JP3034587B2 - Radiation image conversion panel - Google Patents
Radiation image conversion panelInfo
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- JP3034587B2 JP3034587B2 JP2299772A JP29977290A JP3034587B2 JP 3034587 B2 JP3034587 B2 JP 3034587B2 JP 2299772 A JP2299772 A JP 2299772A JP 29977290 A JP29977290 A JP 29977290A JP 3034587 B2 JP3034587 B2 JP 3034587B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は輝尽性蛍光体層を用いた放射線画像変換パネ
ルに関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性および感
度共に実用的水準の高い放射線画像を与える放射線画像
変換パネルに関するものである。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor layer, and more particularly to a radiation image having a high practical level in both sharpness and sensitivity. The present invention relates to a radiation image conversion panel that provides the following.
〔従来の技術〕 例えば医療の分野においては、病気の診断にＸ線画像
のような放射線画像が多く用いられている。[Related Art] For example, in the field of medicine, radiation images such as X-ray images are often used for diagnosing diseases.
放射線画像の形成方法としては、従来、被写体を透過
したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これ
により可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を撮
るときと同じように、銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像する、いわゆる放射線写真法が一般的であった。Conventionally, as a method of forming a radiation image, X-rays transmitted through a subject are irradiated on a phosphor layer (fluorescent screen) to generate visible light, and this visible light is used in the same manner as when a normal photograph is taken. A so-called radiographic method of irradiating and developing a film using a silver salt has been generally used.
しかるに、近年、銀塩を塗布したフィルムを使用しな
いで蛍光体層から直接画像を取り出す方法として、被写
体を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、しかる後この
蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起することに
より、この蛍光体に吸収されて蓄積されていた放射線エ
ネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を検出して画
像化する方法が提案されている。However, in recent years, as a method of taking out an image directly from the phosphor layer without using a film coated with a silver salt, the radiation transmitted through the subject is absorbed by the phosphor, and then the phosphor is excited by, for example, light or heat energy. Then, a method has been proposed in which radiation energy absorbed and accumulated in the phosphor is emitted as fluorescence, and the fluorescence is detected and imaged.
例えば米国特許第3,859,527号明細書、特開昭55−121
44号公報には、輝尽性蛍光体を用い、可視光線または赤
外線を輝尽励起光として用いた放射線画像変換方法が示
されている。この方法は、基板上に輝尽性蛍光体層を形
成した放射線画像変換パネルを使用するものであり、こ
の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透
過した放射線を当てて、被写体の各部の放射線透過度に
対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、
しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査する
ことによって各部に蓄積された放射線エネルギーを輝尽
発光として放射させ、この光の強弱による光信号を例え
ば光電変換し、画像再生装置により画像化するものであ
る。この最終的な画像はハードコピーとして再生される
か、またはCRT上に再生される。For example, U.S. Pat.No. 3,859,527, JP-A-55-121
No. 44 discloses a radiation image conversion method using a stimulable phosphor and using visible light or infrared light as stimulating excitation light. In this method, a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer formed on a substrate is used. Forming a latent image by accumulating radiation energy corresponding to the radiation transmittance of each part of
Thereafter, the stimulable phosphor layer is scanned with stimulating excitation light to emit radiation energy accumulated in each part as stimulating light, and an optical signal based on the intensity of the light is photoelectrically converted, for example, to perform image reproduction. The image is formed by This final image is played as a hard copy or on a CRT.
このような放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍
光体層を有する放射線画像変換パネルには、前述の蛍光
スクリーンを用いる放射線写真法の場合と同様に、放射
線吸収率および光変換率（両者を含めて以下「放射線感
度」と称する）が高いことが必要であり、しかも画像の
粒状性がよく、さらに高鮮鋭性であることが要求され
る。A radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer used in such a radiation image conversion method has a radiation absorption rate and a light conversion rate (both of which are the same as in the case of the radiography method using a fluorescent screen described above). (Hereinafter referred to as “radiation sensitivity”), and the image must have good graininess and high sharpness.
ところで、従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性
が、蛍光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射
時の発光）の広がりによって決定されるのは周知のとお
りであるが、これに対し、輝尽性蛍光体を利用した放射
線画像変換方法における画像の鮮鋭性は、放射線画像変
換パネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって
決定されるのではなく、すなわち放射線写真法における
ように蛍光体の発光の広がりによって決定されるのでは
なく、輝尽励起光の当該パネル内での広がりに依存して
決定される。詳しく説明すると、この放射線画像変換方
法においては、放射線画像変換パネルに蓄積された放射
線画像情報は時系列化されて取り出されるので、ある時
間（ti）に照射された輝尽励起光による輝尽発光は、望
ましくはすべて採光されその時間に輝尽励起光が照射さ
れていた当該パネル上のある画素（xi,yi）からの出力
として記録されるが、かりに輝尽励起光が当該パネル内
で散乱等により広がり、照射画素（xi,yi）の外側に存
在する輝尽性蛍光体をも励起してしまうと、当該照射画
素（xi,yi）からの出力としてその画素よりも広い領域
からの出力が記録されてしまう。従って、ある時間
（ti）に照射された輝尽励起光による輝尽発光が、その
時間（ti）に輝尽励起光が真に照射されていた当該パネ
ル上の画素（xi,yi）からの発光のみであれば、その発
光がいかなる広がりを持つものであろうと、得られる画
像の鮮鋭性には影響がない。By the way, it is well known that the sharpness of an image in the conventional radiographic method is determined by the spread of instantaneous light emission (light emission at the time of irradiation) of a phosphor in a fluorescent screen. The sharpness of an image in a radiation image conversion method using a stimulable phosphor is not determined by the spread of stimulable luminescence of the stimulable phosphor in the radiation image conversion panel, that is, as in radiography. Rather than being determined by the spread of the emission of the phosphor, it is determined by the spread of the stimulating excitation light within the panel. More specifically, in this radiation image conversion method, the radiation image information accumulated in the radiation image conversion panel is chronologically extracted and taken out, so that the stimulus by the stimulating excitation light irradiated at a certain time (t i ) The luminescence is preferably recorded as an output from a pixel (x i , y i ) on the panel to which all light was collected and to which the stimulating excitation light was irradiated at that time. If the stimulable phosphor existing outside the illuminated pixel (x i , y i ) also excites due to scattering or the like in the inside and is excited, the pixel is output as an output from the illuminated pixel (x i , y i ) Output from a wider area is recorded. Therefore, the stimulating light emitted by the stimulating excitation light irradiated at a certain time (t i ) is changed to the pixel (x i , y) on the panel to which the stimulating excitation light is truly irradiated at the time (t i ). The light emission from i ) alone has no effect on the sharpness of the obtained image, regardless of the extent of the light emission.
このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善す
る手段がいくつか提案されている。Under such circumstances, some means for improving the sharpness of a radiographic image have been proposed.
例えば特開昭62−133399号公報には、前記放射線画像
変換パネルが、支持体、光反射層、輝尽性蛍光体層の順
に積層されて形成され、前記光反射層の反射面が金属面
（以下「光反射金属層」と称する）であることを特徴と
するパネルの形態が開示されている。この技術によれ
ば、輝尽励起光が光反射金属層内に透過することがない
ので、従来の光反射白色顔料層におけるような光反射層
厚による光の散乱がなく、また、支持体にまで透過して
支持体内で散乱することがなく、ともに読取り画像の鮮
鋭性を低下させることがない。For example, JP-A-62-133399 discloses that the radiation image conversion panel is formed by laminating a support, a light reflection layer, and a stimulable phosphor layer in this order, and the reflection surface of the light reflection layer is a metal surface. (Hereinafter referred to as “light reflecting metal layer”). According to this technology, since the stimulating excitation light does not pass through the light reflecting metal layer, there is no light scattering due to the light reflecting layer thickness as in the conventional light reflecting white pigment layer, and the support has The light does not penetrate through the support and is not scattered in the support, and the sharpness of the read image is not reduced.
しかし、上記の特開昭62−133399号公報の技術におい
ては、支持体の金属表面すなわち光反射金属層が直接蛍
光体層に接触する構成であるので、蛍光体層の形成工
程、またはその後の加熱処理工程（アニーリング工
程）、さらには形成後の経時過程において、支持体の表
面の金属と蛍光体層とが化学反応を起こし、蛍光体層が
劣化し、放射線感度が低下したり、当該金属層における
光の透過率および反射率特性が変動する問題が生じた。However, in the technique disclosed in JP-A-62-133399, since the metal surface of the support, that is, the light-reflecting metal layer is in direct contact with the phosphor layer, the phosphor layer forming step or the subsequent step is performed. In the heat treatment step (annealing step) and in the course of time after formation, a chemical reaction occurs between the metal on the surface of the support and the phosphor layer, thereby deteriorating the phosphor layer, lowering the radiation sensitivity, A problem arises in that the light transmittance and reflectance characteristics of the layer fluctuate.
そこで、本発明の目的は、支持体の金属表面および蛍
光体層の劣化を防止し得る構造であって、放射線感度お
よび画像の鮮鋭性ともに良好な放射線画像変換パネルを
提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a radiation image conversion panel having a structure capable of preventing deterioration of the metal surface of the support and the phosphor layer, and having both good radiation sensitivity and sharpness of an image.
以上の目的を達成するために、本発明者らが鋭意研究
を重ねた結果、金属表面を有する支持体と、蛍光体層と
の間に透明薄膜層を介在させることにより、支持体の金
属表面および蛍光体層の劣化を防止できることを見出し
て、本発明を完成するに至ったものである。In order to achieve the above object, the present inventors have conducted intensive studies, and as a result, by interposing a transparent thin film layer between a support having a metal surface and a phosphor layer, the metal surface of the support was The present inventors have found that the present invention can prevent the deterioration of the phosphor layer and have completed the present invention.
そこで、本発明の放射線画像変換パネルは、金属表面
を有する支持体と、輝尽性蛍光体層と輝尽性蛍光体層の
保護層とを備えてなる放射線画像変換パネルにおいて、
前記支持体の金属表面上に、波長350〜800nmの光に対す
る光透過率が70％以上である透明薄膜層を設け、この透
明薄膜層上に輝尽性蛍光体層を設けたことを特徴とす
る。Therefore, the radiation image conversion panel of the present invention is a radiation image conversion panel comprising a support having a metal surface, a stimulable phosphor layer and a protective layer of the stimulable phosphor layer,
On the metal surface of the support, a transparent thin film layer having a light transmittance of 70% or more for light having a wavelength of 350 to 800 nm is provided, and a stimulable phosphor layer is provided on the transparent thin film layer. I do.
以下、本発明を具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described specifically.
第１図は、本発明の放射線画像変換パネルの一例を示
し、１は支持体、２は透明薄膜層、３は輝尽性蛍光体
層、４は保護層である。FIG. 1 shows an example of the radiation image conversion panel of the present invention, wherein 1 is a support, 2 is a transparent thin film layer, 3 is a stimulable phosphor layer, and 4 is a protective layer.
支持体１は、非金属製の基板1Aと、この基板1Aの一面
側に設けられた金属層1Bとを備えてなり、この金属層1B
が支持体１の金属表面を構成している。この金属層1B
は、光反射層および遮光層としての機能を発揮するもの
である。なお、この金属層1Bは、光反射層と遮光層の機
能をそれぞれ有する別個の層を積層して構成してもよ
い。The support 1 includes a non-metallic substrate 1A and a metal layer 1B provided on one surface of the substrate 1A.
Constitute the metal surface of the support 1. This metal layer 1B
Has a function as a light reflection layer and a light shielding layer. The metal layer 1B may be formed by laminating separate layers each having the functions of a light reflection layer and a light shielding layer.
支持体１の金属層1B上に、透明薄膜層２が設けられ、
この透明薄膜層２上に輝尽性蛍光体層３が設けられてい
る。すなわち、透明薄膜層２は支持体１の金属表面であ
る金属層1Bと輝尽性蛍光体層３との間に設けられてい
て、両者の接触を防止している。そして、輝尽性蛍光体
層３の上に空隙4Aを介して保護層４が設けられている。
この空隙4Aには、乾燥された窒素ガス等が封入されてい
る。A transparent thin film layer 2 is provided on a metal layer 1B of a support 1,
The stimulable phosphor layer 3 is provided on the transparent thin film layer 2. That is, the transparent thin film layer 2 is provided between the metal layer 1B, which is the metal surface of the support 1, and the stimulable phosphor layer 3 to prevent contact between the two. Further, the protective layer 4 is provided on the stimulable phosphor layer 3 with a gap 4A interposed therebetween.
Dried nitrogen gas or the like is sealed in the gap 4A.
第２図は、本発明の放射線画像変換パネルの他の例を
示し、金属製の支持体１′上に、順に、透明薄膜層２、
輝尽性蛍光体層３、保護層４が設けられている。すなわ
ち、この例では、第１図の金属層1Bの機能を金属製の支
持体１′自身が備えている構成例である。FIG. 2 shows another example of the radiation image conversion panel of the present invention, in which a transparent thin film layer 2 and a
A stimulable phosphor layer 3 and a protective layer 4 are provided. That is, in this example, the function of the metal layer 1B shown in FIG. 1 is provided in the metal support 1 'itself.
透明薄膜層２は、光散乱を防止するために透明で薄膜
であることが必要である。具体的には、透明薄膜層２
は、波長350〜800nmの光に対する光透過率が70％以上の
ものとされる。さらに後述の支持体１の金属表面よりも
輝尽励起光の入射側に着色層を設ける場合には、波長35
0〜800nmの光に対する光透過率は80％以上であることが
好ましい。また透明薄膜層２の層厚は、10〜３×105Å
が好ましく、特に無機化合物の場合は103〜104Åが好ま
しく、有機化合物の場合は104〜105Åが好ましい。The transparent thin film layer 2 needs to be transparent and a thin film in order to prevent light scattering. Specifically, the transparent thin film layer 2
Has a light transmittance of 70% or more for light having a wavelength of 350 to 800 nm. Further, when a colored layer is provided on the incident side of the stimulating excitation light with respect to the metal surface of the support 1 described later, the wavelength 35
The light transmittance for light of 0 to 800 nm is preferably 80% or more. The thickness of the transparent thin film layer 2 is 10 to 3 × 10 5 Å
Is preferred, and in the case of an inorganic compound, it is preferably 10 3 to 10 4 、, and in the case of an organic compound, it is preferably 10 4 to 10 5 Å.
また透明薄膜層２は、支持体1,1′の金属表面および
輝尽性蛍光体層３を劣化させないように化学的に安定で
あることが必要である。Further, the transparent thin film layer 2 needs to be chemically stable so as not to deteriorate the metal surfaces of the supports 1, 1 'and the stimulable phosphor layer 3.
従って、透明薄膜層２の構成材料としては、酸化物、
窒化物、フッ化物、炭化物、あるいはポリマー、ゼラチ
ン等が好適である。具体的には、SiO2、Al2O3、TiO2等
の酸化物、MgF2、CaF2等のフッ化物、SiC等の炭化物、S
iN等の窒化物、PET、ビニルアルコールフィルム等のポ
リマー、ゼラチン等が好ましい。Therefore, the constituent materials of the transparent thin film layer 2 include oxides,
Preferred are nitrides, fluorides, carbides, polymers, gelatin and the like. Specifically, oxides such as SiO 2 , Al 2 O 3 and TiO 2 , fluorides such as MgF 2 and CaF 2 , carbides such as SiC, S
Preferred are nitrides such as iN, polymers such as PET and vinyl alcohol films, and gelatin.
透明薄膜層２の形成手段としては、特に限定されず、
種々の薄膜形成法を利用することができる。具体的に
は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法、塗布法等を挙げることができる。The means for forming the transparent thin film layer 2 is not particularly limited.
Various thin film forming methods can be used. Specific examples include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a coating method.
第１図の金属層1Bは、光反射層および遮光層としての
機能を果たすものであり、隣接する層との界面において
光学的密度が異なり、すなわち反射率が異なり、かつ金
属面であることが必要である。The metal layer 1B in FIG. 1 functions as a light reflecting layer and a light shielding layer, and has a different optical density at an interface with an adjacent layer, that is, a different reflectivity and a metal surface. is necessary.
この金属層1Bは、蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法、メッキ法により形成してもよいし、
金属箔をラミネートして形成してもよい。特に、蒸着法
等の気相堆積法によれば、金属層1Bの形成が容易であ
り、また非金属製の基板1A等の表面の凹凸の形状に関係
なく容易に光反射層1Bを形成することができる。This metal layer 1B may be formed by an evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method,
It may be formed by laminating a metal foil. In particular, according to a vapor deposition method such as a vapor deposition method, the formation of the metal layer 1B is easy, and the light reflection layer 1B is easily formed regardless of the shape of the unevenness of the surface of the nonmetallic substrate 1A or the like. be able to.
金属層1Bを構成する金属としては、アルミニウム、
金、銀、銅、クロム、ニッケル、白金、ロジウム、スズ
等を挙げることができる。As a metal constituting the metal layer 1B, aluminum,
Gold, silver, copper, chromium, nickel, platinum, rhodium, tin and the like can be mentioned.
金属層1Bの厚さは0.01〜50μｍが好ましく、また輝尽
発光波長領域の光に対して50％以上、特に70％以上の平
均反射率を有することが好ましい。この平均反射率は、
積分球型分光光度計により測定することができる。The thickness of the metal layer 1B is preferably 0.01 to 50 μm, and preferably has an average reflectance of 50% or more, particularly 70% or more with respect to light in the photostimulated emission wavelength region. This average reflectance is
It can be measured by an integrating sphere spectrophotometer.
さらに、金属層1Bは350〜800nmの光に対して透過率が
１％以下であることが好ましい。Further, the metal layer 1B preferably has a transmittance of 1% or less for light having a wavelength of 350 to 800 nm.
第１図は非金属製の基板1Aを用いる例であるが、非金
属材料としては、ガラス、セラミクス、あるいは各種高
分子材料等を用いることができる。具体的には、石英ガ
ラス、化学強化ガラス等のガラス、結晶化ガラス、アル
ミナあるいはジルコニアの焼結板等のセラミクス、ある
いはセルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィ
ルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミ
ドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィ
ルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィ
ルムを挙げることができる。FIG. 1 shows an example in which a non-metallic substrate 1A is used. As the non-metallic material, glass, ceramics, various polymer materials, or the like can be used. Specifically, quartz glass, glass such as chemically strengthened glass, crystallized glass, ceramics such as a sintered plate of alumina or zirconia, or cellulose acetate film, polyester film, polyethylene terephthalate film, polyamide film, polyimide film, triacetate film And a plastic film such as a polycarbonate film.
