JP3056155B2 - リード間異物検査法 - Google Patents
リード間異物検査法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣのリード間に
リードバリやタイバーなどの異物が存在するか否かを検
査するリード間異物検査法に関する。
リードバリやタイバーなどの異物が存在するか否かを検
査するリード間異物検査法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣのリード間にリードバリやタ
イバーなどの異物が存在するか否かを検査する手法とし
ては、スキャンラインを設ける手法とリードをマスクす
る手法が知られている。
イバーなどの異物が存在するか否かを検査する手法とし
ては、スキャンラインを設ける手法とリードをマスクす
る手法が知られている。
【０００３】スキャンラインを設ける手法では、例え
ば、図１０及び図１１に示すように、リード６０間にリ
ード６０の側面に平行なスキャンライン６１を設け、こ
のスキャンライン６１上の各画素の濃度を検出し、スキ
ャンライン６１上にしきい値以上の画素（不良画素）が
存在する場合に、リード間に異物が存在すると判断して
いる。この手法は、スキャンライン６１上についてのみ
検査を行うため、検査時間が短く、リード間異物を簡易
に検査するのに適している。
ば、図１０及び図１１に示すように、リード６０間にリ
ード６０の側面に平行なスキャンライン６１を設け、こ
のスキャンライン６１上の各画素の濃度を検出し、スキ
ャンライン６１上にしきい値以上の画素（不良画素）が
存在する場合に、リード間に異物が存在すると判断して
いる。この手法は、スキャンライン６１上についてのみ
検査を行うため、検査時間が短く、リード間異物を簡易
に検査するのに適している。
【０００４】リードをマスクする手法では、例えば、図
１２に示すように、リードを含む範囲の画像９０につい
て平均濃度を求め、この平均濃度からしきい値を求め、
このしきい値によりリード９１とその背景９２を区別
し、かつ、リード９１をマスクした画像９０内にしきい
値以上の画素が所定数以上ある場合に、リード間に異物
が存在すると判断している。この手法は、リード間異物
を詳細に検査するのに適している。
１２に示すように、リードを含む範囲の画像９０につい
て平均濃度を求め、この平均濃度からしきい値を求め、
このしきい値によりリード９１とその背景９２を区別
し、かつ、リード９１をマスクした画像９０内にしきい
値以上の画素が所定数以上ある場合に、リード間に異物
が存在すると判断している。この手法は、リード間異物
を詳細に検査するのに適している。
【０００５】図８は、リード間異物検査を行う際に用い
られる検査装置の概略を示すものである。１１は、画像
入力装置であり、例えば、ＣＣＤカメラ、ビデオカメ
ラ、スキャナなどから構成することができる。１２は、
照明装置であり、例えば、蛍光灯照明、リング照明、Ｌ
ＥＤ照明などから構成することができる。１３は、被検
査対象物（サンプル）となるＩＣである。１４は、画像
入力装置により取り込んだＩＣの画像について所定の処
理を行う画像処理装置である。
られる検査装置の概略を示すものである。１１は、画像
入力装置であり、例えば、ＣＣＤカメラ、ビデオカメ
ラ、スキャナなどから構成することができる。１２は、
照明装置であり、例えば、蛍光灯照明、リング照明、Ｌ
ＥＤ照明などから構成することができる。１３は、被検
査対象物（サンプル）となるＩＣである。１４は、画像
入力装置により取り込んだＩＣの画像について所定の処
理を行う画像処理装置である。
【０００６】図９は、図８の検査装置を用いてスキャン
ラインを設ける手法でリード間異物検査を行う場合の画
像処理装置における処理の流れを示している。画像取り
込み部１では、画像入力装置を用いて、基準画像及び被
検査画像を画像処理装置内に取り込む。基準画像は、登
録画像メモリ２に登録され、被検査画像は、画像メモリ
３に登録される。パターンマッチング回路４は、基準画
像と被検査画像についてパターンマッチングを行い、被
検査画像内におけるリードの位置を検出する。
ラインを設ける手法でリード間異物検査を行う場合の画
像処理装置における処理の流れを示している。画像取り
込み部１では、画像入力装置を用いて、基準画像及び被
検査画像を画像処理装置内に取り込む。基準画像は、登
録画像メモリ２に登録され、被検査画像は、画像メモリ
３に登録される。パターンマッチング回路４は、基準画
