JP3047852B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP3047852B2 JP3047852B2 JP9086394A JP8639497A JP3047852B2 JP 3047852 B2 JP3047852 B2 JP 3047852B2 JP 9086394 A JP9086394 A JP 9086394A JP 8639497 A JP8639497 A JP 8639497A JP 3047852 B2 JP3047852 B2 JP 3047852B2
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- amplifier
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波デバイス、特
に高出力特性と低雑音特性が要求される情報通信用送受
信アンプの構造に関するものである。
に高出力特性と低雑音特性が要求される情報通信用送受
信アンプの構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、小型化・高性能化された携帯電話
の普及が急速に進んでいる。この進歩に大きく貢献した
技術として、高性能な電池の開発と、高性能な電界効果
型トランジスタ、特に砒化ガリウム(GaAs)MES
FETの開発がある。デバイスとしてのGaAsMES
FETは、低電圧動作・高利得・高効率・低雑音・低歪
み等の高周波特性に関して優れた性能を発揮し、携帯端
末の送受信アンプとして活躍している。最近では技術の
進歩とともに、従来のハイブリッド構成に対して、1チ
ップ上に低雑音受信アンプ部と高出力送信アンプ部との
全てを形成する一体型MMIC(Microwave
Monolithic IC)も開発されている。この
構造を有する従来の送受信アンプの構成を、以下図面を
参照しながら説明する。
の普及が急速に進んでいる。この進歩に大きく貢献した
技術として、高性能な電池の開発と、高性能な電界効果
型トランジスタ、特に砒化ガリウム(GaAs)MES
FETの開発がある。デバイスとしてのGaAsMES
FETは、低電圧動作・高利得・高効率・低雑音・低歪
み等の高周波特性に関して優れた性能を発揮し、携帯端
末の送受信アンプとして活躍している。最近では技術の
進歩とともに、従来のハイブリッド構成に対して、1チ
ップ上に低雑音受信アンプ部と高出力送信アンプ部との
全てを形成する一体型MMIC(Microwave
Monolithic IC)も開発されている。この
構造を有する従来の送受信アンプの構成を、以下図面を
参照しながら説明する。
【0003】図3は、従来の送受信アンプ一体型MMI
Cを示す構成図である。図3において、30はGaAs
基板であり、基板30には、高出力アンプ部35および
低雑音アンプ部36とが形成されている。高出力アンプ
部35は大きなゲート幅を有するGaAsMESFET
で構成され、低雑音アンプ部36は、小さなゲート幅を
有するGaAsMESFETで構成されている(例え
ば、K.FUJIMOTOら、「A high per
formance GaAs MMIC transc
eiver for personal handy
phone system(PHS)」、25th E
uropean Microwave Confere
nce、Proceedings、vol.2、pp.
926−930、1995など)。
Cを示す構成図である。図3において、30はGaAs
基板であり、基板30には、高出力アンプ部35および
低雑音アンプ部36とが形成されている。高出力アンプ
部35は大きなゲート幅を有するGaAsMESFET
で構成され、低雑音アンプ部36は、小さなゲート幅を
有するGaAsMESFETで構成されている(例え
ば、K.FUJIMOTOら、「A high per
formance GaAs MMIC transc
eiver for personal handy
phone system(PHS)」、25th E
uropean Microwave Confere
nce、Proceedings、vol.2、pp.
926−930、1995など)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、GaAs基板30の低い熱伝導率(約
0.5W/cmK)の影響で、高出力アンプ部のさらな
る高出力化を図ると、基板温度が上昇し、GaAsの高
い電子移動度(約6000cm・cm/Vs)を活かし
た低雑音アンプ部の雑音特性が劣化するという問題が生
じるため、数Wから数百Wといった高出力タイプの一体
型MMICは、GaAsでは実現不可能であった。
うな構成では、GaAs基板30の低い熱伝導率(約
0.5W/cmK)の影響で、高出力アンプ部のさらな
る高出力化を図ると、基板温度が上昇し、GaAsの高
い電子移動度(約6000cm・cm/Vs)を活かし
た低雑音アンプ部の雑音特性が劣化するという問題が生
じるため、数Wから数百Wといった高出力タイプの一体
型MMICは、GaAsでは実現不可能であった。
【0005】本発明は上記問題点に鑑み、受信アンプ部
の低雑音特性の温度劣化を最小限に抑えつつ、送信アン
プ部の飛躍的な高出力化を可能にする半導体装置を提供
するものである。
の低雑音特性の温度劣化を最小限に抑えつつ、送信アン
プ部の飛躍的な高出力化を可能にする半導体装置を提供
するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明では、SiC基板と、前記SiC基板上に形
成されたAlInGaNまたはInGaNまたはAlG
aNまたはGaNからなるエピタキシャル膜と、前記S
iC基板に形成されたパワーアンプ部と、前記エピタキ
シャル膜に形成された低雑音アンプ部とを有する半導体
装置とする。
めに本発明では、SiC基板と、前記SiC基板上に形
成されたAlInGaNまたはInGaNまたはAlG
aNまたはGaNからなるエピタキシャル膜と、前記S
iC基板に形成されたパワーアンプ部と、前記エピタキ
シャル膜に形成された低雑音アンプ部とを有する半導体
装置とする。
【0007】また、SiC基板と、前記SiC基板上に
形成され、かつSiCに格子整合する、AlInGaN
またはInGaNまたはAlGaNまたはGaNからな
る第一のエピタキシャル膜と、前記第一のエピタキシャ
ル膜上に形成されたAlInGaNまたはInGaNま
たはAlGaNまたはGaNからなる第二のエピタキシ
ャル膜と、前記SiC基板上に形成され、かつ上記第一
のエピタキシャル膜をFETのショットキ−層とするパ
ワーアンプ部と、前記第二のエピタキシャル膜上に形成
された低雑音アンプ部とを有する半導体装置とする。
形成され、かつSiCに格子整合する、AlInGaN
またはInGaNまたはAlGaNまたはGaNからな
る第一のエピタキシャル膜と、前記第一のエピタキシャ
ル膜上に形成されたAlInGaNまたはInGaNま
たはAlGaNまたはGaNからなる第二のエピタキシ
ャル膜と、前記SiC基板上に形成され、かつ上記第一
のエピタキシャル膜をFETのショットキ−層とするパ
ワーアンプ部と、前記第二のエピタキシャル膜上に形成
された低雑音アンプ部とを有する半導体装置とする。
【0008】本発明は上記の構成により、SiC上にア
ンプ部を形成し、エピタキシャル膜(たとえばGaN系
半導体材料)上に低雑音アンプ部を形成するので、Si
Cの高い熱伝導率(約4.9W/cmK)と、GaN系
材料の高い電子移動度(約1000cm・cm/Vs)
を同時に活かせるため、高出力送受信一体型MMICが
可能である。
ンプ部を形成し、エピタキシャル膜(たとえばGaN系
半導体材料)上に低雑音アンプ部を形成するので、Si
Cの高い熱伝導率(約4.9W/cmK)と、GaN系
材料の高い電子移動度(約1000cm・cm/Vs)
を同時に活かせるため、高出力送受信一体型MMICが
可能である。
【0009】また、高出力用材料としてのSiCは、G
aAsよりも約10倍も絶縁破壊電界が大きいため、デ
バイスの耐圧向上・動作電圧向上を可能にし、上記熱伝
導率の効果とともにGaAsの数十倍の高出力化が可能
である。
aAsよりも約10倍も絶縁破壊電界が大きいため、デ
バイスの耐圧向上・動作電圧向上を可能にし、上記熱伝
導率の効果とともにGaAsの数十倍の高出力化が可能
である。
【0010】さらに、GaN系材料は、現在単結晶基板
が存在しないためにサファイア基板上などに形成されて
いるが、本発明のSiC基板上に形成することも可能で
あるため、良好な結晶性が得られる。加えて、GaN系
材料も、SiCと同様にワイドギャップ半導体であるた
め、使用可能温度が高くかつリーク電流などの温度に対
する増加量も小さいため、かなり高い温度域においても
低雑音特性を維持できる。
が存在しないためにサファイア基板上などに形成されて
いるが、本発明のSiC基板上に形成することも可能で
あるため、良好な結晶性が得られる。加えて、GaN系
材料も、SiCと同様にワイドギャップ半導体であるた
め、使用可能温度が高くかつリーク電流などの温度に対
する増加量も小さいため、かなり高い温度域においても
低雑音特性を維持できる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施例の電界効果
型トランジスタについて、図面を参照しながら説明す
る。
型トランジスタについて、図面を参照しながら説明す
る。
【0012】(実施の形態1) 図1は、本発明の第1の構成による送受信一体MMIC
を示す構成図である。図1において、10はSiC基板
である。SiC基板10上に、AlInGaN等のGa
N系の混晶材料を用いてエピタキシャル膜11が形成さ
れている。具体的には、SiC基板10上に、n型Ga
N層11bからなるチャネル層、およびアンドープAl
0.2Ga0.8N層11aからなるショットキー層が形成さ
れている。GaN層11aの上には、ゲート電極16
s、ソース電極16g、ドレイン電極16dを有するM
ESFETが形成され、このFETが低雑音用のアンプ
部16となっており、ゲート幅は小さい。
を示す構成図である。図1において、10はSiC基板
である。SiC基板10上に、AlInGaN等のGa
N系の混晶材料を用いてエピタキシャル膜11が形成さ
れている。具体的には、SiC基板10上に、n型Ga
N層11bからなるチャネル層、およびアンドープAl
0.2Ga0.8N層11aからなるショットキー層が形成さ
れている。GaN層11aの上には、ゲート電極16
s、ソース電極16g、ドレイン電極16dを有するM
ESFETが形成され、このFETが低雑音用のアンプ
部16となっており、ゲート幅は小さい。
【0013】15は高出力アンプ部で、SiC基板10
内に、n+ソース層、n+ドレイン層、nチャネル層が
形成され、大きなゲート幅を有するSiCMESFET
で構成されている。ソース層、ドレイン層、チャネル層
は、シリコンのイオン注入により形成している。
内に、n+ソース層、n+ドレイン層、nチャネル層が
形成され、大きなゲート幅を有するSiCMESFET
で構成されている。ソース層、ドレイン層、チャネル層
は、シリコンのイオン注入により形成している。
【0014】このように、高出力用のMESFETをS
iC基板に形成することにより、SiCの高い熱伝導率
を利用できるので、高出力が可能なアンプ部を形成でき
る。またAlInGaNであらわされるGaN系半導体
にFETを形成できるため、この材料のもつ高い電子移
動度(約1000cm・cm/Vs)を活かせるので、
雑音特性のよい低雑音アンプ部を形成できる。
iC基板に形成することにより、SiCの高い熱伝導率
を利用できるので、高出力が可能なアンプ部を形成でき
る。またAlInGaNであらわされるGaN系半導体
にFETを形成できるため、この材料のもつ高い電子移
動度(約1000cm・cm/Vs)を活かせるので、
雑音特性のよい低雑音アンプ部を形成できる。
【0015】なお、高出力アンプ部15のSiCMES
FETの替わりに、さらに動作電圧を高くできるSiC
MOSFETを用いることも可能である。また、上記低
雑音アンプ部のGaN系MESFETの替わりに、さら
に電子移動度を高くできるAlGaN/InGaNのヘ
テロ構造FETを用いることも可能である。このとき
は、In0.2Ga0.8N層をチャネル層とし、Al0.2G
a0.8N層をバリア層とした構造となり、図4のように
なる。
FETの替わりに、さらに動作電圧を高くできるSiC
MOSFETを用いることも可能である。また、上記低
雑音アンプ部のGaN系MESFETの替わりに、さら
に電子移動度を高くできるAlGaN/InGaNのヘ
テロ構造FETを用いることも可能である。このとき
は、In0.2Ga0.8N層をチャネル層とし、Al0.2G
a0.8N層をバリア層とした構造となり、図4のように
なる。
【0016】図4は、低雑音アンプ部46のヘテロ接合
FETを含む構造断面図である。高出力アンプ部15
は、図1の構成と同じである。SiC基板10上に、ア
ンドープAl0.2Ga0.8N層41、アンドープI
n0.1Ga0.9N層42、アンドープAl0.2G
a0.8N層43が形成され、ダブルヘテロ構造となっ
ている。AlGaN43上には、シリコンデルタドープ
層を含む、アンドープGaN層44からなるショットキ
ー層が形成され、この層の上に、ゲート電極46g、ソ
ース電極46s、ドレイン電極46dが形成されてい
る。
FETを含む構造断面図である。高出力アンプ部15
は、図1の構成と同じである。SiC基板10上に、ア
ンドープAl0.2Ga0.8N層41、アンドープI
n0.1Ga0.9N層42、アンドープAl0.2G
a0.8N層43が形成され、ダブルヘテロ構造となっ
ている。AlGaN43上には、シリコンデルタドープ
層を含む、アンドープGaN層44からなるショットキ
ー層が形成され、この層の上に、ゲート電極46g、ソ
ース電極46s、ドレイン電極46dが形成されてい
る。
【0017】この構造により、井戸層に電子を閉じ込め
ることができるので、さらに、移動度を高めたヘテロF
ETとすることができ、雑音特性も向上する。
ることができるので、さらに、移動度を高めたヘテロF
ETとすることができ、雑音特性も向上する。
【0018】(実施の形態2) 図2は、本発明の第2の構成による送受信一体MMIC
を示す構成図である。図2において、20はSiC基板
である。基板20上にはアンドープAl0.2Ga0.8N層
からなる第一エピタキシャル膜21が成長されている。
AlGaN層21は、SiC基板には、格子整合しない
が、SiC基板20上に格子整合するように組成を選択
した、AlInGaN等のGaN系の混晶材料を用いて
形成してもよい。
を示す構成図である。図2において、20はSiC基板
である。基板20上にはアンドープAl0.2Ga0.8N層
からなる第一エピタキシャル膜21が成長されている。
AlGaN層21は、SiC基板には、格子整合しない
が、SiC基板20上に格子整合するように組成を選択
した、AlInGaN等のGaN系の混晶材料を用いて
形成してもよい。
【0019】22は第二エピタキシャル膜で、エピタキ
シャル膜21上に、AlInGaN等のGaN系の混晶
材料を用いて形成されている。具体的には、基板20上
に、アンドープGaN層22b、n型Al0.2Ga0.8N
層22aが形成されている。
シャル膜21上に、AlInGaN等のGaN系の混晶
材料を用いて形成されている。具体的には、基板20上
に、アンドープGaN層22b、n型Al0.2Ga0.8N
層22aが形成されている。
【0020】第2のエピタキシャル膜22には、低雑音
アンプ部26が形成されている。低雑音アンプ26は、
n型AlGaN層22aをチャネル層としたMESFE
Tであり、小さなゲート幅を有している。
アンプ部26が形成されている。低雑音アンプ26は、
n型AlGaN層22aをチャネル層としたMESFE
Tであり、小さなゲート幅を有している。
【0021】一方、高出力アンプ部25にはヘテロ接合
FETが形成されており、SiC基板20およびAlG
aN層21からなる第一エピタキシャル膜21内に形成
されている。AlGaN21とSiC基板20との界面
をキャリアが走行する。
FETが形成されており、SiC基板20およびAlG
aN層21からなる第一エピタキシャル膜21内に形成
されている。AlGaN21とSiC基板20との界面
をキャリアが走行する。
【0022】高出力アンプ部25では、SiCよりもさ
らに大きなバンドギャップが実現できるAlInGaN
材料を用いているので、絶縁破壊電圧が改善されてい
る。またGaN系/SiCヘテロ構造により電子移動度
も改善されており、実施形態1に比べて、利得や効率と
いった高周波パワーデバイス特性が向上している。
らに大きなバンドギャップが実現できるAlInGaN
材料を用いているので、絶縁破壊電圧が改善されてい
る。またGaN系/SiCヘテロ構造により電子移動度
も改善されており、実施形態1に比べて、利得や効率と
いった高周波パワーデバイス特性が向上している。
【0023】さらに実施形態1と同様に、低雑音アンプ
部のGaN系MESFETの替わりに、さらに電子移動
度を高くできるAlGaN/InGaN等のヘテロ構造
FETを用いることも可能である。
部のGaN系MESFETの替わりに、さらに電子移動
度を高くできるAlGaN/InGaN等のヘテロ構造
FETを用いることも可能である。
【0024】
【発明の効果】以上のように本発明による半導体装置
は、GaAsの約10倍の高い熱伝導率と絶縁破壊電圧
を有するSiC基板に高出力アンプ部を形成することに
よって、数十倍の高出力化を実現し、同時にSiC上に
エピタキシャル成長可能なGaN系材料の高い電子移動
度を活かした低雑音アンプ部を一体形成することによっ
て、従来不可能であった超高出力型の送受信一体MMI
Cを実現している。特に低雑音アンプ部をワイドギャッ
プ半導体であるGaN系材料での実現により、高い使用
環境温度においても低雑音特性が発揮されるので、今後
さらに需要が拡大するマルチメディア社会の通信用デバ
イスのニーズを担うことができる。
は、GaAsの約10倍の高い熱伝導率と絶縁破壊電圧
を有するSiC基板に高出力アンプ部を形成することに
よって、数十倍の高出力化を実現し、同時にSiC上に
エピタキシャル成長可能なGaN系材料の高い電子移動
度を活かした低雑音アンプ部を一体形成することによっ
て、従来不可能であった超高出力型の送受信一体MMI
Cを実現している。特に低雑音アンプ部をワイドギャッ
プ半導体であるGaN系材料での実現により、高い使用
環境温度においても低雑音特性が発揮されるので、今後
さらに需要が拡大するマルチメディア社会の通信用デバ
イスのニーズを担うことができる。
【図1】本発明の送受信一体MMICの構成断面図
【図2】本発明の送受信一体MMICの構成断面図
【図3】従来のMMICの構成断面図
【図4】本発明の送受信一体MMICの構成断面図
10,20 SiC基板 11 エピタキシャル膜 15,25,35 高出力アンプ部 16,26,36 低雑音アンプ部 21 第一エピタキシャル膜 22 第二エピタキシャル膜 30 GaAs基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−246471(JP,A) 特開 平8−264439(JP,A) 特開 昭64−86547(JP,A) 特開 平9−306840(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/337 - 21/338 H01L 27/095 H01L 27/097 H01L 29/775 - 29/778 H01L 29/80 - 21/812 H01L 21/20 H01L 21/203 H01L 21/205 H01L 23/12 301 H01L 27/04
Claims (3)
- 【請求項1】 SiC基板と、 前記SiC基板上に形成されたAlInGaNまたはI
nGaNまたはAlGaNまたはGaNからなるエピタ
キシャル膜と、 前記SiC基板に形成されたパワーアンプ部と、 前記エピタキシャル膜に形成された低雑音アンプ部とを
有し、 前記パワーアンプ部と、前記低雑音アンプ部とが同一基
板上に形成されている半導体装置。 - 【請求項2】 前記エピタキシャル膜に、AlGaN障
壁層とInGaN井戸層を含む低雑音アンプ部とする請
求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】 SiC基板と、 前記SiC基板上に形成され、かつSiCに格子整合す
るAlInGaN、またはInGaNまたはAlGaN
またはGaNからなる第一のエピタキシャル膜と、 前記第一のエピタキシャル膜上に形成されたAlInG
aN、またはInGaNまたはAlGaNまたはGaN
からなる第二のエピタキシャル膜と、 前記SiC基板上に形成され、かつ上記第一のエピタキ
シャル膜をFETのショットキ−層とするパワーアンプ
部と、 前記第二のエピタキシャル膜上に形成された低雑音アン
プ部とを有し、 前記パワーアンプ部と、前記低雑音アンプ部とが同一基
板上に形成されている半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9086394A JP3047852B2 (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 半導体装置 |
CN98101070A CN1131548C (zh) | 1997-04-04 | 1998-04-01 | 半导体装置 |
US09/000,544 US6110813A (en) | 1997-04-04 | 1998-04-03 | Method for forming an ohmic electrode |
US09/400,192 US6274889B1 (en) | 1997-04-04 | 1999-09-21 | Method for forming ohmic electrode, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9086394A JP3047852B2 (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10284507A JPH10284507A (ja) | 1998-10-23 |
JP3047852B2 true JP3047852B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=13885668
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9086394A Expired - Fee Related JP3047852B2 (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 半導体装置 |
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---|---|
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Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3440861B2 (ja) * | 1999-01-19 | 2003-08-25 | 松下電器産業株式会社 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
US6940098B1 (en) * | 1999-03-17 | 2005-09-06 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
JP4937498B2 (ja) * | 2000-06-27 | 2012-05-23 | パナソニック株式会社 | 半導体デバイス |
JP2003059948A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US7919791B2 (en) * | 2002-03-25 | 2011-04-05 | Cree, Inc. | Doped group III-V nitride materials, and microelectronic devices and device precursor structures comprising same |
US7112860B2 (en) | 2003-03-03 | 2006-09-26 | Cree, Inc. | Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices |
US7898047B2 (en) * | 2003-03-03 | 2011-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated nitride and silicon carbide-based devices and methods of fabricating integrated nitride-based devices |
WO2006050403A2 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-11 | Nitronex Corporation | Gallium nitride/silicon based monolithic microwave integrated circuit |
US8324660B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US9153645B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
WO2007112066A2 (en) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication |
US8173551B2 (en) | 2006-09-07 | 2012-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Defect reduction using aspect ratio trapping |
US7875958B2 (en) | 2006-09-27 | 2011-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures |
WO2008051503A2 (en) | 2006-10-19 | 2008-05-02 | Amberwave Systems Corporation | Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures |
US9508890B2 (en) | 2007-04-09 | 2016-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photovoltaics on silicon |
US7825328B2 (en) | 2007-04-09 | 2010-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same |
US8304805B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films |
US8237151B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
US8329541B2 (en) | 2007-06-15 | 2012-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | InP-based transistor fabrication |
KR101093588B1 (ko) | 2007-09-07 | 2011-12-15 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 멀티-정션 솔라 셀 |
US8183667B2 (en) | 2008-06-03 | 2012-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Epitaxial growth of crystalline material |
US8274097B2 (en) | 2008-07-01 | 2012-09-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
US8981427B2 (en) | 2008-07-15 | 2015-03-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing of small composite semiconductor materials |
US20100072515A1 (en) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Amberwave Systems Corporation | Fabrication and structures of crystalline material |
EP2335273A4 (en) | 2008-09-19 | 2012-01-25 | Taiwan Semiconductor Mfg | FORMATION OF EQUIPMENT BY EXCESSIVE GROWTH OF THE EPITAXIAL LAYER |
US8253211B2 (en) | 2008-09-24 | 2012-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
JP5338433B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-11-13 | 富士電機株式会社 | 窒化ガリウム半導体装置およびその製造方法 |
KR101450956B1 (ko) | 2009-04-02 | 2014-10-15 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 결정질 재료의 비극성 평면으로부터 형성된 소자 및 이의 제조 방법 |
JP5736716B2 (ja) | 2010-10-15 | 2015-06-17 | 富士通株式会社 | 電子装置及びその製造方法、送受信装置 |
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