JP3012331B2 - 白金と炭化ケイ素との間のオーム接点構造体 - Google Patents
白金と炭化ケイ素との間のオーム接点構造体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、高い仕事関数（work function）の金属を
用いる、広いバンドギャップ（bandgap）のｐ型半導体
物質に対するオーム接点の上首尾な形成方法と、得られ
るオーム接点構造体とに関する。特定の実施態様では、
本発明は炭化ケイ素上の白金オーム接点の形成方法と、
得られるオーム接点構造体とに関する。
用いる、広いバンドギャップ（bandgap）のｐ型半導体
物質に対するオーム接点の上首尾な形成方法と、得られ
るオーム接点構造体とに関する。特定の実施態様では、
本発明は炭化ケイ素上の白金オーム接点の形成方法と、
得られるオーム接点構造体とに関する。
発明の背景 典型的な用途では、半導体デバイスは特定の仕事を達
成するように特定回路内の電流によって操作されるか、
又は特定回路内の電流を制御するために用いられる。し
たがって、デバイスからデバイスへ電流を運搬するため
に最も有用で、便利な物質は、それらの高い導電率のた
めに、金属である。
成するように特定回路内の電流によって操作されるか、
又は特定回路内の電流を制御するために用いられる。し
たがって、デバイスからデバイスへ電流を運搬するため
に最も有用で、便利な物質は、それらの高い導電率のた
めに、金属である。
デバイスを結合させて有用な回路を形成するために
は、電流を運ぶための適当な接点を半導体ゼバイスと金
属−−−例えば、プリント回路、ワイヤ、又は任意の他
の適当な金属要素（metal element）−−−との間に作
られなければならない。最も適当な接点はしばしば金属
からも形成される。このような金属接点はデバイス又は
電流運搬金属の作動に殆ど又は好ましくは全く干渉すべ
きではない。接点は半導体物質と物理的に及び化学的に
相容性（compatible）でなければならない。
は、電流を運ぶための適当な接点を半導体ゼバイスと金
属−−−例えば、プリント回路、ワイヤ、又は任意の他
の適当な金属要素（metal element）−−−との間に作
られなければならない。最も適当な接点はしばしば金属
からも形成される。このような金属接点はデバイス又は
電流運搬金属の作動に殆ど又は好ましくは全く干渉すべ
きではない。接点は半導体物質と物理的に及び化学的に
相容性（compatible）でなければならない。
これに関して、“オーム接点”なる用語はこのような
金属−半導体接点を定義するために用いられる。詳しく
は、オーム接点は半導体の体抵抗又は収束抵抗に比べて
無視できる接点抵抗を有する金属−半導体接点として定
義されることができる。Physics of Semiconductor Dev
ices,第２版,1981,304頁を参照のこと。これにさらに述
べられているように、適当なオーム接点はそれが結合す
るデバイスの性能を有意に変化させず、デバイスの活性
領域を横切る電圧低下に比べてかなり小さい電圧低下に
よって任意の必要な電流を供給することができる。
金属−半導体接点を定義するために用いられる。詳しく
は、オーム接点は半導体の体抵抗又は収束抵抗に比べて
無視できる接点抵抗を有する金属−半導体接点として定
義されることができる。Physics of Semiconductor Dev
ices,第２版,1981,304頁を参照のこと。これにさらに述
べられているように、適当なオーム接点はそれが結合す
るデバイスの性能を有意に変化させず、デバイスの活性
領域を横切る電圧低下に比べてかなり小さい電圧低下に
よって任意の必要な電流を供給することができる。
金属と半導体の両方の他の特徴を用いて、オーム接点
を限定することもできる。大抵の場合に、特定のｐ形半
導体にオーム接点として作用するためには、他の必要な
物理的及び化学的な特徴の他に、金属は半導体の仕事関
数よりも大きい仕事関数を有さなければならない。理想
的には、金属の仕事関数は電子親和度及びバンドギャッ
プよりも大きくあるべきである。
を限定することもできる。大抵の場合に、特定のｐ形半
導体にオーム接点として作用するためには、他の必要な
物理的及び化学的な特徴の他に、金属は半導体の仕事関
数よりも大きい仕事関数を有さなければならない。理想
的には、金属の仕事関数は電子親和度及びバンドギャッ
プよりも大きくあるべきである。
この技術分野及びこの用語に精通した人に知られてい
るように、仕事関数は物質のフェルミエネルギーの点か
ら定義される。次に、物質のフェルミエネルギーは物質
の周囲と熱平衡にある電子の有効平均エネルギーであ
る。或いは、フェルミエネルギーは、有効状態（availa
ble state）の1/2が熱平衡にある電子と、平均して、実
際にポピュレートされる（populated）エネルギーとし
て定義することができる。物質の仕事関数はフェルミエ
ネルギーを有する電子を、物質からの無限距離にまで、
物質から除去するために必要なエネルギーである。
るように、仕事関数は物質のフェルミエネルギーの点か
ら定義される。次に、物質のフェルミエネルギーは物質
の周囲と熱平衡にある電子の有効平均エネルギーであ
る。或いは、フェルミエネルギーは、有効状態（availa
ble state）の1/2が熱平衡にある電子と、平均して、実
際にポピュレートされる（populated）エネルギーとし
て定義することができる。物質の仕事関数はフェルミエ
ネルギーを有する電子を、物質からの無限距離にまで、
物質から除去するために必要なエネルギーである。
やや異なって要約すると、金属の仕事関数がｐ形半導
体の仕事関数よりも大きい場合には、この金属はこのｐ
形半導体に対するオーム接点材料としての資格を有す
る。しかし、半導体の仕事関数が金属の仕事関数よりも
大きい場合には、オーム挙動（ohmic behavier）を確立
することが困難又は不可能であり、その代わり、整流挙
動（rectifying behavier）を実証することができる。
体の仕事関数よりも大きい場合には、この金属はこのｐ
形半導体に対するオーム接点材料としての資格を有す
る。しかし、半導体の仕事関数が金属の仕事関数よりも
大きい場合には、オーム挙動（ohmic behavier）を確立
することが困難又は不可能であり、その代わり、整流挙
動（rectifying behavier）を実証することができる。
大きい半導体電位が長い間認識されてきた物質の１つ
は炭化ケイ素（SiC）である。炭化ケイ素は周知の有利
な半導体特徴：広いバンドギャップ、高い熱伝導度、高
