JP3050528B2 - ワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法 - Google Patents
ワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路素
子が搭載される回路基板や半導体集積回路素子などの電
子部品を収容する電子部品用バッケージ本体等をなす配
線基板を製造する方法に関する。
子が搭載される回路基板や半導体集積回路素子などの電
子部品を収容する電子部品用バッケージ本体等をなす配
線基板を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣパッケージ等の配線基板を作
成する際、例えば、素材であるセラミック絶縁基板上に
タングステンからなるメタライズ金属層を形成し、この
メタライズ金属層の表面に還元型の無電解めっきにより
ニッケル−ホウ素（Ｎｉ−Ｂ）合金層を形成し、この上
に同じく還元型の無電解めっきによりニッケル−リン
（Ｎｉ−Ｐ）合金層を形成し、この上に無電解めっきに
より金（Ａｕ）層を形成していた。
成する際、例えば、素材であるセラミック絶縁基板上に
タングステンからなるメタライズ金属層を形成し、この
メタライズ金属層の表面に還元型の無電解めっきにより
ニッケル−ホウ素（Ｎｉ−Ｂ）合金層を形成し、この上
に同じく還元型の無電解めっきによりニッケル−リン
（Ｎｉ−Ｐ）合金層を形成し、この上に無電解めっきに
より金（Ａｕ）層を形成していた。
【０００３】ここで、ニッケル−ホウ素合金層は、粗面
なメタライズ金属層の上にピンホール（***）やボイド
（小空隙）を形成することなく均一な厚みに被着される
点で有用であり、また、ニッケル−リン合金層は、表層
である金層と下層であるニッケル−ホウ素合金層との密
着を強固にする役割を果たす点で有用である。
なメタライズ金属層の上にピンホール（***）やボイド
（小空隙）を形成することなく均一な厚みに被着される
点で有用であり、また、ニッケル−リン合金層は、表層
である金層と下層であるニッケル−ホウ素合金層との密
着を強固にする役割を果たす点で有用である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、還元
型の無電解めっきによりニッケル−リン合金層を形成さ
せた後、このニッケル−リン合金層にシンタリングを行
っていた。しかしながら、このようなシンタリングを行
ったニッケル−リン合金層の上に無電解めっきにより金
層を形成して得られた配線基板を、その表層である金層
にアルミワイヤーボンディングして用いた場合、ニッケ
ル−リン合金層と金層との間で剥離が起きることがあっ
た（図３参照）。
型の無電解めっきによりニッケル−リン合金層を形成さ
せた後、このニッケル−リン合金層にシンタリングを行
っていた。しかしながら、このようなシンタリングを行
ったニッケル−リン合金層の上に無電解めっきにより金
層を形成して得られた配線基板を、その表層である金層
にアルミワイヤーボンディングして用いた場合、ニッケ
ル−リン合金層と金層との間で剥離が起きることがあっ
た（図３参照）。
【０００５】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、表層である金層にワイヤボンディングを施したと
き、ニッケル−リン合金層と金層との間で剥離が起きる
ことのない配線基板を製造する方法を提供することを目
的とする。
り、表層である金層にワイヤボンディングを施したと
き、ニッケル−リン合金層と金層との間で剥離が起きる
ことのない配線基板を製造する方法を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段、発明の実施の形態及び発
明の効果】上記課題を解決するため、請求項１記載の発
明は、表層にワイヤボンディングを施すための配線基板
を製造する方法であって、素材上に還元型の無電解めっ
きによりニッケル−リン合金層を形成するＮｉ−Ｐ形成
工程と、このニッケル−リン合金層を６００〜７００℃
で処理するシンタリング工程と、シンタリング後のニッ
ケル−リン合金層に無電解めっきにより表層としての金
層を形成するＡｕ形成工程とを含むことを特徴とする。
明の効果】上記課題を解決するため、請求項１記載の発
