JP2996564B2 - 液晶パネルの駆動方法 - Google Patents

液晶パネルの駆動方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶パネルの駆動方法に
関し、とくに、強誘電性液晶(以下FLCという)を用
いた液晶パネルの駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】FLCパネルの構成は図2に概略的な断
面図で示されるものである。即ち、2枚のガラス基板5
a,5bは互いに対向させて配置され、一方のガラス基
板5aの表面にはインジウム錫酸化物(以下ITOと略
称する)等からなる透明な信号電極Sが複数本互いに平
行に配置されており、その上はSiO2 等からなる透明
な絶縁膜6aで被覆されている。
【0003】信号電極Sと対向するもう一方のガラス基
板5bの表面にはITO等からなる透明な走査電極Lが
信号電極Sと直交する向きに複数本互いに平行に配置さ
れており、その上はSiO2 からなる透明な絶縁膜6b
で被覆されている。
【0004】各絶縁膜6a,6b上にはラビング処理な
ど施したポリビニルアルコール等からなる透明な配向膜
7a,7bが各々形成されている。この2枚のガラス基
板5a,5bは一部に注入口を残して封止剤8で貼り合
わされ、その注入口から配向膜7a,7bで挟まれる空
間内に真空注入によってFLC9が導入された後、上記
注入口は封止剤8で封止される。
【0005】このようにして貼り合わせた2枚のガラス
基板5a,5bは、互いの偏光軸が直交するよう配置し
た2枚の偏光板10a,10bで挟まれている。図3
は、このFLCパネル1の走査電極Lに走査側駆動回路
11を接続し、信号電極Sに信号側駆動回路12を接続
したFLCディスプレイ(以下FLCDと略称する)4
の概略的な構成を示す平面図である。
【0006】ここでは説明を簡単にする為に走査電極L
が16本で信号電極Sが16本の場合、つまり16×1
6の画素で構成されているFLCD4の場合について示
しており、走査電極Lの各々は符号Lに添字i(i=0
〜F)を付加して区別し、信号電極Sの各々は符号Sに
添字j(j=0〜F)を付加して区別している。また、
以後の説明では、任意の走査電極Liと任意の信号電極
Sjが交差する部分の画素を符号Aijで表すものとす
る。
【0007】この走査側駆動回路11は走査電極Lに電
圧を印加する為の回路であり、図示しないアドレス デ
コーダーとラッチとアナログ スウィッチから構成さ
れ、指定されたアドレスAxに対応する走査電極Liへ
選択電圧Vc1を印加し、それ以外の走査電極Lk(k≠
i)へ非選択電圧Vc0を印加する。また信号側駆動回路
12は信号電極Sに電圧を印加する為の回路であり、図
示しないシフトレジスタとラッチとアナログ スウィッ
チから構成され、データDATAが「1」に対応する信
号電極Sへアクテブ電圧Vs1を印加し、データDATA
が「0」に対応する信号電極Sへノンアクテブ電圧Vs0
を印加する。
【0008】この画素Aijを構成するFLC分子10
1は、図7(B)に示すように分子の長軸方向と垂直に
自発分極Psを持ち、走査電極Lと信号電極Sの電圧か
ら作られる電界Eと自発分極Psのベクトル積に比例し
た力を受け2倍のチルト角2θの頂角を持った円錐10
2の表面上を移動する。FLC分子101は2つの安定
状態を持ち、電界EによりFLC分子101が図7
(A)に示す軸107まで移動させられると安定状態1
05となり、電界EによりFLC分子101が軸106
まで移動させられると安定状態104となる性質を持
つ。FLC分子101をその与えられた安定状態から電
界Eにより動かすと、その安定状態が替わらない限り元
の安定状態へ戻ろうとする復元力がFLC分子101へ
働く。
【0009】FLC分子には、この他に分子の長軸方向
と短軸方向の誘電率の差Δεと電界Eの2乗に比例した
