JP3045352B2 - Image scanning device - Google Patents
Image scanning deviceInfo
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- JP3045352B2 JP3045352B2 JP4090459A JP9045992A JP3045352B2 JP 3045352 B2 JP3045352 B2 JP 3045352B2 JP 4090459 A JP4090459 A JP 4090459A JP 9045992 A JP9045992 A JP 9045992A JP 3045352 B2 JP3045352 B2 JP 3045352B2
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は感光材料等の記録材料
を、記録画像読取りのため、あるいはそこへの画像記録
のために光ビームで走査する装置に関し、特に詳細に
は、走査光として縦シングルモードの半導体レーザから
発せられたレーザビームを用いる画像走査装置に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for scanning a recording material such as a photosensitive material with a light beam for reading a recorded image or recording an image on the recording material. The present invention relates to an image scanning device using a laser beam emitted from a single mode semiconductor laser.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、画像が記録されている記録材
料を光ビームで走査し、それによりこの記録材料から生
じた発光光、透過光あるいは反射光を光電的に検出し
て、記録画像を読み取るようにした画像読取装置が種々
知られている。また、画像信号に基づいて変調された光
ビームを感光材料等の記録材料上において走査させるこ
とにより、上記画像信号が担持する画像をこの記録材料
に記録する画像記録装置も種々公知となっている。なお
この種の画像読取装置あるいは画像記録装置において
は、通常、所定の画素クロックに基づいて１画素読取ま
たは記録時間を規定するようにしている。2. Description of the Related Art Conventionally, a recording material on which an image is recorded is scanned with a light beam, and the emitted light, transmitted light or reflected light generated from the recording material is photoelectrically detected, and the recorded image is recorded. There are various known image reading apparatuses for reading. Also, various image recording apparatuses are known in which an image carried by the image signal is recorded on the recording material by scanning a recording material such as a photosensitive material with a light beam modulated based on the image signal. . In this type of image reading apparatus or image recording apparatus, one pixel reading or recording time is usually defined based on a predetermined pixel clock.
【０００３】ところで、以上述べたようにして画像読取
あるいは記録を行なう画像走査装置においては、走査光
源として半導体レーザを使用することも考えられてい
る。この半導体レーザは、ガスレーザ等に比べると小
型、安価で消費電力も少なく、画像走査装置をコンパク
トに形成する上で有利なものとなっている。Incidentally, in an image scanning apparatus for reading or recording an image as described above, it has been considered to use a semiconductor laser as a scanning light source. This semiconductor laser is smaller, less expensive, consumes less power, and is more advantageous in forming a compact image scanning device than a gas laser or the like.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが縦シングルモ
ードの半導体レーザにおいては、周囲温度の変化、駆動
電流の変化等によってモードホッピングという現象が起
きることが知られている。図６はこのモードホッピング
が起きる条件を示したものである。図示のように半導体
レーザのモードは、その光出力Ｐと温度Ｔによって決ま
り、モードホッピングはこのモードの切り換わり点（例
えば同図中のＡ点）で生じる。つまり半導体レーザに戻
り光が入射しない場合、この切り換わり点Ａでは半導体
レーザの縦モードが、モード１とモード２とにランダム
に切り換わる。このモードホッピングが起きると、光量
が変動したり、発振波長が変動したりする。However, it is known that in a longitudinal single mode semiconductor laser, a phenomenon called mode hopping occurs due to a change in ambient temperature, a change in drive current, or the like. FIG. 6 shows the conditions under which this mode hopping occurs. As shown, the mode of the semiconductor laser is determined by its light output P and temperature T, and mode hopping occurs at a switching point of this mode (for example, point A in the figure). That is, when no return light is incident on the semiconductor laser, the vertical mode of the semiconductor laser is switched between mode 1 and mode 2 at this switching point A at random. When this mode hopping occurs, the light amount fluctuates and the oscillation wavelength fluctuates.
【０００５】上記画像読取装置の読取光源として用いら
れた半導体レーザにおいてこのモードホッピングが起き
ると、読み取られた画像に濃度ムラが生じることがあ
る。すなわち、読取対象が例えば特開昭55-12492号公報
等に示される蓄積性蛍光体シートである場合、該シート
の感度（これは一定光量の励起光に対する輝尽発光光量
で規定される）は、例えば図２に示すように波長依存性
を有するので、読取光としての励起光の波長が変動する
と、励起光量が一定であっても輝尽発光光量が変動して
しまうのである。また、モードホッピングによって半導
体レーザの発光量が変動すれば、この場合は励起光量自
体が変動することになる。When this mode hopping occurs in a semiconductor laser used as a reading light source of the above image reading apparatus, density unevenness may occur in a read image. That is, when the object to be read is a stimulable phosphor sheet disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-12492, the sensitivity of the sheet (defined by the amount of stimulated emission with respect to a constant amount of excitation light) is For example, as shown in FIG. 2, since the wavelength of the excitation light as the reading light fluctuates as shown in FIG. 2, even if the excitation light amount is constant, the stimulated emission light amount fluctuates. If the light emission amount of the semiconductor laser fluctuates due to mode hopping, the excitation light amount itself fluctuates in this case.
【０００６】他方、画像記録装置の記録光源として用い
られた半導体レーザにおいてモードホッピングが起きる
と、この場合も上記と同様に記録光量の変動、および記
録材料の感度の波長依存性の２点から、記録画像に濃度
ムラが生じる恐れが多分にある。On the other hand, when mode hopping occurs in a semiconductor laser used as a recording light source of an image recording apparatus, also in this case, as in the above case, there are two points, namely, the fluctuation of the recording light amount and the wavelength dependence of the sensitivity of the recording material. There is a possibility that density unevenness may occur in the recorded image.
【０００７】なお特に画像読取装置の場合は、図７に示
す通り、読取画像Ｒに副走査方向に延びる縦縞Ｕが発生
することもある。本発明者等の研究によると、この縦縞
Ｕとなって現われる濃度ムラも、半導体レーザのモード
ホッピングに起因するものであることが判明した。In particular, in the case of an image reading apparatus, vertical stripes U extending in the sub-scanning direction may occur in the read image R as shown in FIG. According to the study of the present inventors, it has been found that the density unevenness appearing as the vertical stripes U is also caused by the mode hopping of the semiconductor laser.
