JP3014638B2 - 誘電体フィルタ - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ブロック型の誘電
体フィルタに関する。
体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電体ブロックの一面から、対向する面
に向かって伸びる複数の貫通孔を有し、一面を除く面が
導電性物質層で被覆された構造のブロック型誘電体フィ
ルタは、例えば、自動車電話、衛星通信またはコードレ
ス電話等の移動通信装置に用いられる。導電性物質層で
覆われていない一面は、通常、開放端面と称される。
に向かって伸びる複数の貫通孔を有し、一面を除く面が
導電性物質層で被覆された構造のブロック型誘電体フィ
ルタは、例えば、自動車電話、衛星通信またはコードレ
ス電話等の移動通信装置に用いられる。導電性物質層で
覆われていない一面は、通常、開放端面と称される。
【０００３】これらのブロック型誘電体フィルタにおい
て、共振部の共振周波数を調整する手段として、従来よ
り、貫通孔の長さを変える方法、共振部と側面のグラン
ドとの間で所定の静電容量を得るべく、開放端面に電極
パターンを形成する方法、開放端面の貫通孔を含むか、
または接する部分に凹部を設け、この凹部にも導電性物
質層を被覆し、この凹部と側面GNDとの間で所定の静電
容量を得る方法等（例えば特開平5ー226909号公報）が知
られている。
て、共振部の共振周波数を調整する手段として、従来よ
り、貫通孔の長さを変える方法、共振部と側面のグラン
ドとの間で所定の静電容量を得るべく、開放端面に電極
パターンを形成する方法、開放端面の貫通孔を含むか、
または接する部分に凹部を設け、この凹部にも導電性物
質層を被覆し、この凹部と側面GNDとの間で所定の静電
容量を得る方法等（例えば特開平5ー226909号公報）が知
られている。
【０００４】しかし、この種の誘電体フィルタの重要な
用途である移動通信装置は、小型化が急速に進められて
おり、その部品であるブロック型誘電体フィルタにも限
りない小型化が求められている現状において、誘電体ブ
ロックの大きさの変更、微細な電極パターンの付加、微
小な凹部の形成等を施すことは、物理的に困難になりつ
つある。
用途である移動通信装置は、小型化が急速に進められて
おり、その部品であるブロック型誘電体フィルタにも限
りない小型化が求められている現状において、誘電体ブ
ロックの大きさの変更、微細な電極パターンの付加、微
小な凹部の形成等を施すことは、物理的に困難になりつ
つある。
【０００５】ブロック型誘電体フィルタの特性を左右す
るもう一つの重要な要求項目である結合係数を調整する
手段としては、隣り合う貫通孔の間のほぼ中央部の開放
端面に、貫通孔の配列方向と直角する方向の溝を設置し
ておき、その溝の深さ、幅等を変える方法が知られてい
る（例えば、特開平4ー139901号公報）。
るもう一つの重要な要求項目である結合係数を調整する
手段としては、隣り合う貫通孔の間のほぼ中央部の開放
端面に、貫通孔の配列方向と直角する方向の溝を設置し
ておき、その溝の深さ、幅等を変える方法が知られてい
る（例えば、特開平4ー139901号公報）。
【０００６】しかし、この方法では、結合係数ととも
に、共振周波数も変化してしまうことから、共振周波数
を、結合係数から独立して、調整することができない。
しかも、この方法では、共振部の長さは、通常用いられ
るλ／４共振部において、誘電率に相当する分の長さし
か短縮できない。
に、共振周波数も変化してしまうことから、共振周波数
を、結合係数から独立して、調整することができない。
しかも、この方法では、共振部の長さは、通常用いられ
るλ／４共振部において、誘電率に相当する分の長さし
か短縮できない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、小型
化された場合でも、各共振部の共振周波数を所定の値に
容易に設定できるブロック型の誘電体フィルタを提供す
ることである。
化された場合でも、各共振部の共振周波数を所定の値に
容易に設定できるブロック型の誘電体フィルタを提供す
ることである。
【０００８】本発明のもう一つの課題は、結合係数に若
干の変化を生じるだけで、各共振部の共振周波数を大き
く変更調整できるブロック型の誘電体フィルタを提供す
ることである。
干の変化を生じるだけで、各共振部の共振周波数を大き
く変更調整できるブロック型の誘電体フィルタを提供す
ることである。
【０００９】本発明の更にもう一つの課題は、誘電体ブ
ロックの誘電率に相当する分以上に、小型化し得るブロ
ック型の誘電体フィルタを提供することである。
ロックの誘電率に相当する分以上に、小型化し得るブロ
ック型の誘電体フィルタを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明は、誘電体ブロックの一面から対向する面
に向かって伸びる複数の貫通孔を有し、前記一面を除く