像と被検査画像についてパターンマッチングを行い、被
検査画像内におけるリードの位置を検出する。
【０００７】リードエッジ回路５は、パターンマッチン
グ回路４により検出された各リードを含む領域について
Ｘ方向及びＹ方向のプロジェクションを作成し、各リー
ドの先端、根元、側面のエッジをそれぞれ求める。同時
に、リードエッジ回路５は、各リードを含む領域につい
てしきい値を求める。
グ回路４により検出された各リードを含む領域について
Ｘ方向及びＹ方向のプロジェクションを作成し、各リー
ドの先端、根元、側面のエッジをそれぞれ求める。同時
に、リードエッジ回路５は、各リードを含む領域につい
てしきい値を求める。
【０００８】スキャンライン設定回路６は、リードエッ
ジ回路５により検出されたリードの側面のエッジの位置
に基づいて、リード間にスキャンラインを設定する。例
えば、図１０に示すように、スキャンライン６１は、リ
ード６０間を１／３に区切る箇所又はその近傍に配置さ
れる。
ジ回路５により検出されたリードの側面のエッジの位置
に基づいて、リード間にスキャンラインを設定する。例
えば、図１０に示すように、スキャンライン６１は、リ
ード６０間を１／３に区切る箇所又はその近傍に配置さ
れる。
【０００９】不良判定回路７は、スキャンライン上にし
きい値以上の濃度を有する画素が存在するか否かを調べ
る。そして、スキャンライン上にしきい値以上の濃度を
有する画素が存在する場合には、不良判定回路は、リー
ド間に異物が存在するとの不良判定を行う。
きい値以上の濃度を有する画素が存在するか否かを調べ
る。そして、スキャンライン上にしきい値以上の濃度を
有する画素が存在する場合には、不良判定回路は、リー
ド間に異物が存在するとの不良判定を行う。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】スキャンラインを設け
る手法では、図１１に示すように、リード間に、リード
バリやタイバーなどの異物６２とは異なるゴミなどの異
物６３が存在する場合においても、スキャンライン６１
上に異物６３が存在する限り、不良判定を行ってしま
う。
る手法では、図１１に示すように、リード間に、リード
バリやタイバーなどの異物６２とは異なるゴミなどの異
物６３が存在する場合においても、スキャンライン６１
上に異物６３が存在する限り、不良判定を行ってしま
う。
【００１１】リード間の異物を検査する目的は、あくま
でＩＣに悪影響を与えるようなリードバリやタイバーな
どの異物６２を検出することであり、リード間のゴミや
ノイズなどを検出し、不良判定を行ってしまっては、正
確なリード間異物検査を行うことができない。
でＩＣに悪影響を与えるようなリードバリやタイバーな
どの異物６２を検出することであり、リード間のゴミや
ノイズなどを検出し、不良判定を行ってしまっては、正
確なリード間異物検査を行うことができない。
【００１２】また、図１２に示すような平均濃度を用い
てリードをマスクする手法では、詳細な検査結果が得ら
れる反面、検査時間が長い、コストが高くなるなどの欠
点がある。
てリードをマスクする手法では、詳細な検査結果が得ら
れる反面、検査時間が長い、コストが高くなるなどの欠
点がある。
【００１３】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、本来、検出しようとしているリー
ドバリやタイバーなどのリード間異物を簡易に検出でき
ると共に、ゴミやノイズなどを誤って検出して不良判定
を行うことがないようなリード間異物検査法を提供する
ことである。
もので、その目的は、本来、検出しようとしているリー
ドバリやタイバーなどのリード間異物を簡易に検出でき
ると共に、ゴミやノイズなどを誤って検出して不良判定
を行うことがないようなリード間異物検査法を提供する
ことである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の検査装置は、ＩＣの画像を取り込む手段
と、前記ＩＣのリードの側面のエッジから所定の距離に
前記リードの側面に平行なスキャンラインを設定する手
段と、前記スキャンライン上に所定濃度値以上の画素が
存在する場合に、前記リードのエッジ又はその近傍から
前記スキャンラインまでの範囲についてラベリング処理
を行う手段と、前記ラベリング処理により得られる前記
所定濃度値以上の画素からなる領域の前記リードの側面
に垂直な方向の大きさを求める手段と、前記領域の前記
