JP3028641B2

JP3028641B2 - 半導体レーザ及びその製造方法

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Publication number: JP3028641B2
Application number: JP3152174A
Authority: JP
Inventors: 伸明植木; 秀生中山; 秀樹福永
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd; Fujifilm Business Innovation Corp
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1991-05-29
Filing date: 1991-05-29
Publication date: 2000-04-04
Anticipated expiration: 2015-04-04
Also published as: JPH0613696A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光デイスクメモリ装
置等の光情報処理分野で使用される半導体レーザ及びそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、上記光情報処理分野で使用される
半導体レーザとしては、しきい値電流が低く且つ安定し
た横モード特性を有するとともに、高出力のものが強く
要求されてきている。これらの要求を実現する方法の１
つに、不純物拡散による無秩序化（ＩＩＬＤ；Ｉｍｐｕ
ｒｉｔｙＩｎｄｕｃｅｄＬａｙｅｒＤｉｓｏｒｄ
ｅｒｉｎｇ）の技術がある。この不純物拡散による無秩
序化技術を用いて電流及び光の閉じ込めを行い、高効率
化及び高出力化を可能とした半導体レーザとしては、例
えば、アプライド・フィジクス・レターズ，Ｖｏｌ．４
９，１３３頁（１９８６年）に開示されたものがある。

【０００３】この半導体レーザ１００は、図１４に示す
ように、ｎ型基板１０１と、このｎ型基板１０１上に積
層されたｎ型のＡｌＧａＡｓクラッド層１０２と、この
ＡｌＧａＡｓクラッド層１０２上に積層された活性層１
０３と、この活性層１０３上に積層されたｐ型のＡｌＧ
ａＡｓクラッド層１０４と、このＡｌＧａＡｓクラッド
層１０４上に積層されたＧａＡｓキャップ層１０５とを
備えている。

【０００４】そして、上記半導体レーザ１００は、中央
部を除く両側の部分にｎ型のＳｉを拡散して、図１４に
破線で示すように、活性層１０３に無秩序化した領域１
０６を形成するように構成されている。

【０００５】その結果、上記活性層１０３の両側には、
不純物が拡散した屈折率の大きなしかも不純物の種類に
よって決定される所定の導電型の無秩序化領域１０６が
存在することになる。そのため、活性層１０３の中央部
のみが導波路として作用するとともに、当該活性層１０
３の両側には、不純物の種類によって決定される導電型
を有する無秩序化領域１０６との間にｐｎ接合が生じ、
電流の流れを妨げるため、光及び電流を横方向に閉じ込
めることが可能となる。以上のことから漏れ電流が抑制
され、低しきい値の半導体レーザが実現される。

【０００６】ところで、このような半導体レーザを高出
力で駆動するため、半導体レーザへの注入電流を増して
光出力を増加させていくと、共振器の出射面側では強い
誘導放出のためキャリアの再結合が速く、キャリアの分
布強度が部分的に低下する所謂空間的ホールバーニング
（ｈｏｌｅｂｕｒｎｉｎｇ）が発生する。この空間的
ホールバーニングによって出射端面近傍の注入キャリア
密度が大幅に低くなると、反転分布状態に達しなくなる
ため、端面近傍で光の正味の吸収が起こり、この光吸収
に伴う発熱によって光学的損傷（ＣＯＤ；ｃａｔａｓｔ
ｒｏｐｈｉｃｏｐｔｉｃａｌｄａｍａｇｅ）が発生す
るという問題点が生じる。

【０００７】そこで、高出力発振時に発生する光学的損
傷（ＣＯＤ）を防止するために、同じく不純物拡散によ
る無秩序化技術を用いて、共振器の端面近傍に光透過層
を設けた半導体レーザが、アプライド・フィジクス・レ
ターズ，Ｖｏｌ．４９，１５７２頁（１９８６年）に開
示されている。

