JP3012753B2 - TAB package and connection method - Google Patents
TAB package and connection methodInfo
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はＩＣチップを配線基板に
実装するＴＡＢパッケージ構造とその接続方法に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a TAB package structure for mounting an IC chip on a wiring board and a method of connecting the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体ＩＣは高速化、多ピン化の
傾向があり、ＴＡＢによる実装も一般的に行われてきて
いる。以下図面を参照しながら従来のＴＡＢによるＩＣ
チップの実装について説明する。図５(a),(b)は従来の
ＴＡＢパッケージの断面図及び上面図である。図５にお
いて２０はＩＣチップ、２１はインナーリード、２２は
アウターリード、２３は樹脂フィルム、２４はバンプ、
２５は配線であり、以上から従来のＴＡＢパッケージは
構成される。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor ICs have tended to operate at higher speeds and have more pins, and mounting using TAB has been generally performed. Hereinafter, a conventional TAB IC will be described with reference to the drawings.
The mounting of the chip will be described. 5A and 5B are a sectional view and a top view of a conventional TAB package. In FIG. 5, 20 is an IC chip, 21 is an inner lead, 22 is an outer lead, 23 is a resin film, 24 is a bump,
Reference numeral 25 denotes a wiring, and a conventional TAB package is configured from the above.
【０００３】以下に図５を用いて、従来のＴＡＢパッケ
ージのパッケージング方法を説明する。従来のＴＡＢの
パッケージング化は、インナーリード２１上に形成した
バンプ２４とＩＣチップ２０を接続し、アウターリード
２２部の樹脂フィルム２３をエッチングにより切取る。
そして、配線基板１５への実装は、アウターリード２２
部を特殊な治具で、基板に圧接し、はんだ１６により実
装していた。A conventional TAB package packaging method will be described below with reference to FIG. In the conventional packaging of TAB, the bump 24 formed on the inner lead 21 is connected to the IC chip 20, and the resin film 23 on the outer lead 22 is cut off by etching.
The mounting on the wiring board 15 is performed by the outer leads 22.
The part was pressed against the substrate with a special jig and mounted with solder 16.
【０００４】以上のように従来例では、インナーリード
２１にバンプ２４を転写し、ＩＣチップ２０上の電極と
接続した後、放射上に伸びた先端部でアウターリードボ
ンディングしていた。As described above, in the conventional example, the bump 24 is transferred to the inner lead 21 and connected to the electrode on the IC chip 20, and then the outer lead bonding is performed at the tip extending radially.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、ＩＣチップ２０が多ピンになった場合
や、マルチチップ実装する場合、アウタリードの間隔Ｌ
が配線基板１５の配線形成限界以下にすることができな
いため、ＴＡＢパッケージの大きさが大きくなり、実装
効率が上がらないという問題点を有していた。またＴＡ
Ｂパッケージ内の配線部分は、特性インピーダンスが制
御できないため、伝送特性上、配線が長くなると反射な
どの高速信号の伝送には不都合なことが生じていた。さ
らに、高集積のＩＣチップのように、大量の発熱を伴う
ＩＣチップを実装する場合、ＩＣチップに直接放熱フィ
ンを取り付ける等放熱経路の確保が問題となっていた。However, in the above-described configuration, when the IC chip 20 has a large number of pins or when the IC chip 20 is mounted on a multi-chip, the distance L between the outer leads is small.
However, since the size of the TAB package cannot be reduced below the wiring formation limit of the wiring board 15, the size of the TAB package increases, and the mounting efficiency does not increase. Also TA
Since the characteristic impedance of the wiring portion in the B package cannot be controlled, transmission characteristics cause inconvenience to high-speed signal transmission such as reflection when the wiring is long. Furthermore, when mounting an IC chip that generates a large amount of heat, such as a highly integrated IC chip, securing a heat radiation path such as mounting a heat radiation fin directly on the IC chip has been a problem.
【０００６】また、ＴＡＢパッケージのアウターリード
の配線基板への接続は、熱圧着やはんだにより行うが、
アウターリードのばらつきを抑え、正確な位置ぎめが必
要となるため、ＴＡＢパッケージの接続専用の特別な治
具や装置を必要としていた。The connection of the outer leads of the TAB package to the wiring board is performed by thermocompression bonding or soldering.
Since it is necessary to suppress variations in the outer leads and accurately position the outer leads, special jigs and devices dedicated to connecting the TAB package are required.
【０００７】本発明は、上記の従来の課題を解決するも
ので、多ピンおよびマルチチップ化においても実装効率
を高めることができ、高速信号の伝送が可能であり、さ
らに放熱経路の確保が容易なＴＡＢパッケージを提供
し、特別な装置を必要としない接続方法を提供するもの
である。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and can improve the mounting efficiency even in a multi-pin and multi-chip configuration, can transmit a high-speed signal, and can easily secure a heat radiation path. And a connection method that does not require a special device.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に本発明のＴＡＢパッケージは、インナーリードと配線
基板に接続する電極、前記インナーリードと前記電極を
電気的に接続する配線層を有した第１の樹脂フィルム
と、この第１の樹脂フィルムの電極部分に開口部を有し
た第２の樹脂フィルムとを有し、前記第１の樹脂フィル
ムを屈曲した構造を有している。In order to achieve the above object, a TAB package according to the present invention has an electrode for connecting an inner lead to a wiring board, and a wiring layer for electrically connecting the inner lead to the electrode. It has a first resin film and a second resin film having an opening in an electrode portion of the first resin film, and has a structure in which the first resin film is bent.
【０００９】また本発明のＴＡＢパッケージの接続方法
は、第１の樹脂フィルム上に光硬化性樹脂あるいは熱硬
化性樹脂を塗布し、仮圧着後硬化させる接続方法をと
る。Further, the connection method of the TAB package of the present invention employs a connection method in which a photocurable resin or a thermosetting resin is applied on the first resin film, and is cured after provisional compression.
【００１０】[0010]
【作用】上記構成によって、ＩＣチップ部分の下部に配
線基板に接続する電極が構成される構造となり、実装効
率が向上する。According to the above structure, an electrode connected to the wiring board is formed below the IC chip portion, and the mounting efficiency is improved.
【００１１】また、第１の樹脂フィルム上の配線層、電
極が形成された面と反対面に金属層を構成し、電源ある
いはグランドと電気的に接続された構造をとることによ
り、配線層の特性インピーダンスが制御され、信号の反
射を抑えることが可能となり、ノイズの低減が図れ、高
速信号の伝送が可能となる。A metal layer is formed on the surface of the first resin film opposite to the surface on which the wiring layers and electrodes are formed, and the structure is electrically connected to a power supply or a ground. Characteristic impedance is controlled, signal reflection can be suppressed, noise can be reduced, and high-speed signal transmission can be performed.
【００１２】さらに、金属板を挟み込んだ構成も容易に
実現できるため、ＩＣチップからの放熱経路が確保さ
れ、ヒートシンク等の放熱部品の取り付けが容易にな
る。特に、ＩＣチップをフェイスアップでインナーリー
ドと接続した場合、ＩＣチップと金属板が直接加圧され
た状態で接触し、ＴＡＢパッケージ外でヒートシンクと
接続するため、ＩＣチップの放熱量に充分対応した放熱
経路を確保することができる。Further, since a structure in which a metal plate is sandwiched can be easily realized, a heat radiating path from the IC chip is secured and mounting of a heat radiating component such as a heat sink becomes easy. In particular, when the IC chip is connected face-up to the inner leads, the IC chip and the metal plate are in direct contact with each other in a pressurized state, and are connected to a heat sink outside the TAB package. A heat dissipation path can be secured.