リードの側面に垂直な方向の大きさが前記リードのエッ
ジ又はその近傍から前記スキャンラインまでの範囲に実
質的に等しい場合に、前記リード間に異物が存在すると
判定する手段とを備える。
め、本発明の検査装置は、ＩＣの画像を取り込む手段
と、前記ＩＣのリードの側面のエッジから所定の距離に
前記リードの側面に平行なスキャンラインを設定する手
段と、前記スキャンライン上に所定濃度値以上の画素が
存在する場合に、前記リードのエッジ又はその近傍から
前記スキャンラインまでの範囲についてラベリング処理
を行う手段と、前記ラベリング処理により得られる前記
所定濃度値以上の画素からなる領域の前記リードの側面
に垂直な方向の大きさを求める手段と、前記領域の前記
リードの側面に垂直な方向の大きさが前記リードのエッ
ジ又はその近傍から前記スキャンラインまでの範囲に実
質的に等しい場合に、前記リード間に異物が存在すると
判定する手段とを備える。
【００１５】本発明の記録媒体は、ＩＣの画像を取り込
むステップと、前記ＩＣのリードの側面のエッジから所
定の距離に前記リードの側面に平行なスキャンラインを
設定するステップと、前記スキャンライン上に所定濃度
値以上の画素が存在する場合に、前記リードのエッジ又
はその近傍から前記スキャンラインまでの範囲について
ラベリング処理を行うステップと、前記ラベリング処理
により得られる前記所定濃度値以上の画素からなる領域
の前記リードの側面に垂直な方向の大きさを求めるステ
ップと、前記領域の前記リードの側面に垂直な方向の大
きさが前記リードのエッジ又はその近傍から前記スキャ
ンラインまでの範囲に実質的に等しい場合に、前記リー
ド間に異物が存在すると判定するステップとからなるプ
ログラムにより構成される。
むステップと、前記ＩＣのリードの側面のエッジから所
定の距離に前記リードの側面に平行なスキャンラインを
設定するステップと、前記スキャンライン上に所定濃度
値以上の画素が存在する場合に、前記リードのエッジ又
はその近傍から前記スキャンラインまでの範囲について
ラベリング処理を行うステップと、前記ラベリング処理
により得られる前記所定濃度値以上の画素からなる領域
の前記リードの側面に垂直な方向の大きさを求めるステ
ップと、前記領域の前記リードの側面に垂直な方向の大
きさが前記リードのエッジ又はその近傍から前記スキャ
ンラインまでの範囲に実質的に等しい場合に、前記リー
ド間に異物が存在すると判定するステップとからなるプ
ログラムにより構成される。
【００１６】本発明のリード間異物検査法は、ＩＣの画
像を取り込むステップと、前記ＩＣのリードの側面のエ
ッジから所定の距離に前記リードの側面に平行なスキャ
ンラインを設定するステップと、前記スキャンライン上
に所定濃度値以上の画素が存在する場合に、前記リード
のエッジ又はその近傍から前記スキャンラインまでの範
囲についてラベリング処理を行うステップと、前記ラベ
リング処理により得られる前記所定濃度値以上の画素か
らなる領域の前記リードの側面に垂直な方向の大きさを
求めるステップと、前記領域の前記リードの側面に垂直
な方向の大きさが前記リードのエッジ又はその近傍から
前記スキャンラインまでの範囲に実質的に等しい場合
に、前記リード間に異物が存在すると判定するステップ
とを備えている。
像を取り込むステップと、前記ＩＣのリードの側面のエ
ッジから所定の距離に前記リードの側面に平行なスキャ
ンラインを設定するステップと、前記スキャンライン上
に所定濃度値以上の画素が存在する場合に、前記リード
のエッジ又はその近傍から前記スキャンラインまでの範
囲についてラベリング処理を行うステップと、前記ラベ
リング処理により得られる前記所定濃度値以上の画素か
らなる領域の前記リードの側面に垂直な方向の大きさを
求めるステップと、前記領域の前記リードの側面に垂直
な方向の大きさが前記リードのエッジ又はその近傍から
前記スキャンラインまでの範囲に実質的に等しい場合
に、前記リード間に異物が存在すると判定するステップ
とを備えている。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明のリード間異物検査法について詳細に説明する。図１
は、本発明のリード間異物検査を行う際に用いられる検
査装置の概略を示すものである。
明のリード間異物検査法について詳細に説明する。図１
は、本発明のリード間異物検査を行う際に用いられる検
査装置の概略を示すものである。
【００１８】１１は、画像入力装置であり、例えば、Ｃ
ＣＤカメラ、ビデオカメラ、スキャナなどから構成する
ことができる。１２は、照明装置であり、例えば、蛍光
灯照明、リング照明、ＬＥＤ照明などから構成すること
ができる。１３は、被検査対象物（サンプル）となるＩ
Ｃである。１４は、画像入力装置により取り込んだＩＣ
の画像について所定の処理を行う画像処理装置である。
ＣＤカメラ、ビデオカメラ、スキャナなどから構成する
ことができる。１２は、照明装置であり、例えば、蛍光
灯照明、リング照明、ＬＥＤ照明などから構成すること
ができる。１３は、被検査対象物（サンプル）となるＩ
Ｃである。１４は、画像入力装置により取り込んだＩＣ
の画像について所定の処理を行う画像処理装置である。
【００１９】図２は、図１の画像処理装置における各処
理を実行する部分又は回路を示している。図３は、図１
の画像処理装置の動作を示している。画像取り込み部１
では、画像入力装置を用い、図４に示すようなＩＣ（基
準ＩＣ，被検査ＩＣ）を撮像し、基準画像及び被検査画
像として画像処理装置内に取り込む。基準画像は、登録
画像メモリ２に登録され、被検査画像は、画像メモリ３
に登録される。パターンマッチング回路４は、基準画像
と被検査画像についてパターンマッチングを行い、被検
査画像内におけるリードの位置を検出する（ステップＳ
Ｔ１〜ＳＴ３）。
理を実行する部分又は回路を示している。図３は、図１
の画像処理装置の動作を示している。画像取り込み部１
では、画像入力装置を用い、図４に示すようなＩＣ（基
準ＩＣ，被検査ＩＣ）を撮像し、基準画像及び被検査画
像として画像処理装置内に取り込む。基準画像は、登録
画像メモリ２に登録され、被検査画像は、画像メモリ３
に登録される。パターンマッチング回路４は、基準画像
と被検査画像についてパターンマッチングを行い、被検
査画像内におけるリードの位置を検出する（ステップＳ
Ｔ１〜ＳＴ３）。
【００２０】リードエッジ回路５は、図５に示すよう
に、パターンマッチング回路４により検出された各リー
ド１０を含む領域ＡについてＸ方向及びＹ方向のプロジ
ェクションを作成し、各リードの先端、根元、側面のエ
ッジをそれぞれ求める。同時に、リードエッジ回路５
は、各リードを含む領域について異物と背景を区別する
ためのしきい値を求める（ステップＳＴ４）。
に、パターンマッチング回路４により検出された各リー
ド１０を含む領域ＡについてＸ方向及びＹ方向のプロジ
ェクションを作成し、各リードの先端、根元、側面のエ
ッジをそれぞれ求める。同時に、リードエッジ回路５
は、各リードを含む領域について異物と背景を区別する
ためのしきい値を求める（ステップＳＴ４）。
【００２１】ラベリングエリア獲得回路８は、図６に示
すように、リードエッジ回路５により検出されたリード
１０の側面のエッジの位置に基づいて、リード１０間に
リードの側面に平行なスキャンライン２０を設定する。
例えば、スキャンライン２０は、リード１０間を１／３
に区切る箇所又はその近傍に配置される。また、ラベリ
ングエリア獲得回路８は、ラベリング処理を実行する検
査エリア（以下、ラベリングエリア）Ｂを設定する。ラ
ベリングエリアＢの大きさは、例えば、幅がリード１０
の側面の長さ程度で、長さがリード１０の側面のエッジ
（実際はエッジと認識された位置よりも数画素リード側
に入った箇所）からスキャンライン２０までとされる
（ステップＳＴ５）。
すように、リードエッジ回路５により検出されたリード
１０の側面のエッジの位置に基づいて、リード１０間に
リードの側面に平行なスキャンライン２０を設定する。
例えば、スキャンライン２０は、リード１０間を１／３
に区切る箇所又はその近傍に配置される。また、ラベリ
ングエリア獲得回路８は、ラベリング処理を実行する検
査エリア（以下、ラベリングエリア）Ｂを設定する。ラ
ベリングエリアＢの大きさは、例えば、幅がリード１０
の側面の長さ程度で、長さがリード１０の側面のエッジ
（実際はエッジと認識された位置よりも数画素リード側
に入った箇所）からスキャンライン２０までとされる
（ステップＳＴ５）。
【００２２】不良判定回路９は、まず、スキャンライン
２０上にしきい値以上の濃度を有する画素（不良画素）
が存在するか否かを調べる（ステップＳＴ６）。スキャ
ンライン２０上にしきい値以上の濃度を有する画素（不
良画素）が存在しない場合には、良判定を行う（ステッ
プＳＴ９）。また、スキャンライン２０上にしきい値以
上の濃度を有する画素（不良画素）が存在する場合に
は、不良判定回路９は、ラベリングエリア獲得回路８に
より設定されたラベリングエリアＢにおいてラベリング
処理を行う（ステップＳＴ７）。
２０上にしきい値以上の濃度を有する画素（不良画素）
が存在するか否かを調べる（ステップＳＴ６）。スキャ
ンライン２０上にしきい値以上の濃度を有する画素（不
良画素）が存在しない場合には、良判定を行う（ステッ
プＳＴ９）。また、スキャンライン２０上にしきい値以
上の濃度を有する画素（不良画素）が存在する場合に
は、不良判定回路９は、ラベリングエリア獲得回路８に
より設定されたラベリングエリアＢにおいてラベリング
処理を行う（ステップＳＴ７）。
【００２３】ラベリング処理とは、ラベリングエリアＢ
内において、しきい値以上の濃度を有する画素からなる
領域を各領域ごとに検出する処理のことである。また、
本発明では、スキャンライン２０上のしきい値以上の濃
度を有する画素（不良画素）がリード１０の側面のエッ
ジまで繋がっているか否かを検出するため、不良判定回
路９は、ラベリング処理により検出された各領域のＸ方
向（リードの側面に垂直な方向）の大きさを求める。
内において、しきい値以上の濃度を有する画素からなる
領域を各領域ごとに検出する処理のことである。また、
本発明では、スキャンライン２０上のしきい値以上の濃
度を有する画素（不良画素）がリード１０の側面のエッ
ジまで繋がっているか否かを検出するため、不良判定回
路９は、ラベリング処理により検出された各領域のＸ方
向（リードの側面に垂直な方向）の大きさを求める。
【００２４】そして、ラベリング処理により検出された
領域の少なくとも１つについて、Ｘ方向（リードの側面
に垂直な方向）の長さがＮ画素（ラベリングエリアの長
さに実質的に等しい範囲）ある場合には、スキャンライ
ン２０上の不良画素がリード１０の側面のエッジまで繋
がっていると認識し、リード１０間にＩＣの動作に影響
を与えるような異物（リードバリ、タイバーなど）が存
在するとして不良判定を行う（ステップＳＴ８）。
領域の少なくとも１つについて、Ｘ方向（リードの側面
に垂直な方向）の長さがＮ画素（ラベリングエリアの長
さに実質的に等しい範囲）ある場合には、スキャンライ
ン２０上の不良画素がリード１０の側面のエッジまで繋
がっていると認識し、リード１０間にＩＣの動作に影響
を与えるような異物（リードバリ、タイバーなど）が存
在するとして不良判定を行う（ステップＳＴ８）。
【００２５】また、ラベリング処理により検出された領
域の全てについて、Ｘ方向（リードの側面に垂直な方
向）の長さがＮ画素未満の場合には、リード１０間にＩ
Ｃの動作に影響を与えるような異物（リードバリ、タイ
バーなど）は存在しないとして良判定を行う（ステップ
ＳＴ９）。
域の全てについて、Ｘ方向（リードの側面に垂直な方
向）の長さがＮ画素未満の場合には、リード１０間にＩ
Ｃの動作に影響を与えるような異物（リードバリ、タイ
バーなど）は存在しないとして良判定を行う（ステップ
ＳＴ９）。
【００２６】図７は、不良判定回路９における判定のパ
ターンの具体例を示している。例えば、Ｃ１のような異
物が存在する場合、この異物Ｃ１は、スキャンライン２
０上に存在するため、ラベリング処理が行われる。ラベ
リング処理を行うと、異物Ｃ１を表すしきい値以上の画
素からなる領域のＸ方向の大きさは、Ｎ画素存在するこ
とがわかるため、この異物は、リード１０から伸びるリ
ードバリやタイバーなどと認識できる。よって、不良判
定が下される。
ターンの具体例を示している。例えば、Ｃ１のような異
物が存在する場合、この異物Ｃ１は、スキャンライン２
０上に存在するため、ラベリング処理が行われる。ラベ
リング処理を行うと、異物Ｃ１を表すしきい値以上の画
素からなる領域のＸ方向の大きさは、Ｎ画素存在するこ
とがわかるため、この異物は、リード１０から伸びるリ
ードバリやタイバーなどと認識できる。よって、不良判
定が下される。
【００２７】また、Ｃ２のような異物が存在する場合、
この異物Ｃ２は、スキャンライン２０上に存在するた
め、ラベリング処理が行われる。ラベリング処理を行う
と、異物Ｃ２を表すしきい値以上の画素からなる領域の
Ｘ方向の大きさは、Ｎ画素未満であることがわかるた
め、この異物は、ゴミか又はノイズによるものと認識で
きる。よって、他に不良画素がない限り、良判定が下さ
れる。
この異物Ｃ２は、スキャンライン２０上に存在するた
め、ラベリング処理が行われる。ラベリング処理を行う
と、異物Ｃ２を表すしきい値以上の画素からなる領域の
Ｘ方向の大きさは、Ｎ画素未満であることがわかるた
め、この異物は、ゴミか又はノイズによるものと認識で
きる。よって、他に不良画素がない限り、良判定が下さ
れる。
【００２８】一方、Ｃ３のような異物が存在する場合、
この異物Ｃ３は、スキャンライン２０上に存在しない。
よって、ラベリング処理は行われず、他に不良画素がな
い限り、良判定が下される。なお、Ｃ３のような異物
は、リード１０から伸びるリードバリやタイバーなどと
考えられるが、短く、ＩＣの動作に影響を与えるような
ものではない。
この異物Ｃ３は、スキャンライン２０上に存在しない。
よって、ラベリング処理は行われず、他に不良画素がな
い限り、良判定が下される。なお、Ｃ３のような異物
は、リード１０から伸びるリードバリやタイバーなどと
考えられるが、短く、ＩＣの動作に影響を与えるような
ものではない。
【００２９】ところで、ＩＣの全てのリードについて、
良、不良の判定が終了した後には、次のＩＣについて同
様の処理が行われる（ステップＳＴ１０）。このような
手法によれば、リードバリやタイバーなどのリード間異
物とゴミやノイズなどを区別することができ、リード間
異物検査を正確かつ簡易に行うことができる。
良、不良の判定が終了した後には、次のＩＣについて同
様の処理が行われる（ステップＳＴ１０）。このような
手法によれば、リードバリやタイバーなどのリード間異
物とゴミやノイズなどを区別することができ、リード間
異物検査を正確かつ簡易に行うことができる。
【００３０】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明のリード
間異物検査法によれば、スキャンライン上に不良画素が
存在する場合に、ラベリングエリア内でのラベリング処
理及び不良画素の連続性（リードエッジまで達している
か否か）の確認をそれぞれ実行している。その結果、本
来、検出しようとしているリードバリやタイバーなどの
リード間異物とゴミやノイズなどを区別することがで
き、リード間異物検査を正確かつ簡易に行うことが可能
になる。
間異物検査法によれば、スキャンライン上に不良画素が
存在する場合に、ラベリングエリア内でのラベリング処
理及び不良画素の連続性（リードエッジまで達している
か否か）の確認をそれぞれ実行している。その結果、本
来、検出しようとしているリードバリやタイバーなどの
リード間異物とゴミやノイズなどを区別することがで
き、リード間異物検査を正確かつ簡易に行うことが可能
になる。
【図１】本発明のリード間異物検査を行う検査装置の概
略を示す図。
略を示す図。
【図２】図１の画像処理装置の構成を示すブロック図。
【図３】図１の画像処理装置の動作を示す流れ図。
【図４】ＩＣをその上部から見た図。
【図５】リードエッジの検出について示す図。
【図６】スキャンライン及びラベリングエリアを示す
図。
図。
【図７】ＩＣのリードの良、不良判定について示す図。
【図８】従来のリード間異物検査を行う検査装置の概略
を示す図。
を示す図。
【図９】図８の画像処理装置の構成を示すブロック図。
【図１０】スキャンラインを用いる手法を示す図。
【図１１】スキャンライン上の不良画素を示す図。
【図１２】リードをマスクする手法を示す図。
１ ：画像取り込み部、 ２ ：登録画像メモリ、 ３ ：画像メモリ、 ４ ：パターンマッチング回路、 ５ ：リードエッジ回路、 ６ ：スキャンライン設定回路、 ７，９ ：不良判定回路、 ８ ：ラベリングエリア獲得回
路、 １０，６０，９１ ：リード、 １１ ：画像入力装置、 １２ ：照明装置、 １３ ：検査サンプル、 １４ ：画像処理装置、 ２０，６１ ：スキャンライン、 ３０ ：ＩＣ本体（パッケー
ジ）、 ６２，６３ ：不良画素、 ９２ ：背景。
路、 １０，６０，９１ ：リード、 １１ ：画像入力装置、 １２ ：照明装置、 １３ ：検査サンプル、 １４ ：画像処理装置、 ２０，６１ ：スキャンライン、 ３０ ：ＩＣ本体（パッケー
ジ）、 ６２，６３ ：不良画素、 ９２ ：背景。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 21/88 G01N 21/95 G01B 11/02 G06T 7/00
Claims (3)
- 【請求項１】 ＩＣの画像を取り込む手段と、前記ＩＣ
のリードの側面のエッジから所定の距離に前記リードの
側面に平行なスキャンラインを設定する手段と、前記ス
キャンライン上に所定濃度値以上の画素が存在する場合
に、前記リードのエッジ又はその近傍から前記スキャン
ラインまでの範囲についてラベリング処理を行う手段
と、前記ラベリング処理により得られる前記所定濃度値
以上の画素からなる領域の前記リードの側面に垂直な方
向の大きさを求める手段と、前記領域の前記リードの側
面に垂直な方向の大きさが前記リードのエッジ又はその
近傍から前記スキャンラインまでの範囲に実質的に等し
い場合に、前記リード間に異物が存在すると判定する手
段とを具備することを特徴とする検査装置。 - 【請求項２】 ＩＣの画像を取り込むステップと、前記
ＩＣのリードの側面のエッジから所定の距離に前記リー
ドの側面に平行なスキャンラインを設定するステップ
と、前記スキャンライン上に所定濃度値以上の画素が存
在する場合に、前記リードのエッジ又はその近傍から前
記スキャンラインまでの範囲についてラベリング処理を
行うステップと、前記ラベリング処理により得られる前
記所定濃度値以上の画素からなる領域の前記リードの側
面に垂直な方向の大きさを求めるステップと、前記領域
の前記リードの側面に垂直な方向の大きさが前記リード
のエッジ又はその近傍から前記スキャンラインまでの範
囲に実質的に等しい場合に、前記リード間に異物が存在
すると判定するステップとからなるプログラムが記録さ
れていることを特徴とする記録媒体。 - 【請求項３】 ＩＣの画像を取り込むステップと、前記
ＩＣのリードの側面のエッジから所定の距離に前記リー
ドの側面に平行なスキャンラインを設定するステップ
と、前記スキャンライン上に所定濃度値以上の画素が存
在する場合に、前記リードのエッジ又はその近傍から前
記スキャンラインまでの範囲についてラベリング処理を
行うステップと、前記ラベリング処理により得られる前
記所定濃度値以上の画素からなる領域の前記リードの側
面に垂直な方向の大きさを求めるステップと、前記領域
の前記リードの側面に垂直な方向の大きさが前記リード
のエッジ又はその近傍から前記スキャンラインまでの範
囲に実質的に等しい場合に、前記リード間に異物が存在
すると判定するステップとを具備することを特徴とする
リード間異物検査法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9334245A JP3056155B2 (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | リード間異物検査法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9334245A JP3056155B2 (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | リード間異物検査法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11166899A JPH11166899A (ja) | 1999-06-22 |
| JP3056155B2 true JP3056155B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=18275177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9334245A Expired - Lifetime JP3056155B2 (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | リード間異物検査法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3056155B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3822619A4 (en) * | 2018-07-13 | 2021-07-21 | Fuji Corporation | METHOD AND DEVICE FOR DETECTING FOREIGN MATERIALS |
-
1997
- 1997-12-04 JP JP9334245A patent/JP3056155B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11166899A (ja) | 1999-06-22 |
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