JP3005273B2 - チアゾリルアセトアミド―3―セフェム系誘導体 - Google Patents
チアゾリルアセトアミド―3―セフェム系誘導体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、医薬として優れた作用を有する新規なチア
ゾリルアセトアミド−3−セフェム系誘導体に関する。
ゾリルアセトアミド−3−セフェム系誘導体に関する。
ヨーロッパ特許出願第30630号明細書には、式 (ここで、Rは低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルキニル基又はカルボキシ低級アルキル基であ
る。)で表される化合物を含む7−アシルアミノ−3−
ビニルセファロスポラン酸誘導体が開示されている。
級アルキニル基又はカルボキシ低級アルキル基であ
る。)で表される化合物を含む7−アシルアミノ−3−
ビニルセファロスポラン酸誘導体が開示されている。
また、特開昭59−89089号公報には7−置換−3−ビ
ニル−3−セフェム化合物として、一般式 (式中、R1はアミノ基又は保護基で保護されたアミノ
基、R2はカルボキシル基又は保護基で保護されたカルボ
キシル基をそれぞれ意味する。)で表される化合物が開
示されている。
ニル−3−セフェム化合物として、一般式 (式中、R1はアミノ基又は保護基で保護されたアミノ
基、R2はカルボキシル基又は保護基で保護されたカルボ
キシル基をそれぞれ意味する。)で表される化合物が開
示されている。
一方、特開昭62−491号公報には下記一般式で示され
る化合物が開示されている。
る化合物が開示されている。
(式中、R3は水素原子又は通常のアミノ保護基であり、
R4は水素原子、1〜4個の炭素原子を有する直鎖又は枝
分かれ鎖のアルキル基、2〜4個の炭素原子を有するア
ルケニル又はアルキニル基、3〜6個の炭素原子を有す
るシクロアルキル基、3〜6員環及び4〜10個の炭素原
子を有するシクロアルキルアルキル基、あるいは2〜4
個の炭素原子を有するアルカノイル基であり、R5は水素
原子、1〜3個の炭素原子を有する低級アルキル基、1
〜3個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、2〜3個
の炭素原子を有する低級アルカノイルオキシ基であり、
R6は水素原子又は生理的に加水分解可能なエステル基、
例えばアセトキシメチル、1−アセトキシエチル、ピバ
ロイルオキシメチル、5−メチル−2−オキソ−1,3−
ジオキソレン−4−イルメチル、1−(エトキシカルボ
ニルオキシ)エチル、又は4−グリシルオキシベンゾイ
ルオキシメチル基である)。
R4は水素原子、1〜4個の炭素原子を有する直鎖又は枝
分かれ鎖のアルキル基、2〜4個の炭素原子を有するア
ルケニル又はアルキニル基、3〜6個の炭素原子を有す
るシクロアルキル基、3〜6員環及び4〜10個の炭素原
子を有するシクロアルキルアルキル基、あるいは2〜4
個の炭素原子を有するアルカノイル基であり、R5は水素
原子、1〜3個の炭素原子を有する低級アルキル基、1
〜3個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、2〜3個
の炭素原子を有する低級アルカノイルオキシ基であり、
R6は水素原子又は生理的に加水分解可能なエステル基、
例えばアセトキシメチル、1−アセトキシエチル、ピバ
ロイルオキシメチル、5−メチル−2−オキソ−1,3−
ジオキソレン−4−イルメチル、1−(エトキシカルボ
ニルオキシ)エチル、又は4−グリシルオキシベンゾイ
ルオキシメチル基である)。
しかし、これらはいずれも十分な抗菌力が得られてい
ない。
ない。
〔課題を解決するための手段〕 本発明者らは、3位にシクロプロピルビニル基を有す
る新規なチアゾリルアセトアミドセフェム誘導体が優れ
た抗菌力を有することを見い出し、既に特許出願した。
る新規なチアゾリルアセトアミドセフェム誘導体が優れ
た抗菌力を有することを見い出し、既に特許出願した。
更に、検討の結果、このチアゾリルアセトアミドセフ
ェム誘導体の3位に上記と異なる特定の置換基を有する
ビニル基を導入することにより、優れた抗菌力を有する
化合物が得られることを見出し、この新規チアゾリルア
セトアミド−3−セフェム誘導体が種々の病原菌に対し
て高い活性を有する抗菌剤、特に経口投与用の抗菌剤と
して有用であることを見い出し本発明を完成するに到っ
た。
ェム誘導体の3位に上記と異なる特定の置換基を有する
ビニル基を導入することにより、優れた抗菌力を有する
化合物が得られることを見出し、この新規チアゾリルア
セトアミド−3−セフェム誘導体が種々の病原菌に対し
て高い活性を有する抗菌剤、特に経口投与用の抗菌剤と
して有用であることを見い出し本発明を完成するに到っ
た。
即ち、本発明は下記一般式(1)で表されるチアゾリ
ルアセトアミド−3−セフェム系誘導体及びその医薬と
して許容される塩、及びその製造法並びにそれからなる
抗菌剤を提供するものである。
ルアセトアミド−3−セフェム系誘導体及びその医薬と
して許容される塩、及びその製造法並びにそれからなる
抗菌剤を提供するものである。
(式中、R1は水酸基又は低級アルコキシ基を示す。R2は
カルボキシル基又は保護基で保護されたカルボキシル基
を示す。R3は低級ハロゲン化アルキル基又は低級アルケ
