JP2997804B2 - 半導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシング装置 - Google Patents
半導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシング装置Info
- Publication number
- JP2997804B2 JP2997804B2 JP4784797A JP4784797A JP2997804B2 JP 2997804 B2 JP2997804 B2 JP 2997804B2 JP 4784797 A JP4784797 A JP 4784797A JP 4784797 A JP4784797 A JP 4784797A JP 2997804 B2 JP2997804 B2 JP 2997804B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing pad
- nozzle
- polishing
- cleaning liquid
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨装置の研磨パ
ッドのドレッシング装置に係わり、特に、半導体ウェー
ハ研磨装置の研磨パッドに洗浄液を噴射して研磨パッド
をドレッシングするドレッシング装置に関する。
ッドのドレッシング装置に係わり、特に、半導体ウェー
ハ研磨装置の研磨パッドに洗浄液を噴射して研磨パッド
をドレッシングするドレッシング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハの研磨方法の一つに、化
学的機械研磨法がある。この研磨方法では、アルカリ性
溶液にシリカ等からなる砥粒が懸濁した研磨液を研磨パ
ッド上に滴下しつつ、半導体ウェーハと研磨パッドとを
押し付けながら相対運動させ、研磨液及び砥粒の作用で
半導体ウェーハ表面に生ずる反応生成物を、砥粒及び研
磨パッドによって擦り落とす。研磨パッドは使用を重ね
るにつれて前記反応生成物や砥粒等の研磨屑によって目
詰まりを起こすので、ドレッシングが必要である。
学的機械研磨法がある。この研磨方法では、アルカリ性
溶液にシリカ等からなる砥粒が懸濁した研磨液を研磨パ
ッド上に滴下しつつ、半導体ウェーハと研磨パッドとを
押し付けながら相対運動させ、研磨液及び砥粒の作用で
半導体ウェーハ表面に生ずる反応生成物を、砥粒及び研
磨パッドによって擦り落とす。研磨パッドは使用を重ね
るにつれて前記反応生成物や砥粒等の研磨屑によって目
詰まりを起こすので、ドレッシングが必要である。
【０００３】このようなドレッシング装置として特開平
３−１０７６９号公報に開示されたものは、ノズルに３
〜１０ＭＰａの高圧水を供給し、この水を研磨布に吹き
かけて研磨布をドレッシングする。
３−１０７６９号公報に開示されたものは、ノズルに３
〜１０ＭＰａの高圧水を供給し、この水を研磨布に吹き
かけて研磨布をドレッシングする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ドレッシング装置では、化学的機械研磨法で用いられる
例えばポリウレタン製の硬質な研磨パッドをドレッシン
グする場合に、ノズルに洗浄液を供給する圧力が３〜１
０ＭＰａであると、噴射圧力が小さすぎるために研磨パ
ッド内に蓄積した研磨屑を充分に除去できないという欠
点がある。
ドレッシング装置では、化学的機械研磨法で用いられる
例えばポリウレタン製の硬質な研磨パッドをドレッシン
グする場合に、ノズルに洗浄液を供給する圧力が３〜１
０ＭＰａであると、噴射圧力が小さすぎるために研磨パ
ッド内に蓄積した研磨屑を充分に除去できないという欠
点がある。
【０００５】さらに、ノズルの形状、ノズルの噴射パタ
ーン、ノズルと研磨パッドとの距離等の条件設定によっ
ては、洗浄液の研磨パッドへの衝突速度が小さくなって
しまい、充分な洗浄を行えないという問題点がある。本
発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、研磨
パッド内に蓄積した研磨屑を充分に除去できる半導体ウ
ェーハ用研磨パッドのドレッシング装置を提供すること
を目的とする。
ーン、ノズルと研磨パッドとの距離等の条件設定によっ
ては、洗浄液の研磨パッドへの衝突速度が小さくなって
しまい、充分な洗浄を行えないという問題点がある。本
発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、研磨