力が働く。つまりFLC分子に働く力Fは F=K0×Ps×E+K1×Δε×E2 (1) となる。そこで誘電異方性Δεが負のFLC材料をパネ
ルへ封止すれば、FLC分子へ働く力は、ある電界Ee
以下では誘電異方性Δε<0の効果による力より自発分
極Psの効果による力が格段に大きくなるが、ある電界
Ef以上では両者の効果による力は同じ程度になる。
【0010】この事を利用したFLCパネルの駆動方法
として、例えば特開昭62−56933や特開昭62−
280824や特開平1−24234等がある。このう
ち特開平1−24234においてFLC材料の電圧−応
答速度の関係を測定したグラフをそのまま引用したのが
図17である。
【0011】特開平1−24234の駆動方法は図16
に示すものである。即ち、画素Aijを構成するFLC
分子の安定状態を一方の安定状態へ書き換えるには、走
査電極Liへ図16(1)に示す電圧波形を印加した
時、信号電極Sjへ図16(3)に示す電圧波形を印加
して、図16(5)に示す電圧波形を画素Aijを構成
するFLC分子へ印加しそのFLC分子の安定状態を一
方の安定状態へ書き換える。画素Aijを構成するFL
C分子の安定状態をもう一方の安定状態へ書き換えるに
は、走査電極Liへ図16(1)に示す電圧波形を印加
した時、信号電極Sjへ図16(4)に示す電圧波形を
印加して、図16(6)に示す電圧波形を画素Aijを
構成するFLC分子へ印加しそのFLC分子の安定状態
をもう一方の安定状態へ書き換える。他の画素Akj
(k≠i)を構成するFLC分子の安定状態を書換えて
いる時には、走査電極Liへ図16(2)に示す電圧波
形が印加され、信号電極Sjへ図16(3)または
(4)に示す電圧波形が印加されるので、画素Aijを
構成するFLC分子へは図16(7)または(8)に示
す電圧波形が印加されそのFLC分子の安定状態は変化
しない。
【0012】この駆動方法が可能となるのは、図16
(6)または(5)に示す電圧−VaまたはVaの絶対
値が図17の30v近辺の電圧で、まだ誘電異方性Δε
<0の効果が自発分極Psの効果に較べて小さな領域の
電圧であり、図16(5)または(6)に示す電圧−V
a−2VbまたはVa+2Vbの絶対値が図17の50
v近辺の電圧であり、誘電異方性Δε<0の効果が自発
分極Psの効果と同じ程度の領域の電圧であり、前者の
電圧によりFLC分子に働く力が後者の電圧によりFL
C分子へ働く力より大きくなる為である。この事は図1
7の電圧−応答速度の関係が30v〜40vで最小値を
とり、40v以上の電圧では応答速度が30vの電圧よ
り遅くなることからも推測される。
【0013】また、この誘電異方性が負のBDH社製の
FLC材料SCE8を使った別の駆動方法がアメリカで
開かれたFLC’91学会でRSRE社から”The JOER
S/ALVEY Ferroelectric Multiplexing Scheme"として発
表された。図15に示すのはその論文で示されているF
LC材料SCE8の電圧−メモリパルス幅の関係であ
る。図15の(a)で示したデータは図14(B)に示
す通り±10vのバイアス電圧を重畳したパルスを印加
しながら測定したデータであり、図15の(b)で示し
たデータは図14(A)に示す通り±0vのバイアス電
圧を重畳したパルスを印加しながら測定したデータであ
る。この論文の駆動方法は1画面の書換えを2フィール
ドかけて行い、第1のフィールドで図13(A)に示す
駆動波形を印加し、第2のフィールドで図13(B)に
示す駆動波形を印加するというものである。
【0014】即ち、画素Aijを構成するFLC分子の
安定状態を一方の安定状態へ書き換えるには、第1のフ
ィールドで走査電極Liへ図13(A)の(1)に示す
選択電圧を印加した時、信号電極Sjへ図13(A)の
(3)に示す書換え電圧を印加して、図13(A)の
(5)に示す電圧波形を画素を構成するFLC分子へ印
