JP3060698B2 - レーザー光源の寿命判定装置 - Google Patents
レーザー光源の寿命判定装置Info
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- JP3060698B2 JP3060698B2 JP4047115A JP4711592A JP3060698B2 JP 3060698 B2 JP3060698 B2 JP 3060698B2 JP 4047115 A JP4047115 A JP 4047115A JP 4711592 A JP4711592 A JP 4711592A JP 3060698 B2 JP3060698 B2 JP 3060698B2
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Description
【０００１】（目次） 産業上の利用分野 従来の技術（図８） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図１） 作用 実施例 (a) 第１の実施例の説明（図２乃至図６） (b) 第２の実施例の説明（図７） (c) 他の実施例の説明 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク装置等にお
いて使用されるレーザー光源の寿命を判定するレーザー
光源の寿命判定装置に関する。
いて使用されるレーザー光源の寿命を判定するレーザー
光源の寿命判定装置に関する。
【０００３】光ディスク装置（光磁気ディスク装置を含
む）、レーザープリンタ等では、レーザー光源を利用し
て、情報の読み出し、書き込み、画像の書き込みを行っ
ている。
む）、レーザープリンタ等では、レーザー光源を利用し
て、情報の読み出し、書き込み、画像の書き込みを行っ
ている。
【０００４】このようなレーザー光源を使用する装置で
は、レーザー光源から所定の光パワーを出力させる必要
があり、このため、電源オン時等の動作前に、レーザー
光源の駆動電流を、所定の光パワーが得られるよう調整
を行っており、これを発光調整という。
は、レーザー光源から所定の光パワーを出力させる必要
があり、このため、電源オン時等の動作前に、レーザー
光源の駆動電流を、所定の光パワーが得られるよう調整
を行っており、これを発光調整という。
【０００５】しかしながら、レーザー光源、特にレーザ
ーダイオードは、長時間使用したり、過電流を加えたり
すると劣化し、所定の光パワーを出力するのに、駆動電
流が大きくなり、更に劣化が進むと、最大電流を流して
も、必要とする所定の光パワーが得られなくなり，記録
再生等が正常に行われなくなる。
ーダイオードは、長時間使用したり、過電流を加えたり
すると劣化し、所定の光パワーを出力するのに、駆動電
流が大きくなり、更に劣化が進むと、最大電流を流して
も、必要とする所定の光パワーが得られなくなり，記録
再生等が正常に行われなくなる。
【０００６】このため、レーザー光源の寿命を事前に判
断する技術が求められる。
断する技術が求められる。
【０００７】
【従来の技術】図８は従来技術の説明図である。図８
（Ａ）に示すように、光ディスク（光磁気ディスク）装
置では、光学ヘッド１０にレーザーダイオード１００を
設け、回転させた光ディスク２０に対し、レーザーダイ
オード１００の光を照射することにより、情報を記録し
たり、その反射光の性質（光量、偏光面等）の変化を検
出することにより、情報を再生する。
（Ａ）に示すように、光ディスク（光磁気ディスク）装
置では、光学ヘッド１０にレーザーダイオード１００を
設け、回転させた光ディスク２０に対し、レーザーダイ
オード１００の光を照射することにより、情報を記録し
たり、その反射光の性質（光量、偏光面等）の変化を検
出することにより、情報を再生する。
【０００８】このレーザーダイオード１００が劣化する
と、図８（Ｂ）に示すように、必要なリードパワー、ラ
イトパワーを得るための電流が、Ｉ1 からＩ3 へ、Ｉ2
からＩ4 へ増加し、更に劣化すると、装置の最大電流を
流しても、必要な光パワーが得られなくなり、マージン
ぎりぎりでライトした場合には、経時後にデータを再生
できなくなる等正常なライト・リードができなくなる可
能性がある。
と、図８（Ｂ）に示すように、必要なリードパワー、ラ
イトパワーを得るための電流が、Ｉ1 からＩ3 へ、Ｉ2
からＩ4 へ増加し、更に劣化すると、装置の最大電流を
流しても、必要な光パワーが得られなくなり、マージン
ぎりぎりでライトした場合には、経時後にデータを再生
できなくなる等正常なライト・リードができなくなる可
能性がある。
【０００９】このため、レーザーダイオード１００の寿
命を事前に判定する必要があり、従来は、制御部４４
が、レーザーダイオード１００を所定パワーで発光させ
るのに必要な電流を測定し、所定の制限電流値と比較し
て、制限電流値を越えると、レーザーダイオード１００
の寿命がきたと判定する方法をとっていた。
命を事前に判定する必要があり、従来は、制御部４４
が、レーザーダイオード１００を所定パワーで発光させ
るのに必要な電流を測定し、所定の制限電流値と比較し
て、制限電流値を越えると、レーザーダイオード１００
の寿命がきたと判定する方法をとっていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術では、次の問題があった。 装置間の回路やレーザー光源の性能にバラツキがあ
り、制限値を設定することが困難である。
術では、次の問題があった。 装置間の回路やレーザー光源の性能にバラツキがあ
り、制限値を設定することが困難である。
【００１１】制限値を大きくすると、レーザー光源に
よっては、制限値に到る前に劣化し、正常なライト・リ
ード動作等が不可能となり、制限値を小さくすると、劣
化に到る前に、寿命と判定され、未だ使用できるのに、
交換となり、無駄が発生する。
よっては、制限値に到る前に劣化し、正常なライト・リ
ード動作等が不可能となり、制限値を小さくすると、劣
化に到る前に、寿命と判定され、未だ使用できるのに、
交換となり、無駄が発生する。
【００１２】従って、本発明は、装置の個々にバラツキ
があっても、寿命判定精度を向上することができるレー
ザー光源の寿命判定装置を提供することを目的とする。
があっても、寿命判定精度を向上することができるレー
ザー光源の寿命判定装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理図で