パッド内に蓄積した研磨屑を充分に除去できる半導体ウ
ェーハ用研磨パッドのドレッシング装置を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】前記目的を達成するため
に、研磨パッドに洗浄液を噴射してドレッシングする半
導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシング装置におい
て、縦長で、その中央部が前方に向けて拡開した吐出口
を有するノズルを研磨パッドの全面に移動させ、粒径が
１μｍ以上３００μｍ以下である洗浄液の霧粒を生み出
し、該霧粒を１０ｍ／ｓ以上５００ｍ／ｓ以下の速度で
前記研磨パッドに衝突させることを特徴とする。
に、研磨パッドに洗浄液を噴射してドレッシングする半
導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシング装置におい
て、縦長で、その中央部が前方に向けて拡開した吐出口
を有するノズルを研磨パッドの全面に移動させ、粒径が
１μｍ以上３００μｍ以下である洗浄液の霧粒を生み出
し、該霧粒を１０ｍ／ｓ以上５００ｍ／ｓ以下の速度で
前記研磨パッドに衝突させることを特徴とする。
【０００７】本発明のドレッシング装置によれば、研磨
パッドに衝突させる洗浄液の霧粒の大きさ及び衝突速度
を最適化したので、研磨パッド内に蓄積した研磨屑を充
分に除去できる。
パッドに衝突させる洗浄液の霧粒の大きさ及び衝突速度
を最適化したので、研磨パッド内に蓄積した研磨屑を充
分に除去できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って、本発明に
係る半導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシング装置の
好ましい実施の形態について詳説する。図１は、本発明
の実施の形態の半導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシ
ング装置１０の構造図である。このドレッシング装置１
０は、純水等の洗浄液をノズル１４から研磨装置の定盤
５２上の研磨パッド５０に噴射することによって研磨パ
ッド５０をドレッシングするものである。
係る半導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシング装置の
好ましい実施の形態について詳説する。図１は、本発明
の実施の形態の半導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシ
ング装置１０の構造図である。このドレッシング装置１
０は、純水等の洗浄液をノズル１４から研磨装置の定盤
５２上の研磨パッド５０に噴射することによって研磨パ
ッド５０をドレッシングするものである。
【０００９】前記ノズル１４は、パイプ１６を介してポ
ンプ１８に接続されていて、このポンプ１８は、可撓性
のホース２０を介してタンク２２に接続されている。タ
ンク２２に貯留された洗浄液は、ポンプ１８によって加
圧されて前記ノズル１４に送られ、前記研磨パッド５０
に向けて噴射される。前記ポンプ１８は、テーブル２４
上に設置されている。このテーブル２４は、基台２６上
に設けられたレール２８上で矢印ａ方向に移動自在であ
り、テーブル２４の端部は、基台２６に支持されている
エアシリンダ３０にロッド３２を介して接続されてい
る。したがって、エアシリンダ３０を作動させると、ノ
ズル１４はテーブル２４等を介して矢印ａ方向に移動す
る。
ンプ１８に接続されていて、このポンプ１８は、可撓性
のホース２０を介してタンク２２に接続されている。タ
ンク２２に貯留された洗浄液は、ポンプ１８によって加
圧されて前記ノズル１４に送られ、前記研磨パッド５０
に向けて噴射される。前記ポンプ１８は、テーブル２４
上に設置されている。このテーブル２４は、基台２６上
に設けられたレール２８上で矢印ａ方向に移動自在であ
り、テーブル２４の端部は、基台２６に支持されている
エアシリンダ３０にロッド３２を介して接続されてい
る。したがって、エアシリンダ３０を作動させると、ノ
ズル１４はテーブル２４等を介して矢印ａ方向に移動す
る。
【００１０】前記定盤５２は、回転軸５４を介してモー
タ５６に接続されていて、矢印ｂ方向に回転される。こ
の定盤５２上に、前記研磨パッド５０が接着されてい
る。次に、以上のように構成されたドレッシング装置１
０の動作について説明する。研磨パッド５０で研磨作業
が行われ、研磨パッド５０のドレッシングが必要になる
と、エアシリンダ３０を作動させてノズル１４を研磨パ
ッド５０上に位置させ、ポンプ１８を作動させてノズル
１４から洗浄液を噴射させる。
タ５６に接続されていて、矢印ｂ方向に回転される。こ
の定盤５２上に、前記研磨パッド５０が接着されてい
る。次に、以上のように構成されたドレッシング装置１
０の動作について説明する。研磨パッド５０で研磨作業
が行われ、研磨パッド５０のドレッシングが必要になる
と、エアシリンダ３０を作動させてノズル１４を研磨パ
ッド５０上に位置させ、ポンプ１８を作動させてノズル
１４から洗浄液を噴射させる。
【００１１】ノズル１４から噴射された洗浄液は、霧粒
状になって研磨パッド５０に衝突し、研磨パッド５０に
蓄積した研磨屑を叩き出し、洗い流す。そして、前記の
如くノズル１４から洗浄液を噴射させながら、モータ５
６によって研磨パッド５０を回転させるとともに、エア
シリンダ３０によってノズル１４を移動させる。これに
より、研磨パッド５０を全面にわたってドレッシングす
ることができる。なお、ノズル１４と研磨パッド５０と
の間の運動は相対的に行われれば足りるので、前述の運
動方法に限定されることはない。例えば、研磨パッド５
０は固定され、ノズル１４が前後左右に移動して研磨パ
ッド５０の全面をドレッシングしてもよい。また、ノズ
ル１４の移動は、例えばねじ送り装置で行ってもよい
し、ノズル１４をアームの先端に取り付け、そのアーム
を回動させることによって行ってもよい。
状になって研磨パッド５０に衝突し、研磨パッド５０に
蓄積した研磨屑を叩き出し、洗い流す。そして、前記の
如くノズル１４から洗浄液を噴射させながら、モータ５
６によって研磨パッド５０を回転させるとともに、エア
シリンダ３０によってノズル１４を移動させる。これに
より、研磨パッド５０を全面にわたってドレッシングす
ることができる。なお、ノズル１４と研磨パッド５０と
の間の運動は相対的に行われれば足りるので、前述の運
動方法に限定されることはない。例えば、研磨パッド５
０は固定され、ノズル１４が前後左右に移動して研磨パ
ッド５０の全面をドレッシングしてもよい。また、ノズ
ル１４の移動は、例えばねじ送り装置で行ってもよい
し、ノズル１４をアームの先端に取り付け、そのアーム
を回動させることによって行ってもよい。
【００１２】研磨パッド５０へ衝突させる洗浄液の霧粒
の大きさ及び衝突速度は、研磨パッド５０の材質に応じ
て調整する必要がある。例えば、研磨パッド５０が硬質
の多孔質ポリウレタン製である場合、洗浄液の霧粒の粒
径は、１μｍ以上３００μｍ以下、より好ましくは１μ
ｍ以上１００μｍ以下であることが望ましい。なぜな
ら、洗浄液の霧粒が、研磨パッド５０の研磨屑が詰まっ
ている孔に入ってそこから研磨屑を洗い流すためには、
霧粒の大きさが、研磨屑と同程度以上で研磨パッド５０
の孔よりも小さいことが必要である。すなわち、研磨屑
に比べて小さすぎる霧粒は、研磨屑を洗い流す力が弱
い。一方、研磨パッド５０の孔よりも大きい霧粒は、孔
の中にそのまま入ることができないので、そこに詰まっ
た研磨屑を叩き出すことができない。また、洗浄液の霧
粒が研磨パッド５０に衝突する速度は、１０ｍ／ｓ以上
５００ｍ／ｓ以下、より好ましくは３０ｍ／ｓ以上１５
０ｍ／ｓ以下であることが望ましい。霧粒の衝突速度が
小さすぎると、研磨屑を叩き出すには運動エネルギーが
足りず、霧粒の衝突速度が大きすぎると、研磨パッド５
０を損傷するおそれがある。以上の洗浄液の霧粒の大き
さ及び衝突速度を実現するためには、洗浄液をノズル１
４へ１５ＭＰａ以上３０ＭＰａ以下の圧力で供給する必
要がある。
の大きさ及び衝突速度は、研磨パッド５０の材質に応じ
て調整する必要がある。例えば、研磨パッド５０が硬質
の多孔質ポリウレタン製である場合、洗浄液の霧粒の粒
径は、１μｍ以上３００μｍ以下、より好ましくは１μ
ｍ以上１００μｍ以下であることが望ましい。なぜな
ら、洗浄液の霧粒が、研磨パッド５０の研磨屑が詰まっ
ている孔に入ってそこから研磨屑を洗い流すためには、
霧粒の大きさが、研磨屑と同程度以上で研磨パッド５０
の孔よりも小さいことが必要である。すなわち、研磨屑
に比べて小さすぎる霧粒は、研磨屑を洗い流す力が弱
い。一方、研磨パッド５０の孔よりも大きい霧粒は、孔
の中にそのまま入ることができないので、そこに詰まっ
た研磨屑を叩き出すことができない。また、洗浄液の霧
粒が研磨パッド５０に衝突する速度は、１０ｍ／ｓ以上
５００ｍ／ｓ以下、より好ましくは３０ｍ／ｓ以上１５
０ｍ／ｓ以下であることが望ましい。霧粒の衝突速度が
小さすぎると、研磨屑を叩き出すには運動エネルギーが
足りず、霧粒の衝突速度が大きすぎると、研磨パッド５
０を損傷するおそれがある。以上の洗浄液の霧粒の大き
さ及び衝突速度を実現するためには、洗浄液をノズル１
４へ１５ＭＰａ以上３０ＭＰａ以下の圧力で供給する必
要がある。
【００１３】洗浄液の霧粒の大きさ及び研磨パッド５０
への衝突速度は、ノズル１４のノズル径と、ポンプ１８
によるノズル１４への洗浄液の供給圧力とを調整するこ
とによって制御することができる。
への衝突速度は、ノズル１４のノズル径と、ポンプ１８
によるノズル１４への洗浄液の供給圧力とを調整するこ
とによって制御することができる。
【００１４】
【実施例】前記実施の形態で説明したドレッシング装置
１０の実施例について述べる。図２及び図３に、ノズル
１４の実施例を示す。このノズル１４は、吐出口３４を
有するノズルチップ３６と、このノズルチップ３６が内
挿されているノズルケース３８とから構成されている。
吐出口３４は、図３に示すように縦長で、中央部が前方
（図２中下側）に向けて拡開した短径２００μｍ長径５
００μｍの楕円状に形成されている。
１０の実施例について述べる。図２及び図３に、ノズル
１４の実施例を示す。このノズル１４は、吐出口３４を
有するノズルチップ３６と、このノズルチップ３６が内
挿されているノズルケース３８とから構成されている。
吐出口３４は、図３に示すように縦長で、中央部が前方
（図２中下側）に向けて拡開した短径２００μｍ長径５
００μｍの楕円状に形成されている。
【００１５】ノズル１４と研磨パッド５０との距離は２
００ｍｍに設定し、洗浄液として水をノズル１４へ２５
ＭＰａの圧力で供給する。実験に用いた研磨パッド５０
は硬質の多孔質ポリウレタン製で、孔の直径は約１０μ
ｍから１００μｍである。この実施例のドレッシング装
置によれば、水は、吐出口３４から初速約３５０ｍ／ｓ
のフィルム状の流れとして吐出され、空気の抵抗によっ
て粒径が１μｍから１００μｍ（最頻値は約３０μｍ）
の霧粒状に分散し、３０ｍ／ｓから１５０ｍ／ｓの速度
で研磨パッド５０に衝突する。
００ｍｍに設定し、洗浄液として水をノズル１４へ２５
ＭＰａの圧力で供給する。実験に用いた研磨パッド５０
は硬質の多孔質ポリウレタン製で、孔の直径は約１０μ
ｍから１００μｍである。この実施例のドレッシング装
置によれば、水は、吐出口３４から初速約３５０ｍ／ｓ
のフィルム状の流れとして吐出され、空気の抵抗によっ
て粒径が１μｍから１００μｍ（最頻値は約３０μｍ）
の霧粒状に分散し、３０ｍ／ｓから１５０ｍ／ｓの速度
で研磨パッド５０に衝突する。
【００１６】その結果、研磨パッド５０に蓄積した研磨
屑を、研磨パッド５０の表層から深層に至るまで充分に
除去できた。なお、ノズルへの洗浄液の供給圧力及び供
給方法、ノズルの吐出口の形状及び大きさ、並びにノズ
ルと研磨パッドとの距離は、本発明の思想の範囲内で任
意に変更してよい。
屑を、研磨パッド５０の表層から深層に至るまで充分に
除去できた。なお、ノズルへの洗浄液の供給圧力及び供
給方法、ノズルの吐出口の形状及び大きさ、並びにノズ
ルと研磨パッドとの距離は、本発明の思想の範囲内で任
意に変更してよい。
【００１７】また、以上の実施の形態においては、洗浄
液を噴霧する方法として、ノズルに洗浄液のみを供給す
る方法を用いているが、圧縮した気体（例えば空気）を
洗浄液と共にノズルに供給して、この気体を洗浄液に当
てて洗浄液を霧状にする方法を用いてもよい。さらに、
洗浄液は、純水に限定されず、薬品が混合されたもので
もよい。
液を噴霧する方法として、ノズルに洗浄液のみを供給す
る方法を用いているが、圧縮した気体（例えば空気）を
洗浄液と共にノズルに供給して、この気体を洗浄液に当
てて洗浄液を霧状にする方法を用いてもよい。さらに、
洗浄液は、純水に限定されず、薬品が混合されたもので
もよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の研磨パッ
ドのドレッシング装置では、縦長で、その中央部が前方
に向けて拡開した吐出口を有するノズルを研磨パッドの
全面に移動させ、粒径が１μｍ以上３００μｍ以下であ
る洗浄液の霧粒を生み出し、該霧粒を１０ｍ／ｓ以上５
００ｍ／ｓ以下の速度で前記研磨パッドに衝突させる洗
浄液の粒径の大きさ及び衝突速度を適正化したので、研
磨パッド内に蓄積した研磨屑を充分に除去できる。
ドのドレッシング装置では、縦長で、その中央部が前方
に向けて拡開した吐出口を有するノズルを研磨パッドの
全面に移動させ、粒径が１μｍ以上３００μｍ以下であ
る洗浄液の霧粒を生み出し、該霧粒を１０ｍ／ｓ以上５
００ｍ／ｓ以下の速度で前記研磨パッドに衝突させる洗
浄液の粒径の大きさ及び衝突速度を適正化したので、研
磨パッド内に蓄積した研磨屑を充分に除去できる。
【図１】本発明の実施の形態の半導体ウェーハ用研磨パ
ッドのドレッシング装置の要部構造図
ッドのドレッシング装置の要部構造図
【図２】本発明の実施例のノズルの断面図
【図３】図２に示したノズルの下面図
１０…ドレッシング装置 １４…ノズル １８…ポンプ ２２…タンク ３０…エアシリンダ ５０…研磨パッド ５２…定盤 ５６…モータ
フロントページの続き (72)発明者 斉藤 隆穂 愛知県尾張旭市旭前町新田洞5050番地 旭サナック株式会社内 (72)発明者 宮地 計二 愛知県尾張旭市旭前町新田洞5050番地 旭サナック株式会社内 (72)発明者 清家 善之 愛知県尾張旭市旭前町新田洞5050番地 旭サナック株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−9340（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−237655（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B24B 37/00 H01L 21/304 622
Claims (1)
- 【請求項１】 研磨パッドに洗浄液を噴射してドレッシ
ングする半導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシング装
置において、 縦長で、その中央部が前方に向けて拡開した吐出口を有
するノズルを研磨パッドの全面に移動させ、粒径が１μ
ｍ以上３００μｍ以下である洗浄液の霧粒を生み出し、
該霧粒を１０ｍ／ｓ以上５００ｍ／ｓ以下の速度で前記
研磨パッドに衝突させることを特徴とする半導体ウェー
ハ用研磨パッドのドレッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4784797A JP2997804B2 (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | 半導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4784797A JP2997804B2 (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | 半導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10244459A JPH10244459A (ja) | 1998-09-14 |
| JP2997804B2 true JP2997804B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=12786766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4784797A Expired - Lifetime JP2997804B2 (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | 半導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2997804B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006159317A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Asahi Sunac Corp | 研磨パッドのドレッシング方法 |
| JP2006332550A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Asahi Sunac Corp | 研磨パッドのドレッシング性評価方法及び研磨パッドのドレッシング方法 |
| US7674156B2 (en) * | 2007-10-08 | 2010-03-09 | K.C. Tech Co., Ltd | Cleaning device for chemical mechanical polishing equipment |
| CN111571443A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-08-25 | 中国科学院微电子研究所 | 研磨垫修整单元以及装置 |
-
1997
