JP3029720B2 - Ｌ−システイン誘導体の製造法 - Google Patents
Ｌ−システイン誘導体の製造法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は抗高血圧作用を有するペ
ルヒドロ−１，４−チアゼピン誘導体（特開昭61-26757
9 号公報）の合成において有用中間体であるＬ−システ
イン誘導体（III)の製造法に関する。
ルヒドロ−１，４−チアゼピン誘導体（特開昭61-26757
9 号公報）の合成において有用中間体であるＬ−システ
イン誘導体（III)の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】式(III) の製法として、式（Ｉ）と式
（II) を塩基の存在下で反応させる方法（特開昭61-267
579 号公報）が知られている。
（II) を塩基の存在下で反応させる方法（特開昭61-267
579 号公報）が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この方法では新たに創
製された不斉炭素の立体選択性が乏しく、化合物(III)
と(IV)の生成比がほぼ１：１である。反応条件を変える
事により、化合物(III)または(IV)を選択的に合成でき
る技術があれば、合成化学上で大変有利な製法となる。
特にペルヒドロ−１，４−チアゼピン誘導体(V) の立体
選択的製法を確立するためには、化合物(III) の選択的
合成法の開発が必要となる。
製された不斉炭素の立体選択性が乏しく、化合物(III)
と(IV)の生成比がほぼ１：１である。反応条件を変える
事により、化合物(III)または(IV)を選択的に合成でき
る技術があれば、合成化学上で大変有利な製法となる。
特にペルヒドロ−１，４−チアゼピン誘導体(V) の立体
選択的製法を確立するためには、化合物(III) の選択的
合成法の開発が必要となる。
【０００４】
【化７】
【０００５】［式中、Ｒ3 はアラルキル基を示し、Ｒ4
はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ5は複素環基を示
し、Ｒ6 は水素原子を示し、Ａは低級アルキレン基を示
す。］ 本発明者等は、反応溶媒、塩基、反応温度等について鋭
意検討を重ねた結果、新たに創製された不斉炭素の絶対
配置がS である化合物（III)および絶対配置がRである
化合物(IV)を選択的に合成できる方法を見いだし本発明
を完成した。
はカルボキシ基の保護基を示し、Ｒ5は複素環基を示
し、Ｒ6 は水素原子を示し、Ａは低級アルキレン基を示
す。］ 本発明者等は、反応溶媒、塩基、反応温度等について鋭
意検討を重ねた結果、新たに創製された不斉炭素の絶対
配置がS である化合物（III)および絶対配置がRである
化合物(IV)を選択的に合成できる方法を見いだし本発明
を完成した。
【０００６】
（１）．本発明は一般式（Ｉ）
【０００７】
【化８】
【０００８】を有する化合物を一般式（II）
【０００９】
【化９】
【００１０】を有する化合物に塩基の存在下で付加さ
せ、一般式（III)
せ、一般式（III)
【００１１】
【化１０】
【００１２】を有する化合物を合成する場合、新たに創
製される不斉炭素の絶対配置がS であるＬ−システイン
誘導体の選択的製造法に関するものである。
製される不斉炭素の絶対配置がS であるＬ−システイン
誘導体の選択的製造法に関するものである。
【００１３】（上記式中、Ｒ1 はアルコキシカルボニル
基、アシル基、置換メチル基又はシリル基を示し、Ｒ2
は複素環基を示す。 (R) は不斉炭素の絶対配置がR で
あることを示し、(S) は不斉炭素の絶対配置がS である
事を示す。） Ｒ1 のアルコキシカルボニル基としては、例えばメトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボ
ニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニ
ル、ｓ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニ
ル、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−ニトロベンジルオ
キシカルボニル、アリルオキシカルボニル及び２−トリ
メチルシリルエトキシカルボニルがあげられる。
基、アシル基、置換メチル基又はシリル基を示し、Ｒ2
は複素環基を示す。 (R) は不斉炭素の絶対配置がR で
あることを示し、(S) は不斉炭素の絶対配置がS である
事を示す。） Ｒ1 のアルコキシカルボニル基としては、例えばメトキ
シカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボ
ニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニ
ル、ｓ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニ
ル、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−ニトロベンジルオ
キシカルボニル、アリルオキシカルボニル及び２−トリ
メチルシリルエトキシカルボニルがあげられる。
【００１４】Ｒ1 のアシル基としては、例えばホルミ
ル、アセチル及びベンゾイルがあげられる。
ル、アセチル及びベンゾイルがあげられる。
【００１５】Ｒ1 の置換メチル基としては、メトキシメ
チル、ベンジルオキシメチル、トリチル及びベンジルが
あげられる。
チル、ベンジルオキシメチル、トリチル及びベンジルが
あげられる。
【００１６】Ｒ1 のシリル基としては、トリメチルシリ
ル、ｔ−ブチルジメチルシリルがあげられる。
ル、ｔ−ブチルジメチルシリルがあげられる。
【００１７】好適にはＲ1 はアルコキシカルボニル基で
あり、その中で好適なアルコキシカルボニル基は、ｔ−
ブトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル及びｐ
−ニトロベンジルオキシカルボニルがあげられ、更に好
適にはｔ−ブトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボ
ニルがあげられる。
あり、その中で好適なアルコキシカルボニル基は、ｔ−
ブトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル及びｐ
−ニトロベンジルオキシカルボニルがあげられ、更に好
適にはｔ−ブトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボ
ニルがあげられる。
【００１８】Ｒ2 の複素環基は、例えばフリル、チエニ
ル、チアゾリル及びオキサゾリルがあげられる。好適に
はフリル、チエニルがあげられ、更に好適にはチエニル
があげられる。
ル、チアゾリル及びオキサゾリルがあげられる。好適に
はフリル、チエニルがあげられ、更に好適にはチエニル
があげられる。
【００１９】式(III) において、新たに創製された不斉
炭素のS 選択性を高める条件として、式（Ｉ）に対し、
式(II)の使用量は0.9 〜1.2 当量であり、好適には0.98
〜1.05当量である。更に好適には0.98〜1.02当量であ
る。
炭素のS 選択性を高める条件として、式（Ｉ）に対し、
式(II)の使用量は0.9 〜1.2 当量であり、好適には0.98
〜1.05当量である。更に好適には0.98〜1.02当量であ
る。
【００２０】この反応に使用する溶媒に特に制限はない
が、例えばジクロロメタン、トリクロロメタン、テトラ
クロロメタンのようなハロゲン化炭化水素；ヘキサン、
ベンゼン、トルエンのような炭化水素；メタノ−ル、エ
タノ−ル、プロパノ−ルのようなアルコ−ル類；酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチルのような
酢酸エステル類があげられる。好適にはトルエン、酢酸
エチル、メタノ−ルがあげられ、更に好適にはトルエ
ン、酢酸エチルである。
が、例えばジクロロメタン、トリクロロメタン、テトラ
クロロメタンのようなハロゲン化炭化水素；ヘキサン、
ベンゼン、トルエンのような炭化水素；メタノ−ル、エ
タノ−ル、プロパノ−ルのようなアルコ−ル類；酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチルのような
酢酸エステル類があげられる。好適にはトルエン、酢酸
エチル、メタノ−ルがあげられ、更に好適にはトルエ
ン、酢酸エチルである。
【００２１】溶媒量は式（Ｉ）に対し、3 〜20倍量で可
能であるが通常は8 〜12倍量が好適である。更に好適に
は8 〜10倍量である。
能であるが通常は8 〜12倍量が好適である。更に好適に
は8 〜10倍量である。
【００２２】この反応に使用する塩基としては、例えば
ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチル
アミン、ｔ−ブチルアミン、ｔ−オクチルアミン、シク
ロヘキシルアミンのような一級アミン；Ｌ−１−フェニ
ルエチルアミン、Ｄ−１−フェニルエチルアミンのよう
な光学活性アミン；ジエチルアミン、ジイソプロピルア
ミン、ジシクロヘキシルアミンのような二級アミン；ト
リエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジエチ
ルメチルアミン、ｎ−ブチルジメチルアミン、ジメチル
シクロヘキシルアミン、Ｎ−メチルモルホリンのような
三級アミン及びジメチルアミノエタノ−ル、ジエチルア
ミノエタノ−ル、ジメチルアミノエトキシエタノ−ル、
ジメチルアミノブタノ−ル、ジメチルアミノシクロプロ
パノ−ル、ジエチルアミノエトキシエタノ−ルのような
アミノアルコ−ル類があげられる。好適にはｎ−プロピ
ルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｔ−オクチルアミン、Ｄ
−１−フェニルエチルアミン、Ｌ−１−フェニルエチル
アミン、ジイソプロピルアミン、ｎ−ブチルジメチルア
ミン、Ｎ−メチルモルホリン、ジメチルアミノエタノ−
ル及びジエチルアミノエタノ−ルがあげられ、更に好適
にはジイソプロピルエチルアミン、ｎ−ブチルアミン、
ｔ−オクチルアミン、Ｄ−１−フェニルエチルアミン及
びＬ−１−フェニルエチルアミンがあげられる。
ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチル
アミン、ｔ−ブチルアミン、ｔ−オクチルアミン、シク
ロヘキシルアミンのような一級アミン；Ｌ−１−フェニ
ルエチルアミン、Ｄ−１−フェニルエチルアミンのよう
な光学活性アミン；ジエチルアミン、ジイソプロピルア
ミン、ジシクロヘキシルアミンのような二級アミン；ト
リエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジエチ
ルメチルアミン、ｎ−ブチルジメチルアミン、ジメチル
シクロヘキシルアミン、Ｎ−メチルモルホリンのような
三級アミン及びジメチルアミノエタノ−ル、ジエチルア
ミノエタノ−ル、ジメチルアミノエトキシエタノ−ル、
ジメチルアミノブタノ−ル、ジメチルアミノシクロプロ
パノ−ル、ジエチルアミノエトキシエタノ−ルのような
アミノアルコ−ル類があげられる。好適にはｎ−プロピ
ルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｔ−オクチルアミン、Ｄ
−１−フェニルエチルアミン、Ｌ−１−フェニルエチル
アミン、ジイソプロピルアミン、ｎ−ブチルジメチルア
ミン、Ｎ−メチルモルホリン、ジメチルアミノエタノ−
ル及びジエチルアミノエタノ−ルがあげられ、更に好適
にはジイソプロピルエチルアミン、ｎ−ブチルアミン、
ｔ−オクチルアミン、Ｄ−１−フェニルエチルアミン及
びＬ−１−フェニルエチルアミンがあげられる。
【００２３】使用する塩基の量は式（Ｉ）に対し、0.2
〜2.0 当量であり、好適には0.5 〜1.5 当量であり、更
に好適には0.8 〜1.1 当量である。
〜2.0 当量であり、好適には0.5 〜1.5 当量であり、更
に好適には0.8 〜1.1 当量である。
【００２４】反応温度は−75°〜35℃であり、好適には
−50°〜−20℃であり、更に好適には−45°〜−30℃で
ある。
−50°〜−20℃であり、更に好適には−45°〜−30℃で
ある。
【００２５】（２）．本発明は一般式（Ｉ）
【００２６】
【化１１】
【００２７】を有する化合物を一般式（II）
【００２８】
【化１２】
【００２９】を有する化合物に塩基とルイス酸の共存下
で付加させ、一般式（IV)
で付加させ、一般式（IV)
【００３０】
【化１３】
【００３１】を有する化合物を合成する場合、新たに創
製される不斉炭素の絶対配置がR であるＬ−システイン
誘導体の選択的製造法に関するものである。
製される不斉炭素の絶対配置がR であるＬ−システイン
誘導体の選択的製造法に関するものである。
【００３２】（上記式中、Ｒ1 はアルコキシカルボニル
基、アシル基、置換メチル基又はシリル基を示し、Ｒ2
は複素環基を示す。 (R) は不斉炭素の絶対配置がR で
あることを示す。） 式(IV)において新たに創製された不斉炭素のR 選択性を
高める条件としては、式（Ｉ）に対し式(II)の使用量は
前述の絶対配置がS である化合物(III) の選択的製法の
場合と同じである。
基、アシル基、置換メチル基又はシリル基を示し、Ｒ2
は複素環基を示す。 (R) は不斉炭素の絶対配置がR で
あることを示す。） 式(IV)において新たに創製された不斉炭素のR 選択性を
高める条件としては、式（Ｉ）に対し式(II)の使用量は
前述の絶対配置がS である化合物(III) の選択的製法の
場合と同じである。
【００３３】この反応に使用する反応溶媒としてエ−テ
ル、イソプロピルエ−テル、ジオキサン、テトラヒドロ
フランのようなエ−テル類；ヘキサン、ベンゼン、トル
エン、キシレンのような炭化水素をあげることができ
る。好適にはイソプロピルエ−テル、ジオキサン、ベン