ある。本発明の請求項１は、電流に応じた光パワーを発
生するレーザー光源１００と、前記レーザー光源１００
の制御値を指示する制御部４４とを有し、前記レーザー
光源１００の照射光によって、所望の動作を行う装置に
おいて、前記レーザー光源１００の光パワーがリード時
又はライト時又はイレーズ時のそれぞれに対応した所定
値になった時の制御値により定められた初期値を予め格
納する不揮発性メモリ４５を備え、前記制御部４４は、
装置の電源オン時、又は、前記レーザー光源が発光した
所定タイミング毎の発光調整の際に測定した、前記レー
ザー光源１００の光パワーがリード時又はライト時又は
イレーズ時のそれぞれに対応した所定値となった時の制
御値と、前記不揮発性メモリ４５の対応する初期値とを
比較し、前記レーザー光源１００の寿命の判定を行うこ
とを特徴とする。
ある。本発明の請求項１は、電流に応じた光パワーを発
生するレーザー光源１００と、前記レーザー光源１００
の制御値を指示する制御部４４とを有し、前記レーザー
光源１００の照射光によって、所望の動作を行う装置に
おいて、前記レーザー光源１００の光パワーがリード時
又はライト時又はイレーズ時のそれぞれに対応した所定
値になった時の制御値により定められた初期値を予め格
納する不揮発性メモリ４５を備え、前記制御部４４は、
装置の電源オン時、又は、前記レーザー光源が発光した
所定タイミング毎の発光調整の際に測定した、前記レー
ザー光源１００の光パワーがリード時又はライト時又は
イレーズ時のそれぞれに対応した所定値となった時の制
御値と、前記不揮発性メモリ４５の対応する初期値とを
比較し、前記レーザー光源１００の寿命の判定を行うこ
とを特徴とする。
【００１４】
【００１５】本発明の請求項２は、請求項１において、
前記発光調整毎に、前記発光調整の制御値を前記不揮発
性メモリ４５に格納することを特徴とする。本発明の請
求項３は、請求項１において、比較のための前記初期値
は、前記不揮発性メモリの制御値に補正値を加算した値
であることを特徴とする。本発明の請求項４は、請求項
１又は２又は３において、前記発光調整の制御値と初期
値との比較により、前記レーザー光源１００の寿命と判
定した時に、レーザー光源の寿命通知を上位装置に通知
することを特徴とする。
前記発光調整毎に、前記発光調整の制御値を前記不揮発
性メモリ４５に格納することを特徴とする。本発明の請
求項３は、請求項１において、比較のための前記初期値
は、前記不揮発性メモリの制御値に補正値を加算した値
であることを特徴とする。本発明の請求項４は、請求項
１又は２又は３において、前記発光調整の制御値と初期
値との比較により、前記レーザー光源１００の寿命と判
定した時に、レーザー光源の寿命通知を上位装置に通知
することを特徴とする。
【００１６】本発明の請求項５は、請求項１又は２又は
３又は４において、前記発光調整の制御値と初期値との
比較により、前記レーザー光源１００の寿命と判定した
時に、レーザー光源の寿命を示す情報を前記不揮発性メ
モリ４５に格納することを特徴とする。
３又は４において、前記発光調整の制御値と初期値との
比較により、前記レーザー光源１００の寿命と判定した
時に、レーザー光源の寿命を示す情報を前記不揮発性メ
モリ４５に格納することを特徴とする。
【００１７】本発明の請求項６は、請求項１又は２又は
３又は４又は５において、前記レーザー光源１００が、
光ディスク２０に対して、光を照射する光学ヘッド１０
に設けられ、少なくとも光ディスク２０の情報を読み出
すためのものであることを特徴とする。
３又は４又は５において、前記レーザー光源１００が、
光ディスク２０に対して、光を照射する光学ヘッド１０
に設けられ、少なくとも光ディスク２０の情報を読み出
すためのものであることを特徴とする。
【００１８】
【作用】本発明の請求項１では、レーザー光源１００の
光パワーがリード時又はライト時又はイレーズ時のそれ
ぞれに対応した所定値になった時の制御値により定めら
れた初期値を予め格納する不揮発性メモリ４５を備え、
前記制御部４４は、装置の電源オン時、又は、所定タイ
ミング毎の前記レーザー光源の発光調整の際に測定し
た、前記レーザー光源１００の光パワーがリード時又は
ライト時又はイレーズ時のそれぞれに対応した所定値と
なった時の制御値と、前記不揮発性メモリ４５の対応す
る初期値とを比較し、前記レーザー光源１００の寿命の
判定を行うので、個々の装置のレーザー光源等の性能が
相違しても、その装置のレーザー光源の初期値と比較し
て、寿命を判定するため、個々の装置の性能に応じた正
確な寿命判定ができる。
光パワーがリード時又はライト時又はイレーズ時のそれ
ぞれに対応した所定値になった時の制御値により定めら
れた初期値を予め格納する不揮発性メモリ４５を備え、
前記制御部４４は、装置の電源オン時、又は、所定タイ
ミング毎の前記レーザー光源の発光調整の際に測定し
た、前記レーザー光源１００の光パワーがリード時又は
ライト時又はイレーズ時のそれぞれに対応した所定値と
なった時の制御値と、前記不揮発性メモリ４５の対応す
る初期値とを比較し、前記レーザー光源１００の寿命の
判定を行うので、個々の装置のレーザー光源等の性能が
相違しても、その装置のレーザー光源の初期値と比較し
て、寿命を判定するため、個々の装置の性能に応じた正
確な寿命判定ができる。
【００１９】また、装置の電源オン時に行えば、装置の
動作前に、事前にレーザー光源の寿命判定ができる。更
に、レーザー光源が発光した所定タイミング毎に行え
ば、電源を長時間オフしないライブラリー装置等におい
ても、定期的にレーザー光源の寿命を判定できる。
動作前に、事前にレーザー光源の寿命判定ができる。更
に、レーザー光源が発光した所定タイミング毎に行え
ば、電源を長時間オフしないライブラリー装置等におい
ても、定期的にレーザー光源の寿命を判定できる。
【００２０】本発明の請求項２では、発光調整毎に、前
記発光調整の制御値を前記不揮発性メモリ４５に格納す
るので、発光調整の履歴が残っているため、レーザー光
源の寿命発生の原因調査等に役立つ。本発明の請求項３
では、比較のための初期値は補正値を加算するため、容
易に作成することができる。
記発光調整の制御値を前記不揮発性メモリ４５に格納す
るので、発光調整の履歴が残っているため、レーザー光
源の寿命発生の原因調査等に役立つ。本発明の請求項３
では、比較のための初期値は補正値を加算するため、容
易に作成することができる。
【００２１】本発明の請求項４では、発光調整の制御値
と初期値との比較により、前記レーザー光源１００の寿
