JP3003480B2 - リードフレーム上への絶縁材塗布方法 - Google Patents
リードフレーム上への絶縁材塗布方法Info
- Publication number
- JP3003480B2 JP3003480B2 JP27664993A JP27664993A JP3003480B2 JP 3003480 B2 JP3003480 B2 JP 3003480B2 JP 27664993 A JP27664993 A JP 27664993A JP 27664993 A JP27664993 A JP 27664993A JP 3003480 B2 JP3003480 B2 JP 3003480B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating material
- lead frame
- applying
- lead
- bus bar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームの表面
上に絶縁材を塗布する絶縁材塗布方法に関するものであ
る。
上に絶縁材を塗布する絶縁材塗布方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置に使用されるリード
フレームは、インナリードの前方にタブと呼ばれる部分
を有し、そのタブに半導体素子を載置して固定するよう
に形成されている。タブとインナリードとの間には若干
の隙間が形成されており、半導体素子の電極とインナリ
ードとの結線は、その隙間を跨いでボンディングワイヤ
により行われている。最近、半導体集積回路の大容量化
に伴って半導体素子の寸法が大きくなり、前記隙間を形
成する余裕がなくなると共に、樹脂封入に必要な長さを
インナリードの部分に確保することが困難になってきて
いる。
フレームは、インナリードの前方にタブと呼ばれる部分
を有し、そのタブに半導体素子を載置して固定するよう
に形成されている。タブとインナリードとの間には若干
の隙間が形成されており、半導体素子の電極とインナリ
ードとの結線は、その隙間を跨いでボンディングワイヤ
により行われている。最近、半導体集積回路の大容量化
に伴って半導体素子の寸法が大きくなり、前記隙間を形
成する余裕がなくなると共に、樹脂封入に必要な長さを
インナリードの部分に確保することが困難になってきて
いる。
【０００３】このような問題を解決するために、タブを
省略し、インナリードに絶縁フィルムを介して半導体素
子を固定するようになってきている。図６は、半導体装
置の一例を示す断面図であり、この図において符号１
は、リードフレームである。このリードフレーム１は、
インナリード２とバスバ３とを有するものである。バス
バ３は、電源供給や接地を容易かつ安定にするために、
インナリード２の前方（半導体チップ側）に配設されて
いる。インナリード２およびバスバ３の下面には、絶縁
フィルム４を介して半導体素子５が取り付けられてい
る。半導体素子５の上面には、複数の電極が形成されて
いる。これらの電極と、インナリード２およびバスバ３
とには、それぞれボンディングワイヤ６の端部が固着さ
れ接続されている。
省略し、インナリードに絶縁フィルムを介して半導体素
子を固定するようになってきている。図６は、半導体装
置の一例を示す断面図であり、この図において符号１
は、リードフレームである。このリードフレーム１は、
インナリード２とバスバ３とを有するものである。バス
バ３は、電源供給や接地を容易かつ安定にするために、
インナリード２の前方（半導体チップ側）に配設されて
いる。インナリード２およびバスバ３の下面には、絶縁
フィルム４を介して半導体素子５が取り付けられてい
る。半導体素子５の上面には、複数の電極が形成されて
いる。これらの電極と、インナリード２およびバスバ３
とには、それぞれボンディングワイヤ６の端部が固着さ
れ接続されている。
【０００４】このようなリ−ドフレーム１を使用した半
導体装置は、インナリード２と半導体素子５とを接続す
るボンディングワイヤ６が、バスバ３に接触する事が考
えられる。この短絡を防止するために、バスバ３表面に
は絶縁材７が配置されている。この絶縁材７の形状とし
ては、バスバ３の幅方向端部まで厚いことが機能上必要
である。絶縁材７としては、例えば絶縁性の高い接着剤
が好適に用いられる。この絶縁材７は、塗布時には溶剤
と混合してワニス状として使用されるものである。
導体装置は、インナリード２と半導体素子５とを接続す
るボンディングワイヤ６が、バスバ３に接触する事が考
えられる。この短絡を防止するために、バスバ３表面に
は絶縁材７が配置されている。この絶縁材７の形状とし
ては、バスバ３の幅方向端部まで厚いことが機能上必要
である。絶縁材７としては、例えば絶縁性の高い接着剤
が好適に用いられる。この絶縁材７は、塗布時には溶剤