ニル基を示す。) 上記式中、R1で示される低級アルコキシ基としては、
メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、i−プロポキ
シ、n−ブトキシ、sec−ブトキシ、t−ブトキシなど
の炭素数1〜4のアルコキシ基が挙げられる。R3で示さ
れる低級アルキル基としては、メチル、エチル、n−プ
ロピル、i−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、t
−ブチルなどの炭素数1〜4のアルキル基が挙げられ
る。R2のカルボキシル基の保護基としては、メチル、エ
チル、t−ブチルなどの低級アルキル基;p−メトキシベ
ンジル、p−ニトロベンジル、3,4−ジメトキシベンジ
ル、ジフェニルメチル、トリチル、フェネチルなどの置
換基を有していてもよいフェニル基で置換された低級ア
ルキル基;2,2,2−トリクロロエチル、2−ヨードエチル
などのハロゲン化低級アルキル基;ピバロイルオキシメ
チル、アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチル、
ブチリルオキシメチル、バレリルオキシメチル、1−ア
セトキシエチル、2−アセトキシエチル、1−ピバロイ
ルオキシエチル、2−ピバロイルオキシエチルなどの低
級アルカノイルオキシ低級アルキル基;パルミトイルオ
キシエチル、ヘプタペカノイルオキシメチル、1−パル
ミトイルオキシエチルなどの高級アルカノイルオキシ低
級アルキル基;メトキシカルボニルオキシメチル、1−
ブトキシカルボニルオキシエチル、1−t−ブトキシカ
ルボニルオキシエチル、1−エトキシカルボニルオキシ
エチル、1−(イソプロポキシカルボニルオキシ)エチ
ルなどの低級アルコキシカルボニルオキシ低級アルキル
基;カルボキシメチル、2−カルボキシエチルなどのカ
ルボキシ低級アルキル基;3−フタリジルなどの複素環
基;4−グリシルオキシベンゾイルオキシメチル、4−
〔N−(t−ブトキシカルボニル)グリシルオキシ〕ベ
ンゾイルオキシメチルなどの置換基を有していてもよい
ベンゾイルオキシ低級アルキル基;(5−メチル−2−
オキソ−1,3−ジオキソレン−4−イル)メチルなどの
(置換ジオキソレン)低級アルキル基;1−シクロヘキシ
ルアセチルオキシエチルなどのシクロアルキル置換低級
アルカノイルオキシ低級アルキル基、1−シクロヘキシ
ルオキシカルボニルオキシエチルなどのシクロアルキル
オキシカルボニルオキシ低級アルキル基等が挙げられ
る。
カルボキシル基又は保護基で保護されたカルボキシル基
を示す。R3は低級ハロゲン化アルキル基又は低級アルケ
ニル基を示す。) 上記式中、R1で示される低級アルコキシ基としては、
メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、i−プロポキ
シ、n−ブトキシ、sec−ブトキシ、t−ブトキシなど
の炭素数1〜4のアルコキシ基が挙げられる。R3で示さ
れる低級アルキル基としては、メチル、エチル、n−プ
ロピル、i−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、t
−ブチルなどの炭素数1〜4のアルキル基が挙げられ
る。R2のカルボキシル基の保護基としては、メチル、エ
チル、t−ブチルなどの低級アルキル基;p−メトキシベ
ンジル、p−ニトロベンジル、3,4−ジメトキシベンジ
ル、ジフェニルメチル、トリチル、フェネチルなどの置
換基を有していてもよいフェニル基で置換された低級ア
ルキル基;2,2,2−トリクロロエチル、2−ヨードエチル
などのハロゲン化低級アルキル基;ピバロイルオキシメ
チル、アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチル、
ブチリルオキシメチル、バレリルオキシメチル、1−ア
セトキシエチル、2−アセトキシエチル、1−ピバロイ
ルオキシエチル、2−ピバロイルオキシエチルなどの低
級アルカノイルオキシ低級アルキル基;パルミトイルオ
キシエチル、ヘプタペカノイルオキシメチル、1−パル
ミトイルオキシエチルなどの高級アルカノイルオキシ低
級アルキル基;メトキシカルボニルオキシメチル、1−
ブトキシカルボニルオキシエチル、1−t−ブトキシカ
ルボニルオキシエチル、1−エトキシカルボニルオキシ
エチル、1−(イソプロポキシカルボニルオキシ)エチ
ルなどの低級アルコキシカルボニルオキシ低級アルキル
基;カルボキシメチル、2−カルボキシエチルなどのカ
ルボキシ低級アルキル基;3−フタリジルなどの複素環
基;4−グリシルオキシベンゾイルオキシメチル、4−
〔N−(t−ブトキシカルボニル)グリシルオキシ〕ベ
ンゾイルオキシメチルなどの置換基を有していてもよい
ベンゾイルオキシ低級アルキル基;(5−メチル−2−
オキソ−1,3−ジオキソレン−4−イル)メチルなどの
(置換ジオキソレン)低級アルキル基;1−シクロヘキシ
ルアセチルオキシエチルなどのシクロアルキル置換低級
アルカノイルオキシ低級アルキル基、1−シクロヘキシ
ルオキシカルボニルオキシエチルなどのシクロアルキル
オキシカルボニルオキシ低級アルキル基等が挙げられ
る。
また、医薬として許容される塩としては、例えばナト
リウム塩、カリウム塩などのアルカリ金属塩;アンモニ
ウム塩;テトラエチルアンモニウム塩、ベタイン塩など
の4級アンモニウム塩;カルシウム塩、マグネシウム塩
