JP3062967B2 - Cantilever actuator, scanning tunnel microscope and information processing apparatus using the same - Google Patents
Cantilever actuator, scanning tunnel microscope and information processing apparatus using the sameInfo
- Publication number
- JP3062967B2 JP3062967B2 JP3240228A JP24022891A JP3062967B2 JP 3062967 B2 JP3062967 B2 JP 3062967B2 JP 3240228 A JP3240228 A JP 3240228A JP 24022891 A JP24022891 A JP 24022891A JP 3062967 B2 JP3062967 B2 JP 3062967B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cantilever
- thin
- film
- type actuator
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、片持ち梁り（カンチレ
バー）構造の変位素子（アクチュエータ）と、それらを
同一基板上へ複数配置した集積化アクチュエータ、個々
のアクチュエータに探針（プローブ）を取り付けたマル
チプローブ式の走査型トンネル顕微鏡、またそれらを応
用した情報の記憶再生等を行う情報処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a displacement element (actuator) having a cantilever structure, an integrated actuator having a plurality of these elements arranged on the same substrate, and a probe for each actuator. The present invention relates to an attached multi-probe scanning tunneling microscope, and an information processing apparatus that stores and reproduces information by applying the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】走査型トンネル顕微鏡（以下ＳＴＭと略
す）は、先鋭な導電性プローブを試料表面に数ｎｍ以下
に接近させた時に、その間の障壁を通り抜けて電流が流
れるトンネル効果を利用したものである。［Ｇ．Ｂｉｎ
ｎｉｇ ｅｔ ａｌ．，Ｈｅｌｖｅｔｉｃａ Ｐｈｙｓ
ｉｃａ Ａｃｔａ，５５，７２６（１９８２）、米国特
許第４３４３９９３号］。2. Description of the Related Art A scanning tunneling microscope (hereinafter abbreviated as STM) utilizes a tunnel effect in which a current flows through a barrier therebetween when a sharp conductive probe is brought close to a sample surface to several nm or less. It is. [G. Bin
nig et al. , Helvetica Physs
ica Acta, 55, 726 (1982), US Patent No. 4,343,993].
【０００３】このＳＴＭの原理を応用して、高密度な情
報処理（記録再生）を行う装置が、特開昭６３−１６１
５５２号公報，特開昭６３−１６１５５３号公報等に提
案されている。これはＳＴＭと同様のプローブを用い
て、プローブと記録媒体間にかかる電圧を変化させて記
録を行うものである。A device for performing high-density information processing (recording / reproduction) by applying the principle of the STM is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-161.
552, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-161553. In this method, recording is performed by using a probe similar to the STM and changing the voltage applied between the probe and the recording medium.
【０００４】従来、これらの記録再生装置に用いられて
いたプローブの形成手法としては、半導体製造プロセス
の技術を使い一つの基板上に微細な構造を作る加工技術
［Ｋ．Ｅ．Ｐｅｔｅｒｓｏｎ“Ｓｉｌｉｃｏｎ ａｓ
ａ ＭｅｃｈａｎｉｃｈａｌＭａｔｅｒｉａｌ”，Ｐｒ
ｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ，７０
（５），４２０−４５７（１９８２）］が知られてい
た。このような手法により構成したＳＴＭが、特開昭６
１−２０６１４８号公報に提案されている。Conventionally, as a method of forming a probe used in these recording / reproducing apparatuses, a processing technique for forming a fine structure on one substrate using a semiconductor manufacturing process technique [K. E. FIG. Peterson "Silicon as
a MechanicMaterial ", Pr
received of the IEEE, 70
(5), 420-457 (1982)]. The STM constructed by such a method is disclosed in
It has been proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-206148.
【０００５】これは、単結晶シリコンを基板として、微
細加工によりＸＹ方向に微動できる平行バネを形成し、
さらにその可動部にプローブを形成したカンチレバー部
を設け、カンチレバー部と底面部に電界を与えて静電力
により基板平面と直角な方向（Ｚ方向とする）に変位す
るように構成されている。[0005] In this method, a single crystal silicon substrate is used as a substrate to form parallel springs which can be finely moved in the X and Y directions by fine processing.
Further, a cantilever portion having a probe is provided on the movable portion, and an electric field is applied to the cantilever portion and the bottom portion to displace in a direction perpendicular to the plane of the substrate (Z direction) by electrostatic force.
【０００６】また、カンチレバー部に酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）等の圧電性薄膜を用い、平行平板型電極により電圧
を印加し、圧電効果による変位を利用するものも提案さ
れている。[0006] Zinc oxide (Zn) is added to the cantilever portion.
There has been proposed a device using a piezoelectric thin film such as O), applying a voltage by a parallel plate type electrode, and utilizing displacement caused by a piezoelectric effect.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では圧電体層が非常に薄いため小さな電圧で大きな
変位を発生させることができるが、特にＳＴＭとして用
いる場合、変位量を微小に制御しようとすれば印加電圧
を非常に小さくする必要があった。このため、駆動用電
気回路として非常に低ノイズで高精度のものが必要であ
った。However, in the above conventional example, a large displacement can be generated with a small voltage because the piezoelectric layer is very thin. In particular, when the piezoelectric layer is used as an STM, it is attempted to finely control the displacement amount. If so, it was necessary to make the applied voltage very low. For this reason, an extremely low-noise and high-precision electric circuit is required as the driving electric circuit.
【０００８】そこで、本発明は比較的大きな変位を発生
させることができ、かつ、微小な変位量の調節もより正
確に行うことのできるカンチレバー型アクチュエータ、
及びそれを用いた走査型トンネル顕微鏡及び情報処理装
置を提供することを目的とする。Accordingly, the present invention provides a cantilever type actuator capable of generating a relatively large displacement and capable of adjusting a minute displacement more accurately.
And a scanning tunnel microscope and an information processing apparatus using the same.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するための本発明の構成は以下の通りである。The structure of the present invention for achieving the above object is as follows.
