JPH08162599A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ＩＣ用リードフレームにより配
線される半導体装置の製造方法に関し、半導体チップと
外部リードのクロス配線が容易に可能な方法を得る。 【構成】 リードフレーム１の第１のリード８ａと第
１のリード８ａと異なる第２のリード８ｂとに、導電膜
３上に異方性導電接着剤４を塗布してなるクロス配線用
テープ５を加熱加圧して、リードフレーム１と導電膜３
とを配線接合部で導通させる。また、クロス配線用テー
プ５は耐熱温度が２５０℃以上であり、更に、異方性導
電接着材４の表面が凹凸状に処理されている。
線される半導体装置の製造方法に関し、半導体チップと
外部リードのクロス配線が容易に可能な方法を得る。 【構成】 リードフレーム１の第１のリード８ａと第
１のリード８ａと異なる第２のリード８ｂとに、導電膜
３上に異方性導電接着剤４を塗布してなるクロス配線用
テープ５を加熱加圧して、リードフレーム１と導電膜３
とを配線接合部で導通させる。また、クロス配線用テー
プ５は耐熱温度が２５０℃以上であり、更に、異方性導
電接着材４の表面が凹凸状に処理されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ用リードフレーム
により配線される半導体装置の製造方法、特にリードと
半導体チップの電極パッドとのワイヤ接続がクロス配線
（立体配線）となる場合に関する。
により配線される半導体装置の製造方法、特にリードと
半導体チップの電極パッドとのワイヤ接続がクロス配線
（立体配線）となる場合に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来例の説明図である。図におい
て、１はリードフレーム、８はリード、９はステージ、
10は半導体チップ、11は電極パッド、12はワイヤであ
る。
て、１はリードフレーム、８はリード、９はステージ、
10は半導体チップ、11は電極パッド、12はワイヤであ
る。
【０００３】従来のＩＣ用リードフレームによる半導体
チップの配線方法を図５（ａ）に示す。リードフレーム
１のリード８から半導体チップ10の電極パッド11に配線
されるワイヤ12が、半導体チップ10の電極パッド11にボ
ンディング可能な位置まで引き回される。
チップの配線方法を図５（ａ）に示す。リードフレーム
１のリード８から半導体チップ10の電極パッド11に配線
されるワイヤ12が、半導体チップ10の電極パッド11にボ
ンディング可能な位置まで引き回される。
【０００４】また、電源用配線のバスバーを有する半導
体チップにおいても、図５（ｂ）に示すように、バスバ
ー15上を多数のワイヤ12が交差するといった同様な問題
がある。
体チップにおいても、図５（ｂ）に示すように、バスバ
ー15上を多数のワイヤ12が交差するといった同様な問題
がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図５に示すような従来
の方法では、半導体チップの電極パッドと半導体装置の
外部端子となるリードとはワイヤによって配線接続され
る。
の方法では、半導体チップの電極パッドと半導体装置の
外部端子となるリードとはワイヤによって配線接続され
る。
【０００６】この場合、外部端子の機能はチップ電極部
の機能とほぼ同じような順序でレイアウトする必要があ
る。但し、同一機能の半導体チップ電極から隣接しない
外部端子にワイヤを配線する場合にはリードの引き回し
が構造上困難であった。
の機能とほぼ同じような順序でレイアウトする必要があ
る。但し、同一機能の半導体チップ電極から隣接しない
外部端子にワイヤを配線する場合にはリードの引き回し
が構造上困難であった。
【０００７】以上の問題点に鑑み、本発明は、半導体チ
ップとリードとのクロス配線が容易に可能な方法を得る
ことを目的とする。
ップとリードとのクロス配線が容易に可能な方法を得る
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において、１はリードフレーム、２はクロ
ス配線接合部、３は導電膜、４は異方性導電接着剤、５
はクロス配線用テープ、６は熱硬化性または熱可塑性樹
脂、７は導電性粒子、８はリード、８ａは第１のリー
ド、８ｂは第２のリード、９はステージ、10は半導体チ
ップである。
図である。図において、１はリードフレーム、２はクロ
ス配線接合部、３は導電膜、４は異方性導電接着剤、５
はクロス配線用テープ、６は熱硬化性または熱可塑性樹
脂、７は導電性粒子、８はリード、８ａは第１のリー
ド、８ｂは第２のリード、９はステージ、10は半導体チ
ップである。
【０００９】上記の問題点を解決する手段として、図１
（ａ）に示すように、リードフレームの連結接続するリ
ード端子上に異方性導電接着剤を塗布したテープを貼り
付け、配線の必要な箇所を加圧して配線接続を行う。
（ａ）に示すように、リードフレームの連結接続するリ
ード端子上に異方性導電接着剤を塗布したテープを貼り