などのアルカリ土類金属塩;塩酸塩、臭化水素酸塩、沃
化水素酸塩、硫酸塩、炭酸塩、重炭酸塩などの無機酸
塩;酢酸塩、マレイン酸塩、乳酸塩、酒石酸塩などを有
機カルボン酸;メタンスルホン酸塩、ヒドロキシメタン
スルホン酸塩、ヒドロキシエタンスルホン酸塩、タウリ
ン塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩な
どの有機スルホン酸塩;アルギニン塩、リジン塩、セリ
ン塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩、グリシン塩
などのアミノ酸塩;トリメチルアミン塩、トリエチルア
ミン塩、ピリジン塩、ブロカイン塩、ピコリン塩、ジシ
クロヘキシルアミン塩、N,N′−ジベンジルエチレンジ
アミン塩、N−メチルグルカミン塩、ジエタノールアミ
ン塩、トリエタノールアミン塩、トリス(ヒドロキシメ
チルアミノ)メタン塩、フェネチルベンジルアミン塩な
どのアミン塩などが挙げられる。
リウム塩、カリウム塩などのアルカリ金属塩;アンモニ
ウム塩;テトラエチルアンモニウム塩、ベタイン塩など
の4級アンモニウム塩;カルシウム塩、マグネシウム塩
などのアルカリ土類金属塩;塩酸塩、臭化水素酸塩、沃
化水素酸塩、硫酸塩、炭酸塩、重炭酸塩などの無機酸
塩;酢酸塩、マレイン酸塩、乳酸塩、酒石酸塩などを有
機カルボン酸;メタンスルホン酸塩、ヒドロキシメタン
スルホン酸塩、ヒドロキシエタンスルホン酸塩、タウリ
ン塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩な
どの有機スルホン酸塩;アルギニン塩、リジン塩、セリ
ン塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩、グリシン塩
などのアミノ酸塩;トリメチルアミン塩、トリエチルア
ミン塩、ピリジン塩、ブロカイン塩、ピコリン塩、ジシ
クロヘキシルアミン塩、N,N′−ジベンジルエチレンジ
アミン塩、N−メチルグルカミン塩、ジエタノールアミ
ン塩、トリエタノールアミン塩、トリス(ヒドロキシメ
チルアミノ)メタン塩、フェネチルベンジルアミン塩な
どのアミン塩などが挙げられる。
本発明化合物は次に示す方法により製造することがで
きる。
きる。
製 法 一般式(II) (式中、R2はカルボキシル基又は保護基で保護されたカ
ルボキシル基を示す。R4はアミノ基又は保護基で保護さ
れたアミノ基を示す。R5は水酸基又は保護基で保護され
た水酸基又は低級アルコキシ基を示す。)で表される化
合物あるいはそれらの塩と、式R3−N=C=O(ここで
R3は低級ハロゲン化アルキル基又は低級アルケニル基を
示す。)で表されるイソシアネートと反応させ、必要に
よりアミノ基、水酸基又はカルボキシル基の保護基を脱
離することにより一般式(I) (式中、R1、R2、R3は前記と同様の意味を有する。)で
表される化合物及びその医薬として許容される塩を得る
ことができる。
ルボキシル基を示す。R4はアミノ基又は保護基で保護さ
れたアミノ基を示す。R5は水酸基又は保護基で保護され
た水酸基又は低級アルコキシ基を示す。)で表される化
合物あるいはそれらの塩と、式R3−N=C=O(ここで
R3は低級ハロゲン化アルキル基又は低級アルケニル基を
示す。)で表されるイソシアネートと反応させ、必要に
よりアミノ基、水酸基又はカルボキシル基の保護基を脱
離することにより一般式(I) (式中、R1、R2、R3は前記と同様の意味を有する。)で
表される化合物及びその医薬として許容される塩を得る
ことができる。
上記反応は、ジクロルメタン、クロロホルム、テトラ
ヒドロフラン、アセトン、酢酸エチル、メタノール、エ
タノール、ジメチルスルホキシド、ベンゼン、トルエ
ン、ヘキサン等の不活性溶媒中、反応温度−10℃〜50℃
で行うことができる。保護基の脱離は、用いた保護基の
種類に応じて、常法により行うことができる。
ヒドロフラン、アセトン、酢酸エチル、メタノール、エ
タノール、ジメチルスルホキシド、ベンゼン、トルエ
ン、ヘキサン等の不活性溶媒中、反応温度−10℃〜50℃
で行うことができる。保護基の脱離は、用いた保護基の
種類に応じて、常法により行うことができる。
R4のアミノ基の保護基としては、例えばホルミル基、
アセチル基、クロルアセチル基、ジクロルアセチル基、
フェニルアセチル基、チエニルアセチル基、t−ブトキ
シカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、トリチ
ル基、p−メトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、
ベンジリデン基、p−ニトロベンジリデン基、m−ニト
ロベンジリデン基、3,4−メチレンジオキシベンジリデ
ン基、m−クロルベンジリデン基などが挙げられる。
アセチル基、クロルアセチル基、ジクロルアセチル基、
フェニルアセチル基、チエニルアセチル基、t−ブトキ
シカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、トリチ
ル基、p−メトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、
ベンジリデン基、p−ニトロベンジリデン基、m−ニト
ロベンジリデン基、3,4−メチレンジオキシベンジリデ
