JP2006159317A - 研磨パッドのドレッシング方法 - Google Patents
研磨パッドのドレッシング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006159317A JP2006159317A JP2004351222A JP2004351222A JP2006159317A JP 2006159317 A JP2006159317 A JP 2006159317A JP 2004351222 A JP2004351222 A JP 2004351222A JP 2004351222 A JP2004351222 A JP 2004351222A JP 2006159317 A JP2006159317 A JP 2006159317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing pad
- dressing
- pad
- polishing
- cleaning liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
【課題】研磨パッドを損傷したり汚染したりすることなくドレッシングすることができる研磨パッドのドレッシング方法を提供する。
【解決手段】スラリーを供給しながらワークWを研磨パッド50に接触させて加工を行う研磨装置10における研磨パッドのドレッシング方法。研磨パッドにパッドドレッサー60を押圧して研磨パッドのドレッシングを行うとともに、洗浄液を液滴粒径が1μm以上500μm以下の霧粒にして10m/秒以上500m/秒以下の速度でノズル14より研磨パッドに向けて噴出させて研磨パッドのドレッシングを行う。
【選択図】 図1
【解決手段】スラリーを供給しながらワークWを研磨パッド50に接触させて加工を行う研磨装置10における研磨パッドのドレッシング方法。研磨パッドにパッドドレッサー60を押圧して研磨パッドのドレッシングを行うとともに、洗浄液を液滴粒径が1μm以上500μm以下の霧粒にして10m/秒以上500m/秒以下の速度でノズル14より研磨パッドに向けて噴出させて研磨パッドのドレッシングを行う。
【選択図】 図1
Description
本発明は研磨パッドのドレッシング方法に係り、特に、半導体集積回路の層間膜等の平坦化プロセスに使用される研磨装置に好適に適用できる研磨パッドのドレッシング方法に関する。
半導体集積回路のデザインルールの縮小化に伴って、層間膜等の平坦化プロセスに化学的機械研磨法(CMP:Chemical Mechanical Polishing )が多用されるようになってきた。このCMPによるウェーハの研磨は、回転する研磨パッドにウェーハを回転させながら所定の圧力で押し付け、その研磨パッドとウェーハとの間に研磨剤スラリーを供給することにより行われる(たとえば、特許文献1参照。)。
このような研磨パッドは使用を重ねるにつれて反応生成物や砥粒等の研磨屑によって目詰まりを起こすので、ドレッシングが必要である。ドレッシングとしては、ブラシ又は砥石よりなるパッドドレッサーを研磨パッドに押圧して、研磨パッド表面を微小に荒らす方法が一般的である。
特開2001−54854号公報
しかしながら、従来のドレッシング方法では、研磨パッドの深層に蓄積した研磨屑を除去することはできない。また、ブラシ又は砥石で強く研磨パッドを擦る必要があるので、研磨パッドを損傷したり、ブラシ又は砥石から発生する塵によって研磨パッドを汚染したりするという欠点がある。更に、凝集した研磨剤やパッドドレッサーからの脱粒等に起因するスクラッチが発生することがある。また、研磨パッドを使用していくうちに、研磨パッドの表面のポアや溝に研磨剤の残渣や研磨屑が残り、スクラッチが発生することもある。
このように、研磨パッド起因の欠陥を生じた場合には、研磨パッドの交換が必要になり、稼働率の低下、歩留りの低下、資材のコストアップ等、製造上大きな問題となる。
また、研磨パッドの他のドレッシング方法として、研磨パッドに高圧の洗浄水を吹き付けてドレッシングを行う方法が提案されているが、高圧の洗浄水により研磨パッドの深層に蓄積した研磨屑が研磨パッドの表面に浮き出し、かえって研磨パッドを汚染するという欠点が指摘されている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、研磨パッドを損傷したり汚染したりすることなくドレッシングすることができる研磨パッドのドレッシング方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、請求項1に係る本発明は、スラリーを供給しながらワークを研磨パッドに接触させて加工を行う研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法であって、前記研磨パッドにパッドドレッサーを押圧して研磨パッドのドレッシングを行うとともに、洗浄液を液滴粒径が1μm以上500μm以下の霧粒にして10m/秒以上500m/秒以下の速度でノズルより前記研磨パッドに向けて噴出させて研磨パッドのドレッシングを行うことを特徴とする研磨パッドのドレッシング方法を提供する。
本発明によれば、パッドドレッサーによる従来のドレッシング方法に加え、洗浄液を高速でノズルより研磨パッドに噴出させて研磨パッドのドレッシングを行うので、パッドドレッサーによって掻き出された研磨屑を直ちに洗い流すことができる。また、洗浄液で研磨パッドを洗い流すので、研磨パッドをパッドドレッサーで必要以上に強くドレッシングしなくともよい。更に、研磨パッドに衝突させる洗浄液の霧粒の大きさ及び衝突速度を最適化して、研磨パッドの深層まで充分に洗浄液を到達させるようにしたので、パッドドレッサーが研磨パッドを叩いて研磨パッドを押し洗いする効果を生じさせることができる。したがって、研磨パッドの深層に蓄積した研磨屑を、研磨パッドの表層に浮き上がらせ、除去することができる。
請求項2に係る本発明は、前記洗浄液を前記ノズルより噴出させるべく1MPa以上50MPa以下に加圧する請求項1に記載の研磨パッドのドレッシング方法を提供する。このように洗浄液を加圧することにより、洗浄液による良好なドレッシング効果が得られる。
請求項3に係る本発明は、前記パッドドレッサーが、その表面に多数のダイヤモンド砥粒を固定した板状体である請求項1又は2に記載の研磨パッドのドレッシング方法を提供する。このように、表面に多数のダイヤモンド砥粒を固定した板状体よりなるパッドドレッサーを使用することにより、良好なドレッシング効果が得られる。なお、このようなパッドドレッサーは、ダイヤモンドの電着又はメタルボンド(レジンボンドやビトリファイドボンドも可)ダイヤモンド砥石で形成できる。
請求項4に係る本発明は、研磨加工と同時に前記パッドドレッサーによる研磨パッドのドレッシングを行うとともに、研磨加工の後に前記洗浄液の噴出による研磨パッドのドレッシングを行う請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法を提供する。このように、in−situでパッドドレッサーによるドレッシングを行うとともに、Ex−situで洗浄液の噴出によるドレッシングを行えば、ドレッシングによるダウンタイムを最小限にでき、稼働率が向上する。
請求項5に係る本発明は、研磨加工と同時に前記パッドドレッサーによる研磨パッドのドレッシングを行うとともに、研磨加工の後に前記パッドドレッサーによる研磨パッドのドレッシングと前記洗浄液の噴出による研磨パッドのドレッシングを同時に行う請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法を提供する。このように、in−situでパッドドレッサーによるドレッシングを行うとともに、Ex−situでパッドドレッサーによるドレッシングと洗浄液の噴出によるドレッシングを行っても、ドレッシングによるダウンタイムを減少でき、稼働率が向上する。
請求項6に係る本発明は、研磨加工の後に前記パッドドレッサーによる研磨パッドのドレッシングと前記洗浄液の噴出による研磨パッドのドレッシングを同時に行う請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法を提供する。Cu等の層間膜の平坦化プロセスにおいては、in−situでのドレッシングが不適であり、このようにEx−situでのパッドドレッサーによるドレッシングと洗浄液の噴出によるドレッシングを同時に行うことにより、良好な結果が得られる。
請求項7に係る本発明は、研磨加工の後に前記パッドドレッサーによる研磨パッドのドレッシングを行い、その後、前記パッドドレッサーによる研磨パッドのドレッシングと前記洗浄液の噴出による研磨パッドのドレッシングを同時に行う請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法を提供する。このようなEx−situでのパッドドレッサーによるドレッシングと、その後のパッドドレッサーによるドレッシングと洗浄液の噴出によるドレッシングを同時に行うことによっても、良好な結果が得られる。
請求項8に係る本発明は、前記パッドドレッサーに1以上の貫通孔を設け、該貫通孔より前記洗浄液を噴出させる請求項1〜7のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法を提供する。
請求項9に係る本発明は、前記パッドドレッサーを円盤状とし、該パッドドレッサーの外周側より前記洗浄液を噴出させる請求項1〜7のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法を提供する。
請求項10に係る本発明は、前記パッドドレッサーを円環状とし、該パッドドレッサーの内周側より前記洗浄液を噴出させる請求項1〜7のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法を提供する。
上記のいずれかの構成を採用することにより、2種類のドレッシング方法を組み合わせた相乗効果が得られる。
請求項11に係る本発明は、前記パッドドレッサーと前記ノズルを前記研磨パッドに対し相対移動させながら研磨パッドのドレッシングを行う請求項1〜10のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法を提供する。このような構成を採用することにより、研磨パッドの全面を満遍なくドレッシングすることができる。
請求項12に係る本発明は、スラリーを供給しながらワークを研磨パッドに接触させて加工を行う研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法であって、洗浄液を液滴粒径が1μm以上500μm以下の霧粒にして10m/秒以上500m/秒以下の速度でノズルより前記研磨パッドに向けて噴出させて研磨パッドのドレッシングを行うとともに、前記洗浄液よりも大流量のリンス液で前記研磨パッドを洗浄することを特徴とする研磨パッドのドレッシング方法を提供する。
請求項13に係る本発明は、スラリーを供給しながらワークを研磨パッドに接触させて加工を行う研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法であって、洗浄液を液滴粒径が1μm以上500μm以下の霧粒にして10m/秒以上500m/秒以下の速度でノズルより前記研磨パッドに向けて噴出させて研磨パッドのドレッシングを行い、その後、前記洗浄液よりも大流量のリンス液で前記研磨パッドを洗浄することを特徴とする研磨パッドのドレッシング方法を提供する。
このように、洗浄液の噴出によるドレッシングを行って、研磨パッドの深層に蓄積した研磨屑が研磨パッドの表面に浮き出したとしても、大流量のリンス液で研磨パッドを洗浄するので、研磨パッドを汚染するという欠点は生じず、良好なドレッシング結果が得られる。
請求項14に係る本発明は、前記洗浄液を前記ノズルより噴出させるべく1MPa以上50MPa以下に加圧する請求項12又は13に記載の研磨パッドのドレッシング方法を提供する。このように洗浄液を加圧することにより、洗浄液による良好なドレッシング効果が得られる
本発明によれば、パッドドレッサーによる従来のドレッシング方法に加え、洗浄液を高速でノズルより研磨パッドに噴出させて研磨パッドのドレッシングを行うので、パッドドレッサーによって掻き出された研磨屑を直ちに洗い流すことができる。
また、本発明によれば、洗浄液の噴出によるドレッシングを行って、研磨パッドの深層に蓄積した研磨屑が研磨パッドの表面に浮き出したとしても、大流量のリンス液で研磨パッドを洗浄するので、研磨パッドを汚染するという欠点は生じず、良好なドレッシング結果が得られる。
以下、添付図面に従って、本発明に係る研磨パッドのドレッシング方法の好ましい実施の形態(第1の実施形態)について詳説する。図1は、本発明の研磨パッドのドレッシング方法が適用される研磨装置10の正面図であり、図2は、同じく要部平面図である。
図1及び図2に示されるように、研磨装置10は、主として研磨定盤52と、ワークWを保持するウェーハ保持ヘッド51と、スラリー(研磨剤が分散された溶液であり、多くの場合メカノケミカル研磨剤が使用される)を供給するスラリー供給腕53とで構成されている。
研磨定盤52は円盤状に形成され、その下面中央には回転軸54が連結されている。研磨定盤52は、この回転軸54に連結されたモータ56を駆動することにより、図の矢印の方向に回転するようになっている。また、この研磨定盤52の上面には研磨パッド50が貼り付けられており、この研磨パッド50上にスラリー供給腕53先端のノズル53Aからスラリーが供給されるようになっている。
ウェーハ保持ヘッド51は、下面にワークWを保持する円盤状部材であり、上面中央に接続された押圧軸51Aにより図示しない押圧手段より押圧力が伝達されるようになっている。そして、研磨定盤52の回転にしたがって、図の矢印の方向に回転(つれ回り)するようになっている。
次に、本発明の特徴部分である研磨パッドのドレッシング手段について説明する。この研磨パッドのドレッシング手段は、パッドドレッサー60とノズル14よりなる。これらは、アーム42及びパイプ16を介してポンプ20に支持されている。
このうち、パッドドレッサー60は、表面(下面)にダイヤモンド砥粒が固定された円盤状体である。このパッドドレッサー60は、上面中央に接続された軸60Aを介してアーム42に回動自在に支持されている。したがって、このパッドドレッサー60が研磨パッド50に押圧された状態で研磨定盤52が回転駆動されると、パッドドレッサー60も回転(つれ回り)する。
ノズル14は、研磨パッド50の表面より所定距離の位置に配置されている。図3及び図4は、このノズル14を説明するもので、図3はノズル14の断面図であり、図4はノズル14の下面図である。ノズル14は、吐出口22を有するノズルチップ24と、このノズルチップ24が内挿されているノズルケース26とから構成されている。吐出口22は、図4に示されるように縦長で、中央部が前方(図3中下側)に向けて拡開した楕円状に形成されている。ノズル14の種類は、噴射パターンにより、各種の仕様のものが採用できる。
このノズル14は、パイプ16を介してポンプ20に接続されていて、このポンプ20は、可撓性のホース22を介してタンク24に接続されている。タンク24に貯留された洗浄液は、ポンプ20によって加圧されてノズル14に送られ、研磨パッド50に向けて噴射されるようになっている。パイプ16は、扇形のラック26及びピニオンギア28を介してモータ30のスピンドルに係合されている。また、ポンプ20はロータリーステージ18を介してテーブル32上に設置されている。
したがって、モータ30を正転又逆転させることにより、ノズル14及びパッドドレッサー60にロータリーステージ18を回動中心とする左右方向の揺動運動をさせることができる。このノズル14及びパッドドレッサー60の揺動運動は、図示しない制御部によってモータ30を介して制御される。図2ではこの揺動運動が示され、ノズル14及びパッドドレッサー60は、矢印d及びeで示されるように揺動運動できるようになっている。
ポンプ20及びモータ30は、テーブル32上に設置されている。このテーブル32は、基台34上に設けられたレール36上で矢印a方向に移動自在であり、テーブル32の端部は、基台34に支持されているエアシリンダ38にロッド40を介して接続されている。したがって、エアシリンダ38を作動させることによって、テーブル32等を介してノズル14及びパッドドレッサー60を矢印a方向に移動させることができる。
なお、レール36及びエアシリンダ38等の配置を変更してテーブル32の移動方向を変更し、ノズル14及びパッドドレッサー60をパイプ16の軸と垂直な方向へ水平移動させるようにしてもよい。
ノズル14より噴射する洗浄液としては、水(超純水、一次純水、水道水等)が一般的であるが、これらに化学薬品を添加したものも使用できる。
次に、以上のように構成された研磨パッドのドレッシング手段(パッドドレッサー60とノズル14)の動作について説明する。研磨パッド50で研磨作業が行われ、研磨パッド50のドレッシングが必要になると、テーブル移動機構(エアシリンダ38等)を作動させて、ノズル14及びパッドドレッサー60が研磨パッド50の略中心上に位置するようにテーブル32を移動させる。そして、研磨パッド50上にパッドドレッサー60を押圧させるとともに、ポンプ24を作動させてノズル14から洗浄液を噴射する。
パッドドレッサー60は、研磨パッド50に蓄積した研磨屑を、研磨パッド50の外周方向に掻き出す。ノズル14から噴射された洗浄液は、粒径が1μm以上500μm以下である霧粒となり、10m/s以上500m/s以下の速度で、研磨パッド50に衝突する。
そして、洗浄液は、パッドドレッサー60によって掻き出された研磨屑を研磨パッド50の外周方向に直ちに洗い流す。掻き出した研磨屑を高圧の洗浄液で洗い流すので、研磨パッド50をパッドドレッサー60で強く擦る必要はない。
したがって、研磨パッド50の損傷を防止でき、更に、パッドドレッサー60の磨耗による塵の発生を抑止して研磨パッド50の汚染を防止でき、また、凝集した研磨剤やパッドドレッサー60からの脱粒等に起因するスクラッチの発生を防止できる。
本ドレッシング手段では、洗浄液の霧粒の大きさ及び衝突速度を最適化して、研磨パッド50の深層まで充分に洗浄液を到達させているので、研磨パッド50には清浄な洗浄液が常に送り込まれている。したがって、パッドドレッサー60を回転(つれ回り)させ、パッドドレッサー60で研磨パッド50を押圧することにより、研磨パッド50を押し洗いする効果が生ずる。これにより、研磨パッド50の深層に蓄積した研磨屑を、研磨パッド50の表層に浮き上がらせて除去することができる。
そして、前記のように、パッドドレッサー60の回転及びノズル14からの洗浄液の噴射を行いながら、研磨パッド50(研磨定盤52)を図2の矢印方向に回転させる。更に、アーム42を図2の矢印d、e方向に揺動させながらドレッシングすることにより、研磨パッド50上の研磨屑を研磨パッド50の外周方向へ掃き出しつつ、研磨パッド50の全面がもれなくドレッシングされる。
研磨パッド50に衝突させる洗浄液の霧粒の粒径は、1μm以上500μm以下が好ましく、1μm以上300μm以下がより好ましく、1μm以上100μm以下が更に好ましい。
小さすぎる霧粒は、空気の抵抗や研磨パッド50との衝突で運動エネルギーを失いやすく、大きすぎる霧粒は、研磨パッド50の孔に入ることができないので、いずれも研磨パッド50の深層まで達することができないからである。
洗浄液の霧粒が研磨パッド50に衝突する速度は、10m/s以上500m/s以下が好ましく、30m/s以上150m/s以下がより好ましい。霧粒の衝突速度が小さすぎると、研磨パッド50の深層まで達するには運動エネルギーが足りず、霧粒の衝突速度が大きすぎると、研磨パッド50を損傷するおそれがあるからである。
以上の洗浄液の霧粒の大きさ及び衝突速度を実現するためには、ノズル14の吐出口が短径400μm長径600μmの楕円形である場合、洗浄液をノズル14へ1MPa以上50MPa以下の圧力で供給することが好ましく、10MPa以上30MPa以下の圧力で供給することがより好ましい。
以上説明した研磨パッドのドレッシング手段の動作において、被研磨物(ワークW、ウェーハ上のパターン等)の材質、研磨パッド50の種類、研磨剤スラリーの組成等に応じて、研磨加工とドレッシングとの組み合わせに各種のバリエーションが考えられる。以下、このバリエーションについて説明する。
1)研磨加工と同時にパッドドレッサー60による研磨パッド50のドレッシングを行うとともに、研磨加工の後にノズル14から洗浄液を噴出させて研磨パッド50のドレッシングを行う方法。
このように、in−situでパッドドレッサー60によるドレッシングを行うとともに、Ex−situで洗浄液の噴出によるドレッシングを行えば、ドレッシングによるダウンタイムを最小限にでき、稼働率が向上する。
なお、このドレッシングは、各ワークW(ウェーハ)の処理毎に行わなくてもよく、たとえば、ワークWの10カセット処理(250枚)毎に1回行う方法でよい(以降のバリエーション(バリエーション2)〜6))においても同じ)。
2)研磨加工と同時にパッドドレッサー60による研磨パッド50のドレッシングを行うとともに、研磨加工の後に、パッドドレッサー60による研磨パッド50のドレッシングと同時に、ノズル14から洗浄液を噴出させて研磨パッド50のドレッシングを行う方法。
このように、in−situでパッドドレッサー60によるドレッシングを行うとともに、Ex−situでパッドドレッサー60によるドレッシングと洗浄液の噴出によるドレッシングを行っても、ドレッシングによるダウンタイムを減少でき、稼働率が向上する。
3)研磨加工の後に、パッドドレッサー60による研磨パッド50のドレッシングと同時に、ノズル14から洗浄液を噴出させて研磨パッド50のドレッシングを行う方法。
Cu等の層間膜の平坦化プロセスにおいては、in−situでのドレッシングが不適であり、このようにEx−situでのパッドドレッサー60によるドレッシングと洗浄液の噴出によるドレッシングを同時に行うことにより、良好な結果が得られる。
4)研磨加工の後に、パッドドレッサー60による研磨パッド50のドレッシングを行い、その後、パッドドレッサー60による研磨パッド50のドレッシングと同時に、ノズル14から洗浄液を噴出させて研磨パッド50のドレッシングを行う方法。
このようなEx−situでのパッドドレッサー60によるドレッシングと、その後のパッドドレッサー60によるドレッシングと洗浄液の噴出によるドレッシングを同時に行うことによっても、良好な結果が得られる。
次に、本発明に係る研磨パッドのドレッシング方法の他の実施の形態(第2の実施形態)について詳説する。図5は、本発明の研磨パッドのドレッシング方法が適用される他の研磨装置の要部平面図であり、第1の実施形態の図2に対応する。なお、図1及び図2と同一、類似の部材については、同様の符号を附し、その詳細な説明を省略する。
本実施形態において第1の実施形態と相違するのは、ドレッシング手段(パッドドレッサー60とノズル14)の構成とスラリー供給腕53の構成である。
ドレッシング手段に関しては、本実施形態においてパッドドレッサー60が、第1の実施形態と同様にアーム42の先端部分に回動自在に支持されているが、ノズル14は、第1の実施形態と異なり、アーム42の側面に固定されている。そして、ノズル14への洗浄液の供給は、ポンプ20(図1参照)より供給配管14Aを経て行われている。
なお、アーム42は、第1の実施形態と異なり、回動中心42Aを中心に、図示しない回動手段により行われるようになっている(以降の第3〜第5の実施形態においても同じ)。
以上のドレッシング手段の構成は、第1の実施形態と異なっているものの、この基本的な作用は、第1の実施形態と略同様である。また、以上のように構成された研磨パッドのドレッシング手段(パッドドレッサー60とノズル14)の動作については、第1の実施形態と略同様であることより、説明を省略する。
なお、後述する研磨加工とドレッシングとの組み合わせの他のバリエーション(バリエーション5)及び6))の際のように、パッドドレッサー60を使用しない場合には、パッドドレッサー60が上方に退避可能となっている。
一方、スラリー供給用のノズル53Aは、第1の実施形態と同様に、スラリー供給腕53の先端部分に固定されているが、本実施形態においては、これに加え、6個のリンス液供給ノズル55、55…がスラリー供給腕53の下面に所定間隔をもって固定されている。
以上のスラリー供給腕53の構成により、第1の実施形態と異なり、研磨パッド50上の中心より外周までの広い範囲にわたってリンス液が供給可能となっている。
以上のように構成されたスラリー供給腕53の動作について説明する。研磨加工の際には、スラリー供給腕53は図5の位置に固定され、先端のスラリー供給用のノズル53Aより研磨パッド50上にスラリーが供給される。このとき、リンス液供給ノズル55、55…よりのリンス液の供給はない。
一方、ノズル14によるドレッシングの際、又は、ノズル14によるドレッシングの後には、リンス液供給ノズル55、55…よりリンス液が研磨パッド50上に供給され、ノズル14により研磨パッド50の深層から研磨パッド50の表層に浮き上がらせた研磨屑を、研磨パッド50の外周方向へ流し去り、研磨パッド50の全面をもれなくドレッシングする。
この際、研磨パッド50(研磨定盤52)が回転しているので、スラリー供給腕53は図5の位置に固定されていても、研磨パッド50の全面をもれなくドレッシングできる。なお、ドレッシングの際には、スラリー供給用のノズル53Aよりの研磨パッド50上へのスラリー供給はない。
リンス液供給ノズル55、55…より供給されるリンス液としては、水(超純水、一次純水、水道水等)が一般的であるが、これらに化学薬品を添加したものも使用できる。このリンス液の供給流量は、ノズル14より噴射する洗浄液の流量より多いことが求められる。このようにリンス液の供給流量を洗浄液の流量より多くすることにより、研磨パッド50の表層に浮き上がらせた研磨屑を、研磨パッド50の外周方向へもれなく流し去ることができる。
たとえば、ノズル14より噴射する洗浄液の流量を1リットル/分とした場合、リンス液の供給流量を1〜1000リットル/分とすることが好ましく、10〜100リットル/分とすることがより好ましい。この洗浄液の最適な流量は、研磨パッド50の径やノズル14の数によって変化する。なお、リンス液供給ノズル55、55…より供給されるリンス液の噴射は、同時噴射でもよく、順次の噴射でもよい。
次に、第2の実施形態の構成による、研磨加工とドレッシングとの組み合わせのバリエーションについて説明する。
5)研磨加工の後に、洗浄液をノズル14より研磨パッド50に向けて噴出させて研磨パッド50のドレッシングを行うとともに、洗浄液よりも大流量のリンス液をリンス液供給ノズル55、55…より研磨パッド50上に供給して研磨パッド50を洗浄する。
このように、洗浄液の噴出によるドレッシングを行って、研磨パッド50の深層に蓄積した研磨屑が研磨パッド50の表面に浮き出したとしても、大流量のリンス液で研磨パッド50を洗浄するので、研磨パッド50を汚染するという欠点は生じず、良好なドレッシング結果が得られる。
6)研磨加工の後に、洗浄液をノズル14より研磨パッド50に向けて噴出させて研磨パッド50のドレッシングを行い、その後、洗浄液よりも大流量のリンス液をリンス液供給ノズル55、55…より研磨パッド50上に供給して研磨パッド50を洗浄する。
このように、洗浄液の噴出によるドレッシングを行って、研磨パッド50の深層に蓄積した研磨屑が研磨パッド50の表面に浮き出したとしても、大流量のリンス液で研磨パッド50を洗浄するので、研磨パッド50を汚染するという欠点は生じず、良好なドレッシング結果が得られる。
次に、本発明に係る研磨パッドのドレッシング方法の他の実施の形態(第3の実施形態)について詳説する。図6は、本発明の研磨パッドのドレッシング方法が適用される更に他の研磨装置の要部平面図であり、第1の実施形態の図2及び第2の実施形態の図5に対応する。なお、図1、図2及び図5と同一、類似の部材については、同様の符号を附し、その詳細な説明を省略する。
本実施形態において第2の実施形態と相違するのは、ドレッシング手段のノズル14の構成である。すなわち、ノズル14がアーム42の側面に配されている点では、第2の実施形態と共通であるが、このノズル14は、ノズルガイド14Bを介してアーム42に対して長手方向に摺動自在に支持されている。なお、ノズル14への洗浄液の供給は、ポンプ20(図1参照)より供給配管14Aを経て行われている。
以上の構成に対応する第3の実施形態の作用について説明する。ドレッシング手段によるドレッシングの際には、アーム42が図6に示される退避位置より想像線(二点鎖線)の位置に移動し、パッドドレッサー60とノズル14のいずれか、又は双方による研磨パッド50のドレッシングが行われる。
このとき、パッドドレッサー60の位置を固定した状態でノズル14を長手方向に摺動させることができる。したがって、パッドドレッサー60の位置を固定したまま、洗浄液をノズル14より研磨パッド50に向けて噴出させて研磨パッド50の略全面のドレッシングが行える。
次に、本発明に係る研磨パッドのドレッシング方法の他の実施の形態(第4の実施形態)について詳説する。図7は、本発明の研磨パッドのドレッシング方法が適用される更に他の研磨装置の要部平面図であり、第1の実施形態の図2、第2の実施形態の図5、及び第3の実施形態の図6に対応する。なお、図1、図2、図5及び図6と同一、類似の部材については、同様の符号を附し、その詳細な説明を省略する。
本実施形態において第1の実施形態と相違するのは、ドレッシング手段のノズル14の構成である。すなわち、ノズル14がアーム42に配されずに、スラリー供給腕53の先端部分の近傍(スラリー供給用のノズル53Aの内側)に配されている。なお、ノズル14への洗浄液の供給は、ポンプ20(図1参照)より供給配管14Aを経て行われている。
以上の構成に対応する第4の実施形態の作用について説明する。ドレッシング手段によるドレッシングの際には、アーム42が図7に示される退避位置より想像線(二点鎖線)の位置に移動し、パッドドレッサー60による研磨パッド50のドレッシングが行われる。
このパッドドレッサー60による研磨パッド50のドレッシングと同時に、洗浄液をノズル14より研磨パッド50に向けて噴出させて研磨パッド50のドレッシングを行う場合、パッドドレッサー60の位置(アーム42の位置)を固定した状態で、スラリー供給腕53を揺動させることにより、洗浄液をノズル14より研磨パッド50に向けて噴出させて研磨パッド50の略全面のドレッシングが行える。
次に、本発明に係る研磨パッドのドレッシング方法の他の実施の形態(第5の実施形態)について詳説する。図8は、本発明の研磨パッドのドレッシング方法が適用される更に他の研磨装置の要部平面図であり、第1の実施形態の図2、第2の実施形態の図5、第3の実施形態の図6及び第4の実施形態の図7に対応する。なお、図1、図2、図5、図6及び図7と同一、類似の部材については、同様の符号を附し、その詳細な説明を省略する。
本実施形態において第1の実施形態と相違するのは、ドレッシング手段のパッドドレッサー60の構成とノズル14の構成である。すなわち、ノズル14はパッドドレッサー60の背面に配されており、パッドドレッサー60に設けられた貫通孔又はパッドドレッサー60の内外周より洗浄液が研磨パッド50に向けて噴出されるようになっている。なお、ノズル14への洗浄液の供給は、ポンプ20(図1参照)より供給配管14Aを経て行われている。
以下、パッドドレッサー60の詳細について説明する。図9〜図12は、パッドドレッサー60の平面図(下面図)である。図9に示されるパッドドレッサー60は、円盤状で、中心部に貫通孔60Aが設けられ、この貫通孔60Aより洗浄液が噴出される構成のものである。
図10に示されるパッドドレッサー60は、円盤状で、全面に分散して複数(図では8個)の貫通孔60B、60B…が設けられ、この貫通孔60B、60B…より洗浄液が噴出される構成のものである。
図11に示されるパッドドレッサー60は、円盤状で、この外周側にリング状部材61が設けられ、このリング状部材61に設けられた複数(図では4個)の貫通孔61A、61A…より洗浄液が噴出される構成のものである。
図12に示されるパッドドレッサー60は、円環状で、この内周側にリング状部材63が設けられ、このリング状部材63に設けられた複数(図では4個)の貫通孔63A、63A…より洗浄液が噴出される構成のものである。
このように、図9〜図12に示されるいずれかの構成を採用することにより、パッドドレッサー60とノズル14といった2種類のドレッシング方法を組み合わせた相乗効果が得られる。
すなわち、いずれの構成のものも、パッドドレッサー60とノズル14とが隣接して配されているので、パッドドレッサー60によって研磨パッド50より掻き出された研磨屑等の異物を、ノズル14より噴出される洗浄液により直ちに洗い流すことができる。
以上、本発明に係る研磨パッドのドレッシング方法の各実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。
たとえば、本実施の形態では、下面にワークWを保持するウェーハ保持ヘッド51が、研磨定盤52の回転にしたがって、各図の矢印の方向に回転(つれ回り)する構成となっているが、このウェーハ保持ヘッド51に独自の駆動手段(モータ等)を設けることもできる。
また、本実施の形態に示される研磨装置10は、ウェーハ保持ヘッド51でワークWを保持する形式のものであるが、本発明は、研磨パッド50上に配されるリング状部材の内側に配されるキャリヤー内にワークWを配する形式の研磨装置、いわゆるリングポリッシャーにも好適に適用できる。
更に、本実施の形態においては、ドレッシングの対象として、半導体ウェーハ研磨装置の研磨パッド(たとえばポリウレタン製パッド)を例にとったが、これに限定されることなく、本発明を、他の研磨装置の研磨バフや多孔質の砥石等のドレッシングにも好適に適用できる。
10…研磨装置、14…ノズル、16…パイプ、20…ポンプ、50…研磨パッド、51…ウェーハ保持ヘッド、52…研磨定盤、53…スラリー供給腕、60…パッドドレッサー、W…ワーク
Claims (14)
- スラリーを供給しながらワークを研磨パッドに接触させて加工を行う研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法であって、
前記研磨パッドにパッドドレッサーを押圧して研磨パッドのドレッシングを行うとともに、洗浄液を液滴粒径が1μm以上500μm以下の霧粒にして10m/秒以上500m/秒以下の速度でノズルより前記研磨パッドに向けて噴出させて研磨パッドのドレッシングを行うことを特徴とする研磨パッドのドレッシング方法。 - 前記洗浄液を前記ノズルより噴出させるべく1MPa以上50MPa以下に加圧する請求項1に記載の研磨パッドのドレッシング方法。
- 前記パッドドレッサーが、その表面に多数のダイヤモンド砥粒を固定した板状体である請求項1又は2に記載の研磨パッドのドレッシング方法。
- 研磨加工と同時に前記パッドドレッサーによる研磨パッドのドレッシングを行うとともに、研磨加工の後に前記洗浄液の噴出による研磨パッドのドレッシングを行う請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法。
- 研磨加工と同時に前記パッドドレッサーによる研磨パッドのドレッシングを行うとともに、研磨加工の後に前記パッドドレッサーによる研磨パッドのドレッシングと前記洗浄液の噴出による研磨パッドのドレッシングを同時に行う請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法。
- 研磨加工の後に前記パッドドレッサーによる研磨パッドのドレッシングと前記洗浄液の噴出による研磨パッドのドレッシングを同時に行う請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法。
- 研磨加工の後に前記パッドドレッサーによる研磨パッドのドレッシングを行い、その後、前記パッドドレッサーによる研磨パッドのドレッシングと前記洗浄液の噴出による研磨パッドのドレッシングを同時に行う請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法。
- 前記パッドドレッサーに1以上の貫通孔を設け、該貫通孔より前記洗浄液を噴出させる請求項1〜7のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法。
- 前記パッドドレッサーを円盤状とし、該パッドドレッサーの外周側より前記洗浄液を噴出させる請求項1〜7のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法。
- 前記パッドドレッサーを円環状とし、該パッドドレッサーの内周側より前記洗浄液を噴出させる請求項1〜7のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法。
- 前記パッドドレッサーと前記ノズルを前記研磨パッドに対し相対移動させながら研磨パッドのドレッシングを行う請求項1〜10のいずれか1項に記載の研磨パッドのドレッシング方法。
- スラリーを供給しながらワークを研磨パッドに接触させて加工を行う研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法であって、
洗浄液を液滴粒径が1μm以上500μm以下の霧粒にして10m/秒以上500m/秒以下の速度でノズルより前記研磨パッドに向けて噴出させて研磨パッドのドレッシングを行うとともに、前記洗浄液よりも大流量のリンス液で前記研磨パッドを洗浄することを特徴とする研磨パッドのドレッシング方法。 - スラリーを供給しながらワークを研磨パッドに接触させて加工を行う研磨装置における研磨パッドのドレッシング方法であって、
洗浄液を液滴粒径が1μm以上500μm以下の霧粒にして10m/秒以上500m/秒以下の速度でノズルより前記研磨パッドに向けて噴出させて研磨パッドのドレッシングを行い、その後、前記洗浄液よりも大流量のリンス液で前記研磨パッドを洗浄することを特徴とする研磨パッドのドレッシング方法。 - 前記洗浄液を前記ノズルより噴出させるべく1MPa以上50MPa以下に加圧する請求項12又は13に記載の研磨パッドのドレッシング方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004351222A JP2006159317A (ja) | 2004-12-03 | 2004-12-03 | 研磨パッドのドレッシング方法 |
US11/195,722 US20060121837A1 (en) | 2004-12-03 | 2005-08-03 | Dressing method for polishing pad |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004351222A JP2006159317A (ja) | 2004-12-03 | 2004-12-03 | 研磨パッドのドレッシング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006159317A true JP2006159317A (ja) | 2006-06-22 |
Family
ID=36574950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004351222A Pending JP2006159317A (ja) | 2004-12-03 | 2004-12-03 | 研磨パッドのドレッシング方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060121837A1 (ja) |
JP (1) | JP2006159317A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009542450A (ja) * | 2006-06-27 | 2009-12-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パッドクリーニング方法 |
KR102470301B1 (ko) * | 2022-02-11 | 2022-11-25 | (주)대영에스지 | 양면 연마장치용 드레서 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5610615B2 (ja) * | 2010-06-21 | 2014-10-22 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨布のドレッシング方法およびドレッシング装置 |
US10293462B2 (en) * | 2013-07-23 | 2019-05-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pad conditioner and method of reconditioning planarization pad |
KR101841549B1 (ko) * | 2015-10-29 | 2018-03-23 | 에스케이실트론 주식회사 | 드레싱 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 장치 |
CN108500843B (zh) * | 2018-04-04 | 2020-01-14 | 河南科技学院 | 一种用于固结磨料研抛垫的磨料射流自适应修整方法 |
JP2022018685A (ja) * | 2020-07-16 | 2022-01-27 | 株式会社岡本工作機械製作所 | ドレッシング装置及び研磨装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10244458A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Asahi Sanac Kk | 研磨パッドのドレッシング装置 |
JPH10244459A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Asahi Sanac Kk | 半導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシング装置 |
JPH11204469A (ja) * | 1997-12-29 | 1999-07-30 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体製造設備のパッド洗浄システムおよび洗浄方法 |
JP2001237208A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Ebara Corp | 研磨装置の研磨面洗浄方法及び洗浄装置 |
JP2002103201A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-09 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP2003181756A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-02 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工装置用コンディショナー装置 |
JP2003211355A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-29 | Ebara Corp | ポリッシング装置及びドレッシング方法 |
JP2003347256A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨布洗浄プレート及び研磨布洗浄方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3926673A1 (de) * | 1989-08-11 | 1991-02-14 | Wacker Chemitronic | Verfahren und vorrichtung zur poliertuchaufbereitung beim chemomechanischen polieren, insbesondere von halbleiterscheiben |
JP2000079551A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-03-21 | Canon Inc | コンディショニング装置及びコンディショニング方法 |
US6358128B1 (en) * | 1999-03-05 | 2002-03-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
JP3767787B2 (ja) * | 1999-11-19 | 2006-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 研磨装置及びその方法 |
US20010029155A1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-10-11 | Applied Materials, Inc. | Multi-step conditioning process |
US20020023715A1 (en) * | 2000-05-26 | 2002-02-28 | Norio Kimura | Substrate polishing apparatus and substrate polishing mehod |
US6682406B2 (en) * | 2001-11-30 | 2004-01-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Abrasive cleaning tool for removing contamination |
US6994612B2 (en) * | 2002-02-13 | 2006-02-07 | Micron Technology, Inc. | Methods for conditioning surfaces of polishing pads after chemical-mechanical polishing |
US20030190874A1 (en) * | 2002-04-02 | 2003-10-09 | So Joseph K. | Composite conditioning tool |
JP2004106084A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Ebara Corp | ポリッシング装置及び基板処理装置 |
US20040242121A1 (en) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Kazuto Hirokawa | Substrate polishing apparatus |
-
2004
- 2004-12-03 JP JP2004351222A patent/JP2006159317A/ja active Pending
-
2005
- 2005-08-03 US US11/195,722 patent/US20060121837A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10244458A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Asahi Sanac Kk | 研磨パッドのドレッシング装置 |
JPH10244459A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Asahi Sanac Kk | 半導体ウェーハ用研磨パッドのドレッシング装置 |
JPH11204469A (ja) * | 1997-12-29 | 1999-07-30 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体製造設備のパッド洗浄システムおよび洗浄方法 |
JP2001237208A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Ebara Corp | 研磨装置の研磨面洗浄方法及び洗浄装置 |
JP2002103201A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-09 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP2003181756A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-02 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工装置用コンディショナー装置 |
JP2003211355A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-29 | Ebara Corp | ポリッシング装置及びドレッシング方法 |
JP2003347256A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨布洗浄プレート及び研磨布洗浄方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009542450A (ja) * | 2006-06-27 | 2009-12-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パッドクリーニング方法 |
KR102470301B1 (ko) * | 2022-02-11 | 2022-11-25 | (주)대영에스지 | 양면 연마장치용 드레서 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060121837A1 (en) | 2006-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2647050B2 (ja) | ウェハ研磨装置 | |
US8727835B2 (en) | Methods of conditioning a planarizing pad | |
US6669538B2 (en) | Pad cleaning for a CMP system | |
JP4412192B2 (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法 | |
JP5671510B2 (ja) | 半導体デバイス基板の研削方法 | |
US9475170B2 (en) | Device for cleaning fixed abrasives polishing pad | |
US7037178B2 (en) | Methods for conditioning surfaces of polishing pads after chemical-mechanical polishing | |
KR20010050233A (ko) | 연마 장치 및 연마 방법, 연마 패드의 컨디셔닝 방법 | |
US20060121837A1 (en) | Dressing method for polishing pad | |
JP2010228058A (ja) | 研磨布の洗浄装置および洗浄方法 | |
JP2010069601A (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法および研磨装置 | |
TW202207299A (zh) | 修整裝置和研磨裝置 | |
JP2008272902A (ja) | Cmp装置における研磨ヘッド洗浄装置及び研磨ヘッド洗浄方法 | |
JP6576747B2 (ja) | 研削装置 | |
JPH01205950A (ja) | ポーラスチャックテーブルの洗浄方法およびその装置 | |
JP2000254855A (ja) | 研磨パッドのコンディショニング装置および研磨パッドのコンディショニング方法 | |
JP2001138233A (ja) | 研磨装置、研磨方法および研磨工具の洗浄方法 | |
JP2006332550A (ja) | 研磨パッドのドレッシング性評価方法及び研磨パッドのドレッシング方法 | |
JPH10244458A (ja) | 研磨パッドのドレッシング装置 | |
JPH10256199A (ja) | 吸着支持面の洗浄装置 | |
KR20060114994A (ko) | 화학적 기계적 연마 장치의 컨디셔너 세정 장치 및 그 세정방법 | |
JP2008311382A (ja) | ポーラスセラミック製チャックの洗浄方法 | |
JP2000246635A (ja) | 砥石の再生方法およびその装置 | |
JP5484171B2 (ja) | 研磨パッドの溝形成方法 | |
JP2007253294A (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090129 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090527 |