命と判定した時に、レーザー光源の寿命通知を上位装置
に通知するので、上位装置がオペレータの通知、動作の
停止等の適切な処置をとることができる。
と初期値との比較により、前記レーザー光源１００の寿
命と判定した時に、レーザー光源の寿命通知を上位装置
に通知するので、上位装置がオペレータの通知、動作の
停止等の適切な処置をとることができる。
【００２２】本発明の請求項５では、発光調整の制御値
と初期値との比較により、前記レーザー光源１００の寿
命と判定した時に、レーザー光源の寿命を示す情報を前
記不揮発性メモリ４５に格納するため、電源オフされて
も、履歴が残り、装置動作を事前に停止する等の処置を
とらせることができる。
と初期値との比較により、前記レーザー光源１００の寿
命と判定した時に、レーザー光源の寿命を示す情報を前
記不揮発性メモリ４５に格納するため、電源オフされて
も、履歴が残り、装置動作を事前に停止する等の処置を
とらせることができる。
【００２３】本発明の請求項６では、レーザー光源１０
０が、光ディスク２０に対して、光を照射する光学ヘッ
ド１０に設けられ、少なくとも光ディスク２０の情報を
読み出すためのものであるため、光ディスク装置のリー
ド・ライト動作を確実にするとともに、レーザー光源を
最大限まで使用できる。
０が、光ディスク２０に対して、光を照射する光学ヘッ
ド１０に設けられ、少なくとも光ディスク２０の情報を
読み出すためのものであるため、光ディスク装置のリー
ド・ライト動作を確実にするとともに、レーザー光源を
最大限まで使用できる。
【００２４】
(a) 第１の実施例の説明 図２は本発明の一実施例構成図、図３は本発明の一実施
例裏面図であり、光磁気ディスク装置を示している。
例裏面図であり、光磁気ディスク装置を示している。
【００２５】図２（Ａ）中、１は光磁気ディスク装置で
あり、１０は可動光学ヘッドであり、光ディスク２０に
光を照射して、書き込み、読み出しを行うもの、１０ａ
は固定光学ヘッドであり、発光部（レーザーダイオー
ド）１００、光学系、受光部等の固定部分を収納するも
の、１１はＶＣＭ（ボイスコイルモータ）コイルであ
り、光学ヘッド１０を光ディスク２０の半径方向に駆動
するもの、１２はポジショナー（可動部分）であり、光
学ヘッド１０とＶＣＭコイル１１を備えるものである。
あり、１０は可動光学ヘッドであり、光ディスク２０に
光を照射して、書き込み、読み出しを行うもの、１０ａ
は固定光学ヘッドであり、発光部（レーザーダイオー
ド）１００、光学系、受光部等の固定部分を収納するも
の、１１はＶＣＭ（ボイスコイルモータ）コイルであ
り、光学ヘッド１０を光ディスク２０の半径方向に駆動
するもの、１２はポジショナー（可動部分）であり、光
学ヘッド１０とＶＣＭコイル１１を備えるものである。
【００２６】１３はポジショナー１２の内周ストッパで
あり、１４はポジショナー１２の外周ストッパであり、
１５はスピンドルモータであり、光ディスク２０を回転
するもの、１６は外部磁石であり、光ディスク２０に磁
界を与え、書き込み可能とするものである。
あり、１４はポジショナー１２の外周ストッパであり、
１５はスピンドルモータであり、光ディスク２０を回転
するもの、１６は外部磁石であり、光ディスク２０に磁
界を与え、書き込み可能とするものである。
【００２７】２は光ディスクカートリッジであり、光デ
ィスク２０を備え、光磁気ディスク装置１に着脱される
ものである。図２（Ｂ）において、１７は発光部であ
り、ＬＥＤ（発光ダイオード）で構成され、ポジショナ
ー１２に設けられ、半導***置検出素子１８に光を発光
するもの、１８は半導***置検出素子（ＰＳＤ）であ
り、ポジショナー１２の移動経路に並行に設けられ、発
光部１７の光を受光面１８ａで検出して、ポジショナー
１２の位置（絶対位置）に対応する電流出力を発生する
ものである。
ィスク２０を備え、光磁気ディスク装置１に着脱される
ものである。図２（Ｂ）において、１７は発光部であ
り、ＬＥＤ（発光ダイオード）で構成され、ポジショナ
ー１２に設けられ、半導***置検出素子１８に光を発光
するもの、１８は半導***置検出素子（ＰＳＤ）であ
り、ポジショナー１２の移動経路に並行に設けられ、発
光部１７の光を受光面１８ａで検出して、ポジショナー
１２の位置（絶対位置）に対応する電流出力を発生する
ものである。
【００２８】図２（Ｂ）、図３において、１１ａはＶＣ
Ｍ磁石であり、ＶＣＭコイル１１とともに、ＶＣＭ（直
進モータ）を構成するもの、１２ａは空間部であり、ス
ピンドルモータ１５が邪魔にならずポジショナー１２を
移動可能とするためのもの、１２ｂは連結部であり、Ｖ
ＣＭコイル１１と光学ヘッド１０とを連結し、空間部１
２ａを形成するものである。
Ｍ磁石であり、ＶＣＭコイル１１とともに、ＶＣＭ（直
進モータ）を構成するもの、１２ａは空間部であり、ス
ピンドルモータ１５が邪魔にならずポジショナー１２を
移動可能とするためのもの、１２ｂは連結部であり、Ｖ
ＣＭコイル１１と光学ヘッド１０とを連結し、空間部１
２ａを形成するものである。
【００２９】図３の裏面図に示すように、光学ヘッド１
０の光照射方向と反対の裏面側に、半導***置検出素子
１８が固定され、発光部１７がポジショナー１２の光学
ヘッド１０の近傍に設けられている。
０の光照射方向と反対の裏面側に、半導***置検出素子
１８が固定され、発光部１７がポジショナー１２の光学
ヘッド１０の近傍に設けられている。
【００３０】このように、発光部１７を独立に設けてい
るので、光学ヘッド１０が発光していない時でも、位置
検出ができ、シーク動作が可能となり、発光量も十分と
れ、正確な位置検出によるシーク動作が可能となる。
るので、光学ヘッド１０が発光していない時でも、位置
検出ができ、シーク動作が可能となり、発光量も十分と
れ、正確な位置検出によるシーク動作が可能となる。
【００３１】しかも、裏面側に設けたので、光学ヘッド
１０の発光時に、迷い光により、位置を誤検出するおそ
れがない。又、光学ヘッド１０は対物レンズ、トラック
／フォーカスアクチュエータ等の可動部のみを搭載し、
発光部、受光部、光学系は固定光学ヘッド１０ａに設け
られ、固定光学ヘッド１０ａと可動光学ヘッド１０とは
光結合しており、これにより、可動光学ヘッド１０を軽
くでき、高速駆動が可能となる。
１０の発光時に、迷い光により、位置を誤検出するおそ
れがない。又、光学ヘッド１０は対物レンズ、トラック
／フォーカスアクチュエータ等の可動部のみを搭載し、
発光部、受光部、光学系は固定光学ヘッド１０ａに設け
られ、固定光学ヘッド１０ａと可動光学ヘッド１０とは