ン基、m−クロルベンジリデン基などが挙げられる。
R5の低級アルコキシ基としてはR1と同様な基があげら
れる。R5の水酸基の保護基としてはトリチル基、テトラ
ハイドロピラニル基などが挙げられる。
れる。R5の水酸基の保護基としてはトリチル基、テトラ
ハイドロピラニル基などが挙げられる。
上記の如き方法により得られる本発明の化合物は優れ
た抗菌活性を有し、特に経口用抗菌剤として有用であ
る。
た抗菌活性を有し、特に経口用抗菌剤として有用であ
る。
本発明化合物の急性毒性値〔LD50(マウス、経口)〕
はいずれも2g/kg以上であった。
はいずれも2g/kg以上であった。
本発明化合物を抗菌剤として使用する際には、通常1
日100mg〜5gを1〜4回にわけて経口あるいは非経口的
に投与することができる。なお、その投与量は年齢、症
状により増減される。
日100mg〜5gを1〜4回にわけて経口あるいは非経口的
に投与することができる。なお、その投与量は年齢、症
状により増減される。
製剤としては、錠剤、顆粒剤、散剤、カプセル剤、シ
ロップ剤、液剤などが挙げられる。これらは、公知の製
剤担体を加え、常法により製造することができる。
ロップ剤、液剤などが挙げられる。これらは、公知の製
剤担体を加え、常法により製造することができる。
次に実施例を示し、本発明を更に詳しく説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
尚、本発明の化合物の原料となる化合物の合成例を製
造例として示す。式中Trtはトリチル基を意味する。
造例として示す。式中Trtはトリチル基を意味する。
製造例1 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−〔(Z)−3−tert−ブチルジメチルシリルオキ
シ−1−プロペニル〕−3−セフェム−4−カルボン酸
4−メトキシフェニルメチル 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール
−4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミ
ド〕−3−(トリフェニルホスホラニリデン)メチル−
3−セフェム−4−カルボン酸4−メトキシフェニルメ
チル9.07g(7.27mmol)とt−ブチルジメチルシリルオ
キシアセトアルデヒド1.8g(10.34mmol)とのジクロロ
メタン100ml溶液を室温下16時間攪拌した。溶媒を減圧
留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(n−ヘキサン:酢酸エチル=2.5:1)で精製し、目的
化合物を4.99g(4.36mmol,60.0%)得た。
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−〔(Z)−3−tert−ブチルジメチルシリルオキ
シ−1−プロペニル〕−3−セフェム−4−カルボン酸
4−メトキシフェニルメチル 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール
−4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミ
ド〕−3−(トリフェニルホスホラニリデン)メチル−
3−セフェム−4−カルボン酸4−メトキシフェニルメ
チル9.07g(7.27mmol)とt−ブチルジメチルシリルオ
キシアセトアルデヒド1.8g(10.34mmol)とのジクロロ
メタン100ml溶液を室温下16時間攪拌した。溶媒を減圧
留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(n−ヘキサン:酢酸エチル=2.5:1)で精製し、目的
化合物を4.99g(4.36mmol,60.0%)得た。
NMR(CDCl3)δ: 0.20(6H,bs,CH3×2),1.04(9H,bs,C(CH3)3),
3.40〜3.60(2H,m,CH2),3.88(3H,s,OCH3),4.20〜4.4
0(2H,m,−CH2OSi),5.00〜5.20(1H,m,CH),5.28(2H,
s,CO2CH2),5.60〜6.40(3H,m,CH,−CH=CH−),6.56
(1H,s,チアゾールH),6.90〜7.80(34H,m) 製造例2 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−〔(Z)−3−ヒドロキシ−1−プロペニル〕−
3−セフェム−4−カルボン酸4−メトキシフェニルメ
チル 製造例1で得られた化合物4.99g(4.36mmol)のアセ
トン50ml溶液に1N−塩酸10mlを加え、室温下2時間攪拌
した。アセトンの減圧留去後、水を加え酢酸エチルで抽
出した。抽出液を水洗、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグ
ネシウムを加え乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン:
酢酸エチル=1:1)で精製し、目的化合物を2.2g(2.14m
mol,49.0%)得た。
3.40〜3.60(2H,m,CH2),3.88(3H,s,OCH3),4.20〜4.4
0(2H,m,−CH2OSi),5.00〜5.20(1H,m,CH),5.28(2H,