- 1997-03-03 JP JP4784797A patent/JP2997804B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10244459A (ja) | 1998-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW483802B (en) | Method and apparatus for cleaning polishing surface of polisher | |
| US6354923B1 (en) | Apparatus for planarizing microelectronic substrates and conditioning planarizing media | |
| US2605596A (en) | Method of cleaning surfaces | |
| US6284092B1 (en) | CMP slurry atomization slurry dispense system | |
| JP3415670B2 (ja) | ウエハ洗浄装置 | |
| US6899601B2 (en) | Method and apparatus for conditioning a polishing pad | |
| JPH07501754A (ja) | 築造体の精細掃除方法および当該方法を実施する装置 | |
| JP2997804B2 (ja) | 半導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシング装置 | |
| JPH0310769A (ja) | 研磨布のドレッシング装置 | |
| JP2006218553A (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法 | |
| JP2005217037A (ja) | 半導体ウェーハ用研磨パッドのコンディショニング方法 | |
| TW202207299A (zh) | 修整裝置和研磨裝置 | |
| JP3961665B2 (ja) | 洗浄剥離方法及びその装置 | |
| JPH10244458A (ja) | 研磨パッドのドレッシング装置 | |
| JPH10256199A (ja) | 吸着支持面の洗浄装置 | |
| JP6172412B2 (ja) | ドレッシング方法及びドレッシング装置 | |
| JP2002137167A (ja) | 高精度ブラスト加工法及び高精度ブラスト加工装置 | |
| JP3139616B2 (ja) | 研磨パッドのドレッシング装置 | |
| JP2002355759A (ja) | ウエハ研磨装置 | |
| JPH10235549A (ja) | 研磨パッドのドレッシング装置 | |
| JP2008229765A (ja) | 硬脆材料のエアーブラスト加工方法およびその装置 | |
| JP2003127063A (ja) | Ｃｍｐ装置及びｃｍｐ装置による研磨方法 | |
| JPH11347942A (ja) | 微細形状の形成方法 | |
| JP2010082798A (ja) | 粉塵をおさえつつ素地調整を行う方法、及びその装置 | |
| JPH0466500B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081105 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101105 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111105 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121105 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141105 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20161105 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20161105 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20171105 Year of fee payment: 18 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |