JP3016305B2 - リードフレームの製造方法と半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法と半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームの製造
方法、特にインナーリードを工程の複雑化を伴わないで
微細化できるリードフレームの製造方法と、半導体装置
の製造方法に関する。
方法、特にインナーリードを工程の複雑化を伴わないで
微細化できるリードフレームの製造方法と、半導体装置
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】インナーリードが微細で且つ全体として
必要な強度を持つリードフレームの製造方法として、エ
ッチングストップ層となるアルミニウム中間層の両面に
互いに厚さの異なる銅からなる金属層を形成し、この両
面の金属層に対して選択的エッチングをすることにより
厚いアウターリードと、薄いインナーリードを形成し、
その後、このアウターリード及びインナーリードをマス
クとして上記中間金属層をエッチングすることにより該
中間金属層の不要部分を除去する方法が特開平３−１４
８８５６号公報により紹介されている。
必要な強度を持つリードフレームの製造方法として、エ
ッチングストップ層となるアルミニウム中間層の両面に
互いに厚さの異なる銅からなる金属層を形成し、この両
面の金属層に対して選択的エッチングをすることにより
厚いアウターリードと、薄いインナーリードを形成し、
その後、このアウターリード及びインナーリードをマス
クとして上記中間金属層をエッチングすることにより該
中間金属層の不要部分を除去する方法が特開平３−１４
８８５６号公報により紹介されている。
【０００３】ところで、上記技術によれば、インナーリ
ードの微細化をより一層進めるのに限界がある。という
のは、レジスト層からなるマスクとしてインナーリード
形成のためのエッチングに際してサイドエッチングが生
じるからである。
ードの微細化をより一層進めるのに限界がある。という
のは、レジスト層からなるマスクとしてインナーリード
形成のためのエッチングに際してサイドエッチングが生
じるからである。
【０００４】そこで、本願発明者はインナーリードの微
細化がサイドエッチングにより制約されるという問題を
解決するために、エッチングストッパとなるアルミニウ
ム層とアウターリードとなる金属層（例えば銅層）とを
積層した二層クラッド板をリードフレーム材として用意
し、リードフレーム材表面にレジスト膜を形成し、アル
ミニウム層表面上のレジスト膜を形成しようとするイン
ナーリードに対してネガのパターンにパターニングする
露光、現像処理を施し、その後、そのレジスト膜をマス
クとしてアルミニウム層上に例えば銅等をメッキするこ
とによりインナーリードを形成するという技術を案出し
た。この技術は、例えば特願平４−２７１９８の明細
書、図面の中で紹介済みである。
細化がサイドエッチングにより制約されるという問題を
解決するために、エッチングストッパとなるアルミニウ
ム層とアウターリードとなる金属層（例えば銅層）とを
積層した二層クラッド板をリードフレーム材として用意
し、リードフレーム材表面にレジスト膜を形成し、アル
ミニウム層表面上のレジスト膜を形成しようとするイン
ナーリードに対してネガのパターンにパターニングする
露光、現像処理を施し、その後、そのレジスト膜をマス
クとしてアルミニウム層上に例えば銅等をメッキするこ
とによりインナーリードを形成するという技術を案出し
た。この技術は、例えば特願平４−２７１９８の明細
書、図面の中で紹介済みである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来技
術には、中間層を成すアルミニウムにインナーリードを
選択的にメッキするに際して予め必要となる処理が複雑
であるという問題があった。というのは、アルミニウム
はきわめて酸化し易いので、先ずアルミニウム表面を削
り取り、その後、亜鉛置換をするが、それでも表面状態
は完全には良くならず再度表面を削り取り、その後再度
亜鉛置換処理しなければ、レジスト膜を塗布する工程に
移れなかった。そして、このことが微細インナーリード
のリードフレームの製造コストの低減を阻む要因の一つ
となっていた。
術には、中間層を成すアルミニウムにインナーリードを
選択的にメッキするに際して予め必要となる処理が複雑
であるという問題があった。というのは、アルミニウム
はきわめて酸化し易いので、先ずアルミニウム表面を削