光結合しており、これにより、可動光学ヘッド１０を軽
くでき、高速駆動が可能となる。
【００３２】更に、スピンドルモータ１５を横から跨ぐ
ように、ポジショナー１２を構成しているので、高速の
ＶＣＭを用いて、装置を小型化できる。図４は本発明の
一実施例ブロック図である。
ように、ポジショナー１２を構成しているので、高速の
ＶＣＭを用いて、装置を小型化できる。図４は本発明の
一実施例ブロック図である。
【００３３】図中、図２、図３で示したものと同一のも
のは同一の記号で示してあり、３０、３１は各々電流・
電圧変換回路であり、半導***置検出素子１８の両端の
電流出力Ｉ1 、Ｉ2 を電圧Ｖ1 、Ｖ2 に変換するもの、
３２は差回路であり、電圧Ｖ 1 から電圧Ｖ2 を差引き、
位置信号を発生するもの、３３はＡＤ（アナログ・デジ
タル）コンバータであり、アナログ位置信号をデジタル
信号に変換して、制御ブロック４４に入力するものであ
る。
のは同一の記号で示してあり、３０、３１は各々電流・
電圧変換回路であり、半導***置検出素子１８の両端の
電流出力Ｉ1 、Ｉ2 を電圧Ｖ1 、Ｖ2 に変換するもの、
３２は差回路であり、電圧Ｖ 1 から電圧Ｖ2 を差引き、
位置信号を発生するもの、３３はＡＤ（アナログ・デジ
タル）コンバータであり、アナログ位置信号をデジタル
信号に変換して、制御ブロック４４に入力するものであ
る。
【００３４】３４はＤＡ（デジタル・アナログ）コンバ
ータであり、制御部４４のデジタル駆動信号をアナログ
駆動信号に変換するもの、３５は差回路であり、位置信
号から駆動信号を差引き、位置誤差信号を発生するも
の、３６は位相補償回路であり、位置誤差信号の高域成
分を進ませ、位相補償するもの、３７はＶＣＭ駆動アン
プであり、位相補償回路３６の出力により、ポジショナ
ー１２のＶＣＭコイル１１を電流駆動するものである。
ータであり、制御部４４のデジタル駆動信号をアナログ
駆動信号に変換するもの、３５は差回路であり、位置信
号から駆動信号を差引き、位置誤差信号を発生するも
の、３６は位相補償回路であり、位置誤差信号の高域成
分を進ませ、位相補償するもの、３７はＶＣＭ駆動アン
プであり、位相補償回路３６の出力により、ポジショナ
ー１２のＶＣＭコイル１１を電流駆動するものである。
【００３５】３８はトラックサーボ制御部であり、可動
光学ヘッド１０の反射光から固定光学ヘッド１０ａが発
生したトラックエラー信号ＴＥＳにより、光学ヘッド１
０のトラックアクチュエータをサーボ制御するもの、３
９はフォーカスサーボ制御部であり、光学ヘッド１０の
反射光から固定光学ヘッド１０ａが発生したフォーカス
エラー信号ＦＥＳにより、光学ヘッド１０のフォーカス
アクチュエータをサーボ制御するものである。
光学ヘッド１０の反射光から固定光学ヘッド１０ａが発
生したトラックエラー信号ＴＥＳにより、光学ヘッド１
０のトラックアクチュエータをサーボ制御するもの、３
９はフォーカスサーボ制御部であり、光学ヘッド１０の
反射光から固定光学ヘッド１０ａが発生したフォーカス
エラー信号ＦＥＳにより、光学ヘッド１０のフォーカス
アクチュエータをサーボ制御するものである。
【００３６】４０はＤＡコンバータであり、制御部４４
のレーザーダイオード１００の駆動電流制御値をアナロ
グ駆動電流制御量に変換するもの、４１はスイッチであ
り、制御部４４の制御により、アナログ駆動電流制御量
をレーザーダイオード駆動アンプ４２に出力するもの、
４２はレーザーダイオード駆動アイプであり、アナログ
駆動電流制御量によりレーザーダイオード１００を駆動
するもの、４３はＡＤコンバータであり、レーザーダイ
オード１００のモニター光量をデジタル値に変換して、
制御部４４に入力するものである。
のレーザーダイオード１００の駆動電流制御値をアナロ
グ駆動電流制御量に変換するもの、４１はスイッチであ
り、制御部４４の制御により、アナログ駆動電流制御量
をレーザーダイオード駆動アンプ４２に出力するもの、
４２はレーザーダイオード駆動アイプであり、アナログ
駆動電流制御量によりレーザーダイオード１００を駆動
するもの、４３はＡＤコンバータであり、レーザーダイ
オード１００のモニター光量をデジタル値に変換して、
制御部４４に入力するものである。
【００３７】４４は制御部であり、マイクロプロセッサ
（ＭＰＵ）で構成され、上位からの指示により、シーク
制御、リード／ライト制御等をプログラムの実行により
行うもの、４５は不揮発性メモリであり、ＥＥＰＲＯＭ
（電気的消去可能なプログラマブル・リード・オンリー
・メモリ）で構成され、パラメータ等を格納するもの、
４６はＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）であり、
制御量等を格納しておくものである。
（ＭＰＵ）で構成され、上位からの指示により、シーク
制御、リード／ライト制御等をプログラムの実行により
行うもの、４５は不揮発性メモリであり、ＥＥＰＲＯＭ
（電気的消去可能なプログラマブル・リード・オンリー
・メモリ）で構成され、パラメータ等を格納するもの、
４６はＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）であり、
制御量等を格納しておくものである。
【００３８】この実施例では、制御部４４の駆動信号と
位置信号との差である位置誤差信号により、ＶＣＭコイ
ル１１を駆動できる。即ち、制御部（以下、プロセッサ
という）４４は、上位から与えられた目標位置ｒに対す
る出力値Ｘを算出し、ＤＡコンバータ３４に駆動信号Ｘ
を出力し、差回路３５から発生する半導***置検出素子
１８の位置信号とＤＡコンバータ３４の駆動信号Ｘとの
位置誤差信号が、位相補償回路３６、ＶＣＭ駆動アンプ
３７を介しＶＣＭコンバータ１１に与えられ、シーク移
動する。
位置信号との差である位置誤差信号により、ＶＣＭコイ
ル１１を駆動できる。即ち、制御部（以下、プロセッサ
という）４４は、上位から与えられた目標位置ｒに対す
る出力値Ｘを算出し、ＤＡコンバータ３４に駆動信号Ｘ
を出力し、差回路３５から発生する半導***置検出素子
１８の位置信号とＤＡコンバータ３４の駆動信号Ｘとの
位置誤差信号が、位相補償回路３６、ＶＣＭ駆動アンプ
３７を介しＶＣＭコンバータ１１に与えられ、シーク移
動する。
【００３９】プロセッサ４４は、ＡＤコンバータ３３か
らの位置信号が目標位置となると、目標位置（トラッ
ク）に位置決めされたことになり、シーク完了と判定
し、シーク動作を終了する。
らの位置信号が目標位置となると、目標位置（トラッ