付け、配線の必要な箇所を加圧して配線接続を行う。
【００１０】このように、二次的にクロス配線用の材料
となるテープを用いることで、交差した任意の配線接続
が可能となる。すなわち、本発明の目的は図１に示すよ
うに、リードフレーム１の第１のリード８ａと第１のリ
ード８ａと異なる第２のリード８ｂとに、導電膜３上に
異方性導電接着剤４を塗布してなるクロス配線用テープ
を配置し、リードフレーム１のクロス配線接合部２に、
クロス配線接合部２上の異方性導電接着剤４のみを加熱
加圧して、リードフレーム１と導電膜３とをクロス配線
接合部２で導通させることにより達成される。
となるテープを用いることで、交差した任意の配線接続
が可能となる。すなわち、本発明の目的は図１に示すよ
うに、リードフレーム１の第１のリード８ａと第１のリ
ード８ａと異なる第２のリード８ｂとに、導電膜３上に
異方性導電接着剤４を塗布してなるクロス配線用テープ
を配置し、リードフレーム１のクロス配線接合部２に、
クロス配線接合部２上の異方性導電接着剤４のみを加熱
加圧して、リードフレーム１と導電膜３とをクロス配線
接合部２で導通させることにより達成される。
【００１１】また、クロス配線用テープは耐熱温度が２
５０℃以上であることにより、更に、異方性導電接着材
表面が凹凸状に処理されていることにより達成される。
５０℃以上であることにより、更に、異方性導電接着材
表面が凹凸状に処理されていることにより達成される。
【００１２】
【作用】本発明においては、図１に示すような、リドフ
レーム上に立体交差したような配線が出来る異方性導電
接着剤を塗布したテープを用いるため、半導体チップの
電極と外部端子となるリードフレームの位置が離れた場
所にあっても容易に配線が可能となる。
レーム上に立体交差したような配線が出来る異方性導電
接着剤を塗布したテープを用いるため、半導体チップの
電極と外部端子となるリードフレームの位置が離れた場
所にあっても容易に配線が可能となる。
【００１３】
【実施例】図２〜図４は本発明の三つの実施例の説明図
である。図において、１はリードフレーム、２はクロス
配線接合部、３は導電膜、４は異方性導電接着剤、５は
クロス配線用テープ、６は熱硬化性または熱可塑性樹
脂、７は導電性粒子、８はリード、９はステージ、10は
半導体チップ、11は電極パッド、12はワイヤ、13は第１
のパッケージ、14は第２のパッケージ、15はバスバーで
ある。
である。図において、１はリードフレーム、２はクロス
配線接合部、３は導電膜、４は異方性導電接着剤、５は
クロス配線用テープ、６は熱硬化性または熱可塑性樹
脂、７は導電性粒子、８はリード、９はステージ、10は
半導体チップ、11は電極パッド、12はワイヤ、13は第１
のパッケージ、14は第２のパッケージ、15はバスバーで
ある。
【００１４】第１の実施例では、図２に示すように、半
導体チップ10の回路面にはAl等の電極パッド11がある。
半導体チップ10は基体となるリードフレーム１のステー
ジ９にダイス付けされており、その周辺には外部端子と
なるリード８が引き回されている。半導体チップ10をダ
イス付け後、金線等のワイヤ12により電極パッド11とリ
ードフレーム１のリード８との配線接続を行う。
導体チップ10の回路面にはAl等の電極パッド11がある。
半導体チップ10は基体となるリードフレーム１のステー
ジ９にダイス付けされており、その周辺には外部端子と
なるリード８が引き回されている。半導体チップ10をダ
イス付け後、金線等のワイヤ12により電極パッド11とリ
ードフレーム１のリード８との配線接続を行う。
【００１５】この際、配線接続は半導体装置の外部端子
となるリード８の機能が決められている。図２の場合、
電極パッド11の番を外部端子となるリード８の番と
接続する例を示すが、半導体チップ10の電極パッド11の
番とリード８の番との距離が離れているため、リー
ド８の引き回しは他のリード８と交差するため困難であ
り、またワイヤ12による長ループ配線も不可能である。
となるリード８の機能が決められている。図２の場合、
電極パッド11の番を外部端子となるリード８の番と
接続する例を示すが、半導体チップ10の電極パッド11の
番とリード８の番との距離が離れているため、リー
ド８の引き回しは他のリード８と交差するため困難であ
り、またワイヤ12による長ループ配線も不可能である。
【００１６】そこで、本発明であるクロス配線用テープ
５を電極パッド11の番に隣接するリード８の番から
リード８の番に掛けてリード８上に交差して貼り付け
る。本実施例では、クロス配線用テープ５の接着を良く
するために、異方性導電接着剤の表面に微細な、高さ２
０μｍ程度で大きさが５０μｍ程度の凹凸を設けて行っ
た。そして樹脂も熱可塑性のものを用いた。
５を電極パッド11の番に隣接するリード８の番から
リード８の番に掛けてリード８上に交差して貼り付け
る。本実施例では、クロス配線用テープ５の接着を良く
するために、異方性導電接着剤の表面に微細な、高さ２
０μｍ程度で大きさが５０μｍ程度の凹凸を設けて行っ
た。そして樹脂も熱可塑性のものを用いた。
【００１７】また、本実施例に用いたクロス配線用テー
プ５の導電膜３は銅箔に酸化防止用のクロム膜をコーテ
ィングしたもので、塗布されている異方性導電接着剤に
はハイソール社製のＴＧ−９０２０Ｒを用いた。クロス
配線用テープ５の形状は巾０．５ｍｍ：厚さ６０μｍで
接着剤の厚さは約１０μｍである。
プ５の導電膜３は銅箔に酸化防止用のクロム膜をコーテ
ィングしたもので、塗布されている異方性導電接着剤に
はハイソール社製のＴＧ−９０２０Ｒを用いた。クロス
配線用テープ５の形状は巾０．５ｍｍ：厚さ６０μｍで
接着剤の厚さは約１０μｍである。
【００１８】そしてクロス配線用テープ５のクロス配線
接合部２の接着条件は１９０℃の加熱で１０ｋｇ／ｃｍ
2 の加圧を１分間行った。これにより、電極パッド11の
番とリード８の番の配線が行われた。
接合部２の接着条件は１９０℃の加熱で１０ｋｇ／ｃｍ
2 の加圧を１分間行った。これにより、電極パッド11の
番とリード８の番の配線が行われた。
【００１９】図１（ａ）に示したように、クロス配線用
テープ５には加熱加圧しなければ絶縁膜である異方性導
電接着剤４が塗布されているため、電気的に接続されて
いるのはリード８の番と番のみであり、他のリード
８、すなわち番、番のリード８への短絡は起こらな
い。
テープ５には加熱加圧しなければ絶縁膜である異方性導
電接着剤４が塗布されているため、電気的に接続されて
いるのはリード８の番と番のみであり、他のリード
８、すなわち番、番のリード８への短絡は起こらな
い。
【００２０】上記のように、半導体装置の外部端子の機
能に変更があった場合でもクロス配線用テープにより容
易に組立て配線の対応が可能となる。次に、本発明の第
二の実施例について説明する。複数のパッケージを積み
重ねる場合、近年の高密度の要求によりパッケージを積
み重ねる技術が開発されている（特開昭５６−６２３５
０）が、この場合外部端子の機能としてアドレス端子等
のリード８は共通端子に出来るが、パッケージの数に伴
ってチップセレクトの端子（ＣＳ）だけは個別に配線し
ないと動作制御が不可能となる。
能に変更があった場合でもクロス配線用テープにより容
易に組立て配線の対応が可能となる。次に、本発明の第
二の実施例について説明する。複数のパッケージを積み
重ねる場合、近年の高密度の要求によりパッケージを積
み重ねる技術が開発されている（特開昭５６−６２３５
０）が、この場合外部端子の機能としてアドレス端子等
のリード８は共通端子に出来るが、パッケージの数に伴
ってチップセレクトの端子（ＣＳ）だけは個別に配線し
ないと動作制御が不可能となる。
【００２１】この際、チップセレクト端子（ＣＳ）は２
パッケージの場合、最低２箇所必要となるが、図３に示
すように、外部端子となるリード８が隣接していなくて
もクロス配線用テープ５を用いて一つの電源から任意の
リード８、すなわち第１のパッケージ13のリード８の
番、及び第２のパッケージ14のリード８の番からそれ
ぞれのＣＳ端子への電気的接続が可能となる。
パッケージの場合、最低２箇所必要となるが、図３に示
すように、外部端子となるリード８が隣接していなくて
もクロス配線用テープ５を用いて一つの電源から任意の
リード８、すなわち第１のパッケージ13のリード８の
番、及び第２のパッケージ14のリード８の番からそれ
ぞれのＣＳ端子への電気的接続が可能となる。
【００２２】更に、本発明の第三の実施例について説明
する。近年の半導体メモリにおいては、高速化、高密度
化の目的で半導体チップの配線レイアウトも変化してい
る。図５（ｂ）に組立て配線後の半導体チップ10を示
す。これまで従来の半導体チップ10の周辺に位置してい
たAlの電極パッド11が、最近では図４に示すように、半
導体チップ10の中央に一列に配置されている。また電源
端子となるＶＣＣとＶＳＳは複数存在し、回路の駆動効
率を高める。
する。近年の半導体メモリにおいては、高速化、高密度
化の目的で半導体チップの配線レイアウトも変化してい
る。図５（ｂ）に組立て配線後の半導体チップ10を示
す。これまで従来の半導体チップ10の周辺に位置してい
たAlの電極パッド11が、最近では図４に示すように、半
導体チップ10の中央に一列に配置されている。また電源
端子となるＶＣＣとＶＳＳは複数存在し、回路の駆動効
率を高める。
【００２３】この様な半導体チップ10の組立てにおいて
は、ＬＯＣ（Lead On Chip) と呼ばれる構造が一般的
で、図４に示すように、外部端子となるリード８は半導
体チップ10上に存在し、電源端子を共通化するためにバ
スバー15と呼ばれる半導体チップ10の長辺方向に長く伸
びたリードが存在する。
は、ＬＯＣ（Lead On Chip) と呼ばれる構造が一般的
で、図４に示すように、外部端子となるリード８は半導
体チップ10上に存在し、電源端子を共通化するためにバ
スバー15と呼ばれる半導体チップ10の長辺方向に長く伸
びたリードが存在する。
【００２４】上述した従来のバスバー構造の場合、第１