【００１０】第１に、薄膜圧電体と薄膜電極から構成さ
れる薄膜状のカンチレバー型アクチュエータにおいて、
２層の薄膜圧電体が３層の薄膜電極に挟れたバイモルフ
構造をなす部分を自由端側に、前記薄膜圧電体よりも厚
い１層の薄膜圧電体が２層の薄膜電極に挟れたモノモル
フ構造をなす部分を固定端側に設けて、長軸方向で分割
された圧電モルフ構造を有するカンチレバー型アクチュ
エータ、としている点にある。First, in a thin-film cantilever-type actuator composed of a thin-film piezoelectric material and a thin-film electrode,
A portion forming a bimorph structure in which two thin-film piezoelectric members are sandwiched between three thin-film electrodes is located on the free end side, and one thin-film piezoelectric member thicker than the thin-film piezoelectric members is sandwiched between two thin-film electrodes. It is characterized in that a portion forming a monomorph structure is provided on the fixed end side to provide a cantilever type actuator having a piezoelectric morph structure divided in a long axis direction.
【００１１】第２に、モノモルフ構造をなす部分の薄膜
電極の少なくとも一方が、バイモルフ構造を形成してい
る薄膜電極と電気的に独立である前述第１に記載のカン
チレバー型アクチュエータ、第３に、前記薄膜圧電体と
して、酸化亜鉛を用いた前述第１，第２記載のカンチレ
バー型アクチュエータ、第４に、カンチレバー部先端に
導電性の探針と、その引出し電極を設えた前述第１〜第
３いずれかに記載のカンチレバー型アクチュエータ、第
５に、前記モノモルフ構造とバイモルフ構造をなす薄膜
電極が、カンチレバー軸中心線を対称軸として２分割さ
れている前述第１〜第４いずれかに記載のカンチレバー
型アクチュエータ、第６に、前述第１〜第５いずれかに
記載のカンチレバー型アクチュエータが、同一のシリコ
ン単結晶基板上に複数配置されたカンチレバー型アクチ
ュエータ、としている点にある。Secondly, the cantilever-type actuator according to the first aspect, wherein at least one of the thin-film electrodes forming the monomorph structure is electrically independent from the thin-film electrode forming the bimorph structure. The cantilever-type actuator according to the first or second embodiment, wherein zinc oxide is used as the thin-film piezoelectric body. Fourthly, the first to third cantilevers provided with a conductive probe at the tip of the cantilever portion and an extraction electrode therefor. Fifth, the cantilever-type actuator according to any one of the first to fourth aspects, wherein the thin-film electrode having the monomorph structure and the bimorph structure is divided into two with the center line of the cantilever axis as a symmetric axis. Sixth, the cantilever-type actuator according to any one of the first to fifth aspects is formed on the same silicon single crystal substrate. Lies in that the number arranged cantilever type actuator, the.
【００１２】また、第７に、前述第１〜第６いずれかに
記載のカンチレバー型アクチュエータを有する走査型ト
ンネル顕微鏡、第８に、トンネル電流を用いて記録媒体
に情報の記録再生等を行う情報処理装置において、少な
くとも前述第１〜第６いずれかに記載のカンチレバー型
アクチュエータを有する情報処理装置、としている点に
ある。Seventh, a scanning tunnel microscope having the cantilever type actuator according to any one of the first to sixth aspects, and eighth, information for recording and reproducing information on a recording medium using a tunnel current. In the processing device, the information processing device has at least the cantilever-type actuator according to any one of the first to sixth aspects.
【００１３】すなわち、本発明によれば、薄膜電極によ
り薄膜圧電体を挟み込む構造を有するカンチレバー型ア
クチュエータにおいて、微小変位用電極を新たに設け、
それに挟まれる圧電体薄膜の厚さを他の部分より厚くす
ることにより、微小変位量の制御性をより向上させたも
のである。That is, according to the present invention, in a cantilever type actuator having a structure in which a thin film piezoelectric material is sandwiched between thin film electrodes, a micro displacement electrode is newly provided,
By making the thickness of the piezoelectric thin film sandwiched therebetween larger than other portions, the controllability of the minute displacement amount is further improved.
【００１４】つまり、比較的大きな変位量を発生させる
ことのできる従来の圧電体バイモルフ部分に加え、圧電
体の膜厚が厚いモノモルフ部分を加えることにより、同
一電圧を印加した場合の圧電体に加わる電界強度を小さ
くすることで、変位量が小さくなる効果を利用したもの
である。That is, by adding a monomorph portion having a thick piezoelectric film in addition to a conventional piezoelectric bimorph portion capable of generating a relatively large displacement amount, the piezoelectric material is applied to the piezoelectric material when the same voltage is applied. This utilizes the effect of reducing the amount of displacement by reducing the electric field strength.
【００１５】本発明では、更にこの部分をモノモルフ構
造とすることにより、同一電圧当りの変位量を更に微小
化し、ＳＴＭに必要な数ｎｍオーダーの微小変位の制御
性を向上させた。In the present invention, by further forming this portion into a monomorph structure, the amount of displacement per the same voltage is further reduced, and the controllability of the small displacement on the order of several nm required for STM is improved.
【００１６】また、本発明のアクチュエータの薄膜電極
を、カンチレバー中心線を挟んで左右対称に分割するこ
とにより、ｘ，ｙ，ｚの３軸方向へ微小変位可能とな
り、先端に探針を形成することにより、小型で高精度な
ＳＴＭ用プローブの実現が可能となった。Further, by dividing the thin-film electrode of the actuator of the present invention symmetrically with respect to the center line of the cantilever, the thin-film electrode can be displaced minutely in the three axes of x, y, and z to form a probe at the tip. This has made it possible to realize a small and highly accurate STM probe.
【００１７】また、同一基板上へ複数集積化すること
で、マルチプローブを有する小型で高精度なＳＴＭシス
テムを構築することができ、基板としてＳｉ単結晶を用
いることにより、トランジスタやダイオード等半導体素
子も同時に集積することが可能となった。In addition, a small and highly accurate STM system having a multi-probe can be constructed by integrating a plurality of semiconductor devices on the same substrate. Can be integrated at the same time.
