JP3049189B2 - 高周波電力用スイッチ装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電界効果型のスルート
ランジスタとシャントトランジスタとからなる高周波電
力用スイッチ装置及びその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】電界効果型トランジスタ、特にガリウム
砒素（ＧａＡｓ）よりなる半導体基板上に形成されたＭ
ＥＳＦＥＴ（以下、ＦＥＴと称する。）を用いた高周波
電力用スイッチ装置は、その低消費電力・高アイソレー
ション等の高性能により、携帯電話を中心とする通信機
器の発達と共に近年需要が大幅に伸びている。

【０００３】図４は、高周波電力用スイッチ装置の基本
回路を示しており、図４に示すように、高周波電力用ス
イッチ装置は、ソース端子及びドレイン端子のうちの一
方が第１の高周波端子１に接続されていると共に他方が
第２の高周波端子２に接続されており、ゲート端子に負
のしきい値電圧よりも正側の電圧が印加されるとオン状
態になる一方ゲート端子に負のしきい値電圧よりも負側
の電圧が印加されるとオフ状態になる電界効果型トラン
ジスタよりなるスルートランジスタＡと、ドレイン端子
が第１の高周波端子１に接続されていると共にソース端
子が接地端子３に接続されており、ゲート端子に負のし
きい値電圧よりも正側の電圧が印加されるとオン状態に
なる一方ゲート端子に負のしきい値電圧よりも負側の電
圧が印加されるとオフ状態になる電界効果型トランジス
タよりなるシャントトランジスタＢとを備えている。図
４において、４はシャントトランジスタＢのゲート抵
抗、５はシャントトランジスタＢのゲート端子、６はス
ルートランジスタＡのゲート抵抗、７はスルートランジ
スタＡのゲート端子である。

【０００４】ゲート端子５に負電圧を印加してシャント
トランジスタＢをオフにし、ゲート端子７に零電圧を印
加してスルートランジスタＡをオンにすると、第１の高
周波端子１から入ってきた高周波信号はオン状態のスル
ートランジスタＡを通って第２の高周波端子８に到達す
る。この状態が高周波電力用スイッチ装置がオンしてい
る状態である。

【０００５】逆に、ゲート端子５に零電圧を印加してシ
ャントトランジスタＢをオンにし、ゲート端子７に負電
圧を印加してスルートランジスタをオフにすると、第１
の高周波端子１から入ってきた高周波信号はオフ状態の
スルートランジスタＡに阻止され、オン状態のシャント
トランジスタＢを通って接地端子３へ抜け、第２の高周
波端子２には到達しない。この状態が高周波電力用スイ
ッチ装置がオフしている状態である。

【０００６】高周波電力用スイッチがオンしているとき
に、入力信号の電力を増加させると、出力信号の電力も
増加する。しかしながら、入力信号の電力がある程度大
きくなると、出力信号の電力の増加量は入力信号の電力
の増加量に追随せず、最終的には出力信号の電力が飽和
してしまう。

【０００７】この原因は２つあり、第１の原因はシャン
トトランジスタＢが遮断できる最大電力よりも入力信号
の電力が大きくなったときである。このシャントトラン
ジスタＢが遮断できる最大電力を増やすには、より大き
な負電圧をゲート端子５に印加する必要がある。ゲート
電圧が一定であるという条件下では、シャントトランジ
スタＢのしきい値電圧を浅くして、シャントトランジス
タＢのゲート端子５に加わる電圧を相対的に大きくしな
ければならない。

【０００８】第２の原因は、スルートランジスタＡを通
過できる最大電力よりも入力信号の電力が大きくなった
ときである。このスルートランジスタＡを通過する最大
電力を増やすには、スルートランジスタＡの飽和電流を
増やす必要がある。ゲート幅が一定であるという条件下
では、スルートランジスタＡのしきい値電圧を深くし
て、飽和電流を増やさなければならない。