明は、表層にワイヤボンディングを施すための配線基板
を製造する方法であって、素材上に還元型の無電解めっ
きによりニッケル−リン合金層を形成するＮｉ−Ｐ形成
工程と、このニッケル−リン合金層を６００〜７００℃
で処理するシンタリング工程と、シンタリング後のニッ
ケル−リン合金層に無電解めっきにより表層としての金
層を形成するＡｕ形成工程とを含むことを特徴とする。
【０００７】本発明におけるＮｉ−Ｐ工程に用いる素材
としては、セラミック基板やガラス基板等の絶縁基板を
そのまま用いてもよいし、あるいは、これら絶縁基板の
上に金属層（例えばタングステン、モリブデン、モリブ
デン−マンガン合金等のメタライズ金属層や、ニッケル
−ホウ素合金層など）が形成されたものを用いてもよい
し、あるいは、絶縁基板上のメタライズ金属層にロウ付
けした銅−タングステン（ロウ付け前にニッケル合金で
めっきされていてもよい）を用いてもよい。
としては、セラミック基板やガラス基板等の絶縁基板を
そのまま用いてもよいし、あるいは、これら絶縁基板の
上に金属層（例えばタングステン、モリブデン、モリブ
デン−マンガン合金等のメタライズ金属層や、ニッケル
−ホウ素合金層など）が形成されたものを用いてもよい
し、あるいは、絶縁基板上のメタライズ金属層にロウ付
けした銅−タングステン（ロウ付け前にニッケル合金で
めっきされていてもよい）を用いてもよい。
【０００８】また、Ｎｉ−Ｐ形成工程では、還元型の無
電解めっきのめっき液としては従来公知の硫酸ニッケル
と還元剤である次亜リン酸ナトリウムを含むめっき液な
どを用いることができ、具体的には上村工業（株）製の
ニムデン７８Ｓ等の市販のめっき液を用いることができ
る。
電解めっきのめっき液としては従来公知の硫酸ニッケル
と還元剤である次亜リン酸ナトリウムを含むめっき液な
どを用いることができ、具体的には上村工業（株）製の
ニムデン７８Ｓ等の市販のめっき液を用いることができ
る。
【０００９】本発明におけるシンタリング工程では、６
００〜７００℃で処理する。例えば、ニッケル−リン合
金層が形成された素材を、入口から出口にかけての温度
分布が略正規分布形状であり、配線基板の最高温度が６
００〜７００℃となるように加熱装置内を通過させるこ
とが、量産性の点で好ましい。このとき、最高温度を６
００〜７００℃としつつ、６００℃以上のキープ時間が
１０分以上となるようにすると、温度にバラツキを生じ
ても確実に配線基板を６００〜７００℃の間の温度で処
理できるので好ましい。
００〜７００℃で処理する。例えば、ニッケル−リン合
金層が形成された素材を、入口から出口にかけての温度
分布が略正規分布形状であり、配線基板の最高温度が６
００〜７００℃となるように加熱装置内を通過させるこ
とが、量産性の点で好ましい。このとき、最高温度を６
００〜７００℃としつつ、６００℃以上のキープ時間が
１０分以上となるようにすると、温度にバラツキを生じ
ても確実に配線基板を６００〜７００℃の間の温度で処
理できるので好ましい。
【００１０】本発明におけるＡｕ形成工程では、シンタ
リング後のニッケル−リン合金層に無電解めっきにより
表層としての金層を形成する。一般に、ニッケル−リン
合金層に、直接、還元型無電解めっきにより厚い（例え
ば＞０．３μｍ）金層を形成しようとしてもニッケル−
リン合金層の上にうまく金が析出しないため、膜厚の厚
い金層を形成するには、請求項２に記載したように、ま
ずニッケル−リン合金層に置換型の無電解めっきによっ
て金めっきを施して薄い金層（例えば０．０１〜０．１
μｍ）を被着形成し、その後に還元型の無電解めっきに
よって金めっきを施して厚い金層を被着形成し、厚みを
厚くする方法が採られる。
リング後のニッケル−リン合金層に無電解めっきにより
表層としての金層を形成する。一般に、ニッケル−リン
合金層に、直接、還元型無電解めっきにより厚い（例え
ば＞０．３μｍ）金層を形成しようとしてもニッケル−
リン合金層の上にうまく金が析出しないため、膜厚の厚
い金層を形成するには、請求項２に記載したように、ま
ずニッケル−リン合金層に置換型の無電解めっきによっ
て金めっきを施して薄い金層（例えば０．０１〜０．１
μｍ）を被着形成し、その後に還元型の無電解めっきに
よって金めっきを施して厚い金層を被着形成し、厚みを