【０００８】このモードホッピング対策として従来よ
り、例えば特公昭59-9086 号公報等に示されるように、
半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳して、縦シ
ングルモード半導体レーザを多重縦モード発振させるこ
とが考えられている。Conventionally, as a countermeasure against this mode hopping, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 59-9086, for example,
It has been considered that a high frequency current is superimposed on a driving current of a semiconductor laser to cause a single longitudinal semiconductor laser to oscillate in multiple longitudinal modes.
【０００９】しかしそのようにする場合、高周波電流の
周波数は通常５０ＭＨz 以上程度と、極めて高いものに
しなければならない。そのように周波数が著しく高い高
周波電流を発生させる回路は、コストもかなり高いもの
となるので、この従来の高周波重畳の技術を前述の画像
走査装置に適用すると、装置が少なからずコストアップ
することになる。However, in such a case, the frequency of the high-frequency current must be extremely high, usually about 50 MHz or more. Such a circuit that generates a high-frequency current with a remarkably high frequency has a considerably high cost, so if this conventional high-frequency superposition technique is applied to the above-described image scanning apparatus, the cost of the apparatus will be considerably increased. Become.
【００１０】また上記のような高周波電流を扱うと、高
レベルの放射ノイズが生じるので、それの影響を回避す
るために各種の強力な電磁シールドを施す必要があり、
それによる画像走査装置のコスト上昇もかなりのものと
なる。[0010] When the high-frequency current as described above is handled, high-level radiation noise is generated. Therefore, it is necessary to provide various strong electromagnetic shields in order to avoid the influence of the high-frequency current.
As a result, the cost of the image scanning apparatus also increases considerably.
【００１１】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、走査光源として縦シングルモードの半導
体レーザを用いても、読取画像あるいは記録画像に濃度
ムラが生じることがなく、そしてこの濃度ムラ対策のた
めに大幅なコストアップを招くことのない画像走査装置
を提供することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances. Even when a vertical single mode semiconductor laser is used as a scanning light source, density unevenness does not occur in a read image or a recorded image. It is an object of the present invention to provide an image scanning apparatus that does not cause a significant increase in cost for measures against density unevenness.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明による画像走査装
置は、前述したように半導体レーザから発せられた光ビ
ームにより記録材料を画像読取または記録のために走査
する一方、所定の画素クロックに基づいて１画素読取ま
たは記録時間を規定するようにした画像走査装置におい
て、半導体レーザの駆動電流に、半導体レーザを多重縦
モード発振させない周波数範囲で、上記１画素読取また
は記録時間の逆数よりも高い周波数の高周波電流を重畳
する手段が設けられたことを特徴とするものである。The image scanning apparatus according to the present invention scans a recording material for reading or recording an image with a light beam emitted from a semiconductor laser as described above, while scanning a recording material based on a predetermined pixel clock. In the image scanning apparatus in which the one-pixel reading or recording time is defined by a driving frequency of the semiconductor laser, a frequency higher than the reciprocal of the one-pixel reading or recording time in a frequency range in which the semiconductor laser does not oscillate in multiple longitudinal modes. Means for superimposing the high-frequency current is provided.
【００１３】なお上記の高周波電流としては、デューテ
ィ比が６０％以上の矩形波電流を用いる。その理由につ
いては後述する。As the above high-frequency current, a rectangular wave current having a duty ratio of 60% or more is used. The reason will be described later.
【００１４】[0014]
【作用および発明の効果】上記の構成において、半導体
レーザは当然多重縦モード発振することはなく、相異な
る縦シングルモードが繰返し切り換わる状態で駆動する
が、それでも、モードホッピングによる濃度ムラが目立
ち難くなる。このように濃度ムラ発生を抑えられる作用
としては、３つのことが考えられる。まず第１の作用に
ついて、図３および図４を参照して、画像記録の場合を
例に挙げて詳しく説明する。In the above configuration, the semiconductor laser does not naturally oscillate in multiple longitudinal modes, but is driven in a state in which different longitudinal single modes are repeatedly switched. However, density unevenness due to mode hopping is still inconspicuous. Become. There are three possible actions that can suppress the occurrence of density unevenness. First, the first operation will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4, taking an example of image recording as an example.
【００１５】図３は、高周波重畳がなされていない場合
について示したものであり、例えば半導体レーザの温度
が同図の(1) に示すように時間ｔ1 から上昇し始め、半
導体レーザの縦モードが同図の(2) に示すように時間ｔ
2 でモード１からモード２にホップすることを考える。
例えば半導体レーザからの光ビームを外部変調して画像
記録を行なう場合、変調前の記録光の光量は、上記のモ
ードホッピングにより同図(3) に示すようにステップ状
に変化する。そして同図(4) のような画素クロックＣに
基づいて１画素記録時間ｔp が同図(3) 中に示すように
規定されているとすると、画素クロックＣn-1 、Ｃn が
規定する各画素についての画像信号（つまり変調指令信
号）が相等しくても、変調前の記録光量差のために、そ
れらの画素間で濃度段差が生じることになる。FIG. 3 shows a case where high frequency superposition is not performed. For example, as shown in FIG. 3A, the temperature of the semiconductor laser starts to rise from time t 1 and the longitudinal mode of the semiconductor laser is reduced. Is the time t as shown in FIG.
Considering that hop from Mode 1 to Mode 2 2.
For example, when image recording is performed by externally modulating a light beam from a semiconductor laser, the light quantity of the recording light before modulation changes stepwise as shown in FIG. Assuming that one pixel recording time tp is defined as shown in FIG. 3C based on the pixel clock C as shown in FIG. 4D, each pixel specified by the pixel clocks Cn-1 and Cn is defined. Even if the image signals (i.e., the modulation command signal) are the same, a density step occurs between the pixels due to the difference in the recording light amount before modulation.
【００１６】それに対して、上記の１画素記録時間ｔp
の逆数よりも高い周波数の高周波電流を半導体レーザ駆
動電流に重畳しておくと、発振モードは図４の(2) に示
すように交互に切り換わるようになる。そしてこの場
合、半導体レーザの温度が同図の(1) に示すように時間
ｔ1 から上昇し始めると、モード２のデューティ比が次
第に増大する。そこで変調前の記録光量は、この縦モー
ドの切り換わりに従って同図(3) に示すようにパルス状
に変化し、またその平均光量は上記デューティ比の変化
に応じて、同図(3) 中に仮想線で示すように漸次増大す
る。On the other hand, the one-pixel recording time tp
When a high-frequency current having a frequency higher than the reciprocal of the above is superimposed on the semiconductor laser driving current, the oscillation mode is alternately switched as shown in FIG. And in this case, the temperature of the semiconductor laser starts to rise from a time t 1 as shown in (1) in the figure, the duty ratio of the mode 2 is increased gradually. Therefore, the recording light amount before modulation changes in a pulse shape as shown in FIG. 3C according to the switching of the vertical mode, and the average light amount changes according to the change in the duty ratio. Gradually increases as shown by a virtual line in FIG.