ク）に位置決めされたことになり、シーク完了と判定
し、シーク動作を終了する。
【００４０】その後、プロセッサ４１は、トラックサー
ボ制御部３８、フォーカスサーボ制御部３９をサーボオ
ンして、光学ヘッド１０によりリード／ライトを行う。
図５は本発明の第１の実施例立ち上げ時の測定処理フロ
ー図、図６は本発明の第１の実施例電源オン処理フロー
図である。
ボ制御部３８、フォーカスサーボ制御部３９をサーボオ
ンして、光学ヘッド１０によりリード／ライトを行う。
図５は本発明の第１の実施例立ち上げ時の測定処理フロ
ー図、図６は本発明の第１の実施例電源オン処理フロー
図である。
【００４１】図５により、装置立ち上げ測定処理につい
て説明する。 制御部（以下、プロセッサという）４４は、スイッチ
４１をオフし、ＤＡコンバータ４０に制御値として「０
０」を出力し、スイッチ４１をオンして、駆動アンプ４
２を介しレーザーダイオード１００を駆動する。
て説明する。 制御部（以下、プロセッサという）４４は、スイッチ
４１をオフし、ＤＡコンバータ４０に制御値として「０
０」を出力し、スイッチ４１をオンして、駆動アンプ４
２を介しレーザーダイオード１００を駆動する。
【００４２】プロセッサ４４は、ＤＡコンバータ４０
の制御値を＋１して、ＤＡコンバータ４０に出力し、ス
イッチ４１、駆動アンプ４２を介してレーザーダイオー
ド１００を駆動する。
の制御値を＋１して、ＤＡコンバータ４０に出力し、ス
イッチ４１、駆動アンプ４２を介してレーザーダイオー
ド１００を駆動する。
【００４３】プロセッサ４４は、レーザーダイオード
１００のモニター光量をＡＤコンバータ４３より読み、
レーザーダイオード１００の光パワーが規定パワーか判
定し、規定パワー以下なら、ステップに戻る。
１００のモニター光量をＡＤコンバータ４３より読み、
レーザーダイオード１００の光パワーが規定パワーか判
定し、規定パワー以下なら、ステップに戻る。
【００４４】この時、図８（Ａ）のように、リード／ラ
イトするものでは、ライトパワーの方が大きいので、規
定パワーはライトパワーとし、リード／ライト／イレー
ズなら、イレーズパワーが最も大きいので、規定パワー
はイレーズパワーとする。
イトするものでは、ライトパワーの方が大きいので、規
定パワーはライトパワーとし、リード／ライト／イレー
ズなら、イレーズパワーが最も大きいので、規定パワー
はイレーズパワーとする。
【００４５】リード／ライト／イレーズの３ビームの場
合は、各レーザーダイオードについて、それぞれのリー
ドパワー、ライトパワー、イレーズパワーを規定パワー
とする。
合は、各レーザーダイオードについて、それぞれのリー
ドパワー、ライトパワー、イレーズパワーを規定パワー
とする。
【００４６】プロセッサ４４は、レーザーダイオード
１００の光パワーが規定パワーなら、現在のＤＡコンバ
ータの制御値をＲＡＭ４６に格納する。 プロセッサ４４は、ステップ〜の動作を１００回
繰り返したかを判定し、１００回に到らないと、ステッ
プに戻る。
１００の光パワーが規定パワーなら、現在のＤＡコンバ
ータの制御値をＲＡＭ４６に格納する。 プロセッサ４４は、ステップ〜の動作を１００回
繰り返したかを判定し、１００回に到らないと、ステッ
プに戻る。
【００４７】プロセッサ４４は、ステップ〜の動
作を１００回繰り返したと判定すると、スイッチ４１を
オフして、ＲＡＭ４６に格納した１００回分の制御値の
平均値Ｐｉを算出して、不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯ
Ｍ）４５に格納する。
作を１００回繰り返したと判定すると、スイッチ４１を
オフして、ＲＡＭ４６に格納した１００回分の制御値の
平均値Ｐｉを算出して、不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯ
Ｍ）４５に格納する。
【００４８】このようにして、装置出荷前の立ち上げ時
に、レーザーダイオード１００が所定の光パワーを発生
する制御値を測定し、不揮発性メモリ４５に保持してお
き、装置動作時の初期値とする。
に、レーザーダイオード１００が所定の光パワーを発生
する制御値を測定し、不揮発性メモリ４５に保持してお
き、装置動作時の初期値とする。
【００４９】次に、装置出荷後の装置の電源オン時の寿
命判定処理について、図６により説明する。 電源オンにより、プロセッサ４４は、不揮発性メモリ
（ＥＥＰＲＯＭ）４５より、平均値ＰｉをＲＡＭ４６に
読み出す。
命判定処理について、図６により説明する。 電源オンにより、プロセッサ４４は、不揮発性メモリ
（ＥＥＰＲＯＭ）４５より、平均値ＰｉをＲＡＭ４６に
読み出す。
【００５０】プロセッサ４４は、スイッチ４１をオフ
し、ＤＡコンバータ４０に制御値として「００」を出力
し、スイッチ４１をオンして、駆動アンプ４２を介しレ
ーザーダイオード１００を駆動する。
し、ＤＡコンバータ４０に制御値として「００」を出力
し、スイッチ４１をオンして、駆動アンプ４２を介しレ
ーザーダイオード１００を駆動する。
【００５１】プロセッサ４４は、ＤＡコンバータ４０
の制御値を＋１して、ＤＡコンバータ４０を出力し、ス
イッチ４１、駆動アンプ４２を介してレーザーダイオー
ド１００を駆動する。
の制御値を＋１して、ＤＡコンバータ４０を出力し、ス
イッチ４１、駆動アンプ４２を介してレーザーダイオー
ド１００を駆動する。
【００５２】プロセッサ４４は、レーザーダイオード
１００のモニター光量をＡＤコンバータ４３より読み、
レーザーダイオード１００の光パワーが規定パワーか判
定し、規定パワー以下なら、ステップに戻る。
１００のモニター光量をＡＤコンバータ４３より読み、
レーザーダイオード１００の光パワーが規定パワーか判
定し、規定パワー以下なら、ステップに戻る。
【００５３】プロセッサ４４は、レーザーダイオード
１００の光パワーが規定パワーなら、現在のＤＡコンバ
ータの制御値をＲＡＭ４６に格納する。 プロセッサ４４は、ステップ〜の動作を１０回繰
り返したかを判定し、１０回に到らないと、ステップ
に戻る。
１００の光パワーが規定パワーなら、現在のＤＡコンバ
ータの制御値をＲＡＭ４６に格納する。 プロセッサ４４は、ステップ〜の動作を１０回繰
り返したかを判定し、１０回に到らないと、ステップ
に戻る。
【００５４】プロセッサ４４は、ステップ〜の動
作を１０回繰り返したと判定すると、ＲＡＭ４６の１０
回分の制御値を読み出し、平均値Ｐｃを算出する。 次に、プロセッサ４４は、平均値Ｐｃと、初期値Ｐｉ