い融点、高い電界破壊強度、低い誘電率及び高い電子ド
リフト速度を有する。これらの性質は、一緒にすると、
炭化ケイ素から形成されるデバイスに、他の半導体物質
に比べて、高い温度、大きいデバイス密度、高い速度、
高いパワーレベルにおいて、及び高い放射線密度（radi
ation density）下においても作動する能力を与える。
したがって、炭化ケイ素から適当なデバイスを製造する
試み並びにデバイス品質（device quality）の炭化ケイ
素自体を製造する試みが科学者及びエンジニヤにこの数
十年間重要視されている。上述したように、特に炭化ケ
イ素を含めた、任意の半導体材料でのデバイス製造の特
徴の１つは適当なオーム接点を製造できることである。
は炭化ケイ素（SiC）である。炭化ケイ素は周知の有利
な半導体特徴：広いバンドギャップ、高い熱伝導度、高
い融点、高い電界破壊強度、低い誘電率及び高い電子ド
リフト速度を有する。これらの性質は、一緒にすると、
炭化ケイ素から形成されるデバイスに、他の半導体物質
に比べて、高い温度、大きいデバイス密度、高い速度、
高いパワーレベルにおいて、及び高い放射線密度（radi
ation density）下においても作動する能力を与える。
したがって、炭化ケイ素から適当なデバイスを製造する
試み並びにデバイス品質（device quality）の炭化ケイ
素自体を製造する試みが科学者及びエンジニヤにこの数
十年間重要視されている。上述したように、特に炭化ケ
イ素を含めた、任意の半導体材料でのデバイス製造の特
徴の１つは適当なオーム接点を製造できることである。
特にｐ形炭化ケイ素は、半導体材料として用いる場合
に、比較的大きい仕事関数をも生ずるその比較的大きい
バンドギャップのために、オーム接点に比べて特別なチ
ャレンジを提起する。例えば、理想的な場合に、フェル
ミ準位ピン止め（pinning）によって生ずるバンドベン
ディング（band bending）の効果を無視すると、ｐ形α
（6H）炭化ケイ素はキャリヤー濃度に依存して約5.7〜
7.2電子ボルト（eV）の範囲の仕事関数を有する。当該
技術分野に充分に熟練した人に対しては、仕事関数は電
子親和度プラス伝導帯とフェルミ準位との間のエネルギ
ーレベルの合計として定義される。この結果、炭化ケイ
素の仕事関数より大きい仕事関数を有する金属を発見す
ることは今まで困難でかつ面倒であると実証されてい
た。同じ問題が例えばセレン化亜鉛（ZnSe）、窒化ガリ
ウム（GaN）、ダイヤモンド、窒化ホウ素（BN）、リン
化ガリウム（GaP）及び窒化アルミニウム（AlN）に該当
する。
に、比較的大きい仕事関数をも生ずるその比較的大きい
バンドギャップのために、オーム接点に比べて特別なチ
ャレンジを提起する。例えば、理想的な場合に、フェル
ミ準位ピン止め（pinning）によって生ずるバンドベン
ディング（band bending）の効果を無視すると、ｐ形α
（6H）炭化ケイ素はキャリヤー濃度に依存して約5.7〜
7.2電子ボルト（eV）の範囲の仕事関数を有する。当該
技術分野に充分に熟練した人に対しては、仕事関数は電
子親和度プラス伝導帯とフェルミ準位との間のエネルギ
ーレベルの合計として定義される。この結果、炭化ケイ
素の仕事関数より大きい仕事関数を有する金属を発見す
ることは今まで困難でかつ面倒であると実証されてい
た。同じ問題が例えばセレン化亜鉛（ZnSe）、窒化ガリ
ウム（GaN）、ダイヤモンド、窒化ホウ素（BN）、リン
化ガリウム（GaP）及び窒化アルミニウム（AlN）に該当
する。
この結果、ｐ型半導体へのオーム接点は一般に例えば
アルミニウムーチタン及びアルミニウムーケイ素のよう
な合金から形成されるが、これらの合金は適当なオーム
接点を形成するために比較的高温（例えば900℃）にお
いて焼きなまされなければならない。このようなデバイ
スに習熟した人に知られるように、このような高温にデ
バイスを反復暴露すると、最後には一般にその特性（ch
aracter）が変化する。さらに、炭化ケイ素に基づく半
導体デバイス上のアルミニウム又はアルミニウム合金の
存在は、合金及び合金形成金属の物理的及び化学的性質
の限定、特にそれらのやや低い融点のために、このよう
なデバイスの後の処理又は加工を限定する。
アルミニウムーチタン及びアルミニウムーケイ素のよう
な合金から形成されるが、これらの合金は適当なオーム
接点を形成するために比較的高温（例えば900℃）にお
いて焼きなまされなければならない。このようなデバイ
スに習熟した人に知られるように、このような高温にデ
バイスを反復暴露すると、最後には一般にその特性（ch
aracter）が変化する。さらに、炭化ケイ素に基づく半
導体デバイス上のアルミニウム又はアルミニウム合金の
存在は、合金及び合金形成金属の物理的及び化学的性質
の限定、特にそれらのやや低い融点のために、このよう
なデバイスの後の処理又は加工を限定する。
白金（Pt）は、その貴金属としての特徴のために、あ
らゆる種類の半導体材料に対するオーム接点の望ましい
候補者である。しかし、残念ながら、上述したパラメー
タに関して、白金の仕事関数は5.65eVであり；すなわち
Ｐ形6H炭化ケイ素の仕事関数よりも一般に約0.6eV低
い。したがって、バンドギャップ理論からアプローチす
ると、白金は炭化ケイ素へのオーム接点を形成すべきで
はない。
らゆる種類の半導体材料に対するオーム接点の望ましい
候補者である。しかし、残念ながら、上述したパラメー
タに関して、白金の仕事関数は5.65eVであり；すなわち
Ｐ形6H炭化ケイ素の仕事関数よりも一般に約0.6eV低
い。したがって、バンドギャップ理論からアプローチす
ると、白金は炭化ケイ素へのオーム接点を形成すべきで
はない。
それ故、現在最も一般的に用いられている金属よりも
好ましい金属を用いることができる、ｐ形炭化ケイ素に
対するオーム接点が必要とされる。さらに、オーム接点
として機能するために高温焼きなましを必要としない接
点、及びデバイス又は炭化ケイ素のその後の必要な又は
望ましい焼きなまし後にそのオーム特性（ohmic charac
ter）を維持するオーム接点の必要性が存在する。
好ましい金属を用いることができる、ｐ形炭化ケイ素に
対するオーム接点が必要とされる。さらに、オーム接点
として機能するために高温焼きなましを必要としない接
点、及びデバイス又は炭化ケイ素のその後の必要な又は
望ましい焼きなまし後にそのオーム特性（ohmic charac
ter）を維持するオーム接点の必要性が存在する。
発明の目的と概要 金属の仕事関数が金属とｐ形半導体との間のオーム接
点を形成するために通常は不充分である、例えば白金の
ような高仕事関数金属と例えば炭化ケイ素のような広バ
ンドギャップ半導体との間のｐ形オーム接点構造体であ
って、オーム特徴を維持しながら焼きなましに耐えるこ
とができるような構造体と、その形成方法を提供するこ
とが本発明の目的である。本発明はこの目的を、例えば
炭化ケイ素のような、単結晶広バンドギャップ半導体か
ら形成された部分と、半導体部分上の高仕事関数金属か
ら形成された接点と、単結晶部分と金属接点との間のド
ープト（doped）ｐ形半導体材料の層とから形成される
オーム接点構造体であって、ドープト層が金属と半導体
材料との間にオーム挙動（ohmic behavier）を与えるた
めに充分な濃度のｐ形ドーパントを有する前記オーム接
点構造体によって満たす。
点を形成するために通常は不充分である、例えば白金の
ような高仕事関数金属と例えば炭化ケイ素のような広バ
ンドギャップ半導体との間のｐ形オーム接点構造体であ
って、オーム特徴を維持しながら焼きなましに耐えるこ
とができるような構造体と、その形成方法を提供するこ
とが本発明の目的である。本発明はこの目的を、例えば
炭化ケイ素のような、単結晶広バンドギャップ半導体か
ら形成された部分と、半導体部分上の高仕事関数金属か
ら形成された接点と、単結晶部分と金属接点との間のド
ープト（doped）ｐ形半導体材料の層とから形成される
オーム接点構造体であって、ドープト層が金属と半導体
材料との間にオーム挙動（ohmic behavier）を与えるた
めに充分な濃度のｐ形ドーパントを有する前記オーム接
点構造体によって満たす。
本発明は上記その他の目的、利益及び特徴、並びにこ
れらを達成するための方法は本発明の以下の詳細な説明
を、好ましい、例示的実施態様を説明する添付図面と共
に検討するならば、より容易に明らかになると思われ
る。
れらを達成するための方法は本発明の以下の詳細な説明
を、好ましい、例示的実施態様を説明する添付図面と共
に検討するならば、より容易に明らかになると思われ
る。
図面の簡単な説明 図１は本発明による接点構造体の概略断面図であり； 図２は、オーム特性ではなく整流特性を示す、ｐ形炭
化ケイ素構造上の通常の白金接点の電流−電圧（Ｉ−
Ｖ）プロットであり； 図３は図２と同様なプロットであるが、本発明を用い
ないでオーム接点挙動にアプローチしようと試みて、焼
きなましされた通常の接点を用いる； 図４は本発明によるオーム接点構造体の化学プロフィ
ル対深さのプロットであり； 図５は本発明によるオーム接点構造体の電流−電圧プ
ロットであり； 図６は本発明によるオーム接点構造体の電流対電圧の
対数プロットであり、それらのオーム特性を実証する； 図７は本発明によるオーム接点構造体の他の化学プロ
フィル対深さのプロットである。
化ケイ素構造上の通常の白金接点の電流−電圧（Ｉ−
Ｖ）プロットであり； 図３は図２と同様なプロットであるが、本発明を用い
ないでオーム接点挙動にアプローチしようと試みて、焼
きなましされた通常の接点を用いる； 図４は本発明によるオーム接点構造体の化学プロフィ
ル対深さのプロットであり； 図５は本発明によるオーム接点構造体の電流−電圧プ
ロットであり； 図６は本発明によるオーム接点構造体の電流対電圧の
対数プロットであり、それらのオーム特性を実証する； 図７は本発明によるオーム接点構造体の他の化学プロ
フィル対深さのプロットである。
詳細な説明 本発明は、金属の仕事関数が金属とｐ形半導体との間
のオーム接点を形成するために通常は不充分である、高
仕事関数金属とｐ形広バンドギャップ半導体との間のオ
ーム接点構造体であって、オーム特性を維持しながら焼
きなましに耐えることができるようなオーム接点構造体
である。このオーム接点構造体は、単結晶広バンドギャ
ップ半導体の部分と、この半導体部分上の高仕事関数金
属から形成された接点と、単結晶部分と金属接点との間
のドープトｐ形半導体材料の層とを含む。ドープト層は
金属と半導体材料との間にオーム挙動を与えるために充
分な濃度のｐ形ドーパントを有する。
のオーム接点を形成するために通常は不充分である、高
仕事関数金属とｐ形広バンドギャップ半導体との間のオ
ーム接点構造体であって、オーム特性を維持しながら焼
きなましに耐えることができるようなオーム接点構造体
である。このオーム接点構造体は、単結晶広バンドギャ
ップ半導体の部分と、この半導体部分上の高仕事関数金
属から形成された接点と、単結晶部分と金属接点との間
のドープトｐ形半導体材料の層とを含む。ドープト層は
金属と半導体材料との間にオーム挙動を与えるために充
分な濃度のｐ形ドーパントを有する。
本発明が特定の理論に縛られることを望むわけではな
いが、金属接点と半導体材料との界面において空乏領域
（depletion region）の幅を充分に減じて、界面を横切
るキャリヤートンネル移動（tunneling transport）を
可能にずるためには、ドープト層が充分な濃度のｐ形ド
ーパントを含まなければならないことが非常に確実に思
われる。このようなデバイスに習熟した人によって理解
されるように、金属が特定の半導体に関してオーム特性
ではなく整流特性を通常有させるような仕事関数を有す
る場合に、金属と半導体材料との間に空乏領域が確立さ
れる。
いが、金属接点と半導体材料との界面において空乏領域
（depletion region）の幅を充分に減じて、界面を横切
るキャリヤートンネル移動（tunneling transport）を
可能にずるためには、ドープト層が充分な濃度のｐ形ド
ーパントを含まなければならないことが非常に確実に思
われる。このようなデバイスに習熟した人によって理解
されるように、金属が特定の半導体に関してオーム特性
ではなく整流特性を通常有させるような仕事関数を有す
る場合に、金属と半導体材料との間に空乏領域が確立さ
れる。
“トンネル”は、この技術分野に習熟した人によって
充分に理解されるように、キャリヤーが古典力学（mech
anics）によって禁ぜられた方法でエネルギーバリヤー
を通って又は横切って遷移を生ずる量子力学的プロセス
を意味する。
充分に理解されるように、キャリヤーが古典力学（mech
anics）によって禁ぜられた方法でエネルギーバリヤー
を通って又は横切って遷移を生ずる量子力学的プロセス
を意味する。
広バンドギャップ半導体材料と高仕事関数金属との組
合せの選択では、半導体材料と共に化合物を形成する熱
化学ポテンシャルと；半導体材料との拡散安定性；半導
体材料との固溶体を形成する能力；及び環境劣化（envi
ronmental degradation）に対する安定性とを有する高
仕事関数金属を選択することが好ましい。
合せの選択では、半導体材料と共に化合物を形成する熱
化学ポテンシャルと；半導体材料との拡散安定性；半導
体材料との固溶体を形成する能力；及び環境劣化（envi
ronmental degradation）に対する安定性とを有する高
仕事関数金属を選択することが好ましい。
図１に説明する本発明の最も好ましい実施態様は、白
金と炭化ケイ素との間のオーム接点構造体を含み、オー
ム特徴を維持しながら焼きなましに耐えることができ
る。このオーム接点構造体は単結晶炭化ケイ素の部分10
を含む。この部分10はバルク（bulk）結晶又はエピタキ
シャル層を含むことができる。炭化ケイ素は好ましくは
3C、2H、4H、6H、8H及び15Rポリタイプから成る群から
選択され、最も好ましくは6Hポリタイプである。
金と炭化ケイ素との間のオーム接点構造体を含み、オー
ム特徴を維持しながら焼きなましに耐えることができ
る。このオーム接点構造体は単結晶炭化ケイ素の部分10
を含む。この部分10はバルク（bulk）結晶又はエピタキ
シャル層を含むことができる。炭化ケイ素は好ましくは
3C、2H、4H、6H、8H及び15Rポリタイプから成る群から
選択され、最も好ましくは6Hポリタイプである。
白金接点11は炭化ケイ素部分10上に存在する。図１に
さらに説明するように、単結晶部分10と白金接点11との
間にはドープｐ形炭化ケイ素の層12が存在し、ドープト
層12は炭化ケイ素部分10と白金接点11との間にオーム挙
動を与えるために充分な濃度のｐ形ドーパントを有す
る。
さらに説明するように、単結晶部分10と白金接点11との
間にはドープｐ形炭化ケイ素の層12が存在し、ドープト
層12は炭化ケイ素部分10と白金接点11との間にオーム挙
動を与えるために充分な濃度のｐ形ドーパントを有す
る。
好ましくは、ドープト層12は白金接点11とドープト層
12との界面において空乏領域の幅を充分に減じて、界面
を横切るキャリヤ（電子）トンネル移動を可能にするた
めに、充分な濃度のｐ形ドーパントを有する。
12との界面において空乏領域の幅を充分に減じて、界面
を横切るキャリヤ（電子）トンネル移動を可能にするた
めに、充分な濃度のｐ形ドーパントを有する。
好ましい実施態様では、ドープト層12は単結晶部分10
のインプラント領域を含む。このインプランテーション
（implantation）は“炭化ケイ素の高温インプランテー
ション”に関するエドモンド（Edmond）等の米国特許第
5,087,576号に記載される高温イオンインプランテーシ
ョンによって一貫して実施され、この特許は本明細書に
完全に援用される。或いは、ドープト層12はエピタキシ
ャル層を、このような層の使用がイオンインプランテー
ション方法よりも有利又は便利である場合に、含むこと
ができる。
のインプラント領域を含む。このインプランテーション
（implantation）は“炭化ケイ素の高温インプランテー
ション”に関するエドモンド（Edmond）等の米国特許第
5,087,576号に記載される高温イオンインプランテーシ
ョンによって一貫して実施され、この特許は本明細書に
完全に援用される。或いは、ドープト層12はエピタキシ
ャル層を、このような層の使用がイオンインプランテー
ション方法よりも有利又は便利である場合に、含むこと
ができる。
ｐ形層12のために好ましいドーパントはアルミニウム
であるが、ホウ素も受容される。濃度は少なくとも1x10
17cm-3であるべきであり、少なくとも約5x1018cm-3の濃
度が好ましく、少なくとも約1x1019cm-3の濃度が最も好
ましい。
であるが、ホウ素も受容される。濃度は少なくとも1x10
17cm-3であるべきであり、少なくとも約5x1018cm-3の濃
度が好ましく、少なくとも約1x1019cm-3の濃度が最も好
ましい。
ドープトｐ形層は少なくとも50オングストローム
（Å），好ましくは100Åを越える実際の厚さを有す
る。
（Å），好ましくは100Åを越える実際の厚さを有す
る。
この場合にも、発明者は特定の理論に縛られることを
望むわけではないが、本発明のオーム挙動を得るため
に、白金接点11がドープトｐ形層12と白金接点11との間
にケイ化白金組成物を形成することが役立つように思わ
れる。
望むわけではないが、本発明のオーム挙動を得るため
に、白金接点11がドープトｐ形層12と白金接点11との間
にケイ化白金組成物を形成することが役立つように思わ
れる。
したがって、他の実施態様では、本発明は広バンドギ
ャップｐ形半導体材料と高仕事関数金属との間に焼きな
ましに耐えることができるオーム接点を製造するための
オーム接点の形成方法を含む。この実施態様では、本発
明はドープト広バンドギャップ半導体材料層が同じ半導
体材料からなる単結晶部分上に形成されることを含み、
このドープト層は半導体材料と高仕事関数物質との間に
オーム挙動を与えるために充分な濃度のｐ形ドーパント
を有する。次に、半導体材料のドープト層上に金属層を
付着させて、半導体材料へのオーム接点を形成する。
ャップｐ形半導体材料と高仕事関数金属との間に焼きな
ましに耐えることができるオーム接点を製造するための
オーム接点の形成方法を含む。この実施態様では、本発
明はドープト広バンドギャップ半導体材料層が同じ半導
体材料からなる単結晶部分上に形成されることを含み、
このドープト層は半導体材料と高仕事関数物質との間に
オーム挙動を与えるために充分な濃度のｐ形ドーパント
を有する。次に、半導体材料のドープト層上に金属層を
付着させて、半導体材料へのオーム接点を形成する。
好ましい実施態様では、ドープト層の形成工程は、炭
化ケイ素へのオーム接点を形成するために、単結晶炭化
ケイ素部分上のドープト炭化ケイ素層の形成と、ドープ
ト層上の白金層の付着とを含む。
化ケイ素へのオーム接点を形成するために、単結晶炭化
ケイ素部分上のドープト炭化ケイ素層の形成と、ドープ
ト層上の白金層の付着とを含む。
構造に関して上述したように、炭化ケイ素の好ましい
ポリタイプは6Hポリタイプであるが、3C、2H、4H、6H、
8H及び15Rポリタイプから成る群から炭化ケイ素を選択
することもできる。
ポリタイプは6Hポリタイプであるが、3C、2H、4H、6H、
8H及び15Rポリタイプから成る群から炭化ケイ素を選択
することもできる。
ドープト炭化ケイ素層の形成工程は最も好ましくは、
白金接点と炭化ケイ素部分との界面において空乏領域の
幅を充分に減じて、界面を横切るキャリヤトンネル移動
を可能にするために、充分な濃度のｐ形ドーパントをド
ープされた層の形成を含む。構造に関して述べたよう
に、ドープトｐ形層は少なくとも約1x1017cm-3、より好
ましくは5x1018cm-3の、最も好ましくは少なくとも1x10
19cm-3のキャリヤ濃度を有する。
白金接点と炭化ケイ素部分との界面において空乏領域の
幅を充分に減じて、界面を横切るキャリヤトンネル移動
を可能にするために、充分な濃度のｐ形ドーパントをド
ープされた層の形成を含む。構造に関して述べたよう
に、ドープトｐ形層は少なくとも約1x1017cm-3、より好
ましくは5x1018cm-3の、最も好ましくは少なくとも1x10
19cm-3のキャリヤ濃度を有する。
ドーパントとしてはアルミニウムとホウ素の両方を用
いることができるが、ある一定の実施態様では、原子％
に基づいて、約0.1〜５％のアルミニウムを含むことが
好ましい。
いることができるが、ある一定の実施態様では、原子％
に基づいて、約0.1〜５％のアルミニウムを含むことが
好ましい。
本発明の利点の１つは、オーム接点構造体を形成する
ために、白金を炭化ケイ素に対して焼きなます必要がな
いことである。しかし、必要な場合には、接点構造体を
そのオーム特性を破壊することなく焼きなますことがで
きる。したがって、本発明によって与えられるフレキシ
ビリティはデバイス設計と製造とに有意な利益を提供す
る。
ために、白金を炭化ケイ素に対して焼きなます必要がな
いことである。しかし、必要な場合には、接点構造体を
そのオーム特性を破壊することなく焼きなますことがで
きる。したがって、本発明によって与えられるフレキシ
ビリティはデバイス設計と製造とに有意な利益を提供す
る。
焼きなましに関して、本発明の方法に使用可能な、２
種類の可能な焼きなまし工程が存在する。第１工程はイ
オンインプランテーション後の重度にドープされた層の
焼きなましであり、他方の工程は付着した後の金属接点
の任意の焼きなましである。
種類の可能な焼きなまし工程が存在する。第１工程はイ
オンインプランテーション後の重度にドープされた層の
焼きなましであり、他方の工程は付着した後の金属接点
の任意の焼きなましである。
他の利点としては、層のドーピングがイオンインプラ
ンテーションによって達成される場合に、ドープト炭化
ケイ素層の形成工程を白金付着工程の前又は後のいずれ
においても実施できることである。
ンテーションによって達成される場合に、ドープト炭化
ケイ素層の形成工程を白金付着工程の前又は後のいずれ
においても実施できることである。
イオンインプランテーションを実施する場合に、本明
細書の実験の項に記載するように、高温イオンインプラ
ンテーション工程は好ましくは、約10キロボルト（kV）
のエネルギー、約6x1015cm-2の線量、約600℃に維持し
た炭化ケイ素、ピーク濃度5x1021cm-3による約100Åの
深さまでのインプランティング（implanting）を含む。
細書の実験の項に記載するように、高温イオンインプラ
ンテーション工程は好ましくは、約10キロボルト（kV）
のエネルギー、約6x1015cm-2の線量、約600℃に維持し
た炭化ケイ素、ピーク濃度5x1021cm-3による約100Åの
深さまでのインプランティング（implanting）を含む。
前記で触れたように、イオンインプラントした層は白
金層の付着工程前に焼きなますことができ、このような
焼きなましは少なくとも約1000℃の温度において実施す
ることができる。
金層の付着工程前に焼きなますことができ、このような
焼きなましは少なくとも約1000℃の温度において実施す
ることができる。
さらに、このオーム接点構造体は白金層の付着工程後
に、イオンインプランテーションの前又は後のいずれに
おいても焼きなますことができる。白金の焼きなましは
一般に少なくとも約400℃の温度、好ましくは900℃程度
の高温において実施される。
に、イオンインプランテーションの前又は後のいずれに
おいても焼きなますことができる。白金の焼きなましは
一般に少なくとも約400℃の温度、好ましくは900℃程度
の高温において実施される。
白金を焼きなます場合に、ケイ化白金を形成するよう
に白金を焼きなますことが最も有利であると思われる。
或いは、白金層の付着工程はケイ化白金層の付着工程を
含むことができ、このケイ化白金層の付着工程は直接付
着、スパッタ付着又は他の適当な方法を含む、任意の適
当な方法によって実施することができる。
に白金を焼きなますことが最も有利であると思われる。
或いは、白金層の付着工程はケイ化白金層の付着工程を
含むことができ、このケイ化白金層の付着工程は直接付
着、スパッタ付着又は他の適当な方法を含む、任意の適
当な方法によって実施することができる。
さらに他の実施態様では、本発明は、炭化ケイ素活性
部分と、該活性部分への白金接点と、該炭化ケイ素活性
部分と白金接点との間のドープトｐ型炭化ケイ素層とを
含む活性半導体デバイスを包含する。該ドープト層は炭
化ケイ素活性部分と白金接点との間にオーム挙動を与え
るために充分な濃度のｐ型ドーパントを有する。このよ
うな半導体デバイスは図１に示し、図１に関連して明細
書中で述べるような構造体を少なくとも含む。典型的な
デバイスは接合ダイオード、二極性接合トランジスタ
ー、コンデンサー（capacitor）、発光ダイオード、光
検出器、電界効果形トランジスター（MOSFET、JFET又は
MESFET）、並びに例えばサイリスタ、IMPATTダイオー
ド、抵抗器及びセンサーのようなデバイスを含むことが
できる。
部分と、該活性部分への白金接点と、該炭化ケイ素活性
部分と白金接点との間のドープトｐ型炭化ケイ素層とを
含む活性半導体デバイスを包含する。該ドープト層は炭
化ケイ素活性部分と白金接点との間にオーム挙動を与え
るために充分な濃度のｐ型ドーパントを有する。このよ
うな半導体デバイスは図１に示し、図１に関連して明細
書中で述べるような構造体を少なくとも含む。典型的な
デバイスは接合ダイオード、二極性接合トランジスタ
ー、コンデンサー（capacitor）、発光ダイオード、光
検出器、電界効果形トランジスター（MOSFET、JFET又は
MESFET）、並びに例えばサイリスタ、IMPATTダイオー
ド、抵抗器及びセンサーのようなデバイスを含むことが
できる。
実験 ｎ形基板上に成長した、単結晶,p形α（6H）SiCエピ
層（epilar）のSi（0001）面にPtフィルムを付着させ
た。この付着は、Alインプラントし（約600℃において1
0KeV,6x1015/cm2又は50KeV,2x1016/cm2線量）、ドープ
した（約1017cm-3）エピ層上で実施した。インプラント
したサンプルを金属化の前に1500℃において真空下で焼
きなました。しかし、これらのサンプルのキャリヤー濃
度を得ることは、高いドーピングレベルのために困難で
あった。金属化の前に、基板の全てを10％フッ化水素酸
中で予め洗浄して（precleaned）、ネイティブ（nativ
e）酸化物を除去した。真空室中に入れて、基板を抵抗
黒鉛ヒーター上で700℃において15分間熱的に脱着し
て、表面上の炭化水素汚染物を除去した。
層（epilar）のSi（0001）面にPtフィルムを付着させ
た。この付着は、Alインプラントし（約600℃において1
0KeV,6x1015/cm2又は50KeV,2x1016/cm2線量）、ドープ
した（約1017cm-3）エピ層上で実施した。インプラント
したサンプルを金属化の前に1500℃において真空下で焼
きなました。しかし、これらのサンプルのキャリヤー濃
度を得ることは、高いドーピングレベルのために困難で
あった。金属化の前に、基板の全てを10％フッ化水素酸
中で予め洗浄して（precleaned）、ネイティブ（nativ
e）酸化物を除去した。真空室中に入れて、基板を抵抗
黒鉛ヒーター上で700℃において15分間熱的に脱着し
て、表面上の炭化水素汚染物を除去した。
付着は超真空（UHV）電子ビーム蒸発系において実施
した、この蒸発系はグラス（Glass）等の“α（6H）炭
化ケイ素上の窒化チタンオーム接点の低エネルギーイオ
ン補助付着",Applied Physics Letters,59巻（22）,2
868〜2870頁（1991）；及びグラスの“セラミック基板
上の窒化チタンの低エネルギーイオン補助付着から生ず
る界面化学と構造体",Thesis,N.C.州立大学,Raleigh,NC
（1991）に実験方法と共に詳細に考察されている。ベー
ス（base）圧力は約１〜2x10-10トルであり、付着圧力
は約8x10-8トルであった。基板を回転させながら、10Å
／分の蒸発速度で約1000ÅのPtを付着させた。ウェファ
ーの直径は約１インチ（1"）であった。
した、この蒸発系はグラス（Glass）等の“α（6H）炭
化ケイ素上の窒化チタンオーム接点の低エネルギーイオ
ン補助付着",Applied Physics Letters,59巻（22）,2
868〜2870頁（1991）；及びグラスの“セラミック基板
上の窒化チタンの低エネルギーイオン補助付着から生ず
る界面化学と構造体",Thesis,N.C.州立大学,Raleigh,NC
（1991）に実験方法と共に詳細に考察されている。ベー
ス（base）圧力は約１〜2x10-10トルであり、付着圧力
は約8x10-8トルであった。基板を回転させながら、10Å
／分の蒸発速度で約1000ÅのPtを付着させた。ウェファ
ーの直径は約１インチ（1"）であった。
電流−電圧（Ｉ−Ｖ）測定のための接点を製造するた
めに、Ptを0.76mmと0.50mm直径の接触パッドを含む、モ
リブデンのシャドウマスク（shadow mask）を通して付
着させた。この１インチウェファーの半分は、表面−対
−表面Ｉ−Ｖ測定のための大面積接点を形成するために
遮蔽しなかった。付着したままの接点と、UHV下で100゜
増分で450〜850℃に連続的に焼きなました接点とにおい
て電気的測定を実施した。測定は現場外（ex−situ）で
ルッカーコールス電気プローブステーション（Rucker−
Kolls electrical probe station）において実施した。
全てのＩ−Ｖ曲線は最小直径パッドと非遮蔽領域との間
で測定した。反応界面を研究するために、オージェ分光
学（Auger spectroscopy）（AES）を別々の、付着した
ままサンプルと、焼きなましたサンプル上の深さの関数
としてJEOL JAMP−30によって実施した。
めに、Ptを0.76mmと0.50mm直径の接触パッドを含む、モ
リブデンのシャドウマスク（shadow mask）を通して付
着させた。この１インチウェファーの半分は、表面−対
−表面Ｉ−Ｖ測定のための大面積接点を形成するために
遮蔽しなかった。付着したままの接点と、UHV下で100゜
増分で450〜850℃に連続的に焼きなました接点とにおい
て電気的測定を実施した。測定は現場外（ex−situ）で
ルッカーコールス電気プローブステーション（Rucker−
Kolls electrical probe station）において実施した。
全てのＩ−Ｖ曲線は最小直径パッドと非遮蔽領域との間
で測定した。反応界面を研究するために、オージェ分光
学（Auger spectroscopy）（AES）を別々の、付着した
ままサンプルと、焼きなましたサンプル上の深さの関数
としてJEOL JAMP−30によって実施した。
図２は2x1018cm-3のｐ形ドーパント濃度で成長したSi
Cサンプル上の付着したままのPt接点の室温における線
形−線形（linear−linear）Ｉ−Ｖプロットを示す。図
３は焼きなました接点に関する同じプロットを示す。こ
れらの接点は整流特徴を示し、約１ボルトにおいて柔ら
かい降状が開始し、2Vにおいて0.5μA/mm2の漏れ電流が
生じた。550℃焼きなまし後に、直接ー直接プロットは
順方向抵抗の低下を示す。650℃焼きなまし後に、直線
ー直線Ｉ−Ｖ曲線は順方向と逆バイアス方向において線
形特性（linear character）に接近して展開する。750
℃以上の焼きなまし後に、対数−対数曲線は最大に直線
性（the most linear）であり、短い、低傾斜SCL部分を
含む。しかし、950℃を充分に越える焼きなましにも拘
わらず、この部分を完全に除くことは不可能であった。
Cサンプル上の付着したままのPt接点の室温における線
形−線形（linear−linear）Ｉ−Ｖプロットを示す。図
３は焼きなました接点に関する同じプロットを示す。こ
れらの接点は整流特徴を示し、約１ボルトにおいて柔ら
かい降状が開始し、2Vにおいて0.5μA/mm2の漏れ電流が
生じた。550℃焼きなまし後に、直接ー直接プロットは
順方向抵抗の低下を示す。650℃焼きなまし後に、直線
ー直線Ｉ−Ｖ曲線は順方向と逆バイアス方向において線
形特性（linear character）に接近して展開する。750
℃以上の焼きなまし後に、対数−対数曲線は最大に直線
性（the most linear）であり、短い、低傾斜SCL部分を
含む。しかし、950℃を充分に越える焼きなましにも拘
わらず、この部分を完全に除くことは不可能であった。
焼きなましたフィルムの化学分析は、チョウ（Chou）
の“SiCとPtとの間の異常な固相反応",Journal of Ma
terials Research,5巻（３）,601〜608頁（1990）；及
びバームデズ（Bermudez）等の“Pt/SiC（001）界面の
構造と安定性との研究",5巻（12）,2882〜2893頁（199
0）による研究において与えられたデータを実証した。
本発明によるオーム接点に関する化学プロフィル対深さ
は図４に示す。このデータは、化学的マッピング（chem
ical mapping）の他に、界面と周囲領域とを通して炭素
（Ｃ）が均一に分布され、ケイ素（Si）が表面に拡散
し、Ptフィルム内に偏析して島（island）を形成するこ
とを実証した。詳しくは、図４はインプラントされない
サンプル上のPtのオージェ（Auger）プロフィルであ
り、図７はインプラントされたサンプル上のPtのオージ
ェプロフィルである。これらのプロフィルはインプラン
トを含む接点と含まない接点の拡散挙動を例示する。
の“SiCとPtとの間の異常な固相反応",Journal of Ma
terials Research,5巻（３）,601〜608頁（1990）；及
びバームデズ（Bermudez）等の“Pt/SiC（001）界面の
構造と安定性との研究",5巻（12）,2882〜2893頁（199
0）による研究において与えられたデータを実証した。
本発明によるオーム接点に関する化学プロフィル対深さ
は図４に示す。このデータは、化学的マッピング（chem
ical mapping）の他に、界面と周囲領域とを通して炭素
（Ｃ）が均一に分布され、ケイ素（Si）が表面に拡散
し、Ptフィルム内に偏析して島（island）を形成するこ
とを実証した。詳しくは、図４はインプラントされない
サンプル上のPtのオージェ（Auger）プロフィルであ
り、図７はインプラントされたサンプル上のPtのオージ
ェプロフィルである。これらのプロフィルはインプラン
トを含む接点と含まない接点の拡散挙動を例示する。
目立つた特徴は、焼きなましを実施すると通常のPt−
SiC接点の接点Ｉ−Ｖ特性は大抵直線性に成ったが、こ
れらは原点近くではオーム法則性を完全には示さないと
いうことである。このことは反応したフィルムとSiC基
板との間の小さいバリヤーを実証すると解釈される。
SiC接点の接点Ｉ−Ｖ特性は大抵直線性に成ったが、こ
れらは原点近くではオーム法則性を完全には示さないと
いうことである。このことは反応したフィルムとSiC基
板との間の小さいバリヤーを実証すると解釈される。
本発明 図５は本発明によるオーム接点構造体:6x1015/cm2の
線量で10keV Al＋イオンをインプラントされたSiC基板
へのPt接点の直線Ｉ−Ｖ特性を示す。この曲線は付着し
たまま接点の典型であり、850℃までの焼きなまし後に
殆ど変化しなかった。これらの接点の対数−対数プロッ
ト（図６）は１つ（unity）の傾斜を含む直線である。
このことはオーム特性を実証する。
線量で10keV Al＋イオンをインプラントされたSiC基板
へのPt接点の直線Ｉ−Ｖ特性を示す。この曲線は付着し
たまま接点の典型であり、850℃までの焼きなまし後に
殆ど変化しなかった。これらの接点の対数−対数プロッ
ト（図６）は１つ（unity）の傾斜を含む直線である。
このことはオーム特性を実証する。
この時点では、インプラントされない基板へのPt接点
が何故原点を通して非線形な（non−linear）のか不明
である。図４の深さプロフィルに見られる広範囲な内部
混合（intermixing）のために、この研究に理論的な界
面モデルを適用することは困難である。しかし、接点の
焼きなまし状態に拘わらず、インプランテーションと焼
きなましのプロセスがオーム特性を促進することは明ら
かである。このことは次いで、縮退（degenerate）（Ｐ
＋）領域の形成が考えられることを示すが、これを確証
するには他の金属によってさらに試験することが必要で
ある。
が何故原点を通して非線形な（non−linear）のか不明
である。図４の深さプロフィルに見られる広範囲な内部
混合（intermixing）のために、この研究に理論的な界
面モデルを適用することは困難である。しかし、接点の
焼きなまし状態に拘わらず、インプランテーションと焼
きなましのプロセスがオーム特性を促進することは明ら
かである。このことは次いで、縮退（degenerate）（Ｐ
＋）領域の形成が考えられることを示すが、これを確証
するには他の金属によってさらに試験することが必要で
ある。
要約すると、ｐ−形α（6H）SiCのｐ＋Si末端（000
1）面上へ電子ビーム蒸発によって付着させたPtを用い
て、オーム接点を製造した。この層は6x1015/cm2の線量
レベルでの600℃基板上へのAlイオンのインプランテー
ションによって形成した。
1）面上へ電子ビーム蒸発によって付着させたPtを用い
て、オーム接点を製造した。この層は6x1015/cm2の線量
レベルでの600℃基板上へのAlイオンのインプランテー
ションによって形成した。
図面と明細書では、本発明の典型的な好ましい実施態
様を開示した、また特定の用語を用いたが、これらは包
括的かつ説明的な意味でのみ用いたものであり、本発明
を限定するために用いたものではない、本発明の範囲は
請求の範囲に記載する。
様を開示した、また特定の用語を用いたが、これらは包
括的かつ説明的な意味でのみ用いたものであり、本発明
を限定するために用いたものではない、本発明の範囲は
請求の範囲に記載する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グラス，ロバート・シー スウェーデン王国セー―582 27 リン チェピング，ニュガタン 44，エル―11 (72)発明者 パルモアー，ジョン・ダブリュー アメリカ合衆国ノース・カロライナ州 27513，キャリー，トラッパーズ・ラ ン・ドライブ 125 (72)発明者 デービス，ロバート・エフ アメリカ合衆国ノース・カロライナ州 27607，ローリー，ラニーミード・ロー ド 809 (72)発明者 ポーター，リサ・スペルマン アメリカ合衆国ノース・カロライナ州 27606，ローリー，シャーバーグ・コー ト 1605 (56)参考文献 特開 平６−209102（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−63237（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−203564（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−196421（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−110055（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−79402（ＪＰ，Ａ) 特公 昭47−33546（ＪＰ，Ｂ１) 米国特許5087576（ＵＳ，Ａ) 英国公開4966862（ＧＢ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/43
Claims (19)
- 【請求項１】単結晶ｐ型炭化ケイ素部分と前記炭化ケイ
素部分上の白金接点とを含み、かつ、オーム特性を保持
しながら焼きなましに耐えることができる、白金と炭化
ケイ素との間のオーム接点構造体であって、 前記単結晶部分と前記白金接点との間の空乏領域を有す
る、ドープされたｐ型炭化ケイ素からなるドープｐ型層
を含み、前記ドープｐ型層が少なくとも1017cm-3のキャ
リヤー濃度を有することを特徴とするオーム接点構造
体。 - 【請求項２】前記白金接点と前記ｐ型炭化ケイ素部分と
の間の界面を横切るキャリヤートンネル移動を可能にす
るために、前記ｐ型ドープ層が、前記白金接点と前記ｐ
型炭化ケイ素部分との間の界面に形成された空乏領域の
幅を充分に減じるように、少なくとも1017cm-3のキャリ
ヤー濃度を有する請求項１に記載のオーム接点構造体。 - 【請求項３】前記ドープｐ型層が、前記単結晶部分にイ
オンインプラントされた領域を含む請求項１に記載のオ
ーム接点構造体。 - 【請求項４】前記ドープｐ型層がエピタキシャル層を含
み、前記単結晶炭化ケイ素部分がエピタキシャル層を含
む請求項１に記載のオーム接点構造体。 - 【請求項５】前記ドープｐ型層には、アルミニウム又は
ホウ素がドープされている請求項１に記載のオーム接点
構造体。 - 【請求項６】前記ドープｐ型層が、少なくとも5x1018cm
-3のキャリヤー濃度を有する請求項１に記載のオーム接
点構造体。 - 【請求項７】前記ドープｐ型層が、少なくとも1019cm-3
のキャリヤー濃度を有する請求項１に記載のオーム接点
構造体。 - 【請求項８】前記ドープｐ型層と前記白金接点との間
に、ケイ化白金組成物を更に含む請求項１に記載のオー
ム接点構造体。 - 【請求項９】前記ドープｐ型層が約100Åの厚さを有す
る請求項１に記載のオーム接点構造体。 - 【請求項１０】前記炭化ケイ素が、3C、2H、4H、6H、8H
及び15Rポリタイプからなる群から選択される請求項１
に記載のオーム接点構造体。 - 【請求項１１】ｐ型単結晶炭化ケイ素部分上にドープさ
れたｐ型炭化ケイ素からなるドープｐ型炭化ケイ素層を
形成する工程と、 前記ドープｐ型炭化ケイ素層に空乏領域を形成する、前
記ドープｐ型炭化ケイ素層上に白金層を付着させる工程
と、 を含み、かつ、焼きなましに耐えることができるオーム
接点を製造するための、炭化ケイ素と白金との間のオー
ム接点の形成方法であって、 前記ドープｐ型炭化ケイ素層の形成工程が、前記ｐ型単
結晶炭化ケイ素部分と付着した該白金層との間にオーム
挙動を与えるために、少なくとも1017cm-3のｐ型ドーパ
ント濃度を有する前記ドープｐ型炭化ケイ素層を形成す
ることを含むことを特徴とする方法。 - 【請求項１２】前記ドープｐ型炭化ケイ素層の形成工程
が、白金の付着工程の前に実施される請求項11に記載の
方法。 - 【請求項１３】前記ドープｐ型炭化ケイ素層の形成工程
が、白金の付着工程の後に実施される請求項11に記載の
方法。 - 【請求項１４】前記ドープｐ型炭化ケイ素層の形成工程
が、5kV以上のエネルギー、4x1013cm-2以上の線量、及
び、炭化ケイ素が400℃以上に維持されること、による
イオンインプラントを行う請求項11に記載の方法。 - 【請求項１５】前記白金層の付着工程の前にイオンイン
プラントされた層の焼きなまし工程を更に含む請求項14
に記載の方法。 - 【請求項１６】前記白金層の付着工程の後にオーム接点
構造体の焼きなまし工程を更に含む請求項14に記載の方
法。 - 【請求項１７】前記ドープｐ型炭化ケイ素層の形成工程
が、白金接点と炭化ケイ素部分との間の界面において空
乏領域の幅を充分に減じて、該界面を横切るキャリヤー
トンネル移動を可能にするために、少なくとも1017cm-3
のｐ型ドーパント濃度を有する前記ドープｐ型炭化ケイ
素層を形成することを含む請求項11に記載の方法。 - 【請求項１８】前記白金層の付着工程が、白金を焼きな
まして、ケイ化白金を形成することを含む請求項11に記
載の方法。 - 【請求項１９】前記白金層の付着工程が、ケイ化白金層
を付着させることを含む請求項11に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/943,043 US5323022A (en) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | Platinum ohmic contact to p-type silicon carbide |
| US943,043 | 1992-09-10 | ||
| PCT/US1993/008516 WO1994006153A1 (en) | 1992-09-10 | 1993-09-10 | Ohmic contact structure between platinum and silicon carbide |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08504298A JPH08504298A (ja) | 1996-05-07 |
| JP3012331B2 true JP3012331B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=25479011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6507541A Expired - Lifetime JP3012331B2 (ja) | 1992-09-10 | 1993-09-10 | 白金と炭化ケイ素との間のオーム接点構造体 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5323022A (ja) |
| EP (1) | EP0659298B1 (ja) |
| JP (1) | JP3012331B2 (ja) |
| AT (1) | ATE177878T1 (ja) |
| AU (1) | AU4854693A (ja) |
| DE (1) | DE69324024T2 (ja) |
| WO (1) | WO1994006153A1 (ja) |
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