s,CO2CH2),5.60〜6.40(3H,m,CH,−CH=CH−),6.56
(1H,s,チアゾールH),6.90〜7.80(34H,m) 製造例2 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−〔(Z)−3−ヒドロキシ−1−プロペニル〕−
3−セフェム−4−カルボン酸4−メトキシフェニルメ
チル 製造例1で得られた化合物4.99g(4.36mmol)のアセ
トン50ml溶液に1N−塩酸10mlを加え、室温下2時間攪拌
した。アセトンの減圧留去後、水を加え酢酸エチルで抽
出した。抽出液を水洗、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグ
ネシウムを加え乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン:
酢酸エチル=1:1)で精製し、目的化合物を2.2g(2.14m
mol,49.0%)得た。
NMR(CDCl3)δ: 3.24(2H,ABq,J=18.0Hz,CH2),3.80(3H,s,OCH3),
3.90〜4.10(2H,m,−CH2O−),5.02(1H,d,J=4.8Hz,C
H),5.16(2H,s,CO2CH2−),5.60〜6.00(2H,m,CH,=CH
−),6.14(1H,d,J=12.5Hz,−CH=),6.42(1H,s,チア
ゾールH),6.80〜7.70(34H)p Mass(m/z): 1029(M+),1030(M++1) 製造例3 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−〔(Z)−3−(N−(2−クロロエチル)カル
バモイルオキシ)−1−プロペニル〕−3−セフェム−
4−カルボン酸4−メトキシフェニルメチル 製造例2で得られた化合物2g(1.944mmol)の乾燥テ
トラヒドロフラン40ml溶液に2−クロロエチルイソシア
ナート1.6g(15.2mmol)、触媒量のトリエチルアミンを
加え、60℃で4時間加熱した。溶媒を減圧下留去後、残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロロメ
タン:アセトン=95:5)で精製し、目的化合物を0.6g
(0.53mmol、27%)得た。
3.90〜4.10(2H,m,−CH2O−),5.02(1H,d,J=4.8Hz,C
H),5.16(2H,s,CO2CH2−),5.60〜6.00(2H,m,CH,=CH
−),6.14(1H,d,J=12.5Hz,−CH=),6.42(1H,s,チア
ゾールH),6.80〜7.70(34H)p Mass(m/z): 1029(M+),1030(M++1) 製造例3 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−〔(Z)−3−(N−(2−クロロエチル)カル
バモイルオキシ)−1−プロペニル〕−3−セフェム−
4−カルボン酸4−メトキシフェニルメチル 製造例2で得られた化合物2g(1.944mmol)の乾燥テ
トラヒドロフラン40ml溶液に2−クロロエチルイソシア
ナート1.6g(15.2mmol)、触媒量のトリエチルアミンを
加え、60℃で4時間加熱した。溶媒を減圧下留去後、残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロロメ
タン:アセトン=95:5)で精製し、目的化合物を0.6g
(0.53mmol、27%)得た。
NMR(CDCl3)δ: 3.2〜3.7(6H,m,CH2CH2Cl,CH2),3.78(3H,s,OCH3),
4.3〜4.6(2H,m,CH2),5.05(1H,d,J=5Hz,CH),5.15
(2H,s,CO2CH2),5.55〜6.00(2H,m,CH,CH=),6.22(1
H,d,J=12Hz,CH=),6.38(1H,s,チアゾールH),6.70
〜7.50(34H,m) 製造例4 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−〔(Z)−3−(N−(2−アリルカルバモイル
オキシ)−1−プロペニル〕−3−セフェム−4−カル
ボン酸4−メトキシフェニルメチル 製造例2で得られた化合物2g(1.944mmol)の乾燥テ
トラヒドロフラン40ml溶液にアリルイソシアナート1.3g
(15.6mmol)、触媒量のトリエチルアミンを加え、60℃
で4時間加熱した。溶媒を減圧下留去後、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロロメタン:アセ
トン=95:5)で精製し、目的化合物を1g(0.90mmol、46
%)得た。
4.3〜4.6(2H,m,CH2),5.05(1H,d,J=5Hz,CH),5.15
(2H,s,CO2CH2),5.55〜6.00(2H,m,CH,CH=),6.22(1
H,d,J=12Hz,CH=),6.38(1H,s,チアゾールH),6.70
〜7.50(34H,m) 製造例4 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−〔(Z)−3−(N−(2−アリルカルバモイル
オキシ)−1−プロペニル〕−3−セフェム−4−カル
ボン酸4−メトキシフェニルメチル 製造例2で得られた化合物2g(1.944mmol)の乾燥テ
トラヒドロフラン40ml溶液にアリルイソシアナート1.3g
(15.6mmol)、触媒量のトリエチルアミンを加え、60℃
で4時間加熱した。溶媒を減圧下留去後、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロロメタン:アセ
トン=95:5)で精製し、目的化合物を1g(0.90mmol、46
%)得た。
実施例1 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔(Z)−3−(N−(2−クロロエチル)カルバモイ
ルオキシ)−1−プロペニル〕−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ナトリウム塩 製造例3で得られた化合物0.6mg(0.53mmol)のアニ
ソール3ml溶液に氷冷下トリフルオロ酢酸3mlを滴下し、
その後室温で2時間攪拌した。減圧下濃縮後、濃縮溶液
をイソプロピルエーテル20ml、n−ヘキサン80mlの混合
液に滴下し析出した結晶を濾取した。結晶を90%ギ酸10
mlに加え、室温下3時間攪拌した。減圧下溶媒留去後、
残留物をイソプロピルエーテルで摩砕し、結晶を濾取し
た。結晶をメタノール20mlを溶かし、酢酸ナトリウム30
0mg(5mmol)を加え減圧下溶媒留去した。粗生成物を2
−プロパノールで摩砕し粗結晶を濾取した。粗結晶をOD
Sカラムクロマトグラフィー(7%水性メタノール)で
精製し、溶出液を減圧下濃縮後、凍結乾燥し、目的化合
物を140mg(0.25mmol,48%)得た。
ル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔(Z)−3−(N−(2−クロロエチル)カルバモイ
ルオキシ)−1−プロペニル〕−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ナトリウム塩 製造例3で得られた化合物0.6mg(0.53mmol)のアニ
ソール3ml溶液に氷冷下トリフルオロ酢酸3mlを滴下し、
その後室温で2時間攪拌した。減圧下濃縮後、濃縮溶液
をイソプロピルエーテル20ml、n−ヘキサン80mlの混合
液に滴下し析出した結晶を濾取した。結晶を90%ギ酸10
mlに加え、室温下3時間攪拌した。減圧下溶媒留去後、
残留物をイソプロピルエーテルで摩砕し、結晶を濾取し
た。結晶をメタノール20mlを溶かし、酢酸ナトリウム30
0mg(5mmol)を加え減圧下溶媒留去した。粗生成物を2
−プロパノールで摩砕し粗結晶を濾取した。粗結晶をOD
Sカラムクロマトグラフィー(7%水性メタノール)で
精製し、溶出液を減圧下濃縮後、凍結乾燥し、目的化合
物を140mg(0.25mmol,48%)得た。
NMR(DMSO−d6)δ: 3.38(6H,m,NHCH2),3.59(2H,t,J=6.8Hz,CH2Cl),
3.53(2H,ABq,J=16.5Hz,CH2),4.60(2H,d,ABq,J=7H
z,13.9Hz,CH2),5.03(1H,d,J=4.8Hz,CH),5.03(1H,
m,−CH=),5.58(1H,dd,J=4.8Hz,8.4Hz,−CH),6.64
(1H,d,J=12.8Hz,−CH=),6.65(1H,s,チアゾール
H),7.09(2H,s,NH2) 実施例2 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔(Z)−3−(N−(2−クロロエチル)カルバモイ
ルオキシ)−1−プロペニル〕−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ピバロイルオキシメチル 実施例1で得られた化合物80mg(0.14mmol)の乾燥ジ
メチルホルムアミド3ml溶液に氷冷下ヨードメチルピバ
レート37mg(0.16mmol)の乾燥ジメチルホルムアミド0.
5ml溶液を滴下し、30分間攪拌した。反応液に酢酸エチ
ルを加え水洗、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム
を加え乾燥した。減圧下濃縮し、濃縮溶液をn−ヘキサ
ン50mlに滴下した。析出した結晶を濾過後乾燥し、目的
化合物を63mg(0.1mmol,70%)得た。
3.53(2H,ABq,J=16.5Hz,CH2),4.60(2H,d,ABq,J=7H
z,13.9Hz,CH2),5.03(1H,d,J=4.8Hz,CH),5.03(1H,
m,−CH=),5.58(1H,dd,J=4.8Hz,8.4Hz,−CH),6.64
(1H,d,J=12.8Hz,−CH=),6.65(1H,s,チアゾール
H),7.09(2H,s,NH2) 実施例2 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔(Z)−3−(N−(2−クロロエチル)カルバモイ
ルオキシ)−1−プロペニル〕−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ピバロイルオキシメチル 実施例1で得られた化合物80mg(0.14mmol)の乾燥ジ
メチルホルムアミド3ml溶液に氷冷下ヨードメチルピバ
レート37mg(0.16mmol)の乾燥ジメチルホルムアミド0.
5ml溶液を滴下し、30分間攪拌した。反応液に酢酸エチ
ルを加え水洗、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム
を加え乾燥した。減圧下濃縮し、濃縮溶液をn−ヘキサ
ン50mlに滴下した。析出した結晶を濾過後乾燥し、目的
化合物を63mg(0.1mmol,70%)得た。
NMR(DMSO−d6)δ: 1.15(9H,s,C(CH3)3),3.29(2H,dt,J=5.9Hz,12.
1Hz,NHCH2),3.58(2H,t,J=12.1Hz,CH2Cl,3.5〜3.9(2
H,m,CH2),4.3〜4.6(2H,m,CH2),5.28(1H,d,J=4.7H
z,CH),5.5〜5.65(1H,m,=CH−),5.77(1H,dd,J=4.7
Hz,7.8Hz,CH),5.84(2H,ABq,J=3.3Hz,CH2O),6.29(1
H,d,J=11.7Hz,−CH=),6.83(1H,s,チアゾールH),
7.45(1H,t,J=5.9Hz,NH),9.68(1H,d,J=7.8Hz,NH) 実施例3 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔(Z)−3−(N−アリルカルバモイルオキシ)−1
−プロペニル〕−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリ
ウム塩 製造例4で得られた化合物1mg(0.9mmol)のアニソー
ル3ml溶液に氷冷下トリフルオロ酢酸3mlを滴下し、その
後室温で2時間攪拌した。減圧下濃縮後、濃縮溶液をイ
ソプロピルエーテル20ml、n−ヘキサン80mlの混合液に
滴下し、析出した結晶を濾取した。結晶を90%ギ酸10ml
に加え、室温下3時間攪拌した。減圧下溶媒留去後、残
留物をイソプロピルエーテルで摩砕し結晶を濾取した。
結晶をメタノール20mlに溶かし、酢酸ナトリウム300mg
(5mmol)を加え、減圧下溶媒留去した。粗生成物を2
−プロパノールで摩砕し粗結晶を濾取した。粗結晶をOD
Sカラムクロマトグラフィー(10%水性メタノール)で
精製し、溶出液を減圧下濃縮後、凍結乾燥し、目的化合
物を80mg(0.15mmol,17%)得た。
1Hz,NHCH2),3.58(2H,t,J=12.1Hz,CH2Cl,3.5〜3.9(2
H,m,CH2),4.3〜4.6(2H,m,CH2),5.28(1H,d,J=4.7H
z,CH),5.5〜5.65(1H,m,=CH−),5.77(1H,dd,J=4.7
Hz,7.8Hz,CH),5.84(2H,ABq,J=3.3Hz,CH2O),6.29(1
H,d,J=11.7Hz,−CH=),6.83(1H,s,チアゾールH),
7.45(1H,t,J=5.9Hz,NH),9.68(1H,d,J=7.8Hz,NH) 実施例3 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔(Z)−3−(N−アリルカルバモイルオキシ)−1
−プロペニル〕−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリ
ウム塩 製造例4で得られた化合物1mg(0.9mmol)のアニソー
ル3ml溶液に氷冷下トリフルオロ酢酸3mlを滴下し、その
後室温で2時間攪拌した。減圧下濃縮後、濃縮溶液をイ
ソプロピルエーテル20ml、n−ヘキサン80mlの混合液に
滴下し、析出した結晶を濾取した。結晶を90%ギ酸10ml
に加え、室温下3時間攪拌した。減圧下溶媒留去後、残
留物をイソプロピルエーテルで摩砕し結晶を濾取した。
結晶をメタノール20mlに溶かし、酢酸ナトリウム300mg
(5mmol)を加え、減圧下溶媒留去した。粗生成物を2
−プロパノールで摩砕し粗結晶を濾取した。粗結晶をOD
Sカラムクロマトグラフィー(10%水性メタノール)で
精製し、溶出液を減圧下濃縮後、凍結乾燥し、目的化合
物を80mg(0.15mmol,17%)得た。
NMR(D2O−d6)δ: 3.62(2H,ABq,J=17Hz,CH2),3.84(2H,d.J=4.8Hz,N
HCH2),4.55〜4.85(2H,m,CH2),4.87(2H,ABq,J=17.1
Hz,CH2),5.25(1H,dd,J=1.5Hz,10.3Hz,=CH2),5.30
(1H,dd,J=1.5Hz,17.2Hz,=CH2),5.42(1H,d,J=4.7H
z,CH),5.78〜5.87(1H,m,=CH−),5.92〜6.03(1H,m,
−CH=),5.97(1H,d,J=4.7Hz,CH),6.32(1H,d,J=1
1.8Hz,−CH=),7.12(1H,s,チアゾールH) 実施例4 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔(Z)−3−(N−2−アリルカルバモイルオキシ)
−1−プロペニル〕−3−セフェム−4−カルボン酸
ピバロイルオキシメチル 実施例3で得られた化合物50mg(0.09mmol)の乾燥ジ
メチルホルムアミド3ml溶液に氷冷下ヨードメチルピバ
レート24mg(0.1mmol)の乾燥ジメチルホルムアミド0.5
ml溶液を滴下し、30分間攪拌した。反応液に酢酸エチル
を加え水洗、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムを
加え乾燥した。減圧下濃縮し、濃縮溶液をn−ヘキサン
50mlに滴下した。析出した結晶を濾過後乾燥し、目的化
合物を35mg(0.06mmol,61%)得た。
HCH2),4.55〜4.85(2H,m,CH2),4.87(2H,ABq,J=17.1
Hz,CH2),5.25(1H,dd,J=1.5Hz,10.3Hz,=CH2),5.30
(1H,dd,J=1.5Hz,17.2Hz,=CH2),5.42(1H,d,J=4.7H
z,CH),5.78〜5.87(1H,m,=CH−),5.92〜6.03(1H,m,
−CH=),5.97(1H,d,J=4.7Hz,CH),6.32(1H,d,J=1
1.8Hz,−CH=),7.12(1H,s,チアゾールH) 実施例4 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔(Z)−3−(N−2−アリルカルバモイルオキシ)
−1−プロペニル〕−3−セフェム−4−カルボン酸
ピバロイルオキシメチル 実施例3で得られた化合物50mg(0.09mmol)の乾燥ジ
メチルホルムアミド3ml溶液に氷冷下ヨードメチルピバ
レート24mg(0.1mmol)の乾燥ジメチルホルムアミド0.5
ml溶液を滴下し、30分間攪拌した。反応液に酢酸エチル
を加え水洗、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムを
加え乾燥した。減圧下濃縮し、濃縮溶液をn−ヘキサン
50mlに滴下した。析出した結晶を濾過後乾燥し、目的化
合物を35mg(0.06mmol,61%)得た。
NMR(DMSO−d6)δ: 1.15(9H,s,C(CH3)3),3.55〜3.77(4H,m,CH2,C
H2),4.35〜4.65(2H,m,CH2),5.04(1H,dd,J=1.4Hz,1
0.2Hz,=CH2),5.10(1H,dd,J=1.4Hz,17.2Hz,=CH2),
5.25(1H,d,J=5.1Hz,CH),5.60〜5.70(1H,m,−CH
=),5.70〜5.90(4H,m,−CH=,OCH2,CH),6.27(1H,d,
J=11.7Hz,−CH=),6.67(1H,s,チアゾールH)
H2),4.35〜4.65(2H,m,CH2),5.04(1H,dd,J=1.4Hz,1
0.2Hz,=CH2),5.10(1H,dd,J=1.4Hz,17.2Hz,=CH2),
5.25(1H,d,J=5.1Hz,CH),5.60〜5.70(1H,m,−CH
=),5.70〜5.90(4H,m,−CH=,OCH2,CH),6.27(1H,d,
J=11.7Hz,−CH=),6.67(1H,s,チアゾールH)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 内田 淳子 (56)参考文献 特開 昭55−154981(JP,A) 特開 平3−128381(JP,A) 米国特許4094978(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C07D 501/00 - 501/62 A61K 31/00 - 31/80 CA(STN) REGISTRY(STN)
Claims (3)
- 【請求項1】式 (式中、R1は水酸基又は低級アルコキシ基を示す。R2は
カルボキシキル基又は保護基で保護されたカルボキシル
基を示す。R3は低級ハロゲン化アルキル基又は低級アル
ケニル基を示す。)で表されるチアゾリルアセトアミド
−3−セフェム系誘導体又はその医薬として許容される
塩。 - 【請求項2】式 (式中、R2はカルボキシル基又は保護基で保護されたカ
ルボキシル基を示す。R4はアミノ基又は保護基で保護さ
れたアミノ基を示す。R5は水酸基又は保護基で保護され
た水酸基又は低級アルコキシ基を示す。)で表わされる
化合物あるいはそれらの塩と、式R3−N=C=O(ここ
でR3は低級ハロゲン化アルキル基又は低級アルケニル基
を示す。)で表されるイソシアネートと反応させ、必要
によりアミノ基、水酸基又はカルボキシル基の保護基を
離脱することを特徴とする式 (式中、R1は水酸基又は低級アルコキシ基を示す。R2は
カルボキシキル基又は保護基で保護されたカルボキシル
基を示す。R3は低級ハロゲン化アルキル基又は低級アル
ケニル基を示す。)で表されるチアゾリルアセトアミド
−3−セフェム系誘導体又はその医薬として許容される
塩の製造法。 - 【請求項3】式: (式中、R1は水酸基又は低級アルコキシ基を示す。R2は
カルボキシキル基又は保護基で保護されたカルボキシル
基を示す。R3は低級ハロゲン化アルキル基又は低級アル
ケニル基を示す。)で表されるチアゾリルアセトアミド
−3−セフェム系誘導体又はその医薬として許容される
塩からなる抗菌剤。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-265153 | 1989-10-13 | ||
JP26515389 | 1989-10-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH03204884A JPH03204884A (ja) | 1991-09-06 |
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Family
ID=
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