と混合してワニス状として使用されるものである。
【０００５】前記絶縁材７をバスバ３上に形成する方法
としては、溶媒と混合してワニス状とした絶縁材をシリ
ンダに入れ、Ｘ，Ｙ，Ｚの３方向に動作可能なロボット
に前記シリンダを保持させ、ディスペンサにより絶縁を
必要とするバスバ３表面にワニス状絶縁材を吐出して塗
布し、その後乾燥のために搬送し、ホットプレートでワ
ニス状絶縁性接着剤に含まれる溶媒を蒸発させる方法な
どがある。
としては、溶媒と混合してワニス状とした絶縁材をシリ
ンダに入れ、Ｘ，Ｙ，Ｚの３方向に動作可能なロボット
に前記シリンダを保持させ、ディスペンサにより絶縁を
必要とするバスバ３表面にワニス状絶縁材を吐出して塗
布し、その後乾燥のために搬送し、ホットプレートでワ
ニス状絶縁性接着剤に含まれる溶媒を蒸発させる方法な
どがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のような絶縁材の
塗布方法においては、ワニス状絶縁材をリードフレーム
表面に塗布した後、乾燥工程に移送するので、ワニス状
絶縁材がこぼれてしまうことがある。このため、比較的
少ない量のワニス状絶縁材をリードフレーム上に塗布し
ていた。このような比較的少量の絶縁材塗布で、ボンデ
ィングワイヤとインナリードの絶縁材塗布面との絶縁を
十分なものとするのは困難であるという問題あった。ま
た、ワニス状絶縁材は絶縁材より多量、例えば２倍の溶
剤を含んでいるものであるので、常温雰囲気でワニス状
絶縁材の塗布を行う場合には、乾燥工程で蒸発してしま
う溶媒分もこぼれないように塗布しなければならず、絶
縁材を厚くすることが困難であるという問題があった。
塗布方法においては、ワニス状絶縁材をリードフレーム
表面に塗布した後、乾燥工程に移送するので、ワニス状
絶縁材がこぼれてしまうことがある。このため、比較的
少ない量のワニス状絶縁材をリードフレーム上に塗布し
ていた。このような比較的少量の絶縁材塗布で、ボンデ
ィングワイヤとインナリードの絶縁材塗布面との絶縁を
十分なものとするのは困難であるという問題あった。ま
た、ワニス状絶縁材は絶縁材より多量、例えば２倍の溶
剤を含んでいるものであるので、常温雰囲気でワニス状
絶縁材の塗布を行う場合には、乾燥工程で蒸発してしま
う溶媒分もこぼれないように塗布しなければならず、絶
縁材を厚くすることが困難であるという問題があった。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、その目的は、絶縁材のこぼれがなく乾燥が容易で
あり、リードフレーム表面に絶縁材を短時間で塗布、乾
燥することができ、絶縁材の厚膜化が可能な、リードフ
レーム上への絶縁材塗布方法を提供することである。
あり、その目的は、絶縁材のこぼれがなく乾燥が容易で
あり、リードフレーム表面に絶縁材を短時間で塗布、乾
燥することができ、絶縁材の厚膜化が可能な、リードフ
レーム上への絶縁材塗布方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の態様の縁材塗布方法は、半導体装置
に使用するリードフレームにおいて、リードフレーム表
面への絶縁材の塗布に際し、予めリードフレームを加熱
し、前記リードフームの表面にワニス状の絶縁材を塗布
することを特徴としている。
め、本発明の第１の態様の縁材塗布方法は、半導体装置
に使用するリードフレームにおいて、リードフレーム表
面への絶縁材の塗布に際し、予めリードフレームを加熱
し、前記リードフームの表面にワニス状の絶縁材を塗布
することを特徴としている。
【０００９】上記目的を達成するため、本発明の第２の
態様の縁材塗布方法は、半導体装置に使用するリードフ
レームにおいて、リードフレーム表面への絶縁材の塗布
に際し、常温においては流動性のない熱可塑性の絶縁材
を用い、予めリードフレームを前記絶縁材の軟化温度以
上に加熱し、このリードフレームの表面に前記絶縁材を
接触させることを特徴としている。
態様の縁材塗布方法は、半導体装置に使用するリードフ
レームにおいて、リードフレーム表面への絶縁材の塗布
に際し、常温においては流動性のない熱可塑性の絶縁材
を用い、予めリードフレームを前記絶縁材の軟化温度以
上に加熱し、このリードフレームの表面に前記絶縁材を
接触させることを特徴としている。
【００１０】
【発明の作用】本発明の第１の態様のリードフレーム上
への絶縁材塗布方法によれば、予め常温以上に温度を上
げたリードフレームの、絶縁を必要とするリード表面
に、溶媒を乾燥させながらワニス材絶縁材を塗布する。
への絶縁材塗布方法によれば、予め常温以上に温度を上
げたリードフレームの、絶縁を必要とするリード表面
に、溶媒を乾燥させながらワニス材絶縁材を塗布する。
【００１１】本発明の第２の態様のリードフレーム上へ
の絶縁材塗布方法によれば、予め絶縁材の軟化温度以上
に温度を上げたリードフレームの、絶縁を必要とするリ
ード表面に、固形状または半固形状の熱可塑性の絶縁材
を接触させることにより、絶縁材を溶かしてリード上に
塗布する。
の絶縁材塗布方法によれば、予め絶縁材の軟化温度以上
に温度を上げたリードフレームの、絶縁を必要とするリ
ード表面に、固形状または半固形状の熱可塑性の絶縁材
を接触させることにより、絶縁材を溶かしてリード上に
塗布する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係るリードフレーム上への絶
縁材塗布方法を添付の図面に示す好適実施例に基づいて
詳細に説明する。
縁材塗布方法を添付の図面に示す好適実施例に基づいて
詳細に説明する。
【００１３】図６は、本発明の方法により製造される半
導体装置の一例を示す断面図であり、この図において符
号１は、リードフレームである。このリードフレーム１
は、インナリード２とバスバ３とを有するものである。
インナリード２およびバスバ３の下面には、絶縁フィル
ム４を介して半導体素子５が取り付けられている。バス
バ３は、電源供給や接地を容易かつ安定にするために、
インナリード２の前方（半導体チップ５側）に配設され
ている。半導体素子５の上面には、複数の電極が形成さ
れており、これらの電極と、インナリード２およびバス
バ３とには、それぞれボンディングワイヤ６の端部が固
着され接続されている。そして、バスバ３表面には、絶
縁材７が配置されている。
導体装置の一例を示す断面図であり、この図において符
号１は、リードフレームである。このリードフレーム１
は、インナリード２とバスバ３とを有するものである。
インナリード２およびバスバ３の下面には、絶縁フィル
ム４を介して半導体素子５が取り付けられている。バス
バ３は、電源供給や接地を容易かつ安定にするために、
インナリード２の前方（半導体チップ５側）に配設され
ている。半導体素子５の上面には、複数の電極が形成さ
れており、これらの電極と、インナリード２およびバス
バ３とには、それぞれボンディングワイヤ６の端部が固
着され接続されている。そして、バスバ３表面には、絶
縁材７が配置されている。
【００１４】図１ないし図３は、本発明の第１の態様の
リードフレーム上への絶縁材塗布方法の一例を説明する
ための断面図である。
リードフレーム上への絶縁材塗布方法の一例を説明する
ための断面図である。
【００１５】塗布工程に先立ち、図１に示すように絶縁
フィルム１４上にインナリード１２およびバスバ１３を
有するリードフレーム１１が形成されている。そして、
図１に示すように前記リードフレーム１１を、予熱ヒー
タ１８上に搬送し予備加熱する。ここで、この予熱ヒー
タ１８の温度は、バスバ１３の絶縁材塗布部１３ａを、
絶縁材１７が発泡を生じない温度に設定されている。
フィルム１４上にインナリード１２およびバスバ１３を
有するリードフレーム１１が形成されている。そして、
図１に示すように前記リードフレーム１１を、予熱ヒー
タ１８上に搬送し予備加熱する。ここで、この予熱ヒー
タ１８の温度は、バスバ１３の絶縁材塗布部１３ａを、
絶縁材１７が発泡を生じない温度に設定されている。
【００１６】加熱後、図２に示すように、中空のニード
ル１９の先端を前記塗布部１３ａ上方に近接させ、塗布
部１３ａに所定量の絶縁材を吐出させる。前記ニードル
１９は、中空であり、その上部から所定量の絶縁材が供
給されるものである。そして、ニードル１９から塗布部
１３ａへ吐出された絶縁材は、リードフレーム１１の熱
により直ちに絶縁材中の溶媒の蒸発が始まる。塗布後、
図３に示すように、別ステージの乾燥用ヒータ２０上に
搬送し、溶媒の蒸発を十分に行う。上記の操作により、
バスバ１３上に、ボンディングワイヤ１６との接触を防
止するための絶縁材１５が形成される。
ル１９の先端を前記塗布部１３ａ上方に近接させ、塗布
部１３ａに所定量の絶縁材を吐出させる。前記ニードル
１９は、中空であり、その上部から所定量の絶縁材が供
給されるものである。そして、ニードル１９から塗布部
１３ａへ吐出された絶縁材は、リードフレーム１１の熱
により直ちに絶縁材中の溶媒の蒸発が始まる。塗布後、
図３に示すように、別ステージの乾燥用ヒータ２０上に
搬送し、溶媒の蒸発を十分に行う。上記の操作により、
バスバ１３上に、ボンディングワイヤ１６との接触を防
止するための絶縁材１５が形成される。
【００１７】上記のような絶縁材塗布方法によれば、絶
縁材１７がリードフレーム１１に載ると直ちに溶媒の蒸
発が始まり、乾燥用ヒータ２０による乾燥が短時間とな
るため、生産効率を向上させることができる。また、搬
送する途中での絶縁材のこぼれの心配がなくなり、塗布
不足の起こり得ない十分な量の絶縁材を塗布することが
できるので、歩留りが向上するとともに、絶縁部材の厚