に増加制限値（「２０」）を加えたものとを比較し、平
均値Ｐｃが（Ｐｉ＋２０）以上でないなら、レーザーダ
イオード１００の寿命でないとして、調整を終了し、現
在のＤＡコンバータ４０の出力でレーザーダイオード１
００を駆動する。
作を１０回繰り返したと判定すると、ＲＡＭ４６の１０
回分の制御値を読み出し、平均値Ｐｃを算出する。 次に、プロセッサ４４は、平均値Ｐｃと、初期値Ｐｉ
に増加制限値（「２０」）を加えたものとを比較し、平
均値Ｐｃが（Ｐｉ＋２０）以上でないなら、レーザーダ
イオード１００の寿命でないとして、調整を終了し、現
在のＤＡコンバータ４０の出力でレーザーダイオード１
００を駆動する。
【００５５】プロセッサ４４は、平均値Ｐｃが（Ｐｉ
＋２０）以上なら、レーザーダイオード１００の寿命と
判定し、ＬＤ（レーザーダイオード）寿命ステータスを
上位装置に返送する。
＋２０）以上なら、レーザーダイオード１００の寿命と
判定し、ＬＤ（レーザーダイオード）寿命ステータスを
上位装置に返送する。
【００５６】これにより、上位装置は、動作の停止、オ
ペレータへの通知等の処置をとることができる。更に、
プロセッサ４４は、不揮発性メモリ４５にＬＤ寿命フラ
グを立て、発光調整を終了する。
ペレータへの通知等の処置をとることができる。更に、
プロセッサ４４は、不揮発性メモリ４５にＬＤ寿命フラ
グを立て、発光調整を終了する。
【００５７】このようにして、装置立ち上げ時に、レー
ザーダイオード１００が所定の光パワーとなる制御値を
測定し、初期値として格納しておき、電源オン時の発光
調整時に、調整した制御値を、初期値と比較して、レー
ザーダイオード１００の寿命判定を行うので、個々の装
置のレーザーダイオード１００等の特性に応じた正確な
寿命判定ができる。
ザーダイオード１００が所定の光パワーとなる制御値を
測定し、初期値として格納しておき、電源オン時の発光
調整時に、調整した制御値を、初期値と比較して、レー
ザーダイオード１００の寿命判定を行うので、個々の装
置のレーザーダイオード１００等の特性に応じた正確な
寿命判定ができる。
【００５８】又、制御値の測定を繰り返し、平均値をと
るので、正確な制御値を測定でき、初期値は、より正確
を期するため、１００回実行し、電源オン時は、動作開
始が遅れないように、１０回実行している。
るので、正確な制御値を測定でき、初期値は、より正確
を期するため、１００回実行し、電源オン時は、動作開
始が遅れないように、１０回実行している。
【００５９】更に、不揮発性メモリ４５に、初期値を格
納するので、電源オフしても保持でき、初期値を失うこ
とがない。 (b) 第２の実施例の説明 図７は本発明の第２の実施例処理フロー図である。
納するので、電源オフしても保持でき、初期値を失うこ
とがない。 (b) 第２の実施例の説明 図７は本発明の第２の実施例処理フロー図である。
【００６０】この実施例の構成は、図２乃至図４のもの
と同一であり、立ち上げ処理は、図５のものと同一であ
る。この実施例では、電源オン／オフがなかなか行われ
ない光磁気ディスクライブラリー装置等においても、寿
命判定を一定周期で行うようにしたものである。
と同一であり、立ち上げ処理は、図５のものと同一であ
る。この実施例では、電源オン／オフがなかなか行われ
ない光磁気ディスクライブラリー装置等においても、寿
命判定を一定周期で行うようにしたものである。
【００６１】プロセッサ４４は上位装置からＬＤ（レ
ーザーダイオード）オンを含むコマンド（例えば、スピ
ンドルオンコマンド）が到来したか又は光磁気ディスク
カートリッジ２の挿入があったかを判定し、ＬＤ（レー
ザーダイオード）オンを含むコマンドが到来した又は光
磁気ディスクカートリッジ２の挿入があったと判定する
と、不揮発性メモリ４５からＬＤ発光時間とＬＤ発光回
数をＲＡＭ４６にロードする。
ーザーダイオード）オンを含むコマンド（例えば、スピ
ンドルオンコマンド）が到来したか又は光磁気ディスク
カートリッジ２の挿入があったかを判定し、ＬＤ（レー
ザーダイオード）オンを含むコマンドが到来した又は光
磁気ディスクカートリッジ２の挿入があったと判定する
と、不揮発性メモリ４５からＬＤ発光時間とＬＤ発光回
数をＲＡＭ４６にロードする。
【００６２】プロセッサ４４は、ロードした発光時間
が、１０００時間を越えたかを判定し、越えていると、
ステップの寿命判定に進み、越えていないと、ロード
した発光回数が、１００回を越えたかを判定し、越えて
いると、ステップの寿命判定に進み、越えていない
と、ステップに進む。
が、１０００時間を越えたかを判定し、越えていると、
ステップの寿命判定に進み、越えていないと、ロード
した発光回数が、１００回を越えたかを判定し、越えて
いると、ステップの寿命判定に進み、越えていない
と、ステップに進む。
【００６３】プロセッサ４４は、図６のＬＤ寿命チェ
ック（図６の〜）を実行し、現在のＬＤ発光時間、
発光回数と、図６の制御値１０回の平均値とを不揮発性
メモリ４５に格納して、ステップに進む。
ック（図６の〜）を実行し、現在のＬＤ発光時間、
発光回数と、図６の制御値１０回の平均値とを不揮発性
メモリ４５に格納して、ステップに進む。
【００６４】プロセッサ４４は、ＬＤ発光時間のタイ
マをスタートして、レーザーダイオード１００をオン
（スイッチ４１をオン）する。 プロセッサ４４は、上位装置からのコマンドに従い、
シーク、リード、ライト等を実行する。
マをスタートして、レーザーダイオード１００をオン
（スイッチ４１をオン）する。 プロセッサ４４は、上位装置からのコマンドに従い、
シーク、リード、ライト等を実行する。
【００６５】プロセッサ４４は、上位装置からのコマ
ンドが、ＬＤオフを含むコマンド（スピンドルオフコマ
ンド）が到来したか又は光磁気ディスクカートリッジ２
の排出があったかを判定し、ＬＤオフを含むコマンドが
到来しない又は光磁気ディスクカートリッジ２の排出が
ないと判定すると、ステップに戻り、ＬＤオフを含む
コマンドが到来した又は光磁気ディスクカートリッジ２
の排出があったと判定すると、レーザーダイオード１０
０をオフ（スイッチ４１をオフ）する。
ンドが、ＬＤオフを含むコマンド（スピンドルオフコマ
ンド）が到来したか又は光磁気ディスクカートリッジ２
の排出があったかを判定し、ＬＤオフを含むコマンドが
到来しない又は光磁気ディスクカートリッジ２の排出が
ないと判定すると、ステップに戻り、ＬＤオフを含む
コマンドが到来した又は光磁気ディスクカートリッジ２
の排出があったと判定すると、レーザーダイオード１０
０をオフ（スイッチ４１をオフ）する。
