置し、ノイズを増やしてモニタリング精度を
低下させるプラズマ光、周囲光、その他の光源を除去す
ることによって、向上させることができる。干渉フィル
タ40には、光ビームが垂直に入射しなければならな
い。そのため、コリメートレンズ42が集光素子36と
干渉フィルタ40の間に設けられている。コリメートレ
ンズ42は、負の焦点を有す平凹レンズであるのが便利
であろう。
【0020】更に、特徴深さのきわめて微細な変化をも
簡単にモニタできるようにするため、波長がきわめて短
い光を発する光源28を選択するのが望ましい。図3は
本発明に従ったエッチング速度モニタを示したもので、
半導体ウェーハ12からの回折光をコリメートレンズ4
2上に集めるため、図1の集光素子36、干渉フィルタ
40、検出器38の代わりに、凹形球面鏡44などの反
射光学系が使用されている。凹面鏡44には図示されて
いない開口部が設けられており、光源素子32から出た
入射平行光ビーム30が何物にも遮られずに窓26を通
って半導体ウェーハ12に達することができるようにな
っている。凹形球面鏡44の集光品質は、図1で集光素
子36として使用される正のレンズと等しく、また同一
条件下ではフレネルレンズの集光品質よりも大幅に優れ
ている。
簡単にモニタできるようにするため、波長がきわめて短
い光を発する光源28を選択するのが望ましい。図3は
本発明に従ったエッチング速度モニタを示したもので、
半導体ウェーハ12からの回折光をコリメートレンズ4
2上に集めるため、図1の集光素子36、干渉フィルタ
40、検出器38の代わりに、凹形球面鏡44などの反
射光学系が使用されている。凹面鏡44には図示されて
いない開口部が設けられており、光源素子32から出た
入射平行光ビーム30が何物にも遮られずに窓26を通
って半導体ウェーハ12に達することができるようにな
っている。凹形球面鏡44の集光品質は、図1で集光素
子36として使用される正のレンズと等しく、また同一
条件下ではフレネルレンズの集光品質よりも大幅に優れ
ている。
【0021】ほかにも凹面鏡44では、大変分厚い正の
レンズの欠点である減衰、損失がなく、重量も軽い。凹
面鏡44は反射によって回折光の向きをコリメートレン
ズ42、干渉フィルタ40、検出器38の方に変えるた
め、これらの装置はエッチング室10にさらに近付けて
配置することが可能となり、その結果、装置全体がコン
パクトになり、ひとまとめにすることができる。
レンズの欠点である減衰、損失がなく、重量も軽い。凹
面鏡44は反射によって回折光の向きをコリメートレン
ズ42、干渉フィルタ40、検出器38の方に変えるた
め、これらの装置はエッチング室10にさらに近付けて
配置することが可能となり、その結果、装置全体がコン
パクトになり、ひとまとめにすることができる。
【0022】図4は、本発明に従ったエッチング速度モ
ニタのさらに別の実施例を示したもので、半導体ウェー
ハ12からの回折光を集光、検出するため、図1の集光
素子36、図2の凹面鏡44に代わって、光検出器46
が使用されている。干渉フィルタ40は、ちょうど光検
出器46と窓26の間に配置することができる。光検出
器46やエッチング室10から発生する熱については、
光検出器46の干渉フィルタ40の反対側の面に熱交換
器48を配置することで、便利に対処できる。熱交換器
48は、光検出器46の終始変わらぬ性能を保証する、
水冷式熱交換器で流入孔50と流出孔52を備えたもの
であっても良い。
ニタのさらに別の実施例を示したもので、半導体ウェー
ハ12からの回折光を集光、検出するため、図1の集光
素子36、図2の凹面鏡44に代わって、光検出器46
が使用されている。干渉フィルタ40は、ちょうど光検
出器46と窓26の間に配置することができる。光検出
器46やエッチング室10から発生する熱については、
光検出器46の干渉フィルタ40の反対側の面に熱交換
器48を配置することで、便利に対処できる。熱交換器
48は、光検出器46の終始変わらぬ性能を保証する、
水冷式熱交換器で流入孔50と流出孔52を備えたもの
であっても良い。
【0023】光検出器46と熱交換器48には、光源素
子32から出た入射平行光ビーム30が何物にも遮られ
ずに窓26を通って半導体ウェーハ12に達することが
できるよう、開口部がなくてはならない。干渉フィルタ
40は入射平行光ビーム30と波長が等しい光を通し、
波長が異なる光は通さないため、干渉フィルタ40に入
射平行光ビーム30が通過するための開口部を設ける必
要はない。
子32から出た入射平行光ビーム30が何物にも遮られ
ずに窓26を通って半導体ウェーハ12に達することが
できるよう、開口部がなくてはならない。干渉フィルタ
40は入射平行光ビーム30と波長が等しい光を通し、
波長が異なる光は通さないため、干渉フィルタ40に入
射平行光ビーム30が通過するための開口部を設ける必
要はない。
【0024】光検出器46は、応用例に応じ、1つであ
っても沢山であってもかまわない。図2の凹面鏡44、
図1の集光素子36に対する光検出器46の長所は、簡
単な構造、コンパクトさ、便利さである。光検出器46
の回折光の集光能力を向上させるためには、光検出器4
6を軸47等の軸のまわりにあらかじめ決められた回転
角度で取付けて、回折光が光検出器46の表面に対しで
きるだけ垂直に当るようにするのが望ましい。
っても沢山であってもかまわない。図2の凹面鏡44、
図1の集光素子36に対する光検出器46の長所は、簡
単な構造、コンパクトさ、便利さである。光検出器46
の回折光の集光能力を向上させるためには、光検出器4
6を軸47等の軸のまわりにあらかじめ決められた回転
角度で取付けて、回折光が光検出器46の表面に対しで
きるだけ垂直に当るようにするのが望ましい。
【0025】以上、好ましい実施例を参照しながら本発
明を説明したが、本発明の範囲はそれに限定されるもの
ではない。本発明の範囲は、前記特許請求の範囲に記載
された事項のみにより制限されるのであって、実施例と
同等のものは全て本発明に含まれる。
明を説明したが、本発明の範囲はそれに限定されるもの
ではない。本発明の範囲は、前記特許請求の範囲に記載
された事項のみにより制限されるのであって、実施例と
同等のものは全て本発明に含まれる。
【図1】回折光の集光のためにレンズ系が使用されてい
る、本発明に従ったエッチング室の一部と、それと連携
したエッチング速度モニタを示した図である。
る、本発明に従ったエッチング室の一部と、それと連携
したエッチング速度モニタを示した図である。
【図2】図1に示された半導体ウェーハの、エッチング
を施される部位を示した図である。
を施される部位を示した図である。
【図3】回折光の集光のために凹面鏡が使用されてい
る、本発明に従った別の実施例を示した図である。
る、本発明に従った別の実施例を示した図である。
【図4】回折光の集光のために光検出器が直接使用され
ている、本発明に従ったさらに別の実施例を示した図で
ある。
ている、本発明に従ったさらに別の実施例を示した図で
ある。
10…エッチング室 12…半導体ウェーハ 14…ベース 16…二酸化珪素層 18…レジストパタン 26…窓 28…光源 30…平行光ビーム 32…光学素子 36…集光素子 37…ビームホモジェナイザ 38…検出器 39…コリメートレンズ 40…干渉フィルタ 44…凹形球面鏡 46…光検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブルーノ ストラル アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94306 パロ アルト ウェイヴァリー ストリート 2633 (72)発明者 リチャード デ ガース アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95014 クーパーティノ ジョン ドラ イヴ 6721 (72)発明者 ピーター エッビング アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94024 ロス アルトス リヴァーサイ ド ドライヴ 847 (56)参考文献 特開 平3−145127(JP,A)
Claims (3)
- 【請求項1】 エッチング室内でエッチングされる基板
のエッチング速度をモニタするエッチング速度モニタで
あって、 a)前記エッチング室に設けた光透過性窓と、 b)前記窓を通過して前記基板に到達する平行光ビーム
をエッチングされる基板の表面に垂直入射角で当てる手
段と、 c)前記平行光ビームの光路に対して十分な角度をなし
て前記窓を通過する時間によって強度の変わる多くの回
折光を含む反射光を集める平行ビームが通過する開口部
を有する手段と、 d)前記反射光用の光検出器と、 e)前記光検出器に結合され、反射光の時間によって変
わる強度に応答して前記エッチング室でのエッチング速
度をモニタする手段と、 を含むエッチング速度モニタ。 - 【請求項2】 エッチング室内でエッチングされる基板
のエッチング速度をモニタするエッチング速度モニタで
あって、 a)前記エッチング室に設けた光透過性窓と、 b)前記窓の周囲近くで前記窓を通過して前記基板に到
達する平行光ビームをエッチングされる基板の表面に垂
直入射角で当てる手段と、 c)前記平行光ビームの光路に対して十分な角度をなし
て前記窓を通過する時間によって強度の変わる多くの回
折光を含む反射光を集める平行ビームが通過する開口部
を有する手段と、 d)前記反射光用の光検出器と、 e)前記光検出器に結合され、反射光の時間によって変
わる強度に応答して前記エッチング室でのエッチング速
度をモニタする手段と、 を含むエッチング速度モニタ。 - 【請求項3】 前記反射光を集める手段が、 干渉フィルタと、エッチングされる基板の表面から反射
された光を集め、集められた反射光を前記干渉フィルタ
に差し向ける集光素子と、前記集光素子によって集めら
れた反射光を前記干渉フィルタに当てるコリメートレン
ズと、 を含む請求項1又は2に記載のエッチング速度モニタ。
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JP5920255B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2016-05-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられるドライエッチング装置 |
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-
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- 1991-06-19 KR KR1019910010173A patent/KR100226002B1/ko not_active IP Right Cessation
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