【０００９】以上の理由により、高周波電力用スイッチ
装置を通過する最大電力をより大きくするには、シャン
トトランジスタＢのしきい値電圧を浅くすると共に、ス
ルートランジスタＡのしきい値電圧を深くする必要があ
る。従来は、高周波電力用スイッチ装置の特性を犠牲に
し、１回のイオン注入によりスルートランジスタＡ及び
シャントトランジスタＢの各チャネル領域を同時に形成
してスルートランジスタＡのしきい値電圧とシャントト
ランジスタＢのしきい値電圧とが等しい高周波電力用ス
イッチを作製するか、又は、スルートランジスタＡのチ
ャネル領域とシャントトランジスタＢのチャネル領域と
を別々のイオン注入工程により形成していた。

【００１０】以下、後者の製造方法により高周波電力用
スイッチ装置を製造する方法について図面を参照しなが
ら説明する。

【００１１】図５は、２つのＧａＡｓＭＥＳＦＥＴが用
いられた従来の高周波電力用スイッチ装置の構成を示し
ており、図５において、１０は半絶縁性のＧａＡｓより
なる半導体基板である。図５において、２１，２２はシ
ャントトランジスタＢのソース端子又はドレイン端子に
なるオーミック電極、２３はシャントトランジスタＢの
ゲート端子になるショットキ電極、２４はショットキ電
極２３の引き出し部分に接続されたゲート配線、２５は
シャントトランジスタＢのゲート電圧をコントロールす
るゲート抵抗であり、該ゲート抵抗２５としては通常数
キロΩのものが用いられる。また、２６はシャントトラ
ンジスタＢをオン・オフするための電圧が印加されるゲ
ートパッドである。

【００１２】また、図５において、３１，３２はスルー
トランジスタＡのソース端子又はドレイン端子になるオ
ーミック電極、３３はスルートランジスタＡのゲート端
子になるショットキ電極、３４はショットキ電極３３の
引き出し部分に接続されたゲート配線、３５はスルーシ
ャントトランジスタＡのゲート電圧をコントロールする
ゲート抵抗であり、該ゲート抵抗３５としては通常数キ
ロΩのものが用いられる。また、３６はスルートランジ
スタＡをオン・オフするための電圧が印加されるゲート
パッドである。

【００１３】また、図５において、１１は第１の高周波
端子１となる高周波パッド、１２は第２の高周波端子２
となる高周波パッドであり、該第１及び第２の高周波パ
ッド１１，１２はそれぞれ高周波信号の入力及び出力が
なされ、１３はシャントトランジスタＢの接地端子３と
なる接地パッドである。

【００１４】前記構成の高周波用電力スイッチ装置の製
造工程においては、シャントトランジスタＢのチャネル
領域は浅いイオン注入により形成され、スルートランジ
スタＡのチャネル領域は深いイオン注入により形成され
る。この結果、シャントトランジスタＢのしきい値電圧
は浅くなり、スルートランジスタＡのしきい値電圧は深
くなると共に該スルートランジスタＡの飽和電流は大き
くなる。

【００１５】尚、特性を犠牲にして１回のイオン注入に
よりスルートランジスタＡ及びシャントトランジスタＢ
の各チャネル領域を形成する前者の方法により製造され
る高周波電力用スイッチ装置の外観構成は、図５に示す
スイッチ装置の外観構成と同様である。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
方法により製造される高周波電力用スイッチ装置におい
ては特性が犠牲にされ、後者の方法により製造される高
周波電力用スイッチ装置においては、優れた特性を得る
ことができるが、製造工程においてチャンネル領域への
イオン注入を２工程に分けて行なう必要があるために製
造工程が複雑になり製造コストが増加するという問題が
あった。