ゼン及びトルエンをあげることができる。更に好適には
ジオキサン、ベンゼン及びトルエンをあげることができ
る。
ル、イソプロピルエ−テル、ジオキサン、テトラヒドロ
フランのようなエ−テル類；ヘキサン、ベンゼン、トル
エン、キシレンのような炭化水素をあげることができ
る。好適にはイソプロピルエ−テル、ジオキサン、ベン
ゼン及びトルエンをあげることができる。更に好適には
ジオキサン、ベンゼン及びトルエンをあげることができ
る。
【００３４】溶媒量は前述の絶対配置がS である化合物
(III) の選択的製法の場合と同じである。
(III) の選択的製法の場合と同じである。
【００３５】この反応に使用するルイス酸としてはＴｉ
（ＯＲ）4 （式中、Ｒはエチル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、ｔ−ブチルがあげられる。）のようなアルコキシ
チタンまたはMg(CH2COCH2COCH3)2のようなマグネシウム
の誘導体があげられる。好適にはMg(CH2COCH2COCH3)2、
Ｔｉ（ＯＲ）4 （式中、Ｒはエチル、イソプロピル、ｎ
−ブチル）があげられる。更に好適にはMg(CH2COCH2COC
H3)2、Ti(OEt)4及びTi(O-nBu)4 があげられる。
（ＯＲ）4 （式中、Ｒはエチル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、ｔ−ブチルがあげられる。）のようなアルコキシ
チタンまたはMg(CH2COCH2COCH3)2のようなマグネシウム
の誘導体があげられる。好適にはMg(CH2COCH2COCH3)2、
Ｔｉ（ＯＲ）4 （式中、Ｒはエチル、イソプロピル、ｎ
−ブチル）があげられる。更に好適にはMg(CH2COCH2COC
H3)2、Ti(OEt)4及びTi(O-nBu)4 があげられる。
【００３６】ルイス酸の使用量はほぼ当量であり、好適
には0.8 〜1.1 当量である。更に好適には0.9 〜1.05当
量である。
には0.8 〜1.1 当量である。更に好適には0.9 〜1.05当
量である。
【００３７】この反応に使用する塩基は例えばトリエチ
ルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジエチルメチ
ルアミン、ｎ−ブチルジメチルアミン、ジメチルシクロ
ヘキシルアミン、Ｎ−メチルモルホリンのような三級ア
ミンをあげることができる。
ルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジエチルメチ
ルアミン、ｎ−ブチルジメチルアミン、ジメチルシクロ
ヘキシルアミン、Ｎ−メチルモルホリンのような三級ア
ミンをあげることができる。
【００３８】好適にはトリエチルアミン、ジエチルメチ
ルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン及びＮ−メチ
ルモルホリンをあげることができる。更に好適にはトリ
エチルアミン、Ｎ−メチルモルホリンをあげることがで
きる。
ルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン及びＮ−メチ
ルモルホリンをあげることができる。更に好適にはトリ
エチルアミン、Ｎ−メチルモルホリンをあげることがで
きる。
【００３９】塩基の量は0.1 〜2.0 当量であるが、好適
には0.3 〜1.5 当量である。
には0.3 〜1.5 当量である。
【００４０】更に好適には0.3 〜1.1 当量である。
【００４１】反応温度は−50°〜40℃であり、好適には
−30°〜30℃である。
−30°〜30℃である。
【００４２】更に好適には−15°〜25℃である。
【００４３】
【発明の効果】本発明により、S 配置を有する化合物(I
II) を、(III) ：(IV)＝７：３の比で、R 配置を有する
化合物(IV)を、(III) ：(IV)＝１：４で得ることができ
た。
II) を、(III) ：(IV)＝７：３の比で、R 配置を有する
化合物(IV)を、(III) ：(IV)＝１：４で得ることができ
た。
【００４４】また本発明で得られた化合物(III) と(IV)
７：３の混合物を使用し数工程を経てすぐれた抗高血圧
作用を有する化合物（V)へ導くことができる。（特開昭
61-267579 号公報）以下に実施例、参考例をあげて本発
明を具体的に説明する。
７：３の混合物を使用し数工程を経てすぐれた抗高血圧
作用を有する化合物（V)へ導くことができる。（特開昭
61-267579 号公報）以下に実施例、参考例をあげて本発
明を具体的に説明する。
【００４５】
実施例１Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニル）−Ｓ−［（S ）−２−
ニトロ−１−（２−チエニル）エチル］−Ｌ−システイ
ン（III)（ニトロ体と略す ） Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−システイン24.8g と
２−（２−ニトロエテニル）チオフェン17.4g を酢酸エ
チル284ml 中に加え攪拌溶解する。−45℃に冷却し、こ
こへジイソプロピルエチルアミン14.5g を約30分で滴下
し、同温度を保ちながら約10時間反応を行う。0 〜10℃
まで加温しこれに水70mlを加える。10℃以下に冷却しな
がら、塩酸を加えpH3 〜3.5 に調整する。分液後は有機
層を減圧濃縮し、オイル状の目的物40g （収率94％）を
得た。また以下の条件で測定した異性体比（III ／IV)
は71／29である。
ニトロ−１−（２−チエニル）エチル］−Ｌ−システイ
ン（III)（ニトロ体と略す ） Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−システイン24.8g と
２−（２−ニトロエテニル）チオフェン17.4g を酢酸エ
チル284ml 中に加え攪拌溶解する。−45℃に冷却し、こ
こへジイソプロピルエチルアミン14.5g を約30分で滴下
し、同温度を保ちながら約10時間反応を行う。0 〜10℃
まで加温しこれに水70mlを加える。10℃以下に冷却しな
がら、塩酸を加えpH3 〜3.5 に調整する。分液後は有機
層を減圧濃縮し、オイル状の目的物40g （収率94％）を
得た。また以下の条件で測定した異性体比（III ／IV)
は71／29である。
【００４６】核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣｌ3 ） δ
（ｐｐｍ） １．４６（９Ｈ，ｓ）、２．９〜３．１（２Ｈ，ｍ）、
４．３〜５．４（５Ｈ，ｍ）、６．９１〜７．０３（２
Ｈ，ｍ）、７．２６〜７．３０（１Ｈ，ｍ）、８．３〜
８．６（１Ｈ，ｂ） ＊液体クロマトグラフィ−によるニトロ体異性体比の測
定 １）サンプル調製 ニトロ体25mgを４Ｎ−塩酸ジオキサン1ml に溶解、15〜
20分室温で放置後、キャピラリ−ピペットで採取し１滴
を50％アセトニトリル1ml 中へ注加し5 μl を次の液体
クロマトグラフィ−の条件で測定する。
（ｐｐｍ） １．４６（９Ｈ，ｓ）、２．９〜３．１（２Ｈ，ｍ）、
４．３〜５．４（５Ｈ，ｍ）、６．９１〜７．０３（２
Ｈ，ｍ）、７．２６〜７．３０（１Ｈ，ｍ）、８．３〜
８．６（１Ｈ，ｂ） ＊液体クロマトグラフィ−によるニトロ体異性体比の測
定 １）サンプル調製 ニトロ体25mgを４Ｎ−塩酸ジオキサン1ml に溶解、15〜
20分室温で放置後、キャピラリ−ピペットで採取し１滴
を50％アセトニトリル1ml 中へ注加し5 μl を次の液体
クロマトグラフィ−の条件で測定する。
【００４７】２）液体クロマトグラフィ−測定条件 カラム：ＴＳＫ−ｇｅｌ−ＯＤＳ−８０Ｔｍ（4.6 φ×
150mm ）、 移動相：7 ％アセトニトリル−0.2 ％Ｐｉｃ Ｂ−６
（Ｌｏｗ ＵＶ）、 検出：ＵＶ２３４ｎｍ、流速：１ml／分、 リテンションタイム：III 体 34分、IV体 30分、 実施例１に準じた方法で得られた結果を表１に示す。
150mm ）、 移動相：7 ％アセトニトリル−0.2 ％Ｐｉｃ Ｂ−６
（Ｌｏｗ ＵＶ）、 検出：ＵＶ２３４ｎｍ、流速：１ml／分、 リテンションタイム：III 体 34分、IV体 30分、 実施例１に準じた方法で得られた結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】 実施例１３Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニル）−Ｓ−［（R)−２−ニ
トロ−１−（２−チエニル）エチル］−Ｌ−システイン
（IV ) Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−システイン10g をテ
トラヒドロフラン100mlに溶解後、−２０℃に冷却す
る。同温度を保ち、ここへチタニウムイソプロポキサイ
ド12.8g を加え、約３０分後−２５℃に冷却する。更に
２−（２−ニトロエテニル）チオフェン6.7gとＮ−メチ
ルモルホリン4.5gを加え、−２０°〜−２５℃で約２時
間反応を行う。反応液を1.25％硫酸200ml と酢酸エチル
200ml の混液中に注加し、分液後、有機層を希硫酸で洗
浄する。有機層を減圧濃縮し、オイル状の目的物18.5g
（収率94.5％）を得た。異性体比（III ／IV) ＝2 ／8
である。実施例１３に準じた方法で得られた結果を表２
に示す。
トロ−１−（２−チエニル）エチル］−Ｌ−システイン