【００１７】したがってこの場合は、１画素記録時間ｔ
p を同図(4) の画素クロックＣに基づいて規定したと
き、クロックＣn-1 で規定される画素と、クロックＣn
で規定される画素との間に大きな濃度段差が生じること
がなくなる。以上、画像記録の場合を例に挙げて説明し
たが、画像読取りの場合も同様にしてモードホッピング
による読取画像の濃度ムラ発生が防止され得る。Therefore, in this case, one pixel recording time t
When p is defined based on the pixel clock C in FIG. 4D, the pixel defined by the clock Cn-1 and the clock Cn
A large density step does not occur between the pixel and the pixel defined by. As described above, the case of image recording has been described as an example. However, in the case of image reading as well, the occurrence of density unevenness of a read image due to mode hopping can be prevented.
【００１８】次に、濃度ムラ発生を抑える第２の作用に
ついて説明する。なおこの作用は、特に前述の縦縞Ｕの
発生を抑えるものであり、そして高周波電流の波形が正
弦波状の場合に限らず得られるものである。ここでは一
例として、前述した蓄積性蛍光体シートから放射線画像
情報を読み取る装置を考える。すなわち図８に示すよう
に、縦シングルモードの半導体レーザ130 から発散光状
態で出射した励起光としてのレーザビーム131 をコリメ
ーターレンズ136 によって平行光化した後、ポリゴンミ
ラー等の光偏向器132 で反射偏向し、走査レンズ133 に
よって集光した上で蓄積性蛍光体シート101 上を走査さ
せ、それにより蓄積性蛍光体シート101から発せられる
輝尽発光光（図示せず）を光電的に検出して放射線画像
情報を読み取ることを考える。Next, a second operation for suppressing the occurrence of density unevenness will be described. This function is to suppress the generation of the above-mentioned vertical stripes U, and can be obtained not only when the waveform of the high-frequency current is sinusoidal. Here, as an example, a device that reads radiation image information from the above-described stimulable phosphor sheet is considered. That is, as shown in FIG. 8, a laser beam 131 as excitation light emitted in a divergent light state from a vertical single mode semiconductor laser 130 is collimated by a collimator lens 136, and then is collimated by an optical deflector 132 such as a polygon mirror. After being reflected and deflected and condensed by the scanning lens 133, the stimulable phosphor sheet 101 is scanned, and the stimulated emission light (not shown) emitted from the stimulable phosphor sheet 101 is photoelectrically detected. Consider reading radiation image information by using
【００１９】このように蓄積性蛍光体シート101 をレー
ザビーム131 で走査する場合は、比較的強い戻り光（蓄
積性蛍光体シート101 で反射して半導体レーザ130 に戻
る光）が生じるので、高周波重畳がなされていなけれ
ば、半導体レーザ130 のモードは、この半導体レーザ13
0 から蓄積性蛍光体シート101 上のビーム収束位置まで
の距離に依存するようになる。つまり例えば、レーザビ
ーム131 が主走査線上のＸ1 点を照射しているときは戻
り光により半導体レーザ130 がモード１で発振しやすく
なり、レーザビーム131 が主走査線上の別のＸ2 点を照
射しているときは戻り光により半導体レーザ130 が別の
モード２で発振しやすくなる、という現象が生じる。図
９はこのことを分かりやすく示すものであり、その(1)
には主走査位置を、そしてそれに対応させて(2) には縦
モードを示してある。When the stimulable phosphor sheet 101 is scanned by the laser beam 131 as described above, a relatively strong return light (light reflected by the stimulable phosphor sheet 101 and returned to the semiconductor laser 130) is generated. If there is no superposition, the mode of the semiconductor laser 130 is
It depends on the distance from 0 to the beam convergence position on the stimulable phosphor sheet 101. That is, for example, when the laser beam 131 irradiates the point X 1 on the main scanning line, the semiconductor laser 130 easily oscillates in the mode 1 due to the return light, and the laser beam 131 irradiates another X 2 point on the main scanning line. During irradiation, there occurs a phenomenon that the semiconductor laser 130 easily oscillates in another mode 2 due to return light. FIG. 9 illustrates this clearly, and (1)
Shows the main scanning position, and correspondingly, (2) shows the vertical mode.
【００２０】こうして半導体レーザ130 の縦モードが変
化すれば、図９の(3) に示すように読取光量つまり励起
光量が変わるから、蓄積性蛍光体シート101 からの輝尽
発光光量が変化し、それは読取画像の濃度変化となって
現われる。この戻り光に依存する縦モードの切り換わり
は、通常、１画素読取時間ｔq よりも長い時間間隔で生
じるから、何画素かに亘る明瞭な濃度変化が生じること
になる。そしてこの戻り光に依存する縦モードの切り換
わりは、毎回の主走査においてレーザビーム主走査位置
が同じところで生じるから、この縦モードの切り換わり
による濃度ムラが副走査方向に連なって、前述のような
縦縞Ｕが発生するのである。If the longitudinal mode of the semiconductor laser 130 changes in this way, the reading light quantity, that is, the excitation light quantity changes as shown in FIG. 9 (3), so that the stimulated emission light quantity from the stimulable phosphor sheet 101 changes. It appears as a change in the density of the read image. The switching of the vertical mode depending on the return light normally occurs at a time interval longer than the one-pixel reading time tq, and thus a clear density change over several pixels occurs. Since the switching of the vertical mode depending on the return light occurs at the same position of the laser beam main scanning in each main scanning, the density unevenness due to the switching of the vertical mode continues in the sub-scanning direction, as described above. A vertical stripe U is generated.
