JP2998362B2 - 測定データ補正法 - Google Patents

測定データ補正法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、医療用X線診断装置、
骨塩定量装置、非破壊検査装置、X線分析装置等に使用
される測定データの補正法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、放射線計測機器、特にγ線やX線
の2次元受像装置には、複数の検出素子で構成された放
射線検出器が用いられるようになった。
【0003】複数の放射線検出素子を用いた放射線計測
機器、特に複数の放射線検出素子を走査してX線やγ線
の2次元画像を受像する装置においては、検出器の感度
の素子間のばらつきや時間変化にともなう画像の不均一
性が問題となる。また、測定結果をもとに物質の定量を
行う装置においては、測定面内の精度にばらつきが生じ
る。
【0004】このため、一般に計測開始前に、素子間の
感度ばらつきを知るために、一度、実際の測定対象にち
かい校正用ファントムの計測を行い、その各検出素子素
子の放射線強度を示す値から、演算装置により素子間の
補正係数を得る。これにより、素子間における検出素子
の感度ばらつきは補正され、素子間のばらつきによる画
像の不均一性は解消される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の方法では、放射線の2次元画像を短時間に計測する
場合、検出素子を駆動する電圧の過渡変化などにより、
検出素子の感度が変動する。SiやCdTeなどの半導
体検出器の場合、半導体表面に設けた電極に電圧を印加
して電界を発生させ、放射線より半導体内部に生じた電
荷を取り出し、放射線を検出する。電圧印加直後は、電
界が安定しないため、検出される誘導電流の大きさが変
化する。これにより、同じ強度の放射線を測定しても時
間的に測定値が変わる。このため、検出器の各素子の走
査方向に画像のむらが生じるという問題点を有してい
た。
【0006】また、測定データを用いて計算処理を行い
物質の定量等を行う場合においても、測定面内での精度
にばらつきが生じるという問題を有していた。
【0007】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、放射線計測に感度ばらつきのない、すなわち画像に
むらのない計測方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のデータ校正法では、検出素子間の感度ばらつ
きを補正するための補正測定をする際、同時に検出器の
時間変化を補正する補正係数を、補正測定により求めた
全データの平均値をある時間におけるすべての検出素子
の測定結果の平均値で除算して求める。この補正係数を
測定した放射線強度に乗算する。
【0009】
【作用】これにより、測定対象を測定する前に一度、校
正用ファントムを測定することにより、検出素子間の感
度ばらつきと、検出素子の時間変化を補正する補正係数
を得ることができる。この補正係数を用いることによ
り、素子間および各素子の経時変化による測定画像の不
均一性を校正することができ、精度の高い画像計測を行
なうことができる。また、測定データを用いて計算処理
を行い物質の定量等を行う場合においても、測定面内で
の精度が向上する。
【0010】
【実施例】以下本発明の一実施例について図面を参照し
ながら説明する。図1にCdTe半導体検出器を用いた
X線受像装置の構成を示す。このX線受像装置は、X線
発生器21、CdTe半導体検出器22、測定データを
演算する演算装置23と、データを記憶する記憶装置2
4と画像を表示する表示装置25により構成される。C
dTe半導体検出器22は図2に示すように、128個
の検出素子が直線上に配列されて構成されている。Cd
Te半導体検出器22は、X線発生器21と同期して走
査され、被写体26のX線の2次元透過画像を撮影する
ことができる。走査の期間に150ラインのデータのサ
ンプリングが行なわれ、128x150画素の2次元透
過画像が得られる。
【0011】X線透過強度は、光子計数法により計測さ
れる。各々の検出素子において、X線との相互作用によ
り発生した電流パルスは、増幅器27により増幅され、
カウンタ28により計数される。この計数値を濃淡とし
て表示装置25に表示することにより、2次元X線透過
画像が得られる。
【0012】被写体を測定する前に、まず図3に示すよ
うな補正用のファントムを測定する。この構成用ファン
トムは、測定対象とほぼ同じX線透過強度が得られるよ
うな材料で構成するのが望ましい。本実施例では、被写
体を人体である場合を想定し、減弱係数が人体の軟組織
に近い厚さ15cmのアクリルにより構成した。
【0013】20番目の検出素子の測定結果を図4に示
す。図4より、一定の厚さのアクリルファントムを測定
したにもかかわらず、このカウント数は増加しており、
この検出素子の感度が変化していることがわかる。
【0014】この補正用ファントムの全測定データの平