膜化が可能となる。そのため、半導体装置に組み立てた
ときの信頼性の向上が可能となる。本発明の第１の態様
のリードフレーム上への絶縁材塗布方法は、基本的に以
上のように構成される。
縁材１７がリードフレーム１１に載ると直ちに溶媒の蒸
発が始まり、乾燥用ヒータ２０による乾燥が短時間とな
るため、生産効率を向上させることができる。また、搬
送する途中での絶縁材のこぼれの心配がなくなり、塗布
不足の起こり得ない十分な量の絶縁材を塗布することが
できるので、歩留りが向上するとともに、絶縁部材の厚
膜化が可能となる。そのため、半導体装置に組み立てた
ときの信頼性の向上が可能となる。本発明の第１の態様
のリードフレーム上への絶縁材塗布方法は、基本的に以
上のように構成される。
【００１８】次に、本発明の第２の態様のリードフレー
ム上への絶縁材塗布方法を図４および図５に基づいて詳
細に説明する。
ム上への絶縁材塗布方法を図４および図５に基づいて詳
細に説明する。
【００１９】塗布工程に先立ち、図４に示すように絶縁
フィルム２４上にインナリード２２およびバスバ２３を
有するリードフレーム２１が形成されている。そして、
図４に示すように、下面に絶縁フィルム２４が貼着され
たリードフレーム２１をヒータ２８上に搬送し加熱す
る。ここで、このヒータ２８は、リードフレーム２１の
塗布部２３ａを絶縁材２７の軟化温度以上にするもので
ある。加熱が十分なされた後に、図５に示すように、塗
布部２３ａに棒状絶縁材２９を接触させる。棒状絶縁材
２９は、絶縁材２７を形成するためのもので、熱可塑性
があり加熱されたリードフレーム２１に接触する前は固
形のものである。絶縁材２９としては、例えばポリアミ
ドイミド系が用いられ、この絶縁材２９には溶媒が殆ど
あるいは全く含まれていない。すなわち、この棒状絶縁
材２９は、加熱された塗布部２３ａにその先端が接触す
ると、所定量が軟化し液状となり、塗布部２３ａを被覆
し、その後塗布部２３ａが低温化するとともに固化する
ものである。
フィルム２４上にインナリード２２およびバスバ２３を
有するリードフレーム２１が形成されている。そして、
図４に示すように、下面に絶縁フィルム２４が貼着され
たリードフレーム２１をヒータ２８上に搬送し加熱す
る。ここで、このヒータ２８は、リードフレーム２１の
塗布部２３ａを絶縁材２７の軟化温度以上にするもので
ある。加熱が十分なされた後に、図５に示すように、塗
布部２３ａに棒状絶縁材２９を接触させる。棒状絶縁材
２９は、絶縁材２７を形成するためのもので、熱可塑性
があり加熱されたリードフレーム２１に接触する前は固
形のものである。絶縁材２９としては、例えばポリアミ
ドイミド系が用いられ、この絶縁材２９には溶媒が殆ど
あるいは全く含まれていない。すなわち、この棒状絶縁
材２９は、加熱された塗布部２３ａにその先端が接触す
ると、所定量が軟化し液状となり、塗布部２３ａを被覆
し、その後塗布部２３ａが低温化するとともに固化する
ものである。
【００２０】上記のような絶縁材塗布方法によれば、リ
ードフレーム２１が棒状絶縁材２９と接触後に常温とな
ると絶縁材２７が形成されるため、塗布後の乾燥工程を
必要としない。また、絶縁材２７が所定塗布部以外に流
れてしまうことがないので、絶縁材２７の膜厚を、従来
の膜厚の２倍ないし４倍とすることができる。そのた
め、信頼性の向上に貢献することがでる。また、絶縁材
２９には溶媒が殆どあるいは全く含まれていないので、
雰囲気を良好に保つことが容易になる。
ードフレーム２１が棒状絶縁材２９と接触後に常温とな
ると絶縁材２７が形成されるため、塗布後の乾燥工程を
必要としない。また、絶縁材２７が所定塗布部以外に流
れてしまうことがないので、絶縁材２７の膜厚を、従来
の膜厚の２倍ないし４倍とすることができる。そのた
め、信頼性の向上に貢献することがでる。また、絶縁材
２９には溶媒が殆どあるいは全く含まれていないので、
雰囲気を良好に保つことが容易になる。
【００２１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明第１
の態様のリードフレーム上への絶縁材塗布方法によれ
ば、予めリードフレームを加熱し、前記リードフレーム
の表面にワニス状の絶縁材を塗布するので、絶縁材がリ
ードフレームに載置されると直ちに溶媒の蒸発が始ま
り、絶縁材が乾燥し固着する時間が短縮される。そのた
め、生産性を向上させることができる。また、搬送する
途中での絶縁材のこぼれの心配がなく、歩留りを向上さ
せることができる。また、絶縁部材の厚膜化が可能とな
るため、ボンディングワイヤとリードフレームのインナ
リードとの短絡を防止でき、半導体装置に組み立てたと
きの信頼性の向上が可能となる。
の態様のリードフレーム上への絶縁材塗布方法によれ
ば、予めリードフレームを加熱し、前記リードフレーム
の表面にワニス状の絶縁材を塗布するので、絶縁材がリ
ードフレームに載置されると直ちに溶媒の蒸発が始ま
り、絶縁材が乾燥し固着する時間が短縮される。そのた
め、生産性を向上させることができる。また、搬送する
途中での絶縁材のこぼれの心配がなく、歩留りを向上さ
せることができる。また、絶縁部材の厚膜化が可能とな
るため、ボンディングワイヤとリードフレームのインナ
リードとの短絡を防止でき、半導体装置に組み立てたと
きの信頼性の向上が可能となる。
【００２２】本発明の第２の態様のリードフレーム上へ
の絶縁材塗布方法によれば、常温においては流動性のな
い熱可塑性の絶縁材を、予め加熱したリードフレームの
表面に接触させて塗布するので、接触塗布後にリードフ
レームが常温となると絶縁材が固化し、絶縁材塗布後の
乾燥工程を必要としない。また、絶縁部材の厚膜化が容
易であり、かつまた、ワイヤボンディング部と隣接した
位置においてもワイヤボンディング部に絶縁材が流れて
しまうことがないので、ボンディングワイヤとリードフ
レームのインナリードとの短絡を防止でき、半導体装置
に組み立てたときの信頼性の向上が可能となる。
の絶縁材塗布方法によれば、常温においては流動性のな
い熱可塑性の絶縁材を、予め加熱したリードフレームの
表面に接触させて塗布するので、接触塗布後にリードフ
レームが常温となると絶縁材が固化し、絶縁材塗布後の
乾燥工程を必要としない。また、絶縁部材の厚膜化が容
易であり、かつまた、ワイヤボンディング部と隣接した
位置においてもワイヤボンディング部に絶縁材が流れて
しまうことがないので、ボンディングワイヤとリードフ
レームのインナリードとの短絡を防止でき、半導体装置
に組み立てたときの信頼性の向上が可能となる。
【図１】 本発明に係る絶縁材塗布方法を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図２】 本発明に係る絶縁材塗布方法を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図３】 本発明に係る絶縁材塗布方法を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図４】 本発明に係る絶縁材塗布方法を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図５】 本発明に係る絶縁材塗布方法を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図６】 本発明に係る絶縁材塗布方法により製造され
るリードフレームの一例を示す断面図である。
るリードフレームの一例を示す断面図である。
１，１１，２１ リードフレーム ２，１２，２２ インナリード ３，１３，２３ バスバ １３ａ，２３ａ 塗布部 ４，１４，２４ 絶縁フィルム ５ 半導体素子 ６ ボンディングワイヤ ７，１７，２７ 絶縁材 １８ 予熱ヒータ １９ ニードル ２０ 乾燥用ヒータ ２８ ヒータ ２９ 棒状絶縁材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小 山 秀 幸 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 システムマテリアル研究所 内 (72)発明者 川 村 敏 雄 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日 立電線株式会社 電線工場内 (56)参考文献 特開 平５−206363（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (2)
- 【請求項１】半導体装置に使用するリードフレームにお
いて、 リードフレーム表面への絶縁材の塗布に際し、予めリー
ドフレームを加熱し、前記リードフームの表面にワニス
状の絶縁材を塗布することを特徴とするリードフレーム
上への絶縁材塗布方法。 - 【請求項２】半導体装置に使用するリードフレームにお
いて、 リードフレーム表面への絶縁材の塗布に際し、常温にお
いては流動性のない熱可塑性の絶縁材を用い、予めリー
ドフレームを前記絶縁材の軟化温度以上に加熱し、この
リードフレームの表面に前記絶縁材を接触させることを