り取り、その後、亜鉛置換をするが、それでも表面状態
は完全には良くならず再度表面を削り取り、その後再度
亜鉛置換処理しなければ、レジスト膜を塗布する工程に
移れなかった。そして、このことが微細インナーリード
のリードフレームの製造コストの低減を阻む要因の一つ
となっていた。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、製造工数の低減を図りつつインナー
リードの微細化を図る新規なリードフレームの製造方法
及び半導体装置の製造方法を提供しようとするものであ
る。
されたものであり、製造工数の低減を図りつつインナー
リードの微細化を図る新規なリードフレームの製造方法
及び半導体装置の製造方法を提供しようとするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１のリードフレー
ムの製造方法は、第１の金属層の上にエッチングストッ
パとなる第２の金属層を積層し、更に該第２の金属層の
上に第３の金属層を積層した積層金属板を用意し、上記
積層金属板の第３の金属層側の表面に、リードを形成す
べき部分のみが露出するように選択的にレジスト膜を形
成し、該レジスト膜をマスクとして上記第３の金属層の
表面に選択的に金属をメッキすることによりリードを形
成し、該リードをマスクとして上記第３の金属層を選択
的にエッチングし、上記積層金属板の上記第１の金属層
を選択的にエッチングし、上記リード及び上記選択的エ
ッチングのときにエッチングのされなかった部分をマス
クとして上記第２の金属層をエッチングすることを特徴
とする。
ムの製造方法は、第１の金属層の上にエッチングストッ
パとなる第２の金属層を積層し、更に該第２の金属層の
上に第３の金属層を積層した積層金属板を用意し、上記
積層金属板の第３の金属層側の表面に、リードを形成す
べき部分のみが露出するように選択的にレジスト膜を形
成し、該レジスト膜をマスクとして上記第３の金属層の
表面に選択的に金属をメッキすることによりリードを形
成し、該リードをマスクとして上記第３の金属層を選択
的にエッチングし、上記積層金属板の上記第１の金属層
を選択的にエッチングし、上記リード及び上記選択的エ
ッチングのときにエッチングのされなかった部分をマス
クとして上記第２の金属層をエッチングすることを特徴
とする。
【０００８】請求項２のリードフレームの製造方法は、
保護導電層、アルミニウム中間層、アウターリード用金
属層からなる三層クラッド板を用意し、該三層クラッド
板の表面にインナーリードに対してネガのパターンのレ
ジスト膜を選択的に形成し、該レジスト膜をマスクとし
て上記保護導電層上に選択的にメッキしてインナーリー
ドを形成することを特徴とする。
保護導電層、アルミニウム中間層、アウターリード用金
属層からなる三層クラッド板を用意し、該三層クラッド
板の表面にインナーリードに対してネガのパターンのレ
ジスト膜を選択的に形成し、該レジスト膜をマスクとし
て上記保護導電層上に選択的にメッキしてインナーリー
ドを形成することを特徴とする。
【０００９】請求項５の半導体装置の製造方法は、請求
項１のリードフレームの製造方法により製造されたリー
ドフレームのリードにＩＣの電極を接続することを特徴
とする。
項１のリードフレームの製造方法により製造されたリー
ドフレームのリードにＩＣの電極を接続することを特徴
とする。
【００１０】
【作用】請求項１のリードフレームの製造方法によれ
ば、エッチングストッパとなる第２の金属層の表面に直
接にではなく、第３の金属層を介してリードをメッキに
より形成するので、選択メッキ用のマスクとなるレジス
ト膜の形成前に亜鉛置換その他の処理が必要でなくな
り、製造工数の低減を図りつつリードの微細化を図るこ
とができる。
ば、エッチングストッパとなる第２の金属層の表面に直
接にではなく、第３の金属層を介してリードをメッキに
より形成するので、選択メッキ用のマスクとなるレジス
ト膜の形成前に亜鉛置換その他の処理が必要でなくな
り、製造工数の低減を図りつつリードの微細化を図るこ
とができる。
【００１１】請求項２のリードフレームの製造方法によ
れば、リードフレーム材としてアルミニウム中間層のイ
ンナーリードが形成される側を薄い保護導電層で覆った
ものを用いるので、選択メッキ用のマスクとなるレジス
ト膜の形成前に亜鉛置換その他の処理が必要でなくな
り、製造工数の低減を図りつつインナーリードの微細化
を図ることができる。
れば、リードフレーム材としてアルミニウム中間層のイ