均値AVを演算装置により求めた。平均値AVは106
30カウントであった。
【0015】次に従来行なっていた素子間の感度ばらつ
きを補正するための補正係数を求める。各検出素子の補
正係数Cn(n=1〜128)は(数1)で求められ
る。
【0016】
【数1】
【0017】ただし、CAVnは各検出素子の1から1
50サンプリングの150個のデータの平均値である。
【0018】さらに、各検出素子固有の感度の経時変化
を補正するための係数Lm(m=1〜150)を求め
る。Lmは、全データAVを各ラインにおける128個
の検出素子の平均LAVmで割った値とし(数2)で表
わされる。
【0019】
【数2】
【0020】図5に各ラインにおける128個の検出素
子の平均LAVmを、図6に(数2)にもとづき求めた
補正係数Lmを示す。
【0021】これらの補正係数Cn、Lmは演算装置で求
められ、記憶装置に記憶される。こののちに、被写体の
測定を行なった。測定した結果のn番目の検出素子のm
ラインのX線強度をImnとする。この測定結果にn補正
係数Cn、Lmを乗算して、経時変化と検出素子間のばら
つきを補正したデータI’mnを得る。各画素のデータは
(数3)のようになる。
【0022】
【数3】
【0023】この計算の結果、検出素子間の感度ばらつ
きや各検出素子の経時変化がほぼ一定であれば、各画素
の測定における感度の差はなくなる。
【0024】図7に、20番目の検出素子における補正
結果を示す。図4とくらべて、カウント数のライン方向
での変化が小さくなっており、補正の効果が見られる。
【0025】以上のように、画素間の不均一性は解消さ
れ、均一な被写体を撮影した場合、むらの無い画像が得
られた。
【0026】なお、パルス波高を識別するディスクリミ
ネータを複数設け、パルス波高により、入射した放射線
のエネルギー帯ごとに計数する場合には、それぞれのエ
ネルギー帯毎に補正計数Lmを設けることにより、おの
おののエネルギー帯毎のカウント数の経時変化を補正す
ることができる。この2つのエネルギー帯のカウント数
を用いて、物質の定量を行う場合、測定面内の精度が向
上する。
【0027】また、放射線検出器の走査速度がことなる
場合、すなわち1ラインあたりの測定時間がことなる場
合でも補正測定を行うことにより、容易に補正できる。
【0028】本実施例では、放射線検出器をCdTe半
導体放射線検出器としたが、Si、Ge、HgI2、G
aAsなどを用いた半導体検出器やシンチレータを用い
た検出器や電離箱などの放射線検出器の補正方法として
も同様の効果が実現できるのは言うまでもない。
【0029】
【発明の効果】以上のように本発明は、補正測定におけ
るデータから、各検出素子の経時変化を補正する補正係
数をもとめ、この係数により測定データを補正すること
により、検出素子間の感度ばらつきを補正するのと同時
に、かつきわめて容易に検出素子の経時変化を補正し画
素間のばらつきのない画像を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例におけるX線受像装置を示す図
【図2】本発明の実施例におけるCdTe半導体検出器
を示す図
【図3】本発明の実施例における補正用ファントムを示
す図
【図4】本発明の実施例における補正計測結果を示す図
【図5】本発明の実施例における補正測定結果のライン
方向変化の平均値を示す図
【図6】本発明の実施例において求められた補正係数を
示す図
【図7】本発明の実施例における補正結果を示す図
【符号の説明】
1 補正用ファントム 21 X線発生器 22 CdTe半導体検出器 23 演算装置 24 記憶装置 25 表示装置 26 被写体 27 ファンビームX線 28 増幅器 29 カウンタ 30 CdTe
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−42130(JP,A) 特開 平4−203995(JP,A) 特開 昭62−75365(JP,A) 特開 昭62−203075(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01T 1/24 G01T 1/164 G01T 7/00

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 単一もしくは複数の検出素子からなる放
    射線検出器を走査して計測した放射線の測定データを補
    正する方法であって、補正用ファントムを測定し、前記
    校正用ファントムの測定データの全データの平均値を
    る時間におけるすべての検出素子の測定データの平均値
    で除算した値を補正係数とし、前記補正係数を被写体の
    測定結果に乗算することにより、検出器の経時変化によ
    る測定誤差を補正することを特徴とする測定データ補正
    法。
  2. 【請求項2】 放射線検出器が、CdTe半導体検出器
    であることを特徴とする請求項1記載の測定データ補正
    法。
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