（IV ) Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｌ−システイン10g をテ
トラヒドロフラン100mlに溶解後、−２０℃に冷却す
る。同温度を保ち、ここへチタニウムイソプロポキサイ
ド12.8g を加え、約３０分後−２５℃に冷却する。更に
２−（２−ニトロエテニル）チオフェン6.7gとＮ−メチ
ルモルホリン4.5gを加え、−２０°〜−２５℃で約２時
間反応を行う。反応液を1.25％硫酸200ml と酢酸エチル
200ml の混液中に注加し、分液後、有機層を希硫酸で洗
浄する。有機層を減圧濃縮し、オイル状の目的物18.5g
（収率94.5％）を得た。異性体比（III ／IV) ＝2 ／8
である。実施例１３に準じた方法で得られた結果を表２
に示す。
【００４９】
【表２】 上記表中 ACACは CH2COCH2COCH3基を表し、OEt はエト
キシ基、OBu はｎ−ブトキシ基を表す。
キシ基、OBu はｎ−ブトキシ基を表す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−161775（ＪＰ，Ａ) Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．，（1987）, 30（11），ｐ．1985−91 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07D 333/18 C07D 333/20 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） 【化１】 を有する化合物に一般式（II） 【化２】 を有する化合物を、酢酸エチル溶媒中、ジイソプロピル
エチルアミンの存在下に付加させ、一般式（III） 【化３】 を有する化合物を合成する場合、新たに創製される不斉
炭素の絶対配置がＳであるＬ−システイン誘導体の選択
的製造法。（上記式中、Ｒ1はアルコキシカルボニル
基、アシル基、置換メチル基又はシリル基を示し、Ｒ2
は２−チエニル基を示す。） - 【請求項２】一般式（Ｉ） 【化４】 を有する化合物に一般式（II） 【化５】 を有する化合物を、Ｎ−メチルモルホリンとルイス酸の
存在下に付加させ、一般式（IＶ） 【化６】 を有する化合物を合成する場合、新たに創製される不斉
炭素の絶対配置がＲであるＬ−システイン誘導体の選択
的製造法。（上記式中、Ｒ1はアルコキシカルボニル
基、アシル基、置換メチル基又はシリル基を示し、Ｒ2
は２−チエニル基を示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03340760A JP3029720B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | Ｌ−システイン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03340760A JP3029720B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | Ｌ−システイン誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05170759A JPH05170759A (ja) | 1993-07-09 |
| JP3029720B2 true JP3029720B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=18340050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03340760A Expired - Lifetime JP3029720B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | Ｌ−システイン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3029720B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP03340760A patent/JP3029720B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．，（１９８７），３０（１１），ｐ．１９８５−９１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05170759A (ja) | 1993-07-09 |
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