加し、そのFLC分子の安定状態を一方の安定状態へ書
き換える。また、第2のフィールドで走査電極Liへ図
13(B)の(1)に示す選択電圧を印加した時、信号
電極Sjへ図13(B)の(4)に示す保持電圧を印加
して、図13(B)の(6)に示す電圧波形を画素Ai
jを構成するFLC分子へ印加し、そのFLC分子の安
定状態を変化させない。
【0015】画素Aijを構成するFLC分子の安定状
態をもう一方の安定状態へ書き換えるには、第1のフィ
ールドで走査電極Liへ図13(A)の(1)に示す選
択電圧を印加した時、信号電極Sjへ図13(A)の
(4)に示す保持電圧を印加して、図13(A)の
(6)に示す電圧波形を画素Aijを構成するFLC分
子へ印加し、そのFLC分子の安定状態を変化させな
い。また、第2のフィールドで走査電極Liへ図13
(B)の(1)に示す選択電圧を印加した時、信号電極
Sjへ図13(B)の(3)に示す書換え電圧を印加し
て、図13(B)の(5)に示す電圧波形を画素Aij
を構成するFLC分子へ印加し、そのFLC分子の安定
状態をもう一方の安定状態へ書き換える。
【0016】他の画素Akj(k≠i)を構成するFL
C分子の安定状態を書き換えている時には、第1のフィ
ールドで走査電極Liへ図13(A)の(2)に示す非
選択電圧が印加され、信号電極Sjへ図13(A)の
(3)または(4)に示す電圧波形が印加され、図13
(A)の(7)または(8)に示す電圧波形が画素Ai
jを構成するFLC分子へ印加される。第2のフィール
ドで走査電極Liへ図13(B)の(2)に示す非選択
電圧が印加された時、信号電極Sjへ図13(B)の
(4)または(3)に示す電圧波形が印加され、図13
(B)の(8)または(7)に示す電圧波形が画素Ai
jを構成するFLC分子へ印加される。いずれの電圧が
印加されてもそのFLC分子の安定状態は変化しない。
【0017】この駆動方法が可能となるのは、図13
(A)の(5)または図13(B)の(5)に示す電圧
−Vs+VdまたはVs−Vdの電圧が、誘電異方性Δ
ε<0の効果が自発分極Psの効果に較べ小さい領域の
電圧であり、図13(A)の(6)または図13(B)
の(6)に示す電圧−Vs−VdまたはVs+Vdの電
圧が、誘電異方性Δε<0の効果と自発分極Psの効果
が同じ程度の領域の電圧であり、前者の電圧によりFL
C分子へ働く力が後者の電圧によりFLC分子へ働く力
より大きいことによる。また、図13(A)の(5)ま
たは図13(B)の(5)では電圧−VdまたはVdの
極性が続く電圧−Vs+VdまたはVs−Vdと同極性
であるが、図13(A)の(6)または図13(B)の
(6)では電圧Vdまたは−Vdの極性が続く電圧−V
s−VdまたはVs+Vdと逆極性であるため、前者で
はFLC分子が予め電圧−Vs+VdまたはVs−Vd
で書き換え易い位置になるのに対し、後者ではFLC分
子が逆に電圧−Vs−VdまたはVs+Vdで書き換え
にくい位置になるからでもある。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】例えばFLC’91学
会でRSRE社から”The JOERS/ALVEY FerroelectricM
ultiplexing Scheme"として発表された論文によると、
図13の電圧Vsは50vでありVdは10v(または
7.5v)である。従って、このようにΔε<0の効果
がPsの効果と同じ程度になる電圧は±60v程度であ
る。
【0019】しかし、市販のCMOSドライバーの耐圧
は25v〜35vなので、従来例の駆動方法を使うに
は、BDH社のSCE8の半分程度の電圧でΔε<0の
効果がPsの効果と同じ程度になるFLC材料を開発す
る必要がある。
【0020】FLC分子に働く力は関係式(1)におい
て電界Eを半分とすると、 F/2=K1×Ps×E1/2+K2×Δε×(E1/2)2 (2) となり、Psに伴う第1項の値は1/2になるがΔεに
