JP3021289B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
度の映像表示に用いる液晶表示装置に関する。
のおのがストライプ状電極を有する一対の基板を、互い
に電極が交差するようにマトリクス状に対向配置する液
晶表示装置である。この単純マトリクス液晶表示装置
は、時刻や簡単な画像表示には十分であるが時分割駆動
には限界が有り、テレビ画像など高解像度の映像表示が
必要になると、画素数が膨大に要求され、時分割駆動で
制御することができなくなる。そこで近年、単純マトリ
クス方式に変わって、アクティブマトリクス方式が開発
された。
には、ダイオード動作するスイッチング素子を使う2端
子型と、トランジスタ動作するスイッチング素子を使う
3端子型の2種類のアクティブマトリクス方式がある。
3端子型のアクティブマトリクス方式は、一方の基板に
共通電極を設け、他方の電極に画素毎の画素電極を設
け、該当画素電極毎にスイッチング素子として薄膜トラ
ンジスタ(以下「TFT」と記す)を配し、制御する駆
動方式である。
ばれる2つの主電極と、ゲート電極と呼ばれる制御電極
からなっているが、上記アクティブマトリクス方式では
一方の主電極を信号線に、他方の主電極を画素電極に、
ゲート電極を走査線に接続している。
ス電極であるかはトランジスタの種類及び印加電圧の極
性によって変わり得るため、本明細書においては表示信
号線に接続した側をソース電極、画素電極に接続した側
をドレイン電極とする。
示す。図9に示した液晶表示装置は、液晶材料408の
下方に配したいわゆる回路基板と、液晶材料408の上
方に配したいわゆる対向基板とで、液晶材料408を挟
んでいる。同図において、401はゲート電極、402
は単結晶シリコン、多結晶シリコン、非結晶シリコンな
どからなる半導体層でトランジスタのチャネル領域とな
る。403はソース電極、404はドレイン電極であ
る。405は層間絶縁層、406は単結晶シリコン基
板、407は配向膜、408は液晶材料、409は対向
透明電極、410は層間膜、411は遮光層、412は
カラーフィルタ層である。モノクロ表示パネルの場合に
はこのカラーフィルタ層、412は存在しない。
結晶シリコン基板中に形成した基板と逆導電型の半導体
拡散層でトランジスタのチャネル領域となる。415は
ゲート電極で本実施例では薄膜トランジスタゲート電極
401と同一工程で形成しているがこれに限るものでは
ない。ゲート電極415とチャネル領域414の間とは
絶縁層を介して対向している。416、417は単結晶
基板中に形成したトランジスタのソース、ドレイン電極
である。
る。419は透明画素電極でありドレイン電極404に
接続する。420は画素電極部の電荷を保持するための
蓄積容量を形成する蓄積容量共通電極であり、画素電極
419との間に蓄積容量を構成する。
の方法を示す。図10から図17は、この構造を実現す
るための製法の模式説明図である。
ウェルを作製する図である。基板上の形成した酸化膜に
レジストを使ってマスクし、ボロンイオンを注入してp
型ウェルを作製する。図10(b)は、LOCOS(素
子間分離のための酸化膜)形成用のレジストを貼りつけ
る工程を示す。SiN(酸化窒化膜)を表面に堆積させ
て、パターニングする。
を示す。400nm〜1500nmの厚さの酸化膜がで
きるように1000〜1100℃でWet酸化する。図
11(b)は、表面にSiNを形成する工程を示す。熱
CDVでSiN膜を50nm〜100nm堆積させる。
図11(c)は、表面に画素TFTとなるポリシリコン
を形成する図を示す。多結晶Siを50nm〜400n
m堆積させて、パターニングする。
とにより、n型のTFTのしきい値を調整する工程を示
す。1012〜1014cm-3のイオン密度で、イオン注入
を行う。図12(b)は、TFTの上面以外の多結晶S
iを取り除く工程を示す。図12(c)は、TFTの上
面以外の窒化膜を除去し、周辺回路のみを露出させる工
程を示す。
iを形成する工程を示す。図13(b)は、ゲート電極
をパターニングする工程を示す。
オン注入をし、ソース領域と、ドレイン領域を形成させ
る工程を示す。図14(b)は、層間膜の形成を示す。
−Siを堆積させる工程を示す。図15(b)は、層間
絶縁膜を形成する工程を示す。図15(c)は、表面保
護用レジストを塗布する工程を示す。
をTFTの上面に堆積させる工程を示す。図16(b)
は、透明画素電極を形成する図を示す。
向基板と組み合わせて完成した液晶表示装置の断面図を
示す。
