JP3038320B2 - 回路基板用窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents

回路基板用窒化アルミニウム焼結体の製造方法

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JP3038320B2
JP3038320B2 JP9059557A JP5955797A JP3038320B2 JP 3038320 B2 JP3038320 B2 JP 3038320B2 JP 9059557 A JP9059557 A JP 9059557A JP 5955797 A JP5955797 A JP 5955797A JP 3038320 B2 JP3038320 B2 JP 3038320B2
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    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板用窒化ア
ルミニウム焼結体の製造方法に関し、詳しくは、焼結ム
ラや色ムラの少ない窒化アルミニウムセラミックスを低
温焼結によって製造する回路基板用窒化アルミニウム焼
結体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電子回路は主に、IC等の素子、基板及
び配線によって構成される。近年、電子回路の高速化、
小型化及び大出力化が進み、素子の発熱量が無視できな
い大きな値となってきた。これに対応するために、高熱
伝導性の窒化アルミニウム(AlN)セラミックスから
なる回路基板が開発され、その生産量は年々増大しつつ
ある。しかし、AINセラミックスが回路基板として優
れた特性を有しているにも関わらず、依然としてセラミ
ックス基板の主流はアルミナ製である。これについて
は、いくつかの要因が挙げられているが、最大の問題は
コスト高である。具体的には、原料粉末の高価格、アル
ミナより高い焼結温度によるエネルギー費の高さ、後加
工が割高なこと等が要因として挙げられる。
【0003】このような状況において、AIN焼結体に
関する多くの改良が試みられている。例えば、熱伝導率
の向上や焼結性の改良に関わる添加物に関しては、特開
昭61−117160号公報や特開昭61−20995
9号公報においては希土類及び/又はアルカリ土類の添
加が示されており、特開昭62−153173号公報に
は希土類及び/又はアルカリ土類と遷移金属化合物との
添加が提案されている。更に、1991年5月の日本セ
ラミックス協会年会では、実験室レベルにおいて140
0℃−96時間の焼結条件でAlN焼結体が得られるこ
とが発表されている。このような研究の成果として、当
初1800℃以上の温度がAINの焼結に必要とされて
いたものが、実験室レベルで1600℃−6時間前後の
条件での焼結が可能になっている。
【0004】焼結温度の低下を可能にする方法に関して
は、AIN粉体の特性や添加物の組成等を含み製造プロ
セス等全般を視野に入れながら考える必要がある。一般
に、微細で粒度分布の小さいAIN粉は低温焼結に適し
ているが、酸素不純物の増加や嵩高さの問題がある。一
方、低温焼結用の添加物としては、希土類元素とアルカ
リ土類元素の併用の他、フッ化物、ホウ化物及びアルカ
リ金属化合物などが知られている。しかしながら、希土
類とアルカリ土類との併用だけでは低温且つ短時間での
焼結で充分に緻密化しない。又、フッ化物系の添加物を
用いると、焼結体表面に異物層が堆積するため、後加工
無しには使用できない。更に、ホウ素を含む化合物を用
いると、導体成分としてのタングステンと反応して電気
抵抗の高いホウ化タングステンが生成する。また、アル
カリ金属化合物を添加すると、焼結体の熱伝導率の低下
や、電気抵抗の変化が生じるなどの問題がある。
【0005】従って、実際に量産時の条件に近い方法を
想定して検討すると、焼結体特性にバラつきが大きい、
二次加工が避けられない、焼結時間が6時間以上と長す
ぎるなど、いまだにAIN焼結体の製造コストが高いと
いう問題は解消されていないのが実状である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、これらの状
況に鑑みて成されたもので、安定した特性を有するAl
N焼結体の製造を低温且つ短時間の焼結で可能にするこ
とによって製造コストを低下することを目的としてい
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係る回路基板用
窒化アルミニウム焼結体の製造方法は、アルカリ土類金
属元素及び希土類元素を含む添加物と窒化アルミニウム
粉末とを用いて、成形体密度が2.0g/cm3 以上で該
窒化アルミニウム100重量部に対して該添加物を酸化
物換算で1.0〜9.9重量部の割合で含有する成形体
を調製し、該成形体を1550℃以上で焼結する。
【0008】上記成形体の調製は、溶剤に含まれた溶液
状態の上記添加物を上記窒化アルミニウムの粉末と混合
した後に該溶剤を除去することによって得られる混合粉
末を圧縮成形する工程を有し、上記添加物のアルカリ土
類金属元素及び希土類元素を含む化合物は、各々、硝酸
塩、アルコキシド及びゾルからなる群より選ばれ、該溶
剤は極性溶剤である。
【0009】上記窒化アルミニウムの粉末は比表面積が
3.0〜4.0m2 /gであり、上記成形体は、アルカ
リ金属化合物、弗素化合物およびホウ素含有化合物を含
まない。
【0010】又、本発明に係る回路基板用窒化アルミニ
ウム焼結体の製造方法は、硝酸塩、アルコキシド及びゾ
ルからなる群より選ばれる極性溶剤に溶解した状態のア
ルカリ土類金属添加物及び希土類添加物を、窒化アルミ
ニウム粉末、遷移金属成分及びバインダー粉末と混合し
た後に該極性溶剤を除去して、該窒化アルミニウム10
0重量部に対して該添加物を酸化物換算で1.0〜9.
9重量部、該遷移金属成分を元素換算で0.05〜1.
1重量部の割合で含有する混合粉末を得る工程と、該混
合粉末を圧縮成形した後に加熱によりバインダーを除去
して成形体密度が2.0g/cm3 以上の成形体を調製す
る工程と、該成形体を1550〜1600℃で焼結する
工程とを有する。
【0011】
【発明の実施の形態】通常、AlN焼結体を得るために
は、AlN粉末にバインダー粉末及び所望の添加剤を加
えた混合粉を調製し、これを圧縮成形した後に成形体を
加熱して脱バインダー及び焼結を行う。この場合、焼結
温度は1800℃以上とする必要があり、焼結温度を下
げると成形体の緻密化が進行し難くなる。このため、従
来の技術においては、焼結助剤などの添加剤の使用によ
る焼結温度の低下が試みられているが、プラント規模で
1600℃以下の低温焼結によって緻密なAlN焼結体
が得られる程に効果的なものは見られない。本発明者ら
は、低温焼結より緻密なAlN焼結体を得るために、焼
結前の原料粉末の圧縮成形の工程に着目し、試行錯誤を
行った結果、成形体密度(green density、圧縮成形及
び脱バインダーを行った後あるいは焼結前における成形
体の密度)が2.0g/cm3 以上となるように原料粉末
を成形することによって、焼結温度1600℃以下且つ
焼結時間2時間以内の焼結条件でも緻密なAlN焼結体
が得られ、プラント規模でも焼結体の熱伝導率及び強度
は満足な値を示すことを見出した。
【0012】成形圧や原料AlN粉末の選択によって成
形体密度が2.0g/cm3 以上のAlN成形体をプラン
ト規模の操作で得るのはかなり難しい。本発明では、A
lN粉末と添加物との混合を、AlN粉末の分散性がよ
い溶剤に添加物を溶解させた溶液状態で行うことによっ
て、混合粉の充填率を向上させて成形体密度を2.0g
/cm3 以上に高めることを容易にする。具体的には、添
加剤の少なくとも一部を溶剤に溶解させてAlN粉末と
混合し、混合後に溶剤を混合粉末から除去することによ
って混合粉末の充填率を改善する。
【0013】以下、本発明に係るAlN焼結体の製造方
法の好適な実施形態について詳細に説明する。
【0014】本発明では、BET比表面積が3.0〜
4.0m2 /gのAIN粉を用いるのが好ましい。3.
0m2 /g未満では粒度が粗すぎて低温での焼結が困難
になる。4.0m2 /gを超えると嵩高くなり、湿式混
合などの際に多くの有機溶媒やバインダーを必要とした
り、脱バインダー後の残炭素量が多くなって焼結を困難
にするなどの問題が生じる。また、AlN粉の不純物酸
素量は、好ましくは0.60〜2.20重量%、より好
ましくは0.90〜1.80重量%のものが用いられ
る。
【0015】AlN粉末は、以下に述べるような無機添
加物及びバインダーと混合するが、本発明においては、
添加物をAlN粉末と混合させる際に溶剤が使用され
る。この溶剤には、AlN粉末の分散性が良い溶剤が使
用される。AlN粉末の分散性は極性の溶剤において良
好であり、例えば、メタノール、エタノール、プロパノ
ール、ブタノール等のアルコール系溶剤;アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン系溶剤;酢酸エチル等のエ
ステル系溶剤などが使用され、特殊な表面処理を施した
場合にのみ水系溶剤が使用される。
【0016】本発明で用いる無機添加物は、アルカリ土
類金属成分及び希土類成分を含み、これらの成分は、焼
結助剤、高熱伝導率化剤として機能する。これらの成分
は上述の溶剤に溶解した液相状態でAlN粉末と混合す
るので、上記溶剤に溶解する形態である必要がある。こ
のため、硝酸塩、塩化物、アルコキシド、ゾル等の形態
のものを使用する。例えば、硝酸イットリウム(Y(N
33 ・6H2 O)、硝酸カルシウム(Ca(NO
32 ・4H2 O)、エタノール等のアルコールを分散
媒としたイットリウムゾル、イットリウムアルコキシド
などが好ましい。ゾルは、厳密に言えば溶液とは若干異
なるが、本発明における混合粉末の充填率の向上の点に
おいてゾルも同様の効果を有する溶液であるので、本発
明で用いる溶液に含まれるものである。これらの添加物
の総量は、AlN粉末100重量部に対して酸化物換算
で1.0〜9.9重量部となるように設定する。1.0
重量部未満であると十分な添加効果が得られず、9.9
重量部を越えると熱伝導率の低下が著しい。これらの添
加物の粉末の少なくとも一部、望ましくは全量を、適量
の上述した溶剤に投入して液相を形成し、AlN粉末と
混合する。ゾルについてはそのままAlN粉末と混合す
ることができる。
【0017】本発明では、上述の添加物に加えて、T
i,Nb,Zr,Ta,W,Mo,Cr,Fe,Co,
Niなどの遷移金属成分を添加することができる。遷移
金属成分は、焼結ムラや色ムラ等のムラ抑制、及び、焼
結体の黒色化の作用を有する。又、AlN焼結体の機械
的強度及び輻射性も向上させる。遷移金属成分は、例え
ば、酸化物、窒化物、炭化物、酸炭化物、酸窒化物など
の金属化合物として添加することができる。特に、焼結
体中で導電性を有する化合物であることが望ましい。か
かる導電性を有する遷移金属化合物としては、例えば、
W及びMoのメタルや、Zr,Ti,Nb,Taから選
ばれる元素の窒化物または炭化物を挙げることができ
る。遷移金属成分の添加量は、AlN粉末100重量部
に対して酸化物換算で0.05〜1.1重量部であるこ
とが望ましい。1.1重量部を越えると電気的特性が劣
化する恐れがあり、0.05重量部未満では十分な添加
効果が得られない。遷移金属成分とAlN粉末との混合
は、前述のアルカリ土類金属成分及び希土類成分からな
る添加物の溶液と同時で行っても個別に行ってもよい。
アルカリ土類金属成分及び希土類成分の溶液に遷移金属
成分を分散してAlN粉末と混合すると効率がよい。
【0018】更に、必要に応じて、通常の粉末冶金技術
において用いられる各種添加物を常法に従って用いても
よい。但し、弗素化合物、アルカリ金属成分及びホウ素
化合物は添加しない。弗素化合物は、AlN焼結体の表
面に酸化物からなる表面層を生じさせ、アルカリ金属は
AlN焼結体の絶縁性を低下させる。又、ホウ素化合物
は、導体成分としてタングステン成分を用いた場合に、
これと反応してホウ化タングステンを生成し、AlN焼
結体の導電性を低下させる。
【0019】又、上述したAlN混合粉末の成形性を向
上させるために、本発明においてはバインダーが用いら
れる。バインダーとしては、例えば、ブチラール系、ア
クリル系、メタクリル系、PVB系などのバインダーが
使用される。バインダーの添加量は、使用するAlN粉
末の粒度によっても異なるが、上記添加物とAlN粉末
との混合粉末の総量に対して2〜12重量%、より好ま
しくは4〜10重量%である。バインダーは、例えばエ
タノール、1−ブタノール等のアルコール系などのAl
N粉の分散性が良い溶剤を用いてAlN粉末に分散させ
るのが好ましい。キシレンなどの分散性が悪い溶剤を用
いるのは好ましくない。上述の添加物とAlN粉末との
混合物にバインダーを添加する際にキシレンなどの分散
性が悪い溶剤を用いると、分散していた添加物が凝集
し、混合粉末の圧縮性を低下させる。又、バインダーの
分散も十分に行われない。従って、アルコール等を用い
て上記の添加物をAlN粉末に十分に分散させた後であ
っても、添加物を溶解しない溶剤の使用は避けなければ
ならない。換言すれば、圧縮成形を行う最終組成の混合
粉末を得る際の混合操作において上述のような極性溶剤
を用いることが肝要である。
【0020】上記添加物及びバインダーを混合したAl
N混合粉末は、用いた溶剤を除去して造粒した後に、圧
縮成形を行う。本発明においては、100〜500MP
a程度の成形圧で圧縮成形することによって成形体密度
が2.0g/cm3 以上の成形体が得られる。成形工程は
複数回に分けて行ってもよく、例えば、一旦シート状に
成形した後に再度プレスすることによって密度を高めて
成形体密度(脱バインダー後の密度)が2.0g/cm3
以上となるように設定してもよい。
【0021】混合粉末を圧縮成形して得た成形体は、加
熱により脱バインダーを行う。脱バインダーは通常、最
高温度1000℃以下の温度に加熱することによって達
成される。AlN混合粉末中にタングステンやモリブデ
ンなどの導体金属が含まれていない場合は、酸素を含む
雰囲気中で加熱して脱バインダーを行うことができる
が、含まれている場合には非酸化性雰囲気中で加熱す
る。非酸化性雰囲気としては、窒素、アルゴン等の不活
性なガスや、これらに水素、炭酸ガスなどを含んだもの
等を使用することができる。AlN混合粉末中に導体金
属が含まれていない場合は、加熱温度を最高500℃ま
でとすることが望ましい。
【0022】脱バインダー後の成形体は、焼結容器に収
容し、非酸化性雰囲気中で1550〜1600℃の温度
で焼結する。焼結時の雰囲気圧力は0.01〜10.0
気圧で行われる。非酸化性雰囲気には前述と同様のもの
が使用できる。焼結容器としては、AlN、BN、アル
ミナ等の耐熱性材料で形成されたものが用いられ、カー
ボン、タングステン、モリブデン等を用いて製作された
ヒーターを具備する焼結炉が用いられる。焼結スケジュ
ールは、最高温度まで単調に昇温しても段階的に昇温し
てもよく、必要に応じて適宜選択する。得られたAlN
焼結体は、必要に応じてトリミング等の後処理を施して
もよい。
【0023】本発明に従って脱バインダー後の成形体密
度が2.0g/cm3 以上となった成形体は、1550〜
1600℃の温度で焼結することによって、十分緻密化
されたAlN焼結体となり、焼結に要する時間も2時間
程度まで短縮することができる。得られるAlN焼結体
の熱伝導率は100〜120W/mKとなり、4点曲げ
強度も300MPa以上の平均値を示す。従って、本発
明に従って製造されるAlN焼結体は、高温高強度材や
ヒートシンクとして使用したり、メタライズして各種回
路基板として使用することができる。例えば、DBG、
QFP、PGA、BGA、DIP、薄膜、厚膜などの電
気または電子回路の基板に用いることができる。本発明
のAlN焼結体を回路基板の絶縁部分の形成に使用する
と、回路基板は優れた熱方散性や機械強度を備え、導体
層での剥離や断線などの欠陥がなく、良好な回路性能を
発揮し得る。回路基板を形成する際に使用する導電材料
としては、W,Wo,Pt,Pd,Niなどが挙げられ
る。
【0024】回路基板は、例えば以下のような方法で製
造される。まず、AlN粉末及び上述の添加物にバイン
ダー及び溶媒を加えて充分に混練して所定の粘度のスラ
リーとする。この間に、AlN粉末及びバインダーの解
砕と添加物の溶解・分散とが進行する。得られたスラリ
ーを用いてドクターブレード法によってシートを形成し
た後、加熱乾燥して溶媒を除去しグリーンシートを得
る。次に、グリーンシートの少なくとも1面に、例えば
スクリーン印刷のような方法で導電ペーストを用いて所
定の回路パターンを形成する。この時、多層回路を形成
する場合には、層間の電気的接続を行うバイア用の穴を
あらかじめグリーンシートに設け、この穴に例えば圧入
法で導電ペーストを充填する。次に、前記の導体回路が
形成されたグリーンシートを非酸化性雰囲気中で加熱し
て導電ペースト中のバインダーを除去する。必要に応じ
て、さらに表面に回路パターンを形成し、熱間加圧して
グリーンシートの積層を行う。この後、グリーンシート
中のバインダーを非酸化性雰囲気中で加熱除去した後焼
結する。焼結後は、必要に応じてトリミングや薄膜や厚
い膜の回路形成や、外部電極を形成することができる。
【0025】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【0026】(実施例1)不純物酸素量0.9wt%、平
均粒径1.1μm、比表面積3.1m2 /gのAlN粉
95.7重量部に、純度99.5%の硝酸イットリウム
をY23 換算で3.0重量部、純度99.9%の硝酸
カルシウムをCaO換算で1.0重量部、及び、平均粒
径0.1μmで純度99.9%のWO3 をW換算で0.
3重量部加えて得られる混合粉体に、1−ブタノール1
50重量部を加え、湿式ボールミルにより解砕、混合し
た。この工程中、硝酸イットリウムと硝酸カルシウムは
1−ブタノールに溶解していた。この後、1−ブタノー
ルを除去して原料粉とした。続いて、この原料粉に、エ
タノール溶媒にブチラール系バインダーを含有するバイ
ンダー液をバインダー量が6重量部になる量を秤量して
添加した。更に、エタノールを除去し、造粒した後、一
軸加圧成形機を用いて200MPaで加圧成形して成形
体とした。この成形体を乾燥空気中500℃まで加熱し
てバインダーを除去した。脱バインダー後の成形体密度
は、2.02g/cm3 であった。脱バインダー後の成形
体を、AIN焼結体で製作された焼結容器中に収容し、
グラファイト製ヒータ炉を用いて、1気圧の窒素ガス雰
囲気中、1600℃で2時間焼結した。
【0027】得られた焼結体は黒色で、色ムラや焼きム
ラがなく、密度をアルキメデス法で測定したところ、
3.28g/cm3 と緻密化していた。この焼結体から、
直径10mm、厚さ3mmの円板を切り出し、21±2℃の
室温下で、JIS−R1611に従ってレーザーフラッ
シュ法により熱伝導率を測定したところ、115W/m
Kであった。また、JIS−R1601に従って4点曲
げ強度を測定したところ、平均値が315MPaであっ
た。
【0028】(比較例1)一軸加圧成形機による成形圧
力を50MPaに代えたこと以外は実施例1と同じ操作
を繰り返して成形体を得、同様に脱バインダーを行って
脱バインダー後の成形体密度を測定したところ、1.8
7g/cm3 であった。実施例1と同じ方法で焼結し、密
度を測定したところ、焼結体の密度は3.24g/cm3
と充分に緻密化していなかった。又、熱伝導率も107
W/mKと低かった。
【0029】(比較例2)実施例1で用いたAlN粉9
5.7重量部に対して、純度99.9wt%で平均粒径
0.4μmのY23 を3.0重量部、純度99.9%
で平均粒径0.5μmのCaCO3 をCaO換算で1.
0重量部、平均粒径0.1μmで純度99.9wt%のW
3 をW換算で0.3重量部加えて得られる混合粉体
に、1−ブタノール150重量部を加え、湿式ボールミ
ルにより解砕、混合した後、1−ブタノールを除去して
原料粉とした。続いて、この原料粉にアクリル系バイン
ダーとキシレン溶媒からなるバインダー液をバインダー
が6重量部になるように秤量して添加した。キシレンを
除去し、造粒した後、実施例1と同じ方法で加圧成形
し、脱バインダーした。成形体密度を測定したところ、
1.91g/cm3 であった。脱バインダーした成形体を
AlN焼結体製の焼結容器中に収容し、グラファイト製
ヒート炉を用いて、1気圧の窒素ガス雰囲気中、160
0℃で2時間焼結した。
【0030】実施例1と同じ方法で評価したところ、得
られた焼結体は密度3.18g/cm3 と緻密化不充分
で、熱伝導率も105W/mKと低かった。
【0031】(比較例3)実施例1で用いたAlN粉9
5.7重量部に対して、純度99.9wt%で平均粒径
0.4μmのY23 を3.0重量部、純度99.9%
で平均粒径0.5μmのCaCO3 をCaO換算で1.
0重量部、平均粒径0.1μmで純度99.9wt%のW
3 をW換算で0.3重量部加えて得られる混合粉体
に、1−ブタノール150重量部を加え、湿式ボールミ
ルにより解砕、混合した後、1−ブタノールを除去して
原料粉とした。続いて、この原料粉にブチラール系バイ
ンダーとエタノール溶媒からなるバインダー液をバイン
ダーが6重量部になるように秤量して添加した。エタノ
ールを除去し、造粒した後、実施例1と同じ方法で加圧
成形し、脱バインダーした。成形体密度を測定したとこ
ろ、1.90g/cm3 であった。脱バインダーした成形
体をAlN焼結体製の焼結容器中に収容し、グラファイ
ト製ヒート炉を用いて、1気圧の窒素ガス雰囲気中、1
600℃で2時間焼結した。
【0032】実施例1と同じ方法で評価したところ、得
られた焼結体は密度3.17g/cm3 と緻密化不充分
で、熱伝導率も103W/mKと低かった。
【0033】(比較例4)実施例1で用いたAlN粉9
5.7重量部に対して、純度99.5wt%の硝酸イット
リウムをY23 換算で3.0重量部、純度99.9%
の硝酸カルシウムをCaO換算で1.0重量部、平均粒
径0.1μmで純度99.9wt%のWO3をW換算で
0.3重量部加えて得られる混合粉体に、1−ブタノー
ル150重量部を加え、湿式ボールミルにより解砕、混
合した後、1−ブタノールを除去して原料粉とした。続
いて、この原料粉にアクリル系バインダーとキシレン溶
媒からなるバインダー液をバインダーが6重量部になる
ように秤量して添加した。キシレンを除去し、造粒した
後、実施例1と同じ方法で加圧成形し、脱バインダーし
た。成形体密度を測定したところ、1.88g/cm3
あった。脱バインダーした成形体をAlN焼結体製の焼
結容器中に収容し、グラファイト製ヒート炉を用いて、
1気圧の窒素ガス雰囲気中、1600℃で2時間焼結し
た。
【0034】実施例1と同じ方法で評価したところ、得
られた焼結体は密度3.16g/cm3 と緻密化不充分
で、熱伝導率も101W/mKと低かった。
【0035】(比較例5)実施例1で用いたAlN粉9
5.7重量部に対して、純度99.5wt%の硝酸イット
リウムをY23 換算で3.0重量部、純度99.9%
の硝酸カルシウムをCaO換算で1.0重量部、平均粒
径0.1μmで純度99.9wt%のWO3をW換算で
0.3重量部加えて得られる混合粉体に、キシレン16
0重量部を加え、湿式ボールミルにより解砕、混合した
後、キシレンを除去して原料粉とした。続いて、この原
料粉にアクリル系バインダーとキシレン溶媒からなるバ
インダー液をバインダーが6重量部になるように秤量し
て添加した。キシレンを除去し、造粒した後、実施例1
と同じ方法で加圧成形し、脱バインダーした。成形体密
度を測定したところ、1.83g/cm3 であった。脱バ
インダーした成形体をAlN焼結体製の焼結容器中に収
容し、グラファイト製ヒート炉を用いて、1気圧の窒素
ガス雰囲気中、1600℃で2時間焼結した。
【0036】実施例1と同じ方法で評価したところ、得
られた焼結体は密度3.10g/cm3 と緻密化不充分
で、熱伝導率も99W/mKと低かった。
【0037】(実施例2)不純物酸素量1.3wt%、平
均粒径1.3μm、比表面積3.5m2 /gのAlN粉
96.65重量部に対して、Y23 が2.29重量部
となる量のイットリウムゾル(容量100ml中に50
gの割合でY23 がエタノール分散媒に含まれる)、
純度99.9%の硝酸カルシウムをCaO換算で0.7
6重量部、平均粒径0.1μmで純度99.9%のWO
3 をW換算で0.3重量部を加えて得られる混合粉体
に、エタノールを140重量部加え、湿式ボールミルに
より解砕、混合した後、エタノールを除去して原料粉と
した。続いて、この原料粉にブチラール系バインダーと
エタノール溶媒からなるバインダー液をバインダーが6
重量部になるように秤量して添加した。エタノールを除
去し、造粒した後、200MPaの一軸加圧下で成形し
た圧粉体とした。この圧粉体を乾燥空気中で500℃ま
で加熱してバインダーを除去した。脱バインダー後の成
形体密度は2.12g/cm3 であった。脱バインダー後
の成形体をAlN焼結体製の焼結容器中に収容し、グラ
ファイト製ヒータ炉を用いて、1気圧の窒素ガス雰囲気
中、1600℃で2時間焼結した。
【0038】得られた焼結体は黒色で、色ムラや焼きム
ラがなく、実施例1と同じ方法で評価したところ、密度
は3.29g/cm3 と緻密化しており、熱伝導率は11
7W/mKであった。4点曲げ強度は平均値が318M
Paであった。
【0039】(実施例3)不純物酸素量1.8wt%、平
均粒径0.9μm、比表面積3.9m2 /gのAlN粉
93.71重量部に対して、純度99.5wt%の硝酸イ
ットリウムをY23 換算で4.49重量部、純度9
9.9wt%の硝酸カルシウムをCaO換算で1.50重
量部、平均粒径0.1μmで純度99.9wt%のWO3
をW換算で0.3重量部を加えて得られる混合粉体に、
1−ブタノール160重量部を加え、湿式ボールミルに
より解砕、混合した後、1−ブタノールを除去して原料
粉とした。続いて、この原料粉にブチラール系バインダ
ーとエタノール溶媒からなるバインダー液をバインダー
量が6重量部になるように秤量して添加した。エタノー
ルを除去し、造粒した後、500MPaの一軸加圧下で
成形した圧粉体を得た。
【0040】この圧粉体を乾燥空気中で500℃まで加
熱してバインダーを除去した。脱バインダー後の成形体
密度は2.18g/cm3 であった。脱バインダー後の成
形体をAlN焼結体製の焼結容器中に収容し、グラファ
イト製ヒータ炉を用いて、1気圧の窒素ガス雰囲気中、
1550℃で2時間焼結した。
【0041】得られた焼結体は黒色で、色ムラや焼きム
ラがなく、実施例1と同じ方法で評価したところ、密度
は3.29g/cm3 と緻密化しており、熱伝導率は11
3W/mKであった。4点曲げ強度は平均値が313M
Paであった。
【0042】(実施例4)実施例2と同じAlN粉9
6.65重量部に、純度99.5%の硝酸イットリウム
をY23 換算で2.29重量部、純度99.9wt%の
硝酸カルシウムをCaO換算で0.76重量、平均粒径
0.1μmで純度99.9wt%のTiO2 をTi換算で
0.3重量部を混合して得られる混合粉体に、更にアク
リル系バインダー6重量部と共にアルコール系溶媒14
0重量部中に分散し、粘度が約5000CPS のスリップ
を調整した。続いて、前記スリップをドクターブレード
法により約0.3mmの均一な厚さを有するグリーンシー
トを作製した。続いて、前記グリーンシートを所定の寸
法に裁断し、各グリーンシートに層間の電気的接続を得
るためのビアホールを形成した。径0.8μmのタング
ステン粒子を50wt%の割合で含有するタングステンペ
ーストを前記ビアホールに圧入して充填した。ビアホー
ルが形成されたグリーンシート上にタングステンペース
トをスクリーン印刷して、導体回路のパターンを形成し
た。
【0043】このような方法で得た各グリーンシートを
積層し、熱間プレスにより一体化した。その後、外形加
工を施し、窒素雰囲気中で最高温度700℃まで加熱し
て、バインダーを除去した。導体部分を含まないグリー
ンシートのみの部分の成形体密度を測定したところ、
2.01g/cm3 であった。脱バインダー後の積層物を
AlN焼結体製容器中に入れ、カーボン製ヒータを有す
る焼結炉を用いて、窒素雰囲気中、1600℃で2時間
で焼結することにより、半導体装置用のAlN焼結体製
パッケージを得た。
【0044】得られたパッケージは、反り、うねり、ク
ラックやフクレがなく、表面が平滑であり、形態を走査
型電子顕微鏡(SEM)で観察したところ、AlN層及
びW層は共に充分緻密化していた。
【0045】(実施例5)実施例4と同じ方法で得られ
た同じ組成のドクターシートを3枚熱間プレスで積層し
た後、窒素雰囲気中で最高温度700℃まで加熱して、
バインダーを除去した。脱バインダー後の積層物をAl
N焼結体製容器中に入れ、カーボン製ヒータを有する焼
結炉を用いて、窒素雰囲気中、1580℃で2時間焼結
した。得られたAlN焼結体を加工して35×35×
0.7mmの板を得た。この板を、空気中で1130℃で
3時間加熱して、焼結体板の表面に厚さ約2μmのα−
Al23 層を形成させた。続いて、前記焼結体板の一
面に酸素を400ppm 含有する銅板を接触させ、酸素を
7ppm 含有する窒素ガス雰囲気中で加熱して1070℃
で3分間保持して前記焼結体板と銅板とを接合させて回
路基板とした。得られた回路基板の接合界面を観察した
ところ、強固に接合されており、ピール強度を測定した
ところ、9kgf/cmと高い強度を示した。
【0046】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、1
550〜1600℃の低温域での焼結によって、焼きム
ラや色ムラが少なく安定した特性を有するAlN焼結体
が得られる。又、焼結時間を短縮でき、AIN焼結体の
製造コストの低減が可能になる。本発明によって得られ
るAlN焼結体を用いることで、性能及び信頼性が大き
く向上した高速用、大パワー用の半導体装置を低コスト
で製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上野 文雄 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式 会社東芝 研究開発センター内 (56)参考文献 特開 平8−81264(JP,A) 特開 平4−104961(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C04B 35/581 - 35/5835

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルカリ土類金属元素及び希土類元素を
    含む添加物を、硝酸塩、アルコキシド及びゾルからなる
    群より選ばれる形態で極性溶剤に溶解した液相状態で
    化アルミニウム粉末、遷移金属成分及びバインダーと混
    合して該極性溶剤を除去することによって、窒化アルミ
    ニウム100重量部に対し酸化物換算で1.0〜9.
    9重量部の上記添加物及び元素換算で0.05〜1.1
    重量部の上記遷移金属成分を含有する混合粉末を得る工
    程と、該混合粉末を100〜500MPaで圧縮成形し
    た後に加熱によりバインダーを除去して成形体密度が
    2.0g/cm 3 以上の成形体を調製する工程と、該成形
    体を1550〜1600℃で焼結する工程とを有する
    とを特徴とする回路基板用窒化アルミニウム焼結体の製
    造方法。
  2. 【請求項2】 前記窒化アルミニウム粉比表面積
    は、3.0〜4.0m2 /gであり、前記成形体は、ア
    ルカリ金属化合物、弗素化合物及びホウ素含有化合物を
    含まないことを特徴とする請求項記載の製造方法。
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