JP3065072B2

JP3065072B2 - 半導体レ―ザモジュ―ルとその製造方法

Info

Publication number: JP3065072B2
Application number: JP11085000A
Authority: JP
Inventors: 敏男高木; 隆志加藤
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1998-03-30
Filing date: 1999-03-26
Publication date: 2000-07-12
Anticipated expiration: 2019-03-26
Also published as: JPH11344647A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザモジュ
ールに関する。より詳細には、本発明は、光源である半
導体レーザと光導波路である光ファイバとを組み合わせ
てなる半導体レーザモジュールの新規な構成と、その半
導体レーザモジュールを製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザモジュールは、基本的には
電気／光変換素子であるＬＤ等の半導体レーザと、その
半導体レーザから発生したレーザ光を利用目的に応じて
効率良く伝播させるための光ファイバとを一体にして構
成される。このような半導体レーザモジュールにおいて
は、半導体レーザの出射部と光ファイバの入射端との光
学的な結合効率を向上させるために、両者の相対位置が
高精度に調整されている。

【０００３】また、素子の両端面でレーザ発振のための
光共振器を構成する一般的な半導体レーザでは、共振器
長は半導体レーザ素子の寸法と概ね等しい。これに対し
て、「光ファイバのコア部に形成された回折格子」（以
下、「ＦＧ」と記載する）と半導体レーザを組み合わせ
て光共振器を構成した半導体レーザモジュールでは、Ｆ
Ｇと半導体レーザの一方の端面の間隔が光共振器長とな
る。このため、ＦＧを用いた半導体レーザモジュールの
共振器長は相対的に長くなり、キャリアが共振器内に注
入されてからコヒーレントな光が生成されるまでの時間
が長くなる。そして、これは、その半導体レーザモジュ
ールの高周波特性が劣化することを意味する。このよう
な半導体レーザモジュールの高周波性能を向上させるた
めには、半導体レーザとそれに結合される光ファイバ先
端の間隔をできるだけ短くしなければならない。そこ
で、半導体レーザと光ファイバの間に集光レンズ等の光
学部材を装入することは避け、半導体レーザと光ファイ
バを直接に結合することが望ましい。

【０００４】上記のような半導体レーザモジュールは、
例えば、特表平１−503569号公報等に従来例が記載され
ている。

【０００５】すなわち、特表平１−503569号公報に開示
されている半導体レーザモジュールでは半導体レーザは
箱状のパッケージに収容されており、このパッケージの
ひとつの側壁を貫通してフェルールが固定されている。
尚、フェルールに収容されている部分では、光ファイバ
のコア部に回折格子が形成されている。フェルールが固
定される際には、半導体レーザと光ファイバが効率よく
結合するように精密な位置決めが行われる。また、この
半導体レーザモジュールでは、フェルールは、その先端
側と後端側とで支持・固定されており、調芯の際には、
先端側の固定点を支点として後端を変移させることによ
り、フェルール自体の長さを梃子として微調整を行い易
く構成されている。こうして精密調芯された半導体レー
ザモジュールを製品として供給することにより、光通信
システム等を構築する際に電気回路と光回路とのインタ
ーフェイスを簡単に形成することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、半導体
レーザモジュールは、その製造工程において高度な調芯
が行われ、電気回路と光回路の効率のよい結合を現場で
利用することを可能にしている。しかしながら、実際に
供給されている半導体レーザモジュールをシステムに実
装した場合、必ずしも所期の性能、特に結合効率が得ら
れない場合がある。また、時間の経過と共に、半導体レ
ーザ素子の劣化とは異なる出力の低下あるいは発振波長
の変動が発生する場合もある。

【０００７】本発明は、上記従来技術の問題点を解決
し、半導体レーザと光ファイバとの物理的な配置に起因
する性能劣化を低減した新規な構成の半導体レーザモジ
ュールを提供することをその目的としている。また、そ
のような半導体レーザモジュールを製造する方法を提供
することも本発明の目的のひとつである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に従うと、パッケ
ージに収容された光源としての半導体レーザと、該半導
体レーザが発生したレーザ光をパッケージの外部へ導く
光導波路としての光ファイバとを一体にしてなる半導体
レーザモジュールにおいて；該光ファイバの入射端近傍
に装着されたフェルールと、該パッケージ内で該半導体
レーザを支持する水平部と、該半導体レーザの出射光路
と交差するように該水平部から垂直に立ち上がった垂直
部とを含み、且つ、該フェルールの外径よりも十分に大
きな内径を有して該フェルールを挿通することができる
貫通孔を該垂直部に備えたサブマウントと、該フェルー
ルの外径と実質的に同じ内径の貫通孔を有し、該貫通孔
に挿通された該フェルールの先端近傍に装着された第１
直接支持部材と、該フェルールの外径と実質的に同じ内
径の貫通孔を有し、該貫通孔に挿通された該フェルール
の後端近傍に装着された第２直接支持部材とを備え；該
貫通孔に先端を挿通された該フェルールが、その先端に
近い端部近傍では第１直接支持部材を介して、その後端
近傍では第２直接支持部材を介して、それぞれ該サブマ
ウントに対して固定され且つ支持されていることを特徴
とする半導体レーザモジュールが提供される。

【０００９】また、本発明の好ましい実施態様に従う
と、上記半導体レーザモジュールにおいて、前記フェル
ールの外径に対して十分に大きな内径を有する筒状の形
状を有し、一端を前記第１直接支持部材に固定された間
接支持部材を更に備え、前記第２直接支持部材が、該間
接支持部材および該第１直接支持部材を介して前記サブ
マウントの垂直部に固定されていることが好ましい。

【００１０】また、上記本発明に係る半導体レーザモジ
ュールを製造する方法として、本発明により下記の工程
を含む半導体レーザモジュールの製造方法が提供され
る。

【００１１】(1) 該第２直接支持部材、該間接支持部
材、該第１直接支持部材の各貫通孔に該フェルールを挿
通した後、該第１直接支持部材を該フェルールの入射端
近傍に固定する第１の工程と、(2) 該水平部に装荷され
た半導体レーザと該光ファイバを調芯して光結合させた
後、第１直接支持部材を該サブマウントに固定する第２
の工程と、(3) 該第１支持部材に該間接支持部材を固定
する第３の工程と、(4) 該第２直接支持部材を該フェル
ールの他端近傍に固定する第４の工程と、(5) 該半導体
レーザと該光ファイバを改めて調芯した後、第２直接支
持部材と該間接支持部材を相互に固定する第５の工程。

【００１２】尚、上記の製造方法における「調芯」と
は、半導体レーザと光ファイバとが最も効率良く結合さ
れるように、相互の位置関係並びに角度を調節する作業
を指している。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体レーザモジュ
ールは、フェルールが、パッケージ内に格納されたサブ
マウントに対して固定されている点にその最も主要な特
徴がある。

【００１４】すなわち、従来の半導体レーザモジュール
では、フェルールを支持するための各部材を、結局はパ
ッケージの壁面に固定するという構造であった。このた
め、製造時の調整をいかに精密に行っても、実装時に発
生した応力や、使用環境における温度変化の影響によっ
て物理的な歪みが生じることが避けられず、このために
調芯の狂いが生じたり、発振波長の変動が生じることが
あった。

【００１５】これに対して、本発明に係る半導体レーザ
モジュールでは、フェルールは、パッケージから完全に
分離して固定されている。従って、外部からパッケージ
に印加された応力の影響によりフェルールの位置決め並
びに光ファイバの調芯が狂うことが無い。また、外部か
らの応力が光ファイバの回折格子を歪ませることもな
い。尚、回折格子が歪められた場合、回折格子の周期が
変化するのでレーザ発振の発振波長が変化してしまう。

【００１６】また、本発明の好ましい態様によると、サ
ブマウントは、パッケージに対してペルチェ効果素子等
の温度制御素子を介して固定されている。このような構
成によると、半導体レーザのみならず、サブマウント、
フェルール等の各部材及び光ファイバ中に形成された回
折格子が全て温度制御素子の影響下に実装される。従っ
て、使用環境の温度変化に起因する調芯の変移や、光フ
ァイバの屈折率が温度に依存して変化することに起因す
る回折格子の回折波長の変動も生じ難い。尚、このよう
な作用に鑑みて、サブマウント、フェルール、各支持部
材等の各部材は全て金属製であることが好ましい。ま
た、各部材はＹＡＧ溶接により熱的にも緊密に結合され
ていることが好ましい。

【００１７】上記のような本発明に係る半導体レーザモ
ジュールは、基本的に、下記のような手順で製造され
る。 (1) 該第２直接支持部材、該間接支持部材、該第１直接
支持部材の各貫通孔に該フェルールを挿通した後、該第
１直接支持部材を該フェルールの入射端近傍に固定する
第１の工程と、(2) 該水平部に装荷された半導体レーザ
と該光ファイバを調芯して光結合させた後、第１直接支
持部材を該サブマウントに固定する第２の工程と、(3)
該第１支持部材に該間接支持部材を固定する第３の工程
と、(4) 該第２直接支持部材を該フェルールの他端近傍
に固定する第４の工程と、(5) 該半導体レーザと該光フ
ァイバを改めて調芯した後、第２直接支持部材を該間接
支持部材に固定する。

【００１８】すなわち、従来の半導体レーザモジュール
の製造方法では、各支持部材をパッケージの壁面に固定
した後、更に、各支持部材に対してフェルールを固定す
るという手順で組み立てられていた。しかしながら、こ
のような手順で各支持部材に対してフェルールを挿通す
るためには、支持部材に形成されている貫通孔の内径を
フェルールの外径に対して大きめにしなければならな
い。このため、フェルールの調芯時の調整幅が大き過ぎ
て却って微調整が難しかった。これに対して、本発明に
係る製造方法では、調芯時にフェルールと支持部材の相
対的な変移が生じないので、調芯がより容易且つ確実に
なる。

【００１９】以下、図面を参照して本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。

【００２０】

【実施例】図１は、本発明に係る半導体レーザモジュー
ルの具体的な構成例を示す一部切欠斜視図である。

【００２１】同図に示すように、この半導体レーザモジ
ュールは、所謂パタフライ型のコバール(KOVAR) 製のパ
ッケージ10の内部に構成されている。パッケージ10の主
要部分は略立方体であり、その側方には電気的な接続の
ための複数のリードピン11が突出している。尚、本実施
例で用いたパッケージ10の寸法は、21mm×13mm×９mmで
あった。

【００２２】また、図上で左側のパッケージ10の側壁面
からは筒状部分12が突出しており、その先端には、可撓
性の材料でできたベンドリミッタ13が装着されている。
後述する光ファイバ20は、この筒状部分12内を通り、ベ
ンドリミッタ13を貫通して外部に引き出されている。こ
こで留意すべき点は、後述するフェルール21の後端がパ
ッケージ10のいかなる部分にも接しておらず、可撓性の
ある光ファイバ20だけが上記筒状部分12から外部に引き
出されている点である。尚、光ファイバ20は、その表面
が金メッキされており、パッケージ10の筒状部分12にお
いてはんだにより固定されている。このとき、光ファイ
バ20は、パッケージ10の内側で僅かに撓んでおり、外部
の光ファイバに印加された応力がパッケージ10の内部の
部材に及ばないように構成されている。この光ファイバ
の、フェルールに保護されている箇所に回折格子22が形
成されている。

【００２３】図２は、上記半導体レーザモジュールのパ
ッケージの内部に収容されている部材とその構成を拡大
して示す図である。

【００２４】同図に示すように、パッケージ10の底部に
直接に固定されているのは温度制御素子34としてのペル
チェ効果素子であり、この温度制御素子34上にサブマウ
ント30が搭載されている。サブマウント30は、温度制御
素子34に接している水平部30ａの前端と後端が立ち上が
って垂直部30ｂ、30ｃを形成している。水平部30ａに
は、絶縁性のチップキャリア31ａ、32ａを介して半導体
レーザ31及びサーミスタ35並びにモニタ用フォトダイオ
ード32がそれぞれ実装されている。また、後端側の垂直
部30ｃの頂部にはインダクタ素子33が実装されている。

【００２５】尚、上記のサーミスタ35は検温素子であ
り、その出力信号を用いて温度制御素子34を帰還制御す
ることにより、半導体レーザの動作を安定化させること
ができる。また、半導体レーザ31は所謂エピアップで、
エピタキシャル成長層が上側になるように実装されてい
る。更に、サブマウント30は、温度制御素子34の頂面に
対してはんだで固定されている。また、チップキャリア
31ａの角部は所謂面取り加工されており、実装時の余剰
のはんだをここに吸収するように構成されている。

【００２６】一方、サブマウント30の前側垂直部30ｂに
は、フェルール21の外径よりも大きな貫通穴が形成され
ており、光ファイバ20の先端に装着されたフェルール21
をサブマウント30の外側から挿通することにより半導体
レーザ31と光ファイバ20の先端とが直接光学的に結合で
きるように構成されている。また、前側垂直部30ｂの外
面には、フェルール21の先端付近を直接に支持するリン
グ状の第１直接支持部材41が固定されている。第１直接
支持部材の内径は、挿通されるフェルール21の外径と実
質的に等しい。また、第１直接支持部材は、その外周上
の複数の固定点41ａにおいてＹＡＧ溶接で固定されてい
る。

【００２７】間接支持部材42は、全体として筒状の形状
で、その内側はフェルール21の外径よりも十分に大きな
内径を有している。また、その一端は、外周上の複数の
固定点42ａにおいて、第１直接支持部材41に対してＹＡ
Ｇ溶接で固定されている。

【００２８】間接支持部材42の他端の端面には、第２直
接支持部材43が固定されている。この第２直接支持部材
43にも、フェルールを挿通することができる貫通穴が形
成されており、その外周上の複数の固定点43ａにおいて
ＹＡＧ溶接により間接支持部材42に固定されている。

【００２９】上記のような一連の支持部材41、42、43に
対して、フェルール21は、その全端近傍と後端近傍で、
第１直接支持部材41および第２直接支持部材43に対して
固定されている。すなわち、前端近傍では固定点21ａに
おいて第１直接支持部材に、後端近傍では固定点21ｂに
おいて第２直接支持部材に、それぞれＹＡＧ溶接により
固定されている。

【００３０】尚、フェルール21は、一端がサブマウント
30の貫通穴に挿通され、他端が第２直接支持部材43の貫
通穴に挿通される必要がある。従って、間接支持部材42
の全長よりも十分に大きい長さが必要であるが、一方、
パッケージ10の外側まで突出することはない。

【００３１】このような構成では、フェルール21に被覆
されていない光ファイバ素線20が、パッケージ10の外側
とサブマウント30組立体との間に存在している。光ファ
イバ素線自体は可撓性があるので、パッケージ10に対し
て外部から応力が作用したときも、パッケージ10内部の
構造物に応力が及ぶことはない。この点、従来の半導体
レーザモジュールでは、フェルールの一端がパッケージ
に直接固定されていたので、実際に使用するときにパッ
ケージに作用した応力が内部にまで影響し、製造時にい
くら精密に調整しても実使用時には効率が低下する等の
問題が生じていた。

【００３２】また、サブマウント30、フェルール21、各
支持部材41、42、43等の組立体は、パッケージ10から分
離されている一方で、温度制御素子34上に一体に装荷さ
れている。また、これらの部材は金属製で相互に溶接さ
れているので熱的な結合も緊密で、温度制御素子34によ
って動作温度を管理することができる。従って、環境温
度の変化に起因する調芯の狂いを効果的に防止すること
ができる。尚、このような作用に鑑みて、温度制御素子
34の容量は、半導体レーザ31のみの温度を管理する場合
よりも大きいものを選択することが好ましい。また、パ
ッケージ10内で、サブマウント30の下方だけではなく、
一連の支持部材41、42、43の下方まで延在するように、
寸法的にも大型のものを使用することが好ましい。この
ように構成することにより、サブマウント30、フェルー
ル21、各支持部材41、42、43および光ファイバのフェル
ール21に覆われた部分（この部分に回折格子が形成され
ている）の全てが温度管理されることになり、調芯のズ
レや発振波長の変動を効果的に抑制することが可能にな
る。

【００３３】図３に、この半導体レーザの組立作業に用
いることができる設備の構成例を模式的に示す。

【００３４】この装置は、頂部にチャックを備えたＸ−
Ｙステージ50と、Ｘ−Ｙステージ50に保持された部材に
対する相対位置を精密に調節できるＺステージ60とから
重荷構成されている。また、Ｘ−Ｙステージ50の周囲に
は、複数のＹＡＧレーザ管71、72、73が配置されてお
り、保持された部材をＹＡＧ溶接できるように配置され
ている。尚、実際には、これらの装置の他に、半導体レ
ーザ31から放射されたレーザ光を、光ファイバ10を介し
てモニタすることにより調芯を行うための設備が併用さ
れる。

【００３５】図１および図２に示した半導体レーザモジ
ュールは、上記のような装置を用いて、以下のような手
順で組み立てられる。

【００３６】回折格子が形成された光ファイバに装着し
たフェルール21を、第２直接支持部材43、間接支持部材
42および第１直接支持部材41の各貫通孔の内部に、この
順序で予め挿通させておく。まず、半導体レーザ31に対
するフェルール21の調芯を行い、フェルール21と半導体
レーザ31の間隔が最適になるようにフェルール21を位置
決めし、この位置が維持されるように、第１直接支持部
材41をフェルール21に対して固定する。

【００３７】次に、フェルール21の先端近傍に、第１直
接支持部材41を固定する。続いて、フェルール21の先端
を、サブマウント30の垂直部の貫通孔に挿通し、更に、
半導体レーザ31を発光させて光ファイバ20の調芯を行
う。この調芯によりフェルール21の位置決めが完了した
ら第１直接支持部材をサブマウント30に対してＹＡＧ溶
接して固定する。

【００３８】次に、間接支持部材42を第１直接支持部材
41に固定した後、フェルール21に第２直接支持部材43を
装着して固定する。最後に、半導体レーザ31と光ファイ
バ10との調芯を改めて行い精密な位置決めができたとこ
ろで、第２直接支持部材43を間接支持部材42に対して固
定する。

【００３９】尚、これらの一連の工程において、各部材
相互の固定はＹＡＧレーザによるＹＡＧ溶接で行った。

【００４０】上記のような一連の製造工程において、光
ファイバ10の先端に近い固定点21ａを溶接したときに生
じる位置ずれを、遠い側の固定点21ｂを溶接する際に修
正することができる。また、遠い側の固定点21ｂを溶接
する際に光ファイバ10の先端で生じる変移は先端に近い
固定点21ａを支点としたものなので、光ファイバ10の先
端からの距離の相違により、光ファイバ10の先端をより
微細に変移させることができ、精密な調芯を可能にす
る。

【００４１】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る半導体レーザモジュールは、パッケージ内に格納され
たサブマウントに対して回折格子を形成した光ファイバ
が挿通されているフェルールを固定するという独特の構
成を有している。このため、パッケージに印加される応
力や環境温度の変化に起因する光学系の調芯ズレや発振
波長の変動を効果的に抑制することができる。従って、
初期特性の安定した電気・光インターフェイスとして
広範に利用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体レーザモジュールの具体的
な構成例を示す部分切欠図である。

【図２】図１に示した半導体レーザモジュールの内部の
構成を拡大して示す縦断面図である。

【図３】本発明に係る半導体レーザモジュールの組立に
用いる設備の構成例を模式的に示す図である。

【符号の説明】

10・・・パッケージ、 11・・・リードピン、 12・
・・筒状部、13・・・ベンドリミッタ、20・・・光ファ
イバ、 21・・・フェルール、22・・・回折格子、
30・・・サブマウント、31・・・半導体レーザ、32・
・・フォトダイオード、 33・・・インダク
タ素子、34・・・温度制御素子（ペルチェ効果素子）、
35・・・検温素子（サーミスタ）、 41・・・第１
直接支持部材、42・・・間接支持部材、
43・・・第２直接支持部材、50・・・Ｘ−Ｙステー
ジ、 60・・・Ｚステージ、71、72、73・
・・ＹＡＧレーザ管

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平２−245711（ＪＰ，Ａ) 特開平６−186501（ＪＰ，Ａ) 特開平９−304645（ＪＰ，Ａ) 特公平６−12369（ＪＰ，Ｂ２) 米国特許5717804（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02B 6/42

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】パッケージに収容された光源としての半導
体レーザと、該半導体レーザが発生したレーザ光をパッ
ケージの外部へ導く光導波路としての光ファイバとを一
体にしてなる半導体レーザモジュールにおいて；該光ファイバの入射端近傍に装着されたフェルールと、該パッケージ内で該半導体レーザを支持する水平部と、
該半導体レーザの出射光路と交差するように該水平部か
ら垂直に立ち上がった垂直部とを含み、且つ、該フェル
ールの外径よりも十分に大きな内径を有して該フェルー
ルを挿通することができる貫通孔を該垂直部に備えたサ
ブマウントと、該フェルールの外径と実質的に同じ内径の貫通孔を有
し、該貫通孔に挿通された該フェルールの先端近傍に装
着された第１直接支持部材と、該フェルールの外径と実質的に同じ内径の貫通孔を有
し、該貫通孔に挿通された該フェルールの後端近傍に装
着された第２直接支持部材と、該フェルールの外径に対して十分に大きな内径を有する
筒状の形状を有し、一端を該第１直接支持部材に固定さ
れた間接支持部材とを備え；該貫通孔に先端を挿通された該フェルールが、その先端
に近い端部近傍の第１部位では第１直接支持部材を介し
て、その後端近傍の第２部位では第２直接支持部材を介
して、それぞれ該サブマウントに対して固定され且つ支
持され、該第２直接支持部材が、該間接支持部材および該第１直
接支持部材を介して該サブマウントの垂直部に固定され
ており、該光ファイバの入射端と該第１部位との間の距離が、該
第１部位と該第２部位との間の距離よりも短くなるよう
に構成されていることを特徴とする半導体レーザモジュ
ール。
【請求項２】請求項１に記載の半導体レーザモジュール
において、前記間接支持部材が円筒形であることを特徴
とする半導体レーザモジュール。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載された半導
体レーザモジュールにおいて、前記フェルール、前記サ
ブマウント、前記第１直接支持部材、前記第２直接支持
部材および前記間接支持部材がそれぞれ金属により形成
されており、且つ、これらの部材がＹＡＧ溶接により相
互に固定されていることを特徴とする半導体レーザモジ
ュール。
【請求項４】請求項１から請求項３までの何れか１項に
記載された半導体レーザモジュールにおいて、前記フェ
ルール、前記サブマウント、前記第１直接支持部材、前
記間接支持部材および前記第２直接支持部材が、全て前
記パッケージの内側に収容されており、これらの部材が
該パッケージに接していないことを特徴とする半導体レ
ーザモジュール。
【請求項５】請求項１から請求項４までの何れか１項に
記載された半導体レーザモジュールにおいて、前記サブ
マウントが、前記パッケージの底部に対して、温度制御
素子を介して装荷されていることを特徴とする半導体レ
ーザモジュール。
【請求項６】請求項１から請求項５までの何れか１項に
記載された半導体レーザモジュールにおいて、前記光フ
ァイバの入射端近傍に回折格子が形成されており、且
つ、該回折格子が前記パッケージの内側に配置されてい
ることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項７】パッケージに収容された光源としての半導
体レーザと、該半導体レーザの発生したレーザ光をパッ
ケージの外部へ導く光導波路としての光ファイバとを一
体にしてなる半導体レーザモジュールであって；該光ファイバの入射端近傍に装着されたフェルールと、該パッケージ内で該半導体レーザを支持する水平部と、
該半導体レーザの出射光路と交差するように該水平部か
ら垂直に立ち上がった垂直部とを含み、且つ、該フェル
ールの外径よりも十分に大きな内径を有して該フェルー
ルを挿通することができる貫通孔を該垂直部に備えたサ
ブマウントと、該フェルールの外径と実質的に同じ内径の貫通孔を有
し、該垂直部の貫通孔と略同軸に、該垂直部に対して該
半導体レーザとは反対の側で、該垂直部に固定された第
１直接支持部材と、該フェルールの外径に対して十分に大きな内径を有する
筒状の形状を有し、該垂直部および該第１直接支持部材
の貫通孔と略同軸に、該第１支持部材に対して該垂直部
とは反対の側で、該第１直接支持部材に固定された間接
支持部材と、該フェルールの外径と実質的に同じ内径の貫通孔を有
し、該垂直部および該第１直接支持部材の貫通孔並びに
該間接支持部材と略同軸に、該間接支持部材の他端の端
面に固定された第２直接支持部材とを備えた半導体レー
ザモジュールを製造する方法であって； (1) 該第２直接支持部材、該間接支持部材、該第１直接
支持部材の各貫通孔に該フェルールを挿通した後、該第
１直接支持部材を該フェルールの入射端近傍に固定する
第１の工程と、 (2) 該水平部に装荷された半導体レーザと該光ファイバ
を調芯して光結合させた後、第１直接支持部材を該サブ
マウントに固定する第２の工程と、 (3) 該第１支持部材に該間接支持部材を固定する第３の
工程と、 (4) 該第２直接支持部材を該フェルールの他端近傍に固
定する第４の工程と、 (5) 該半導体レーザと該光ファイバを改めて調芯した
後、第２直接支持部材と該間接支持部材を相互に固定す
る第５の工程とを含むことを特徴とする半導体レーザモ
ジュールの製造方法。
【請求項８】請求項７に記載された製造方法において、
前記光ファイバの入射端と前記第１部位との間の距離
が、前記第１部位と前記第２部位との間の距離よりも短
いことを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方
法。
【請求項９】請求項７または請求項８に記載された半導
体レーザモジュールの製造方法において、前記フェルー
ル、前記サブマウント、前記第１直接支持部材、前記間
接支持部材および前記第２直接支持部材がいずれも金属
製であり、且つ、これらの部材をそれぞれＹＡＧ溶接に
より相互に固定することを特徴とする半導体レーザモジ
ュールの製造方法。