JP3036147B2 - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フォトレジスト組成物Info
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- JP3036147B2 JP3036147B2 JP23171991A JP23171991A JP3036147B2 JP 3036147 B2 JP3036147 B2 JP 3036147B2 JP 23171991 A JP23171991 A JP 23171991A JP 23171991 A JP23171991 A JP 23171991A JP 3036147 B2 JP3036147 B2 JP 3036147B2
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- JP
- Japan
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- positive photoresist
- photoresist composition
- novolak resin
- acid
- compound
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ポジ型フォトレジスト
組成物に関するものであり、さらに詳しくは紫外線、遠
紫外線、X線、及び電子線などの放射線に感応し、特に
高密度の集積回路製造用のレジストとして好適なポジ型
フォトレジスト組成物に関するものである。
組成物に関するものであり、さらに詳しくは紫外線、遠
紫外線、X線、及び電子線などの放射線に感応し、特に
高密度の集積回路製造用のレジストとして好適なポジ型
フォトレジスト組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
樹脂成分としてクレゾールを原料とするノボラック樹脂
を、感光剤としてキノンジアジド化合物、特にポリヒド
ロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸エステルを含むものが知られており、
集積回路製造のために用いられている。
樹脂成分としてクレゾールを原料とするノボラック樹脂
を、感光剤としてキノンジアジド化合物、特にポリヒド
ロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸エステルを含むものが知られており、
集積回路製造のために用いられている。
【0003】近年の集積回路の高密度化にともない、従
来より感度、解像度、マスク忠実度に優れかつ耐熱性の
よいポジ型フォトレジストが要望されてきている。とこ
ろが、たとえば、感度を向上させるために、ノボラック
樹脂の分子量を小さくすると、パターン形状の劣化、ス
カムの発生、残膜率や耐熱性の低下などの問題が生じて
しまうなど、従来の組成のレジストでは、いまだすべて
の性能を満足する製品は得られていないのが現状であ
る。
来より感度、解像度、マスク忠実度に優れかつ耐熱性の
よいポジ型フォトレジストが要望されてきている。とこ
ろが、たとえば、感度を向上させるために、ノボラック
樹脂の分子量を小さくすると、パターン形状の劣化、ス
カムの発生、残膜率や耐熱性の低下などの問題が生じて
しまうなど、従来の組成のレジストでは、いまだすべて
の性能を満足する製品は得られていないのが現状であ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術の諸欠点を除去し、解像度、感度および耐熱性
に優れ、高密度集積回路用レジストとして好適なポジ型
フォトレジスト組成物を提供することを目的とする。
従来技術の諸欠点を除去し、解像度、感度および耐熱性
に優れ、高密度集積回路用レジストとして好適なポジ型
フォトレジスト組成物を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記目的は、以下の本発
明により達成される。
明により達成される。
【0006】本発明は、ノボラック樹脂、キノンジアジ
ド化合物、及び一般式(I)で表わされるフェノール化
合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト
組成物である。
ド化合物、及び一般式(I)で表わされるフェノール化
合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト
組成物である。
【0007】
【化2】 (式中、R1 〜R4 は水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基またはハロゲン原子であり、mとnの和は5または
6である。)本発明のポジ型フォトレジスト組成物に用
いられるノボラック樹脂は、当該分野で使用される公知
のものがいずれも使用可能である。このようなノボラッ
ク樹脂は、常法に従い、フェノール類と、アルデヒド類
もしくはアルデヒド類の重合体を、酸ないし金属塩を触
媒として縮合させて得ることができる。
シ基またはハロゲン原子であり、mとnの和は5または
6である。)本発明のポジ型フォトレジスト組成物に用
いられるノボラック樹脂は、当該分野で使用される公知
のものがいずれも使用可能である。このようなノボラッ
ク樹脂は、常法に従い、フェノール類と、アルデヒド類
もしくはアルデヒド類の重合体を、酸ないし金属塩を触
媒として縮合させて得ることができる。
【0008】ノボラック樹脂の原料として使用されるフ
ェノール類の具体例としては、フェノール、クレゾー
ル、クロロフェノール、キシレノール、エチルフェノー
ル、ブチルフェノール、レゾルシン、ナフトールなどが
挙げられ、これらは単独で、あるいは混合して用いるこ
とができる。フェノール類としてはクレゾールを用いる
ことが好ましく、特にm−クレゾールとp−クレゾール
を、モル比20/80〜80/20で混合したものが好
ましく、モル比30/70〜70/30で混合したもの
がさらに好ましい。
ェノール類の具体例としては、フェノール、クレゾー
ル、クロロフェノール、キシレノール、エチルフェノー
ル、ブチルフェノール、レゾルシン、ナフトールなどが
挙げられ、これらは単独で、あるいは混合して用いるこ
とができる。フェノール類としてはクレゾールを用いる
ことが好ましく、特にm−クレゾールとp−クレゾール
を、モル比20/80〜80/20で混合したものが好
ましく、モル比30/70〜70/30で混合したもの
がさらに好ましい。
【0009】ノボラック樹脂の原料として使用されるア
ルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデ
ヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒドなど挙
げられ、アルデヒド類の重合体としては、パラホルムア
ルデヒド、1,3,5−トリオキサン、パラアルデヒド
などが挙げられる。これらは単独で、あるいは混合して
用いることができる。アルデヒド類としてはホルムアル
デヒドを用いることが特に好ましい。またその重合体で
あるパラホルムアルデヒド、もしくは1,3,5−トリ
オキサンを用いることも好ましい。
ルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデ
ヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒドなど挙
げられ、アルデヒド類の重合体としては、パラホルムア
ルデヒド、1,3,5−トリオキサン、パラアルデヒド
などが挙げられる。これらは単独で、あるいは混合して
用いることができる。アルデヒド類としてはホルムアル
デヒドを用いることが特に好ましい。またその重合体で
あるパラホルムアルデヒド、もしくは1,3,5−トリ
オキサンを用いることも好ましい。
【0010】縮合反応は、無溶媒、もしくは有機溶媒中
で行われる。有機溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノ
ールなどのアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ、ブチルセロソルブなどのセロソルブ類、メチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート
などのセロソルブエステル類、テトラヒドロフラン、
1,4−ジオキサンなどエーテル類などが好ましく使用
される。
で行われる。有機溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノ
ールなどのアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ、ブチルセロソルブなどのセロソルブ類、メチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート
などのセロソルブエステル類、テトラヒドロフラン、
1,4−ジオキサンなどエーテル類などが好ましく使用
される。
【0011】縮合反応の触媒としては、シュウ酸、ギ
酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、リン酸、p−トルエンスル
ホン酸などの酸類、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウムなどの
金属塩類が好ましく使用される。
酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、リン酸、p−トルエンスル
ホン酸などの酸類、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウムなどの
金属塩類が好ましく使用される。
【0012】このようにして得られたノボラック樹脂に
は、一般にフェノール単位が2個縮合した二核体、3個
縮合した三核体などの低分子量成分が含有されている。
このような低分子量成分中には、スカムの原因となった
りパターン形状を劣化させる原因となる成分が存在する
ため、適当な操作により低分子量成分を除去し、二核
体、三核体の含有量合計を10%以下にすることが好ま
しい。
は、一般にフェノール単位が2個縮合した二核体、3個
縮合した三核体などの低分子量成分が含有されている。
このような低分子量成分中には、スカムの原因となった
りパターン形状を劣化させる原因となる成分が存在する
ため、適当な操作により低分子量成分を除去し、二核
体、三核体の含有量合計を10%以下にすることが好ま
しい。
【0013】ノボラック樹脂から低分子量成分を除去す
る処理としては以下のような方法を用いることができ
る。 (1)抽出法 ノボラック樹脂を細かく粉砕し、ベンゼン、トルエン、
キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンのような
有機溶媒、あるいは水、あるいはメタノール、エタノー
ルのような有機溶媒と水との混合液とともに一定の温度
で撹拌し低分子量成分を抽出する。 (2)再沈澱法 ノボラック樹脂をメタノール、エタノール、アセトン、
エチルセロソルブなどの有機溶媒に溶解する。ついで、
このノボラック溶液に水、石油エーテル、ヘキサンなど
の貧溶媒を滴下するか、逆にノボラック溶液を前記貧溶
媒中に滴下してノボラック樹脂を析出させて分離し、乾
燥する。 (3)分液法 ノボラック樹脂をメタノール、エタノール、アセトン、
エチルセロソルブなどの水と混和する有機溶媒とエチル
セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテートなどの水と混和しない有機溶媒と
の混合溶媒に溶解し、水を滴下して二層分離させ、有機
層を分離し、濃縮する。
る処理としては以下のような方法を用いることができ
る。 (1)抽出法 ノボラック樹脂を細かく粉砕し、ベンゼン、トルエン、
キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンのような
有機溶媒、あるいは水、あるいはメタノール、エタノー
ルのような有機溶媒と水との混合液とともに一定の温度
で撹拌し低分子量成分を抽出する。 (2)再沈澱法 ノボラック樹脂をメタノール、エタノール、アセトン、
エチルセロソルブなどの有機溶媒に溶解する。ついで、
このノボラック溶液に水、石油エーテル、ヘキサンなど
の貧溶媒を滴下するか、逆にノボラック溶液を前記貧溶
媒中に滴下してノボラック樹脂を析出させて分離し、乾
燥する。 (3)分液法 ノボラック樹脂をメタノール、エタノール、アセトン、
エチルセロソルブなどの水と混和する有機溶媒とエチル
セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテートなどの水と混和しない有機溶媒と
の混合溶媒に溶解し、水を滴下して二層分離させ、有機
層を分離し、濃縮する。
【0014】本発明のポジ型フォトレジスト組成物には
感光剤成分として、キノンジアジド化合物が含有され
る。ここで、キノンジアジド化合物とは、オルトキノン
の一方のカルボニル酸素がジアゾ基で置換された化合物
のことである。好ましく用いられるキノンジアジド化合
物としては、水酸基を有する化合物とナフトキノンジア
ジドスルホン酸のエステルが挙げられる。水酸基を有す
る化合物の具体例としては、ヒドロキノン、レゾルシ
ン、ピロカテコール、フロログルシン、ピロガロール、
4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,4’−ジ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキ
シベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、2,3,3’,4−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、2,2’,3,4−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、2,2’,3,4,4’−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3’,4,4’,
5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸アル
キルエステル、2,4’−ジヒドロキシビフェニル、
4,4’−ジヒドロキシビフェニル、2,4’−ジヒド
ロキシジフェニルメタン、2,2’−ジヒドロキシジフ
ェニルメタン、ビスフェノールF、ビスフェノールA、
ビスフェノールB、ビスフェノールZ、ビスフェノール
S、ケルセチン、低分子量のノボラックなどが挙げられ
る。複数の水酸基を有する化合物とナフトキノンジアジ
ドスルホン酸のエステルにおいては、水酸基が完全にエ
ステル化されたものでも部分的にエステル化されたもの
でもよく、エステル化度の異なるものの混合物でもよ
い。またこれらは、単独でも、構造の異なるもの複数を
組み合わせて使用してもよい。
感光剤成分として、キノンジアジド化合物が含有され
る。ここで、キノンジアジド化合物とは、オルトキノン
の一方のカルボニル酸素がジアゾ基で置換された化合物
のことである。好ましく用いられるキノンジアジド化合
物としては、水酸基を有する化合物とナフトキノンジア
ジドスルホン酸のエステルが挙げられる。水酸基を有す
る化合物の具体例としては、ヒドロキノン、レゾルシ
ン、ピロカテコール、フロログルシン、ピロガロール、
4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,4’−ジ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキ
シベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、2,3,3’,4−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、2,2’,3,4−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、2,2’,3,4,4’−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3’,4,4’,
5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸アル
キルエステル、2,4’−ジヒドロキシビフェニル、
4,4’−ジヒドロキシビフェニル、2,4’−ジヒド
ロキシジフェニルメタン、2,2’−ジヒドロキシジフ
ェニルメタン、ビスフェノールF、ビスフェノールA、
ビスフェノールB、ビスフェノールZ、ビスフェノール
S、ケルセチン、低分子量のノボラックなどが挙げられ
る。複数の水酸基を有する化合物とナフトキノンジアジ
ドスルホン酸のエステルにおいては、水酸基が完全にエ
ステル化されたものでも部分的にエステル化されたもの
でもよく、エステル化度の異なるものの混合物でもよ
い。またこれらは、単独でも、構造の異なるもの複数を
組み合わせて使用してもよい。
【0015】水酸基を有する化合物とナフトキノンジア
ジドスルホン酸のエステルのうちでは、トリヒドロキシ
ベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペ
ンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベン
ゾフェノンの水酸基が平均して75%以上、1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸または1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸でエステル化され
たものが特に好ましく使用される。
ジドスルホン酸のエステルのうちでは、トリヒドロキシ
ベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペ
ンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベン
ゾフェノンの水酸基が平均して75%以上、1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸または1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸でエステル化され
たものが特に好ましく使用される。
【0016】本発明のポジ型フォトレジスト組成物の固
形分中のキノンジアジド化合物の含有量は10〜50重
量%であることが好ましく、15〜30重量%であるこ
とがさらに好ましい。
形分中のキノンジアジド化合物の含有量は10〜50重
量%であることが好ましく、15〜30重量%であるこ
とがさらに好ましい。
【0017】本発明のポジ型フォトレジスト組成物には
さらに一般式(I)で示されるフェノール化合物が含有
される。次に、一般式(I)で示される化合物の具体例
を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
さらに一般式(I)で示されるフェノール化合物が含有
される。次に、一般式(I)で示される化合物の具体例
を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
【0018】
【化3】
【化4】
【化5】
【化6】
【化7】
【化8】
【化9】
【化10】 一般式(I)で示されるフェノール化合物は単独で使用
しても複数組み合わせて用いてもよい。本発明のポジ型
フォトレジスト組成物の固形分中の一般式(I)で示さ
れるフェノール化合物の含有量の総量は、感度の向上効
果が大きく、しかも良好な耐熱性を有するために、3〜
30重量%であることが好ましく、5〜15重量%であ
ることがさらに好ましい。
しても複数組み合わせて用いてもよい。本発明のポジ型
フォトレジスト組成物の固形分中の一般式(I)で示さ
れるフェノール化合物の含有量の総量は、感度の向上効
果が大きく、しかも良好な耐熱性を有するために、3〜
30重量%であることが好ましく、5〜15重量%であ
ることがさらに好ましい。
【0019】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、
以上述べたノボラック樹脂、キノンジアジド化合物、一
般式(I)で示されるフェノール化合物を溶媒に溶解し
て得られる。また、本発明のポジ型フォトレジスト組成
物には、さらに色素、界面活性剤、安定剤、増感剤など
の添加剤を適宜加えることができる。
以上述べたノボラック樹脂、キノンジアジド化合物、一
般式(I)で示されるフェノール化合物を溶媒に溶解し
て得られる。また、本発明のポジ型フォトレジスト組成
物には、さらに色素、界面活性剤、安定剤、増感剤など
の添加剤を適宜加えることができる。
【0020】溶媒としては、上記の各成分を溶解できる
有機溶媒が用いられる。具体的には、酢酸エチル、酢酸
ブチル、酢酸アミル、プロピオン酸メチル、プロピオン
酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチル、安息香酸メチル、
乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類、メチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブなどのセ
ロソルブ類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロ
ソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどの
セロソルブエステル類、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールエー
テルエステル類、1,2−ジメトキシエタン、1,2−
ジエトキシエタン、テトラヒドロフラン、1,4−ジオ
キサン、アニソールなどのエーテル類、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イ
ソホロンなどのケトン類、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド、N−メチルピロリドンなどのアミド
類、ジメチルスルホキシド、スルホランなどの非プロト
ン性極性溶媒から選ばれる溶媒、またはこれらの溶媒を
複数混合した溶媒が挙げられる。
有機溶媒が用いられる。具体的には、酢酸エチル、酢酸
ブチル、酢酸アミル、プロピオン酸メチル、プロピオン
酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチル、安息香酸メチル、
乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類、メチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブなどのセ
ロソルブ類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロ
ソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどの
セロソルブエステル類、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールエー
テルエステル類、1,2−ジメトキシエタン、1,2−
ジエトキシエタン、テトラヒドロフラン、1,4−ジオ
キサン、アニソールなどのエーテル類、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イ
ソホロンなどのケトン類、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド、N−メチルピロリドンなどのアミド
類、ジメチルスルホキシド、スルホランなどの非プロト
ン性極性溶媒から選ばれる溶媒、またはこれらの溶媒を
複数混合した溶媒が挙げられる。
【0021】本発明のポジ型フォトレジスト組成物を用
いて微細パターン作成を行う場合、露光後、現像前に基
板を加熱する操作、いわゆるポストエクスージャベーク
を行うことが好ましい。この操作により、感度、コント
ラストが高くなり、スカムが少なく断面形状のよいパタ
ーンを得ることができる。ポストエクスージャベーク操
作における加熱の方法としては、特に限定されないが、
例えばホットプレートやオーブンを用いる方法が挙げら
れる。加熱温度は、90〜140℃の範囲が好ましく、
100〜130℃の範囲がさらに好ましい。加熱手段と
してホットプレートを用いる場合、加熱時間は、0.5
〜5分間が好ましく、0.7〜2分間がより好ましい。
また、オーブンを用いる場合、加熱時間は、1〜60分
間が好ましく、5〜30分間がより好ましい。
いて微細パターン作成を行う場合、露光後、現像前に基
板を加熱する操作、いわゆるポストエクスージャベーク
を行うことが好ましい。この操作により、感度、コント
ラストが高くなり、スカムが少なく断面形状のよいパタ
ーンを得ることができる。ポストエクスージャベーク操
作における加熱の方法としては、特に限定されないが、
例えばホットプレートやオーブンを用いる方法が挙げら
れる。加熱温度は、90〜140℃の範囲が好ましく、
100〜130℃の範囲がさらに好ましい。加熱手段と
してホットプレートを用いる場合、加熱時間は、0.5
〜5分間が好ましく、0.7〜2分間がより好ましい。
また、オーブンを用いる場合、加熱時間は、1〜60分
間が好ましく、5〜30分間がより好ましい。
【0022】
【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明す
る。 実施例1 m−クレゾール35部、p−クレゾール65部、シュウ
酸0.5部、37%ホルマリン46部より常法によりノ
ボラック樹脂を得た。このノボラック樹脂10部を、メ
タノール50部に溶解し、撹拌下に水40部を滴下し、
ノボラックを沈澱させた。上澄液をデカンテーションで
除き、沈澱したノボラックを取り出して、50℃で24
時間乾燥した。8.6部のノボラック樹脂が得られた。
ついで、このノボラックを用いて、以下のような組成の
ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。
る。 実施例1 m−クレゾール35部、p−クレゾール65部、シュウ
酸0.5部、37%ホルマリン46部より常法によりノ
ボラック樹脂を得た。このノボラック樹脂10部を、メ
タノール50部に溶解し、撹拌下に水40部を滴下し、
ノボラックを沈澱させた。上澄液をデカンテーションで
除き、沈澱したノボラックを取り出して、50℃で24
時間乾燥した。8.6部のノボラック樹脂が得られた。
ついで、このノボラックを用いて、以下のような組成の
ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。
【0023】(1)上記の方法で得たノボラック樹脂
18.98部 (2)例示化合物(I−1) 1.82部 (3)感光剤(2,3,4,4’−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノンを1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸で平均3.8モルエステル化したもの)5.2
0部 (4)界面活性剤(“トロイソール”366、TOROY CH
EMICAL社製) 0.05部 (5)溶媒(エチルセロソルブアセテート)74.0部 このポジ型フォトレジスト組成物を0.2μmのメンブ
ランフィルターを用いて濾過し、スピンナーを用いて6
インチシリコンウエハ上に回転塗布した後、ホットプレ
ート上で90℃で1分間プリベークし、1.16μmの
厚みの塗膜を形成した。次いで、g線ステッパ(日本光
学製NSR1505G6E)を用いてテストパターンを
露光した後、ホットップレート上で110℃で1分間ポ
ストエクスポージャベークを行い、水酸化テトラメチル
アンモニウム2.38%水溶液を用いて23℃で1分間
パドル現像を行い、水洗し、スピン乾燥した。得られた
レジストパターンを走査型電子顕微鏡で評価した。感度
評価として、0.5μmのライン・アンド・スペースを
1:1に解像するために必要な露光量を求めたところ、
140mJ/cm2であった。耐熱性評価として、3μ
mのライン・アンド・スペースパターンが、ホットプレ
ート上5分間の加熱処理により丸まらない最高の温度を
求めたところ130℃であった。また、現像前後の膜厚
の比から求めた残膜率は99.5%であった。
18.98部 (2)例示化合物(I−1) 1.82部 (3)感光剤(2,3,4,4’−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノンを1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸で平均3.8モルエステル化したもの)5.2
0部 (4)界面活性剤(“トロイソール”366、TOROY CH
EMICAL社製) 0.05部 (5)溶媒(エチルセロソルブアセテート)74.0部 このポジ型フォトレジスト組成物を0.2μmのメンブ
ランフィルターを用いて濾過し、スピンナーを用いて6
インチシリコンウエハ上に回転塗布した後、ホットプレ
ート上で90℃で1分間プリベークし、1.16μmの
厚みの塗膜を形成した。次いで、g線ステッパ(日本光
学製NSR1505G6E)を用いてテストパターンを
露光した後、ホットップレート上で110℃で1分間ポ
ストエクスポージャベークを行い、水酸化テトラメチル
アンモニウム2.38%水溶液を用いて23℃で1分間
パドル現像を行い、水洗し、スピン乾燥した。得られた
レジストパターンを走査型電子顕微鏡で評価した。感度
評価として、0.5μmのライン・アンド・スペースを
1:1に解像するために必要な露光量を求めたところ、
140mJ/cm2であった。耐熱性評価として、3μ
mのライン・アンド・スペースパターンが、ホットプレ
ート上5分間の加熱処理により丸まらない最高の温度を
求めたところ130℃であった。また、現像前後の膜厚
の比から求めた残膜率は99.5%であった。
【0024】比較例1 実施例1で用いたノボラック樹脂を20.8重量部、感
光剤を5.2重量部にし、フェノール化合物を添加しな
かった他は、実施例1と同様にポジ型フォトレジスト組
成物を調製し、同様の方法で評価した。耐熱性評価にお
いては130℃であった。また残膜率は99.7%であ
ったが、実施例1に示したような0.5μmのライン・
アンド・スペースを1:1に解像するために必要な露光
量は217mJ/cm 2 も必要であった。
光剤を5.2重量部にし、フェノール化合物を添加しな
かった他は、実施例1と同様にポジ型フォトレジスト組
成物を調製し、同様の方法で評価した。耐熱性評価にお
いては130℃であった。また残膜率は99.7%であ
ったが、実施例1に示したような0.5μmのライン・
アンド・スペースを1:1に解像するために必要な露光
量は217mJ/cm 2 も必要であった。
【0025】
【発明の効果】 本発明のポジ型フォトレジスト組成物
は、一般式(I)で表わされるフェノール化合物を含有
するという新規組成を採用することにより、解像度、感
度および、耐熱性が従来のポジ型フォトレジスト組成物
より優れたものになる。したがって、本発明により、高
集積度の集積回路用レジストとして好適なポジ型フォト
レジスト組成物を容易に得ることができる。
は、一般式(I)で表わされるフェノール化合物を含有
するという新規組成を採用することにより、解像度、感
度および、耐熱性が従来のポジ型フォトレジスト組成物
より優れたものになる。したがって、本発明により、高
集積度の集積回路用レジストとして好適なポジ型フォト
レジスト組成物を容易に得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−44439(JP,A) 特開 平2−248955(JP,A) 特開 平2−163740(JP,A) 特開 平2−275453(JP,A) 特開 平2−248954(JP,A) 特開 平2−191248(JP,A) 特開 平3−279959(JP,A) 特開 平5−34911(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 7/022 G03F 7/004 H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項1】ノボラック樹脂、キノンジアジド化合物、
及び一般式(I)で表わされるフェノール化合物を含有
することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。 【化1】 (式中、R1 〜R4 は水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基またはハロゲン原子であり、mとnの和は5または
6である。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23171991A JP3036147B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23171991A JP3036147B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0572728A JPH0572728A (ja) | 1993-03-26 |
JP3036147B2 true JP3036147B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=16927952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23171991A Expired - Lifetime JP3036147B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3036147B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2935223B2 (ja) * | 1992-04-14 | 1999-08-16 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成用材料の製造方法及びタンタルのパターン形成方法 |
JP2001033951A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-02-09 | Clariant Internatl Ltd | 感光性樹脂組成物および感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性向上方法 |
JP2004045491A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂の膜形成方法 |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP23171991A patent/JP3036147B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0572728A (ja) | 1993-03-26 |
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