ング素子として、TFT(薄膜トランジスタ)を使用し
ながら、周辺駆動回路のトランジスタなどを単結晶シリ
コンで形成することができる。
る。図18において、501は単結晶シリコン基板であ
り、この単結晶シリコン基板中に、液晶表示装置の周辺
駆動回路507を作製する。502は対向基板であり、
この対向基板と単結晶シリコン基板501とはシール剤
503により接着され、両基板間には液晶材料が充填さ
れる。なお、505は、単結晶シリコン基板501の画
素領域506を保護する保護ガラスである。
ン基板501の画素部506には、多数の画素が並んで
おり、対向基板502には、画素部506の多数の画素
に対応するカラーフィルターが並んである。そのため、
単結晶シリコン基板501と対向基板502の張り合せ
には、微妙な位置合わせが必要である。そこで、単結晶
シリコン基板501との位置合わせ用のアライメントマ
ーク510をパターン形成する。
示す。図19(a)はシリコン基板501のアライメン
トマーク510を示し、(b)は対向基板502のアラ
イメントマークを示す。両者のアライメントマークを重
ね合わせることによって2枚の基板の位置合わせを行
う。このアライメントマーク510を設置することで、
単結晶シリコン基板501の各画素と、その各画素に対
応する対向基板502の画素フィルター(カラー液晶表
示装置の場合には、カラーフィルター)との位置合わせ
を正確に行える。そのため、アライメントマーク近傍
は、光学的に光を透過させる必要がある。よって、アラ
イメントマーク近傍は、遮光膜やそれに変わる不透明な
ものがなく透明な部分511を有している。この透明な
部分511の下部には、単結晶シリコンで作製した周辺
駆動回路507がある。
装置は以下のような問題点を持っていた。透過型の液晶
表示装置は先に説明したように外部から照射された光
を、液晶の転移により光を通したり遮ったりすることで
所望のパターンを表示するものである。その光が半導体
基板に照射されるとそのエネルギーで半導体基板中の価
電子が励起されて伝導電子を作り、その価電子の抜け穴
が正孔となる。この光によって励起された伝導電子や正
孔(ホール)を光キャリヤと呼び、この光キャリアが周
辺回路のトランジスタのソースやドレインに到達すると
ソース電位やドレイン電位の変動を引き起こし、シフト
レジスタなどの周辺駆動回路の誤動作を引き起こす。ま
た、映像信号を保持している保持容量に接続しているソ
ースやドレインに光キャリヤが到達すると映像信号電位
の変動を引き起こし表示品位の低下を招く。
NTALY MOS )で構成した場合、光キャリヤにより基板の
電位が変動する。するとP型MOSとN型MOSとの間
で電流が流れてしまうラッチアップという現象が起こ
り、周辺駆動回路が動作しなくなってしまう。
辺駆動回路の上には光を遮断するための遮光層を設け
る。上述した図9に示した液晶表示装置の遮光層411
はこの例である。この構造のように周辺駆動回路を単結
晶シリコン基板中に設けた場合、シリコン基板は一般に
約600μmもの厚さがあるため。そのため、シリコン
基板の体積が大きく、光キャリアの発生する部分は大き
な範囲にまたがる。また単結晶シリコン基板中の光キャ
リヤの拡散長は数百μmと長いので、周辺駆動回路が誤
動作することが多かった。そのために、周辺駆動回路に
光が入らないように完全に周辺駆動回路を遮光膜で覆う
必要があり、周辺駆動回路上だけを遮光しただけでは不
十分であった。
(例えば、チップになったランダム・アクセス・メモリ
ー)は、パッケージに組み込んでしまうので完全に、遮
光できる。そのため先に述べたような、光キャリアの発
生の問題はない。光センサ集積回路の場合にも基板上面
が光にさらされるに過ぎない。そのため、この場合も、
光キャリアの発生の問題はない。
部に光を照射しなければならない。光を照射すると、照
射面と反対の面も反射光などの迷光にさらされるので、
基板上面だけに遮光膜を設ける対策では不十分で、先に
述べたような回路の誤動作や表示品位の低下が生じてい
た。
晶シリコン基板上に周辺駆動回路を設けても、光キャリ
アの発生により誤動作しない液晶表示装置を提供するこ
とを目的とする。本発明者はこの目的を達成するために
鋭意努力し以下の発明を得た。
ス回路を設けた画素部、及び単結晶シリコンによって形
成されているとともに、該画素部の周辺部に位置し、該
アクテイブマトリクス回路を駆動させるシフトレジスタ
を備えた周辺駆動回路を有する回路基板、該回路基板に
対して所定間隔をおいて配置した対向電極を備えた対向
基板、並びに、該所定間隔に配置した液晶を有する液晶