伴う第2項の値は1/4となり、電界E1ではΔε<0
の効果がPsの効果と同じ程度であっても、電界E1/
2ではΔε<0の効果はPsの効果の1/2程度とな
る。
【0021】ΔεはFLC材料のベースLCに主に支配
され、PsはFLC材料のカイラルの添加量に支配され
るので、添加するカイラルの量を半分以下にすれば同じ
Δεを持ちPsが半分のFLC材料をブレンドすること
は容易である(一方、Δεの値を変えるのはベースLC
を全く別の組成系にしなければならず、かなり困難であ
る)。
【0022】このFLC材料を使い関係式(1)におい
て電界Eを半分とすると、 F/4=K1×(Ps/2)×E1/2+K2×Δε×(E1/2)2 (3) となり、Psに伴う第1項の値は1/4となり、Δεに
伴う第2項の値も1/4となるので、自発分極PsのF
LC材料で電界E1でΔε<0の効果がPsの効果と同
じ程度であれば、自発分極Ps/2のFLC材料で電界
E1/2でΔε<0の効果がPsの効果と同じ程度とな
る。
【0023】しかし、自発分極Ps/2のFLC材料の
応答速度は、FLC分子に働く力が関係式(3)では関
係式(2)の半分となる事から予想できるように、自発
分極PsのFLC材料の応答速度の2倍程度遅くなる。
【0024】また、CMOSドライバーの耐圧25v〜
35vのうち、FLC分子の安定状態を書き換えるのに
有効に使われる電圧は、例えば図13の駆動方法では
(Vs−Vd)/(Vs+Vd)=2/3であり、この
ような応答速度の遅いFLC材料と駆動方法を表示に変
化の有る画素も無い画素も一様に書き換えるダイナミッ
ク駆動方法に適用したのでは、画面を上から下まで統べ
ての走査電極上の画素を書き換える時間が長くなり、そ
の時間が表示内容が変化した場合の応答速度の最悪値と
なることから応答速度が遅くなるという問題がある。
【0025】そこで、このような応答速度の遅いFLC
材料を、表示に変化の有る画素のみを書き換えるスタテ
ック駆動方法に適用し、表示に変化のあった走査電極上
の画素のみを書換えることにより応答速度を見かけ上速
くした駆動方法を与えるのが本発明の目的である。
【0026】
【課題を解決するための手段】この発明は、互いに交差
する方向に配列した複数の走査電極と複数の信号電極の
に、特定電圧Vminで応答速度が最も早くなる特徴
をもった強誘電性液晶を介在させ、走査電極と信号電極
との交差部に画素を形成した液晶パネルを用い、走査電
極に選択電圧又は非選択電圧を選択的印加すると共に、
信号電極に書換電圧又は保持電圧を選択的に印加し、
択電圧と書換電圧を印加する画素へは極性変化のないパ
ルス電圧を印加し、選択電圧と保持電圧、非選択電圧と
書換電圧、又は非選択電圧と保持電圧のいずれかを印加
する画素へは極性変化のある一連のパルス電圧を印加
し、それらの一連のパルス電圧は、互いに同じ数の同じ
順序で極性が変化する交番パルスからなり、最初と最後
のパルスは異なる極性を有し、各パルスの波高値は液晶
分子への影響がほぼ等しくなるようにVmin以上又は
Vmin以下に設定されたことを特徴とする液晶パネル
の駆動方法を提供するものである。
【0027】
【0028】さらに、走査電極を複数のグループに仮想
的に分割し、グループ毎にそのグループに属する走査電
極上の画素の表示を変化させる必要があるか否かを検知
する手段と、画素毎にその画素の表示を変化させる必要
があるか否を判別すると共にその表示の変化の種類を検
知する手段を用い、表示を変化させる必要のある画素を
含むグループに属する走査電極から構成される画素につ
いて、表示を変化させる必要のある画素を構成する強誘
電性液晶分子は、その表示させるべき状態に従い一方の
安定状態からもう一方の安定状態へ書き換えたり、もう
一方の安定状態から一方の安定状態へ書き換えたりする
が、表示を変化させる必要のない画素を構成する強誘電
性液晶分子は、その安定状態を保持することが好まし