【０００８】この半導体レーザ１００は、図１５に示す
ように、ｎ型のＧａＡｓ基板１１１と、ｎ型のＡｌＧａ
Ａｓクラッド層１１２と、活性層１１３と、ｐ型のＡｌ
ＧａＡｓクラッド層１１４と、同じくｐ型のＡｌＧａＡ
ｓコンタクト層１１５と、ＧａＡｓキャップ層１１６と
を順次積層したものにおいて、半導体レーザ１００の出
射端面近傍にＳｉを拡散して無秩序化領域１１７を形成
して、端面近傍に光透過層１１７を設けるように構成さ
れている。そして、この出射端面近傍に設けられた光透
過層１１７によって、半導体レーザ１００の出射端面近
傍での光吸収を低減し、光学的損傷（ＣＯＤ）を防止す
るようになっている。

【０００９】ところが、上記半導体レーザにおいては、
後述する２つの理由から、Ｓｉの拡散（ＩＩＬＤ）を行
った後に、この拡散領域を含む全域にＺｎの拡散を行う
必要がある。まず第１の理由は、Ｓｉの拡散のみを行う
と、Ｓｉの表面異常拡散によりｐ型コンタクト層１１５
にもＳｉが混入するため、半導体レーザの直列抵抗を増
加させてしまうためである。第２に、Ｓｉの拡散領域
は、ｎ型のクラッド層１１２にまで達するため、電流を
注入した際にｎ型のクラッド層１１２に至る領域に漏れ
電流が発生し、しきい値電流を増加させることになるた
めである。

【００１０】そこで、図１６に示すように、Ｓｉの拡散
領域を含む全域にＺｎの拡散を行った半導体レーザがあ
る。図において、１２１はｎ型のＧａＡｓ基板、１２２
はｎ型のＧａＡｓバッファ層、１２３はｎ型のＡｌＧａ
Ａｓクラッド層、１２４はｎ型のＡｌＧａＡｓ光ガイド
層、１２５はアンドープＧａＡｓ活性層、１２６はｐ型
のＡｌＧａＡｓ光ガイド層、１２７はｐ型のＡｌＧａＡ
ｓクラッド層、１２８はｐ型のＧａＡｓキャップ層、１
２９は電流注入領域、１３０はＳｉＯ₂電流ブロック
層、１３１はｐ型電極、１３２はｎ型電極、１３３はＳ
ｉ拡散領域、１３４はＺｎ拡散領域をそれぞれ示すもの
である。

【００１１】このように、Ｓｉの拡散領域１３３を含む
全域にＺｎの拡散１３４を行うことによって、ｐ型コン
タクト層１１５のキャリア濃度を増加させて直列抵抗を
低減するとともに、Ｓｉの拡散領域１１７にｐｎ接合を
形成してキャリアの流れを妨ぎ、しきい値電流の増大を
防ぐことが可能となる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
の場合には、次のような問題点を有している。すなわ
ち、上記従来の半導体レーザにおいては、Ｓｉの拡散領
域を含む全域に行うＺｎの拡散が、Ｓｉの拡散（ＩＩＬ
Ｄ）に比べて比較的低い温度（約６００℃）で、かつ短
時間（３０分程度）に行われるため、拡散領域等を制御
するのが困難であり制御性が悪く、又Ｓｉの拡散工程後
にＺｎの拡散工程を行わなければならず、手間のかかる
作業が必要となり、半導体レーザの信頼性を低下させる
とともに量産化を困難にするという問題点があった。

【００１３】そこで、この発明は、上記従来技術の問題
点を解決するためになされたもので、その目的とすると
ころは、出射端面近傍での光吸収による光学的損傷（Ｃ
ＯＤ）を防止することができるのは勿論のこと、高出力
かつ低しきい値の半導体レーザを、高い信頼性でしかも
量産化にすぐれた状態で実現可能な半導体レーザ及びそ
の製造方法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】すなわち、この発明に係
る半導体レーザは、第１クラッド層と、この第１クラッ
ド層上に積層された活性層と、この活性層上に積層され
た第２クラッド層とを備え、この第２クラッド層の上部
に、光の出射方向に沿って凸状に***したリッジ・スト
ライプ部を形成するとともに、このリッジ・ストライプ
部の出射端面側の端部が、第２クラッド層の端面よりも
内側に位置するように、当該リッジ・ストライプ部を切
り欠いた切欠部を設け、前記リッジ・ストライプ部以外
の表面から前記活性層に達する不純物拡散領域を設ける
ように構成されている。