【００２１】それに対して、図９の(4) に示されるよう
に１画素読取時間ｔq の逆数よりも高い周波数の高周波
電流を半導体レーザ駆動電流に重畳しておくと、半導体
レーザ130 の光出力Ｐが例えば図６中のＢ点とＣ点との
間で変化し、その縦モードが図９の(5) に示すように切
り換わる。この縦モードの切り換わりは、当然１画素読
取時間ｔq よりも短い時間間隔で頻繁に生じるから、各
画素を通してこの縦モードの切り換わりが一様化され
る。つまり、この縦モードの切り換わりが画素毎の濃度
変化となって現われないから、上記の縦縞Ｕが生じるこ
とがない。On the other hand, as shown in FIG. 9D, when a high-frequency current having a frequency higher than the reciprocal of the one-pixel reading time tq is superimposed on the semiconductor laser driving current, the light output of the semiconductor laser 130 is increased. P changes, for example, between the points B and C in FIG. 6, and the vertical mode is switched as shown in (5) of FIG. The switching of the vertical mode frequently occurs at a time interval shorter than the one-pixel reading time tq, so that the switching of the vertical mode is uniformed through each pixel. That is, since the switching of the vertical mode does not appear as a density change for each pixel, the vertical stripe U does not occur.
【００２２】なお以上述べた第２の作用は、高周波電流
の波形が矩形波の場合にも同様に得られるものである。
その場合、高周波電流重畳により半導体レーザの光出力
Ｐが図６中のＢ点とＣ点との間で変化するならば、縦モ
ード変化の様子（図９の(5)参照）は、高周波電流の波
形と等しいものとなる。The above-described second operation can be similarly obtained even when the waveform of the high-frequency current is a rectangular wave.
In this case, if the optical output P of the semiconductor laser changes between the points B and C in FIG. 6 due to the superposition of the high-frequency current, the longitudinal mode change (see (5) in FIG. 9) Is equivalent to the waveform of
【００２３】ここで、濃度ムラ発生を抑える第２の作用
の特別な場合について説明する。ここでも、図８に示し
た放射線画像情報読取装置を例に挙げて説明する。そし
て図９の(1) 〜(3) に示したのと同様に、高周波重畳が
なされなければ主走査位置Ｘ1 、Ｘ2 において半導体レ
ーザ130 の縦モードが変化し、それに応じて読取光量が
変化するものとする（図10の(1) 〜(3) 参照）。Here, a special case of the second operation for suppressing the occurrence of density unevenness will be described. Here, the radiation image information reading apparatus shown in FIG. 8 will be described as an example. As shown in FIGS. 9 (1) to 9 (3), the vertical mode of the semiconductor laser 130 changes at the main scanning positions X 1 and X 2 unless high-frequency superposition is performed, and the read light amount is accordingly changed. (See (1) to (3) in FIG. 10).
【００２４】それに対して、図10の(4) に示すような矩
形波の高周波電流を半導体レーザ駆動電流に重畳するこ
とを考えるが、このとき特殊な状況として、高周波重畳
により半導体レーザの光出力Ｐが図６中のＡ点とＢ点と
の間で変化する場合があり得る。そのような状況下で
は、レーザビーム131 の主走査位置がＸ2 点に達する前
には、縦モードはモード１とモード２のどちらにもなり
得るので、ここではずっとモード１になっていると仮定
する（図10の(5) 参照）。On the other hand, it is considered that a high frequency current of a rectangular wave as shown in FIG. 10D is superimposed on the driving current of the semiconductor laser. P may change between point A and point B in FIG. In such a situation, before the main scanning position of the laser beam 131 reaches the point X 2 , the longitudinal mode can be either mode 1 or mode 2. Suppose (see (5) in Fig. 10).
【００２５】そして主走査位置がＸ2 点に到達すると、
戻り光の影響で縦モードがモード２に切り換わる。しか
し、図10のの(4) と(5) から明らかな通り、高周波重畳
がなされているために半導体レーザの光出力Ｐが直ちに
図６中のＢ点まで低下し、半導体レーザはモード１で発
振しやすくなる。そこで縦モードは、１画素読取時間ｔ
q よりは短い時間ｔ3 の間だけモード２になった後、再
びモード１に戻る。以上のようにしてこの場合も、半導
体レーザのモードホッピングにより縦縞Ｕが生じること
がなくなる。When the main scanning position reaches the point X 2 ,
The vertical mode switches to mode 2 under the influence of the returning light. However, as is apparent from (4) and (5) in FIG. 10, the optical output P of the semiconductor laser immediately drops to the point B in FIG. Oscillation becomes easy. Therefore, the vertical mode is one pixel reading time t
After becoming the only mode 2 a short period of time t 3 than q, returns to the mode 1 again. As described above, also in this case, the vertical stripe U does not occur due to the mode hopping of the semiconductor laser.
【００２６】以上説明した第２の作用は、特に記録材料
から戻り光が生じやすい画像読取装置において顕著に得
られるが、画像記録装置であっても比較的強い戻り光が
生じやすい状況下では、同様に得られるものである。The above-described second operation is remarkably obtained particularly in an image reading apparatus in which return light is easily generated from a recording material. However, even in an image recording apparatus, in a situation where relatively strong return light is easily generated, It is similarly obtained.
【００２７】また、この第２の作用は、前述したように
高周波電流が矩形波であっても得られるものである。こ
の矩形波の高周波電流を利用する場合は、そのデューテ
ィ比ｔＡ ／ｔ（図10の(4) 参照）を大きく設定するこ
とにより、正弦波の高周波電流を利用する場合に比べて
より有効に光量を得ることができ、そのため、最大出力
がより小さい半導体レーザを用いることも可能となる。
このような観点から、本発明では上記デューティ比を６
０％以上に設定する。The second operation can be obtained even if the high-frequency current is a rectangular wave as described above. When this rectangular wave high-frequency current is used, the duty ratio t A / t (see (4) in FIG. 10) is set to be large, so that it is more effective than when a sine wave high-frequency current is used. The amount of light can be obtained, so that a semiconductor laser having a smaller maximum output can be used.
From such a viewpoint, the present invention sets the duty ratio to 6
Set to 0% or more.
【００２８】なお以上説明した通り、本発明における高
周波重畳は、それにより縦シングルモードが切り換わり
さえすればよいものであるから、この高周波重畳による
半導体レーザ駆動電流の変調度Ｖ＝振幅Ａ／最大電流ｐ
（図５参照）は、半導体レーザを多重縦モード発振させ
る場合のように100 ％程度まで高く設定する必要はな
く、具体的には40％以下に設定することも可能である。As described above, the high frequency superposition in the present invention only needs to switch the longitudinal single mode thereby, so that the modulation V of the semiconductor laser drive current due to the high frequency superposition V = amplitude A / maximum Current p
(See FIG. 5) does not need to be set to as high as about 100% as in the case of causing the semiconductor laser to oscillate in multiple longitudinal modes. Specifically, it can be set to 40% or less.
【００２９】また、以上述べた高周波重畳による縦シン
グルモードの切換わりは、１画素読取あるいは記録時間
内に２回以上なされるのが好ましい。そのようにするた
めには、例えば１画素読取時間を１μsec 、１画素記録
時間を５００ｎsec とすると、高周波電流の周波数は前
者の場合で最低２ＭＨｚ以上、後者の場合で最低４ＭＨ
ｚ以上となる。またこの高周波電流の、半導体レーザを
多重縦モード発振させない周波数範囲は一般に、５０Ｍ
Ｈｚを下回る程度の範囲である。It is preferable that the switching of the vertical single mode by the high frequency superimposition described above is performed twice or more within one pixel reading or recording time. To do so, for example, if one pixel reading time is 1 μsec and one pixel recording time is 500 nsec, the frequency of the high-frequency current is at least 2 MHz or more in the former case and at least 4 MHz in the latter case.
z or more. The frequency range of the high-frequency current at which the semiconductor laser does not oscillate in multiple longitudinal modes is generally 50
Hz.
【００３０】半導体レーザの駆動電流に重畳させる高周
波電流の周波数を上記のような値とする場合、この高周
波電流を扱う回路は汎用のＴＴＬ、Ｃ−ＭＯＳ等のロジ
ックＩＣを用いて構成することができるから、極めて高
い周波数の高周波電流を利用して半導体レーザを多重縦
モード発振させる場合に比べれば、この回路は比較的安
価に形成可能となる。また、従来装置におけるほど高く
はない周波数の高周波電流を扱う本発明装置において
は、放射ノイズの影響を回避するための電磁シールドも
比較的簡単なもので済む。本発明による画像走査装置
は、以上の２点により、モードホッピングによる濃度ム
ラ対策のために半導体レーザを多重縦モード発振させる
従来装置よりは安価に形成可能となる。When the frequency of the high-frequency current to be superimposed on the driving current of the semiconductor laser is set to the above value, the circuit for handling the high-frequency current can be constituted by using a logic IC such as a general-purpose TTL or C-MOS. Therefore, this circuit can be formed relatively inexpensively as compared with the case where a semiconductor laser is oscillated in a multiple longitudinal mode using an extremely high frequency high frequency current. Further, in the device of the present invention that handles a high-frequency current having a frequency that is not as high as that of the conventional device, the electromagnetic shield for avoiding the influence of radiation noise can be relatively simple. Due to the above two points, the image scanning apparatus according to the present invention can be formed at a lower cost than a conventional apparatus in which a semiconductor laser oscillates in multiple longitudinal modes to prevent density unevenness due to mode hopping.
【００３１】[0031]
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例による画
像走査装置を示している。本装置は、一例として画像記
録装置に適用されたものである。画像信号発生器10は、
連続調画像を担持する画像信号Ｓ１を発生する。この画
像信号Ｓ１は一例として、10bit の濃度スケールの連続
調画像を示すデジタル信号である。画像信号発生器10は
後述するラインクロックＳ２に基づいて１主走査ライン
分の信号を切り換え、また画素クロックＳ３に基づいて
各画素毎の画像信号Ｓ１を出力する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings. FIG. 1 shows an image scanning apparatus according to a first embodiment of the present invention. This device is applied to an image recording device as an example. The image signal generator 10
An image signal S1 carrying a continuous tone image is generated. The image signal S1 is, for example, a digital signal indicating a continuous tone image on a 10-bit density scale. The image signal generator 10 switches signals for one main scanning line based on a line clock S2 described later, and outputs an image signal S1 for each pixel based on a pixel clock S3.
【００３２】上述の画像信号Ｓ１は、ＲＡＭ等からなる
補正テーブル11により階調補正、逆log 変換、および半
導体レーザの駆動電流対光出力特性の非線形性を補正す
るための変換処理を受けて、例えば16bit の発光レベル
指令信号Ｓ５に変換される。この発光レベル指令信号Ｓ
５はＤ／Ａ変換器12に入力され、ここでアナログの電圧
信号からなる発光レベル指令信号Ｖref に変換される。
この発光レベル指令信号Ｖref は、ＡＰＣ回路８の加算
点２を通して電圧−電流変換アンプ３に入力され、該ア
ンプ３はこの指令信号Ｖref に比例した駆動電流を縦シ
ングルモードの半導体レーザ１に供給する。半導体レー
ザ１から前方に出射した光ビーム４は、後述するビーム
走査系を通して感光材料走査に利用される。The above-described image signal S1 is subjected to gradation correction, inverse log conversion, and conversion processing for correcting the nonlinearity of the drive current versus light output characteristic of the semiconductor laser by a correction table 11 comprising a RAM or the like. For example, it is converted into a 16-bit light emission level command signal S5. This light emission level command signal S
5 is input to the D / A converter 12, where it is converted into a light emission level command signal Vref composed of an analog voltage signal.
This light-emission level command signal Vref is input to the voltage-current conversion amplifier 3 through the addition point 2 of the APC circuit 8, and the amplifier 3 supplies a drive current proportional to the command signal Vref to the semiconductor laser 1 in the vertical single mode. . The light beam 4 emitted forward from the semiconductor laser 1 is used for scanning a photosensitive material through a beam scanning system described later.
【００３３】一方半導体レーザ１の後方側に出射された
光ビーム５の強度は、例えば半導体レーザのケース内に
設置された光量モニタ用のフォトダイオード６によって
検出される。こうして検出される光ビーム５の強度は、
実際に画像記録に利用される上記光ビーム４の強度と比
例関係にある。該光ビーム５の強度、すなわち光ビーム
４の強度を示すフォトダイオード６の出力電流は、電流
−電圧変換アンプ７によって帰還信号（電圧信号）Ｖpd
に変換され、該帰還信号Ｖpdは前述の加算点２に入力さ
れる。この加算点２からは、上記発光レベル指令信号Ｖ
ref と帰還信号Ｖpdとの偏差を示す偏差信号Ｖe が出力
され、該偏差信号Ｖe は前記電圧−電流変換アンプ３に
よって電流に変換され、半導体レーザ１を駆動する。以
上のような制御を行なうことにより、所定の発光レベル
指令信号Ｖref に対して光ビーム５の強度が必ず所定値
となる。On the other hand, the intensity of the light beam 5 emitted to the rear side of the semiconductor laser 1 is detected by, for example, a photodiode 6 for monitoring the amount of light installed in the case of the semiconductor laser. The intensity of the light beam 5 thus detected is
It is proportional to the intensity of the light beam 4 actually used for image recording. The intensity of the light beam 5, that is, the output current of the photodiode 6 indicating the intensity of the light beam 4 is supplied to a feedback signal (voltage signal) Vpd by a current-voltage conversion amplifier 7.
And the feedback signal Vpd is input to the addition point 2 described above. From the addition point 2, the light emission level command signal V
A deviation signal Ve indicating a deviation between ref and the feedback signal Vpd is output. The deviation signal Ve is converted into a current by the voltage-current conversion amplifier 3 and drives the semiconductor laser 1. By performing the above control, the intensity of the light beam 5 always becomes a predetermined value with respect to a predetermined light emission level command signal Vref.
【００３４】上記光ビーム４はコリメータレンズ17に通
されて平行ビームとされ、次に例えばポリゴンミラー等
の光偏向器18に入射してそこで反射偏向される。こうし
て偏向された光ビーム４は、通常ｆθレンズからなる集
束レンズ19に通されて写真感光材料20上において微小な
スポットに集束し、該写真感光材料20上をＸ方向に走査
（主走査）する。写真感光材料20は図示しない移送手段
により、上記主走査方向Ｘと略直角なＹ方向に移送さ
れ、それによって光ビーム４の副走査がなされる。こう
して写真感光材料20は光ビーム４によって２次元的に走
査され、感光する。前述したように光ビーム４は画像信
号Ｓ１に基づいて強度変調されているので、この写真感
光材料20上には、画像信号Ｓ１が担持する連続調画像が
写真潜像として記録される。次に写真感光材料20は現像
機22に通されて、そこで現像処理を受ける。それにより
写真感光材料20上には、上記連続調画像が可視像として
記録される。The light beam 4 passes through a collimator lens 17 to be converted into a parallel beam, and then enters an optical deflector 18 such as a polygon mirror and is reflected and deflected there. The light beam 4 deflected in this way is passed through a focusing lens 19 usually composed of an fθ lens to be focused on a small spot on the photographic material 20, and scans the photographic material 20 in the X direction (main scanning). . The photographic photosensitive material 20 is transported by a transport means (not shown) in the Y direction substantially perpendicular to the main scanning direction X, whereby the light beam 4 is sub-scanned. Thus, the photographic material 20 is two-dimensionally scanned by the light beam 4 and exposed. As described above, since the light beam 4 is intensity-modulated based on the image signal S1, the continuous tone image carried by the image signal S1 is recorded on the photographic material 20 as a photographic latent image. Next, the photographic material 20 is passed through a developing machine 22, where it undergoes a developing process. Thus, the continuous tone image is recorded on the photographic material 20 as a visible image.
【００３５】なお上記のように光ビーム４が写真感光材
料20上を走査するとき、主走査の始点を該ビーム４が通
過したことが光検出器21によって検出され、該光検出器
21が出力する始点検出信号Ｓ６がクロックジェネレータ
13に入力される。クロックジェネレータ13はこの始点検
出信号Ｓ６の入力タイミングに同期させて、前述のライ
ンクロックＳ２および画素クロックＳを出力する。When the light beam 4 scans the photographic material 20 as described above, it is detected by the photodetector 21 that the beam 4 has passed the starting point of the main scanning.
The start point detection signal S6 output by 21 is a clock generator
Entered into 13. The clock generator 13 outputs the above-described line clock S2 and pixel clock S in synchronization with the input timing of the start point detection signal S6.
【００３６】ここで、ＡＰＣ回路８の電圧−電流変換ア
ンプ３が出力する直流の半導体レーザ駆動電流ｉには、
高周波電流ｉR が重畳される。この高周波電流ｉR は、
高周波発振回路14が出力した高周波信号（電圧信号）Ｒ
Ｆを電圧−電流変換アンプ16に通して得られたものであ
り、その周波数は一例として２０ＭＨｚとされている。
ここで半導体レーザ１は、その駆動電流ｉに周波数５０
ＭＨｚ以上程度の高周波電流が重畳されると多重縦モー
ド発振するものであり、上記の高周波電流ｉRが重畳さ
れても多重縦モード発振することはない。また本実施例
において１画素記録時間ｔp は５００ｎsec であり、高
周波電流ｉR の周波数２０ＭＨｚはこの１画素記録時間
ｔp の逆数の１０倍の値となっている。つまりこの場
合、１画素記録時間ｔp 内に半導体レーザ１の縦シング
ルモードは１０回切り換わることになる。Here, the DC semiconductor laser drive current i output from the voltage-current conversion amplifier 3 of the APC circuit 8 includes:
High frequency current i R is superimposed. This high-frequency current i R is
High-frequency signal (voltage signal) R output by high-frequency oscillation circuit 14
F is obtained by passing it through a voltage-current conversion amplifier 16, and its frequency is set to 20 MHz as an example.
Here, the semiconductor laser 1 has a drive current i with a frequency of 50.
When a high frequency current of about MHz or more is superimposed, multiple longitudinal mode oscillation occurs. Even when the high frequency current i R is superimposed, multiple longitudinal mode oscillation does not occur. In this embodiment, the one-pixel recording time tp is 500 ns, and the frequency of the high-frequency current i R of 20 MHz is 10 times the reciprocal of the one-pixel recording time tp. That is, in this case, the vertical single mode of the semiconductor laser 1 is switched ten times within one pixel recording time tp.
【００３７】なお上記高周波電流ｉＲ としては、図10
の(4) に示すような矩形波のものが用いられる。The high frequency current i R is shown in FIG.
A rectangular wave as shown in (4) is used.
【００３８】このようにして、記録光源である半導体レ
ーザ１を高周波重畳駆動すると、感光材料20に記録され
る画像において、半導体レーザ１のモードホッピングに
よる濃度ムラが生じることが防止され得る。その理由
は、先に詳しく述べた通りである。As described above, when the semiconductor laser 1 serving as the recording light source is driven with high frequency superposition, it is possible to prevent the occurrence of density unevenness due to mode hopping of the semiconductor laser 1 in an image recorded on the photosensitive material 20. The reason is as detailed above.
【００３９】また、２０ＭＨｚ程度の高周波電流ｉR を
発生させる高周波発振回路14は比較的安価に形成可能
で、さらに、この程度の周波数の高周波電流ｉR による
放射ノイズは、比較的簡単な電磁シールドで遮断できる
から、この画像走査装置は、上記濃度ムラ対策のために
半導体レーザを多重縦モード発振させる従来装置よりは
安価に形成可能となる。Further, the high-frequency oscillation circuit 14 for generating the high-frequency current i R of about 20 MHz can be formed relatively inexpensively, and the radiation noise caused by the high-frequency current i R of such a frequency can be reduced by a relatively simple electromagnetic shield. Therefore, this image scanning device can be formed at a lower cost than a conventional device in which a semiconductor laser oscillates in multiple longitudinal modes in order to cope with the density unevenness.
【００４０】次に図11を参照して、本発明の第２実施例
による画像走査装置を説明する。この第２実施例装置
は、特に前述の蓄積性蛍光体シートから放射線画像情報
を読み取る装置である。図示されるように本装置におい
ては、励起光源として縦シングルモードの半導体レーザ
130 が設けられている。そこから発散光状態で出射した
励起光としてのレーザビーム131 は、コリメーターレン
ズ136 によって平行光化された後、ポリゴンミラー等の
光偏向器132 に入射する。なお、半導体レーザ130 は駆
動回路134 によって駆動される。Next, an image scanning apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The device of the second embodiment is a device for reading radiation image information from the above-mentioned stimulable phosphor sheet. As shown, in this apparatus, a vertical single mode semiconductor laser is used as an excitation light source.
130 are provided. The laser beam 131 as the excitation light emitted in a divergent light state is collimated by a collimator lens 136 and then enters an optical deflector 132 such as a polygon mirror. The semiconductor laser 130 is driven by a drive circuit 134.
【００４１】被写体を透過した放射線を照射する等によ
り、この被写体の放射線画像情報が蓄積記録された蓄積
性蛍光体シート101 は、エンドレスベルト等の副走査手
段111 により矢印Ｙ方向に移動される。それとともに上
記レーザビーム131 が光偏向器132 によって偏向され、
通常ｆθレンズからなる走査レンズ133 を通過して、シ
ート101 上をＸ方向に主走査する。この励起光走査を受
けた蓄積性蛍光体シート101 の箇所からは、蓄積記録さ
れている放射線画像情報に応じた光量の輝尽発光光113
が発散する。この輝尽発光光113 は、透明なアクリル板
を成形して作られた光ガイド114 の一端面114 ａからこ
の光ガイド114 の内部に入射し、その中を全反射を繰返
しながら進行して、円形に丸められた端面114 ｂから出
射し、フォトマルチプライヤー（光電子増倍管）115 に
受光される。このフォトマルチプライヤー115 からは、
輝尽発光光113 の発光量に対応した、つまり上記放射線
画像情報を示すアナログ信号Ｓが出力される。The stimulable phosphor sheet 101, on which the radiation image information of the subject is stored, is moved in the direction of the arrow Y by the sub-scanning means 111 such as an endless belt, for example, by irradiating radiation transmitted through the subject. At the same time, the laser beam 131 is deflected by the optical deflector 132,
After passing through a scanning lens 133 which is usually formed of an fθ lens, the main scanning is performed on the sheet 101 in the X direction. From the portion of the stimulable phosphor sheet 101 that has been subjected to the excitation light scanning, the amount of stimulated emission light 113 corresponding to the radiation image information stored and recorded is generated.
Diverges. The stimulated emission light 113 enters the inside of the light guide 114 from one end surface 114a of the light guide 114 formed by molding a transparent acrylic plate, and travels inside the light guide 114 while repeating total reflection. The light exits from the end surface 114b rounded into a circle and is received by a photomultiplier (photomultiplier tube) 115. From this photo multiplier 115,
An analog signal S corresponding to the light emission amount of the stimulated emission light 113, that is, indicating the radiation image information is output.
【００４２】上記の信号Ｓは対数増幅器116 により対数
増幅され、次いでＡ／Ｄ変換器117において所定の画素
クロックに基づいてサンプリングされて、デジタル画像
信号Ｄに変換される。このデジタル画像信号Ｄは次に画
像処理回路120 において階調処理等の画像処理を受けた
後、画像再生装置121 に送られて、放射線画像の再生に
供せられる。この画像再生装置121 は、ＣＲＴ等からな
るディスプレイ手段でもよいし、感光フィルムに光走査
記録を行なう記録装置であってもよい。The above-mentioned signal S is logarithmically amplified by a logarithmic amplifier 116, then sampled by an A / D converter 117 based on a predetermined pixel clock, and converted into a digital image signal D. The digital image signal D is then subjected to image processing such as gradation processing in the image processing circuit 120, and then sent to the image reproducing device 121 to be used for reproducing a radiation image. The image reproducing device 121 may be a display device such as a CRT or a recording device that performs optical scanning recording on a photosensitive film.
【００４３】次に、半導体レーザ130 のモードホッピン
グにより再生放射線画像に濃度ムラが生じることを防止
する点について説明する。半導体レーザ駆動回路134 に
は高周波発振回路135 から高周波電流ｉR が入力され、
半導体レーザ130 の駆動電流Ｉにはこの高周波電流ｉR
が重畳される。この高周波電流ｉR の周波数は、１画素
読取時間ｔq ＝１μsec の逆数よりも大で、かつ半導体
レーザ130 が多重縦モード発振しない範囲にある５ＭＨ
ｚに設定してある。Next, a description will be given of how to prevent the density unevenness in the reproduced radiation image due to the mode hopping of the semiconductor laser 130. The semiconductor laser drive circuit 134 receives a high-frequency current i R from a high-frequency oscillation circuit 135,
The driving current I of the semiconductor laser 130 includes the high-frequency current i R
Are superimposed. The frequency of the high-frequency current i R is larger than the reciprocal of one pixel reading time tq = 1 μsec, and is 5 MHz in a range where the semiconductor laser 130 does not oscillate in multiple longitudinal modes.
It has been set to z.