い。
【0029】
【作用】誘電異方性が負のFLC材料を使えば、関係式
(1)において誘電異方性Δε<0の効果が自発分極P
sの効果に較べて小さな電界Egと、誘電異方性Δε<
0の効果が自発分極Psの効果と同程度な電界Ehとに
おいてFLC分子に働く力がほぼ等しくなる。
【0030】そこで、非選択電圧を印加した走査電極か
ら構成される画素を構成するFLC分子へ電界±(Eg
+α)を印加し、選択電圧を印加した走査電極と保持電
圧を印加した信号電極から構成される画素を構成するF
LC分子へ電界−Eg−αとEhまたはEg+αと−E
hを印加すれば、そのFLC分子が受ける力は前者の方
が後者より大きくなるか(α>0)または両者はほぼ等
しく(α〜0)なり、その画素の透過光量の変化は前者
の方が後者より大きなるかまたは両者はほぼ等しくな
る。
【0031】選択電圧を印加した走査電極と保持電圧を
印加した信号電極から構成される画素の透過光量の変化
が、非選択電圧を印加した走査電極から構成される画素
の透過光量の変化より小さくなるかほぼ等しければ、表
示に変化の無い画素では常に一定の(より小さな透過光
量の変化がたまにあっても目立たない)透過光量の変化
が観測されるので、その画素を構成する走査電極へ選択
電圧を印加し、その走査電極から構成される画素の表示
状態を書き換えても、フリッカは観測できない。
【0032】また、DTP(デスク トップ パブリッ
シング)やCAD(コンピュータエィデット デザイ
ン)の用途では、表示に変化のある画素を含む走査電極
の数は、統べての走査電極の数に較べてかなり少ないの
で、このようなPsを小さくし応答速度が遅くなったF
LC材料を使っても、かなり高速の見かけ上の応答を得
ることができる。
【0033】
【実施例】まずRSRE社の論文に示されていた図15
の追試験を行う。使用するFLCパネルは図2のFLC
パネル1と同じ構成としたので、ここではその説明は省
略する。FLC材料は論文と同じBDH社のSCE8を
使い、配向膜としてチッソ社製の配向膜PSI−XS0
12.PSI−XS014.PSI−X7355.PV
A.ナイロンを使い合計5枚のFLCパネルをつくり、
そのうちナイロンを除く4枚のFLCパネルの電圧−メ
モリパルス幅の関係を図14(A)に示す電圧波形で測
定しグラフ化したのが図18である。また各パネルの基
本特性は以下の通りである。
【0034】 プレチルト角 チルト角θ メモリ角ω PSI−XS012 2.5° 20.9° 13.8° PSI−XS014 2.3° 21.4° 14.0° PSI−X7355 7.5° 21.4° 13.9° PVA 〜0° 22.0° 11.9° ナイロン 〜0° 19.2° 13.6°
【0035】図19はラビング方向とプレチルトの方向
及びシェブロンの方向を記した図である。図19(a)
はC1ユニホーム配向であり、図19(b)はC1ツイ
スト配向であり、図19(c)はC2配向である。各パ
ネルの配向状態を調べたところ、ディスクリとラビング
方向の関係からC2配向と特定できた。
【0036】図18の電圧−メモリパルス幅特性では、
各パネルともメモリパルス幅が最少になる電圧が存在す
る。そこで、各パネル毎にその電圧をVminとし、 (V0+V1)>Vmin (4) なる電圧(V0+V1)を決めると、その電圧(V0+
V1)が印加されたときとFLC分子が受ける力と同じ
力をFLC分子に与える V0/2<Vmin (5) なる電圧V0/2が存在する事となる。
【0037】そこで、暗か明のメモリ状態にある画素
へ、図20の(1)に示す電圧−V0/2の後に電圧V
0/2と電圧0が続く電圧波形を印加した場合に画素に
生じる透過光量の変化と同じ透過光量の変化を与える電
圧波形は、図20の2)の電圧波形の他に同図(3)や
(4)の電圧波形や、電圧−(V0+V1)の後に電圧
(V0+V1)と電圧0が続く電圧波形や、電圧0の後
に電圧−(V0+V1)と電圧(V0+V1)が続く電
圧波形が存在する事になる。
【0038】また、暗か明のメモリ状態にある画素へ、
図20の(5)に示す電圧V0/2の後に電圧−V0/
2と電圧0が続く電圧波形を印加した場合に画素に生じ
る透過光量の変化と同じ透過光量の変化を与える電圧波
形は、図20の(6)の電圧波形の他に同図(7)や
(8)の電圧波形や、電圧(V0+V1)の後に電圧−
(V0+V1)と電圧0が続く電圧波形や、電圧0の後
に電圧(V0+V1)と電圧−(V0+V1)が続く電
圧波形がが存在する事になる。
【0039】このような特性を持つ誘電異方性が負の液
晶を注入したFLCパネルに用いる駆動波形決める方法
は以下のようにする。まず、非選択時にクロストークが
存在しないよう非選択時に画素へ印加される電圧を決め
る。非選択電圧を印加した走査電極と保持電圧を印加し
た信号電極から構成される画素A22へ印加する電圧波
形を図20の(1)とすれば、この電圧波形を画素を構
成するFLC分子へ印加した時の画素の透過光量の変化
とほぼ等しい透過光量の変化を示す電圧波形は、図20
の(2)〜(4)の電圧波形か、電圧−(V0+V1)
の後に電圧(V0+V1)と電圧0が続く電圧波形や、
電圧0の後に電圧−(V0+V1)と電圧(V0+V
1)が続く電圧波形である。そのような電圧波形のう
ち、仮に図20の(2)を非選択電圧を印加した走査電
極と書換え電圧を印加した信号電極から構成される画素
A21へ印加する電圧波形とする。
【0040】次に、選択電圧を印加した走査電極と保持
電圧を印加した信号電極から構成される画素A12へ印
加する電圧波形を図20の(1)〜(4)の電圧波形
か、電圧−(V0+V1)の後に電圧(V0+V1)と
電圧0が続く電圧波形や、電圧0の後に電圧−(V0+
V1)と電圧(V0+V1)が続く電圧波形から決め
る。このとき画素A22・A21・A12へ印加される
電圧V22・V21・V12と、選択電圧を印加した走
査電極と書換え電圧を印加した信号電極から構成される
画素A11へ印加される電圧V11との間には、 V22−V21=V12−V11 (6) 即ち V11=V12−(V22−V21) (6') なる関係式が成り立つので、画素A11へ印加される電
圧が0か正の電圧だけを含むように画素A12へ印加す
る電圧波形を決めると図20の(3)の電圧波形とな
る。
【0041】以上の計算を波形図を用いて行ったのが図
21の(a)の電圧波形の組合せであり、図21(a)
の(5)に示すのが画素A11へ印加される電圧波形で
ある。同様にして図21(b)〜(d)の電圧波形の組
合せや、図22(a)〜(d)の電圧波形の組合せを得
る事が出来る。また図21(a)〜(d)の電圧波形の
組合せを僅かに変形して作った図23(a)〜(d)の
電圧波形の組合せや図24(a)〜(d)の電圧波形の
組合せの様な電圧波形の組合せでも、(4)の電圧波形
を印加した画素A12の透過光量の変化が、(1)の電
圧波形を印加した画素A22や(2)の電圧波形を印加
した画素A21の透過光量の変化とほぼ等しいなら、本
発明の為の電圧波形の組合せとして使用する事も可能で
ある。そこで、図21(c)の電圧波形の組合せから図
9(A)に示す走査電極や信号電極や画素へ印加する電
圧波形の組合せを決める事ができる。また、図21の
(a)の電圧波形の組合せから図9(B)に示す走査電
極や信号電極や画素へ印加する電圧波形の組合せを決め
る事ができる。
【0042】即ち、図9(A)または(B)の(8)に
示す非選択電圧を印加した走査電極と保持電圧を印加し
た信号電極から構成される画素へ印加する電圧波形とし
て、図21の(c)または(a)の電圧波形の組合せの
(1)の電圧波形を当る。図9(A)または(B)の
(7)に示す非選択電圧を印加した走査電極と書換え電
圧を印加した信号電極から構成される画素へ印加する電
圧波形として、図21の(c)または(a)の電圧波形
