JP3041290B1 - テープ形チップサイズパッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

【要約】 【解決手段】フリップチップボンディング用テープ形Ｃ
ＳＰに関し、ボンディング用パッド部を無電解Ｓｎメッ
キで行え、ハンダボールをパッド部へ強力に接合でき、
製造工程が簡単で不良品発生を低減させ、かつコストダ
ウンを図る。 【解決手段】銅箔４の表面にフリップチップボンディン
グ用パッド部１０を、銅箔４裏面にハンダボール用パッ
ド部１１をもつテープ形ＣＳＰの製造方法において、上
記銅箔４を洗浄後でフォトレジスト膜を形成する前の段
階で、少なくとも銅箔４の裏面にＳｎ等メッキ５を施
し、上記樹脂製テープ１の裏面からマスキング材で裏止
めするとともに、上記で銅箔４表面にもＳｎ等メッキ５
を施した場合はそれを剥離する工程を入れ、上記フォト
レジスト膜を剥離後に、無電解Ｓｎメッキ９を行って表
面にボンディング用パッド部１０を形成し、その後に樹
脂製テープ１裏面の裏止め用マスキング材を剥離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、テープ形チップサ
イズパッケージ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｄｚｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ、以下ＣＳＰとはこの略称をいう）の製造方法に関す
るものであり、主としてＴＡＢ用テープを用いるＣＳＰ
の内で、特にフリップチップボンディング用のものに係
る。

【０００２】

【従来の技術】近時、半導体パッケージはますます高密
度化と小型化が進んでおり、半導体チップの実装は表面
実装化され、サイズは半導体チップと同じ大きさに小型
化されるようになっている。そのため、テープ形ＢＧＡ
（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と同様に、本発明
に係るテープ形ＣＳＰの需要も、今後ますます増大して
いる。

【０００３】上記テープ形ＣＳＰは、テープ表面の銅箔
の表・裏を利用できることを特徴とする二層構造になっ
ており、銅箔表面にはワイヤボンディングやフリップチ
ップボンディング用のパッド部が、また裏面にはハンダ
ボール用のパッド部が各々形成されている。

【０００４】その内で、フリップチップボンディングを
行うテープ形ＣＳＰでは、例えば図２３で示す如く、上
記銅箔表面のボンディング用パッド部、および裏面のハ
ンダボール用のパッド部には、多くは無電解でＳｎメッ
キが施されている。

【０００５】上記ボンディング用パッド部には、後に半
導体チップをフリップチップボンディングで実装され、
他方ハンダボール用パッド部にはマザーボード等へ接合
用のハンダボールが接合されることになる（上記図２５
参照）。

【０００６】上記従来のフリップチップボンディング用
テープ形ＣＳＰの製造工程は、通常は次のようなもので
ある。まず、表面に接着剤付きのポリイミド樹脂製フ
ィルムに、プレスまたはドリルにて孔あけして銅箔をラ
ミネートし、または予め銅箔付きの樹脂製フィルムに裏
面からレーザにより孔あけする。次に上記樹脂製フィ
ルム上の銅箔を化学処理にて清浄にする。次に銅箔表
面にフォトレジストインクを塗布した後、ボンディング
用パッド部やリード部を形成用のパターンを露光し、現
像処理する。次に樹脂製フィルムの裏面からマスキン
グ材でマスキングして裏止めし、銅箔表面をエッチング
処理して、ボンディング用パッド部やリード部等のパタ
ーンを形成する。次に上記銅箔表面のフォトレジスト
と裏面の裏止め用マスキング材を剥離して、表面のボン
ディング用パッド部やリード部のパターン、裏面のハン
ダボール用パッド部を露出させる。次に銅箔の表・裏
両面に、無電解でＳｎメッキを施して、表面にはボンデ
ィング用パッド部やリード部を、また裏面にはハンダボ
ール用パッド部を形成する。

【０００７】その後、上記の如くボンディング用パッド
部には、半導体チップをフリップチップボンディングで
実装し、またハンダボール用パッド部には、マザーボー
ド等へ接合可能にハンダボールを接合する。

【０００８】上記で、テープ形ＣＳＰの銅箔表面のボン
ディング用パッド部に無電解のＳｎメッキを施すのは、
半導体チップ側のバンプ部と直接にボンディングする際
に、バンプ部のＡｕメッキ（またはＣｕやハンダメッ
キ）とテープ形ＣＳＰのパッド部のＳｎメッキとでＳｎ
−Ａｕ合金等を生じさせて、比較的簡単に接合できるよ
うにするためである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
フリップチップボンディング用テープ形ＣＳＰの製造で
は、次のような問題点があった。即ち、従来は上記の如
く、テープ形ＣＳＰの銅箔表面のボンディング用パッド
部に、無電解のＳｎメッキを施しており、半導体チップ
側のバンプ部のＡｕメッキ（またはＣｕや半田メッキ）
とテープ形ＣＳＰのパッド部のＳｎメッキとでＳｎ−Ａ
ｕ合金等を生じる。その際に膜厚が厚いと、熱が加わる
ことでＳｎ−Ａｕ合金等が過剰発生して、バンプ部周り
にバブル（合金ボール）が付着したり、またバンプ部の
ＡｕメッキのＡｕがＳｎメッキのＳｎ中に拡散し（Ａｕ
食われ）たりする等のトラブルが生じる。そのため、銅
箔表面のボンディング用パッド部へのＳｎメッキの膜厚
は厳しく制限されており、一般的には０．３０μｍ±
０．１程度の薄さにする必要があるから、膜厚制御の点
から無電解Ｓｎメッキが用いられているという面もあ
る。

【００１０】他面で従来は、銅箔裏面のハンダボール用
パッド部も、表面のボンディング用パッド部と同時に無
電解Ｓｎメッキにて形成している。そのため、この銅箔
裏面のＳｎメッキの膜厚も薄くなっていると、ボンディ
ング時や樹脂モールド時に加熱されると、ハンダボール
のＳｎに銅箔のＣｕが拡散して、本来Ｓｎがもっている
ハンダ付性の良い特徴が無くなり、ハンダ付けが非常に
難しくなっている。例えば、Ｓｎの膜厚を０．５５０μ
ｍとした場合に、１２５℃で１２時間加熱すると、Ｓｎ
−Ｃｕ合金が生じてハンダが付かなくなってしまう。こ
の点からは、銅箔裏面の無電解Ｓｎメッキの膜厚を厚く
すれば良いのだが、それでは上記銅箔表面の無電解Ｓｎ
メッキの膜厚を薄くせねばならぬことと相反することに
なる。

【００１１】本発明は、フリップチップボンディング用
テープ形ＣＳＰの製造方法に係り、上記従来のものがも
つ問題点の解決を課題として創作したものである。即ち
本発明の目的は、フリップチップボンディング用テープ
形ＣＳＰに関して、従来と同様に無電解Ｓｎメッキを容
易に行えるようにすると共に、Ｓｎ等メッキを行う工程
順の工夫により、ハンダボール用パッド部へハンダボー
ルを強力に接合可能とし、かつ不良品発生の低減とコス
トダウンも図ることにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】Ｉ 本発明に係るテープ
形ＣＳＰの製造方法の第１は、樹脂性テープ１の表面の
銅箔４表面にボンディング用パッド部１０を、裏面にハ
ンダボール用パッド部１１をもつテープ形ＣＳＰの製造
方法において、上記銅箔４を洗浄後で、銅箔４表面の全
体にフォトレジスト膜７を形成する前の段階で、少なく
とも銅箔４の裏面にＳｎ等メッキ５を施し、次に上記樹
脂製テープ１の裏面からマスキング材６で裏止めすると
共に、上記で銅箔４表面にもＳｎ等メッキ５を施した場
合はそのＳｎ等メッキ５を剥離し、次に銅箔４表面の全
体にフォトレジスト膜７を形成して、露光・現像・エッ
チング後に剥離してパターン８を形成し、 次に銅箔４表
面に無電解でＳｎメッキ９を行って、ボンディング用パ
ッド部１０を形成し、その後に樹脂製テープ１裏面の裏
止め用マスキング材６を剥離して、銅箔４裏面のハンダ
ボール用パッド部１１を露呈するようにしたものであ
る。

【００１３】ＩＩ 本発明に係るテープ形ＣＳＰの製造
方法の第２は、裏面からハンダボール接合用孔２が形成
され、表面に銅箔４が貼付された樹脂製テープ１を化学
処理で清浄化した後に、 上記銅箔４の少なくとも裏面に
電解メッキでＳｎ等メッキ５を施し、 次に裏面をマスキ
ング材６で裏止めして、先に表面にもＳｎ等メッキ５を
施したものでは表面のＳｎ等メッキ５を剥離し、 次に銅
箔４表面の全体にフォトレジスト膜７を塗布して、パッ
ド部等のパターンを露光・現像・エッチングし、 次にフ
ォトレジスト膜７を剥離して銅箔４表面にパターン８を
形成し、 次に該パターン８に無電解Ｓｎメッキ９を施し
て、ボンディング用パッド部を形成し、 その後に上記マ
スキング材６を剥離して、ハンダボール接合用孔２内に
銅箔４ 裏面のＳｎ等メッキ５を露呈させることにより、
銅箔４表面に無電解Ｓｎメッキによるボンディング用パ
ッド部１０を、裏面に電解メッキによるハンダボール用
パッド部１１を各々形成するようにしたものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の上記構成おいて、銅箔４
裏面へのＳｎ等メッキ５とは、ＳｎメッキやＳｎ合金
（＝ハンダ）メッキを指すものである。この銅箔４裏面
へのＳｎ等メッキ５は、銅箔４表面へのＳｎメッキ９が
上記の如く無電解Ｓｎメッキとしたのと異なり、この種
の分野で一般的な電解メッキで行えばよい。

【００１５】樹脂製テープ１にはポリイミド樹脂製のも
のを用いることが望ましい。上記で樹脂製テープ１表面
に銅箔４がラミネートされ、該樹脂製テープ１裏面から
ハンダボール接合用孔２があけられたものとは、表面に
接着剤３付きのポリイミド樹脂製テープ１に、プレスま
たはドリルにて孔あけして銅箔４をラミネートした３層
構造のものでよいし（例えば図１参照）、また予め銅箔
４がラミネートされた樹脂製テープ１に裏面からレーザ
により孔あけした２層構造のものでもよい（例えば図１
３参照）。

【００１６】銅箔４を洗浄後でフォトレジスト膜７を形
成する前に、少なくともその裏面に電解メッキによりＳ
ｎ等メッキ５を施すが、このメッキは銅箔４の裏面だけ
でもよいが、表・裏面同時に施す方が、後記の如く製造
上容易である（例えば図３および図１３参照）。このＳ
ｎ等メッキ５の厚みは、通常５〜１０μｍ程度にしてお
くことが望ましい。

【００１７】上記で、銅箔４の裏面にだけＳｎ等メッキ
５を施す場合は、図示は省略したが銅箔４の表面をマス
キングしてメッキすればよい。表面にも同時にメッキを
施した場合には、フォトレジスト膜７を形成する前に、
表面に付着したＳｎ等メッキ５を剥離しておく。

【００１８】樹脂製テープ１の裏面をマスキング材６に
て裏止めするのは、表面に付着したＳｎ等メッキ５を剥
離時や、フォトレジスト膜７の剥離時に、裏面のＳｎ等
メッキ５を保護することと、表面のボンディング用パッ
ド部１への無電解Ｓｎメッキ時に、裏面のＳｎ等メッキ
５に無電解Ｓｎメッキが付着するのを防止する意味があ
る。

【００１９】このマスキング材６には、マスキング用テ
ープの貼布やドライフィルムの貼布でもよいが、後で剥
離する際の便宜上からは剥離可能なソルダーレジストイ
ンクを貼付することが望ましい。

【００２０】フォトレジスト膜７を形成して、パターン
を露光し現像した後にエッチングする手段は、従来の工
程で行うのと同様であり、その後にフォトレジスト膜７
を剥離してパターン８を形成した後に、上記の如く無電
解によるＳｎメッキを施す。この無電解Ｓｎメッキ９の
厚みは、通常０．２０〜０．４０μｍ程度にしておくの
がよい。

【００２１】上記による無電解Ｓｎメッキにより、銅箔
４表面の上記パターン８の内でボンディング用パッド部
１０になるパターン部分に無電解Ｓｎメッキ９が施され
る。しかしこれに対して銅箔４の裏面は、上記の如くマ
スキング材６が貼布または塗布されているので、先に施
したＳｎ等メッキ５のままが維持されている。

【００２２】上記の如く、本発明に係るテープ形ＣＳＰ
の製造方法では、銅箔４の裏面にＳｎ等メッキ５を行う
工程を、銅箔４表面にフォトレジスト膜７を塗布してパ
ターン８を形成する前の段階で行っていることに特徴が
ある。この段階でＳｎ等メッキ５を行ってしまうので、
微細なリード部等を含むパターン８を形成後にＳｎ等メ
ッキを行う場合と異なり、Ｓｎ等メッキ５を行うに際し
て微細なリード部を被覆するマスキングの必要が無くな
るから、製造工程が非常に簡単になっている。

【００２３】また、上記の段階で銅箔４裏面にＳｎ等メ
ッキ５を行ってしまうことにより、銅箔４表面のリード
部やボンディングパッド部１０上に、Ｓｎ等メッキ５が
付着するようなこともない。そのためそのままの状態
で、換言すれば剥離・洗浄処理を行うことなく、銅箔４
表面のリード部やボンディングパッド部に、無電解メッ
キでＳｎメッキ９を行うことが可能となる。この面でも
テープ形ＣＳＰの製造工程が容易となり、かつ低コスト
での製造が可能となっている。

【００２４】他面で、上記銅箔４裏面のハンダボール用
パッド部１１のＳｎ等メッキ５は、ハンダボール１４を
接合時の熱でハンダボール１４と共に溶融するから、こ
こでのハンダボール１４の接合は、十分な厚みをもつＳ
ｎまたはＳｎ合金と銅箔４との接合になる（図２２参
照）。そのため、従来のような接合時に酸化膜が付いた
り、Ｃｕが拡散してＣｕ−Ｓｎ合金の薄くハンダ付き性
も悪いＳｎメッキを介した接合と異なり、ハンダボール
１４の接合強度は大幅に向上している。

【００２５】加えて、上記の如く樹脂製テープ１裏面の
マスキング材６に、テープ、ドライフィルムまたは機械
的に剥離可能なソルダーレジスト膜を用いているので、
従来の例えばマスキング用インクを印刷した場合と異な
り、マスキング材６の境界の精度が向上する。またそれ
らは機械的に剥離可能であるから、上記インクを例えば
カセイソーダ溶液で剥離する場合と異なり、銅箔４表面
のボンディング用パッド部１０のＳｎメッキや、裏面の
ハンダボール用パッド部１１のＳｎ等メッキ５が、剥離
用液で汚されることもない。

【００２６】なお、上記銅箔４表面のボンディング用パ
ッド部１０には、膜厚の薄い（例えば０．３０μｍ±
０．１程度）の無電解Ｓｎメッキ９が施されている。そ
のためフリップチップボンディング時に、半導体チップ
側のバンプ部１５のＡｕメッキ（またはＣｕやハンダメ
ッキ）と、テープ形ＣＳＰのボンディング用パッド部１
０のＳｎメッキとによるＳｎ−Ａｕ合金等が過剰発生す
ることがない。これで、バンプ部１５周りにバブル（合
金ボール）が付着したり、バンプ部１５のＡｕメッキの
Ａｕが無電解Ｓｎメッキ中に拡散したり（Ａｕ食われ）
等のトラブルは生じない。

【００２７】

【実施例】図１ないし図２２は、本発明に係るフリップ
チップボンディング用のテープ形ＣＳＰの製造方法の工
程順、およびそれにより製造されたテープ形ＣＳＰの実
施例を示すものであるが、図では厚みを誇張して示して
ある。また図示例では、半導体チップがフェイスダウン
型のものを示しており、フェイストップ（アップ）型の
ものでは上下が逆になる。

【００２８】図１ないし図１１、および図２２は、表面
に接着剤付きのポリイミド樹脂製テープ１に銅箔４をラ
ミネートした３層構造のものに関し、図１２ないし図２
１は予め銅箔がラミネートされた樹脂製テープ１を用い
る２層構造のものに関する。

【００２９】まず図１は、表面に接着剤３が塗布された
ポリイミド樹脂製テープ１を、パンチングによりハンダ
ボール接合用孔２が形成された状態を示す。ポリイミド
樹脂製テープ１の厚みは通常５０〜１２５μｍのものが
用いられるが、ここでは５５μｍのものを用いており、
接着剤３の厚みは１２μｍ程度のものを用いている。

【００３０】次に図２で示す如く、上記図１で示したポ
リイミド樹脂製テープ１の表面の接着剤３に、銅箔４を
ラミネートする。また図１３は、予め銅箔がラミネート
された樹脂製テープ１で、レーザーによりハンダボール
接合用孔２が形成されたものを示す。銅箔４の厚みは通
常１８μｍまたは２５μｍのものが用いられるが、ここ
では１８μｍのものを用いている。

【００３１】次に図３や図１３で示す如く、上記図２や
図１２で示したものの銅箔４に、Ｓｎ等メッキとしてこ
こではＳｎ合金メッキ（＝ハンダメッキ）５を施す。ま
たここでは銅箔４の表・裏両面にＳｎ合金メッキ５を施
しており、このＳｎ合金メッキ５の厚みは上記の如く通
常５〜１０μｍ程度であるが、ここでは７μｍとしてい
る。この膜厚を厚くするため、銅箔４表面にＳｎメッキ
を無電解で行うのと異 なり、ここでは一般的な電解メッ
キで行えばよい。このＳｎ合金メッキ５は、銅箔４裏面
にだけ施してもよく、その際には銅箔４表面をマスキン
グしてメッキ処理すればよい。Ｓｎ合金メッキ５の代わ
りにＳｎメッキにしてもよいことは上記のとおりであ
る。

【００３２】次に図４や図１４で示す如く、上記図３や
図１３で示したものの裏面に、マスキング材としてここ
では機械的に剥離可能なソルダーレジスト膜６を貼付し
て、裏止めする。このソルダーレジスト膜６により、ハ
ンダボール接合用孔２が覆われ、上記銅箔４の裏面が遮
蔽される。このマスキング材６は、ソルダーレジスト膜
の代わりに、テープやドライフィルムを用いてもよいこ
とは上記のとおりである。

【００３３】次に図５や図１５で示す如く、上記図４や
図１４で示した銅箔４表面のＳｎ合金メッキ５を、剥離
する。これで、銅箔４表面は全体が露呈されるが、裏面
は上記の如くマスキング材のソルダーレジスト膜６で遮
蔽されたままである。このＳｎ合金メッキ５の剥離は、
従来法と同じように行えばよい。なお図示は省略する
が、先のＳｎ合金メッキ５を銅箔４裏面にのみ施した場
合は、そのメッキの際に銅箔４表面に形成してあるマス
キングを剥離すればよいが、マスキングして銅箔４表面
にメッキをするよりも、ここでのように表・裏面共にメ
ッキをしておき、それを剥離する方が製造上簡単で便利
である。

【００３４】次に図６や図１６で示す如く、上記図５や
図１６で示したものの銅箔４表面にフォトレジスト膜７
を形成し、リード部やパッド部等のパターンを露光し、
現像する。このフォトレジスト膜７はネガ型でもポジ型
でもよいが、ここでは精度がよいとされるポジ型を用い
ている。上記現像処理に際して、上記で樹脂製テープ１
裏面に貼付したマスキング材としてのソルダーレジスト
膜６が、現像液から銅箔４裏面のＳｎ合金メッキ５を保
護し汚染を防止している。

【００３５】次に図７や図１７で示す如く、上記図６や
図１６で示したものをエッチング処理する。このエッチ
ング処理も、従来法と同じように塩化第二鉄の溶液を剥
離液として行えばよく、これで銅箔４表面に、フリップ
チップボンディング用のパッド部やリード等のパターン
８が形成される（図８・図１８参照）。このエッチング
処理に際して本発明では、樹脂製テープ１裏面に貼付し
たマスキング材としてのソルダーレジスト膜６が、エッ
チング液から銅箔４裏面のＳｎ合金メッキ５を保護し
て、汚染・浸食を防止している。

【００３６】次に図８や図１８で示す如く、上記図７や
図１７で示したもののフォトレジスト膜７を剥離する。
このフォトレジスト膜７の剥離も、ここでは従来法と同
じように剥離液に１〜２パーセントの薄いカセイソーダ
溶液を用いて行っている。これで樹脂製テープ１表面に
は、ボンディング用パッド部やリード部のパターン８と
なった銅箔４が露呈するが、樹脂製テープ１裏面のマス
キング材としてのソルダーレジスト膜６が、剥離液から
銅箔４裏面のＳｎ合金メッキ５を保護して、汚染・浸食
を防止している。

【００３７】次に図９や図１９で示す如く、上記図８や
図１８で示したものに、ここでは無電解でＳｎメッキ９
を施し、銅箔４表面に露呈しているフリップチップボン
ディング用のパッド部１０等を形成する。この無電解Ｓ
ｎメッキ９の厚みは、上記の如く通常０．２０〜０．４
０μｍ程度が行われるが、ここでは０．３０μｍとして
ある。

【００３８】この無電解メッキ処理の際にも、樹脂製テ
ープ１裏面に貼付した上記のマスキング材としてのソル
ダーレジストインク６により、銅箔４裏面は遮蔽された
ままである。そのため、銅箔４裏面のＳｎ合金メッキ５
に、ここでの無電解Ｓｎメッキ９が付着することは防止
されており、この無電解のＳｎメッキ処理は何の問題も
なく行われることになる。

【００３９】次に図１０や図２０で示す如く、上記図９
や図１９で示した樹脂製テープ１裏面のマスキング材６
としてのソルダーレジストインク６を剥離することによ
り、銅箔４裏面にＳｎ合金メッキ５が施されたハンダボ
ール用パッド部１１が、ハンダボール接合用孔２から露
呈される。これで、フリップチップボンディング用のテ
ープ形ＣＳＰが形成されたことなる。

【００４０】その後は図１１や図２１、および図２２で
示す如く、上記図１０や図２０で示したテープ形ＣＳＰ
に、銅箔４表面のボンディング用パッド部１０には半導
体チップ１３がボンディングされ、また裏面のハンダボ
ール用パッド部１１には、ハンダボール用孔部２を経て
ハンダボール１４が係合・溶融されて接合される。

【００４１】上記実施例によるテープ形ＣＳＰの製造方
法やそれによるテープ形ＣＳＰによる作用は、上記発明
の実施の形態の欄で述べた通りであるから、ここでは省
略する。

【００４２】

【発明の効果】以上で明かな如く、本発明に係るフリッ
プチップボンディング用のテープ形ＣＳＰの製造方法で
は、Ｓｎ等メッキのパッド部へハンダボールを強力に接
合できるし、ボンディング用パッド部のＳｎメッキ処理
を無電解で問題なく行うことができ、シンプルな製造工
程により製造できるし、不良品発生も低減でき、かつコ
ストダウンを図ることもできる。

【００４３】即ち、本発明に係るフリップチップボンデ
ィング用のテープ形ＣＳＰの製造方法では、樹脂製テー
プ上の銅箔裏面に、ハンダボール係合用孔を介して露呈
するハンダボール用パッド部を形成する際に、該ハンダ
ボール用パッド部へＳｎ（またはＳｎ合金メッキ）を行
う工程を、銅箔表面でボンディング用パッド部やリード
部等のパターンを形成する前の段階で行っている。

【００４４】そのため本発明では、ａ）従来の銅箔表面
にリード部をもつパターンを形成後に、銅箔裏面のハン
ダボール用パッド部にＳｎ（Ｓｎ合金）メッキを行う方
法と異なり、微細なリード部を被覆するマスキングの必
要が無くなっており、テープ形ＣＳＰの製造をきわめて
容易かつ安く行うことができるようになる。

【００４５】ｂ）同じく、銅箔裏面のハンダボール用パ
ッド部へのＳｎ等メッキの工程を上記の段階で行うこと
により、銅箔表面のリード部やボンディングパッド部に
Ｓｎ等メッキが付着していないから、その後そのままで
剥離・洗浄等の工程を経ることなく、銅箔表面のリード
部やボンディングパッド部にＳｎメッキを無電解で行う
ことができるようになり、この面でも製造工程を簡単な
ものにできる。

【００４６】ｃ）また本発明では、銅箔裏面のハンダボ
ール用パッド部のＳｎ等メッキが、電解メッキにより膜
厚の厚くなっている。それゆえ、従来のような薄いＳｎ
等メッキにより、Ｃｕが拡散したＣｕ−Ｓｎ合金との接
合ではなく、パッド部の厚いＳｎ等メッキとハンダボー
ルのＳｎ合金間とが溶融し合っての接合となる。これに
より、ハンダボールの接合強度は大幅に向上しており、
かつハンダボールを接合させる際にフラックスを必ずし
も用いる必要がなくなる。

【００４７】ｄ）さらに、銅箔表面のボンディング用パ
ッド部等への無電解Ｓｎメッキは、裏面のハンダボール
用パッド部がマスキング材で裏止め被覆された状態で行
われるから、ハンダボール用パッド部のＳｎ等メッキの
表面が無電解メッキ時の薬品で汚染されることは無くな
る。加えて、銅箔表面のボンディング用パッド部は、無
電解によるＳｎメッキで行われているから、膜厚も薄く
できてボンディング時に半導体チップのバンプ部との間
でバブルの発生やＡｕ食われ等が生じることがない。

【００４８】 ｅ）しかも、上記の如く樹脂製テープ１裏
面のマスキング材に、テープ、ドライフィルムまたは剥
離可能なソルダーレジスト膜を用いているので、従来の
マスキング用インクを印刷した場合と異なり、マスキン
グ材の境界の精度が向上するし、それらは剥離可能であ
るから、上記インクを例えばカセイソーダ溶液で剥離す
るのと異なり、銅箔表面のボンディング用パッド部のＳ
ｎメッキや、裏面のハンダボール用パッド部のＳｎ等メ
ッキが、剥離用液で汚されることを防止でき、 この点か
らもハンダボールの接合が強力に行えることになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るテープ形ＣＳＰの製造方法の実施
例で用いる樹脂製テープの拡大断面図である。

【図２】図１で示した樹脂製テープの表面に銅箔をラミ
ネートした状態の拡大断面図である。

【図３】図２で示したものの銅箔にＳｎ等メッキを施し
た状態の拡大断面図である。

【図４】図３で示したものの裏面にマスキング材を設け
た状態の拡大断面図である。

【図５】図４で示したものの表面のＳｎ等メッキを剥離
した状態の拡大断面図である。

【図６】図５で示したものの表面の銅箔にフォトレジス
ト膜を形成し、露光・現像した状態の拡大断面図であ
る。

【図７】図６で示したものをエッチングした状態の拡大
断面図である。

【図８】図７で示したもののフォトレジスト膜を剥離し
た状態の拡大断面図である。

【図９】図８で示したもののに無電解Ｓｎメッキを施し
た状態の拡大断面図である。

【図１０】図９で示したものの裏面のマスキング材を剥
離した状態を示す拡大断面図である。

【図１１】本発明の製造方法によるテープ形ＣＳＰの実
施例を示す拡大断面図である。

【図１２】本発明に係るテープ形ＣＳＰの他の製造方法
の実施例で用いる銅箔付き樹脂製テープの拡大断面図で
ある。

【図１３】図１２で示したものにＳｎ等メッキを施した
状態の拡大断面図である。

【図１４】図１３で示したものの裏面に、マスキング材
を貼付した状態の拡大断面図である。

【図１５】図１４で示したものの銅箔表面のＳｎ等メッ
キを剥離した状態の拡大断面図である。

【図１６】図１５で示したものの銅箔表面にフォトレジ
スト膜を形成し、露光・現像した状態の拡大断面図であ
る。

【図１７】図１６で示したものをエッチング処理した状
態の拡大断面図である。

【図１８】図１７で示したもののフォトレジスト膜を剥
離した状態を示す拡大断面図である。

【図１９】図１８で示したものに無電解Ｓｎメッキを施
した状態の拡大断面図である。

【図２０】図１９で示したものの裏面のマスキング材を
剥離した状態を示す拡大断面図である。

【図２１】本発明の製造方法によるフリップチップボン
ディング用テープ形ＣＳＰの他の実施例を示す拡大断面
図である。

【図２２】本発明の製造方法によるテープ形ＣＳＰで、
半導体チップをフリップチップボンディングで搭載し、
ハンダボールを接合した状態の拡大断面図である。

【図２３】従来のテープ形ＣＳＰで、半導体チップをフ
リップチップボンディングで搭載し、ハンダボールを接
合した状態の拡大断面図である。

【符号の説明】

１−樹脂製テープ ２−ハンダボール接合用孔 ３−接着剤 ４−銅箔 ５−Ｓｎ等メッキ ６−マスキング材 ７−フォトレジスト膜 ８−パターン ９−無電解Ｓｎメッキ １０−ボンディング用パッド部 １１−ハンダボール用パッド部 １３−半導体チップ １４−ハンダボール １５−バンプ部

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】樹脂性テープ１の表面の銅箔４表面にボン
   ディング用パッド部１０を、裏面にハンダボール用パッ
   ド部１１をもつテープ形ＣＳＰの製造方法において、 上記銅箔４を洗浄後で、銅箔４表面の全体にフォトレジ
   スト膜７を形成する前の段階で、 少なくとも銅箔４の裏面にＳｎ等メッキ５を施し、次に 上記樹脂製テープ１の裏面からマスキング材６で裏
   止めすると共に、上記で銅箔４表面にもＳｎ等メッキ５
   を施した場合はそのＳｎ等メッキ５を剥離し、次に銅箔４表面の全体にフォトレジスト膜７を形成し
   て、露光・現像・エッチング後に剥離してパターン８を
   形成し、 次に銅箔４表面に無電解でＳｎメッキ９を行って、 ボン
   ディング用パッド部１０を形成し、 その後に樹脂製テープ１裏面の裏止め用マスキング材６
   を剥離して、銅箔４裏面のハンダボール用パッド部１１
   を露呈するようにした、テープ形チップサイズパッケー
   ジの製造方法。
2. 【請求項２】裏面からハンダボール接合用孔２が形成さ
   れ、表面に銅箔４が貼付された樹脂製テープ１を化学処
   理で清浄化した後に、 上記銅箔４の少なくとも裏面に電解メッキでＳｎ等メッ
   キ５を施し、 次に裏面をマスキング材６で裏止めして、先に表面にも
   Ｓｎ等メッキ５を施したものでは表面のＳｎ等メッキ５
   を剥離し、 次に銅箔４表面の全体にフォトレジスト膜７を塗布し
   て、パッド部等のパターンを露光・現像・エッチング
   し、 次にフォトレジスト膜７を剥離して銅箔４表面にパター
   ン８を形成し、 次に該パターン８に無電解Ｓｎメッキ９を施して、ボン
   ディング用パッド部を形成し、 その後に上記マスキング材６を剥離して、ハンダボール
   接合用孔２内に銅箔４ 裏面のＳｎ等メッキ５を露呈させ
   ることにより、 銅箔４表面に無電解Ｓｎメッキによるボンディング用パ
   ッド部１０を、裏面に電解メッキによるハンダボール用
   パッド部１１を形成するようにした 、テープ形チップサ
   イズパッケージの製造方法。