ンナーリードが形成される側を薄い保護導電層で覆った
ものを用いるので、選択メッキ用のマスクとなるレジス
ト膜の形成前に亜鉛置換その他の処理が必要でなくな
り、製造工数の低減を図りつつインナーリードの微細化
を図ることができる。
【００１２】請求項５の半導体装置の製造方法によれ
ば、請求項１のリードフレームの製造方法により製造さ
れたリードフレームにＩＣを接続して半導体装置を製造
するので、請求項１のリードフレームの製造方法により
得ることのできる、選択メッキ用のマスクとなるレジス
ト膜の形成前に亜鉛置換その他の処理が必要でなくな
り、製造工数の低減を図りつつリードの微細化を図るこ
とができるという効果を享受した半導体装置を得ること
ができる。
ば、請求項１のリードフレームの製造方法により製造さ
れたリードフレームにＩＣを接続して半導体装置を製造
するので、請求項１のリードフレームの製造方法により
得ることのできる、選択メッキ用のマスクとなるレジス
ト膜の形成前に亜鉛置換その他の処理が必要でなくな
り、製造工数の低減を図りつつリードの微細化を図るこ
とができるという効果を享受した半導体装置を得ること
ができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明リードフレームの製造方法を図
示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至
（Ｅ）は本発明リードフレームの製造方法の一つの実施
例の前半を工程順に示す断面図、図２（Ａ）乃至（Ｅ）
は該実施例の後半を工程順に示す断面図である。 先
ず、図１（Ａ）乃至（Ｅ）に従って本実施例の前半につ
いて説明する。
示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至
（Ｅ）は本発明リードフレームの製造方法の一つの実施
例の前半を工程順に示す断面図、図２（Ａ）乃至（Ｅ）
は該実施例の後半を工程順に示す断面図である。 先
ず、図１（Ａ）乃至（Ｅ）に従って本実施例の前半につ
いて説明する。
【００１４】（Ａ）先ず、リードフレーム材１として、
図１（Ａ）に示すように、アルミニウムを中間層（厚さ
例えば３０μｍ）２とし、該中間層２の一方の面にアウ
ターリードとなる銅層（厚さ例えば１２５μｍ）３を積
層し、他方の面に保護導電層となる薄い銅層（厚さ例え
ば５μｍ）４を積層した三層クラッド板を用意する。こ
のように、中間層２のインナーリード形成側に銅からな
る保護導電層３を形成したものをリードフレーム材１と
して用意するのは、インナーリード形成のための選択メ
ッキに先立って表面の削り、亜鉛置換処理をする必要性
をなくし、製造工程の低減をはかるためである。
図１（Ａ）に示すように、アルミニウムを中間層（厚さ
例えば３０μｍ）２とし、該中間層２の一方の面にアウ
ターリードとなる銅層（厚さ例えば１２５μｍ）３を積
層し、他方の面に保護導電層となる薄い銅層（厚さ例え
ば５μｍ）４を積層した三層クラッド板を用意する。こ
のように、中間層２のインナーリード形成側に銅からな
る保護導電層３を形成したものをリードフレーム材１と
して用意するのは、インナーリード形成のための選択メ
ッキに先立って表面の削り、亜鉛置換処理をする必要性
をなくし、製造工程の低減をはかるためである。
【００１５】（Ｂ）次に、三層クラッド板１の両表面に
レジスト膜（厚さ例えば２５μｍ）５、５を形成し、そ
の後、インナーリード形成側表面のレジスト膜５に対し
て露光、現像処理を施すことによってレジスト膜５を、
形成すべきインナーリードに対してネガのパターンにパ
ターニングする。図１（Ｂ）はこのパターニング後の状
態を示す。尚、レジスト膜５として電着フォトレジス
ト、液状レジストあるいはドライフィルムレジストを用
いることができる。
レジスト膜（厚さ例えば２５μｍ）５、５を形成し、そ
の後、インナーリード形成側表面のレジスト膜５に対し
て露光、現像処理を施すことによってレジスト膜５を、
形成すべきインナーリードに対してネガのパターンにパ
ターニングする。図１（Ｂ）はこのパターニング後の状
態を示す。尚、レジスト膜５として電着フォトレジス
ト、液状レジストあるいはドライフィルムレジストを用
いることができる。
【００１６】（Ｃ）次に、図１（Ｃ）に示すように、保
護導電層４の露出する部分上に金属を電気メッキするこ
とによりインナーリード６を形成する。インナーリード
６としては種々の材料を用いることができる。例えば、
ニッケル（この場合、厚さは２５μｍ程度必要）、ニッ
ケル・リン合金（この場合、厚さは２０μｍ程度必
要）、錫・ニッケル合金（この場合、厚さは１５μｍ程
度必要）、半田／ニッケル二層膜（この場合、厚さは半
田が５μｍ、ニッケルが２０乃至２５μｍ程度必要）、
銅（この場合、厚さは３５μｍ程度必要）、金／ニッケ
ル二層膜（この場合、厚さは金が５μｍ、ニッケルが２
０μｍ程度必要）、半田／ニッケル／銅三層膜（この場
合、厚さは半田が５μｍ、ニッケルが１０μｍ、銅が１
０μｍ程度必要）等が好適である。
護導電層４の露出する部分上に金属を電気メッキするこ
とによりインナーリード６を形成する。インナーリード
６としては種々の材料を用いることができる。例えば、
ニッケル（この場合、厚さは２５μｍ程度必要）、ニッ
ケル・リン合金（この場合、厚さは２０μｍ程度必
要）、錫・ニッケル合金（この場合、厚さは１５μｍ程
度必要）、半田／ニッケル二層膜（この場合、厚さは半
田が５μｍ、ニッケルが２０乃至２５μｍ程度必要）、
銅（この場合、厚さは３５μｍ程度必要）、金／ニッケ
ル二層膜（この場合、厚さは金が５μｍ、ニッケルが２
０μｍ程度必要）、半田／ニッケル／銅三層膜（この場
合、厚さは半田が５μｍ、ニッケルが１０μｍ、銅が１
０μｍ程度必要）等が好適である。
【００１７】特に、ニッケルあるいはニッケル系合金に
より、又はニッケルの表面に更に半田を形成した二層膜
によりインナーリード６を形成すると、インナーリード
６を薄くしても必要な強度が得られるので、リードフレ
ームを薄くすることができ、延いては樹脂封止型半導体
装置の薄型化に寄与することができる。というのは、ニ
ッケルが銅に比較して機械的強度が強いからである。特
にニッケルの表面に半田メッキした場合には、半田でニ
ッケルを保護することができニッケルの劣化を半田によ
り防止することができる。
より、又はニッケルの表面に更に半田を形成した二層膜
によりインナーリード６を形成すると、インナーリード
６を薄くしても必要な強度が得られるので、リードフレ
ームを薄くすることができ、延いては樹脂封止型半導体
装置の薄型化に寄与することができる。というのは、ニ
ッケルが銅に比較して機械的強度が強いからである。特
にニッケルの表面に半田メッキした場合には、半田でニ
ッケルを保護することができニッケルの劣化を半田によ
り防止することができる。
【００１８】（Ｄ）次に、図１（Ｄ）に示すように、レ
ジスト膜５、５を除去する。 （Ｅ）次に、図１（Ｅ）に示すように、インナーリード
６をマスクとして銅からなる保護導電層４をクイックエ
ッチングする。エッチング液としてアルミニウムを侵蝕
しない液、例えばＨ2 Ｏ2 ／Ｈ2 ＳＯ4 系エッチング液
を用いると良い。これによって、完全なインナーリード
６が形成されることになる。というのは、保護導電層４
をエッチングすることによりインナーリード６のリード
間が保護導電層４によりショートされた状態がなくなる
からである。図３はインナーリード６が形成された状態
を示す斜視図である。
ジスト膜５、５を除去する。 （Ｅ）次に、図１（Ｅ）に示すように、インナーリード
６をマスクとして銅からなる保護導電層４をクイックエ
ッチングする。エッチング液としてアルミニウムを侵蝕
しない液、例えばＨ2 Ｏ2 ／Ｈ2 ＳＯ4 系エッチング液
を用いると良い。これによって、完全なインナーリード
６が形成されることになる。というのは、保護導電層４
をエッチングすることによりインナーリード６のリード
間が保護導電層４によりショートされた状態がなくなる
からである。図３はインナーリード６が形成された状態
を示す斜視図である。
【００１９】以上で本リードフレームの製造方法の特徴
的部分の説明が終了したが、次に、その後の工程につい
て図２（Ａ）乃至（Ｅ）に従って説明する。（Ａ）リー
ドフレーム１の表面にドライフィルムからなるレジスト
膜（厚さ４０μｍ）を形成し、その後、銅層３上のレジ
スト膜に対して露光、現像処理を施してこれをアウター
リード形成用エッチングマスクとして銅層３をエッチン
グすることによりアウターリードを形成する。エッチン
グ液として例えばＨ2 Ｏ2 ／Ｈ2 ＳＯ4 系エッチング液
を用いる。図２（Ａ）はアウターリード３エッチング後
の状態を示す。
的部分の説明が終了したが、次に、その後の工程につい
て図２（Ａ）乃至（Ｅ）に従って説明する。（Ａ）リー
ドフレーム１の表面にドライフィルムからなるレジスト
膜（厚さ４０μｍ）を形成し、その後、銅層３上のレジ
スト膜に対して露光、現像処理を施してこれをアウター
リード形成用エッチングマスクとして銅層３をエッチン
グすることによりアウターリードを形成する。エッチン
グ液として例えばＨ2 Ｏ2 ／Ｈ2 ＳＯ4 系エッチング液
を用いる。図２（Ａ）はアウターリード３エッチング後
の状態を示す。
【００２０】（Ｂ）次に、図２（Ｂ）に示すように、ア
ルミニウム２のバンプを形成すべき部分をレジスト膜７
でマスクし、例えば塩化第２鉄液をエッチング液として
アルミニウム２をエッチングすることによりアルミニウ
ム２の不要部分を除去すると共に、バンプ８を形成す
る。これによりリードフレームが出来上る。
ルミニウム２のバンプを形成すべき部分をレジスト膜７
でマスクし、例えば塩化第２鉄液をエッチング液として
アルミニウム２をエッチングすることによりアルミニウ
ム２の不要部分を除去すると共に、バンプ８を形成す
る。これによりリードフレームが出来上る。
【００２１】（Ｃ）その後、図２（Ｃ）に示すように、
リードフレームの各バンプ８をＩＣ９の各電極１０にシ
ングルポイントボンダーを用いての超音波によりボディ
ングする。 （Ｄ）次に、図２（Ｄ）に示すように、樹脂１１で封止
する。すると、厚さ３００〜１０００μｍ程度の樹脂封
止型半導体装置が得られる。 （Ｅ）その後、図２（Ｅ）に示すようにアウターリード
３の樹脂１１から露出する部分をプレス加工により不要
部分の除去、折り曲げを行う。
リードフレームの各バンプ８をＩＣ９の各電極１０にシ
ングルポイントボンダーを用いての超音波によりボディ
ングする。 （Ｄ）次に、図２（Ｄ）に示すように、樹脂１１で封止
する。すると、厚さ３００〜１０００μｍ程度の樹脂封
止型半導体装置が得られる。 （Ｅ）その後、図２（Ｅ）に示すようにアウターリード
３の樹脂１１から露出する部分をプレス加工により不要
部分の除去、折り曲げを行う。
【００２２】
【発明の効果】請求項１のリードフレームの製造方法
は、第１の金属層の上にエッチングストッパとなる第２
の金属層を積層し、更に該第２の金属層の上に第３の金
属層を積層した積層金属板を用意し、上記積層金属板の
第３の金属層側の表面に、リードを形成すべき部分のみ
が露出するように選択的にレジスト膜を形成し、該レジ
スト膜をマスクとして上記第３の金属層の表面に選択的
に金属をメッキすることによりリードを形成し、該リー
ドをマスクとして上記第３の金属層を選択的にエッチン
グし、上記積層金属板の上記第１の金属層を選択的にエ
ッチングし、上記リード及び上記選択的エッチングのと
きにエッチングのされなかった部分をマスクとして上記
第２の金属層をエッチングすることを特徴とする。
は、第１の金属層の上にエッチングストッパとなる第２
の金属層を積層し、更に該第２の金属層の上に第３の金
属層を積層した積層金属板を用意し、上記積層金属板の
第３の金属層側の表面に、リードを形成すべき部分のみ
が露出するように選択的にレジスト膜を形成し、該レジ
スト膜をマスクとして上記第３の金属層の表面に選択的
に金属をメッキすることによりリードを形成し、該リー
ドをマスクとして上記第３の金属層を選択的にエッチン
グし、上記積層金属板の上記第１の金属層を選択的にエ
ッチングし、上記リード及び上記選択的エッチングのと
きにエッチングのされなかった部分をマスクとして上記
第２の金属層をエッチングすることを特徴とする。
【００２３】請求項１のリードフレームの製造方法によ
れば、エッチングストッパとなる第２の金属層の表面に
直接にではなく、第３の金属層を介してリードをメッキ
により形成するので、選択メッキ用のマスクとなるレジ
スト膜の形成前に亜鉛置換その他の処理が必要でなくな
り、製造工数の低減を図りつつリードの微細化を図るこ
とができる。
れば、エッチングストッパとなる第２の金属層の表面に
直接にではなく、第３の金属層を介してリードをメッキ
により形成するので、選択メッキ用のマスクとなるレジ
スト膜の形成前に亜鉛置換その他の処理が必要でなくな
り、製造工数の低減を図りつつリードの微細化を図るこ
とができる。
【００２４】請求項２のリードフレームの製造方法によ
れば、リードフレーム材としてアルミニウム中間層のイ
ンナーリードが形成される側を薄い保護導電層で覆った
ものを用いるので、選択メッキ用のマスクとなるレジス
ト膜の形成前に亜鉛置換その他の処理が必要でなくな
り、製造工数の低減を図りつつインナーリードの微細化
を図ることができる。
れば、リードフレーム材としてアルミニウム中間層のイ
ンナーリードが形成される側を薄い保護導電層で覆った
ものを用いるので、選択メッキ用のマスクとなるレジス
ト膜の形成前に亜鉛置換その他の処理が必要でなくな
り、製造工数の低減を図りつつインナーリードの微細化
を図ることができる。
【００２５】請求項３のリードフレームの製造方法は、
請求項１又は２のリードフレームの製造方法において、
選択メッキされてリードとなる金属がニッケルあるいは
ニッケル系合金からなることを特徴とする。
請求項１又は２のリードフレームの製造方法において、
選択メッキされてリードとなる金属がニッケルあるいは
ニッケル系合金からなることを特徴とする。
【００２６】従って、請求項３のリードフレームの製造
方法によれば、ニッケルあるいはニッケル系合金が、従
来リードとして多く用いられた銅に比較して機械的強度
が強い。従って、薄くても充分な強度のリードを得るこ
とができ、延いてはリードフレームを薄くし、樹脂封止
型半導体装置の薄型化を図ることが可能になる。
方法によれば、ニッケルあるいはニッケル系合金が、従
来リードとして多く用いられた銅に比較して機械的強度
が強い。従って、薄くても充分な強度のリードを得るこ
とができ、延いてはリードフレームを薄くし、樹脂封止
型半導体装置の薄型化を図ることが可能になる。
【００２７】請求項４のリードフレームの製造方法は、
請求項１又は２のリードフレームの製造方法において、
選択メッキされてインナーリードとなる金属がニッケル
あるいはニッケル系合金の表面に半田を形成した二層膜
からなることを特徴とする。
請求項１又は２のリードフレームの製造方法において、
選択メッキされてインナーリードとなる金属がニッケル
あるいはニッケル系合金の表面に半田を形成した二層膜
からなることを特徴とする。
【００２８】従って、請求項４のリードフレームの製造
方法によれば、薄くても充分な強度のリードを得ること
ができ、延いてはリードフレームを薄くすることができ
ると共に、ニッケルの劣化を半田によって防止すること
ができる。
方法によれば、薄くても充分な強度のリードを得ること
ができ、延いてはリードフレームを薄くすることができ
ると共に、ニッケルの劣化を半田によって防止すること
ができる。
【００２９】請求項５の半導体装置の製造方法は、請求
項１のリードフレームの製造方法により製造されたリー
ドフレームのリードにＩＣの電極を接続することを特徴
とする。
項１のリードフレームの製造方法により製造されたリー
ドフレームのリードにＩＣの電極を接続することを特徴
とする。
【００３０】請求項５の半導体装置の製造方法によれ
ば、請求項１のリードフレームの製造方法により製造さ
れたリードフレームにＩＣを接続して半導体装置を製造
するので、請求項１のリードフレームの製造方法により
得ることのできる、選択メッキ用のマスクとなるレジス
ト膜の形成前に亜鉛置換その他の処理が必要でなくな
り、製造工数の低減を図りつつリードの微細化を図るこ
とができるという効果を享受した半導体装置を得ること
ができる。
ば、請求項１のリードフレームの製造方法により製造さ
れたリードフレームにＩＣを接続して半導体装置を製造
するので、請求項１のリードフレームの製造方法により
得ることのできる、選択メッキ用のマスクとなるレジス
ト膜の形成前に亜鉛置換その他の処理が必要でなくな
り、製造工数の低減を図りつつリードの微細化を図るこ
とができるという効果を享受した半導体装置を得ること
ができる。
【図１】（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明リードフレームの製
造方法の一つの実施例の前半を工程順に示す断面図であ
る。
造方法の一つの実施例の前半を工程順に示す断面図であ
る。
【図２】（Ａ）乃至（Ｅ）は上記実施例の後半を工程順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図３】インナーリード形成直後の状態を示す斜視図で
ある。
ある。
１ 三層クラッド板（リードフレーム材） ２ アルミニウムからなる中間層 ３ アウターリード ４ 保護導電層（銅） ５ レジスト膜 ６ インナーリード
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の金属層の上にエッチングストッパ
となる第２の金属層を積層し、更に該第２の金属層の上
に第３の金属層を積層した積層金属板を用意し、 上記積層金属板の第３の金属層側の表面に、リードを形
成すべき部分のみが露出するように選択的にレジスト膜
を形成し、 上記レジスト膜をマスクとして上記第３の金属層の表面
に選択的に金属をメッキすることによりリードを形成
し、上記リードをマスクとして上記第３の金属層を選択的に
エッチングし、 上記積層金属板の上記第１の金属層を選択的にエッチン
グし、 上記リード及び上記選択的エッチングのときにエッチン
グのされなかった部分をマスクとして上記第２の金属層
をエッチングすることを特徴とするリードフレームの製
造方法 - 【請求項２】 アルミニウムからなる中間層の一方の面
に薄い保護導電層を、他方の面にアウターリードとなる
金属層を積層した三層クラッド板を用意し、 上記三層クラッド板の表面に、上記保護導電層上のイン
ナーリードを形成すべ部分のみが露出するように選択的
にレジスト膜を形成し、 上記レジスト膜をマスクとして上記保護導電層上に選択
的に金属をメッキすることによりインナーリードを形成
し、 上記インナーリードをマスクとして上記保護導電層をエ
ッチングし、 三層クラッド板の上記他方の面の金属層を選択的にエッ
チングすることによりアウターリードを形成し、 上記インナーリード及びアウターリードをマスクとして
アルミニウムからなる中間層をエッチングすることを特
徴とするリードフレームの製造方法 - 【請求項３】 メッキにより形成されるリードがニッケ
ルあるいはニッケル系合金からなることを特徴とする請
求項１又は２記載のリードフレームの製造方法 - 【請求項４】 メッキにより形成されるリードが、保護
導電層側がニッケル、表面側が半田からなる二層構造を
有することを特徴とする請求項１又は２記載のリードフ
レームの製造方法 - 【請求項５】 第１の金属層の上にエッチングストッパ
となる第２の金属層を積層し、更に該第２の金属層の上
に第３の金属層を積層した積層金属板を用意し、該積層
金属板の第３の金属層側の表面に、リードを形成すべき
部分のみが露出するように選択的にレジスト膜を形成
し、該レジスト膜をマスクとして上記第３の金属層の表
面に選択的に金属をメッキすることによりリードを形成
し、該リードをマスクとして上記第３の金属層を選択的
にエッチングし、上記積層金属板の上記第１の金属層を
選択的にエッチングし、上記リード及び上記選択的エッ
チングのときにエッチングのされなかった部分をマスク
として上記第２の金属層をエッチングすることにより製
造したリードフレームの上記各リードにＩＣの各電極を
ボンディングすることを特徴とする半導体装置の製造方
法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15153292A JP3016305B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | リードフレームの製造方法と半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15153292A JP3016305B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | リードフレームの製造方法と半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326783A JPH05326783A (ja) | 1993-12-10 |
| JP3016305B2 true JP3016305B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=15520577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15153292A Expired - Fee Related JP3016305B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | リードフレームの製造方法と半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3016305B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3171093B2 (ja) * | 1996-01-31 | 2001-05-28 | ソニー株式会社 | リードフレームの製造方法と半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-05-18 JP JP15153292A patent/JP3016305B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05326783A (ja) | 1993-12-10 |
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