【００１３】配線基板端子への接続は、電極あるいは配
線基板端子上の導電性バンプが電極および配線基板端子
に接触した状態に加圧し、第１の樹脂フィルム上の光硬
化性樹脂あるいは熱硬化が配線基板と接触した状態にし
た後、光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂を重合させ、
その時のこれらの樹脂の収縮により、第１の樹脂フィル
ムが弾性変形する圧力により導電性バンプが電極、配線
基板端子両方に接触し、電気的に接合される。この接続
方法をとることにより、ＴＡＢパッケージ上の最低２点
の比較的精度が要求されない位置ぎめと簡単な加圧治具
のみで、高精度の接続が実現できる。The connection to the wiring board terminals is performed by pressing the electrodes or the conductive bumps on the wiring board terminals in a state where they are in contact with the electrodes and the wiring board terminals. After being in contact with the wiring board, the photocurable resin or thermosetting resin is polymerized,
Due to the contraction of these resins at that time, the conductive bumps come into contact with both the electrodes and the wiring board terminals due to the pressure at which the first resin film is elastically deformed, and are electrically joined. By adopting this connection method, a high-precision connection can be realized only by positioning at least two points on the TAB package which does not require relatively high accuracy and a simple pressing jig.
【００１４】[0014]
（実施例１）以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。(Embodiment 1) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１５】図１(a),(b),(c)は各々本発明の第１の実
施例におけるＴＡＢパッケージの折曲げ前の断面図、上
面図及び折曲げ後の断面図である。FIGS. 1 (a), 1 (b) and 1 (c) are a sectional view of a TAB package according to a first embodiment of the present invention before bending, a top view and a sectional view after bending.
【００１６】図１のように本発明のＴＡＢパッケージは
構成され、１はＩＣチップ、２はＩＣチップ接続バン
プ、３はインナーリード、４は配線層、５は第１の樹脂
フィルム、６は電極、７は第２の樹脂フィルム、８は開
口部、９は接着剤である。As shown in FIG. 1, a TAB package according to the present invention is constituted. 1 is an IC chip, 2 is an IC chip connection bump, 3 is an inner lead, 4 is a wiring layer, 5 is a first resin film, and 6 is an electrode. And 7, a second resin film, 8 an opening, and 9 an adhesive.
【００１７】本発明のＴＡＢパッケージの製造プロセス
について図１を用いて説明する。まず、第１の樹脂フィ
ルム５上に、通常のＴＡＢパッケージ作成時と同様イン
ナーリード３、配線層４を形成する。配線層４の材質は
様々なものが使用されるが、銅が代表的であり、第１の
樹脂フィルム５の材質も様々なものがあるが一般のＴＡ
Ｂパッケージに用いられるポリイミド等が使用される。The manufacturing process of the TAB package of the present invention will be described with reference to FIG. First, the inner leads 3 and the wiring layers 4 are formed on the first resin film 5 in the same manner as when a normal TAB package is formed. Although various materials are used for the wiring layer 4, copper is a typical material, and there are various materials for the first resin film 5.
Polyimide or the like used for the B package is used.
【００１８】通常のプロセスでは、配線基板の接続に使
用するアウターリード部と、フィルム上にテストおよび
バーンイン用端子が形成されるが、本発明では、配線層
４は配線基板に接続するための電極６に接続するよう形
成する。電極６はバーンインおよびテストに使用され
る。このインナーリード３および配線層４および電極６
が形成された第１の樹脂フィルム５の通常のＴＡＢパッ
ケージの場合と同様、インナーリード３にＩＣチップ接
続バンプ２を形成し、ＩＣチップ１を接続する。この状
態で通常のＴＡＢパッケージと同様バーンイン、テスト
を行うことが可能である。In a normal process, an outer lead portion used for connection of a wiring board and terminals for test and burn-in are formed on the film. According to the present invention, the wiring layer 4 is an electrode for connecting to the wiring board. 6 is formed. The electrode 6 is used for burn-in and test. The inner lead 3, the wiring layer 4, and the electrode 6
The IC chip connection bumps 2 are formed on the inner leads 3 and the IC chip 1 is connected in the same manner as in the case of the normal TAB package of the first resin film 5 on which is formed. In this state, burn-in and testing can be performed as in the case of a normal TAB package.
【００１９】次に、第１の樹脂フィルム５上の電極６の
配置と同様の配置の開口部８を金型によるパンチングあ
るいはエッチングにより形成した第２の樹脂フィルム７
を用意する。第２の樹脂フィルム７の材質は、通常のＴ
ＡＢパッケージに用いられるものである必要はなく、配
線層４の外部との絶縁層の役割を果たせばよく、開口部
８の形成が容易であれば良い。このような構成の第２の
樹脂フィルム７は第１の樹脂フィルム５の電極６上に接
着する。この接着は、接着剤あるいは熱圧着により行
う。Next, an opening 8 having the same arrangement as the arrangement of the electrodes 6 on the first resin film 5 is formed by punching or etching with a die.
Prepare The material of the second resin film 7 is a normal T
It does not need to be used for the AB package, but only needs to function as an insulating layer with the outside of the wiring layer 4 and it is only necessary to form the opening 8 easily. The second resin film 7 having such a configuration is adhered on the electrode 6 of the first resin film 5. This bonding is performed by an adhesive or thermocompression bonding.
【００２０】その後、第１の樹脂フィルム５の配線層４
を形成した面の裏面側に接着剤９を塗布し、図１(c)に
示すように第１の樹脂フィルム５を屈曲させ接着する。
この接着剤は、ＩＣチップ１とインナーリードボンディ
ング部を封止する役割も果たし、ＩＣチップ１とインナ
ーリード３との接続信頼性を確保する。第２の樹脂フィ
ルム７の大きさは、第１の樹脂フィルム５を屈曲させ、
配線基板と接触する面の大きさがあれば充分である。After that, the wiring layer 4 of the first resin film 5
An adhesive 9 is applied to the back surface side of the surface on which is formed, and the first resin film 5 is bent and bonded as shown in FIG.
This adhesive also serves to seal the IC chip 1 and the inner lead bonding portion, and secures connection reliability between the IC chip 1 and the inner lead 3. The size of the second resin film 7 is such that the first resin film 5 is bent,
It is sufficient if the size of the surface in contact with the wiring board is sufficient.
【００２１】このように本実施例におけるＴＡＢパッケ
ージは、配線層４とＩＣチップ１を接続するインナーリ
ード３の下部に電極６がある構造を簡単にとることがで
き、簡単なプロセスで、多ピンＩＣ、マルチチップでも
高密度実装が可能となる。As described above, the TAB package according to the present embodiment can easily adopt a structure in which the electrode 6 is provided below the inner lead 3 for connecting the wiring layer 4 and the IC chip 1, and a multi-pin structure can be realized by a simple process. High-density mounting is possible even for ICs and multi-chips.
【００２２】第１の実施例における効果を従来例との比
較により（表１）に示す。（表１）において、電極６の
配置を５０MIL格子のグリッドアレイ状に配置した場合
である。チップサイズは（数１）を用いて導出した。ま
た実装領域を正方形と仮定し、従来例の実装領域の一辺
はアウターリードピッチを０.３ｍｍ、実装領域を各辺
６ｍｍのスペースとして導出した。（表１）よりチップ
Ｉ／Ｏ数が多くなればなるほど、従来のＴＡＢパッケー
ジを用いた場合に較べ、大きな効果が得られる。The effect of the first embodiment is shown in Table 1 in comparison with the conventional example. In Table 1, the electrodes 6 are arranged in a grid array of 50 MIL lattice. The chip size was derived using (Equation 1). Also, assuming that the mounting area is a square, one side of the conventional mounting area was derived as a space having an outer lead pitch of 0.3 mm, and the mounting area was defined as a space of 6 mm on each side. As shown in Table 1, the greater the number of chip I / Os, the greater the effect obtained as compared with the case where a conventional TAB package is used.
【００２３】[0023]
【表１】 [Table 1]
【００２４】[0024]
【数１】 なお、本実施例では、第１の樹脂フィルム５を屈曲させ
るが、屈曲点での配線層４の断線等が考えられるが、予
め第１の樹脂フィルム５の屈曲する部分にスリットを設
けるか、屈曲部の配線厚みを部分的に増すか、あるいは
両方の対応により信頼性を向上させることができる。(Equation 1) In the present embodiment, the first resin film 5 is bent, but disconnection of the wiring layer 4 at the bending point may be considered. However, it is necessary to provide a slit in the bent portion of the first resin film 5 in advance. The reliability can be improved by partially increasing the wiring thickness of the bent portion, or by coping with both.
【００２５】また、本発明のＴＡＢパッケージの封止
は、ＩＣチップあるいはＴＡＢパッケージ全体で行い、
従来のＴＡＢパッケージと同じである。さらに本発明の
ＴＡＢパッケージの配線基板への実装は、通常のＳＭＴ
部品の実装と同様に可能である。Further, the sealing of the TAB package of the present invention is performed on the entire IC chip or TAB package.
It is the same as the conventional TAB package. Further, the mounting of the TAB package of the present invention on a wiring board is performed by using a normal SMT
This is possible in the same way as mounting components.
【００２６】なお、本実施例において、接着剤９を塗布
したが、樹脂シートによりねつ圧着しても良い。この場
合接着剤の塗布と比較して、容易に接着層の厚さが制御
できる。また第２の樹脂フィルム７を用いたが、樹脂の
塗布でもよい。この場合、新たな第２の樹脂フィルム７
を製造する必要がなくなる。Although the adhesive 9 is applied in this embodiment, the adhesive 9 may be pressed by a resin sheet. In this case, the thickness of the adhesive layer can be easily controlled as compared with the application of the adhesive. Although the second resin film 7 is used, resin may be applied. In this case, a new second resin film 7
Need to be manufactured.
【００２７】（実施例２）図２(a),(b)は第２の実施例
におけるＴＡＢパッケージの折り曲げ前の断面図と折り
曲げ後の側断面図である。本実施例が実施例１と異なる
点は、配線層４および電極６の裏面に導体層１１が形成
されており、導体層１１は配線層４の電源あるいはグラ
ンドとスルーホール１０により電気的に接続されている
点である。この場合の導体層１１の大きさは、配線層
４、インナーリード３の下部に存在している大きさであ
れば充分である。このように導体層１１を設けることに
より、配線層４の特性インピーダンスが決まる。特性イ
ンピーダンス値は、配線層４と導体層１１の間に設けら
れた第１の樹脂フィルム５の比誘電率と、その厚みによ
り決定される。Embodiment 2 FIGS. 2A and 2B are a sectional view of a TAB package according to a second embodiment before bending and a side sectional view after bending. This embodiment is different from the first embodiment in that a conductor layer 11 is formed on the back surface of the wiring layer 4 and the electrode 6, and the conductor layer 11 is electrically connected to a power source or ground of the wiring layer 4 by a through hole 10. That is the point. In this case, the size of the conductor layer 11 is sufficient as long as it is present below the wiring layer 4 and the inner leads 3. By providing the conductor layer 11 in this manner, the characteristic impedance of the wiring layer 4 is determined. The characteristic impedance value is determined by the relative permittivity and the thickness of the first resin film 5 provided between the wiring layer 4 and the conductor layer 11.
【００２８】以上のようなＴＡＢパッケージ構造とする
ことにより、従来のＴＡＢパッケージでは、配線層やイ
ンナーリード部の特性インピーダンスが不安定であった
が、本実施例におけるＴＡＢパッケージでは、特性イン
ピーダンス値を任意に設定することが可能となり、伝送
信号の反射が抑えられ、高速信号の高品位伝送が可能と
なる。With the TAB package structure as described above, the characteristic impedance of the wiring layer and the inner lead portion was unstable in the conventional TAB package, but the characteristic impedance value of the TAB package in the present embodiment was reduced. It can be set arbitrarily, reflection of transmission signals is suppressed, and high-quality transmission of high-speed signals becomes possible.
【００２９】（実施例３）図３(a),(b)は第３の実施例
におけるＴＡＢパッケージの折り曲げ前の断面図と折り
曲げ後の側断面図である。本実施例が実施例１と異なる
点は、屈曲させた樹脂フィルム１５間に金属板１２が挟
み込まれ、第１の樹脂フィルム５外にはみ出した構造を
有している点である。(Embodiment 3) FIGS. 3A and 3B are a sectional view of a TAB package according to a third embodiment before bending and a side sectional view after bending. This embodiment is different from the first embodiment in that the metal plate 12 is sandwiched between the bent resin films 15 and has a structure protruding outside the first resin film 5.
【００３０】金属板１２を挟み込むことにより、ヒート
シンクやヒートパイプ等の放熱部品１３を容易に取り付
けることができる。図３に示すようにＩＣチップ１をフ
ェイスアップに接続することにより、より放熱効果を高
めることができる。この放熱効果は、従来のＴＡＢの場
合、ＩＣチップ１に放熱部品を直接取り付けるしか方法
が無いため、ＩＣチップ１の発熱量によっては、ＴＡＢ
パッケージ化が不可能なものも存在したが、本実施例で
は、放熱経路が充分に確保でき、放熱部品に制限がなく
なり、かなりの発熱量をもつＩＣチップ１のＴＡＢパッ
ケージ化が可能になる。By sandwiching the metal plate 12, a heat radiating component 13 such as a heat sink or a heat pipe can be easily attached. By connecting the IC chip 1 face up as shown in FIG. 3, the heat radiation effect can be further enhanced. In the case of the conventional TAB, the only way to dissipate the heat is to attach a heat dissipating component directly to the IC chip 1.
Although some packages cannot be packaged, in the present embodiment, a sufficient heat radiation path can be secured, the heat radiation components are not limited, and the TAB package of the IC chip 1 having a considerable amount of heat generation becomes possible.
【００３１】（実施例４）図４は第４の実施例における
ＴＡＢパッケージの配線基板への接続図である。本実施
例が実施例１と異なる点は、第２の樹脂フィルム７の代
わりに光硬化性樹脂１４を塗布して用いた点と、電極６
上あるいは配線基板１５上の配線基板接続端子１６上に
導電性バンプ１７を形成した点にある。(Embodiment 4) FIG. 4 is a connection diagram of a TAB package to a wiring board in a fourth embodiment. This embodiment is different from the first embodiment in that a photocurable resin 14 is applied and used instead of the second resin film 7 and that the electrode 6
The conductive bumps 17 are formed on the wiring board connection terminals 16 on the wiring board 15 or on the wiring board 15.
【００３２】このような構成をとるＴＡＢパッケージの
配線基板１５への接続方法を以下に説明する。A method of connecting the TAB package having such a configuration to the wiring board 15 will be described below.
【００３３】光硬化性樹脂１４が塗布されたＴＡＢパッ
ケージを、加圧治具１８により、配線基板１５へ仮接続
する。このとき、第１の樹脂フィルム５は、配線層４、
電極６が形成されているため、第１の樹脂フィルム５の
みより高い弾性率をもつ。そこで、加圧治具１８により
第１の樹脂フィルム５を導電性バンプ１７が電極６と配
線基板端子１６に充分接触する圧力で加圧し、固定す
る。加圧治具１８は特殊なものは必要とせず、ＴＡＢパ
ッケージを固定、加圧するだけでよく、加圧力もさほど
必要でない。また導電性バンプ１７の材質は、加圧治具
１８により弾性変形あるいは塑性変形してもどちらでも
よく、導電性の金属あるいは樹脂等いずれでもよい。ま
た、高弾性率金属を用いた場合でも、導電性バンプ１７
が電極６と配線基板端子１６との接触に要する力は大き
くないため、電極６と配線基板端子１６に悪影響を及ぼ
すことはない。The TAB package coated with the photocurable resin 14 is temporarily connected to the wiring board 15 by the pressing jig 18. At this time, the first resin film 5 is
Since the electrode 6 is formed, only the first resin film 5 has a higher elastic modulus. Therefore, the first resin film 5 is pressed and fixed by the pressing jig 18 at a pressure at which the conductive bumps 17 sufficiently contact the electrodes 6 and the wiring board terminals 16. The pressing jig 18 does not need to be special, but only needs to fix and pressurize the TAB package, and does not require much pressing force. The material of the conductive bump 17 may be either elastic deformation or plastic deformation by the pressing jig 18, and may be any of conductive metal and resin. Further, even when a metal having a high elastic modulus is used, the conductive bumps 17 may be used.
However, since the force required for contact between the electrode 6 and the wiring board terminal 16 is not large, it does not adversely affect the electrode 6 and the wiring board terminal 16.
【００３４】そして、導電性バンプ１７が電極６と配線
基板端子１６に接触している範囲で、光を照射し、光硬
化性樹脂１４を硬化させる。光硬化性樹脂１４を硬化さ
せることにより、光硬化性樹脂１４は硬化に伴い収縮
し、第１の樹脂フィルム５を弾性変形させながら、配線
基板１５と第１の樹脂フィルム５は接着し、導電性バン
プは電極６と配線基板端子１６に加圧された状態とな
り、電気的、機械的接続が可能となる。Then, light is irradiated to cure the photocurable resin 14 in a range where the conductive bumps 17 are in contact with the electrodes 6 and the wiring board terminals 16. By curing the photo-curable resin 14, the photo-curable resin 14 contracts with the curing, and the first resin film 5 is elastically deformed while the wiring substrate 15 and the first resin film 5 are adhered to each other. The conductive bumps are pressed against the electrodes 6 and the wiring board terminals 16, and electrical and mechanical connections can be made.
【００３５】以上の接続方法をとることにより、はんだ
を用いた接続のように加熱、洗浄という工程が不要とな
るとともに、従来のＴＡＢパッケージの接続で必要であ
った、高精度位置ぎめ装置、接続治具が不必要となり、
大量生産にも迅速に対応できる。また、微細接続も簡単
に実現できる。さらにＴＡＢパッケージと配線基板への
接続部分が封止された構造になるため、接続信頼性は大
幅に向上する。By adopting the above connection method, the steps of heating and cleaning are not required unlike the connection using solder, and the high-precision positioning device and connection required for connection of the conventional TAB package are eliminated. Jigs are unnecessary,
It can respond quickly to mass production. Further, fine connection can be easily realized. Further, since the connection portion between the TAB package and the wiring board is sealed, the connection reliability is greatly improved.
【００３６】また本実施例において光硬化性樹脂１４の
代わりに熱硬化性樹脂を用いることも可能である。この
場合光照射しにくい部分への接続も熱により行うことが
できる。また本実施例における接続方法は、パッド状電
極を有する樹脂フィルムの接続に有効である。In this embodiment, a thermosetting resin can be used instead of the photocurable resin 14. In this case, the connection to a portion where light irradiation is difficult can be made by heat. The connection method in this embodiment is effective for connection of a resin film having a pad-like electrode.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上のように本発明は、配線および基板
に接続する電極を第１の樹脂フィルム上に形成し、電極
部分に開口部を有する第２の樹脂フィルムと第１の樹脂
フィルムを接着し、第１の樹脂フィルムを折り曲げ、接
着し、電極がＩＣチップの下部になるように構成された
ＴＡＢパッケージとすることにより、多ピンＩＣチップ
やマルチチップのＴＡＢ実装においても実装効率が向上
する。As described above, according to the present invention, an electrode connected to a wiring and a substrate is formed on a first resin film, and a second resin film having an opening at an electrode portion and a first resin film are formed. Adhesion, bending of the first resin film, adhesion, and a TAB package configured so that the electrodes are under the IC chip improve the mounting efficiency in multi-pin IC chip and multi-chip TAB mounting. I do.
【００３８】さらに、第１のフィルムに電源あるいはグ
ランドと電気的に接続された導体層あるいは金属板を挟
み込む構成をとることにより、配線の伝送特性の向上
と、放熱特性に優れたＴＡＢパッケージが実現できるも
のである。Further, by adopting a configuration in which a conductor layer or a metal plate electrically connected to a power supply or a ground is sandwiched between the first film, the transmission characteristics of the wiring are improved, and a TAB package having excellent heat radiation characteristics is realized. You can do it.
【００３９】また、光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂
により、配線基板とＴＡＢパッケージを接着し接続する
方法をとることにより、従来のＴＡＢパッケージの実装
に必要だった特別な装置を必要とせず、クリーンでかつ
微細ピッチの高信頼性接続が実現できるものである。Further, by adopting a method of bonding and connecting the wiring board and the TAB package with a photo-curing resin or a thermosetting resin, a special device required for mounting the conventional TAB package is not required. A clean and highly reliable connection with a fine pitch can be realized.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】本発明の第１の実施例におけるＴＡＢパッケー
ジの断面図及び上面図FIG. 1 is a sectional view and a top view of a TAB package according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例におけるＴＡＢパッケー
ジの断面図及び上面図FIG. 2 is a sectional view and a top view of a TAB package according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３の実施例におけるＴＡＢパッケー
ジの断面図及び上面図FIG. 3 is a sectional view and a top view of a TAB package according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第４の実施例におけるＴＡＢパッケー
ジの配線基板への接続図FIG. 4 is a connection diagram of a TAB package to a wiring board according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】従来のＴＡＢパッケージの断面図FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional TAB package.
【符号の説明】 １ ＩＣチップ ２ ＩＣチップ接続バンプ ３ インナーリード ４ 配線層 ５ 第１の樹脂フィルム ６ 電極 ７ 第２の樹脂フィルム ８ 開口部 ９ 接着剤[Description of Signs] 1 IC chip 2 IC chip connection bump 3 Inner lead 4 Wiring layer 5 First resin film 6 Electrode 7 Second resin film 8 Opening 9 Adhesive
Claims (5)
ドと配線層と、配線基板に接続される電極が同一面上に
形成された可とう性を有する第１の樹脂フィルムと、 この第１の樹脂フィルムの電極位置と同位置に開口部を
有した第２の樹脂フィルムとを有し、前記第１の樹脂フ
ィルムを屈曲した構造を特徴とするＴＡＢパッケージ。An inner lead for connecting to an IC chip, a wiring layer, a flexible first resin film having electrodes connected to a wiring board formed on the same surface; A TAB package, comprising: a second resin film having an opening at the same position as an electrode position of the resin film, wherein the first resin film is bent.
層と電極が形成された裏面に導体層が形成され、配線層
の電源あるいはグランドと前記導体層が電気的に接続さ
れたことを特徴とするＴＡＢパッケージ。2. A conductive layer is formed on the back surface of the first resin film on which the wiring layer and the electrode are formed, and the power supply or ground of the wiring layer is electrically connected to the conductive layer. TAB package characterized by the above-mentioned.
線層の電源あるいはグランドと電気的に接続された金属
板を介して第１の樹脂フィルム同士が接着され、前記金
属板が第１の樹脂フィルム外にはみ出した構造を特徴と
するＴＡＢパッケージ。3. The first resin film is adhered to the first resin film via a metal plate electrically connected to a power supply or a ground of a wiring layer on the first resin film according to claim 1, and the metal plate is bonded to the first resin film. 1. A TAB package characterized by a structure protruding outside the resin film.
端子上に導電性バンプを形成するステップと、 この第１の樹脂フィルム上に光硬化樹脂を塗布するステ
ップと、 加圧治具により前記導電性バンプが前記電極および配線
基板端子に接触する範囲で加圧し、前記導電性バンプを
配線基板に仮接続するステップと、 その後光照射により樹脂フィルムと配線基板を接着し、
前記導電性バンプと配線基板端子とが接続するステップ
とを備えたＴＡＢパッケージの接続方法。4. A step of forming a conductive bump on an electrode on a resin film or a terminal of a wiring board; a step of applying a photo-curing resin on the first resin film; Pressurizing the conductive bumps to the extent that they contact the electrodes and the wiring board terminals, temporarily connecting the conductive bumps to the wiring board, and then bonding the resin film and the wiring board by light irradiation,
Connecting the conductive bump to a wiring board terminal.
脂であり、加圧治具による仮接続後、熱により硬化させ
ることにより配線基板端子と接続するＴＡＢパッケージ
接続方法。5. A TAB package connection method in which the photocurable resin according to claim 4 is a thermosetting resin, and after being temporarily connected by a pressing jig, is cured by heat to connect to a wiring board terminal.
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