第２図は金属製の支持体１′を用いる例であるが、か
かる金属製の支持体１′としては、アルミニウム、アル
ミニウム−マグネシウム合金、鉄、ステンレス、銅、ク
ロム、鉛等の金属シートを用いることができる。FIG. 2 shows an example in which a metal support 1 'is used. As the metal support 1', a metal sheet made of aluminum, aluminum-magnesium alloy, iron, stainless steel, copper, chromium, lead or the like is used. Can be used.
基板1Aまたは支持体１′の厚さは、その材質等によっ
て異なるが、一般的には100μｍ〜5mmが好ましく、取扱
いの便利性から、特に200μｍ〜2mmが好ましい。The thickness of the substrate 1A or the support 1 'varies depending on the material and the like, but is generally preferably 100 μm to 5 mm, and particularly preferably 200 μm to 2 mm from the viewpoint of easy handling.
輝尽性蛍光体層３は、真空蒸着法（以下適宜単に「蒸
着法」と記す）、スパッタリング法、CVD法、イオンプ
レーティング法等の気相堆積法、あるいはあらかじめ輝
尽性蛍光体または分散剤等をバインダー液中に懸濁、溶
解させて調合した蛍光体塗料を単層もしくは性能別に分
けて複層に塗設する塗布法によって形成することが好ま
しい。The stimulable phosphor layer 3 is formed by a vapor deposition method such as a vacuum evaporation method (hereinafter, simply referred to as an “evaporation method”), a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, or a stimulable phosphor or dispersion. It is preferable to form the phosphor coating prepared by suspending and dissolving an agent or the like in a binder solution and coating the phosphor coating in a single layer or in multiple layers according to performance.
蒸着法により輝尽性蛍光体層を形成する場合には、金
属表面を有する支持体を蒸着装置内に設置した後、蒸着
装置内を排気して10-6Torr程度の真空度とする。次い
で、輝尽性蛍光体の少なくとも１種を抵抗加熱法、電子
ビーム法等の方法により加熱蒸発させて、支持体の金属
表面に輝尽性蛍光体を所定の厚さに堆積させる。When the stimulable phosphor layer is formed by a vapor deposition method, a support having a metal surface is placed in a vapor deposition apparatus, and then the inside of the vapor deposition apparatus is evacuated to a degree of vacuum of about 10 −6 Torr. Next, at least one kind of the stimulable phosphor is heated and evaporated by a method such as a resistance heating method or an electron beam method to deposit the stimulable phosphor to a predetermined thickness on the metal surface of the support.
この結果、バインダーを含有しない輝尽性蛍光体層３
が形成されるが、蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍
光体層を形成することも可能である。また蒸着工程で
は、複数の抵抗加熱器または電子ビームを用いて共蒸着
を行うことも可能である。As a result, the stimulable phosphor layer 3 containing no binder was used.
Is formed, but it is also possible to form the stimulable phosphor layer a plurality of times in the vapor deposition step. In the evaporation step, co-evaporation can be performed using a plurality of resistance heaters or electron beams.
蒸着終了後、必要に応じて輝尽性蛍光体層の支持体側
とは反対側の面に直接または空隙を介して保護層を設け
ることにより本発明の放射線画像変換パネルが製造され
る。なお、保護層上に直接輝尽性蛍光体層を設ける場合
には、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、これを
支持体に設ける手順を採ってもよい。After the vapor deposition, a radiation image conversion panel of the present invention is manufactured by providing a protective layer directly or via a gap on the surface of the stimulable phosphor layer opposite to the support side, if necessary. When the stimulable phosphor layer is provided directly on the protective layer, a procedure may be adopted in which the stimulable phosphor layer is formed on the protective layer and then provided on the support.
また、蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数の
抵抗加熱器または電子ビームを用いて共蒸着し、支持体
の金属表面上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同
時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。In the vapor deposition method, the stimulable phosphor raw material is co-evaporated using a plurality of resistance heaters or electron beams to synthesize the desired stimulable phosphor on the metal surface of the support, and at the same time to stimulate the stimulable phosphor. It is also possible to form a luminescent phosphor layer.
さらに、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物（支持体または保護層）を冷却または加熱しても
よい。また、蒸着終了後に輝尽性蛍光体層を加熱処理
（アニーリング）してもよい。また、蒸着法において
は、必要に応じてO2,H2等のガスを導入して反応性蒸着
を行ってもよい。Further, in the vapor deposition method, at the time of vapor deposition, an object to be deposited (a support or a protective layer) may be cooled or heated as necessary. Further, the stimulable phosphor layer may be subjected to a heat treatment (annealing) after the deposition. In addition, in the vapor deposition method, reactive vapor deposition may be performed by introducing a gas such as O 2 and H 2 as necessary.
スパッタリング法により輝尽性蛍光体層を形成する場
合には、蒸着法と同様に金属表面を有する支持体をスパ
ッタリング装置内に配置した後、装置内を一旦排気して
10-6Torr程度の真空度とし、次いで、スパッタリング用
のガスとしてAr,Ne等の不活性ガスをスパッタリング装
置内に導入して、10-3Torr程度のガス圧とする。When forming the stimulable phosphor layer by the sputtering method, after arranging the support having a metal surface in the sputtering apparatus in the same manner as in the vapor deposition method, the inside of the apparatus is once evacuated.
The degree of vacuum is set to about 10 −6 Torr, and then an inert gas such as Ar or Ne is introduced into the sputtering apparatus as a gas for sputtering, so that the gas pressure is set to about 10 −3 Torr.
次に、輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリ
ングすることにより、支持体の金属表面に輝尽性蛍光体
層を所定の厚さに堆積させる。Next, a stimulable phosphor layer is deposited to a predetermined thickness on the metal surface of the support by sputtering using the stimulable phosphor as a target.
このスパッタリング工程では、蒸着法と同様に複数回
に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
また、それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のタ
ーゲットを用いて、同時または順次、ターゲットをスパ
ッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。In this sputtering step, it is also possible to form the stimulable phosphor layer in a plurality of times as in the case of the vapor deposition method.
Further, it is also possible to form a stimulable phosphor layer by simultaneously or sequentially sputtering a plurality of targets each using a different stimulable phosphor.
スパッタリング終了後、蒸着法と同様に必要に応じて
輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に直接または空
隙を介して保護層を設けることにより、本発明の放射線
画像変換パネルが製造される。なお、保護層上に直接輝
尽性蛍光体層を設ける場合には、保護層上に輝尽性蛍光
体層を形成した後、支持体を設ける手順を採ってもよ
い。After the sputtering is completed, the radiation image conversion panel of the present invention is manufactured by providing a protective layer directly or through a gap on the side opposite to the support side of the stimulable phosphor layer as necessary similarly to the vapor deposition method. Is done. In the case where the stimulable phosphor layer is provided directly on the protective layer, a procedure of forming the stimulable phosphor layer on the protective layer and then providing a support may be employed.
スパッタリング法においては、複数の輝尽性蛍光体原
料をターゲットとして用い、これを同時または順次スパ
ッタリングして、支持体の金属表面上で目的とする輝尽
性蛍光体を合成すると同時に、輝尽性蛍光体層を形成す
ることも可能である。また、スパッタリング法において
は、必要に応じてO2,H2等のガスを導入して反応性スパ
ッタリングを行ってもよい。In the sputtering method, a plurality of stimulable phosphor raw materials are used as a target, and these are simultaneously or sequentially sputtered to synthesize a desired stimulable phosphor on a metal surface of a support, and at the same time, a stimulable phosphor is used. It is also possible to form a phosphor layer. In the sputtering method, reactive sputtering may be performed by introducing a gas such as O 2 or H 2 as necessary.
さらに、スパッタリング法においては、スパッタリン
グ時に必要に応じて被蒸着物（支持体または保護層）を
冷却または加熱してもよい。また、スパッタリング終了
後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。Further, in the sputtering method, an object to be deposited (a support or a protective layer) may be cooled or heated as needed during sputtering. After the sputtering, the stimulable phosphor layer may be subjected to a heat treatment.
気相堆積法による輝尽性蛍光体層３の形成工程におい
て、輝尽性蛍光体層の堆積速度は0.1〜50μm/分が好ま
しい。堆積速度があまり小さいと生産性が低くなり、堆
積速度があまり大きいと堆積速度のコントロールが困難
となる。In the step of forming the stimulable phosphor layer 3 by the vapor deposition method, the deposition rate of the stimulable phosphor layer is preferably 0.1 to 50 μm / min. If the deposition rate is too low, the productivity will be low, and if the deposition rate is too high, it will be difficult to control the deposition rate.
また、気相堆積法による輝尽性蛍光体層３の形成工程
において、支持体１の温度は400℃以下が好ましい。こ
の温度があまり高いときは、結晶化の進行により画像の
鮮鋭性が低下しやすい。In the step of forming the stimulable phosphor layer 3 by the vapor deposition method, the temperature of the support 1 is preferably 400 ° C. or lower. If the temperature is too high, the sharpness of the image tends to decrease due to the progress of crystallization.
また、気相堆積法でパネルを作製する場合は、蛍光体
が直接金属に触れるので本発明の効果が大きい。When a panel is manufactured by a vapor deposition method, the effect of the present invention is great because the phosphor directly contacts the metal.
塗布法により輝尽性蛍光体層を形成する場合、用いら
れるバインダーとしては、例えばゼラチンのごときタン
パク質、デキストランのごときポリサッカライドまたは
アラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニ
ル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビニリ
デン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメタクリレー
ト、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタ
ン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニルアル
コール等のような通常層構成に用いられるバインダーが
使用される。一般にバインダーは輝尽性蛍光体１重量部
に対して0.01〜１重量部の範囲で使用される。しかしな
がら、得られる放射線画像変換パネルの感度と鮮鋭性の
点ではバインダーは少ない方が好ましく、塗布の容易さ
との兼ね合いから0.03〜0.2重量部の範囲がより好まし
い。When the stimulable phosphor layer is formed by a coating method, examples of the binder used include proteins such as gelatin, polysaccharides such as dextran or gum arabic, polyvinyl butyral, polyvinyl acetate, nitrocellulose, ethyl cellulose, and vinylidene chloride. Binders which are usually used for layer constitution such as vinyl chloride copolymer, polymethyl methacrylate, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyurethane, cellulose acetate butyrate, polyvinyl alcohol and the like are used. Generally, the binder is used in an amount of 0.01 to 1 part by weight based on 1 part by weight of the stimulable phosphor. However, from the standpoint of sensitivity and sharpness of the obtained radiation image conversion panel, it is preferable that the amount of the binder is small, and the range of 0.03 to 0.2 part by weight is more preferable in consideration of the ease of application.
輝尽性蛍光体用塗料の調製は、ボールミル、サンドミ
ル、アトライター、三本ロールミル、高速インペラー分
散器、Kadyミルおよび超音波分散機等の分散装置を用い
て行われる。調製された塗料をドクターブレード、ロー
ルコーター、ナイフコーター等を用いて支持体上に塗布
し、乾燥することにより輝尽性蛍光体層が形成される。
前記塗料を保護層上に塗布し、乾燥した後に輝尽性蛍光
体層と支持体とを接着してもよい。The preparation of the stimulable phosphor coating is performed using a dispersing device such as a ball mill, a sand mill, an attritor, a three-roll mill, a high-speed impeller disperser, a Kady mill, and an ultrasonic disperser. The prepared coating material is applied on a support using a doctor blade, a roll coater, a knife coater, or the like, and dried to form a stimulable phosphor layer.
The stimulable phosphor layer may be adhered to the support after the paint is applied on the protective layer and dried.
なお、輝尽性蛍光体層用塗料中に、輝尽性蛍光体層蛍
光体粒子の分散性を向上させる目的で、ステアリン酸、
フタル酸、カプロン酸、親油性界面活性剤等の分散剤を
混合してもよい。また必要に応じてバインダーに対する
可塑剤を添加してもよい。In addition, in the stimulable phosphor layer paint, for the purpose of improving the dispersibility of the stimulable phosphor layer phosphor particles, stearic acid,
A dispersant such as phthalic acid, caproic acid, or a lipophilic surfactant may be mixed. If necessary, a plasticizer for the binder may be added.
前記可塑剤の例としては、フタル酸ジエチル、フタル
酸ジブチル等のフタル酸エステル、リン酸トリクレジ
ル、リン酸トリフェニル等のリン酸エステル、コハク酸
ジイソデシル、アジピン酸ジオクチル等の脂肪族２塩基
酸エステル、グリコール酸エチルフタリルエチル、グリ
コール酸ブチルフタリルブチル等のグリコール酸エステ
ル等が挙げられる。Examples of the plasticizer include phthalic acid esters such as diethyl phthalate and dibutyl phthalate; phosphoric acid esters such as tricresyl phosphate and triphenyl phosphate; and aliphatic dibasic acid esters such as diisodecyl succinate and dioctyl adipate. And glycolic acid esters such as ethylphthalylethyl glycolate and butylphthalylbutyl glycolate.
輝尽性蛍光体を懸濁した塗料の調製に用いられる溶剤
の例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール、ｎ−ブタノール等の低級アルコール、アセトン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノン等のケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
ｎ−ブチル等の低級脂肪酸と低級アルコールとのエステ
ルジオキサン、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテ
ル、トリオール、キシロール等の芳香族、メチレンクロ
ライド、エチレンクロライド等のハロゲン化炭化水素お
よびそれらの混合物等が挙げられる。Examples of the solvent used for preparing the paint in which the stimulable phosphor is suspended include methanol, ethanol, isopropanol, lower alcohols such as n-butanol, acetone,
Ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone; esters of lower fatty acids such as methyl acetate, ethyl acetate and n-butyl acetate with lower alcohols; dioxane; ethers such as ethylene glycol monoethyl ether and ethylene glycol monomethyl ether; triols and xylols And halogenated hydrocarbons such as methylene chloride and ethylene chloride, and mixtures thereof.
気相堆積法、塗布法、いずれの場合においても、輝尽
性蛍光体層３の層厚は、目的とする放射線画像変換パネ
ルの放射線感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なる
が、30〜1000μｍが好ましく、特に50〜500μｍが好ま
しい。輝尽性蛍光体層３の層厚が小さすぎるときは、放
射線吸収率が低下するため放射線感度が悪くなる。In any case of the vapor deposition method and the coating method, the thickness of the stimulable phosphor layer 3 varies depending on the radiation sensitivity of the intended radiation image conversion panel, the type of the stimulable phosphor, and the like. To 1000 μm, and particularly preferably 50 to 500 μm. When the thickness of the stimulable phosphor layer 3 is too small, the radiation absorptivity is reduced and the radiation sensitivity is deteriorated.
保護層４は、輝尽性蛍光体層３を物理的にまたは化学
的に保護するために設けられるものである。この保護層
４は、第１図または第２図のように空隙4Aを介して設け
てもよいし、保護層用の塗布液を輝尽性蛍光体層上に直
接塗布して形成してもよい。またあらかじめ別途形成し
た保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。The protective layer 4 is provided to protect the stimulable phosphor layer 3 physically or chemically. The protective layer 4 may be provided with a gap 4A as shown in FIG. 1 or FIG. 2, or may be formed by directly applying a coating liquid for the protective layer on the stimulable phosphor layer. Good. Further, a protective layer separately formed in advance may be bonded onto the stimulable phosphor layer.
保護層４を空隙4Aを介して設ける場合、当該保護層の
構成材料としては、透光性がよく、シート状に成形でき
るものが使用される。保護層は輝尽励起光および輝尽発
光を効率よく透過するために、広い波長範囲で高い光透
過率を示すことが望ましく、光透過率は80％以上が好ま
しい。When the protective layer 4 is provided with the gap 4A interposed therebetween, as a constituent material of the protective layer, a material having good translucency and capable of being formed into a sheet is used. The protective layer desirably exhibits a high light transmittance in a wide wavelength range in order to efficiently transmit stimulated excitation light and stimulated emission, and the light transmittance is preferably 80% or more.
そのようなものとしては、例えば、石英、ホウケイ酸
ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラスや、PET、延伸
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等の有機高分子化合物
が挙げられる。ホウケイ酸ガラスは330nm〜2.6μｍの波
長範囲で80％以上の光透過率を示し、石英ガラスではさ
らに短波長においても高い光透過率を示す。Examples of such a material include plate glass such as quartz, borosilicate glass, and chemically strengthened glass, and organic polymer compounds such as PET, drawn polypropylene, and polyvinyl chloride. Borosilicate glass shows a light transmittance of 80% or more in a wavelength range of 330 nm to 2.6 μm, and quartz glass shows a high light transmittance even at a shorter wavelength.
さらに、保護層４の表面に、MgF2等の反射防止層を設
けると、輝尽励起光および輝尽発光を効率よく透過する
と共に、鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり好まし
い。Further, it is preferable to provide an anti-reflection layer such as MgF 2 on the surface of the protective layer 4 because it has the effects of efficiently transmitting stimulated excitation light and stimulated emission and reducing a decrease in sharpness.
保護層４を輝尽性蛍光体層３上に直接設ける場合、当
該保護層の構成材料としては、酢酸セルロース、ニトロ
セルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、
ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レン、塩化ビニリデン、ナイロン等を用いることができ
る。また、この保護層４は、蒸着法、スパッタリング法
等により、SiC、SiO2、SiN、Al2O3等の無機物質を積層
して形成してもよい。この場合には、保護層４の層厚
は、保護層を蛍光体層に直接設ける場合は、0.1〜100μ
ｍが好ましく、空間4Aを設ける場合は50μｍ〜5mm、好
ましくは100μｍ〜3mmである。When the protective layer 4 is provided directly on the stimulable phosphor layer 3, the constituent materials of the protective layer include cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate,
Polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, vinylidene chloride, nylon and the like can be used. The protective layer 4 may be formed by laminating inorganic substances such as SiC, SiO 2 , SiN, and Al 2 O 3 by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like. In this case, the thickness of the protective layer 4 is 0.1 to 100 μm when the protective layer is provided directly on the phosphor layer.
m is preferable, and when the space 4A is provided, it is 50 μm to 5 mm, preferably 100 μm to 3 mm.
また、保護層４の厚さは、50μｍ〜5mmであり、良好
な防湿性を得るためには、100μｍ〜3mmが好ましい。The thickness of the protective layer 4 is 50 μm to 5 mm, and preferably 100 μm to 3 mm in order to obtain good moisture proofness.
本発明の放射線画像変換パネルにおいては、画像の鮮
鋭性をさらに高めるために、支持体１の金属表面よりも
輝尽励起光の入射側に着色層を設けてもよい。In the radiation image conversion panel of the present invention, in order to further enhance the sharpness of the image, a colored layer may be provided on the incident side of the stimulating excitation light with respect to the metal surface of the support 1.
この着色層は、輝尽性蛍光体層３の全層にわたって設
けてもよいし、輝尽性蛍光体層３の表層部分、支持体１
の金属表面に近接した層部分、保護層４のいずれかに設
けてもよい。また２つ以上の層に設けてもよい。また、
本発明に係る透明薄膜層を着色するようにしてもよい。This colored layer may be provided over the entire stimulable phosphor layer 3 or may be provided on the surface layer of the stimulable phosphor layer 3 and the support 1.
May be provided on any one of the layer portion adjacent to the metal surface and the protective layer 4. Further, it may be provided in two or more layers. Also,
The transparent thin film layer according to the present invention may be colored.
この着色層は、輝尽性蛍光体を輝尽発光させるための
輝尽励起光の少なくとも一部を吸収する機能を果たすも
のであり、輝尽励起光波長領域の光に対する平均反射率
が輝尽発光波長領域の光に対する平均反射率よりも小さ
くなるような光吸収特性を有することが好ましい。The colored layer has a function of absorbing at least a part of the stimulating excitation light for causing the stimulable phosphor to emit stimulating light, and has an average reflectance to light in the stimulating excitation light wavelength region. It is preferable to have a light absorption characteristic that is smaller than the average reflectance for light in the emission wavelength region.
着色剤としては、有機系または無機系の着色剤を用い
ることができ、色相的には青色または緑色系統の着色剤
が好ましい。As the colorant, an organic or inorganic colorant can be used, and a blue or green colorant is preferable in terms of hue.
本発明において「輝尽性蛍光体」とは、最初の光また
は高エネルギー放射線が照射された後に、光的、熱的、
機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励起）によ
り、最初の光または高エネルギー放射線の照射量に対応
した輝尽発光を示す蛍光体をいうが、実用的な面から
は、波長が500nm以上の輝尽励起光によって輝尽発光を
示す蛍光体が好ましい。In the present invention, "stimulable phosphor" means, after being irradiated with the first light or high-energy radiation, optically, thermally,
Phosphor that emits photostimulated light corresponding to the amount of initial light or high-energy radiation when stimulated by mechanical, chemical, or electrical stimulation (stimulated excitation). Is preferably a phosphor that emits photostimulated light by photostimulated excitation light of 500 nm or more.
輝尽性蛍光体層を構成する輝尽性蛍光体としては、以
下のものを用いることができる。The following can be used as the stimulable phosphor constituting the stimulable phosphor layer.
（１）特開昭48−80487号公報に記載のBaSO4:Ax（ただ
し、Ａは、Dy,Tb,Tmの少なくとも１種を表し、ｘは0.00
1≦ｘ＜１モル％を満たす数を表す。）で表される蛍光
体。(1) BaSO described in JP 48-80487 discloses 4: A x (however, A is represented Dy, Tb, at least one Tm, x is 0.00
It represents a number satisfying 1 ≦ x <1 mol%. The phosphor represented by).
（２）特開昭48−80489号公報に記載のSrSO4:Ax（ただ
し、Ａは、Dy,Tb,Tmの少なくとも１種を表し、ｘは0.00
1≦ｘ＜１モル％を満たす数を表す。）で表されている
蛍光体。(2) SrSO described in JP 48-80489 discloses 4: A x (however, A is represented Dy, Tb, at least one Tm, x is 0.00
It represents a number satisfying 1 ≦ x <1 mol%. The phosphor represented by).
（３）特開昭51−29889号公報に記載のNa2SO4,CaSO4,Ba
SO4等にMn,Dy,Tbの少なくとも１種を添加した蛍光体。(3) Na 2 SO 4 according to JP 51-29889 discloses, CaSO 4, Ba
A phosphor obtained by adding at least one of Mn, Dy, and Tb to SO 4 or the like.
（４）特開昭52−30487号公報に記載のBeO,LiF,MgSO4,C
aF2等の蛍光体。(4) BeO, LiF, MgSO 4 , C described in JP-A-52-30487
phosphor such as aF 2.
（５）特開昭53−39277号公報に記載のLi2B4O7:Cu,Ag等
の蛍光体。(5) Phosphors such as Li 2 B 4 O 7 : Cu and Ag described in JP-A-53-39277.
（６）特開昭54−47883号公報に記載のLi2O・（B
2O2）x:Cu（ただし、ｘは２＜ｘ≦３を満たす数を表
す。）、Li2O・（B2O2）x:Cu,Ag（ただし、ｘは２＜ｘ
≦３を満たす数を表す。）等の蛍光体。(6) Li 2 O · described in JP 54-47883 JP (B
2 O 2 ) x : Cu (where x represents a number satisfying 2 <x ≦ 3), Li 2 O · (B 2 O 2 ) x : Cu, Ag (where x is 2 <x
Represents a number satisfying ≦ 3. ) And other phosphors.
（７）米国特許第3,859,527号明細書に記載のSrS:Ce,S
m、SrS:Eu,Sm、La2O2S:Eu,Sm、（Zn,Cd）S:Mn,X（ただ
し、Ｘはハロゲンを表す。）で表される蛍光体。(7) SrS: Ce, S described in U.S. Pat. No. 3,859,527
m, SrS: Eu, Sm, La 2 O 2 S: Eu, Sm, (Zn, Cd) S: Mn, X (where X represents a halogen).
（８）特開昭55−12142号公報に記載のZnS:Cu,Pb蛍光
体。(8) ZnS: Cu, Pb phosphor described in JP-A-55-12142.
（９）同55−12142号公報に記載の一般式がBaO・xAl
2O3:Eu（ただし、ｘは0.8≦ｘ≦10を満たす数を表
す。）で表されるアルミン酸バリウム蛍光体。(9) The general formula described in JP-A-55-12142 is BaO.xAl
A barium aluminate phosphor represented by 2 O 3 : Eu (where x represents a number satisfying 0.8 ≦ x ≦ 10).
（10）同55−12142号公報に記載の一般式がMAO・xSiO2:
A（ただし、MAは、Mg,Ca,Sr,Zn,Cd,Baを表し、Ａは、C
e,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi,Muの少なくとも１種を表し、ｘ
は、0.5≦ｘ＜2.5を満たす数を表す。）で表されるアル
カリ土類金属ケイ酸塩系蛍光体。(10) The general formula described in JP- A -55-12142 is represented by M A O.xSiO 2 :
A (however, M A represents Mg, Ca, Sr, Zn, Cd, and Ba, A is C
represents at least one of e, Tb, Eu, Tm, Pb, Tl, Bi, and Mu, and x
Represents a number satisfying 0.5 ≦ x <2.5. The alkaline earth metal silicate-based phosphor represented by).
（11）同55−12142号公報に記載の一般式が（Ba1-x-yMg
xCay）FX:eEu2+（ただし、Ｘは、Br,Clの少なくとも１
種を表し、x,y,eは、それぞれ、０＜ｘ＋ｙ≦0.6、xy≠
０、10-6≦ｅ≦５×10-2を満たす数を表す。）で表され
る蛍光体。(11) The general formula described in JP-A-55-12142 (Ba 1-xy Mg
x Ca y ) FX: eEu 2+ (where X is at least one of Br and Cl)
X, y, and e represent 0 <x + y ≦ 0.6 and xy そ れ ぞ れ, respectively.
0, a number that satisfies 10 −6 ≦ e ≦ 5 × 10 −2 . The phosphor represented by).
（12）同55−12142号公報に記載の一般式がLnOX:xA（た
だし、Lnは、La,Y,Gd,Luの少なくとも１種を表し、Ｘ
は、Cl,Brの少なくとも１種を表し、Ａは、Ce,Tbの少な
くとも１種を表し、ｘは、０＜ｘ＜0.1を満たす数を表
す。）で表される蛍光体。(12) The general formula described in JP-A-55-12142 is LnOX: xA (where Ln represents at least one of La, Y, Gd, and Lu;
Represents at least one kind of Cl and Br, A represents at least one kind of Ce and Tb, and x represents a number satisfying 0 <x <0.1. The phosphor represented by).
（13）特開昭55−12145号公報に記載の一般式が（Ba1-x
（MA）ｘ）FX:yA（ただし、MAは、Mg,Ca,Sr,Zn,Cdの少
なくとも１種を表し、Ｘは、Cl,Br,Iの少なくとも１種
を表し、Ａは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Erの少な
くとも１種を表し、x,yは、０≦ｘ≦0.6、０≦ｙ≦0.2
を満たす数を表す。）で表される蛍光体。(13) The general formula described in JP-A-55-12145 is (Ba 1-x
(M A ) x ) FX: yA (where M A represents at least one of Mg, Ca, Sr, Zn, Cd, X represents at least one of Cl, Br, I, and A is Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, represents at least one kind of Er, x, y are 0 ≦ x ≦ 0.6, 0 ≦ y ≦ 0.2
Represents a number that satisfies The phosphor represented by).
（14）特開昭55−84389号公報に記載の一般式がBaFX:xC
e,yA（ただし、Ｘは、Cl,Br,Iの少なくとも１種を表
し、Ａは、In,Tl,Gd,Sm,Zrの少なくとも１種を表し、x,
yは、０＜ｘ≦２×10-1、０＜ｙ≦５×10-2を満たす数
を表す。）で表される蛍光体。(14) The general formula described in JP-A-55-84389 is BaFX: xC
e, yA (where X represents at least one kind of Cl, Br, I, A represents at least one kind of In, Tl, Gd, Sm, Zr, x,
y represents a number satisfying 0 <x ≦ 2 × 10 −1 and 0 <y ≦ 5 × 10 −2 . The phosphor represented by).
（15）特開昭55−160078号公報に記載の一般式がMAFX・
xA:yLn（ただし、MAは、Mg,Ca,Ba,Sr,Zn,Cdの少なくと
も１種を表し、Ａは、BeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,
Y2O3,La2O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta
2O5,ThO2の少なくとも１種を表し、Lnは、Eu,Tb,Ce,Tm,
Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sm,Gdの少なくとも１種を表し、Ｘ
は、Cl,Br,Iの少なくとも１種を表し、x,yは、５×10-5
≦ｘ≦0.5、０＜ｙ≦0.2を満たす数を表す。）で表され
る希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体。(15) In formula described in JP 55-160078 Patent Publication No. · M A FX
xA: yLn (where, M A represents at least one of Mg, Ca, Ba, Sr, Zn, and Cd, and A is BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, ZnO, Al 2 O 3 ,
Y 2 O 3 , La 2 O 3 , In 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , GeO 2 , SnO 2 , Nb 2 O 5 , Ta
2 O 5, represents at least one of ThO 2, Ln is, Eu, Tb, Ce, Tm ,
X represents at least one of Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Sm, and Gd;
Represents at least one of Cl, Br and I, and x and y represent 5 × 10 −5
It represents a number that satisfies ≦ x ≦ 0.5 and 0 <y ≦ 0.2. A) a rare earth element-activated divalent metal fluorohalide phosphor represented by the formula:
（16）同55−160078号公報に記載の一般式がZnS:A、（Z
n,Cd）S:A、CdS:A、ZnS:A,X、CdS:A,X（ただし、Ａは、
Cu,Ag,Au,Mnのいずれかを表し、Ｘは、ハロゲンを表
す。）で表される蛍光体。(16) The general formula described in JP-A-55-160078 is ZnS: A, (Z
n, Cd) S: A, CdS: A, ZnS: A, X, CdS: A, X (where A is
Represents any of Cu, Ag, Au and Mn, and X represents halogen. The phosphor represented by).
（17）特開昭59−38278号公報に記載の 一般式〔Ｉ〕 xM3（PO4）２・NX2:yA 一般式〔II〕 M3（PO4）２・yA （式中、M,Nは、それぞれ、Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cdの少なく
とも１種を表し、Ｘは、F,Cl,Br,Iの少なくとも１種を
表し、Ａは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sb,Tl,M
n,Snの少なくとも１種を表し、x,yは、０＜ｘ≦６、０
≦ｙ≦１を満たす数を表す。）で表される蛍光体。(17) General formula [I] xM 3 (PO 4 ) 2 · NX 2 : yA described in JP-A-59-38278. General formula [II] M 3 (PO 4 ) 2 · yA (wherein M , N represents at least one of Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, and Cd, X represents at least one of F, Cl, Br, and I, and A represents Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Sb, Tl, M
represents at least one of n and Sn, and x and y are 0 <x ≦ 6, 0
Represents a number satisfying ≦ y ≦ 1. The phosphor represented by).
（18）特開昭59−155487号公報に記載の 一般式〔III〕nReX3・mAX′2:xEu 一般式〔IV〕nReX3・mAX′2:xEu,ySm （式中、Reは、La,Gd,Y,Luの少なくとも１種を表し、Ａ
は、Ba,Sr,Caの少なくとも１種のアルカリ土類金属を表
し、X,X′は、F,Cl,Brの少なくとも１種を表し、x,y
は、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜ｙ＜１×10-1
を満たす数を表し、n/mは、１×10-3＜n/m＜７×10-1を
満たす数を表す。）で表される蛍光体。(18) General formula [III] nReX 3 · mAX ′ 2 : xEu described in JP-A-59-155487 General formula [IV] nReX 3 · mAX ′ 2 : xEu, ySm (where Re is La , Gd, Y, Lu
Represents at least one alkaline earth metal of Ba, Sr, Ca, X, X 'represents at least one of F, Cl, Br, x, y
Is 1 × 10 −4 <x <3 × 10 −1 , 1 × 10 −4 <y <1 × 10 −1
And n / m represents a number satisfying 1 × 10 −3 <n / m <7 × 10 −1 . The phosphor represented by).
（19）特開平２−58593号公報に記載の一般式 aBaX2・（１−ａ）BaY2:bEu2+ （式中、X,Yは、それぞれ、F,Cl,Br,Iの少なくとも１種
を表し、Ｘ≠Ｙであり、a,bは、０＜ａ＜１、10-5＜ｂ
＜10-1を満たす数を表す。）で表される蛍光体。(19) General formula aBaX 2 · (1-a) BaY 2 : bEu 2+ described in JP-A-2-58593 (wherein X and Y are at least one of F, Cl, Br and I, respectively) Represents a seed, X ≠ Y, and a and b are 0 <a <1, 10 −5 <b
Represents a number satisfying <10 -1 . The phosphor represented by).
（20）特開昭61−72087号公報に記載の一般式 MAX・aMBX′２・bMCX″3:cA （ただし、MAは、Li,Na,K,Rb,Csの少なくとも１種のア
ルカリ金属を表し、MBは、Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu,Ni
の少なくとも１種の２価の金属を表し、MCは、Sc,Y,La,
Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,In
の少なくとも１種の３価の金属を表し、X,X′,X″は、
F,Cl,Br,Iの少なくとも１種のハロゲンを表し、Ａは、E
u,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,C
u,Mgの少なくとも１種の金属を表し、a,b,cは、０≦ａ
＜0.5、０≦ｂ＜0.5、０＜ｃ≦0.2を満たす数を表
す。）で表されるアルカリハライド蛍光体。(20) The general formula described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-72087, M A X • a M B X ′ 2 • bM C X ″ 3 : cA (where M A is Li, Na, K, Rb, Cs represents at least one alkali metal, M B is, Be, Mg, Ca, Sr , Ba, Zn, Cd, Cu, Ni
Of represents at least one divalent metal, M C is, Sc, Y, La,
Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, In
X, X ′, X ″ represents at least one trivalent metal of
Represents at least one halogen of F, Cl, Br, I;
u, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, C
u, represents at least one metal of Mg, a, b, c is 0 ≦ a
<0.5, 0 ≦ b <0.5, and 0 <c ≦ 0.2. An alkali halide phosphor represented by).
本発明においては、このアルカリハライド蛍光体が蒸
着法に好適であることから特に好ましく用いることがで
きる。In the present invention, this alkali halide phosphor can be particularly preferably used because it is suitable for a vapor deposition method.
ただし、本発明においては、以上の蛍光体に限定され
ず、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に
輝尽蛍光を示す蛍光体であればその他の蛍光体をも用い
ることができる。However, in the present invention, the phosphor is not limited to the above, and other phosphors may be used as long as the phosphor exhibits stimulable fluorescence when irradiated with radiation and then irradiated with stimulating excitation light. it can.
第３図は本発明の放射線画像変換パネルを用いて構成
された放射線画像変換装置の概略を示し、５は放射線発
生装置、６は被写体、７は放射線画像変換パネル、８は
輝尽励起光源、９は放射線画像変換パネル７より照射さ
れた輝尽発光を検出する光電変換装置、10は光電変換装
置９で検出された信号を画像として再生する再生装置、
11は再生装置10により再生された画像を表示する表示装
置、12は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽発光の
みを透過させるフィルターである。FIG. 3 schematically shows a radiation image conversion apparatus configured using the radiation image conversion panel of the present invention, 5 is a radiation generator, 6 is a subject, 7 is a radiation image conversion panel, 8 is a stimulating excitation light source, Reference numeral 9 denotes a photoelectric conversion device that detects stimulated emission emitted from the radiation image conversion panel 7, reference numeral 10 denotes a reproduction device that reproduces a signal detected by the photoelectric conversion device 9 as an image,
Reference numeral 11 denotes a display device for displaying an image reproduced by the reproducing device 10, and reference numeral 12 denotes a filter that separates stimulated excitation light and stimulated emission and transmits only the stimulated emission.
第３図の放射線画像変換装置においては、放射線発生
装置５からの放射線Ｒは被写体６を通して放射線画像変
換パネル７に入射する。この入射した放射線RIは放射線
画像変換パネル７の輝尽性蛍光体層３に吸収され、その
エネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成さ
れる。次に、この蓄積像を輝尽励起光源８からの輝尽励
起光で励起して輝尽発光として放射させる。In the radiation image conversion apparatus shown in FIG. 3, the radiation R from the radiation generation apparatus 5 enters the radiation image conversion panel 7 through the subject 6. The incident radiation RI is absorbed by the stimulable phosphor layer 3 of the radiation image conversion panel 7, and its energy is accumulated, thereby forming an accumulated radiation transmission image. Next, this accumulated image is excited by stimulating light from the stimulating light source 8 and emitted as stimulating light.
放射される輝尽発光の強弱は、蓄積された放射線エネ
ルギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増
倍管等の光電変換装置９で光電変換し、再生装置10によ
って画像として再生し、表示装置11によって表示するこ
とにより、被写体６の放射線透過像を観察することがで
きる。Since the intensity of the emitted photostimulated luminescence is proportional to the amount of accumulated radiation energy, this optical signal is photoelectrically converted by a photoelectric conversion device 9 such as a photomultiplier tube, and reproduced as an image by a reproduction device 10, By displaying the image on the display device 11, a radiation transmission image of the subject 6 can be observed.
以下、本発明の実施例を比較例と共に説明するが、本
発明はこれらの態様に限定されるものではない。Hereinafter, examples of the present invention will be described together with comparative examples, but the present invention is not limited to these embodiments.
〔実施例１〕 厚さが1.0mmの結晶化ガラス板からなる基板上に、蒸
着法により厚さが2000Åのアルミニウムの蒸着膜からな
る金属層を形成し、金属表面を有する支持体を得た。Example 1 A metal layer made of a 2000-mm-thick aluminum vapor-deposited film was formed on a substrate made of a crystallized glass plate having a thickness of 1.0 mm by a vapor deposition method to obtain a support having a metal surface. .
この支持体の金属表面上に、蒸着法により、厚さが20
00ÅのSiO2の蒸着膜（350〜800nmにおける光透過率（以
下単に「光透過率」と記す）:90％以上）からなる透明
薄膜層を形成した。On the metal surface of this support, a thickness of 20
A transparent thin film layer composed of a vapor-deposited SiO 2 film (light transmittance at 350 to 800 nm (hereinafter simply referred to as “light transmittance”) of 90% or more) was formed.
透明薄膜層の光透過率の測定は、透過率測定用として
透明石英ガラス板（厚さ1.0mm）に所定膜厚の透明薄膜
層のみを形成し、それを透明石英ガラス板（厚さ1.0m
m）を参照用サンプルとし、分光光度計（日立製557型）
を用いて190〜900nmの範囲で行った。また、保護層の光
透過率の測定も同様に分光光度計を用いて行った。For measuring the light transmittance of the transparent thin film layer, only a transparent thin film layer having a predetermined thickness is formed on a transparent quartz glass plate (1.0 mm thick) for transmittance measurement, and the transparent quartz glass plate (1.0 m thick) is formed.
m) as a reference sample and a spectrophotometer (Hitachi type 557)
Was used in the range of 190 to 900 nm. Further, the measurement of the light transmittance of the protective layer was similarly performed using a spectrophotometer.
透明薄膜層が設けられた支持体を蒸着装置内に配置
し、支持体の温度を200℃に、蒸着装置内の真空度を10
-6Torrに設定し、透明薄膜層上への蒸着物質の堆積速度
が５μm/分となる条件下で蒸着を行って、厚さ300μｍ
の輝尽性蛍光体（RbBr:Tl）の蒸着膜からなる輝尽性蛍
光体層を透明薄膜層上に形成した。The support provided with the transparent thin film layer was placed in an evaporation apparatus, the temperature of the support was set to 200 ° C, and the degree of vacuum in the evaporation apparatus was set to 10 ° C.
-6 Torr, vapor deposition was performed under the condition that the deposition rate of the vapor deposition material on the transparent thin film layer was 5 μm / min, and the thickness was 300 μm.
Of a stimulable phosphor (RbBr: Tl) was formed on the transparent thin film layer.
次に、輝尽性蛍光体層の結晶性を高めるために、温度
400℃でアニーリングを行った。Next, in order to enhance the crystallinity of the stimulable phosphor layer,
Annealing was performed at 400 ° C.
このアニーリング後の輝尽性蛍光体層上に、空隙を介
してガラス封止タイプの保護層を設けて、第１図に示す
構成の本発明の放射線画像変換パネルＡを得た。なお、
空隙には乾燥した窒素ガスを充填した。On the stimulable phosphor layer after the annealing, a protective layer of a glass sealing type was provided through a gap to obtain a radiation image conversion panel A of the present invention having a configuration shown in FIG. In addition,
The voids were filled with dry nitrogen gas.
〔実施例２〕 実施例１において、透明薄膜層を、厚さが2000ÅのMg
F2の蒸着膜からなる透明薄膜層（光透過率:90％以上）
に変更したほかは同様にして本発明の放射線画像変換パ
ネルＢを得た。[Example 2] In Example 1, the transparent thin film layer was formed of Mg having a thickness of 2000 mm.
Transparent thin film layer made of a deposited film of F 2 (light transmittance: 90%)
The radiation image conversion panel B of the present invention was obtained in the same manner except that the above was changed.
〔実施例３〕 実施例１において、金属層をクロムからなる厚さ2000
Åの蒸着膜に変更し、透明薄膜層の厚さを3000Åに変更
したほかは同様にして本発明の放射線画像変換パネルＣ
を得た。[Example 3] In Example 1, the metal layer was made of chrome having a thickness of 2000.
蒸 着, except that the thickness of the transparent thin film layer was changed to 3000 Å.
I got
〔実施例４〕 実施例１において、金属層をクロムからなる厚さ2000
Åの蒸着膜に変更し、透明薄膜層を、厚さが3000ÅのZr
Oの蒸着膜と厚さが1000ÅのSiO2の蒸着膜の２層構成の
透明薄膜層に変更したほかは同様にして本発明の放射線
画像変換パネルＤを得た。Example 4 In Example 1, the metal layer was made of chromium and had a thickness of 2000.
Change to a 蒸 着 deposited film and replace the transparent thin film layer with a 3000 Å thick Zr
A radiation image conversion panel D of the present invention was obtained in the same manner except that the transparent thin film layer was composed of a two-layer structure of a vapor deposition film of O and a vapor deposition film of SiO 2 having a thickness of 1000 °.
〔実施例５〕 実施例１において、透明薄膜層を、厚さが2000ÅのSi
Nの蒸着膜からなる透明薄膜層（光透過率:80％以上）に
変更したほかは同様にして本発明の放射線画像変換パネ
ルＥを得た。[Example 5] In Example 1, the transparent thin film layer was replaced with a 2000-mm thick Si film.
A radiation image conversion panel E of the present invention was obtained in the same manner except that the transparent thin film layer (light transmittance: 80% or more) composed of a vapor deposition film of N was used.
〔実施例６〕 実施例１において、支持体を、厚さが0.3mmのアルミ
ニウム板からなる支持体に変更したほかは同様にして本
発明の放射線画像変換パネルＦを得た。Example 6 A radiation image conversion panel F of the present invention was obtained in the same manner as in Example 1, except that the support was changed to a support made of an aluminum plate having a thickness of 0.3 mm.
〔実施例７〕 実施例６において、透明薄膜層を、厚さが2000ÅのMg
F2の蒸着膜からなる透明薄膜層（光透過率:90％以上）
に変更したほかは同様にして本発明の放射線画像変換パ
ネルＧを得た。[Example 7] In Example 6, the transparent thin film layer was formed using Mg having a thickness of 2000 mm.
Transparent thin film layer made of a deposited film of F 2 (light transmittance: 90%)
A radiation image conversion panel G of the invention was obtained in the same manner except that the above was changed.
〔実施例８〕 実施例６において、透明薄膜層を、厚さが2000ÅのSi
Cの蒸着膜からなる透明薄膜層（光透過率:90％以上）に
変更したほかは同様にして本発明の放射線画像変換パネ
ルＨを得た。[Example 8] In Example 6, the transparent thin film layer was replaced with a 2000 mm thick Si film.
A radiation image conversion panel H of the present invention was obtained in the same manner except that the transparent thin film layer (light transmittance: 90% or more) composed of a vapor deposition film of C was used.
〔実施例９〕 平均粒子径8.5μｍのRbBr:Tl輝尽性蛍光体８重量部
と、ポリビニルブチラール樹脂１重量部とを溶剤（シク
ロヘキサノン）８重量部を用いて、混合、分散し、輝尽
性蛍光体層用塗布液を調製した。Example 9 8 parts by weight of a RbBr: Tl stimulable phosphor having an average particle diameter of 8.5 μm and 1 part by weight of a polyvinyl butyral resin were mixed and dispersed by using 8 parts by weight of a solvent (cyclohexanone), and the mixture was stimulated. A coating solution for a luminescent phosphor layer was prepared.
次に、水平に置かれた定盤上に、蒸着法により厚さが
2000Åのアルミニウムの蒸着膜からなる金属層を形成
し、さらに蒸着法により厚さが2000ÅのSiO2の蒸着膜か
らなる透明薄膜層を形成した厚さ1.0mmの結晶化ガラス
を支持体として置き、この支持体の四周縁に前記塗布液
の流れ止め用の枠を設けた。Next, on a surface plate placed horizontally, the thickness is
A metal layer consisting of a deposited film of aluminum of 2000 mm is formed, and a crystallized glass of 1.0 mm thickness is further formed as a support by forming a transparent thin film layer of a deposited film of 2000 mm of SiO 2 by a vapor deposition method. A frame for stopping the flow of the coating solution was provided on the four peripheral edges of the support.
前記塗布液を保護層上に流延し、25℃で一昼夜放置す
ることによって輝尽性蛍光体粒子を沈降分離させ、輝尽
性蛍光体層を形成した。その後、前記輝尽性蛍光体層を
さらに乾燥させ、その上に空隙を会してガラス封止タイ
プの保護層を設けて第１図に示す構成の本発明の放射線
画像変換パネルＩを得た。The coating solution was cast on the protective layer, and allowed to stand at 25 ° C. for 24 hours to precipitate and separate stimulable phosphor particles, thereby forming a stimulable phosphor layer. Thereafter, the stimulable phosphor layer was further dried, a glass sealing type protective layer was provided with a gap formed thereon to obtain a radiation image conversion panel I of the present invention having a structure shown in FIG. .
この放射線画像変換パネルＩの輝尽性蛍光体層の層厚
は300μｍである。The thickness of the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel I is 300 μm.
〔実施例10〕 平均粒子径8.5μｍのBaFBr:Eu輝尽性蛍光体８重量部
と、ポリビニルブチラール樹脂１重量部とを溶剤（シク
ロヘキサノン）８重量部を用いて、混合、分散し、輝尽
性蛍光体層用塗布液を調製した。Example 10 8 parts by weight of a BaFBr: Eu stimulable phosphor having an average particle diameter of 8.5 μm and 1 part by weight of a polyvinyl butyral resin were mixed and dispersed by using 8 parts by weight of a solvent (cyclohexanone), and the resulting mixture was stimulated. A coating solution for a luminescent phosphor layer was prepared.
次に、水平に置かれた定盤上に、別途形成した厚さ５
μｍのポリエチレンフィルムを保護層として置き、この
保護層の四周縁に前記塗布液の流れ止め用の枠を設け
た。Next, a separately formed thickness of 5 on the surface plate placed horizontally.
A polyethylene film having a thickness of μm was placed as a protective layer, and a frame for stopping the flow of the coating solution was provided around the four edges of the protective layer.
前記塗布液を保護層上に流延し、25℃で一昼夜放置す
ることによって輝尽性蛍光体粒子を沈降分離させ、輝尽
性蛍光体層を形成した。その後、前記輝尽性蛍光体層を
さらに乾燥させ、その上に支持体として、蒸着法により
厚さが2000Åのアルミニウムの蒸着膜からなる金属層を
形成し、さらに蒸着法により厚さが2000ÅのSiO2の蒸着
膜からなる透明薄膜層を形成した厚さ200μｍのカーボ
ンブラック練り込みポリエチレンテレフタレートフィル
ムを接着させて本発明の放射線画像変換パネルＪを得
た。The coating solution was cast on the protective layer, and allowed to stand at 25 ° C. for 24 hours to precipitate and separate stimulable phosphor particles, thereby forming a stimulable phosphor layer. Thereafter, the stimulable phosphor layer is further dried, and as a support, a metal layer made of an aluminum evaporated film having a thickness of 2000 mm is formed thereon by a vapor deposition method. A 200 μm-thick polyethylene terephthalate film kneaded with carbon black having a transparent thin film layer formed of an SiO 2 vapor-deposited film was adhered to obtain a radiation image conversion panel J of the present invention.
この放射線画像変換パネルＪの輝尽性蛍光体層の層厚
は300μｍである。The thickness of the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel J is 300 μm.
〔比較例１〜10〕 実施例１〜10において、透明薄膜層を設けないほかは
それぞれ実施例１〜10と同様にして比較用の放射線画像
変換パネルａ〜ｊを得た。Comparative Examples 1 to 10 Radiation image conversion panels a to j for comparison were obtained in the same manner as in Examples 1 to 10, except that the transparent thin film layer was not provided.
以上のようにして得られた本発明に係る放射線画像変
換パネルＡ〜Ｊと比較用の放射線画像変換パネルａ〜ｊ
をそれぞれ用いて、第３図に示す構成の放射線画像変換
装置を製作し、実際に画像を形成する試験を行い、放射
線感度、画像の鮮鋭性を調べた。The radiation image conversion panels A to J according to the present invention obtained as described above and the radiation image conversion panels a to j for comparison are obtained.
Each was used to produce a radiation image conversion apparatus having the configuration shown in FIG. 3, and a test for actually forming an image was conducted, and radiation sensitivity and image sharpness were examined.
また、放射線画像変換パネルＡ〜Ｊおよびａ〜ｊのそ
れぞれを、温度45℃、相対湿度85％の条件下で60日間放
置して強制的に経時加速試験を行い、上記と同様にして
その後の放射線感度、画像の鮮鋭性を調べた。Further, each of the radiation image conversion panels A to J and a to j was left for 60 days under the condition of a temperature of 45 ° C. and a relative humidity of 85% to forcibly perform a time-dependent acceleration test. Radiation sensitivity and image sharpness were examined.
結果をまとめて後記表１および表２に示す。 The results are shown in Tables 1 and 2 below.
なお、表１および表２における放射線感度および鮮鋭
性は、それぞれ実施例1,9において得られた値をともに1
00とした際の相対値である。また、放射線感度は、Ｘ線
曝射後半導体レーザー光で励起した際の発光量である。
また、鮮鋭性は、変調伝達関数（MTF）を調べて評価し
た。ただし、空間周波数が0.5,1.0,2.0サイクル/mm時の
解像度（％）の和に基づいた値である。The radiation sensitivity and sharpness in Tables 1 and 2 are the same as those obtained in Examples 1 and 9, respectively.
This is a relative value when 00 is set. The radiation sensitivity is a light emission amount when excited by a semiconductor laser beam after X-ray irradiation.
The sharpness was evaluated by examining the modulation transfer function (MTF). However, the values are based on the sum of the resolutions (%) when the spatial frequency is 0.5, 1.0, 2.0 cycles / mm.
表１および表２から明らかなように、本発明に係る放
射線画像変換パネルＡ〜Ｊによれば、放射線感度および
鮮鋭性のいずれも良好な結果が得られる。 As is clear from Tables 1 and 2, according to the radiation image conversion panels A to J according to the present invention, good results can be obtained in both radiation sensitivity and sharpness.
このように良好な結果が得られるのは、本発明の放射
線画像変換パネルにおいては、支持体の金属表面と輝尽
性蛍光体層との間に透明薄膜層が存在していて両者の接
触が防止されており、従って、蒸着時（温度200℃）お
よびアニーリング時（温度400℃）においても、支持体
の金属表面および輝尽性蛍光体層が化学的にきわめて安
定な状態にあるからであると考えられる。Such good results can be obtained because, in the radiation image conversion panel of the present invention, a transparent thin film layer exists between the metal surface of the support and the stimulable phosphor layer, and the contact between the two is reduced. This is because the metal surface of the support and the stimulable phosphor layer are in a chemically extremely stable state even during deposition (at a temperature of 200 ° C.) and during annealing (at a temperature of 400 ° C.). it is conceivable that.
しかし、比較用の放射線画像変換パネルａ〜ｊは、放
射線感度および／または鮮鋭性の点で本発明の放射線画
像変換パネルＡ〜Ｊよりも劣っている。これは、比較用
の放射線画像変換パネルでは透明薄膜層が設けられてい
ないため、アニーリング工程において支持体の金属表面
が輝尽性蛍光体層の輝尽性蛍光体と化学反応を起こして
腐食し、そのため放射線感度、画像の鮮鋭性が劣るもの
と考えられる。However, the radiation image conversion panels a to j for comparison are inferior to the radiation image conversion panels A to J of the present invention in radiation sensitivity and / or sharpness. This is because, in the comparative radiation image conversion panel, the transparent thin film layer is not provided, so that the metal surface of the support undergoes a chemical reaction with the stimulable phosphor of the stimulable phosphor layer in the annealing step to corrode. Therefore, it is considered that radiation sensitivity and image sharpness are inferior.
以上詳細に説明したように、本発明の放射線画像変換
パネルによれば、支持体の金属表面と輝尽性蛍光体層と
の間に、波長350〜800nmの光に対する光透過率が70％以
上である透明薄膜層を設けたので、支持体の金属表面
が、輝尽性蛍光体層の輝尽性蛍光体によって腐食される
おそれがなく、長期間にわたり物理的および化学的に安
定しており、放射線感度および画像の鮮鋭性が初期から
良好であり、しかもこの良好な特性が長期間にわたり安
定に発揮される。As described above in detail, according to the radiation image conversion panel of the present invention, the light transmittance for light having a wavelength of 350 to 800 nm between the metal surface of the support and the stimulable phosphor layer is 70% or more. Since the transparent thin film layer is provided, the metal surface of the support is not corroded by the stimulable phosphor of the stimulable phosphor layer, and is physically and chemically stable for a long period of time. Radiation sensitivity and image sharpness are good from the beginning, and these good properties are stably exhibited over a long period of time.
第１図は本発明の放射線画像変換パネルの一例を示す断
面図、 第２図は本発明の放射線画像変換パネルの他の例を示す
断面図、 第３図は放射線画像変換装置の概略を示す説明図であ
る。 １……支持体、1A……非金属製の基板 1B……金属層、１′……金属製の支持体 ２……透明薄膜層、３……輝尽性蛍光体層 ４……保護層、５……放射線発生装置 ６……被写体 ７……放射線画像変換パネル ８……輝尽励起光源、９……光電変換装置 10……再生装置、11……表示装置 12……フィルターFIG. 1 is a cross-sectional view showing one example of the radiation image conversion panel of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing another example of the radiation image conversion panel of the present invention, and FIG. FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Support, 1A ... Non-metallic substrate 1B ... Metal layer, 1 '... Metal support 2 ... Transparent thin film layer, 3 ... Stimulable phosphor layer 4 ... Protective layer 5, a radiation generating device 6, a subject 7, a radiation image conversion panel 8, a stimulating excitation light source, 9, a photoelectric conversion device 10, a reproducing device, 11, a display device 12, a filter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G21K 4/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G21K 4/00
Claims (1)
層と、輝尽性蛍光体層の保護層とを備えてなる放射線画
像変換パネルにおいて、 前記支持体の金属表面上に、波長350〜800nmの光に対す
る光透過率が70％以上である透明薄膜層を設け、この透
明薄膜層上に輝尽性蛍光体層を設けたことを特徴とする
放射線画像変換パネル。1. A radiation image conversion panel comprising a support having a metal surface, a stimulable phosphor layer, and a protective layer for the stimulable phosphor layer, wherein: A radiation image conversion panel comprising: a transparent thin film layer having a light transmittance of 70% or more for light having a wavelength of 350 to 800 nm; and a stimulable phosphor layer provided on the transparent thin film layer.
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| JPH04174400A JPH04174400A (en) | 1992-06-22 |
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| JP (1) | JP3034587B2 (en) |
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