【００１８】更に、ＳＴＭの観察対象として、電圧印加
により状態の変化する媒体を用いることにより、大容量
高密度の記録再生等が可能な情報処理装置を提供するこ
とが可能となった。Further, by using a medium whose state changes by applying a voltage as an object to be observed by the STM, it is possible to provide an information processing apparatus capable of high-capacity, high-density recording and reproduction.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００２０】（実施例１）図１は本発明の特徴を最もよ
く表す構成図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡ−
Ａ面における断面図である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a configuration diagram best showing the features of the present invention, and FIG.
It is sectional drawing in A side.
【００２１】本図において、１は基板であり、２は下部
電極、３ａは下部圧電体、３ｂは上部圧電体、４は中間
電極、５は上部電極、６は微小変位用電極である。In this figure, 1 is a substrate, 2 is a lower electrode, 3a is a lower piezoelectric body, 3b is an upper piezoelectric body, 4 is an intermediate electrode, 5 is an upper electrode, and 6 is an electrode for minute displacement.
【００２２】ここで、圧電体層３ａ，３ｂは、分極軸が
７の矢印に示す方向に配向して形成されており、電圧印
加により伸長または収縮させることができる。また、そ
れぞれの電極２，４，５，６は、基板１上へ個別に引出
されており、この部分を通して電圧印加が出来るように
なっている。Here, the piezoelectric layers 3a and 3b are formed with their polarization axes oriented in the direction indicated by the arrow 7, and can be expanded or contracted by applying a voltage. The electrodes 2, 4, 5, and 6 are individually drawn out onto the substrate 1, and a voltage can be applied through these portions.
【００２３】図１（ｂ）を用いて、本実施例に係るカン
チレバー型アクチュエータの作動原理を示す。下部電極
２と上部電極５を接地状態とし、中間電極４に負の電圧
を印加すると、圧電体３ａには分極方向と同方向の電界
が、圧電体３ｂには逆方向の電界が加わる。このため、
圧電体３ａはｄ31（圧電定数）で規定される圧電効果に
より電界と垂直方向に収縮し、圧電体３ｂは電界と垂直
方向に伸長する。従って、バイモルフ構造を成すカンチ
レバー部１０ａが下側に屈曲変位する。尚、印加電圧の
大きさを変えることにより、カンチレバー部の変位量を
変化させることができる。また、印加電圧の符合を反転
させることにより、上側に屈曲させることも可能であ
る。FIG. 1B shows the operation principle of the cantilever type actuator according to this embodiment. When the lower electrode 2 and the upper electrode 5 are grounded and a negative voltage is applied to the intermediate electrode 4, an electric field in the same direction as the polarization direction is applied to the piezoelectric body 3a, and an electric field in the opposite direction is applied to the piezoelectric body 3b. For this reason,
The piezoelectric body 3a contracts in the direction perpendicular to the electric field due to the piezoelectric effect defined by d 31 (piezoelectric constant), and the piezoelectric body 3b expands in the direction perpendicular to the electric field. Accordingly, the cantilever portion 10a having the bimorph structure is bent and displaced downward. The displacement of the cantilever can be changed by changing the magnitude of the applied voltage. It is also possible to bend upward by inverting the sign of the applied voltage.
【００２４】次に、微小変位用電極６に電圧を印加した
場合、接地状態の下部電極２との間に電界を生ずるが圧
電体３ａと３ｂが２層重なっているため、前記と同じ電
圧を印加した場合の電界強度は前記の１／２となり、ｄ
31の圧電効果による変位量も半分となる。この時、微小
変位用電極６の厚さを下部電極２と異るようにしておく
か、異るヤング率を有する材料で形成することにより、
モノモルフ構造を成すカンチレバー部１０ｂに屈曲変位
を発生させることができる。Next, when a voltage is applied to the micro-displacement electrode 6, an electric field is generated between the electrode and the lower electrode 2 in a grounded state. However, since the piezoelectric bodies 3a and 3b are overlapped by two layers, the same voltage as described above is applied. The electric field strength when applied is の of the above, and d
The amount of displacement due to the piezoelectric effect of 31 is also halved. At this time, the thickness of the electrode 6 for minute displacement is made different from that of the lower electrode 2, or by forming the electrode 6 from a material having a different Young's modulus.
A bending displacement can be generated in the cantilever portion 10b having a monomorph structure.
【００２５】即ち、電極部分を厚さ方向で非対称とする
ことにより、ｄ31の圧電効果による歪を屈曲変位に変換
することができる。[0025] That is, by asymmetric electrode portions in the thickness direction, it is possible to convert the distortion by the piezoelectric effect of d 31 to the bending displacement.
【００２６】カンチレバー部１０ｂで発生する屈曲変位
量は、印加電圧を同じにした場合カンチレバー部１０ａ
よりも小さくなり、その比率は微小変位用電極６の厚
さ、ヤング率、及びカンチレバー部１０ｂの長さにより
変化させることができる。The amount of bending displacement generated in the cantilever portion 10b is the same as that of the cantilever portion 10a when the applied voltage is the same.
The ratio can be changed by the thickness of the micro displacement electrode 6, the Young's modulus, and the length of the cantilever portion 10b.
【００２７】以上説明したように、カンチレバー部を電
極，圧電体の積層構造を異にする２つの部分より構成す
ることにより、大きな変位と微小変位量調節を、駆動電
圧を余り小さくすることなく実現できる。As described above, by forming the cantilever portion from the two portions having different laminated structures of the electrode and the piezoelectric body, a large displacement and a small displacement can be adjusted without reducing the driving voltage. it can.
【００２８】次に、図２を用いて本実施例に係るカンチ
レバー型アクチュエータの製造方法の一例を説明する。Next, an example of a method of manufacturing the cantilever type actuator according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
【００２９】先ず面方位（１００）の単結晶シリコン基
板１上へ、減圧ＣＶＤ法によりＳｉ3 Ｎ4 膜を１５００
Å成膜し、保護膜８を形成する。次に、密着性確保のた
めＣｒを５〜１０Å真空蒸着したのちＡｕを１０００Å
蒸着し、さらに金属薄膜を形成したのち感光性レジスト
を塗布して一般的なフォトリソグラフにより不用部のＡ
ｕ／Ｃｒをエッチング除去し、下部電極２を形成する
（図２（ａ）参照）。First, an Si 3 N 4 film is deposited on a single-crystal silicon substrate 1 having a plane orientation of (100) by a low pressure CVD method for 1500 times.
(4) A protective film 8 is formed by forming a film. Next, in order to secure adhesion, Cr is vacuum-deposited at 5 to 10 [deg.], And Au is deposited at 1000 [deg.].
After vapor deposition and further forming a metal thin film, a photosensitive resist is applied, and the unnecessary portion A
The u / Cr is removed by etching to form the lower electrode 2 (see FIG. 2A).
【００３０】次に、その上にスパッタ蒸着法によりＺｎ
Ｏを３０００Å形成し、圧電体３ａを形成する。この
時、スパッタ蒸着の条件を適切に調制することで、圧電
分極方向の結晶Ｃ軸を容易に配向させることができる
（図２（ｂ）参照）。Next, Zn is deposited thereon by sputtering deposition.
O is formed at 3000 ° to form the piezoelectric body 3a. At this time, the crystal C-axis in the piezoelectric polarization direction can be easily oriented by appropriately adjusting the conditions of the sputter deposition (see FIG. 2B).
【００３１】次に、圧電体３ａの上に再び真空蒸着によ
りＡｕを１０００Å成膜する。その後、感光性レジスト
を塗布し、フォトリソグラフを行い不用部分をエッチン
グにより除去し、所定の形状の中間電極４を形成する
（図２（ｃ）参照）。Next, Au is deposited again on the piezoelectric body 3a by vacuum evaporation to a thickness of 1000 °. Thereafter, a photosensitive resist is applied, photolithography is performed, and unnecessary portions are removed by etching, thereby forming an intermediate electrode 4 having a predetermined shape (see FIG. 2C).
【００３２】次に、図２（ｂ）の工程と同様に、スパッ
タ蒸着法によりＺｎＯを３０００Å形成し、圧電体３ｂ
を形成する。この上に感光性レジストを塗布し、パター
ンニングを行いエッチングにて不用部分のＺｎＯを除去
する（図２（ｄ）参照）。Next, in the same manner as in the step of FIG.
To form A photosensitive resist is applied thereon, patterning is performed, and unnecessary portions of ZnO are removed by etching (see FIG. 2D).
【００３３】再びＡｕを１０００Å成膜し、フォトリソ
グラフによりパターンニングを行い、上部電極５を形成
する。次に、一般的にリフトオフ法と呼ばれる手法を用
いて、微小変位用電極６を形成する。即ち、感光性レジ
ストを塗布し、電極６を形成する部分のみレジストを除
去し、圧電体３ｂを露出させる。この状態でＡｌの蒸着
を行い、Ａｌを６０００Å形成する。この後、レジスト
を溶剤により除去することにより、レジスト上へ成膜さ
れたＡｌは除去され、微小変位用電極６が形成される
（図２（ｅ）参照）。A film of Au is again formed to a thickness of 1000 ° and patterning is performed by photolithography to form the upper electrode 5. Next, the electrode 6 for minute displacement is formed using a technique generally called a lift-off method. That is, a photosensitive resist is applied, and the resist is removed only at a portion where the electrode 6 is to be formed, exposing the piezoelectric body 3b. In this state, Al is deposited to form 6000 ° of Al. Thereafter, by removing the resist with a solvent, the Al film formed on the resist is removed, and the minute displacement electrode 6 is formed (see FIG. 2E).
【００３４】次に、Ｓｉ単結晶基板１の裏面より、面方
位によりエッチング速度の大きく異ることを利用した異
方性エッチングを行い、Ｓｉ3 Ｎ4 の位置までＳｉを除
去する。次に、反応性イオンエッグによりＳｉ3 Ｎ4 膜
を取り除き、カンチレバー部１０ａ，１０ｂを形成する
（図２（ｆ）参照）。Next, anisotropic etching is performed from the back surface of the Si single crystal substrate 1 utilizing the fact that the etching rate greatly varies depending on the plane orientation, to remove Si up to the position of Si 3 N 4 . Next, the Si 3 N 4 film is removed by the reactive ion egg, and the cantilevers 10a and 10b are formed (see FIG. 2F).
【００３５】ここで、フォトリソグラフに用いたエッチ
ング液は、Ａｕに対してはＫＩ：Ｉ2 水溶液、Ｃｒに対
しては（ＮＨ4 ）2Ｃｅ（ＮＯ3 ）6 ；ＨＣｌＯ4 水溶
液、ＺｎＯに対しては酢酸水溶液を用いた。また、Ｓｉ
の異方性エッチングにはＫＯＨ水溶液を用い、反応性イ
オンエッチングにはＣＦ4 ガスを用いた。なお、電極と
して使用した金属はこれら限定されるものではなく、適
当なエッチング液との組み合せにより他の物質を用いる
ことも可能である。Here, the etching solution used in the photolithography is a KI: I 2 aqueous solution for Au, (NH 4 ) 2 Ce (NO 3 ) 6 for Cr; an aqueous solution of HClO 4 , for ZnO An aqueous acetic acid solution was used. In addition, Si
A KOH aqueous solution was used for anisotropic etching, and CF 4 gas was used for reactive ion etching. The metal used as the electrode is not limited to these, and other substances can be used in combination with an appropriate etching solution.
【００３６】以下に、本実施例で作製したカンチレバー
型アクチュエータの各部の寸法及び駆動特性の一例を示
す。The following is an example of the dimensions and driving characteristics of each part of the cantilever type actuator manufactured in this embodiment.
【００３７】カンチレバー部１０ａの長さ ４００μ
ｍ，幅 ５０μｍ カンチレバー部１０ｂの長さ １００μｍ，幅 ５０μ
ｍ カンチレバー部１０ａ，１０ｂへの印加電圧 ±３Ｖ とした時の先端部の振幅は、 カンチレバー部１０ａのみ変化させた場合 ±２μｍ、 カンチレバー部１０ｂのみ変化させた場合 ±０．０５
μｍ となり、同じ印加電圧範囲で１／４０の微調制が可能と
なった。The length of the cantilever portion 10a is 400 μm.
m, width 50 μm, length 100 μm, width 50 μ of cantilever portion 10 b
m When the applied voltage to the cantilever portions 10a and 10b is ± 3 V, the amplitude at the tip is ± 2 μm when only the cantilever portion 10a is changed, and ± 0.05 when only the cantilever portion 10b is changed.
μm, and fine adjustment of 1/40 was possible in the same applied voltage range.
【００３８】このことにより、本発明を用いたカンチレ
バー型アクチュエータは、従来のものに比べ位置決め精
度を大きく向上させることが可能となった。As a result, the positioning accuracy of the cantilever type actuator using the present invention can be greatly improved as compared with the conventional one.
【００３９】（実施例２）図３に本発明の第２の実施例
を示す。図３（ｂ），（ｃ）は図３（ａ）中のＡ−Ａ
面，Ｂ−Ｂ面における断面図である。本実施例では、実
施例１の構成に加えて、圧電体３ｂ上に新たに１１の引
出し電極とカンチレバー部１０ａの先端部に引出し電極
１１と接するように１２の探針を形成した。更に、中間
電極，上部電極及び微小変位用電極は、引出し電極１１
を挟んで対称の位置に分割し、それぞれ下部電極２ａ，
２ｂ、中間電極４ａ，４ｂ、上部電極５ａ，５ｂ、微小
変位用電極６ａ，６ｂとした。このように電極を分割す
ることにより、実施例１で示したＺ軸方向の変位に加え
て、カンチレバー面と平行方向の変位を発生させること
が可能となり、ｘ，ｙ，ｚの３軸方向へ微小変位可能な
アクチュエータを作製することができる。(Embodiment 2) FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. FIGS. 3B and 3C are AA in FIG. 3A.
It is sectional drawing in a BB plane. In the present embodiment, in addition to the structure of the first embodiment, eleven new extraction electrodes are formed on the piezoelectric body 3b and twelve probes are formed at the tip of the cantilever portion 10a so as to be in contact with the extraction electrode 11. Further, the intermediate electrode, the upper electrode and the electrode for minute displacement are connected to the extraction electrode 11.
Are divided into symmetrical positions with the lower electrode 2a,
2b, intermediate electrodes 4a and 4b, upper electrodes 5a and 5b, and electrodes 6a and 6b for minute displacement. By dividing the electrodes in this manner, in addition to the displacement in the Z-axis direction shown in the first embodiment, a displacement in a direction parallel to the cantilever surface can be generated. An actuator capable of minute displacement can be manufactured.
【００４０】かかるアクチュエータの製造は、実施例１
で示した作製法において、フォトリソグラフを行う際の
フォトマスクのパターンを変更するだけで良い。The manufacture of such an actuator is described in Example 1.
In the manufacturing method shown by, it is only necessary to change the pattern of the photomask when performing photolithography.
【００４１】また、先端部に設けた探針１２は、高さが
３μｍである。これは、上部電極５ａ，５ｂ形成の後、
フォトレジストを５μｍ塗布し、探針１２を形成する位
置のみレジストを除去し、斜め方向よりの蒸着と基板回
転を組み合せた方法により形成した。この方法はアスペ
クト比の高い微小構造物を形成する方法として知られて
いる。The probe 12 provided at the tip has a height of 3 μm. This is because after the formation of the upper electrodes 5a and 5b,
A photoresist was applied to a thickness of 5 μm, the resist was removed only at the position where the probe 12 was to be formed, and the photoresist was formed by a method combining evaporation in a diagonal direction and substrate rotation. This method is known as a method for forming a microstructure having a high aspect ratio.
【００４２】このように、導電性の探針１２を先端部に
設けることにより、本発明によるカンチレバー型アクチ
ュエータを走査型トンネル電子顕微鏡（以下ＳＴＭと略
す）のプローブとして用いることができる。即ち、各電
極に所定の駆動電圧を印加し、カンチレバー部１０ａ，
１０ｂを屈曲変位させ、探針１２を観察対象の表面へ接
近させる。表面が導電性を持つ場合、探針１２と表面と
の距離が数ｎｍ程度まで近づくと、探針１２と表面との
間にトンネル電流が流れる。このトンネル電流は、探針
１２の先端と表面との距離により指数関数的に変化する
ため、引出し電極１１を通してこのトンネル電流を取り
出して増幅を行い、カンチレバー部の駆動電圧にフィー
ドバックをかけることにより、探針１２の先端と表面ま
での距離を一定に保つことができる。この様な状態でカ
ンチレバー部をｘ，ｙ方向に微小に変位させることによ
り、フィードバック電圧の変化により極微小表面の凹凸
を観察することが可能である。また、本発明による微小
変位用電極６ａ，６ｂを用いることにより、より高い分
解能のＳＴＭ装置を実現することができる。By providing the conductive probe 12 at the tip, the cantilever-type actuator according to the present invention can be used as a probe of a scanning tunneling electron microscope (hereinafter abbreviated as STM). That is, a predetermined drive voltage is applied to each electrode, and the cantilever portions 10a,
The probe 10b is bent and displaced so that the probe 12 approaches the surface of the observation target. When the surface has conductivity, a tunnel current flows between the probe 12 and the surface when the distance between the probe 12 and the surface approaches a few nm. Since this tunnel current changes exponentially according to the distance between the tip of the probe 12 and the surface, the tunnel current is extracted through the extraction electrode 11, amplified, and fed back to the drive voltage of the cantilever portion. The distance between the tip of the probe 12 and the surface can be kept constant. By slightly displacing the cantilever portion in the x and y directions in such a state, it is possible to observe irregularities on the very minute surface due to a change in the feedback voltage. Further, by using the minute displacement electrodes 6a and 6b according to the present invention, an STM device with higher resolution can be realized.
【００４３】（実施例３）図４及び図５に、本発明の第
３の実施例を示す。実施例２において説明した探針１２
を有するカンチレバー型アクチュエータを、同一のシリ
コン基板１上に複数個作製し、集積化アクチュエータ２
０を作製したものである。(Embodiment 3) FIGS. 4 and 5 show a third embodiment of the present invention. Probe 12 described in Embodiment 2
A plurality of cantilever-type actuators each having
0 is produced.
【００４４】かかる集積化アクチュエータは、前述実施
例１，２で説明した作製方法において、フォトリソグラ
フのパターンを拡張するだけでよい。このように、同一
の基板上へ複数のカンチレバーを同時に形成できるた
め、寸法精度が非常に高く、各カンチレバー間の特性の
ばらつきも非常に小さく抑えることができる。In such an integrated actuator, it is only necessary to extend the photolithographic pattern in the manufacturing method described in the first and second embodiments. As described above, since a plurality of cantilevers can be simultaneously formed on the same substrate, the dimensional accuracy is extremely high, and the variation in characteristics among the cantilevers can be extremely suppressed.
【００４５】また、基板としてＳｉ単結晶を用いること
により、トランジスタやダイオード等の半導体素子も同
一基板上へ集積化することが可能となり、トンネル電流
増幅やカンチレバー駆動用のアンプを一体化することが
できる。Also, by using a single crystal of Si as a substrate, semiconductor elements such as transistors and diodes can be integrated on the same substrate, and an amplifier for tunnel current amplification and cantilever driving can be integrated. it can.
【００４６】図５は本実施例の集積化アクチュエータを
用いたＳＴＭ装置を模式的に示した図である。これによ
り、集積化アクチュエータ２０を用い、観察対象２２の
表面上の複数の微小領域のＳＴＭ像を同時に観察するこ
とができる。同図において２１及び２３はｘ，ｙ，ｚ方
向に 粗動機構を有する可動ステージであり、可動ステ
ージ２１には集積化アクチュエータ２０が固定され、可
動ステージ２３には観察対象２２が固定されている。FIG. 5 is a diagram schematically showing an STM device using the integrated actuator of this embodiment. Thus, the STM images of a plurality of minute regions on the surface of the observation target 22 can be simultaneously observed using the integrated actuator 20. In the figure, reference numerals 21 and 23 denote movable stages having coarse movement mechanisms in the x, y, and z directions. An integrated actuator 20 is fixed to the movable stage 21, and an observation target 22 is fixed to the movable stage 23. .
【００４７】以下に、本実施例で作製した集積化アクチ
ュエータの寸法の一例を示す。The following is an example of the dimensions of the integrated actuator manufactured in this embodiment.
【００４８】集積化アクチュエータ２０の外径…４０×
４０×１ｍｍ カンチレバーの本数 …９０本 各カンチレバーの長さ …５００μｍ 各カンチレバーの幅 …５０μｍ 探針１２の高さ …３μｍ （実施例４）図６に実施例３で説明した集積化アクチュ
エータを用いた、情報の記録・再生等を行える情報処理
装置の模式図を示す。Outer diameter of integrated actuator 20: 40 ×
40 × 1 mm Number of cantilevers ９０90 Length of each cantilever ５００500 μm Width of each cantilever ５０50 μm Height of probe 12 ３3 μm (Example 4) The integrated actuator described in Example 3 in FIG. 6 was used. 1 is a schematic diagram of an information processing apparatus capable of recording and reproducing information.
【００４９】同図において、１０３は電圧印加により抵
抗値が変化する記録層、１０２は金属電極層、１０１は
記録媒体基板である。２０１はＸＹステージ、２０２は
本発明による集積化アクチュエータ、２０３は集積化ア
クチュエータの支持体、２０４は集積化アクチュエータ
をＺ方向へ粗動するためのリニアアクチュエータ、２０
５，２０６はＸＹステージをそれぞれＸ，Ｙ方向へ駆動
するリニアアクチュエータ、２０７は記録再生用のバイ
アス回路である。３０１はトンネル電流検出器、３０２
は集積化アクチュエータをＺ軸方向に移動させるための
サーボ回路であり、３０３はアクチュエータ２０４を駆
動するためのサーボ回路である。３０４は個々のカンチ
レバーを微小変位させるための駆動回路であり、３０５
はＸＹステージの位置制御を行う駆動回路である。３０
６はこれらの操作を制御するコンピュータである。In the figure, reference numeral 103 denotes a recording layer whose resistance changes when a voltage is applied, 102 denotes a metal electrode layer, and 101 denotes a recording medium substrate. 201 is an XY stage, 202 is an integrated actuator according to the present invention, 203 is a support for the integrated actuator, 204 is a linear actuator for coarsely moving the integrated actuator in the Z direction, 20
Reference numerals 5 and 206 denote linear actuators for driving the XY stage in the X and Y directions, respectively, and reference numeral 207 denotes a bias circuit for recording and reproduction. 301 is a tunnel current detector, 302
, A servo circuit for moving the integrated actuator in the Z-axis direction; and 303, a servo circuit for driving the actuator 204. Reference numeral 304 denotes a drive circuit for minutely displacing the individual cantilevers.
Is a drive circuit for controlling the position of the XY stage. 30
A computer 6 controls these operations.
【００５０】このようなシステムを用いることにより、
大容量の情報を高密度に記録することが可能となり、ま
たプローブを多数集積化し、それらを同時に走査するた
め、高速度の記録再生を行うことができる。By using such a system,
Since a large amount of information can be recorded at a high density, and a large number of probes are integrated and scanned simultaneously, high-speed recording and reproduction can be performed.
【００５１】このようなシステムに本発明の微小変位用
電極を設けることにより、個々のプローブの分解能が向
上し、記録再生時のトラッキング性能が向上し、書込
み、読取り時のエラーの発生率を小さくすることができ
る。By providing the electrode for minute displacement of the present invention in such a system, the resolution of each probe is improved, the tracking performance at the time of recording and reproduction is improved, and the error rate at the time of writing and reading is reduced. can do.
【００５２】[0052]
【発明の効果】以上説明したように、薄膜圧電体と平行
平板状の薄膜電極を有するカンチレバー型アクチュエー
タにおいて、圧電体の厚さを大きくした部分を一部設
け、この部分に微小変位用電極を配することにより、同
一電圧での変位量が微小となった。これにより、微小変
位量の調節を、従来よりも大きな電圧範囲で行うことが
可能となり、電気的ノイズ等の影響を受けにくくなり、
微小変位の制御性が大きく向上した。As described above, in a cantilever type actuator having a thin-film piezoelectric material and a thin film electrode in a parallel plate shape, a portion where the thickness of the piezoelectric material is increased is provided partially, and an electrode for minute displacement is provided in this portion. By arranging, the amount of displacement at the same voltage became very small. This makes it possible to adjust the minute displacement in a voltage range larger than before, making it less susceptible to electrical noise and the like.
The controllability of minute displacement has been greatly improved.
【００５３】本発明により、ＳＴＭの解像度、高密度の
記録再生等の諸性能を大きく向上させることができる。According to the present invention, various performances such as STM resolution and high-density recording / reproduction can be greatly improved.
【図１】実施例１にて示すカンチレバー型アクチュエー
タの構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a cantilever type actuator shown in a first embodiment.
【図２】実施例１にて示すカンチレバー型アクチュエー
タの製造工程図である。FIG. 2 is a manufacturing process diagram of the cantilever type actuator shown in the first embodiment.
【図３】実施例２にて示すカンチレバー型アクチュエー
タの構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a cantilever type actuator shown in a second embodiment.
【図４】実施例３にて示す集積化したカンチレバー型ア
クチュエータの構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of an integrated cantilever actuator shown in a third embodiment.
【図５】実施例３にて示す集積化アクチュエータを用い
た走査型トンネル顕微鏡の部分断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view of a scanning tunnel microscope using the integrated actuator described in the third embodiment.
【図６】実施例４にて示す集積化アクチュエータを用い
た情報処理装置のブロック構成図である。FIG. 6 is a block diagram of an information processing apparatus using an integrated actuator according to a fourth embodiment.
１ 基板 ２，２ａ，２ｂ 下部電極 ３，３ａ，３ｂ 圧電体 ４，４ａ，４ｂ 中間電極 ５，５ａ，５ｂ 上部電極 ６，６ａ，６ｂ 微小変位用電極 ７ 分極方位矢印 ８ 保護層 １０ａ バイモルフ構造カンチレバー部 １０ｂ モノモルフ構造カンチレバー部 １１ 引出し電極 １２ 探針 ２０ 集積化アクチュエータ ２１ 可動ステージ ２２ 観察対象 ２３ 可動ステージ １０１ 記録媒体基板 １０２ 金属電極層 １０３ 記録層 ２０１ ＸＹステージ ２０２ 集積化アクチュエータ ２０３ 支持体 ２０４ Ｚ方向リニアアクチュエータ ２０５ Ｘ方向リニアアクチュエータ ２０６ Ｙ方向リニアアクチュエータ ２０７ 記録再生用バイアス回路 ３０１ トンネル電流検出器 ３０２ サーボ回路 ３０３ サーボ回路 ３０４ カンチレバー駆動回路 ３０５ 駆動回路 ３０６ コンピュータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2, 2a, 2b Lower electrode 3, 3a, 3b Piezoelectric 4, 4a, 4b Intermediate electrode 5, 5a, 5b Upper electrode 6, 6a, 6b Micro displacement electrode 7 Polarization direction arrow 8 Protective layer 10a Bimorph structure cantilever Unit 10b monomorph structure cantilever unit 11 extraction electrode 12 probe 20 integrated actuator 21 movable stage 22 observation target 23 movable stage 101 recording medium substrate 102 metal electrode layer 103 recording layer 201 XY stage 202 integrated actuator 203 support 204 linear in Z direction Actuator 205 X-direction linear actuator 206 Y-direction linear actuator 207 Recording / playback bias circuit 301 Tunnel current detector 302 Servo circuit 303 Servo circuit 304 Cantilever drive circuit 305 Drive circuit 3 6 computer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特表 平３−503463（ＪＰ，Ａ) 特表 平３−503586（ＪＰ，Ａ) 特表 平３−504762（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 13/10 - 13/24 G01B 7/34 G01B 21/30 H01J 37/28 G11B 9/00 H01L 41/00 - 41/26 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (56) References Special Table Hei 3-503463 (JP, A) Special Table Hei 3-503586 (JP, A) Special Table Hei 3-504762 (JP, A) (58) Survey Field (Int.Cl. 7 , DB name) G01N 13/10-13/24 G01B 7/34 G01B 21/30 H01J 37/28 G11B 9/00 H01L 41/00-41/26 JICST file (JOIS)
Claims (8)
膜アクチュエータにおいて、２層の薄膜圧電体が３層の
薄膜電極に挟れたバイモルフ構造をなす部分を自由端側
に、前記薄膜圧電体よりも厚い１層の薄膜圧電体が２層
の薄膜電極に挟れたモノモルフ構造をなす部分を固定端
側に設けて、長軸方向で分割された圧電モルフ構造を有
することを特徴とするカンチレバー型アクチュエータ。1. A thin-film actuator comprising a thin-film piezoelectric body and a thin-film electrode, wherein a portion forming a bimorph structure in which two layers of thin-film piezoelectric bodies are sandwiched between three-layer thin-film electrodes is located on the free end side, A cantilever having a piezoelectric morph structure divided in the longitudinal direction by providing a portion forming a monomorph structure in which a thicker one-layer thin film piezoelectric material is sandwiched between two layers of thin film electrodes on a fixed end side. Type actuator.
少なくとも一方が、バイモルフ構造を形成している薄膜
電極と電気的に独立であることを特徴とする請求項１記
載のカンチレバー型アクチュエータ。2. The cantilever-type actuator according to claim 1, wherein at least one of the thin-film electrodes forming the monomorph structure is electrically independent from the thin-film electrodes forming the bimorph structure.
とを特徴とする請求項１又は２記載のカンチレバー型ア
クチュエータ。3. The cantilever type actuator according to claim 1, wherein zinc oxide is used as the thin film piezoelectric body.
その引出し電極を設けたことを特徴とする請求項１〜３
いずれかに記載のカンチレバー型アクチュエータ。4. A conductive probe at a tip of a cantilever portion,
The extraction electrode is provided.
The cantilever type actuator according to any one of the above.
薄膜電極が、カンチレバー軸中心線を対称軸として２分
割されていることを特徴とする請求項１〜４いずれかに
記載のカンチレバー型アクチュエータ。5. The cantilever-type actuator according to claim 1, wherein the thin-film electrode having a monomorph structure and a bimorph structure is divided into two with the center line of the cantilever axis as a symmetry axis.
バー型アクチュエータが、同一のシリコン単結晶基板上
に複数配置されていることを特徴とするカンチレバー型
アクチュエータ。6. A cantilever-type actuator according to claim 1, wherein a plurality of cantilever-type actuators according to claim 1 are arranged on the same silicon single crystal substrate.
バー型アクチュエータを有することを特徴とする走査型
トンネル電子顕微鏡。7. A scanning tunneling electron microscope comprising the cantilever-type actuator according to claim 1.
記録再生等を行う情報処理装置において、少なくとも請
求項１〜６いずれかに記載のカンチレバー型アクチュエ
ータを有することを特徴とする情報処理装置。8. An information processing apparatus for recording / reproducing information on / from a recording medium using a tunnel current, comprising at least the cantilever-type actuator according to any one of claims 1 to 6.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240228A JP3062967B2 (en) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | Cantilever actuator, scanning tunnel microscope and information processing apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240228A JP3062967B2 (en) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | Cantilever actuator, scanning tunnel microscope and information processing apparatus using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0552508A JPH0552508A (en) | 1993-03-02 |
| JP3062967B2 true JP3062967B2 (en) | 2000-07-12 |
Family
ID=17056359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3240228A Expired - Fee Related JP3062967B2 (en) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | Cantilever actuator, scanning tunnel microscope and information processing apparatus using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3062967B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG97764A1 (en) * | 1998-08-21 | 2003-08-20 | Inst Data Storage | Multilayer piezoeletric actuator with bending deformation and method for its manufacture |
| KR100424540B1 (en) * | 2001-04-21 | 2004-03-30 | (주)지우텍 | Cantilever construction composed of multiple actuators for AFM, AFM system having the cantilever construction and measurement method for properties of material by using the AFM |
| WO2009144972A1 (en) | 2008-05-29 | 2009-12-03 | 株式会社村田製作所 | Sheet-type vibrating body and acoustic equipment |
| JP5099223B2 (en) | 2008-05-29 | 2012-12-19 | 株式会社村田製作所 | Piezoelectric speaker, speaker device, and tactile feedback device |
| CN104471698B (en) * | 2012-07-06 | 2016-12-07 | 苹果公司 | There is the compliance bipolar microdevice transfer head of silicon electrode |
-
1991
- 1991-08-28 JP JP3240228A patent/JP3062967B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0552508A (en) | 1993-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3198355B2 (en) | Small displacement element, scanning tunnel microscope using the same, and information processing apparatus | |
| JP2923813B2 (en) | Cantilever displacement element, scanning tunneling microscope using the same, and information processing apparatus | |
| JP2741629B2 (en) | Cantilever probe, scanning tunneling microscope and information processing apparatus using the same | |
| JP3030574B2 (en) | Micro-displacement information detecting probe element, scanning tunnel microscope, atomic force microscope, and information processing apparatus using the same | |
| US4906840A (en) | Integrated scanning tunneling microscope | |
| JP3192887B2 (en) | Probe, scanning probe microscope using the probe, and recording / reproducing apparatus using the probe | |
| JPH05284765A (en) | Cantilever type displacement element, cantilever type probe using the same, scan type tunnel microscope using the same probe and information processor | |
| JPH05187867A (en) | Probe drive mechanism, its production method, tonnel current detector, information processor, plezoelectric actuator using said mechanism and its production method | |
| JPH0721968A (en) | Cantilever type displacement element, cantilever type probe using the displacement element, and scanning type probe microscope and data processer using the probe | |
| JP3062967B2 (en) | Cantilever actuator, scanning tunnel microscope and information processing apparatus using the same | |
| JP3218406B2 (en) | Cantilever type displacement element, cantilever type probe using the same, scanning tunneling microscope using this cantilever type probe, information processing apparatus | |
| JP3224174B2 (en) | Micro displacement element, optical deflector, scanning probe microscope, and information processing device | |
| JP3114023B2 (en) | Manufacturing method of integrated actuator | |
| JPH06241781A (en) | Cantilever, cantilever type probe using this, scanning tunneling microscope using cantilever type probe, information processing device | |
| JP3044425B2 (en) | Thin film displacement element, scanning tunneling microscope and information processing apparatus using the same | |
| JP3305304B2 (en) | Probe driving mechanism and method of manufacturing piezoelectric actuator using the same | |
| JP3234722B2 (en) | Arc-shaped warped lever type actuator, method of driving the actuator, and information processing apparatus using information input / output probe | |
| JP3060142B2 (en) | Driving method of cantilever type displacement element, scanning tunneling microscope, information processing apparatus, and cantilever type displacement element | |
| JP3226424B2 (en) | Scanning probe microscope, processing apparatus and information processing apparatus using the microscope | |
| JPH06317404A (en) | Cantilever type actuator, scanning probe microscope using it, and information processor | |
| JP3015974B2 (en) | Multi-probe unit, information processing device, scanning tunneling microscope, cantilever probe | |
| JP3088576B2 (en) | Scanning tunnel microscope with integrated actuator and information processing device with integrated actuator | |
| JP3053971B2 (en) | Three-dimensional displacement element for generating tunnel current, multi-tip unit using the three-dimensional displacement element for generating tunnel current, and information processing apparatus | |
| JPH06313847A (en) | Cantilever type actuator, cantilever type probe, and scanning tunneling microscope and information processor using these actuator and probe | |
| JPH06273160A (en) | Cantilever-type actuator, scanning-type tunnel microscope using it, and information processing device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000328 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |