JP3037222B2 - Bga型半導体装置 - Google Patents
Bga型半導体装置Info
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、BGA(ボールグ
リッドアレイ)型半導体装置に関し、特にパッケージ部
に半田ボールを接続するBGA型半導体装置に関する。
リッドアレイ)型半導体装置に関し、特にパッケージ部
に半田ボールを接続するBGA型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体チップを樹脂またはセラミ
ック等で封止した半導体装置は、リードフレームを用い
て外部リードをパッケージ部から導出させ、実装の際
は、この外部リードをプリント基板等の実装基板に半田
付けする方法が一般的であった。しかし、最近は、外部
リードに代わってパッケージ部に半田ボールを格子状に
配置したBGA型半導体装置が用いられている。
ック等で封止した半導体装置は、リードフレームを用い
て外部リードをパッケージ部から導出させ、実装の際
は、この外部リードをプリント基板等の実装基板に半田
付けする方法が一般的であった。しかし、最近は、外部
リードに代わってパッケージ部に半田ボールを格子状に
配置したBGA型半導体装置が用いられている。
【0003】このBGA型半導体装置は、外部リードを
有する半導体装置に比べ実装面積が少なくてすむため、
高密度実装には適した構造といえる。しかし、図4の平
面図(a)、断面図(b)に示すように、パッケージ部
7に半田ボール1を搭載する際に、パッケージ部7に設
けられたランド2の形状が、半田ボール1とほぼ同じ大
きさの円形の凹部8からなるため、ランド2に塗布され
るフラックス3の逃げ道がなくなり、そのため半田ボー
ル1が浮き上がり、ランド2との接続性が悪いという問
題点があった。
有する半導体装置に比べ実装面積が少なくてすむため、
高密度実装には適した構造といえる。しかし、図4の平
面図(a)、断面図(b)に示すように、パッケージ部
7に半田ボール1を搭載する際に、パッケージ部7に設
けられたランド2の形状が、半田ボール1とほぼ同じ大
きさの円形の凹部8からなるため、ランド2に塗布され
るフラックス3の逃げ道がなくなり、そのため半田ボー
ル1が浮き上がり、ランド2との接続性が悪いという問
題点があった。
【0004】この問題点を緩和するために、図5の平面
図に示すように、回路基板6上に半田の流出用パターン
5を設けることにより、フラックスと半田という違いは
あるものの、この流出用パターン5を逃げ道とするとい
う技術が提案されている(実開昭64−16637号公
報)。
図に示すように、回路基板6上に半田の流出用パターン
5を設けることにより、フラックスと半田という違いは
あるものの、この流出用パターン5を逃げ道とするとい
う技術が提案されている(実開昭64−16637号公
報)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の問題点は、従
来の円形凹部形状のランドでは、半田ボールの接続性が
悪いという点である。その理由は、ランド穴径が半田ボ
ールとほぼ同じ大きさの円形凹部形状であるため、半田
ボール搭載時に用いるフラックスの逃げ道がなく、半田
ボールが浮き上がるためである。
来の円形凹部形状のランドでは、半田ボールの接続性が
悪いという点である。その理由は、ランド穴径が半田ボ
ールとほぼ同じ大きさの円形凹部形状であるため、半田
ボール搭載時に用いるフラックスの逃げ道がなく、半田
ボールが浮き上がるためである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、BGA型半導
体装置において、パッケージ部に形成された半田ボール
を接続する凹部状のランド部に、フラックスの逃げ道と
なる溝あるいは広がり部を設けたことを特徴とするBG
A型半導体装置である。
体装置において、パッケージ部に形成された半田ボール
を接続する凹部状のランド部に、フラックスの逃げ道と
なる溝あるいは広がり部を設けたことを特徴とするBG
A型半導体装置である。
【0007】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明のB
GA型半導体装置の第1の実施の形態を示す図で、図
(a)は平面図、図(b)は断面図である。本発明の第
1の実施の形態は、半田ボール1を搭載するための凹部
形状のランド2をパッケージ部7に設け、このランド2
に、フラックスの逃げ道となるフラックス逃げ溝4を設
けた構造としている。このフラックス逃げ溝4は、ラン
ド2の側面に沿って、直交する方向に4個所設けてい
る。
て図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明のB
GA型半導体装置の第1の実施の形態を示す図で、図
(a)は平面図、図(b)は断面図である。本発明の第
1の実施の形態は、半田ボール1を搭載するための凹部
形状のランド2をパッケージ部7に設け、このランド2
に、フラックスの逃げ道となるフラックス逃げ溝4を設
けた構造としている。このフラックス逃げ溝4は、ラン
ド2の側面に沿って、直交する方向に4個所設けてい
る。
【0008】次に、このパッケージ部7の形成工程を、
図1を用いて具体的に説明する。パッケージ部7は樹脂
で形成され、樹脂モールド金型を使用して半導体チップ
の樹脂封止と同時に形成する。その際、ランド2となる
凹部8を同時に形成し、また、フラックス逃げ溝4も同
時に形成する。凹部8の底面部には、リードフレームな
どの配線パターンとなる導体部が露出しており、この導
体部と半田ボール1とがフラックスを介して接続され
る。
図1を用いて具体的に説明する。パッケージ部7は樹脂
で形成され、樹脂モールド金型を使用して半導体チップ
の樹脂封止と同時に形成する。その際、ランド2となる
凹部8を同時に形成し、また、フラックス逃げ溝4も同
時に形成する。凹部8の底面部には、リードフレームな
どの配線パターンとなる導体部が露出しており、この導
体部と半田ボール1とがフラックスを介して接続され
る。
【0009】この半田ボール1は、直径が0.15〜
0.75mm程度であり、必要に応じて任意の寸法を選
択する。また、ランド2の大きさは、半田ボール1が半
分程度入る深さおよび直径に形成される。この半田ボー
ル1を吸着体で吸引保持し、そのままフラックスに浸
し、フラックスを被着した状態でランド2内に装填す
る。次いで、パッケージ部7を加熱し、半田ボール1を
溶融してランド2に接合し、BGA型半導体装置を完成
する。
0.75mm程度であり、必要に応じて任意の寸法を選
択する。また、ランド2の大きさは、半田ボール1が半
分程度入る深さおよび直径に形成される。この半田ボー
ル1を吸着体で吸引保持し、そのままフラックスに浸
し、フラックスを被着した状態でランド2内に装填す
る。次いで、パッケージ部7を加熱し、半田ボール1を
溶融してランド2に接合し、BGA型半導体装置を完成
する。
【0010】本発明によれば、半田ボール1を搭載する
ランド2にフラックス逃げ溝4を設けているため、半田
ボール1を搭載する際にフラックス3が必要以上に付着
した場合においても、フラックス3が半田ボール1の側
面へ逃げやすくなり、フラックスにより半田ボールが浮
き上がって未接続となることがない。なお、第一の実施
の形態では、パッケージ部を樹脂モールドで形成する方
法により説明しているが、樹脂ではなくセラミックで形
成してもよく、この場合は、積層セラミックを用いてラ
ンド底面に配線パターンを露出させる。
ランド2にフラックス逃げ溝4を設けているため、半田
ボール1を搭載する際にフラックス3が必要以上に付着
した場合においても、フラックス3が半田ボール1の側
面へ逃げやすくなり、フラックスにより半田ボールが浮
き上がって未接続となることがない。なお、第一の実施
の形態では、パッケージ部を樹脂モールドで形成する方
法により説明しているが、樹脂ではなくセラミックで形
成してもよく、この場合は、積層セラミックを用いてラ
ンド底面に配線パターンを露出させる。
【0011】次に、本発明の第2および第3の実施の形
態に付いて、図面を参照して説明する。図2は、第2の
実施の形態のランド部を示す平面図である。図2に示す
ように、ランド2の形状を四角形の凹部とし、各角部側
面を円弧面9とし、この円弧面9を含む広がり部10を
設けてフラックスの逃げ部としたものである。図3は、
本発明の第3の実施の形態を示す平面図である。図3に
示すように、ランド2の形状は円形の凹部とし、この円
形凹部側面の少なくとも一部を円弧面9を設けて広げ、
この広がり部10をフラックスの逃げ部としたものであ
る。このように、ランド部におけるフラックスの逃げ部
として、第1の実施の形態では溝を設けたが、第2およ
び第3の実施の形態では、広がり部を設けることによっ
て溝と同様の効果を得る事ができる。
態に付いて、図面を参照して説明する。図2は、第2の
実施の形態のランド部を示す平面図である。図2に示す
ように、ランド2の形状を四角形の凹部とし、各角部側
面を円弧面9とし、この円弧面9を含む広がり部10を
設けてフラックスの逃げ部としたものである。図3は、
本発明の第3の実施の形態を示す平面図である。図3に
示すように、ランド2の形状は円形の凹部とし、この円
形凹部側面の少なくとも一部を円弧面9を設けて広げ、
この広がり部10をフラックスの逃げ部としたものであ
る。このように、ランド部におけるフラックスの逃げ部
として、第1の実施の形態では溝を設けたが、第2およ
び第3の実施の形態では、広がり部を設けることによっ
て溝と同様の効果を得る事ができる。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、BGA型半導体装置の
ランド部にフラックスの逃げ部となる溝または広がり部
を設けたので、半田ボールの接続性を向上させることが
可能となった。
ランド部にフラックスの逃げ部となる溝または広がり部
を設けたので、半田ボールの接続性を向上させることが
可能となった。
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す図で、図
(a)は平面図、図(b)は断面図である。
(a)は平面図、図(b)は断面図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態を示す平面図であ
る。
る。
【図3】本発明の第3の実施の形態を示す平面図であ
る。
る。
【図4】従来のBGA型半導体装置のランド部を示す図
で、図(a)は平面図、図(b)は断面図である。
で、図(a)は平面図、図(b)は断面図である。
【図5】従来の半田流出用パターンを示す回路基板の平
面図である。
面図である。
1 半田ボール 2 ランド 3 フラックス 4 フラックス逃げ溝 5 半田流出用パターン 6 回路基板 7 パッケージ部 8 凹部 9 円弧面 10 広がり部
Claims (4)
- 【請求項1】 BGA型半導体装置において、パッケー
ジ部に形成された半田ボールを接続する凹部状のランド
部に、フラックスの逃げ道となる溝を設けたことを特徴
とするBGA型半導体装置。 - 【請求項2】 前記ランド部を円形凹部とし、前記溝を
ランド部側面の複数箇所に設けたことを特徴とする請求
項1記載のBGA型半導体装置。 - 【請求項3】 前記ランド部を四角形凹部とし、各角部
側面に円弧面を有する広がり部を設けたことを特徴とす
る請求項1記載のBGA型半導体装置。 - 【請求項4】 前記ランド部を円形凹部とし、この円形
凹部側面の少なくとも一部に円弧面を有する広がり部を
設けたことを特徴とする請求項1記載のBGA型半導体
装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9247072A JP3037222B2 (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | Bga型半導体装置 |
US09/151,770 US6028366A (en) | 1997-09-11 | 1998-09-11 | Ball grid array semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9247072A JP3037222B2 (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | Bga型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1187427A JPH1187427A (ja) | 1999-03-30 |
JP3037222B2 true JP3037222B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=17158020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9247072A Expired - Fee Related JP3037222B2 (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | Bga型半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6028366A (ja) |
JP (1) | JP3037222B2 (ja) |
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JP3516611B2 (ja) | 1999-06-29 | 2004-04-05 | シャープ株式会社 | 半導体装置、その製造方法及び半導体装置用基板 |
US7115819B1 (en) * | 1999-08-18 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Positioning flowable solder for bonding integrated circuit elements |
KR20010054555A (ko) * | 1999-12-07 | 2001-07-02 | 이형도 | 비 지 에이 기판의 솔더 범프패드 형성장치 |
JP2001230339A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP3414696B2 (ja) * | 2000-05-12 | 2003-06-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置のキャリア基板の電極構造 |
KR100368025B1 (ko) | 2000-09-26 | 2003-01-15 | 삼성전자 주식회사 | 중심 지향성 솔더 볼 랜드 타입을 갖는 회로 기판 및 이를이용한 bga 패키지 |
US6580174B2 (en) * | 2001-09-28 | 2003-06-17 | Intel Corporation | Vented vias for via in pad technology yield improvements |
US6590294B1 (en) * | 2002-02-13 | 2003-07-08 | Industrial Technology Research Institute | Device for bump probing and method of fabrication |
TWI234258B (en) * | 2003-08-01 | 2005-06-11 | Advanced Semiconductor Eng | Substrate with reinforced structure of contact pad |
US20080290509A1 (en) * | 2003-12-02 | 2008-11-27 | United Test And Assembly Center | Chip Scale Package and Method of Assembling the Same |
CN100372104C (zh) * | 2004-09-07 | 2008-02-27 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 具有焊垫强化结构的基板 |
JP2006108313A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Rohm Co Ltd | 実装基板および半導体装置 |
US20060175711A1 (en) * | 2005-02-08 | 2006-08-10 | Hannstar Display Corporation | Structure and method for bonding an IC chip |
CN101336042B (zh) * | 2007-06-29 | 2012-05-16 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 焊盘、具有该焊盘的电路板和电子装置 |
US9935038B2 (en) * | 2012-04-11 | 2018-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Semiconductor device packages and methods |
JP6907749B2 (ja) | 2017-06-20 | 2021-07-21 | 富士通株式会社 | Bgaパッケージ基板、及びbgaパッケージ基板の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5316788A (en) * | 1991-07-26 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Applying solder to high density substrates |
US5480835A (en) * | 1993-05-06 | 1996-01-02 | Motorola, Inc. | Electrical interconnect and method for forming the same |
US5523920A (en) * | 1994-01-03 | 1996-06-04 | Motorola, Inc. | Printed circuit board comprising elevated bond pads |
US5519580A (en) * | 1994-09-09 | 1996-05-21 | Intel Corporation | Method of controlling solder ball size of BGA IC components |
US5889655A (en) * | 1997-11-26 | 1999-03-30 | Intel Corporation | Integrated circuit package substrate with stepped solder mask openings |
-
1997
- 1997-09-11 JP JP9247072A patent/JP3037222B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-11 US US09/151,770 patent/US6028366A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1187427A (ja) | 1999-03-30 |
US6028366A (en) | 2000-02-22 |
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