【００１７】前記に鑑み、本発明は、通過する最大電力
が大きくて高性能な高周波電力用スイッチ装置をチャネ
ル領域への１回のイオン注入により得られるようにする
ことを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、請求項１の発明が講じた解決手段は、半導体基板
と、該半導体基板上に形成されソース端子及びドレイン
端子のうちの一方が第１の高周波端子に接続されている
と共に他方が第２の高周波端子に接続されておりゲート
端子に負のしきい値電圧よりも正側の電圧が印加される
とオン状態になる一方ゲート端子に負のしきい値電圧よ
りも負側の電圧が印加されるとオフ状態になりゲート端
子に接続されたゲート電極直下の空乏層よりも十分に深
い領域にチャネル領域が形成されているデプレッション
型の電界効果型トランジスタよりなるスルートランジス
タと、前記半導体基板上に形成されドレイン端子が前記
第１の高周波端子に接続されていると共にソース端子が
接地端子に接続されておりゲート端子に負のしきい値電
圧よりも正側の電圧が印加されるとオン状態になる一方
ゲート端子に負のしきい値電圧よりも負側の電圧が印加
されるとオフ状態になりゲート端子に接続されたゲート
電極直下の空乏層よりも十分に深い領域にチャネル領域
が形成されているデプレッション型の電界効果型トラン
ジスタよりなるシャントトランジスタとを備え、前記ス
ルートランジスタはそのゲート方位が前記半導体基板に
おける電界効果型トランジスタのしきい値電圧が深くな
る第１の方位と一致するように形成されており、前記シ
ャントトランジスタはそのゲート方位が前記半導体基板
における電界効果型トランジスタのしきい値電圧が浅く
なる第２の方位と一致するように形成されている構成と
するものである。

【００１９】請求項２の発明は、請求項１の構成に、前
記半導体基板は基板面方位が（１００）面である半絶縁
性のガリウム砒素より、前記第１の方位は前記半導体基
板の［０-1-1］方位であり、前記第２の方位は前記半導
体基板の［０-1１］方位であるという構成を付加するも
のである。

【００２０】請求項３の発明は、請求項１の発明に係る
高周波電力用スイッチ装置の製造方法であって、ソース
端子及びドレイン端子のうちの一方が第１の高周波端子
に接続されていると共に他方が第２の高周波端子に接続
されておりゲート端子に負のしきい値電圧よりも正側の
電圧が印加されるとオン状態になる一方ゲート端子に負
のしきい値電圧よりも負側の電圧が印加されるとオフ状
態になるデプレッション型の電界効果型トランジスタよ
りなるスルートランジスタのチャネル領域を半導体基板
上におけるゲート端子に接続されたゲート電極直下の空
乏層よりも十分に深い領域に該スルートランジスタのゲ
ート方位が前記半導体基板における電界効果型トランジ
スタのしきい値電圧が深くなる第１の方位と一致するよ
うにイオン注入することにより形成するスルートランジ
スタのチャネル領域形成工程と、ドレイン端子が第１の
高周波端子に接続されていると共にソース端子が接地端
子に接続されておりゲート端子に負のしきい値電圧より
も正側の電圧が印加されるとオン状態になる一方ゲート
端子に負のしきい値電圧よりも負側の電圧が印加される
とオフ状態になるデプレッション型の電界効果型トラン
ジスタよりなるシャントトランジスタのチャネル領域を
前記半導体基板上におけるゲート端子に接続されたゲー
ト電極直下の空乏層よりも十分に深い領域に該シャント
トランジスタのゲート方位が前記半導体基板における電
界効果型トランジスタのしきい値電圧が浅くなる第２の
方位と一致するように形成するシャントトランジスタの
チャネル領域形成工程とを備え、前記スルートランジス
タのチャネル領域と前記シャントトランジスタのチャネ
ル領域とは前記半導体基板に１回のイオン注入を行なう
ことにより同時に形成するという構成である。

【００２１】請求項４の発明は、請求項３の構成に、前
記半導体基板は基板面方位が（１００）面である半絶縁
性のガリウム砒素よりなり、前記第１の方位は前記半導
体基板の［０-1-1］方位であり、前記第２の方位は前記
半導体基板の［０-1１］方位であるという構成を付加す
るものである。