【００６６】プロセッサ４４は、ＬＤ発光時間のタイ
マをストップして、不揮発性メモリ４５から読み出した
発光時間にタイマ値を加算して、不揮発性メモリ４５に
格納する。
マをストップして、不揮発性メモリ４５から読み出した
発光時間にタイマ値を加算して、不揮発性メモリ４５に
格納する。
【００６７】次に、プロセッサ４４は、不揮発性メモリ
４５から読み出した発光回数に「１」を加算して、不揮
発性メモリ４５に格納して、ステップに戻る。このよ
うにして、電源オフのないコンピュータに接続された光
磁気ディスク装置においても、レーザーダイオード１０
０の発光時間、発光回数を計数し、所定時間（１０００
時間）又は所定回数（１００回）となると、図６のレー
ザーダイオード１００の寿命チェックをした上で、レー
ザーダイオード１００をオンして、所定の動作を行う。
４５から読み出した発光回数に「１」を加算して、不揮
発性メモリ４５に格納して、ステップに戻る。このよ
うにして、電源オフのないコンピュータに接続された光
磁気ディスク装置においても、レーザーダイオード１０
０の発光時間、発光回数を計数し、所定時間（１０００
時間）又は所定回数（１００回）となると、図６のレー
ザーダイオード１００の寿命チェックをした上で、レー
ザーダイオード１００をオンして、所定の動作を行う。
【００６８】従って、電源オフがなされなくても、一定
発光時間又は一定発光回数毎に、発光調整と寿命チェッ
クを行い、事前にレーザーダイオード１００の寿命を判
定することができる。
発光時間又は一定発光回数毎に、発光調整と寿命チェッ
クを行い、事前にレーザーダイオード１００の寿命を判
定することができる。
【００６９】(c) 他の実施例の説明 上述の実施例の他に、本発明は次の変形が可能である。 光磁気ディスク装置で説明したが、光ディスク装置、
レーザープリンタ等の他の装置に適用することもでき
る。
レーザープリンタ等の他の装置に適用することもでき
る。
【００７０】第２の実施例において、発光時間と発光
回数との両方を判定しているが、片方でも良い。 図５の動作回数を１００回、図６の動作回数を１０回
としたが、これに限られず、図７の所定の発光時間を１
０００時間、所定の発光回数を１００回としているが、
これに限られない。
回数との両方を判定しているが、片方でも良い。 図５の動作回数を１００回、図６の動作回数を１０回
としたが、これに限られず、図７の所定の発光時間を１
０００時間、所定の発光回数を１００回としているが、
これに限られない。
【００７１】同様に、図６において、増加制限幅を
「２０」としているが、他の値であっても良い。 以上、本発明を実施例により説明したが、本発明の主旨
の範囲内で種々の変形が可能であり、これらを本発明の
範囲から排除するものではない。
「２０」としているが、他の値であっても良い。 以上、本発明を実施例により説明したが、本発明の主旨
の範囲内で種々の変形が可能であり、これらを本発明の
範囲から排除するものではない。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次の効果を奏する。その装置のレーザー光源の光パワ
ーがリード時又はライト時又はイレーズ時のそれぞれに
対応した所定値になった時の制御値により定められた初
期値を予め格納しておき、この初期値と装置の電源オン
時、又は、所定タイミング毎の前記レーザー光源の発光
調整で求めた制御値を利用して、寿命を判定するため、
個々の装置の性能に応じた正確な寿命判定ができる。ま
た、装置動作時の発光調整時に寿命判定を行うので、寿
命判定の特別なタイミングを設ける必要がないので装置
のアクセス効率を低下させることなく寿命判定を行うこ
とができ、寿命判定はレーザの調整も済んでおり、最適
なパワーで、直ぐに装置の通常動作を行うことが可能と
なり、さらに、寿命と判定されれば直ちに使用を中止す
ることができる。
次の効果を奏する。その装置のレーザー光源の光パワ
ーがリード時又はライト時又はイレーズ時のそれぞれに
対応した所定値になった時の制御値により定められた初
期値を予め格納しておき、この初期値と装置の電源オン
時、又は、所定タイミング毎の前記レーザー光源の発光
調整で求めた制御値を利用して、寿命を判定するため、
個々の装置の性能に応じた正確な寿命判定ができる。ま
た、装置動作時の発光調整時に寿命判定を行うので、寿
命判定の特別なタイミングを設ける必要がないので装置
のアクセス効率を低下させることなく寿命判定を行うこ
とができ、寿命判定はレーザの調整も済んでおり、最適
なパワーで、直ぐに装置の通常動作を行うことが可能と
なり、さらに、寿命と判定されれば直ちに使用を中止す
ることができる。
【００７３】測定した初期値を不揮発性メモリに格納
するので、電源をオフしても、初期値を保持でき、初期
値を失うことがなく、常に正確な寿命判定ができる。
するので、電源をオフしても、初期値を保持でき、初期
値を失うことがなく、常に正確な寿命判定ができる。
【図１】本発明の原理図である。
【図２】本発明の一実施例構成図である。
【図３】本発明の一実施例裏面図である。
【図４】本発明の一実施例ブロック図である。
【図５】本発明の第１の実施例立ち上げ時の測定処理フ
ロー図である。
ロー図である。
【図６】本発明の第１の実施例電源オン処理フロー図で
ある。
ある。
【図７】本発明の第２の実施例処理フロー図である。
【図８】従来技術の説明図である。
１ 光磁気ディスク装置 ２ 光ディスクカートリッジ １０ 光学ヘッド １１ ＶＣＭ １２ ポジショナー ２０ 光ディスク ４４ 制御部 ４５ 不揮発性メモリ ４６ ＲＡＭ １００ レーザーダイオード
フロントページの続き (72)発明者 荒井 茂 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−183181（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−94036（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−232287（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−141465（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−173803（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−94140（ＪＰ，Ｕ)