特徴とするリードフレーム上への絶縁材塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27664993A JP3003480B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | リードフレーム上への絶縁材塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27664993A JP3003480B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | リードフレーム上への絶縁材塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130942A JPH07130942A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3003480B2 true JP3003480B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=17572400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27664993A Expired - Fee Related JP3003480B2 (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | リードフレーム上への絶縁材塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3003480B2 (ja) |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP27664993A patent/JP3003480B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07130942A (ja) | 1995-05-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100539091C (zh) | 晶片封装结构 | |
| JPH11176887A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US20010015286A1 (en) | Method of surface- mounting electronic components | |
| US6268646B1 (en) | Lead frame for lead on chip | |
| JP3003480B2 (ja) | リードフレーム上への絶縁材塗布方法 | |
| US5916407A (en) | Process for producing an electrically conductive connection | |
| JPS608426Y2 (ja) | 半導体ウエハ−の保持基板 | |
| US20020058357A1 (en) | Die attaching method | |
| JPH11135714A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08236578A (ja) | 半導体素子のフリップチップ実装方法およびこの実装方 法に用いられる接着剤 | |
| US7008493B2 (en) | Method for applying a semiconductor chip to a carrier element | |
| JPS60160624A (ja) | 半導体チツプの絶縁分離方法 | |
| JP2998484B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH05290946A (ja) | 電子部品実装方法 | |
| JP3306981B2 (ja) | 半導体装置用リードフレームへの接着剤塗布方法 | |
| JPH08162599A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4225183B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05243287A (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH05206363A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2574799B2 (ja) | 電気的接合用シ−ト | |
| JP3298420B2 (ja) | リードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法 | |
| JP2682556B2 (ja) | フラットケーブルの製造方法 | |
| JPH05174944A (ja) | 導電性フィルム上に形成される電極とリード線との接続方法 | |
| JPH0440277Y2 (ja) | ||
| JP2732991B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991019 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |