JP3042463B2 - セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品の製造方法Info
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- JP3042463B2 JP3042463B2 JP9269551A JP26955197A JP3042463B2 JP 3042463 B2 JP3042463 B2 JP 3042463B2 JP 9269551 A JP9269551 A JP 9269551A JP 26955197 A JP26955197 A JP 26955197A JP 3042463 B2 JP3042463 B2 JP 3042463B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば積層セラミ
ックコンデンサなどのセラミック電子部品の製造方法に
関するものである。
ックコンデンサなどのセラミック電子部品の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は一般的な積層セラミックコンデン
サの一部切欠斜視図であり、１０はセラミック誘電体
層、３は内部電極、１１は外部電極であり、内部電極３
は各々外部電極１１に接続されている。
サの一部切欠斜視図であり、１０はセラミック誘電体
層、３は内部電極、１１は外部電極であり、内部電極３
は各々外部電極１１に接続されている。
【０００３】以下に従来の積層セラミックコンデンサの
製造方法について説明する。まずチタン酸バリウム等の
誘電体材料と、ポリビニルブチラール等のバインダ成分
と、ベンジルブチルフタレート等の可塑剤成分と、溶剤
成分等とを混合し、スラリー化した後、ドクターブレー
ド法を用いてＰＥＴ等のベースフィルム上にセラミック
誘電体層１０となるセラミックシートを形成する。次に
このセラミックシート上に内部電極３となる金属ペース
トを複数形成する。次いで剛性を有する支持体上に接着
層を介して内部電極３を形成したセラミックシートを積
層後、静水圧プレスによりセラミックシート同士を圧着
し、積層体ブロックを得る。次に、この積層体ブロック
を所定のチップ形状の積層体に切断し、焼成後、両端面
に外部電極１１を設けることで積層セラミックコンデン
サを得る。
製造方法について説明する。まずチタン酸バリウム等の
誘電体材料と、ポリビニルブチラール等のバインダ成分
と、ベンジルブチルフタレート等の可塑剤成分と、溶剤
成分等とを混合し、スラリー化した後、ドクターブレー
ド法を用いてＰＥＴ等のベースフィルム上にセラミック
誘電体層１０となるセラミックシートを形成する。次に
このセラミックシート上に内部電極３となる金属ペース
トを複数形成する。次いで剛性を有する支持体上に接着
層を介して内部電極３を形成したセラミックシートを積
層後、静水圧プレスによりセラミックシート同士を圧着
し、積層体ブロックを得る。次に、この積層体ブロック
を所定のチップ形状の積層体に切断し、焼成後、両端面
に外部電極１１を設けることで積層セラミックコンデン
サを得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法によると接着層の接着力が強い場合には、切断後積層
体が支持体から分離し難いといった問題点を有してい
た。
法によると接着層の接着力が強い場合には、切断後積層
体が支持体から分離し難いといった問題点を有してい
た。
【０００５】そこで本発明は、圧着後、個々の積層体に
容易に分離することのできるセラミック電子部品の製造
方法を提供することを目的とするものである。
容易に分離することのできるセラミック電子部品の製造
方法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のセラミック電子部品の製造方法は、ポリエチ
レンとセラミック原料を含有するとともに、多孔度が３
０％以上の第１のセラミックシートを少なくとも一枚支
持体上に配置する第１の工程と、次にこの第１のセラミ
ックシート上に上面に所望の形状の導電体層を形成した
第２のセラミックシートを複数枚積層して積層体ブロッ
クを形成する第２の工程と、次いで前記積層体ブロック
圧着した後、所望の形状の積層体に切断し、前記ポリエ
チレンの軟化点以上、前記ポリエチレンの融点未満の温
度に保持した後に個々の積層体に分離する第３の工程
と、その後前記積層体を焼成する第４の工程とを備えた
セラミック電子部品の製造方法である。
に本発明のセラミック電子部品の製造方法は、ポリエチ
レンとセラミック原料を含有するとともに、多孔度が３
０％以上の第１のセラミックシートを少なくとも一枚支
持体上に配置する第１の工程と、次にこの第１のセラミ
ックシート上に上面に所望の形状の導電体層を形成した
第２のセラミックシートを複数枚積層して積層体ブロッ
クを形成する第２の工程と、次いで前記積層体ブロック
圧着した後、所望の形状の積層体に切断し、前記ポリエ
チレンの軟化点以上、前記ポリエチレンの融点未満の温
度に保持した後に個々の積層体に分離する第３の工程
と、その後前記積層体を焼成する第４の工程とを備えた
セラミック電子部品の製造方法である。
【０００７】この方法によると、第３の工程において、
ポリエチレンを含む第１のセラミックシートが急激に収
縮することにより、個々の積層体に容易に分離すること
ができる。
ポリエチレンを含む第１のセラミックシートが急激に収
縮することにより、個々の積層体に容易に分離すること
ができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ポリエチレンとセラミック原料を含有するととも
に、多孔度が３０％以上の第１のセラミックシートを少
なくとも一枚支持体上に配置する第１の工程と、次にこ
の第１のセラミックシート上に上面に所望の形状の導電
体層を形成した第２のセラミックシートを複数枚積層し
て積層体ブロックを形成する第２の工程と、次いで前記
積層体ブロック圧着した後、所望の形状の積層体に切断
し、前記ポリエチレンの軟化点以上、前記ポリエチレン
の融点未満の温度に保持した後に個々の積層体に分離す
る第３の工程と、その後前記積層体を焼成する第４の工
程とを備えたセラミック電子部品の製造方法であり、第
３の工程において個々の積層体に容易に分離することが
できる。
は、ポリエチレンとセラミック原料を含有するととも
に、多孔度が３０％以上の第１のセラミックシートを少
なくとも一枚支持体上に配置する第１の工程と、次にこ
の第１のセラミックシート上に上面に所望の形状の導電
体層を形成した第２のセラミックシートを複数枚積層し
て積層体ブロックを形成する第２の工程と、次いで前記
積層体ブロック圧着した後、所望の形状の積層体に切断
し、前記ポリエチレンの軟化点以上、前記ポリエチレン
の融点未満の温度に保持した後に個々の積層体に分離す
る第３の工程と、その後前記積層体を焼成する第４の工
程とを備えたセラミック電子部品の製造方法であり、第
３の工程において個々の積層体に容易に分離することが
できる。
【０００９】請求項２に記載の発明は、第２のセラミッ
クシートとしてポリエチレンと反応しにくい有機成分を
含有するセラミックシートを用いる請求項１に記載のセ
ラミック電子部品の製造方法であり、第３の工程におい
てさらに容易に個々の積層体に分離しやすくなるもので
ある。
クシートとしてポリエチレンと反応しにくい有機成分を
含有するセラミックシートを用いる請求項１に記載のセ
ラミック電子部品の製造方法であり、第３の工程におい
てさらに容易に個々の積層体に分離しやすくなるもので
ある。
【００１０】請求項３に記載の発明は、ポリエチレンと
反応しにくい有機成分として、ポリビニルブチラールを
用いる請求項２に記載のセラミック電子部品の製造方法
であり、第３の工程においてさらに容易に個々の積層体
に分離しやすくなるものである。
反応しにくい有機成分として、ポリビニルブチラールを
用いる請求項２に記載のセラミック電子部品の製造方法
であり、第３の工程においてさらに容易に個々の積層体
に分離しやすくなるものである。
【００１１】請求項４に記載の発明は、第１のセラミッ
クシートの厚みを４０μｍ以上とする請求項１〜請求項
３のいずれか一つに記載のセラミック電子部品の製造方
法であり、積層体ブロックの導電体層形成部分と導電体
層非形成部分の段差を吸収することにより、クラックな
どの構造欠陥のないセラミック電子部品を得ることがで
きる。
クシートの厚みを４０μｍ以上とする請求項１〜請求項
３のいずれか一つに記載のセラミック電子部品の製造方
法であり、積層体ブロックの導電体層形成部分と導電体
層非形成部分の段差を吸収することにより、クラックな
どの構造欠陥のないセラミック電子部品を得ることがで
きる。
【００１２】請求項５に記載の発明は、第３の工程にお
ける温度を６０〜１４０℃とする請求項１〜請求項４の
いずれか一つに記載のセラミック電子部品の製造方法で
あり、ポリエチレンを含む第１のセラミックシートが急
激に収縮することにより、個々の積層体に容易に分離す
ることができる。
ける温度を６０〜１４０℃とする請求項１〜請求項４の
いずれか一つに記載のセラミック電子部品の製造方法で
あり、ポリエチレンを含む第１のセラミックシートが急
激に収縮することにより、個々の積層体に容易に分離す
ることができる。
【００１３】以下本発明の一実施の形態について積層セ
ラミックコンデンサを例に説明する。
ラミックコンデンサを例に説明する。
【００１４】（実施の形態１）図１は、本実施の形態に
おける積層セラミックコンデンサの一製造工程を説明す
るための断面図である。
おける積層セラミックコンデンサの一製造工程を説明す
るための断面図である。
【００１５】１は第１のセラミックシート、２は第２の
セラミックシート、３は内部電極、４は内部電極形成部
分、５は内部電極非形成部分、６は第１のセラミックシ
ート１と第２のセラミックシート２との界面、７は支持
体である。
セラミックシート、３は内部電極、４は内部電極形成部
分、５は内部電極非形成部分、６は第１のセラミックシ
ート１と第２のセラミックシート２との界面、７は支持
体である。
【００１６】まず、重量平均分子量が４０００００のポ
リエチレンと、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体
粉末を用いて、多孔度が７０％で、厚みが約８０μｍの
第１のセラミックシート１を用意する。次にこの第１の
セラミックシート１を厚み１．０ｍｍのステンレス製金
属板または、厚み３．０ｍｍのアルミナ板よりなる剛性
を有する支持体７上に配置する。次いで、チタン酸バリ
ウムを主成分とする誘電体粉末、ポリビニルブチラール
樹脂からなるバインダ成分、ベンジルブチルフタレート
からなる可塑剤成分、イソプロパノールからなる溶剤成
分を混合し、スラリー化した後、ドクターブレード法に
より、図２においてセラミック誘電体層１０となる第２
のセラミックシート２を作製する。この第２のセラミッ
クシート２の厚みは約１５μｍである。さらにこの上面
に、ニッケルを主成分とする内部電極３を所望の形状に
複数形成する。内部電極３の厚みは、２．５μｍであ
る。次に、この内部電極３を形成した第２のセラミック
シート２を内部電極３が第２のセラミックシート２を挟
んで対向するように順次１５０枚重ね合わせた積層体ブ
ロックを形成後、積層体ブロックを支持体７ごと柔軟材
などの袋に入れ、真空包装し、８５℃、２００ｋｇ／ｃ
ｍ2で静水圧プレスした後に、第２のセラミックシート
２同士を接着させる。８５℃に加熱することは、ポリビ
ニルブチラール樹脂が軟化する温度であり、第２のセラ
ミックシート２同士の接着が発生する。また第１のセラ
ミックシート１は、従来のポリビニルブチラール樹脂と
セラミック粉末からなる第２のセラミックシート２と比
較すると多孔度が高く、弾性を有しているため、静水圧
プレス時には、まるでクッションのように作用し、内部
電極形成部分４の直下にある第１のセラミックシート１
は高圧縮率を示し、内部電極非形成部分５の直下にある
第１のセラミックシート１については低圧縮率を示すた
めに、内部電極形成部分４はもちろんのこと内部電極非
形成部分５にも十分な圧力を加えることができ、内部電
極形成部分４の接着力が強固となるためにクラックの発
生を抑制することができる。さらに第１のセラミックシ
ート１と第２のセラミックシート２との界面６は、実質
的には強固な結合は持たないが、第１及び第２のセラミ
ックシート１，２の表面の凹凸による物理的な比較的弱
い接着である。その後、積層体ブロックを押し切り方式
で縦３．２ｍｍ、横１．６ｍｍのチップ形状の積層体に
切断した後に、１１０℃の大気中に約１５分放置する。
この時に、ポリエチレンを含む第１のセラミックシート
１は急激に収縮を始めるのに対して、ポリビニルブチラ
ール樹脂を含む第２のセラミックシート２は収縮しない
ため、容易に個々の積層体に分離される。分離された積
層体を大気中３００℃にて脱バイし、ニッケルが酸化し
ないように、ニッケルの平衡酸素分圧以下の酸素濃度雰
囲気で焼成して焼結体を得る。次いでこの焼結体の両端
面に図２に示すように外部電極１１を形成、メッキを施
した後に完成品に至る。
リエチレンと、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体
粉末を用いて、多孔度が７０％で、厚みが約８０μｍの
第１のセラミックシート１を用意する。次にこの第１の
セラミックシート１を厚み１．０ｍｍのステンレス製金
属板または、厚み３．０ｍｍのアルミナ板よりなる剛性
を有する支持体７上に配置する。次いで、チタン酸バリ
ウムを主成分とする誘電体粉末、ポリビニルブチラール
樹脂からなるバインダ成分、ベンジルブチルフタレート
からなる可塑剤成分、イソプロパノールからなる溶剤成
分を混合し、スラリー化した後、ドクターブレード法に
より、図２においてセラミック誘電体層１０となる第２
のセラミックシート２を作製する。この第２のセラミッ
クシート２の厚みは約１５μｍである。さらにこの上面
に、ニッケルを主成分とする内部電極３を所望の形状に
複数形成する。内部電極３の厚みは、２．５μｍであ
る。次に、この内部電極３を形成した第２のセラミック
シート２を内部電極３が第２のセラミックシート２を挟
んで対向するように順次１５０枚重ね合わせた積層体ブ
ロックを形成後、積層体ブロックを支持体７ごと柔軟材
などの袋に入れ、真空包装し、８５℃、２００ｋｇ／ｃ
ｍ2で静水圧プレスした後に、第２のセラミックシート
２同士を接着させる。８５℃に加熱することは、ポリビ
ニルブチラール樹脂が軟化する温度であり、第２のセラ
ミックシート２同士の接着が発生する。また第１のセラ
ミックシート１は、従来のポリビニルブチラール樹脂と
セラミック粉末からなる第２のセラミックシート２と比
較すると多孔度が高く、弾性を有しているため、静水圧
プレス時には、まるでクッションのように作用し、内部
電極形成部分４の直下にある第１のセラミックシート１
は高圧縮率を示し、内部電極非形成部分５の直下にある
第１のセラミックシート１については低圧縮率を示すた
めに、内部電極形成部分４はもちろんのこと内部電極非
形成部分５にも十分な圧力を加えることができ、内部電
極形成部分４の接着力が強固となるためにクラックの発
生を抑制することができる。さらに第１のセラミックシ
ート１と第２のセラミックシート２との界面６は、実質
的には強固な結合は持たないが、第１及び第２のセラミ
ックシート１，２の表面の凹凸による物理的な比較的弱
い接着である。その後、積層体ブロックを押し切り方式
で縦３．２ｍｍ、横１．６ｍｍのチップ形状の積層体に
切断した後に、１１０℃の大気中に約１５分放置する。
この時に、ポリエチレンを含む第１のセラミックシート
１は急激に収縮を始めるのに対して、ポリビニルブチラ
ール樹脂を含む第２のセラミックシート２は収縮しない
ため、容易に個々の積層体に分離される。分離された積
層体を大気中３００℃にて脱バイし、ニッケルが酸化し
ないように、ニッケルの平衡酸素分圧以下の酸素濃度雰
囲気で焼成して焼結体を得る。次いでこの焼結体の両端
面に図２に示すように外部電極１１を形成、メッキを施
した後に完成品に至る。
【００１７】（表１）に、従来のように積層体ブロック
と支持体との間に接着層を設けた場合と、本実施の形態
のように積層体ブロックと支持体７との間に第１のセラ
ミックシート１を設けた場合での、切断後、支持体から
積層体の分離のしやすさと、焼成後の構造欠陥発生数と
を比較して示している。
と支持体との間に接着層を設けた場合と、本実施の形態
のように積層体ブロックと支持体７との間に第１のセラ
ミックシート１を設けた場合での、切断後、支持体から
積層体の分離のしやすさと、焼成後の構造欠陥発生数と
を比較して示している。
【００１８】
【表１】
【００１９】（表１）からも明らかなように従来法の方
が支持体からの分離率がやや悪く、積層体が支持体上に
残留することが分かる。また焼結体の構造欠陥発生率に
ついても、従来法の方がやや悪い。構造欠陥発生状態は
図４に示すように、焼結体の側面にクラック１００が発
生しており、第２のセラミックシート２の圧着時に内部
電極３のない部分に圧力がかからず、接着不良になった
と考えられる。
が支持体からの分離率がやや悪く、積層体が支持体上に
残留することが分かる。また焼結体の構造欠陥発生率に
ついても、従来法の方がやや悪い。構造欠陥発生状態は
図４に示すように、焼結体の側面にクラック１００が発
生しており、第２のセラミックシート２の圧着時に内部
電極３のない部分に圧力がかからず、接着不良になった
と考えられる。
【００２０】以上のように、積層体ブロックと支持体７
の間に多孔度の高い第１のセラミックシート１を用いる
ことで、支持体７との分離を従来よりも容易に行うこと
ができるばかりか、第２のセラミックシート２間の接着
力不足による構造欠陥を抑制することができ、製造歩留
まりを大幅に向上させることができる。
の間に多孔度の高い第１のセラミックシート１を用いる
ことで、支持体７との分離を従来よりも容易に行うこと
ができるばかりか、第２のセラミックシート２間の接着
力不足による構造欠陥を抑制することができ、製造歩留
まりを大幅に向上させることができる。
【００２１】なお、本実施の形態においては、第１のセ
ラミックシート１として、重量平均分子量が４００００
０のポリエチレンとチタン酸バリウムを主成分とする誘
電体粉末を用いて、多孔度が７０％で、厚みが８０μｍ
の第１のセラミックシート１を用いたが、これに限られ
たものではなく、ポリエチレンの重量平均分子量は４０
００００以上で、多孔度は３０〜８０％未満の範囲にあ
るセラミックシートであれば同様の効果が得られる。
ラミックシート１として、重量平均分子量が４００００
０のポリエチレンとチタン酸バリウムを主成分とする誘
電体粉末を用いて、多孔度が７０％で、厚みが８０μｍ
の第１のセラミックシート１を用いたが、これに限られ
たものではなく、ポリエチレンの重量平均分子量は４０
００００以上で、多孔度は３０〜８０％未満の範囲にあ
るセラミックシートであれば同様の効果が得られる。
【００２２】また、本実施の形態においては、第１のセ
ラミックシート１は厚み約８０μｍのものを一枚だけ用
いたが、厚みの薄い第１のセラミックシート１を複数枚
重ね合わせて用いても構わない。支持体７と積層体ブロ
ックの間に介在する一枚あるいは複数枚の第１のセラミ
ックシート１の合計厚みが４０μｍ以上であれば、積層
体ブロックの内部電極形成部分４と、内部電極非形成部
分５の段差の吸収を十分に行うことができ、クラック１
００や層間剥離などの構造欠陥の発生を防止することが
できる。
ラミックシート１は厚み約８０μｍのものを一枚だけ用
いたが、厚みの薄い第１のセラミックシート１を複数枚
重ね合わせて用いても構わない。支持体７と積層体ブロ
ックの間に介在する一枚あるいは複数枚の第１のセラミ
ックシート１の合計厚みが４０μｍ以上であれば、積層
体ブロックの内部電極形成部分４と、内部電極非形成部
分５の段差の吸収を十分に行うことができ、クラック１
００や層間剥離などの構造欠陥の発生を防止することが
できる。
【００２３】さらに本実施の形態では、第２のセラミッ
クシート２間を圧着するために、静水圧プレスを行った
が、図３に示すように積層体ブロックの上、下面にプレ
ス板３１，３２を設けて、一軸加圧により第２のセラミ
ックシート２間を圧着してもよい。一軸プレスで加圧す
る下面のプレス板３１と積層体ブロックの間に第１のセ
ラミックシート１を設けるだけでも、積層体ブロックを
切断後、個々の積層体に容易に分離できるとともに内部
電極３の有無による段差が吸収できるが、上面のプレス
板３２と積層体ブロックの間にも第１のセラミックシー
ト１を設けることにより、さらに効果がある。しかしな
がら、静水圧プレスの方が第２のセラミックシート２の
どの部分においても均一に圧力がかかるために、積層ず
れの発生を防止できる。
クシート２間を圧着するために、静水圧プレスを行った
が、図３に示すように積層体ブロックの上、下面にプレ
ス板３１，３２を設けて、一軸加圧により第２のセラミ
ックシート２間を圧着してもよい。一軸プレスで加圧す
る下面のプレス板３１と積層体ブロックの間に第１のセ
ラミックシート１を設けるだけでも、積層体ブロックを
切断後、個々の積層体に容易に分離できるとともに内部
電極３の有無による段差が吸収できるが、上面のプレス
板３２と積層体ブロックの間にも第１のセラミックシー
ト１を設けることにより、さらに効果がある。しかしな
がら、静水圧プレスの方が第２のセラミックシート２の
どの部分においても均一に圧力がかかるために、積層ず
れの発生を防止できる。
【００２４】さらにまた、本実施の形態では積層体ブロ
ックを切断後、１１０℃の大気中に約１５分保持してい
るが、第１のセラミックシート１に含有されるポリエチ
レンの軟化点以上融点未満（６０〜１４０℃）で保持
し、第１のセラミックシート１の収縮が起き、第１のセ
ラミックシート１と第２のセラミックシート２との界面
６の物理的な接着力は開放されるため、個々の積層体に
分離できる。
ックを切断後、１１０℃の大気中に約１５分保持してい
るが、第１のセラミックシート１に含有されるポリエチ
レンの軟化点以上融点未満（６０〜１４０℃）で保持
し、第１のセラミックシート１の収縮が起き、第１のセ
ラミックシート１と第２のセラミックシート２との界面
６の物理的な接着力は開放されるため、個々の積層体に
分離できる。
【００２５】また本実施の形態においては、積層セラミ
ックコンデンサについてのみ説明したが、本発明の製造
方法を用いることにより、積層バリスタ、積層サーミス
タ、積層フィルタ、積層フェライト部品、セラミック多
層基板など他の積層型のセラミック電子部品についても
同様の効果が得られる。
ックコンデンサについてのみ説明したが、本発明の製造
方法を用いることにより、積層バリスタ、積層サーミス
タ、積層フィルタ、積層フェライト部品、セラミック多
層基板など他の積層型のセラミック電子部品についても
同様の効果が得られる。
【００２６】
【発明の効果】以上本発明によると、積層体ブロックを
切断後、容易に個々の積層体に分離できるとともに、導
電体層の有無による圧着時の加圧力の不均一に起因する
クラックなどの焼結体の構造欠陥の発生を抑制すること
ができる。
切断後、容易に個々の積層体に分離できるとともに、導
電体層の有無による圧着時の加圧力の不均一に起因する
クラックなどの焼結体の構造欠陥の発生を抑制すること
ができる。
【００２７】その結果、セラミック電子部品の製造にお
いて歩留まりを大幅に向上させることができる。特に高
積層が要求される積層セラミックコンデンサの歩留まり
向上に対しては絶大な効果がある。
いて歩留まりを大幅に向上させることができる。特に高
積層が要求される積層セラミックコンデンサの歩留まり
向上に対しては絶大な効果がある。
【図１】本発明の一実施の形態における積層セラミック
コンデンサの圧着工程を説明する断面図
コンデンサの圧着工程を説明する断面図
【図２】一般的な積層セラミックコンデンサの一部切欠
斜視図
斜視図
【図３】従来の積層セラミックコンデンサの圧着工程を
説明する断面図
説明する断面図
【図４】クラックの発生した焼結体の斜視図
１ 第１のセラミックシート ２ 第２のセラミックシート ３ 内部電極 ７ 支持体 １０ セラミック誘電体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小松 和博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−276710（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−190043（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/00 - 4/42
Claims (5)
- 【請求項１】 ポリエチレンとセラミック原料を含有す
るとともに、多孔度が３０％以上の第１のセラミックシ
ートを少なくとも一枚支持体上に配置する第１の工程
と、次にこの第１のセラミックシート上に上面に所望の
形状の導電体層を形成した第２のセラミックシートを複
数枚積層して積層体ブロックを形成する第２の工程と、
次いで前記積層体ブロック圧着した後、所望の形状の積
層体に切断し、前記ポリエチレンの軟化点以上、前記ポ
リエチレンの融点未満の温度に保持した後に個々の積層
体に分離する第３の工程と、その後前記積層体を焼成す
る第４の工程とを備えたセラミック電子部品の製造方
法。 - 【請求項２】 第２のセラミックシートはポリエチレン
と反応しにくい有機成分を含有する請求項１に記載のセ
ラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 ポリエチレンと反応しにくい有機成分と
して、ポリビニルブチラールを用いる請求項２に記載の
セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項４】 第１のセラミックシートの厚みの合計
は、４０μｍ以上である請求項１〜請求項３のいずれか
一つに記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 第３の工程における温度は６０〜１４０
℃とする請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載のセ
ラミック電子部品の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP9269551A JP3042463B2 (ja) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | セラミック電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9269551A JP3042463B2 (ja) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | セラミック電子部品の製造方法 |
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|---|---|
| JPH11111559A JPH11111559A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3042463B2 true JP3042463B2 (ja) | 2000-05-15 |
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ID=17473962
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP9269551A Expired - Fee Related JP3042463B2 (ja) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | セラミック電子部品の製造方法 |
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| JP (1) | JP3042463B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4715921B2 (ja) | 2006-04-05 | 2011-07-06 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品の製造方法及び積層型セラミック電子部品 |
-
1997
- 1997-10-02 JP JP9269551A patent/JP3042463B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH11111559A (ja) | 1999-04-23 |
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