面が導電性物質層で被覆され、隣り合う少なくとも一組
の貫通孔の間の前記一面上に溝を有する誘電体フィルタ
において、前記溝は、前記一組の貫通孔の何れか一方側
に、全体的または部分的に偏位して設置されている。
ため、本発明は、誘電体ブロックの一面から対向する面
に向かって伸びる複数の貫通孔を有し、前記一面を除く
面が導電性物質層で被覆され、隣り合う少なくとも一組
の貫通孔の間の前記一面上に溝を有する誘電体フィルタ
において、前記溝は、前記一組の貫通孔の何れか一方側
に、全体的または部分的に偏位して設置されている。
【００１１】本発明において、溝は一組の貫通孔の何れ
か一方側に、全体的または部分的に偏位して設置されて
いる。このような構造であると、溝に近い側の貫通孔に
よって構成される共振部の共振周波数が、主として、溝
の偏位量に応じて調整される。この場合、共振部間の結
合係数は、若干変化するだけである。このことは、結合
係数を実質的に変更させずに、各共振部の共振周波数の
設定を大きく変更できることを意味する。
か一方側に、全体的または部分的に偏位して設置されて
いる。このような構造であると、溝に近い側の貫通孔に
よって構成される共振部の共振周波数が、主として、溝
の偏位量に応じて調整される。この場合、共振部間の結
合係数は、若干変化するだけである。このことは、結合
係数を実質的に変更させずに、各共振部の共振周波数の
設定を大きく変更できることを意味する。
【００１２】溝が一組の貫通孔の何れか一方側に偏位し
て設置されている条件下では、溝を曲げたり、湾曲させ
たりすることによって、共振周波数を、より一層大きく
変化させることができる。このため、誘電体ブロックの
誘電率に相当する分以上に、小型化し得る。
て設置されている条件下では、溝を曲げたり、湾曲させ
たりすることによって、共振周波数を、より一層大きく
変化させることができる。このため、誘電体ブロックの
誘電率に相当する分以上に、小型化し得る。
【００１３】本発明における共振周波数の設定は、誘電
体ブロックに形成された溝の位置や形状等の選択によっ
て実現されるのであって、誘電体ブロックの大きさの変
更、微細な電極パターンの付加等を施す必要がない。こ
のため、小型化された場合でも、容易に実施でき、各共
振部の共振周波数を所定の値に容易に設定できる。
体ブロックに形成された溝の位置や形状等の選択によっ
て実現されるのであって、誘電体ブロックの大きさの変
更、微細な電極パターンの付加等を施す必要がない。こ
のため、小型化された場合でも、容易に実施でき、各共
振部の共振周波数を所定の値に容易に設定できる。
【００１４】本発明の更に具体的な特徴及び利点は、図
面を参照して更に具体的に説明する。
面を参照して更に具体的に説明する。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るブロック型誘
電体フィルタの斜視図、図２は図１のＡ２−Ａ２線上に
おける断面図、図３は図１及び図２に示した誘電体フィ
ルタの電気回路図である。図１及び図２を参照すると、
本発明に係る誘電体フィルタは、誘電体ブロック１の一
面（以下開放端面と称する）１１から対向する面に向か
って伸びる複数の貫通孔２１、２２、２３を有し、開放
端面１１を除く面が導電性物質層３１で被覆され、隣り
合う一組の貫通孔２１、２２の間の開放端面１１上に、
溝４１を有する。
電体フィルタの斜視図、図２は図１のＡ２−Ａ２線上に
おける断面図、図３は図１及び図２に示した誘電体フィ
ルタの電気回路図である。図１及び図２を参照すると、
本発明に係る誘電体フィルタは、誘電体ブロック１の一
面（以下開放端面と称する）１１から対向する面に向か
って伸びる複数の貫通孔２１、２２、２３を有し、開放
端面１１を除く面が導電性物質層３１で被覆され、隣り
合う一組の貫通孔２１、２２の間の開放端面１１上に、
溝４１を有する。
【００１６】貫通孔２１、２２、２３の内面には、中心
導体となる導電性物質層３２が付与されており、これに
よって、貫通孔２１、２２、２３毎に共振部Ｑ１、Ｑ
２、Ｑ３が形成される。導電性物質層３１、３２は、こ
の種の誘電体フィルタで周知の材料を用いて構成され、
当業者間で、メタライズと称される焼き付け導体膜とし
て形成されている。
導体となる導電性物質層３２が付与されており、これに
よって、貫通孔２１、２２、２３毎に共振部Ｑ１、Ｑ
２、Ｑ３が形成される。導電性物質層３１、３２は、こ
の種の誘電体フィルタで周知の材料を用いて構成され、
当業者間で、メタライズと称される焼き付け導体膜とし
て形成されている。
【００１７】図３を参照すると、共振部Ｑ１〜Ｑ３の
内、共振部Ｑ１及びＱ２は、誘導結合Ｍを介して結合さ
れ、共振部Ｑ２及びＱ３は結合容量Ｃ２を介して結合さ
れている。両側の共振部Ｑ１及びＱ３は入力容量Ｃin及
び出力容量Ｃoutを介して、入出力電極５、６にそれぞ
れ接続されている。導電性物質層３１はグラウンドとな
る。
内、共振部Ｑ１及びＱ２は、誘導結合Ｍを介して結合さ
れ、共振部Ｑ２及びＱ３は結合容量Ｃ２を介して結合さ
れている。両側の共振部Ｑ１及びＱ３は入力容量Ｃin及
び出力容量Ｃoutを介して、入出力電極５、６にそれぞ
れ接続されている。導電性物質層３１はグラウンドとな
る。
【００１８】溝４１は、貫通孔２２の側に、偏位量△Ｌ
（図１参照）だけ、偏位して設置されている。図示実施
例では、溝４１は貫通孔２１〜２３の配列方向Ｈとほぼ
直交する方向Ｖに延びる直線部分と、この直線部分から
貫通孔２２の方向に、偏位量△Ｌだけ折れ曲がった部分
とを有する曲路として形成されている。
（図１参照）だけ、偏位して設置されている。図示実施
例では、溝４１は貫通孔２１〜２３の配列方向Ｈとほぼ
直交する方向Ｖに延びる直線部分と、この直線部分から
貫通孔２２の方向に、偏位量△Ｌだけ折れ曲がった部分
とを有する曲路として形成されている。
【００１９】このような構造であると、溝４１に近い側
の貫通孔２２によって構成される共振部Ｑ２の共振周波
数ｆ２が、主として、溝４１の偏位量△Ｌに応じて設定
される。共振周波数ｆ２の変化方向は、周波数が低下す
る方向である。この場合、共振部Ｑ１ーＱ２間の結合係
数は、若干変化するだけである。このことは、結合係数
を実質的に変化させずに、共振部Ｑ２の共振周波数ｆ２
を大きく調整できることを意味する。
の貫通孔２２によって構成される共振部Ｑ２の共振周波
数ｆ２が、主として、溝４１の偏位量△Ｌに応じて設定
される。共振周波数ｆ２の変化方向は、周波数が低下す
る方向である。この場合、共振部Ｑ１ーＱ２間の結合係
数は、若干変化するだけである。このことは、結合係数
を実質的に変化させずに、共振部Ｑ２の共振周波数ｆ２
を大きく調整できることを意味する。
【００２０】溝４１が、一組の貫通孔２１、２２のう
ち、貫通孔２２の側に偏位して設置されている条件下で
は、溝４１を、図１に示すように曲げたり、湾曲させた
りすることによって、共振周波数を、より一層大きく変
化させることができる。このため、誘電体ブロック１
を、誘電率に相当する分以上に、小型化し得る。
ち、貫通孔２２の側に偏位して設置されている条件下で
は、溝４１を、図１に示すように曲げたり、湾曲させた
りすることによって、共振周波数を、より一層大きく変
化させることができる。このため、誘電体ブロック１
を、誘電率に相当する分以上に、小型化し得る。
【００２１】本発明における共振周波数の調整は、誘電
体ブロック１に形成された溝４１の位置や形状等の選択
によって実現される。従って、誘電体ブロック１の大き
さの変更、微細な電極パターンの付加等を施す必要がな
い。このため、小型化された場合でも、各共振部Ｑ１〜
Ｑ３の共振周波数を所定の値に容易に設定できる。
体ブロック１に形成された溝４１の位置や形状等の選択
によって実現される。従って、誘電体ブロック１の大き
さの変更、微細な電極パターンの付加等を施す必要がな
い。このため、小型化された場合でも、各共振部Ｑ１〜
Ｑ３の共振周波数を所定の値に容易に設定できる。
【００２２】実施例において、溝４１は導電性物質層３
３で被覆されている。導電性物質層３３は、導電性物質
層３１及び３２に導通している。このような構造である
と、溝４１と、共振部Ｑ２を構成する貫通孔２２との間
に、負荷容量が形成され、電界は導電性物質層３３と、
共振部Ｑ２の導電性物質層３２との間で結合する。ここ
で、溝４１が、貫通孔２２の側に、偏位量△Ｌだけ、偏
位して設置されていることにより、より大きな負荷容量
を形成することが可能となり、共振周波数ｆ２を大きく
下げることができる。
３で被覆されている。導電性物質層３３は、導電性物質
層３１及び３２に導通している。このような構造である
と、溝４１と、共振部Ｑ２を構成する貫通孔２２との間
に、負荷容量が形成され、電界は導電性物質層３３と、
共振部Ｑ２の導電性物質層３２との間で結合する。ここ
で、溝４１が、貫通孔２２の側に、偏位量△Ｌだけ、偏
位して設置されていることにより、より大きな負荷容量
を形成することが可能となり、共振周波数ｆ２を大きく
下げることができる。
【００２３】因に、２つの貫通孔を有するブロック型誘
電体フィルタについて共振周波数を測定したところ、従
来の形状では１８６０MHzであるのに対し、貫通孔を囲
むように折れ曲がった溝を有する形状のブロック型誘電
体フィルタでは、溝に囲まれた方の共振部の周波数は１
８４２MHzに下がり、他方の共振部の周波数は１８７０M
Hzに上がることが確認された。
電体フィルタについて共振周波数を測定したところ、従
来の形状では１８６０MHzであるのに対し、貫通孔を囲
むように折れ曲がった溝を有する形状のブロック型誘電
体フィルタでは、溝に囲まれた方の共振部の周波数は１
８４２MHzに下がり、他方の共振部の周波数は１８７０M
Hzに上がることが確認された。
【００２４】図４は本発明に係る誘電体フィルタの別の
実施例を示す斜視図である。この実施例では、３つの共
振部Ｑ１〜Ｑ３を有する誘電体フィルタにおいて、中央
部の共振部Ｑ２を構成する貫通孔２２を囲むように、貫
通孔２２の両側に溝４１、４２を設けてある。通常、３
段以上のフィルタでは中央部の共振部Ｑ２の共振周波数
ｆ２は、両端側の共振部Ｑ１、Ｑ３の共振周波数ｆ１、
ｆ３より低いので、中央部の貫通孔２２を囲むように、
溝４１、４２を設けることにより、両端側の共振部Ｑ
１、Ｑ３の共振周波数ｆ１、ｆ３を実質的に変化させず
に、貫通孔２２によって構成される共振部Ｑ２の共振周
波数ｆ２を低下させ、全体としての周波数特性を調整す
ることができる。
実施例を示す斜視図である。この実施例では、３つの共
振部Ｑ１〜Ｑ３を有する誘電体フィルタにおいて、中央
部の共振部Ｑ２を構成する貫通孔２２を囲むように、貫
通孔２２の両側に溝４１、４２を設けてある。通常、３
段以上のフィルタでは中央部の共振部Ｑ２の共振周波数
ｆ２は、両端側の共振部Ｑ１、Ｑ３の共振周波数ｆ１、
ｆ３より低いので、中央部の貫通孔２２を囲むように、
溝４１、４２を設けることにより、両端側の共振部Ｑ
１、Ｑ３の共振周波数ｆ１、ｆ３を実質的に変化させず
に、貫通孔２２によって構成される共振部Ｑ２の共振周
波数ｆ２を低下させ、全体としての周波数特性を調整す
ることができる。
【００２５】図５は本発明に係る誘電体フィルタの別の
実施例を示す斜視図である。この実施例では、４つの共
振部Ｑ１〜Ｑ４を有する誘電体フィルタにおいて、中央
部の２つの共振部Ｑ２、Ｑ３を構成する貫通孔２２、２
３を囲むように、貫通孔２２、２３の両側に円弧状の溝
４１、４２を設けてある。この実施例の場合は、両端側
の共振部Ｑ１、Ｑ３の共振周波数ｆ１、ｆ３を実質的に
変化させずに、共振部Ｑ２、Ｑ３の共振周波数ｆ２、ｆ
３を低下させ、全体としての周波数特性を調整すること
ができる。
実施例を示す斜視図である。この実施例では、４つの共
振部Ｑ１〜Ｑ４を有する誘電体フィルタにおいて、中央
部の２つの共振部Ｑ２、Ｑ３を構成する貫通孔２２、２
３を囲むように、貫通孔２２、２３の両側に円弧状の溝
４１、４２を設けてある。この実施例の場合は、両端側
の共振部Ｑ１、Ｑ３の共振周波数ｆ１、ｆ３を実質的に
変化させずに、共振部Ｑ２、Ｑ３の共振周波数ｆ２、ｆ
３を低下させ、全体としての周波数特性を調整すること
ができる。
【００２６】図６は本発明に係る誘電体フィルタの別の
実施例を示す斜視図である。この実施例では、３つの共
振部Ｑ１〜Ｑ３を有する誘電体フィルタにおいて、中央
部の共振部Ｑ２を構成する貫通孔２２を、円弧状に囲む
ように、貫通孔２２の両側に、半円弧の溝４１、４２を
設けてある。
実施例を示す斜視図である。この実施例では、３つの共
振部Ｑ１〜Ｑ３を有する誘電体フィルタにおいて、中央
部の共振部Ｑ２を構成する貫通孔２２を、円弧状に囲む
ように、貫通孔２２の両側に、半円弧の溝４１、４２を
設けてある。
【００２７】図７は本発明に係る誘電体フィルタの別の
実施例を示す斜視図である。この実施例では、３つの共
振部Ｑ１〜Ｑ３を有する誘電体フィルタにおいて、中央
部の共振部Ｑ２を構成する貫通孔２２を囲むように、貫
通孔２２の両側に折れ線状の溝４１、４２を設けてあ
る。この実施例の場合も、両端側の共振部Ｑ１、Ｑ３の
共振周波数ｆ１、ｆ３を実質的に変化させずに、貫通孔
２２によって構成される共振部Ｑ２の共振周波数ｆ２を
低下させることができる。
実施例を示す斜視図である。この実施例では、３つの共
振部Ｑ１〜Ｑ３を有する誘電体フィルタにおいて、中央
部の共振部Ｑ２を構成する貫通孔２２を囲むように、貫
通孔２２の両側に折れ線状の溝４１、４２を設けてあ
る。この実施例の場合も、両端側の共振部Ｑ１、Ｑ３の
共振周波数ｆ１、ｆ３を実質的に変化させずに、貫通孔
２２によって構成される共振部Ｑ２の共振周波数ｆ２を
低下させることができる。
【００２８】図８は本発明に係る誘電体フィルタの別の
実施例を示す斜視図である。この実施例では、４つの共
振部Ｑ１〜Ｑ４を有する誘電体フィルタにおいて、中央
部の２つの共振部Ｑ２、Ｑ３を構成する貫通孔２２、２
３を囲むように、貫通孔２２、２３の両側に円弧状の溝
４１、４２を設けてある。この実施例の場合は、両端側
の共振部Ｑ１、Ｑ４の共振周波数ｆ１、ｆ４を実質的に
変化させずに、共振部Ｑ２、Ｑ３の共振周波数ｆ２、ｆ
３を低下させ、全体としての周波数特性を調整すること
ができる。更に、中央の二つの共振部Ｑ２、Ｑ３の間に
は、別の直線状の溝４３が設けられている。この溝４３
は、共振部Ｑ２及びＱ３の間の結合量を設定するために
設けられたもので、共振部Ｑ２及びＱ３のほぼ中間に設
けられる。
実施例を示す斜視図である。この実施例では、４つの共
振部Ｑ１〜Ｑ４を有する誘電体フィルタにおいて、中央
部の２つの共振部Ｑ２、Ｑ３を構成する貫通孔２２、２
３を囲むように、貫通孔２２、２３の両側に円弧状の溝
４１、４２を設けてある。この実施例の場合は、両端側
の共振部Ｑ１、Ｑ４の共振周波数ｆ１、ｆ４を実質的に
変化させずに、共振部Ｑ２、Ｑ３の共振周波数ｆ２、ｆ
３を低下させ、全体としての周波数特性を調整すること
ができる。更に、中央の二つの共振部Ｑ２、Ｑ３の間に
は、別の直線状の溝４３が設けられている。この溝４３
は、共振部Ｑ２及びＱ３の間の結合量を設定するために
設けられたもので、共振部Ｑ２及びＱ３のほぼ中間に設
けられる。
【００２９】図９は本発明に係る誘電体フィルタの更に
別の実施例を示す斜視図である。図１〜図８の実施例の
何れも、溝４１、４２を、一組の貫通孔の何れか一方側
に偏位して設置する具体的手段として、溝４１、４２
を、折り曲げ、または湾曲させてあった。図９の実施例
では、溝４１、４２を直線状に形成し、その位置を制御
することにより、溝４１、４２を、一組の貫通孔（２
１、２２）及び（２２、２３）において、貫通孔２２の
側に偏位して設置してある。例えば、貫通孔２１と貫通
孔２２との間に形成された溝４１を例にとった場合、溝
４１の内端から貫通孔２１までの距離△Ｌ１及び溝４１
の内端から貫通孔２２までの距離△Ｌ２との関係が△Ｌ
１＞△Ｌ２となるように、溝４１を偏位して形成してあ
る。この場合も、図１〜図８と同様の作用効果を奏す
る。
別の実施例を示す斜視図である。図１〜図８の実施例の
何れも、溝４１、４２を、一組の貫通孔の何れか一方側
に偏位して設置する具体的手段として、溝４１、４２
を、折り曲げ、または湾曲させてあった。図９の実施例
では、溝４１、４２を直線状に形成し、その位置を制御
することにより、溝４１、４２を、一組の貫通孔（２
１、２２）及び（２２、２３）において、貫通孔２２の
側に偏位して設置してある。例えば、貫通孔２１と貫通
孔２２との間に形成された溝４１を例にとった場合、溝
４１の内端から貫通孔２１までの距離△Ｌ１及び溝４１
の内端から貫通孔２２までの距離△Ｌ２との関係が△Ｌ
１＞△Ｌ２となるように、溝４１を偏位して形成してあ
る。この場合も、図１〜図８と同様の作用効果を奏す
る。
【００３０】図１０は本発明に係る誘電体フィルタの更
に別の実施例を示す斜視図である。図１〜図９に図示さ
れた実施例では、溝４１、４２が導電性物質層３３で被
覆されている例を示したが、図１０に示す実施例では、
溝４１、４２は導電性物質層で被覆されておらず、溝４
１、４２の内面が誘電体ブロック１の素体面によって構
成されていている。
に別の実施例を示す斜視図である。図１〜図９に図示さ
れた実施例では、溝４１、４２が導電性物質層３３で被
覆されている例を示したが、図１０に示す実施例では、
溝４１、４２は導電性物質層で被覆されておらず、溝４
１、４２の内面が誘電体ブロック１の素体面によって構
成されていている。
【００３１】溝４１、４２が導電性物質層で被覆されて
いない場合、開放端面１１の近傍に比誘電率１の空気が
存在するため、誘電体ブロック１の実質的な誘電率が低
下する。図１０の実施例の場合、溝４１は貫通孔２１〜
２３の配列方向Ｈとほぼ直交する方向Ｖに延びる直線部
分411と、この直線部分411から貫通孔２１の方向に折れ
曲がった部分412を有する曲路として形成されている。
溝４２は貫通孔２１〜２３の配列方向Ｈとほぼ直交する
方向Ｖに延びる直線部分421と、この直線部分421から貫
通孔２３の方向に折れ曲がった部分422とを有する曲路
として形成されている。
いない場合、開放端面１１の近傍に比誘電率１の空気が
存在するため、誘電体ブロック１の実質的な誘電率が低
下する。図１０の実施例の場合、溝４１は貫通孔２１〜
２３の配列方向Ｈとほぼ直交する方向Ｖに延びる直線部
分411と、この直線部分411から貫通孔２１の方向に折れ
曲がった部分412を有する曲路として形成されている。
溝４２は貫通孔２１〜２３の配列方向Ｈとほぼ直交する
方向Ｖに延びる直線部分421と、この直線部分421から貫
通孔２３の方向に折れ曲がった部分422とを有する曲路
として形成されている。
【００３２】前述したように、３段以上のフィルタで
は、中央部の共振部Ｑ２の共振周波数ｆ２は両端側の共
振部Ｑ１、Ｑ３の共振周波数ｆ１、ｆ３より低いので、
３段以上のフィルタに、溝４１、４２が導電性物質層で
被覆されていない構造を適用する場合は、図１０に示す
ように、両端側の貫通孔２１、２２を囲むように、溝４
１、４２を設ける。これにより、貫通孔２１、２３の共
振周波数ｆ１、ｆ３が高くなる方向に調整される。
は、中央部の共振部Ｑ２の共振周波数ｆ２は両端側の共
振部Ｑ１、Ｑ３の共振周波数ｆ１、ｆ３より低いので、
３段以上のフィルタに、溝４１、４２が導電性物質層で
被覆されていない構造を適用する場合は、図１０に示す
ように、両端側の貫通孔２１、２２を囲むように、溝４
１、４２を設ける。これにより、貫通孔２１、２３の共
振周波数ｆ１、ｆ３が高くなる方向に調整される。
【００３３】図１１は本発明に係る誘電体フィルタの更
に別の実施例を示す斜視図である。この実施例は、４段
のフィルタに対し、溝４１、４２が導電性物質層で被覆
されていない構造を適用した例を示す。溝４１、４２は
円弧状に形成されており、溝４１は共振部Ｑ１を構成す
る貫通孔２１の側に偏位し、溝４２は共振部Ｑ４を構成
する貫通孔２４の側に偏位している。共振部Ｑ２、Ｑ３
を構成する貫通孔２２、２３の間には、結合量設定のた
めの溝４３が設けられている。
に別の実施例を示す斜視図である。この実施例は、４段
のフィルタに対し、溝４１、４２が導電性物質層で被覆
されていない構造を適用した例を示す。溝４１、４２は
円弧状に形成されており、溝４１は共振部Ｑ１を構成す
る貫通孔２１の側に偏位し、溝４２は共振部Ｑ４を構成
する貫通孔２４の側に偏位している。共振部Ｑ２、Ｑ３
を構成する貫通孔２２、２３の間には、結合量設定のた
めの溝４３が設けられている。
【００３４】図１２は本発明に係る誘電体フィルタの更
に別の実施例を示す斜視図である。図１１と異なる点
は、溝４１及び４２を直線状に形成したことである。溝
４１は共振部Ｑ１を構成する貫通孔２１の側に偏位し、
溝４２は共振部Ｑ４を構成する貫通孔２４の側に偏位し
ている。
に別の実施例を示す斜視図である。図１１と異なる点
は、溝４１及び４２を直線状に形成したことである。溝
４１は共振部Ｑ１を構成する貫通孔２１の側に偏位し、
溝４２は共振部Ｑ４を構成する貫通孔２４の側に偏位し
ている。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、以
下のような効果が得られる。 （ａ）小型化された場合でも、各共振部の共振周波数を
所定の値に容易に設定できるブロック型の誘電体フィル
タを提供することができる。 （ｂ）結合係数の若干の変化を生じるだけで、各共振部
の共振周波数を大きく変更設定できるブロック型の誘電
体フィルタを提供することができる。 （ｃ）誘電体ブロックの誘電率に相当する分以上に、小
型化し得るブロック型の誘電体フィルタを提供すること
ができる。
下のような効果が得られる。 （ａ）小型化された場合でも、各共振部の共振周波数を
所定の値に容易に設定できるブロック型の誘電体フィル
タを提供することができる。 （ｂ）結合係数の若干の変化を生じるだけで、各共振部
の共振周波数を大きく変更設定できるブロック型の誘電
体フィルタを提供することができる。 （ｃ）誘電体ブロックの誘電率に相当する分以上に、小
型化し得るブロック型の誘電体フィルタを提供すること
ができる。
【図１】本発明に係るブロック型誘電体フィルタの斜視
図である。
図である。
【図２】図１のＡ２−Ａ２線上における断面図である。
【図３】図１及び図２に示した誘電体フィルタの電気回
路図である。
路図である。
【図４】本発明に係るブロック型誘電体フィルタの別の
実施例を示す斜視図である。
実施例を示す斜視図である。
【図５】本発明に係るブロック型誘電体フィルタの更に
別の実施例を示す斜視図である。
別の実施例を示す斜視図である。
【図６】本発明に係るブロック型誘電体フィルタの更に
別の実施例を示す斜視図である。
別の実施例を示す斜視図である。
【図７】本発明に係るブロック型誘電体フィルタの更に
別の実施例を示す斜視図である。
別の実施例を示す斜視図である。
【図８】本発明に係るブロック型誘電体フィルタの更に
別の実施例を示す斜視図である。
別の実施例を示す斜視図である。
【図９】本発明に係るブロック型誘電体フィルタの更に
別の実施例を示す斜視図である。
別の実施例を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係るブロック型誘電体フィルタの更
に別の実施例を示す斜視図である。
に別の実施例を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係るブロック型誘電体フィルタの更
に別の実施例を示す斜視図である。
に別の実施例を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係るブロック型誘電体フィルタの更
に別の実施例を示す斜視図である。
に別の実施例を示す斜視図である。
１ 誘電体ブロック ２１〜２４ 貫通孔 ３１〜３３ 導電性物質層 ４１、４２、４３ 溝 Ｑ１〜Ｑ４ 共振部
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/205
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の貫通孔を備える誘電体ブロック
と、少なくとも１つの溝とを含む誘電体フィルタであっ
て、 前記誘電体ブロックは、一面を除くほぼ全面が導電性物
質層で被覆されており、 前記複数の貫通孔は、前記誘電体ブロックの長さ方向に
間隔を隔てて前記一面に配置されると共に、前記一面か
ら前記誘電体ブロックの前記一面と対向する面に延びて
おり、 前記溝は、前記複数の貫通孔のうちの隣り合う貫通孔の
間に配置され、前記誘電体ブロックの前記長さ方向と直
交する幅方向で見て、前記一面の全幅にわたって形成さ
れており、 前記溝を構成する２つの相対向する壁面のそれぞれは、
前記一面の幅方向の少なくとも一方側において、前記隣
り合う貫通孔の何れか一方に近付き、他方から遠ざかる
方向に曲り、前記溝を構成する２つの相対向する前記壁面は、更に、
前記一面の全幅にわたって互いにほぼ平行になっている
誘電体フィルタ。 - 【請求項２】 複数の貫通孔を備える誘電体ブロック
と、少なくとも１つの溝とを含む誘電体フィルタであっ
て、 前記誘電体ブロックは、一面を除くほぼ全面が導電性物
質層で被覆されており、 前記複数の貫通孔は、前記誘電体ブロックの長さ方向に
間隔を隔てて前記一面に配置されると共に、前記一面か
ら前記誘電体ブロックの前記一面と対向する面に延びて
おり、 前記溝は、前記複数の貫通孔のうちの隣り合う貫通孔の
間に配置され、前記誘電体ブロックの前記長さ方向と直
交する幅方向で見て、前記一面の全幅にわたって形成さ
れており、 前記溝を構成する２つの相対向する壁面のそれぞれは、
折れ曲がる面からなり、前記一面の幅方向の少なくとも
一方側において、前記隣り合う貫通孔の何れか一方に近
付き、他方から遠ざかる方向に曲がり、前記溝を構成する２つの相対向する前記壁面は、更に、
前記一面の全幅にわたって互いにほぼ平行になっている
誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 複数の貫通孔を備える誘電体ブロック
と、少なくとも１つの溝とを含む誘電体フィルタであっ
て、 前記誘電体ブロックは、一面を除くほぼ全面が導電性物
質層で被覆されており、 前記複数の貫通孔は、前記誘電体ブロックの長さ方向に
間隔を隔てて前記一面に配置されると共に、前記一面か
ら前記誘電体ブロックの前記一面と対向する面に延びて
おり、 前記溝は、前記複数の貫通孔のうちの隣り合う貫通孔の
間に配置され、前記誘電体ブロックの前記長さ方向と直
交する幅方向で見て、前記一面の全幅にわたって形成さ
れており、 前記溝を構成する２つの相対向する壁面のそれぞれは、
曲面からなり、前記一面の幅方向の少なくとも一方側に
おいて、前記隣り合う貫通孔の何れか一方に近付き、他
方から遠ざかる方向に曲がり、前記溝を構成する２つの相対向する前記壁面は、更に、
前記一面の全幅にわたって互いにほぼ平行になっている
誘電体フィルタ。 - 【請求項４】 複数の貫通孔を備える誘電体ブロック
と、少なくとも１つの溝とを含む誘電体フィルタであっ
て、 前記誘電体ブロックは、一面を除くほぼ全面が導電性物
質層で被覆されており、 前記複数の貫通孔は、前記誘電体ブロックの長さ方向に
間隔を隔てて前記一面に配置されると共に、前記一面か
ら前記誘電体ブロックの前記一面と対向する面に延びて
おり、 前記溝は、前記複数の貫通孔のうちの隣り合う貫通孔の
間に配置され、前記誘電体ブロックの前記長さ方向と直
交する幅方向で見て、前記一面の全幅にわたって形成さ
れており、 前記溝を構成する２つの相対向する壁面のそれぞれは、
曲面と、平面とからなり、前記一面の幅方向の少なくと
も一方側において、前記隣り合う貫通孔の何れか一方に
近付き、他方から遠ざかる方向に曲がり、前記溝を構成する２つの相対向する前記壁面は、更に、
前記一面の全幅にわたって互いにほぼ平行になっている
誘電体フィルタ。 - 【請求項５】 請求項１ないし４の何れかに記載された
誘電体フィルタであって、 前記溝は、前記壁面が前記導電性物質層と連続する導電
性物質層によって被覆されている誘電体フィルタ。 - 【請求項６】 請求項１ないし４の何れかに記載された
誘電体フィルタであって、 前記溝は、前記壁面が前記誘電体ブロックの素体面によ
って構成されている誘電体フィルタ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8059656A JP3014638B2 (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 誘電体フィルタ |
| US08/816,734 US5999070A (en) | 1996-03-15 | 1997-03-14 | Dielectric filter having tunable resonating portions |
| US09/234,111 US6246303B1 (en) | 1996-03-15 | 1999-01-19 | Dielectric filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8059656A JP3014638B2 (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 誘電体フィルタ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09252202A JPH09252202A (ja) | 1997-09-22 |
| JP3014638B2 true JP3014638B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=13119474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8059656A Expired - Fee Related JP3014638B2 (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 誘電体フィルタ |
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| JP3473489B2 (ja) * | 1998-05-21 | 2003-12-02 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ及び通信機装置 |
| JP2000151210A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| US6462629B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-10-08 | Cts Corporation | Ablative RF ceramic block filters |
| DE60032300T2 (de) | 1999-09-24 | 2007-06-28 | NGK Spark Plug Co., Ltd., Nagoya | Dielektrisches Filter und dessen Herstellungsverfahren |
| WO2001052344A1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Cts Corporation | Ceramic bandstop monoblock filter with coplanar waveguide transmission lines |
| JP2002223105A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 同軸共振器、並びにこれを用いた誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサ |
| JP3946116B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2007-07-18 | 三洋電機株式会社 | 誘電体フィルタ |
| DE10313336A1 (de) * | 2003-03-25 | 2004-11-18 | Epcos Ag | Mikrowellenkeramik-Filter mit verbesserter Ankopplung und Verfahren zur Herstellung |
| JP2007295015A (ja) * | 2004-06-04 | 2007-11-08 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタの特性調整方法 |
| TWI239116B (en) * | 2004-09-01 | 2005-09-01 | Ind Tech Res Inst | Dual-band bandpass filter |
| EP2144326A1 (en) * | 2008-07-07 | 2010-01-13 | Nokia Siemens Networks OY | Filter for electronic signals and method for manufacturing it |
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| US9030278B2 (en) | 2011-05-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | Tuned dielectric waveguide filter and method of tuning the same |
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| JPS6340008A (ja) * | 1986-04-17 | 1988-02-20 | Ube Ind Ltd | 除塵機 |
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- 1996-03-15 JP JP8059656A patent/JP3014638B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1997-03-14 US US08/816,734 patent/US5999070A/en not_active Expired - Lifetime
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1999
- 1999-01-19 US US09/234,111 patent/US6246303B1/en not_active Expired - Lifetime
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