【００１５】また、この発明に係る半導体レーザの製造
方法は、第１クラッド層と、この第１クラッド層上に積
層された活性層と、この活性層上に積層された第２クラ
ッド層とを順次積層した後、この第２クラッド層をエッ
チングすることにより当該第２クラッド層の上部に、光
の出射方向に沿って凸状に***したリッジ・ストライプ
部を形成するとともに、このリッジ・ストライプ部の出
射端面側の端部が、第２クラッド層の端面よりも内側に
位置するように、当該リッジ・ストライプ部を切り欠い
た切欠部を形成し、このリッジ・ストライプ部以外の表
面から不純物を拡散させ、前記活性層に達する不純物拡
散領域を設けるように構成されている。

【００１６】上記不純物拡散領域を形成するための不純
物としては、例えば、Ｓｉが用いられるが、これに限定
されるものではなく、ＧｅやＳ等を用いても良い。

【００１７】また、上記活性層としては、例えば活性層
を光ガイド層を含む多層構造としたが、これに限定され
るものではなく、単層構造や多重量子井戸構造としても
良い。

【００１８】さらに、半導体レーザを構成する材料とし
ては、例えば、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系材料が用いら
れるが、これに限定されるものではなく、ＧａＡｓ／Ａ
ｌＧａＩｎＰ系材料やＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ系材料
などを用いても良いことは勿論である。

【００１９】また、半導体レーザとしては、シングル及
び独立駆動可能なデュアルビームのレーザに適用される
が、３本以上の独立駆動可能なビームを取り出すことも
可能である。

【００２０】

【作用】このような技術的手段によれば、第２クラッド
層の上部にリッジ・ストライプ部を形成するとともに、
このリッジ・ストライプ部の出射端面側の端部に、その
表面をリッジ・ストライプ部の側方の表面と同一平面と
した切欠部を設け、前記リッジ・ストライプ部の側方表
面及び切欠部表面から前記活性層に達する不純物拡散領
域を設けるように構成されているので、リッジ・ストラ
イプ部の側方に不純物拡散領域を設けることにより、光
及び電流を横方向に閉じ込めることができ、高効率かつ
高出力の半導体レーザを提供できる。また、リッジ・ス
トライプ部の出射端面側の端部に不純物拡散領域を設け
ることにより、出射端面部に非発光領域を設けて光の吸
収を抑制することができ、端面破壊による光出力の制限
を高めることができる。さらに、上記リッジ・ストライ
プ部の側方及び出射端面側の端部の不純物拡散領域は、
１回の不純物拡散工程によって形成することができるの
で、従来の不安定なＺｎ等の拡散工程が不要となり、不
純物拡散工程を行なう時間を短縮することができ、高い
信頼性でしかも量産化にすぐれた状態で半導体レーザを
製造することが可能となる。

【００２１】

【実施例】以下にこの発明を図示の実施例に基づいて説
明する。

【００２２】図１乃至図３はこの発明に係る半導体レー
ザの一実施例としてのウインドウ・ストライプ形埋め込
みヘテロ構造の半導体レーザを示すものである。

【００２３】図において、１はｎ型のＧａＡｓ基板、２
はこのＧａＡｓ基板１上に積層されたキャリア濃度ｎ〜
４×１０¹⁸ｃｍ^-3、厚さ〜０．２μｍのｎ型ＧａＡｓバ
ッファ層、３はこのＧａＡｓバッファ層２上に積層され
たキャリア濃度ｎ〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3、厚さ〜１．０μ
ｍのｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、４はこのＡｌＧａＡ
ｓクラッド層３上に積層されたキャリア濃度ｎ〜１×１
０¹⁸ｃｍ^-3、厚さ〜０．１μｍのｎ型ＡｌＧａＡｓ光ガ
イド層、５はこのＡｌＧａＡｓ光ガイド層４上に積層さ
れた厚さ〜１００ÅのアンドープＧａＡｓ活性層、６は
このアンドープＧａＡｓ活性層５上に積層されたキャリ
ア濃度ｐ〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3、厚さ〜０．１μｍのｐ型
ＡｌＧａＡｓ光ガイド層、７はこのＡｌＧａＡｓ光ガイ
ド層６上の中央部に、メサ型に積層されたキャリア濃度
ｐ〜５×１０¹⁷ｃｍ^-3、厚さ〜１．０μｍのｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、８はこのメサ型のＡｌＧａＡｓクラ
ッド層７の上面に積層されたキャリア濃度ｐ〜１×１０
¹⁹ｃｍ^-3、厚さ〜０．２μｍのｐ型ＧａＡｓキャップ
層、９は幅３〜１０μｍ、長さ〜２７０μｍのメサ・ス
トライプ部、１０は上記メサ型に形成されたｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層７の上面及びメサ・ストライプ部９の
側面にわたって積層された厚さ〜０．２μｍのＳｉＯ₂
電流ブロック層、１１は上記ＧａＡｓキャップ層８及び
ＳｉＯ₂電流ブロック層１０上に積層されたｐ型電極、
１２は上記ＧａＡｓ基板１の裏面に積層されたｎ型電
極、２３はＳｉの拡散領域をそれぞれ示している。

【００２４】このように、この実施例に係る半導体レー
ザは、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３と、このＡｌＧａ
Ａｓクラッド層３上に積層されたｎ型ＡｌＧａＡｓ光ガ
イド層４と、このＡｌＧａＡｓ光ガイド層４上に積層さ
れたアンドープＧａＡｓ活性層５と、このアンドープＧ
ａＡｓ活性層５上に積層されたｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイ
ド層６と、このＡｌＧａＡｓ光ガイド層６上の中央部
に、メサ型に積層されたｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層７
とを備え、このｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層７の上部
に、光の出射方向に沿って凸状に***したメサストライ
プ部９を形成するとともに、このメサストライプ部９の
出射端面側の端部９ａが、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
７の端面７ａよりも内側に位置するように、当該メサス
トライプ部９を切り欠いた切欠部１３を設け、前記リッ
ジ・ストライプ部９以外の表面から前記アンドープＧａ
Ａｓ活性層５に達するＳｉの拡散領域２３を設けるよう
に構成されている。

【００２５】次に、この実施例に係る半導体レーザの製
造方法について説明する。

【００２６】上記半導体レーザを製造するには、まず、
図４に示すように、ｎ型のＧａＡｓ基板１上に、ｎ型の
ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型のＡｌＧａＡｓクラッド層
３、ｎ型のＡｌＧａＡｓ光ガイド層４、アンドープＧａ
Ａｓ活性層５、ｐ型のＡｌＧａＡｓ光ガイド層６、ｐ型
のＡｌＧａＡｓクラッド層７、ｐ型のＧａＡｓキャップ
層８を、それぞれ所定の厚さに順次積層する。

【００２７】その後、フォト・リソグラフィ技術を使っ
て図５及び図６に示すようにエッチングマスク２４を形
成し、このエッチングマスク２４の部分を残してアンド
ープＧａＡｓ活性層５の上〜０．３μｍまで、ｐ型のＧ
ａＡｓキャップ層８、ｐ型のＡｌＧａＡｓクラッド層７
を、図７及び図８に示すように順次異方性エッチングに
より除去する。その際、エッチャントとしては、例え
ば、Ｈ₂ＳＯ₄−Ｈ₂Ｏ₂−Ｈ₂Ｏ系混合液が用いられ
る。このように、エッチングマスク２４の部分を残して
ｐ型のＧａＡｓキャップ層８、ｐ型のＡｌＧａＡｓクラ
ッド層７を順次エッチング除去することにより、ｐ型の
ＡｌＧａＡｓクラッド層７の上部がメサ・ストライプ形
状に形成される。また、ｐ型のＡｌＧａＡｓクラッド層
７のメサ・ストライプ部９の側方は、エッチングにより
厚さが薄く形成されるとともに、メサ・ストライプ部９
の出射端面側の端部に、その表面がリッジ・ストライプ
部９の側方の表面と同一平面をなす切欠部１３が同時に
形成される。

【００２８】次に、エッチングマスク２４をそのまま保
護膜として利用し、図９に示すように、ｐ型のＡｌＧａ
Ａｓクラッド層７及びエッチングマスク２４上に拡散源
であるＳｉ２１を着膜した後、図１０に示すように、エ
ッチングマスク２４を除去することにより、メサストラ
イプ部９上に堆積していたＳｉ２１は、エッチングマス
ク２４とともにリフトオフによって除去される。その結
果、Ｓｉ２１は、基板のオーバーエッチングのため、図
１０に示すように、ｐ型のＡｌＧａＡｓクラッド層７の
上面にのみ積層される。

【００２９】その後、上記基板の表面から拡散源である
Ｓｉ２１を覆うようにＳｉＯ₂拡散保護膜２２を着膜し
てから（図１１）、電気炉中で８５０℃の温度で１時
間、拡散深さ〜０．５μｍのＳｉ熱拡散を行い、Ｓｉ拡
散領域２３を形成する。このＳｉ拡散領域２３は、ｐ型
のＡｌＧａＡｓクラッド層７の上面からｐ型のＡｌＧａ
Ａｓ光ガイド層６、アンドープＧａＡｓ活性層５、ｎ型
のＡｌＧａＡｓ光ガイド層４及びｎ型のＡｌＧａＡｓク
ラッド層３に達するように形成されている。このとき、
試料は内径１５ｍｍの石英アンプル中にヒ素粒と共に封
入され、１．７気圧のヒ素雰囲気で熱処理される。

【００３０】それからＳｉ２１及びＳｉＯ₂２２をＣＦ
₄のプラズマエッチングにより除去し、全面にＳｉＯ₂
電流ブロック層１０を着膜した後、再びフォトリソグラ
フィ技術を使ってメサストライプ部９上のＳｉＯ₂電流
ブロック層１０を除去する。

【００３１】この後、通常の半導体レーザ作製プロセス
と同様に、ｎ型ＧａＡｓ基板１を研磨して１００μｍ程
度の厚さとし、ｐ型電極１１及びｎ型電極１２を蒸着し
た後、劈開によって長さ３００μｍ程度のファブリペロ
ー型共振器を形成する。チップ化に際しては、図１及び
図１３に示すように、〔０１１〕方向にはＡ印の個所で
劈開する。この半導体チップは、ヒートシンクにマウン
トし、リード線を取り付けて完成する。

【００３２】以上の構成において、この実施例に係る半
導体レーザでは、次のようにして高効率及び低しきい値
電流でしかも光学的損傷を抑制可能な半導体レーザを、
高い信頼性でしかも量産化にすぐれた状態で製造するこ
とができる。

【００３３】すなわち、この実施例に係る半導体レーザ
は、図１２に示すように、メサ・ストライプ部９の下の
アンドープＧａＡｓ活性層５が主発光領域となる。ま
た、ＳｉＯ₂電流ブロック層１０がメサ・ストライプ部
９を囲むように形成されているため、注入された電流Ｉ
は、メサ・ストライプ部９に集中的に流れる。このと
き、エッチングによって薄層化されたｐ型のＡｌＧａＡ
ｓクラッド層７に拡がろうとする電流は、Ｓｉ拡散領域
２３を越えることができず、漏れ電流が抑制されるた
め、低しきい値のレーザが実現される。また、半導体レ
ーザの出射端面部は、Ｓｉの不純物拡散２３によって混
晶化された結果、エネルギーバンドギャップがわずかに
広がり、活性層５から放出される光に対して透過性とな
るため、光の吸収が生じない。そのため、光の吸収に伴
う発熱による端面破壊を抑制することができる。さら
に、前述の通り電流は、出射端面近傍に流れ込まないた
め、発熱が大幅に減少し、端面破壊が起こり難くなるこ
とから光出力の制限を高めることができ、高出力化が可
能となる。

【００３４】このように、この実施例に係る半導体レー
ザは、リッジストライプ形レーザに対して、Ｓｉの不純
物拡散による無秩序化技術を適用することにより、Ｚｎ
の拡散工程を省略してもＳｉの表面異常拡散による直列
抵抗の増加、及びｎ形のＳｉ拡散領域がｎ型クラッド層
とつながることによる横方向の電流の漏れを防止するこ
とができる。従って、低しきい値、高出力、安定横モー
ドの半導体レーザを得ることができる。

【００３５】また、光及び電流の閉じ込めと出射端面部
でのウインドウ構造の形成とを、Ｓｉの不純物拡散によ
る無秩序化（ＩＩＬＤ）によって同時に行なうことがで
きるため、作製工程を簡略化することができる。

【００３６】さらに、不純物拡散による無秩序化技術に
おいては、８００℃を超える高温の路の中に長時間レー
ザチップを保持するため、デバイスに及ぼす熱的な損傷
は避けられない。ところが、この方法によれば、不純物
を拡散するｐ型のＡｌＧａＡｓクラッド層７は、エッチ
ングによって薄層化されているので、同じ不純物による
無秩序化技術を用いた従来のレーザよりも短時間で不純
物の拡散を行なうことができ、デバイスに及ぼす熱的な
損傷も少なくすることができる。

【００３７】

【発明の効果】この発明は、以上の構成及び作用よりな
るもので、出射端面近傍での光吸収による光学的損傷
（ＣＯＤ）を防止することができるのは勿論のこと、高
出力かつ低しきい値の半導体レーザを、高い信頼性でし
かも量産化にすぐれた状態で実現可能な半導体レーザ及
びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１はこの発明に係る半導体レーザの一実施
例を示す一部破断の斜視図である。

【図２】図２は同断面図である。

【図３】図３は同断面図である。

【図４】図４は本実施例に係る半導体レーザの製造工
程を示す断面図である。

【図５】図５は本実施例に係る半導体レーザの製造工
程を示す断面図である。

【図６】図６は本実施例に係る半導体レーザの製造工
程を示す断面図である。

【図７】図７は本実施例に係る半導体レーザの製造工
程を示す断面図である。

【図８】図８は本実施例に係る半導体レーザの製造工
程を示す断面図である。

【図９】図９は本実施例に係る半導体レーザの製造工
程を示す断面図である。

【図１０】図１０は本実施例に係る半導体レーザの製
造工程を示す断面図である。

【図１１】図１１は本実施例に係る半導体レーザの製
造工程を示す断面図である。

【図１２】図１２は本実施例に係る半導体レーザの製
造工程を示す断面図である。

【図１３】図１３は本実施例に係る半導体レーザの製
造工程を示す断面図である。

【図１４】図１４は従来の半導体レーザを示す断面図
である。

【図１５】図１５は従来の他の半導体レーザを示す斜
視図である。

【図１６】図１６は従来のさらに他の半導体レーザを
示す斜視図である。

【符号の説明】

１ｎ型のＧａＡｓ基板、２ｎ型のＧａＡｓバッファ
層、３ｎ型のＡｌＧａＡｓクラッド層、４ｎ型のＡ
ｌＧａＡｓ光ガイド層、５ｐ型のアンドープＧａＡｓ
活性層、６ｐ型のＡｌＧａＡｓ光ガイド層、７ｐ型
のＡｌＧａＡｓクラッド層、８ｐ型のＡｓキャップ
層、９メサストライプ部、１０電流ブロック層、１
１Ｐ側電極、１２ｎ型電極、２３Ｓｉの拡散領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平３−89584（ＪＰ，Ａ) 特開平４−61391（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】第１クラッド層と、この第１クラッド層
上に積層された活性層と、この活性層上に積層された第
２クラッド層とを備え、この第２クラッド層の上部に、
光の出射方向に沿って凸状に***したリッジ・ストライ
プ部を形成するとともに、このリッジ・ストライプ部の
出射端面側の端部が、第２クラッド層の端面よりも内側
に位置するように、当該リッジ・ストライプ部を切り欠
いた切欠部を設け、前記リッジ・ストライプ部以外の表
面から前記活性層に達する不純物拡散領域を設けたこと
を特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】第１クラッド層と、この第１クラッド層
上に積層された活性層と、この活性層上に積層された第
２クラッド層とを順次積層した後、この第２クラッド層
をエッチングすることにより当該第２クラッド層の上部
に、光の出射方向に沿って凸状に***したリッジ・スト
ライプ部を形成するとともに、このリッジ・ストライプ
部の出射端面側の端部が、第２クラッド層の端面よりも
内側に位置するように、当該リッジ・ストライプ部を切
り欠いた切欠部を形成し、このリッジ・ストライプ部以
外の表面から不純物を拡散させ、前記活性層に達する不
純物拡散領域を設けることを特徴とする半導体レーザの
製造方法。