Claims (6)
- 【請求項１】 電流に応じた光パワーを発生するレーザ
ー光源と、前記レーザー光源の制御値を指示する制御部
とを有し、前記レーザー光源の照射光によって、所望の
動作を行う装置において、 前記レーザー光源の光パワーがリード時又はライト時又
はイレーズ時のそれぞれに対応した所定値になった時の
制御値により定められた初期値を予め格納する不揮発性
メモリを備え、 前記制御部は、装置の電源オン時、又は、所定タイミング毎の前記レー
ザー光源の 発光調整の際に測定した、前記レーザー光源
の光パワーがリード時又はライト時又はイレーズ時のそ
れぞれに対応した所定値となった時の制御値と、前記不
揮発性メモリの対応する初期値とを比較し、前記レーザ
ー光源の寿命の判定を行うことを特徴とするレーザー光
源の寿命判定装置。 - 【請求項２】 前記発光調整毎に、前記発光調整の制御
値を前記不揮発性メモリに格納することを特徴とする請
求項１のレーザー光源の寿命判定装置。 - 【請求項３】 比較のための前記初期値は、前記不揮発
性メモリの制御値に補正値を加算した値であることを特
徴とする請求項１のレーザー光源の寿命判定装置。 - 【請求項４】 前記発光調整の制御値と初期値との比較
により、前記レーザー光源の寿命と判定した時に、レー
ザー光源の寿命通知を上位装置に通知することを特徴と
する請求項１又は２のレーザー光源の寿命判定装置。 - 【請求項５】 前記発光調整の制御値と初期値との比較
により、前記レーザー光源の寿命と判定した時に、レー
ザー光源の寿命を示す情報を前記不揮発性メモリに格納
することを特徴とする請求項１又は２又は３のレーザー
光源の寿命判定装置。 - 【請求項６】 前記レーザー光源が、光ディスクに対し
て、光を照射する光学ヘッドに設けられ、少なくとも光
ディスクの情報を読み出すためのものであることを特徴
とする請求項１又は２又は３又は４のレーザー光源の寿
命判定装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4047115A JP3060698B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | レーザー光源の寿命判定装置 |
| US08/023,366 US5392273A (en) | 1992-02-28 | 1993-02-26 | Optical storage drive controller with predetermined light source drive values stored in non-volatile memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4047115A JP3060698B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | レーザー光源の寿命判定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05250715A JPH05250715A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3060698B2 true JP3060698B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=12766178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4047115A Expired - Lifetime JP3060698B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-03-04 | レーザー光源の寿命判定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3060698B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157298A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Sharp Corp | 光ビーム出力回路の劣化判定方法、光ビーム出力回路及び光記録媒体アクセス装置 |
| JP2009250879A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Ae Tekku Kk | 発光装置の検査装置及び検査方法 |
| JP2012033738A (ja) | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置及びその半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5894140U (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-25 | ソニー株式会社 | 半導体レ−ザ光量低下表示装置 |
| JPS61141465A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Canon Inc | 光情報記録装置 |
| JPH0294036A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-04 | Canon Inc | レーザの寿命判定装置 |
| JP2766283B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1998-06-18 | 株式会社アマダ | 機械の保守点検案内装置 |
| JPH03183181A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ劣化検出装置 |
| JP2895144B2 (ja) * | 1990-02-07 | 1999-05-24 | 富士通株式会社 | 半導体レーザ駆動回路 |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP4047115A patent/JP3060698B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05250715A (ja) | 1993-09-28 |
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