に電極パッド11とリード８とのワイヤ配線時のバスバー
15との短絡や、第２にトランスファーモールド時のバス
バー15の変形等が問題となる。
に電極パッド11とリード８とのワイヤ配線時のバスバー
15との短絡や、第２にトランスファーモールド時のバス
バー15の変形等が問題となる。
【００２５】本発明の実施例を図４に示すが、従来独立
していたバスバー15を導電膜３上に塗布した異方性導電
接着剤４によるクロス配線用テープ５の形態にし、リー
ド８上に貼り付けることで第一と第二の問題が解決出来
る。またクロス配線用テープ５はリードフレーム１の製
造段階で貼りつけられているため、半導体の組立て工程
は従来工程で対応出来るメリットがある。
していたバスバー15を導電膜３上に塗布した異方性導電
接着剤４によるクロス配線用テープ５の形態にし、リー
ド８上に貼り付けることで第一と第二の問題が解決出来
る。またクロス配線用テープ５はリードフレーム１の製
造段階で貼りつけられているため、半導体の組立て工程
は従来工程で対応出来るメリットがある。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明を用いる事
で、交差したリードのクロス配線（立体配線）が可能に
なり、配線設計が容易となり、高密度、高集積半導体装
置の開発に寄与するところが大きい。
で、交差したリードのクロス配線（立体配線）が可能に
なり、配線設計が容易となり、高密度、高集積半導体装
置の開発に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の第１の実施例の説明図
【図３】 本発明の第２の実施例の説明図
【図４】 本発明の第３の実施例の説明図
【図５】 従来例の説明図
図において １ リードフレーム ２ クロス配線接合部 ３ 導電膜 ４ 異方性導電接着剤 ５ クロス配線用テープ ６ 熱硬化性または熱可塑性樹脂 ７ 導電性粒子 ８ リード ８a 第１のリード ８b 第２のリード ９ ステージ 10 半導体チップ 11 電極パッド 12 ワイヤ 13 第１のパッケージ 14 第２のパッケージ 15 バスバー
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームの第１のリードと該第１
のリードと異なる第２のリードとに、導電膜上に異方性
導電接着剤を塗布してなるクロス配線用テープを加熱加
圧して、該リードフレームと該導電膜とを配線接合部で
導通させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記クロス配線用テープは耐熱温度が２
５０℃以上であることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記クロス配線用テープの異方性導電接
着材表面が凹凸状に処理されていることを特徴とする請
求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30343094A JPH08162599A (ja) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30343094A JPH08162599A (ja) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162599A true JPH08162599A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17920917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30343094A Withdrawn JPH08162599A (ja) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162599A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6013953A (en) * | 1997-01-16 | 2000-01-11 | Nec Corporation | Semiconductor device with improved connection reliability |
| US6677181B2 (en) * | 1998-05-15 | 2004-01-13 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for fabricating stacked chip package device |
| JP2008103415A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Mitsui Chemicals Inc | 樹脂製中空半導体パッケージ及びその製造方法。 |
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