JP3035479B2 - 積層型インダクタンス素子 - Google Patents
積層型インダクタンス素子Info
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- JP3035479B2 JP3035479B2 JP7296077A JP29607795A JP3035479B2 JP 3035479 B2 JP3035479 B2 JP 3035479B2 JP 7296077 A JP7296077 A JP 7296077A JP 29607795 A JP29607795 A JP 29607795A JP 3035479 B2 JP3035479 B2 JP 3035479B2
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- Japan
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- laminated
- conductor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子機器に適
用され、ＬＣフィルターや共振器として働く積層型イン
ダクタンス素子に関するものである。
用され、ＬＣフィルターや共振器として働く積層型イン
ダクタンス素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器技術の進歩により、電子
機器内で扱われる信号の周波数帯域が高周波側に広が
り、その帯域は、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚにまで及ん
でいる。このような高周波帯域における信号の分離、或
は合成等の回路で使用される共振器としては、目的周波
数帯域で高利得（Ｑ）を有することが要求され、磁性体
粉末を含有する磁性体層用ペーストと導電粉末を含有す
る導電体層用ペーストを交互に印刷し、同時焼成した積
層型インダクタンス素子が使用されてきた。
機器内で扱われる信号の周波数帯域が高周波側に広が
り、その帯域は、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚにまで及ん
でいる。このような高周波帯域における信号の分離、或
は合成等の回路で使用される共振器としては、目的周波
数帯域で高利得（Ｑ）を有することが要求され、磁性体
粉末を含有する磁性体層用ペーストと導電粉末を含有す
る導電体層用ペーストを交互に印刷し、同時焼成した積
層型インダクタンス素子が使用されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般的に、インダクタ
ンス素子用の軟磁性磁心材料として、Ｎｉ、Ｚｎ，Ｃ
ｕ、Ｆｅから構成されたスピネル型フェライト焼結体が
使用されてきた。しかしながら、これらの組成系のイン
ダクタンス素子を、高周波域（１００ＭＨｚ）で使用し
た場合、利得（Ｑ）が著しく低下すると共に、インダク
タンスも急激に低下し、高周波域ではインダクタンス素
子として全く機能しなくなるという問題点があった。
ンス素子用の軟磁性磁心材料として、Ｎｉ、Ｚｎ，Ｃ
ｕ、Ｆｅから構成されたスピネル型フェライト焼結体が
使用されてきた。しかしながら、これらの組成系のイン
ダクタンス素子を、高周波域（１００ＭＨｚ）で使用し
た場合、利得（Ｑ）が著しく低下すると共に、インダク
タンスも急激に低下し、高周波域ではインダクタンス素
子として全く機能しなくなるという問題点があった。
【０００４】そこで、本発明の課題は、高周波帯域での
インダクタンス及びＱ特性に優れた、広い周波数帯域に
適用できる積層型インダクタンス素子を提供することに
ある。
インダクタンス及びＱ特性に優れた、広い周波数帯域に
適用できる積層型インダクタンス素子を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、種々検討を
進めた結果、スピネル型軟磁性フェライト粉末の基本組
成が、ａＦｅ２Ｏ３、ｂＮｉＯ、ｃＣｕＯ（ｍｏｌ％）