【００４４】このようにして、励起光源である半導体レ
ーザ130 を高周波重畳駆動すると、デジタル画像信号Ｄ
に基づいて画像再生装置121 で再生される放射線画像
に、半導体レーザ130 のモードホッピングによる濃度ム
ラ（特に図７に示した縦縞Ｕ）が生じることが防止され
得る。その理由は先に詳しく述べた通りである。As described above, when the semiconductor laser 130, which is the excitation light source, is driven by high frequency superposition, the digital image signal D
Therefore, it is possible to prevent the radiation image reproduced by the image reproducing apparatus 121 based on the above-mentioned method from causing density unevenness (particularly, vertical stripe U shown in FIG. 7) due to mode hopping of the semiconductor laser 130. The reason is as detailed above.
【図１】本発明の第１実施例による画像走査装置を示す
概略図FIG. 1 is a schematic diagram showing an image scanning apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】蓄積性蛍光体シートの分光感度特性の一例を示
すグラフFIG. 2 is a graph showing an example of spectral sensitivity characteristics of a stimulable phosphor sheet.
【図３】従来の画像記録装置における、半導体レーザ温
度と、半導体レーザの発振モードと、変調前記録光量
と、画素クロックとの関係を示すグラフFIG. 3 is a graph showing a relationship among a semiconductor laser temperature, an oscillation mode of a semiconductor laser, a recording light amount before modulation, and a pixel clock in a conventional image recording apparatus.
【図４】本発明の画像記録装置における、半導体レーザ
温度と、半導体レーザの発振モードと、変調前記録光量
と、画素クロックとの関係を示すグラフFIG. 4 is a graph showing a relationship among a semiconductor laser temperature, an oscillation mode of the semiconductor laser, a recording light amount before modulation, and a pixel clock in the image recording apparatus of the present invention.
【図５】本発明における半導体レーザ駆動電流の変調度
を説明する概略図FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a modulation degree of a semiconductor laser drive current according to the present invention.
【図６】半導体レーザの縦モードが切り換わる条件を示
すグラフFIG. 6 is a graph showing a condition for switching a longitudinal mode of a semiconductor laser.
【図７】従来の画像読取装置において発生する画像濃度
ムラを説明する概略図FIG. 7 is a schematic diagram illustrating image density unevenness that occurs in a conventional image reading apparatus.
【図８】半導体レーザへの戻り光がある画像読取装置の
一例を示す概略図FIG. 8 is a schematic diagram showing an example of an image reading apparatus having return light to a semiconductor laser.
【図９】画像読取装置における読取光主走査位置と、高
周波重畳駆動されない半導体レーザの縦モードと、その
半導体レーザによる読取光量と、高周波電流波形と、高
周波重畳駆動された半導体レーザの縦モードとの関係の
一例を示すグラフFIG. 9 shows a main scanning position of a reading light in an image reading apparatus, a vertical mode of a semiconductor laser which is not driven by high frequency superposition, an amount of light read by the semiconductor laser, a high frequency current waveform, and a longitudinal mode of the semiconductor laser which is driven by high frequency superposition. Graph showing an example of the relationship
【図１０】画像読取装置における読取光主走査位置と、
高周波重畳駆動されない半導体レーザの縦モードと、そ
の半導体レーザによる読取光量と、高周波電流波形と、
高周波重畳駆動された半導体レーザの縦モードとの関係
の他の例を示すグラフFIG. 10 shows a reading light main scanning position in the image reading apparatus;
The longitudinal mode of the semiconductor laser that is not driven by high-frequency superposition, the amount of light read by the semiconductor laser, the high-frequency current waveform,
Graph showing another example of the relationship with the longitudinal mode of a semiconductor laser driven by high frequency superposition
【図１１】本発明の第２実施例による画像走査装置を示
す概略斜視図FIG. 11 is a schematic perspective view showing an image scanning device according to a second embodiment of the present invention.
１、130 半導体レーザ ２ 加算点 ３、16 電圧−電流変換アンプ ４、５、131 光ビーム（レーザビーム） ６ フォトダイオード ７ 電流−電圧変換アンプ ８ ＡＰＣ回路 10 画像信号発生器 14、135 高周波発振回路 16 利得可変回路 17 コリメータレンズ 18、132 光偏向器 19 集束レンズ 20 感光材料 101 蓄積性蛍光体シート 114 光ガイド 115 フォトマルチプライヤー 133 走査レンズ ｉ、Ｉ 半導体レーザ駆動電流 ｉＲ 高周波電流 Ｓ１ 画像信号 Ｓ５、Ｖref 発光レベル指令信号 Ｖpd 帰還信号 Ｖe 偏差信号1,130 Semiconductor laser 2 Addition point 3,16 Voltage-current conversion amplifier 4,5,131 Light beam (laser beam) 6 Photodiode 7 Current-voltage conversion amplifier 8 APC circuit 10 Image signal generator 14,135 High frequency oscillation circuit 16 Gain variable circuit 17 Collimator lens 18, 132 Optical deflector 19 Focusing lens 20 Photosensitive material 101 Storage phosphor sheet 114 Light guide 115 Photomultiplier 133 Scanning lens i, I Semiconductor laser drive current i R High frequency current S1 Image signal S5 , Vref light emission level command signal Vpd feedback signal Ve deviation signal
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｎ 1/29 Ｂ４１Ｊ 3/00 Ｍ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04N 1/04 - 1/207 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI H04N 1/29 B41J 3/00 M (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H04N 1/04-1 / 207
Claims (1)
せられた光ビームにより記録材料を画像読取または記録
のために走査する一方、所定の画素クロックに基づいて
１画素読取または記録時間を規定するようにした画像走
査装置において、 前記半導体レーザの駆動電流に、半導体レーザを多重縦
モード発振させない周波数範囲で、前記１画素読取また
は記録時間の逆数よりも高い周波数でデューティ比が６
０％以上の矩形波の高周波電流を重畳する手段が設けら
れたことを特徴とする画像走査装置。A recording material is scanned for image reading or recording by a light beam emitted from a vertical single mode semiconductor laser, and one pixel reading or recording time is defined based on a predetermined pixel clock. In the image scanning device described above, the drive current of the semiconductor laser has a duty ratio of 6 at a frequency higher than the reciprocal of the one-pixel reading or recording time within a frequency range in which the semiconductor laser does not oscillate in multiple longitudinal modes.
An image scanning apparatus, comprising: means for superimposing a high-frequency current of a rectangular wave of 0% or more.
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| JPH05292259A (en) | 1993-11-05 |
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