表示装置において、前記対向基板は、前記周辺回路部に
対応した位置に、反射光を生じる遮光部材が設けられ、
前記周辺部の領域内には、該反射光を吸収する光吸収層
が設けられている液晶表示装置を特徴とするものであ
る。
す模式図である。501は単結晶シリコン基板で、50
2は対向基板である。この対向基板502と単結晶シリ
コン基板501とはシール剤503により接着され、両
基板間には液晶材料504が充填される。なお、505
は、単結晶シリコン基板501の画素領域506を保護
する保護ガラスである。
506の上以外の部分を遮光部材512で覆う。このと
き、対向基板502を単結晶シリコン基板501と張り
合せた後に、この遮光部材512を設けるのが望まし
い。このように構成することで、アライメントマークの
周囲に透明な箇所512があっても、対向基板502と
単結晶シリコン基板501とを貼り合せたあとに、この
透明な箇所512を不透明にすることができる。また、
シール部503の上の部分も不透明にすることができ
る。
囲やシール部503の周囲が不透明になる。よって、単
結晶シリコンで作製された周辺駆動回路に光が届かな
い。その結果、光キャリアが周辺駆動回路に発生して、
回路を誤動作させたり、映像信号レベルを低下させたり
することがなくなる。
辺を拡大した断面図である。本参考例の遮光部材512
は以下のように設置するのが望ましい。その設置の手順
を説明する。図2のごとく入射光線があるとすると、屈
折率n1の媒質から入射角θ1で入射した光は、屈折率n
2の媒質との境界面を透過屈折して、屈折率n2の媒質の
を屈折角の方向に進んで行く。このときの遮光部材51
2とアライメントマーク510の水平距離を[l]、対
向基板502の厚さを[d]とすると、入射光線との間
には、 θ2 =sin-1((n1/n2)×sinθ1) l =dtanθ2 したがって、 l =dtan〔sin-1{(n1/n2)sin
θ1}〕 の関係がある。つまり、アライメントマーク近傍の遮光
膜のない部分511に光を照射しないためには、遮光部
材512とアライメントマーク510の水平距離[l]
は、 lmin =dmax tan〔sin-1{(n1/n2)sinθ1max}〕 によって求められる lmin 以上の距離をとらなければ
ならない。
向基板502は一般的なガラスとし屈折率をn1 =1.5、
対向基板の最大厚さdmax =1.1mm として遮光部材51
2とアライメントマーク510の水平距離[l]につい
て考えると、光の最大入射角はθ1max=90°であるか
ら、 θ2 =sin-1((1/1.5 )sin90°≒41.8° lmin =1.1 ×tan41.8°≒0.98 したがって、遮光部材512とアライメントマーク51
0の水平距離を0.98mm以上とって遮光部材512の端
部を位置させることによって、アライメントマーク近傍
の遮光膜のない部分511への光入射を防止し、単結晶
シリコン基板501上の液晶表示装置の周辺回路507
の光キャリアによる誤動作を防止することができる。
ス方式の液晶装置の等価回路を示す。図中1はTFT、
2は走査線、3は信号線、4は画素電極、5は水平シフ
トレジスタ、6は垂直シフトレジスタ、7は水平シフト
レジスタによって駆動される映像信号転送スイッチ、8
は映像信号を一時保持するための保持容量、9は保持容
量に一時保持されている映像信号を画素電極に一括転送
する第二の映像信号転送スイッチである。映像信号は映
像信号入力端10からタイミングをずらして順次転送さ
れていく。11は信号線3のリセットスイッチである。
素子の駆動パルスタイミングの一例を示す。映像信号は
奇数行に対応する信号と偶数行に対応する信号が1フィ
ールド期間ごとに交互に送られてくる。したがって液晶
表示素子の動作としてはまず、奇数フィールドには垂直
シフトレジスタ6から奇数行目の走査線(ODD1)に
走査信号を送り、奇数行目のTFT1を導通させる。そ
の間に液晶に記録されるべき映像信号は、その映像信号
に同期した水平走査パルスを出す水平シフトレジスタ5
(ODD)によって順次駆動される転送スイッチ7を介
して各画素の画素電極4(2)、4(4)に映像信号が
記録される。
査パルスを出す水平シフトレジスタ5(EVEN)によ
って順次駆動される転送スイッチ7を介して保持容量8
に映像信号が転送される。次に水平ブランキング期間
に、リセットスイッチ11を導通させ信号線3をいった
んリセットした後に偶数行目の走査線(EVEN1)に
走査信号を送り、偶数行目のTFT1を導通させ、同時
に第二の映像信号転送スイッチ9を導通させ各画素の画
素電極4(1)、4(3)に映像信号が記録される。こ
のようにして映像信号は順次画素電極に記録されてい
く。
図6に示したように、画素の位置をたとえば0.5画素
分ずらして配置する方法がある。こうすることで、たと
えば奇数行のある画素とその隣の画素の間を水平方向の
感覚で見ていくと、偶数行の画素が埋めていることにな
り、見かけ上水平解像度が向上する。このとき、図7の
タイミング図で示すように、奇数行と偶数行の画素の空
間的なずれに合わせて奇数行と偶数行とで水平走査パル
スのタイミングをずらす必要がある。
に液晶にDC成分が印加されて液晶が焼き付くのを防ぐ
ために信号電圧の極性を変えて印加される。極性の切替
時には液晶セルの透過率に若干の変化が生じ、例えば1
/30秒周期ではこの変化が人間に認識されてしまい明る
さのちらつき、フリッカとなる。上記で説明したよう
な、奇数行と偶数行とに同じ映像信号を書き込む二線同
時駆動法をとることで映像信号の極性反転周期を二分の
一の1/60秒ごとにし、フリッカを抑制することができ
る。
晶表示装置の駆動方法を示したが、本発明は単純マトリ
クス構造でも適用できるのは言うまでもない。
02の対向電極と反対の面、および対向基板側面に光吸
収層521を設ける画素領域506を照射するために入
射した光のうち、対向基板502の対向電極や、同50
2の遮光膜などで内面反射してしまう光成分については
アライメントマーク510の近傍の遮光膜のない部分5
11(図19に示した)に到達し、単結晶シリコン基板
501上の液晶表示装置の周辺回路507の誤動作を起
こす原因となる。こうした内面反射成分を光吸収層52
1によって吸収する。光吸収層521の材料としては、
対向基板502の光屈折率に近い屈折率を有する塗料や
樹脂材料でよい。さらに同樹脂材料中には、黒色顔料の
ような光吸収を生ずる材料を含むとなお効果的である。
ただし、これらの光吸収層は、対向基板502に隙間な
く密着していることが必要で、微小な空隙が生じてしま
うと効果が減少する。
枠、543は、液晶表示装置と外部との電気的入出力配
線板である。
膜のない部分511への光入射を防ぐと同時に単結晶シ
リコン基板501上に設けられたボンディングパッド等
の外部との入出力端子周辺部541への光入射をも防止
する。外部への入出力端子の接続方法(ワイヤボンディ
ング法、異方性導電膜、ハンダ付け等による手法があ
る)によらず有効な手段となる。
2が液晶表示装置そのものの外枠を兼ねることも可能
で、確実に、単結晶シリコン基板501上の液晶表示装
置の周辺回路507への光入射を防ぎ、誤動作を起こす
原因を排除することができる。
ス505の単結晶シリコン基板501に対向する面に遮
光マスク551を設ける。透過型液晶表示装置において
は、画素部分506を透過した光を表示面側でとらえ
て、画像として認識する。このため透過した光が、液晶
表示装置の構成部材内面で反射する成分を持つ。また、
表示側からの光入射もある。つまり、透過型液晶表示装
置においては、基板の両面からの光にさらされるため一
般の半導体集積回路に比べ光キャリアの影響を大きく受
ける。
結晶シリコン基板に対向する面に遮光マスク551を設
けることによって、基板裏面に照射された光のうち、画
素部分506以外への光を遮光し、内面間での反射光や
迷光を吸収することができる。よって、単結晶シリコン
基板での光キャリヤの発生を防止することができる。図
5では保護ガラス505上に黒色塗料を塗布することに
よって形成した遮光マスクの例を示したが、別の部材を
設けることによっても同様の効果が得られる。
とにより、周辺駆動回路での光キャリヤの発生を抑える
ことができ回路の誤動作や信号電位の変動による表示品
位の低下をなくすことができる。ひいては、高画質の液
晶テレビジョン、液晶プロジェクタテレビ、液晶ビュー
ファインダ、液晶ヘッドマウントディスプレイ、コンピ
ュータディスプレイなどを実現することができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 アクティブマトリクス回路を設けた画素
部、及び単結晶シリコンによって形成されているととも
に、該画素部の周辺部に位置し、該アクテイブマトリク
ス回路を駆動させるシフトレジスタを備えた周辺駆動回
路を有する回路基板、該回路基板に対して所定間隔をお
いて配置した対向電極を備えた対向基板、並びに、該所
定間隔に配置した液晶を有する液晶表示装置において、
前記対向基板は、前記周辺回路部に対応した位置に、反
射光を生じる遮光部材が設けられ、前記周辺部の領域内
には、該反射光を吸収する光吸収層が設けられているこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記回路基板または対向基板は、前記遮
光部材に対応した位置に、アライメントマークが具備さ
れていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項3】 前記遮光部材及び光吸収層は、前記対向
基板の液晶配置とは反対側に位置し、該遮光部材が外側
になるように、積層されていることを特徴とする請求項
1に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15725494A JP3021289B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15725494A JP3021289B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0822016A JPH0822016A (ja) | 1996-01-23 |
JP3021289B2 true JP3021289B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=15645637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15725494A Expired - Fee Related JP3021289B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3021289B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3674330B2 (ja) | 1997-09-11 | 2005-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | 光変調装置、およびこれを用いた投写型表示装置 |
KR100493969B1 (ko) * | 1996-04-16 | 2005-08-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브매트릭스액정표시장치및그제조방법과,이장치를갖는전자장치와,표시장치 |
US6219113B1 (en) * | 1996-12-17 | 2001-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for driving an active matrix display panel |
JP4396599B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2010-01-13 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び電子機器並びに投射型表示装置 |
JP5168254B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2013-03-21 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
KR100830524B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2008-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 빛샘 방지 구조 |
KR20050024528A (ko) * | 2003-09-03 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
JP2012053365A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | 液晶表示素子 |
-
1994
- 1994-07-08 JP JP15725494A patent/JP3021289B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0822016A (ja) | 1996-01-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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