【００２２】

【作用】請求項１の構成により、半導体基板として結晶
方位により電界効果型トランジスタのしきい値電圧が変
化する半導体基板が用いられ、スルートランジスタ及び
シャントトランジスタとしてゲート端子に接続されたゲ
ート電極直下の空乏層よりも十分に深い領域にチャネル
領域が形成されているデプレッション型の電界効果型ト
ランジスタが用いられ、スルートランジスタはそのゲー
ト方位が前記半導体基板における電界効果型トランジス
タのしきい値電圧が深くなる第１の方位と一致するよう
に形成され、シャントトランジスタをそのゲート方位が
前記半導体基板における電界効果型トランジスタのしき
い値電圧が浅くなる第２の方位と一致するように形成さ
れているため、シャントトランジスタのしきい値電圧は
浅く、スルートランジスタのしきい値電圧は深く且つ飽
和電流は大きくなる。

【００２３】また、スルートランジスタ及びシャントト
ランジスタのしきい値電圧はゲート方位を互いに異なら
せるだけで実現できるため、スルートランジスタ及びシ
ャントトランジスタの各チャネル領域を１回のイオン注
入により形成することができる。

【００２４】請求項２の構成により、半導体基板は基板
面方位が（１００）面である半絶縁性のガリウム砒素よ
りなり、前記第１の方位は半導体基板の［０-1-1］方位
であり、前記第２の方位は半導体基板の［０-1１］方位
であるため、スルートランジスタのゲート方位を半導体
基板における電界効果型トランジスタのしきい値電圧が
深くなる方位と一致させ、シャントトランジスタのゲー
ト方位を半導体基板における電界効果型トランジスタの
しきい値電圧が浅くなる方位と一致させることを容易且
つ確実に実現できる。

【００２５】請求項３の構成により、スルートランジス
タのチャネル領域を結晶方位により電界効果型トランジ
スタのしきい値電圧が変化する半導体基板上に該スルー
トランジスタのゲート方位が半導体基板における電界効
果型トランジスタのしきい値電圧が深くなる第１の方位
と一致すると共に、シャントトランジスタのチャネル領
域を前記半導体基板上に該シャントトランジスタのゲー
ト方位が半導体基板における電界効果型トランジスタの
しきい値電圧が浅くなる第２の方位と一致するように、
１回のイオン注入により同時に形成することができる。

【００２６】請求項４の構成により、半導体基板は基板
面方位が（１００）面である半絶縁性のガリウム砒素よ
りなり、前記第１の方位は半導体基板の［０-1-1］方位
であり、前記第２の方位は半導体基板の［０-1１］方位
であるため、請求項２の構成と同様、スルートランジス
タのゲート方位を半導体基板における電界効果型トラン
ジスタのしきい値電圧が深くなる方位と一致させ、シャ
ントトランジスタのゲート方位を半導体基板における電
界効果型トランジスタのしきい値電圧が浅くなる方位と
一致させることを容易且つ確実に実現できる。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の一実施例に係る高周波電力用
スイッチ装置について図面を参照しながら説明する。

【００２８】図１は、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴが用いられ
た本発明の一実施例に係る高周波電力用スイッチ装置の
構成を示しており、４０は半絶縁性のＧａＡｓよりなる
半導体基板である。図１において、５１，５２はシャン
トトランジスタＢのソース端子又はドレイン端子になる
オーミック電極、５３はシャントトランジスタＢのゲー
ト端子になるショットキ電極、５４はショットキ電極５
３の引き出し部分に接続されたゲート配線、５５はシャ
ントトランジスタＢのゲート電圧をコントロールするゲ
ート抵抗であり、該ゲート抵抗５５としては通常数キロ
Ωのものが用いられる。また、５６はシャントトランジ
スタＢをオン・オフするための電圧が印加されるゲート
パッドである。

【００２９】また、図１において、６１，６２はスルー
トランジスタＡのソース端子又はドレイン端子になるオ
ーミック電極、６３はスルートランジスタＡのゲート端
子になるショットキ電極、６４はショットキ電極３３の
引き出し部分に接続されたゲート配線、６５はスルーシ
ャントトランジスタＡのゲート電圧をコントロールする
ゲート抵抗であり、該ゲート抵抗６５としては通常数キ
ロΩのものが用いられる。また、６６はスルートランジ
スタＡをオン・オフするための電圧が印加されるゲート
パッドである。

【００３０】また、図１において、４１は第１の高周波
端子１となる高周波パッド、４２は第２の高周波端子２
となる高周波パッドであり、これらの高周波パッド４
１，４２はそれぞれ高周波信号の入力及び出力がなさ
れ、４３はシャントトランジスタＢの接地端子３となる
接地パッドである。

【００３１】ＧａＡｓよりなる半導体基板を用いると、
結晶方位によりＦＥＴのしきい値電圧及び飽和電流が変
化することがある。例えば、（１００）面の基板方位を
有するＧａＡｓよりなる半導体基板４０上に、ゲート方
位が半導体基板４０の［０-1-1］方位と一致するように
ゲートが形成されたＦＥＴは、ゲート方位が半導体基板
４０の［０-1１］方位と一致するようにゲートが形成さ
れたＦＥＴよりも、しきい値電圧が深くなり且つ飽和電
流が大きくなる。従って、シャントトランジスタＢのゲ
ート方位を半導体基板４０の［０-1１］方位と一致さ
せ、スルートランジスタＡのゲート方位を半導体基板４
０の［０-1-1］方位と一致させることにより、チャネル
領域形成を形成するための１回のイオン注入により、シ
ャントトランジスタＢのしきい値電圧は浅くなり、スル
ートランジスタＡのしきい値電圧は深くなり且つ飽和電
流は大きくなる。

【００３２】図２は、前記の構成を有するシャントトラ
ンジスタＢとスルートランジスタＡの電流−電圧特性を
示しており、同図から明らかなように、それぞれのゲー
ト方位を９０°異ならせるだけで、飽和電流が１７０ｍ
Ａから２００ｍＡへと約１８％増加し、しきい値電圧も
−２．３Ｖから−２．８Ｖへと約２２％増加する。

【００３３】図３は、図２の電気特性を有する高周波電
力用スイッチ装置のオン状態における入力電力−出力電
力の特性を示している。本実施例に係る高周波電力用ス
イッチ装置の特性の向上を明らかにするために、本実施
例に係る高周波電力用スイッチ装置と、前述した１回の
イオン注入により各チャネル領域が形成され同じしきい
値電圧を有するシャントトランジスタＢとスルートラン
ジスタＡとを備え特性が犠牲にされた高周波電力用スイ
ッチ装置とにおける入力電力−出力電力の特性を示して
いる。図３のグラフより明らかなように、本実施例に係
る高周波電力用スイッチ装置は従来の高周波電力用スイ
ッチ装置に比べて約６ｄＢも最大通過電力が改善されて
いる。

【００３４】以上説明したように、本実施例によると、
チャネル領域形成のための１回のイオン注入により、シ
ャントトランジスタＢのしきい値電圧を浅く、スルート
ランジスタＡのしきい値電圧を深くし且つ飽和電流を大
きくことができるので、高周波電力用スイッチ装置を通
過する最大電力が向上し、より高性能な特性を得ること
ができる。

【００３５】尚、本発明においては、半導体基板４０と
しては、ＧａＡｓのみならず結晶方位によりＦＥＴのし
きい値電圧が変化する全ての半導体材料を用いることが
できる。

【００３６】

【発明の効果】請求項１の発明に係る高周波電力用スイ
ッチ装置によると、スルートランジスタはそのゲート方
位が電界効果型トランジスタのしきい値電圧が深くなる
第１の方位と一致するように形成され、シャントトラン
ジスタをそのゲート方位が電界効果型トランジスタのし
きい値電圧が浅くなる第２の方位と一致するように形成
されているため、シャントトランジスタのしきい値電圧
は浅く、スルートランジスタのしきい値電圧は深く且つ
飽和電流は大きくなるので、通過する最大電力が向上
し、より高性能な高周波電力用スイッチ装置を得ること
ができる。この場合、スルートランジスタ及びシャント
トランジスタのしきい値電圧はゲート方位を互いに異な
らせるだけで実現できるため、スルートランジスタ及び
シャントトランジスタのチャネル領域は１回のイオン注
入により形成できるので、製造工程が簡単になり製造コ
ストの増加を招くことがない。

【００３７】請求項２の発明に係る高周波電力用スイッ
チ装置によると、半導体基板は基板面方位が（１００）
面である半絶縁性のガリウム砒素よりなり、前記第１の
方位は半導体基板の［０-1-1］方位であり、前記第２の
方位は半導体基板の［０-1１］方位であるため、スルー
トランジスタのゲート方位を電界効果型トランジスタの
しきい値電圧が深くなる方位と一致させ、シャントトラ
ンジスタのゲート方位を電界効果型トランジスタのしき
い値電圧が浅くなる方位と一致させることを容易且つ確
実に実現できる。

【００３８】請求項３の発明に係る高周波電力用スイッ
チ装置の製造方法によると、スルートランジスタ及びシ
ャントトランジスタのチャネル領域を、シャントトラン
ジスタのゲート方位が電界効果型トランジスタのしきい
値電圧が深くなる第１の方位と一致すると共にシャント
トランジスタのゲート方位が電界効果型トランジスタの
しきい値電圧が浅くなる第２の方位と一致するように、
１回のイオン注入により同時に形成するため、簡単な製
造工程及び低コストで通過電力が大きく高性能な高周波
電力用スイッチを製造することが可能になる。

【００３９】請求項４の発明に係る高周波電力用スイッ
チ装置の製造方法によると、請求項２の発明と同様、ス
ルートランジスタのゲート方位を電界効果型トランジス
タのしきい値電圧が深くなる方位と一致させると共にシ
ャントトランジスタのゲート方位を電界効果型トランジ
スタのしきい値電圧が浅くなる方位と一致させることを
容易且つ確実に実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る高周波電力用スイッチ
装置の平面図である。

【図２】本発明の一実施例に係る高周波電力用スイッチ
装置のシャントトランジスタ及びスルートランジスタに
おける電流−電圧の特性図である。

【図３】本発明の一実施例に係る高周波電力用スイッチ
装置及び従来の高周波電力用スイッチ装置における入力
電力−出力電力の特性図である。

【図４】従来及び本発明の一実施例に係る高周波電力用
スイッチ装置の基本回路図である。

【図５】従来の高周波電力用スイッチ装置の平面図であ
る。

【符号の説明】

Ａ スルートランジスタ Ｂ シャントトランジスタ ４０ 半導体基板 ４１ 高周波パッド（第１の高周波端子） ４２ 高周波パッド（第２の高周波端子） ４３ 接地パッド（接地端子） ５１，５２，６１，６２ オーミック電極（ソース端子
又はドレイン端子） ５３，６３ ショットキ電極（ゲート端子） ５４，６４ ゲート配線 ５５，６５ ゲート抵抗 ５６，６６ ゲートパッド

フロントページの続き (72)発明者 山本 真司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−188378（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−202470（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−74763（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/338 H01L 21/06 H01L 21/822 H01L 21/8232 H01L 27/04 H01L 27/095 H01L 29/812

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 結晶方位により電界効果型トランジスタ
   のしきい値電圧が変化する半導体基板と、 該半導体基板上に形成され、ソース端子及びドレイン端
   子のうちの一方が第１の高周波端子に接続されていると
   共に他方が第２の高周波端子に接続されており、ゲート
   端子に負のしきい値電圧よりも正側の電圧が印加される
   とオン状態になる一方ゲート端子に負のしきい値電圧よ
   りも負側の電圧が印加されるとオフ状態になり、ゲート
   端子に接続されたゲート電極直下の空乏層よりも十分に
   深い領域にチャネル領域が形成されているデプレッショ
   ン型の電界効果型トランジスタよりなるスルートランジ
   スタと、 前記半導体基板上に形成され、ドレイン端子が前記第１
   の高周波端子に接続されていると共にソース端子が接地
   端子に接続されており、ゲート端子に負のしきい値電圧
   よりも正側の電圧が印加されるとオン状態になる一方ゲ
   ート端子に負のしきい値電圧よりも負側の電圧が印加さ
   れるとオフ状態になり、ゲート端子に接続されたゲート
   電極直下の空乏層よりも十分に深い領域にチャネル領域
   が形成されているデプレッション型の電界効果型トラン
   ジスタよりなるシャントトランジスタとを備え、 前記スルートランジスタは、そのゲート方位が前記半導
   体基板における電界効果型トランジスタのしきい値電圧
   が深くなる第１の方位と一致するように形成されてお
   り、 前記シャントトランジスタは、そのゲート方位が前記半
   導体基板における電界効果型トランジスタのしきい値電
   圧が浅くなる第２の方位と一致するように形成されてい
   ることを特徴とする高周波電力用スイッチ装置。
2. 【請求項２】 前記半導体基板は基板面方位が（１０
   ０）面である半絶縁性のガリウム砒素よりなり、前記第
   １の方位は前記半導体基板の［０-1-1］方位であり、前
   記第２の方位は前記半導体基板の［０-1１］方位である
   ことを特徴とする請求項１に記載の高周波電力用スイッ
   チ装置。
3. 【請求項３】 ソース端子及びドレイン端子のうちの一
   方が第１の高周波端子に接続されていると共に他方が第
   ２の高周波端子に接続されており、ゲート端子に負のし
   きい値電圧よりも正側の電圧が印加されるとオン状態に
   なる一方ゲート端子に負のしきい値電圧よりも負側の電
   圧が印加されるとオフ状態になるデプレッション型の電
   界効果型トランジスタよりなるスルートランジスタのチ
   ャネル領域を、結晶方位により電界効果型トランジスタ
   のしきい値電圧が変化する半導体基板上におけるゲート
   端子に接続されたゲート電極直下の空乏層よりも十分に
   深い領域に、該スルートランジスタのゲート方位が前記
   半導体基板における電界効果型トランジスタのしきい値
   電圧が深くなる第１の方位と一致するようにイオン注入
   することにより形成するスルートランジスタのチャネル
   領域形成工程と、 ドレイン端子が第１の高周波端子に接続されていると共
   にソース端子が接地端子に接続されており、ゲート端子
   に負のしきい値電圧よりも正側の電圧が印加されるとオ
   ン状態になる一方ゲート端子に負のしきい値電圧よりも
   負側の電圧が印加されるとオフ状態になるデプレッショ
   ン型の電界効果型トランジスタよりなるシャントトラン
   ジスタのチャネル領域を、前記半導体基板上におけるゲ
   ート端子に接続されたゲート電極直下の空乏層よりも十
   分に深い領域に、該シャントトランジスタのゲート方位
   が前記半導体基板における電界効果型トランジスタのし
   きい値電圧が浅くなる第２の方位と一致するように形成
   するシャントトランジスタのチャネル領域形成工程とを
   備え、 前記スルートランジスタのチャネル領域と前記シャント
   トランジスタのチャネル領域とを前記半導体基板に１回
   のイオン注入を行なうことにより同時に形成することを
   特徴とする高周波電力用スイッチ装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記半導体基板は基板面方位が（１０
   ０）面である半絶縁性のガリウム砒素よりなり、前記第
   １の方位は前記半導体基板の［０-1-1］方位であり、前
   記第２の方位は前記半導体基板の［０-1１］方位である
   ことを特徴とする請求項３に記載の高周波電力用スイッ
   チ装置の製造方法。