厚くする方法が採られる。
【００１１】尚、置換型の無電解めっきによって金を被
着形成する際のめっき液としては、従来公知の可溶性金
塩にシアン化アルカリ安定化剤等を添加しためっき液等
を用いることができ、具体的にはエヌ・イーケムキャッ
ト社製のアトメックス（商品名）などを用いることがで
きる。また、還元型の無電解めっきによって金を被着形
成する際のめっき液としては、従来公知の水素化ホウ素
ナトリウムを還元剤として含むめっき液等を用いること
ができ、具体的には奥野製薬（株）製のＯＰＣムデンゴ
ールド２５（商品名）などを用いることができる。
着形成する際のめっき液としては、従来公知の可溶性金
塩にシアン化アルカリ安定化剤等を添加しためっき液等
を用いることができ、具体的にはエヌ・イーケムキャッ
ト社製のアトメックス（商品名）などを用いることがで
きる。また、還元型の無電解めっきによって金を被着形
成する際のめっき液としては、従来公知の水素化ホウ素
ナトリウムを還元剤として含むめっき液等を用いること
ができ、具体的には奥野製薬（株）製のＯＰＣムデンゴ
ールド２５（商品名）などを用いることができる。
【００１２】本発明の製造方法によれば、シンタリング
工程を６００〜７００℃の温度範囲で行うことにより、
この配線基板の表層である金層にワイヤボンディングを
施して用いた場合に、ニッケル−リン合金層と金層との
間の剥離が起きることを防止できるという効果が得られ
る。
工程を６００〜７００℃の温度範囲で行うことにより、
この配線基板の表層である金層にワイヤボンディングを
施して用いた場合に、ニッケル−リン合金層と金層との
間の剥離が起きることを防止できるという効果が得られ
る。
【００１３】シンタリング工程を６００℃未満の温度で
行った場合や７００℃を超える温度で行った場合には、
両層の間の剥離が起きる率が高くなるという問題が発生
する。このようにシンタリング温度によって両層間の剥
離の起きる率が変化する理由は今のところ明らかではな
い。しかし、ＳＥＭの断面観察等によれば、６００〜７
００℃でシンタリングを行った場合にはニッケル−リン
合金層のリン成分が多い部分と少ない部分とが表面から
下方にかけて斑（まだら）状に分布していることが認め
られる。
行った場合や７００℃を超える温度で行った場合には、
両層の間の剥離が起きる率が高くなるという問題が発生
する。このようにシンタリング温度によって両層間の剥
離の起きる率が変化する理由は今のところ明らかではな
い。しかし、ＳＥＭの断面観察等によれば、６００〜７
００℃でシンタリングを行った場合にはニッケル−リン
合金層のリン成分が多い部分と少ない部分とが表面から
下方にかけて斑（まだら）状に分布していることが認め
られる。
【００１４】これは、ニッケル−リン合金層中におい
て、加熱により、 Ｎｉ3Ｐが生成されて集まり、リン成
分の多い部分を形成する一方、他の部分のリン成分が相
対的に少なくなるのでリン成分の少ない部分を形成し
て、斑状構造を呈するものと考えられる。そして、この
成分分布構造が両層間の剥離に関与しているのではない
かと推察される。
て、加熱により、 Ｎｉ3Ｐが生成されて集まり、リン成
分の多い部分を形成する一方、他の部分のリン成分が相
対的に少なくなるのでリン成分の少ない部分を形成し
て、斑状構造を呈するものと考えられる。そして、この
成分分布構造が両層間の剥離に関与しているのではない
かと推察される。
【００１５】本発明において、請求項３に記載したよう
に、ニッケル−リン合金層のリン含有量が５〜１０重量
％となるようにした場合には、ニッケル−リン合金層の
上に金層が一様に形成され、且つ、両層間にフクレやハ
ガレが発生せず歩留まりが際立って向上する点で好まし
い。なお、このリン含有量の定量分析方法は特に限定す
るものではないが、例えば、エネルギー分散型Ｘ線分析
装置により定量することが好ましい。
に、ニッケル−リン合金層のリン含有量が５〜１０重量
％となるようにした場合には、ニッケル−リン合金層の
上に金層が一様に形成され、且つ、両層間にフクレやハ
ガレが発生せず歩留まりが際立って向上する点で好まし
い。なお、このリン含有量の定量分析方法は特に限定す
るものではないが、例えば、エネルギー分散型Ｘ線分析
装置により定量することが好ましい。
【００１６】ここで、リン含有量が１０重量％を超える
と、ニッケル−リン合金層の耐食性が高くなるため、例
えば置換型無電解めっきにより金層を形成する場合に
は、ニッケル−リン合金層からニッケルが溶出しにくく
なり、その結果金が析出しにくくなる傾向にあるため、
好ましくない。
と、ニッケル−リン合金層の耐食性が高くなるため、例
えば置換型無電解めっきにより金層を形成する場合に
は、ニッケル−リン合金層からニッケルが溶出しにくく
なり、その結果金が析出しにくくなる傾向にあるため、
好ましくない。
【００１７】一方、リン含有量が５重量％未満では、例
えば置換型無電解めっきにより金層を形成する場合に
は、ニッケル−リン合金層と金層との界面においてニッ
ケル酸化層が形成されやすくなること等によって両層の
密着性が悪くなる傾向にあるため、好ましくない。
えば置換型無電解めっきにより金層を形成する場合に
は、ニッケル−リン合金層と金層との界面においてニッ
ケル酸化層が形成されやすくなること等によって両層の
密着性が悪くなる傾向にあるため、好ましくない。
【００１８】
【実施例】以下に、本発明の好適な実施例を図面に基づ
いて説明する。尚、本発明の実施の形態は、下記の実施
例に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲
に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもな
い。 ［実施例１］図１は本実施例の電子部品用パッケージ本
体の構造を表す断面図である。
いて説明する。尚、本発明の実施の形態は、下記の実施
例に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲
に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもな
い。 ［実施例１］図１は本実施例の電子部品用パッケージ本
体の構造を表す断面図である。
【００１９】電子部品用パッケージ本体１は、図１に示
すように、アルミナセラミックからなる絶縁基板２、メ
タライズ金属層３、ニッケル−ホウ素合金層４、ニッケ
ル−リン合金層５、金層６を備えており、各層はこの順
序に積み上げられるように形成されている。
すように、アルミナセラミックからなる絶縁基板２、メ
タライズ金属層３、ニッケル−ホウ素合金層４、ニッケ
ル−リン合金層５、金層６を備えており、各層はこの順
序に積み上げられるように形成されている。
【００２０】かかる電子部品用パッケージ本体１は、以
下の手順により製造した。即ち、所定のアルミナ原料粉
体に有機溶剤等を添加混合してスラリーとし、これをド
クターブレード法等を採用することによりセラミックグ
リーンシートとし、しかる後、タングステン粉末等から
なる導体ペーストを用いてセラミックグリーンシートに
スクリーン印刷し、次いで、これを図示はしないが適数
枚積層、圧着し、１６００℃にて同時焼成した。これに
より、絶縁基板２上にメタライズ金属層３を一体的に形
成した。
下の手順により製造した。即ち、所定のアルミナ原料粉
体に有機溶剤等を添加混合してスラリーとし、これをド
クターブレード法等を採用することによりセラミックグ
リーンシートとし、しかる後、タングステン粉末等から
なる導体ペーストを用いてセラミックグリーンシートに
スクリーン印刷し、次いで、これを図示はしないが適数
枚積層、圧着し、１６００℃にて同時焼成した。これに
より、絶縁基板２上にメタライズ金属層３を一体的に形
成した。
【００２１】そして、このメタライズ金属層３の上に、
硫酸ニッケルとＤＭＡＢジメチルアミンボランを還元剤
として含む無電解めっき液（奥野製薬（株）製のトップ
ケミアロイＢ−１（商品名））を用いて、液温６５℃、
ｐＨ６．７、めっき時間１５分という条件でめっきを行
い、ニッケル−ホウ素合金層４を厚さ１．２μｍ被着、
形成し、その後図示しないピンを銀ロウによりロウ付け
した。
硫酸ニッケルとＤＭＡＢジメチルアミンボランを還元剤
として含む無電解めっき液（奥野製薬（株）製のトップ
ケミアロイＢ−１（商品名））を用いて、液温６５℃、
ｐＨ６．７、めっき時間１５分という条件でめっきを行
い、ニッケル−ホウ素合金層４を厚さ１．２μｍ被着、
形成し、その後図示しないピンを銀ロウによりロウ付け
した。
【００２２】次いで、このニッケル−ホウ素合金層４の
上に、硫酸ニッケルと次亜リン酸ナトリウムを還元剤と
して含む無電解めっき液（上村工業（株）製のニムデン
７８Ｓ（商品名））を用いて、液温９０℃、ｐＨ６．
０、めっき時間１０分という条件でめっきを行い、ニッ
ケル−リン合金層５を厚さ３．０μｍ被着形成した。
上に、硫酸ニッケルと次亜リン酸ナトリウムを還元剤と
して含む無電解めっき液（上村工業（株）製のニムデン
７８Ｓ（商品名））を用いて、液温９０℃、ｐＨ６．
０、めっき時間１０分という条件でめっきを行い、ニッ
ケル−リン合金層５を厚さ３．０μｍ被着形成した。
【００２３】次いで、光洋リンドバーク社製のメッシュ
ベルト式連続炉を用いてシンタリングを行った。この加
熱装置は、入口から出口にかけての温度分布が略正規分
布形状であり、基板の最高温度が６５０℃、６００℃以
上のキープ時間が１０分となるように設定した。尚、加
熱装置の通過距離は３０５０ｍｍ、通過時間は２２分で
あった。このようにすると、基板を確実に６００℃以上
に加熱できる。
ベルト式連続炉を用いてシンタリングを行った。この加
熱装置は、入口から出口にかけての温度分布が略正規分
布形状であり、基板の最高温度が６５０℃、６００℃以
上のキープ時間が１０分となるように設定した。尚、加
熱装置の通過距離は３０５０ｍｍ、通過時間は２２分で
あった。このようにすると、基板を確実に６００℃以上
に加熱できる。
【００２４】続いて、置換型無電解金めっき用のめっき
液（エヌ・イーケムキャット（株）製のアトメックス
（商品名））を用いて、液温８５℃、ｐＨ６．０、めっ
き時間３分という条件でめっきを行い、金層６のうち下
層に相当する第１金層６ａを厚さ０．０１〜０．１μｍ
被着形成した。
液（エヌ・イーケムキャット（株）製のアトメックス
（商品名））を用いて、液温８５℃、ｐＨ６．０、めっ
き時間３分という条件でめっきを行い、金層６のうち下
層に相当する第１金層６ａを厚さ０．０１〜０．１μｍ
被着形成した。
【００２５】最後に、水素化ホウ素ナトリウムを還元剤
として含む無電解めっき液（奥野製薬（株）製のＯＰＣ
ムデンゴールド２５（商品名））を用いて、液温７３
℃、ｐＨ１３．５、めっき時間３０分という条件でめっ
きを行い、金層６のうち上層に相当する第２金層６ｂを
厚さ２．０μｍ被着形成した。
として含む無電解めっき液（奥野製薬（株）製のＯＰＣ
ムデンゴールド２５（商品名））を用いて、液温７３
℃、ｐＨ１３．５、めっき時間３０分という条件でめっ
きを行い、金層６のうち上層に相当する第２金層６ｂを
厚さ２．０μｍ被着形成した。
【００２６】このようにして、図１に示す構造の電子部
品用パッケージ本体１を作製した。 ［実施例２、３及び比較例１〜４］実施例２、３及び比
較例１〜４では、上記実施例１においてニッケル−リン
合金層を還元型無電解めっきにより被着形成した後のシ
ンタリング工程の最高温度を、下記表１に示す最高温度
に設定した以外は、上記実施例１と同様にして図１と同
様の構造の電子部品用パッケージ本体を作製した。
品用パッケージ本体１を作製した。 ［実施例２、３及び比較例１〜４］実施例２、３及び比
較例１〜４では、上記実施例１においてニッケル−リン
合金層を還元型無電解めっきにより被着形成した後のシ
ンタリング工程の最高温度を、下記表１に示す最高温度
に設定した以外は、上記実施例１と同様にして図１と同
様の構造の電子部品用パッケージ本体を作製した。
【００２７】
【表１】
【００２８】［試験例］以上のようにして得られた実施
例１〜３及び比較例１〜４の表層である金層６上に、ワ
イヤボンディングの代替物として強制剥がし用のニッケ
ル−リン合金層７を無電解めっきにより厚さ１０〜１５
μｍとなるように形成し、図２に示すように３ｍｍ四方
の試験片が合計１００ピースとなるように格子状にカッ
ターナイフで傷をつけた。そして、カッターナイフの先
でニッケル−リン合金層７を引っかけるようにして強制
的に引き剥がし、ニッケル−リン合金層５と金層６との
間のハガレ発生率及びハガレ面積率を求めた。
例１〜３及び比較例１〜４の表層である金層６上に、ワ
イヤボンディングの代替物として強制剥がし用のニッケ
ル−リン合金層７を無電解めっきにより厚さ１０〜１５
μｍとなるように形成し、図２に示すように３ｍｍ四方
の試験片が合計１００ピースとなるように格子状にカッ
ターナイフで傷をつけた。そして、カッターナイフの先
でニッケル−リン合金層７を引っかけるようにして強制
的に引き剥がし、ニッケル−リン合金層５と金層６との
間のハガレ発生率及びハガレ面積率を求めた。
【００２９】ハガレ発生率 試験片１００ピースのうちニッケル−リン合金層５と金
層６との間のハガレが全面又は部分的に起きたピース
を、ハガレが発生したピースとしてカウントし、「（ハ
ガレが発生したピース）／１００ピース」として表記し
た。
層６との間のハガレが全面又は部分的に起きたピース
を、ハガレが発生したピースとしてカウントし、「（ハ
ガレが発生したピース）／１００ピース」として表記し
た。
【００３０】ハガレ面積率 試験片１００ピースのうちハガレが発生したピースにつ
いて、「（実際に剥離した面積）／（ピースの全面の面
積）の平均パーセンテージ」を算出し、これを表記し
た。
いて、「（実際に剥離した面積）／（ピースの全面の面
積）の平均パーセンテージ」を算出し、これを表記し
た。
【００３１】
【表２】
【００３２】尚、各試験例においてニッケル−リン合金
層５を無電解めっきにより被着形成した際（シンタリン
グ前）に、ニッケル−リン合金層５のリン含有量の定量
分析を行った。この定量分析は、機種：ＪＥＯＬ（日本
電子（株））製のＪＳＭ−８２０、検出器：トレイコア
・ノーザン（株）製のエネルギー分散型Ｘ線分析装置を
用いて、加速電圧２０ｋＶ、分析倍率３７００倍（３０
×２３μｍ）という条件で行った。その結果、リン含有
量は５〜１０重量％の範囲にあった。
層５を無電解めっきにより被着形成した際（シンタリン
グ前）に、ニッケル−リン合金層５のリン含有量の定量
分析を行った。この定量分析は、機種：ＪＥＯＬ（日本
電子（株））製のＪＳＭ−８２０、検出器：トレイコア
・ノーザン（株）製のエネルギー分散型Ｘ線分析装置を
用いて、加速電圧２０ｋＶ、分析倍率３７００倍（３０
×２３μｍ）という条件で行った。その結果、リン含有
量は５〜１０重量％の範囲にあった。
【００３３】上記表２から明らかなように、ニッケル−
リン合金層５を被着形成した後のシンタリングの最高温
度が６００〜７００℃の範囲にあるときには、ハガレ発
生率がゼロであり、ニッケル−リン合金層５と金層６と
の密着性が極めて強固となることがわかった。このた
め、例えばＩＣチップと配線基板１上のパッドとを接続
するためにアルミワイヤボンディングを行った場合、図
３に示すようなニッケル−リン合金層と金層との間の剥
離が起きるおそれがない。
リン合金層５を被着形成した後のシンタリングの最高温
度が６００〜７００℃の範囲にあるときには、ハガレ発
生率がゼロであり、ニッケル−リン合金層５と金層６と
の密着性が極めて強固となることがわかった。このた
め、例えばＩＣチップと配線基板１上のパッドとを接続
するためにアルミワイヤボンディングを行った場合、図
３に示すようなニッケル−リン合金層と金層との間の剥
離が起きるおそれがない。
【００３４】また、実施例１〜３の電子部品用パッケー
ジ本体につき、４５０℃で５分放置したところ、熱によ
る変色がほとんどないという効果が得られた。更に、塩
水噴霧試験を行ったところ、ほとんど腐食されないとい
う効果も得られた。このことから、６００〜７００℃で
シンタリングしたニッケル−リン合金層５は金層６に拡
散しにくくこの結果金層６の色が変化しないものと推察
され、また耐食性が向上しているものと推察される。
ジ本体につき、４５０℃で５分放置したところ、熱によ
る変色がほとんどないという効果が得られた。更に、塩
水噴霧試験を行ったところ、ほとんど腐食されないとい
う効果も得られた。このことから、６００〜７００℃で
シンタリングしたニッケル−リン合金層５は金層６に拡
散しにくくこの結果金層６の色が変化しないものと推察
され、また耐食性が向上しているものと推察される。
【００３５】尚、ニッケル−リン合金層５のリン含有量
が５〜１０重量％から外れた場合についても、上記実施
例と同様にして電子部品用パッケージ本体を作製した
が、５重量％未満では４５０℃で加熱した際にニッケル
−リン合金層と金層との間にハガレやフクレを生じ、ま
た、１０重量％を超えると金層が形成されない無めっき
部分を生じた。
が５〜１０重量％から外れた場合についても、上記実施
例と同様にして電子部品用パッケージ本体を作製した
が、５重量％未満では４５０℃で加熱した際にニッケル
−リン合金層と金層との間にハガレやフクレを生じ、ま
た、１０重量％を超えると金層が形成されない無めっき
部分を生じた。
【図１】 実施例１の電子部品用パッケージ本体の構造
を表す断面図である。
を表す断面図である。
【図２】 試験例に用いるサンプルの説明図である。
【図３】 従来例の説明図である。
１・・・電子部品用パッケージ本体、２・・・絶縁基
板、３・・・メタライズ金属層、４・・・ニッケル−ホ
ウ素合金層、５・・・ニッケル−リン合金層、６・・・
金層、６ａ・・・第１金層、６ｂ・・・第２金層。
板、３・・・メタライズ金属層、４・・・ニッケル−ホ
ウ素合金層、５・・・ニッケル−リン合金層、６・・・
金層、６ａ・・・第１金層、６ｂ・・・第２金層。
Claims (3)
- 【請求項１】 表層にワイヤボンディングを施すための
配線基板を製造する方法であって、 素材上に還元型の無電解めっきによりニッケル−リン合
金層を形成するＮｉ−Ｐ形成工程と、 このニッケル−リン合金層を６００〜７００℃で処理す
るシンタリング工程と、 シンタリング後のニッケル−リン合金層に無電解めっき
により表層としての金層を形成するＡｕ形成工程とを含
むことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記Ａｕ形成工程では、置換型の無電解
金めっきを行った上で還元型の無電解金めっきを行うこ
とにより表層としての金層を形成することを特徴とする
請求項１記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記ニッケル−リン合金層はリン含有量
が５〜１０重量％であることを特徴とする請求項１又は
２記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9027023A JP3050528B2 (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | ワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9027023A JP3050528B2 (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | ワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10219469A JPH10219469A (ja) | 1998-08-18 |
| JP3050528B2 true JP3050528B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=12209495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9027023A Expired - Fee Related JP3050528B2 (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | ワイヤボンディングを施すための配線基板を製造する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3050528B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006200925A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP5214179B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2013-06-19 | 株式会社トクヤマ | メタライズド基板およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-02-10 JP JP9027023A patent/JP3050528B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10219469A (ja) | 1998-08-18 |
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