十添加物からなり、主成分を各々４２＜ａ＜５０、４０
＜ｂ＜４８、４＜ｃ＜８、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ｍｏｌ％
とし、添加物としてＢｉ２Ｏ３、ＭｎＯ，ＣｏＯを各々
０〜０．５ｗｔ％（各元素とも０ｗｔ％を含まない）と
した範囲の組成からなり、磁性体層と導電体層を交互に
積層し、内部に導電体のコイルを形成し、広い周波数帯
域での適用が可能な積層型インダクタンス素子を得るこ
とができることを見い出した。
進めた結果、スピネル型軟磁性フェライト粉末の基本組
成が、ａＦｅ２Ｏ３、ｂＮｉＯ、ｃＣｕＯ（ｍｏｌ％）
十添加物からなり、主成分を各々４２＜ａ＜５０、４０
＜ｂ＜４８、４＜ｃ＜８、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ｍｏｌ％
とし、添加物としてＢｉ２Ｏ３、ＭｎＯ，ＣｏＯを各々
０〜０．５ｗｔ％（各元素とも０ｗｔ％を含まない）と
した範囲の組成からなり、磁性体層と導電体層を交互に
積層し、内部に導電体のコイルを形成し、広い周波数帯
域での適用が可能な積層型インダクタンス素子を得るこ
とができることを見い出した。
【０００６】即ち、本発明は、軟磁性フェライト粉末
と、導電体粉末を、それぞれ合成樹脂バインダを用いて
ペースト化し、これらを印刷法によって積層し、コイル
状の導電体を形成し、同時焼成した積層型インダクタン
ス素子において、前記軟磁性フェライト粉末は、主成分
として、各々４２＜ａ＜５０、４０＜ｂ＜４８、４＜ｃ
＜８、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００となるａＦｅ２Ｏ３、ｂＮｉ
Ｏ、ｃＣｕＯ（ｍｏｌ％）と、副成分として、各々０〜
０．５ｗｔ％（各元素とも０ｗｔ％を含まない）となる
Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ、ＣｏＯとからなることを特徴とす
る積層型インダクタンス素子である。
と、導電体粉末を、それぞれ合成樹脂バインダを用いて
ペースト化し、これらを印刷法によって積層し、コイル
状の導電体を形成し、同時焼成した積層型インダクタン
ス素子において、前記軟磁性フェライト粉末は、主成分
として、各々４２＜ａ＜５０、４０＜ｂ＜４８、４＜ｃ
＜８、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００となるａＦｅ２Ｏ３、ｂＮｉ
Ｏ、ｃＣｕＯ（ｍｏｌ％）と、副成分として、各々０〜
０．５ｗｔ％（各元素とも０ｗｔ％を含まない）となる
Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ、ＣｏＯとからなることを特徴とす
る積層型インダクタンス素子である。
【０００７】ここで、インダクタンス素子の判断基準と
して本発明で採用した電気特性の評価項目について説明
する。
して本発明で採用した電気特性の評価項目について説明
する。
【０００８】特性の評価は、インダクタンス（Ｌ）の周
波数特性、利得（Ｑ）の周波数特性、素子の温度特性△
ＬＴ、共振周波数である。
波数特性、利得（Ｑ）の周波数特性、素子の温度特性△
ＬＴ、共振周波数である。
【０００９】△ＬＴは、２０℃、１００ｋＨｚでのＬの
値を基準とした場合の０から８０℃におけるＬの温度変
化率（％／℃）を示し次式より求められる。 △ＬＴ＝［（Ｌ８０−ＬＯ）／（Ｌ２０×８０）］×１００（％／℃） 又、共振周波数は素子のインダクタンスが０になった時
の周波数の値である。
値を基準とした場合の０から８０℃におけるＬの温度変
化率（％／℃）を示し次式より求められる。 △ＬＴ＝［（Ｌ８０−ＬＯ）／（Ｌ２０×８０）］×１００（％／℃） 又、共振周波数は素子のインダクタンスが０になった時
の周波数の値である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を実施例を用
いて説明する。
いて説明する。
【００１１】（実施例１） 化学組成比が、ａＦｅ２Ｏ３、ｂＮｉＯ，ｃＣｕＯ（ｍ
ｏｌ％）＋Ｂｉ２Ｏ３：０．２ｗｔ％・ＣｏＯ：０．２
ｗｔ％、ＭｎＯ：０．２ｗｔ％で表され、ａ＋ｂ＋ｃ＝
１００，ａ＝４１、４２、４３、４４、４５、４６、４
７、４８、４９、５０、５１、ｃ＝６となるように各原
料を調製し、ボールミルにて２０時間湿式混合した。こ
こで使用した原料粉末の粒度は、全て０．５μｍ以下の
ものである。
ｏｌ％）＋Ｂｉ２Ｏ３：０．２ｗｔ％・ＣｏＯ：０．２
ｗｔ％、ＭｎＯ：０．２ｗｔ％で表され、ａ＋ｂ＋ｃ＝
１００，ａ＝４１、４２、４３、４４、４５、４６、４
７、４８、４９、５０、５１、ｃ＝６となるように各原
料を調製し、ボールミルにて２０時間湿式混合した。こ
こで使用した原料粉末の粒度は、全て０．５μｍ以下の
ものである。
【００１２】次に、これらの原料混合粉末を大気中８０
０℃で２時間仮焼した後、ボールミルにて３時間湿式粉
砕し、スピネル型軟磁性フェライト粉末とした。粉末の
平均粒径は約１μｍである。
０℃で２時間仮焼した後、ボールミルにて３時間湿式粉
砕し、スピネル型軟磁性フェライト粉末とした。粉末の
平均粒径は約１μｍである。
【００１３】この粉末とバインダ、溶剤を表１の比率で
配合し、配合物を三本ロールで混練して磁性体層用ペー
ストを作製した。
配合し、配合物を三本ロールで混練して磁性体層用ペー
ストを作製した。
【００１４】
【００１５】導電体層用粉末として、平均粒径０５μｍ
のＡｇ粉末を用意した。この粉末と、表２の比率でバイ
ンダ、溶剤とそれぞれ配合し、配合物を三本ロールで混
練して、導電体層用ペーストを作製した。
のＡｇ粉末を用意した。この粉末と、表２の比率でバイ
ンダ、溶剤とそれぞれ配合し、配合物を三本ロールで混
練して、導電体層用ペーストを作製した。
【００１６】
【００１７】本実施例では、表１及び表２の配合比でペ
ーストを作製したが、これ以外の成分配合比でも、印刷
可能なペーストが得られるものであればよい。さらに、
配合物の混練に三本ロールを使用したが、これ以外にも
ホモジェナイザやサンドミル等を使用してもよい。
ーストを作製したが、これ以外の成分配合比でも、印刷
可能なペーストが得られるものであればよい。さらに、
配合物の混練に三本ロールを使用したが、これ以外にも
ホモジェナイザやサンドミル等を使用してもよい。
【００１８】次に、作製した磁性体層用ペーストを印刷
法により所定の厚さ（０．５ｍｍ）に積層した。その上
に、導電体層用ペーストと磁性体層用ペーストを用いて
５．５ターンの導電体の積層巻線を形成するように、印
刷積層を行った。この時、一層の積層厚は、磁性体層で
約３０μｍ、導電体層では約１５μｍで行った。
法により所定の厚さ（０．５ｍｍ）に積層した。その上
に、導電体層用ペーストと磁性体層用ペーストを用いて
５．５ターンの導電体の積層巻線を形成するように、印
刷積層を行った。この時、一層の積層厚は、磁性体層で
約３０μｍ、導電体層では約１５μｍで行った。
【００１９】その上に、磁性体層用ペーストを印刷法に
より、所定の厚さ（０．５ｍｍ）に積層した。全体の積
層厚さは約１．３ｍｍである。
より、所定の厚さ（０．５ｍｍ）に積層した。全体の積
層厚さは約１．３ｍｍである。
【００２０】本実施例では、導電体の積層巻線を５．５
ターンとしたが、これ以外の巻線でもよく、必要な特性
が得られるように巻線を調整すればよい。
ターンとしたが、これ以外の巻線でもよく、必要な特性
が得られるように巻線を調整すればよい。
【００２１】上記作製した積層体を、所定の大きさに３
ｍｍ×１．５ｍｍに切断した。上記積層、切断した積層
体を脱バインダ後、８５０℃で同時焼成を行った。本実
施例では、８５０℃で焼成を行ったが、積層体が焼結が
完了する温度で、かつ、内部電極が断線しない温度範囲
であればよい。
ｍｍ×１．５ｍｍに切断した。上記積層、切断した積層
体を脱バインダ後、８５０℃で同時焼成を行った。本実
施例では、８５０℃で焼成を行ったが、積層体が焼結が
完了する温度で、かつ、内部電極が断線しない温度範囲
であればよい。
【００２２】又、一つの積層体素子の大きさを３ｍｍ×
１．５ｍｍとしたが、これ以外の大きさでもよく、その
場合、導電体の積層巻線の大きさを調整すればよい。
１．５ｍｍとしたが、これ以外の大きさでもよく、その
場合、導電体の積層巻線の大きさを調整すればよい。
【００２３】上記焼成した積層インダクタンス素子に、
導電体の積層巻線のリードが露出している面に、Ａｇを
主成分とした導電体層用ペーストを塗布し、約３００℃
で焼き付けを行い、外部電極を形成した。
導電体の積層巻線のリードが露出している面に、Ａｇを
主成分とした導電体層用ペーストを塗布し、約３００℃
で焼き付けを行い、外部電極を形成した。
【００２４】図１に、積層インダクタの構成を示す。図
１（ａ）は積層面からの平面図、図１（ｂ）は断面図で
ある。
１（ａ）は積層面からの平面図、図１（ｂ）は断面図で
ある。
【００２５】図１に示すように、磁性体１内で、導電体
２が積層巻線されている。又、３は焼成後形成する外部
電極である。
２が積層巻線されている。又、３は焼成後形成する外部
電極である。
【００２６】本実施例では、外部電極としてＡｇを主成
分とした導電体層用ペーストを用いたが、これ以外に
も、カーボンやＣｕ，Ｎｉ等を主成分とした導電体層用
ペーストでもよい。
分とした導電体層用ペーストを用いたが、これ以外に
も、カーボンやＣｕ，Ｎｉ等を主成分とした導電体層用
ペーストでもよい。
【００２７】上記のように作製した積層インダクタンス
素子の利得（Ｑ）の最大値（以下ＱＭＡＸと称す）と１
００ｋＨｚでのインダクタンス値（以下、Ｌ１００ｋＨ
ｚと称す）、インダクタンスの温度特性及び共振周波数
をＹＨＰ製インピーダンスアナライザーＨＰ４１９１Ａ
を用いて評価した。その結果を表３に示す。
素子の利得（Ｑ）の最大値（以下ＱＭＡＸと称す）と１
００ｋＨｚでのインダクタンス値（以下、Ｌ１００ｋＨ
ｚと称す）、インダクタンスの温度特性及び共振周波数
をＹＨＰ製インピーダンスアナライザーＨＰ４１９１Ａ
を用いて評価した。その結果を表３に示す。
【００２８】
【表３】
【００２９】表３より、ａ＝４２を下回ると、ＱＭＡＸ
が著しく低下し、ａ＝５０を越えると、共振周波数、△
ＬＴが著しく低下する。従って、ａ＝４２〜５０が有用
な組成範囲である。
が著しく低下し、ａ＝５０を越えると、共振周波数、△
ＬＴが著しく低下する。従って、ａ＝４２〜５０が有用
な組成範囲である。
【００３０】（実施例２） 化学組成比が、ａＦｅ２Ｏ３、ｂＮｉＯ，ｃＣｕＯ（ｍ
ｏｌ％）＋Ｂｉ２Ｏ３：０．２ｗｔ％・ＣｏＯ：０．２
ｗｔ％・ＭｎＯ：０．２ｗｔ％で表され、但し、ａ＋ｂ
＋ｃ＝１００、ｂ＝３９、４０、４１、４２、４３、４
４、４５、４６、４７、４８、４９、ｃ＝４となるよう
に各原料を調製し、実施例１と同様に積層型インダクタ
ンス素子を作製した。作製した素子を実施例１と同様の
評価を行った。その結果を表４に示す。
ｏｌ％）＋Ｂｉ２Ｏ３：０．２ｗｔ％・ＣｏＯ：０．２
ｗｔ％・ＭｎＯ：０．２ｗｔ％で表され、但し、ａ＋ｂ
＋ｃ＝１００、ｂ＝３９、４０、４１、４２、４３、４
４、４５、４６、４７、４８、４９、ｃ＝４となるよう
に各原料を調製し、実施例１と同様に積層型インダクタ
ンス素子を作製した。作製した素子を実施例１と同様の
評価を行った。その結果を表４に示す。
【００３１】
【表４】
【００３２】表４より、ｂ＝４０〜４８の範囲を越える
と△ＬＴが著しく大きくなることを示している。従っ
て、ｂ＝４０〜４８の範囲が有用な組成範囲である。
と△ＬＴが著しく大きくなることを示している。従っ
て、ｂ＝４０〜４８の範囲が有用な組成範囲である。
【００３３】（実施例３） 化学組成比が、ａＦｅ２Ｏ３、ｂＮｉＯ、ｃＣｕＯ（ｍ
ｏｌ％）＋Ｂｉ２Ｏ３：０．２ｗｔ％・ＣｏＯ：０．２
ｗｔ％・ＭｎＯ：０．２ｗｔ％で表され、但し、ａ＋ｂ
＋ｃ＝１００，ｂ＝４６、ｃ＝３、４、５、６、７、
８、９となるように各原料を調製し、実施例１と同様に
積層型インダクタンス素子を作製した。作製した素子を
実施例１と同様の評価を行った。その結果を表５に示
す。
ｏｌ％）＋Ｂｉ２Ｏ３：０．２ｗｔ％・ＣｏＯ：０．２
ｗｔ％・ＭｎＯ：０．２ｗｔ％で表され、但し、ａ＋ｂ
＋ｃ＝１００，ｂ＝４６、ｃ＝３、４、５、６、７、
８、９となるように各原料を調製し、実施例１と同様に
積層型インダクタンス素子を作製した。作製した素子を
実施例１と同様の評価を行った。その結果を表５に示
す。
【００３４】
【００３５】表５より、ｃ＝４〜８の範囲を越えると△
ＬＴが著しく大きくなることを示している。さらに、ｃ
＞８では、共振周波数が低下する。従って、ｃ＝４〜８
の範囲が有用な組成範囲である。
ＬＴが著しく大きくなることを示している。さらに、ｃ
＞８では、共振周波数が低下する。従って、ｃ＝４〜８
の範囲が有用な組成範囲である。
【００３６】（実施例４） 化学組成比が、ａＦｅ２Ｏ３、ｂＮｉＯ、ｃＣｕＯ（ｍ
ｏｌ％）＋ｄＢｉ２Ｏ３・ＣｏＯ：０．２ｗｔ％・Ｍｎ
Ｏ：０．２ｗｔ％で表され、但し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１０
０、ａ＝４８、ｂ＝４６、ｃ＝６、ｄ＝０、０．０１、
０．０５、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、
０．６ｗｔ％となるように各原料を調製し、実施例１と
同様に積層型インダクタンス素子を作製した。作製した
素子を実施例１と同様の評価を行った。その結果を表６
に示す。
ｏｌ％）＋ｄＢｉ２Ｏ３・ＣｏＯ：０．２ｗｔ％・Ｍｎ
Ｏ：０．２ｗｔ％で表され、但し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１０
０、ａ＝４８、ｂ＝４６、ｃ＝６、ｄ＝０、０．０１、
０．０５、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、
０．６ｗｔ％となるように各原料を調製し、実施例１と
同様に積層型インダクタンス素子を作製した。作製した
素子を実施例１と同様の評価を行った。その結果を表６
に示す。
【００３７】
【表６】
【００３８】表６より、ｄ＝０の場合は、ＱＭＡＸ及び
△ＬＴが低い。ｄ＞０ではＱＭＡＸが向上し、さらに、
△ＬＴも向上するが、ｄ＝０．５を越えると、共振周波
数が低下する。従ってｄ＝０〜０．５（０は含まない）
の範囲が有用な組成範囲である。
△ＬＴが低い。ｄ＞０ではＱＭＡＸが向上し、さらに、
△ＬＴも向上するが、ｄ＝０．５を越えると、共振周波
数が低下する。従ってｄ＝０〜０．５（０は含まない）
の範囲が有用な組成範囲である。
【００３９】（実施例５） 化学組成比が、ａＦｅ２Ｏ３、ｂＮｉＯ，ｃＣｕＯ（ｍ
ｏｌ％）＋Ｂｉ２Ｏ３：０．２ｗｔ％・ｅＣｏＯ・Ｍｎ
Ｏ：０．２ｗｔ％で表され、但し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１０
０、ａ＝４８、ｂ＝４６、ｃ＝６、ｅ＝０、０．０１、
０．０５、０．１、０．２、０．３、０４、０．５、
０．６ｗｔ％となるように各原料を調製し、実施例１と
同様に積層型インダクタンス素子を作製した。作製した
素子を実施例１と同様の評価を行った。その結果を表７
に示す。
ｏｌ％）＋Ｂｉ２Ｏ３：０．２ｗｔ％・ｅＣｏＯ・Ｍｎ
Ｏ：０．２ｗｔ％で表され、但し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１０
０、ａ＝４８、ｂ＝４６、ｃ＝６、ｅ＝０、０．０１、
０．０５、０．１、０．２、０．３、０４、０．５、
０．６ｗｔ％となるように各原料を調製し、実施例１と
同様に積層型インダクタンス素子を作製した。作製した
素子を実施例１と同様の評価を行った。その結果を表７
に示す。
【００４０】
【表７】
【００４１】表７より、ｅ＝０の場合はＱＭＡＸが低
い。ｅ＞ＯではＱＭＡＸが向上し、さらに共振周波数が
高周波帯域まで向上するが、ｅ＝０．５を越えると、△
ＬＴが著しく低下する。従って、ｅ＝０〜０．５（０は
含まない）の範囲が有用な組成範囲である。
い。ｅ＞ＯではＱＭＡＸが向上し、さらに共振周波数が
高周波帯域まで向上するが、ｅ＝０．５を越えると、△
ＬＴが著しく低下する。従って、ｅ＝０〜０．５（０は
含まない）の範囲が有用な組成範囲である。
【００４２】（実施例６） 化学組成比が、ａＦｅ２Ｏ３、ｂＮｉＯ，ｃＣｕＯ（ｍ
ｏｌ％）＋Ｂｉ２Ｏ３：０２ｗｔ％・ＣｏＯ：０．２ｗ
ｔ％・ｆＭｎＯで表され、但し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、
ａ＝４８、ｂ＝４６、ｃ＝６、ｆ＝０、０．０１、０．
０５、０１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６
ｗｔ％となるように各原料を調製し、実施例１と同様に
積層型インダクタンス素子を作製した。作製した素子を
実施例１と同様の評価を行った。その結果を表８に示
す。
ｏｌ％）＋Ｂｉ２Ｏ３：０２ｗｔ％・ＣｏＯ：０．２ｗ
ｔ％・ｆＭｎＯで表され、但し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、
ａ＝４８、ｂ＝４６、ｃ＝６、ｆ＝０、０．０１、０．
０５、０１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６
ｗｔ％となるように各原料を調製し、実施例１と同様に
積層型インダクタンス素子を作製した。作製した素子を
実施例１と同様の評価を行った。その結果を表８に示
す。
【００４３】
【表８】
【００４４】表８より、ｆ＞０でＱＭＡＸが向上する
が、添加量がｆ＝０．５を越えると、逆に、ＱＭＡＸが
低下する。従って、ｆ＝０〜０．５（０は含まない）の
範囲が有用な組成範囲である。
が、添加量がｆ＝０．５を越えると、逆に、ＱＭＡＸが
低下する。従って、ｆ＝０〜０．５（０は含まない）の
範囲が有用な組成範囲である。
【００４５】（実施例７） 化学組成比は、主成分が４８Ｆｅ２Ｏ３−４６Ｎｉ−６
ＣｕＯであり、添加物として、Ｂｉ２Ｏ３：０．１ｗｔ
％・ＣｏＯ：０．３ｗｔ％・ＭｎＯ：０．２ｗｔ％を各
々添加した粉末を使用し、実施例１と同様に、積層型イ
ンダクタンス素子を作製した。
ＣｕＯであり、添加物として、Ｂｉ２Ｏ３：０．１ｗｔ
％・ＣｏＯ：０．３ｗｔ％・ＭｎＯ：０．２ｗｔ％を各
々添加した粉末を使用し、実施例１と同様に、積層型イ
ンダクタンス素子を作製した。
【００４６】作製した積層型インダクタンス素子の周波
数とＬ及びＱの関係を図２に示し、共振周波数を表９に
示す。なお、図２及び表９中には、比較例として、磁性
体は実施例と同じスピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライ
トを用いて作製した積層インダクタンス素子の周波数と
Ｌ及びＱの関係と共振周波数を示す。
数とＬ及びＱの関係を図２に示し、共振周波数を表９に
示す。なお、図２及び表９中には、比較例として、磁性
体は実施例と同じスピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライ
トを用いて作製した積層インダクタンス素子の周波数と
Ｌ及びＱの関係と共振周波数を示す。
【００４７】
【００４８】図２より、本実施例で示した組成範囲の磁
性体層用ペーストを用いることにより、実効透磁率が若
干低下し、よって、インダクタンスＬも低下するが、１
００ＭＨｚまでは、Ｌがフラットな特性を示し、又、Ｑ
ピークを示す周波数帯域も１００ＭＨｚ以上に到達して
おり、さらに、ＱＭＡＸも従来の積層型インダクタンス
素子より高く、従って、広い周波帯域で適用できる積層
型インダクタンス素子であることがわかった。又、表９
からもわかるように、共振周波数も高い周波数域にある
ことがわかった。
性体層用ペーストを用いることにより、実効透磁率が若
干低下し、よって、インダクタンスＬも低下するが、１
００ＭＨｚまでは、Ｌがフラットな特性を示し、又、Ｑ
ピークを示す周波数帯域も１００ＭＨｚ以上に到達して
おり、さらに、ＱＭＡＸも従来の積層型インダクタンス
素子より高く、従って、広い周波帯域で適用できる積層
型インダクタンス素子であることがわかった。又、表９
からもわかるように、共振周波数も高い周波数域にある
ことがわかった。
【００４９】
【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
高周波帯域でのインダクタンス及びＱ特性に優れ、広い
周波数帯域での適用が可能な積層型インダクタンス素子
が得られる。
高周波帯域でのインダクタンス及びＱ特性に優れ、広い
周波数帯域での適用が可能な積層型インダクタンス素子
が得られる。
【図１】本実施例の積層インダクタの構成を示す図。図
１（ａ）は平面図。図１（ｂ）は断面図。
１（ａ）は平面図。図１（ｂ）は断面図。
【図２】実施例７の積層型インダクタンス素子と比較例
の積層型インダクタンス素子の周波数とＬ、及びＱの関
係を示す図。図２（ａ）は、周波数とＱの関係を示す
図。図２（ｂ）は、周波数とＬの関係を示す図。
の積層型インダクタンス素子の周波数とＬ、及びＱの関
係を示す図。図２（ａ）は、周波数とＱの関係を示す
図。図２（ｂ）は、周波数とＬの関係を示す図。
１ 磁性体 ２ 導電体 ３ 外部電極 Ａ 実施例７ Ｂ 比較例
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 17/00 H01F 1/34
Claims (1)
- 【請求項１】 軟磁性フェライト粉末と、導電体粉末
を、それぞれ合成樹脂バインダを用いてペースト化し、
これらを印刷法によって積層し、コイル状の導電体を形
成し、同時焼成した積層型インダクタンス素子におい
て、前記軟磁性フェライト粉末は、主成分として、各々
４２＜ａ＜５０、４０＜ｂ＜４８、４＜ｃ＜８、ａ＋ｂ
＋ｃ＝１００となるａＦｅ２Ｏ３、ｂＮｉＯ、ｃＣｕＯ
（ｍｏｌ％）と、副成分として、各々０〜０．５ｗｔ％
（各元素とも０ｗｔ％を含まない）となるＢｉ２Ｏ３、
ＭｎＯ，ＣｏＯとからなることを特徴とする積層型イン
ダクタンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7296077A JP3035479B2 (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 積層型インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7296077A JP3035479B2 (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 積層型インダクタンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115730A JPH09115730A (ja) | 1997-05-02 |
| JP3035479B2 true JP3035479B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=17828827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7296077A Expired - Fee Related JP3035479B2 (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 積層型インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3035479B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3758464B2 (ja) | 2000-05-12 | 2006-03-22 | 株式会社村田製作所 | 積層電子部品 |
| JP2008288332A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Tdk Corp | フェライトペースト、及び積層型セラミック部品の製造方法。 |
-
1995
- 1995-10-18 JP JP7296077A patent/JP3035479B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09115730A (ja) | 1997-05-02 |
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