の組合せの(2)の電圧波形を当る。図9(A)または
(B)の(6)に示す選択電圧を印加した走査電極と保
持電圧を印加した信号電極から構成される画素へ印加す
る電圧波形として、図21の(c)または(a)の電圧
波形の組合せの(4)の電圧波形を当る。図9(A)ま
たは(B)の(5)に示す選択電圧を印加した走査電極
と書換え電圧を印加した信号電極から構成される画素へ
印加する電圧波形として、図21の(c)または(a)
の電圧波形の組合せの(5)の電圧波形を当る。
【0043】このように画素へ印加する電圧波形を決め
れば、図9(A)または(B)の(6)の電圧波形を画
素を構成するFLC分子に印加したときの画素の透過光
量の変化は、図9(A)の(7)か(8)または図9
(B)の(7)か(8)の電圧波形を画素を構成するF
LC分子に印加したときの画素の透過光量の変化とほぼ
等しくなる。また、図9(A)でも図9(B)でも電圧
V0の代わりに電圧V0+α(α>0)を使えば、図9
(A)の(6)または図9(B)の(6)の電圧波形を
画素を構成するFLC分子に印加されたときの画素の透
過光量の変化は、図9(A)の(7)か(8)または図
9(B)の(7)か(8)の電圧波形を画素を構成する
FLC分子に印加したときの画素の透過光量の変化より
小さくなる。
【0044】また、走査電極へ印加する電圧波形を図9
(A)の(1)または図9(B)の(1)を決めれば、
信号電極へ印加する書換え電圧波形は図9(A)の
(3)または図9(B)の(3)と決まり、信号電極へ
印加する保持電圧波形は図9(A)の(4)または図9
(B)の(4)と決まり、走査電極へ印加する非選択電
圧波形は図9(A)の(2)または図9(B)の(2)
と決まる。これは例えば、図9(A)の(1)の電圧を
V1とし、図9(A)の(2)の電圧をV2とし、図9
(A)の(3)の電圧をV3とし、図9(A)の(4)
の電圧をV4とし、図9(A)の(5)の電圧をV5と
し、図9(A)の(6)の電圧をV6とし、図9(A)
の(7)の電圧をV7としたとき、 V3=V1−V5 (7) V4=V1−V6 (8) V2=V3+V7 (9) であるからである。
【0045】この図9の電圧波形の組合せでは、図9
(A)の(5)または図9(B)の(5)の一方極性の
電圧の面積と、図9(A)の(7)か(8)または図9
(B)の(7)か(8)の一方極性の電圧の面積比、つ
まり、バイアス比Bは B=(V0/2)÷(V1+V0/2) (10) でありそれほど高いコントラストは期待できないが、図
9(A)の電圧波形の組合せの時間軸をt0からt1と
し、図9(A)の電圧波形の組合せと、図9(A)の電
圧波形の組合せを時間2t1だけずらした電圧波形の組
合せを足し合わせれば図11(A)の電圧波形の組合せ
となり、また、図9(B)の電圧波形の組合せの時間軸
をt0からt1とし、図9(B)の電圧波形の組合せ
と、図9(B)の電圧波形の組合せを時間2t1だけず
らした電圧波形の組合せを足し合わせれば図11(B)
の電圧波形の組合せとなる。図11のバイアス比Bは B=(V0/2)÷(2V1+V0) (11) となり、かなり高いコントラストが期待できる。
【0046】このように、この駆動方法ではコントラス
トは図9の電圧波形の組合せを何回ずらして重ね合わせ
るかによって決まる。図9の電圧波形の組合せが何回で
も重ね合わせられるのは、予め図9(A)または(B)
の(6)の電圧波形を、図9(A)または(B)の
(7)と(8)の電圧波形と同じトルクをFLC分子に
与えるよう設計したので、バイアス時にFLC分子のメ
モリ状態が変化しないのと同様に図9(A)または
(B)の(6)の電圧波形を何回重ね合わせてもFLC
分子のメモリ状態を変化させられないからである。さら
に、この事は図9において電圧V0/2の代わりに電圧
(V0+α)/2(α>0)を使えば、よりはっきりす
る。なお、配向膜にPSI−X7355を使ったパネル
では一部にC1ツィスト配向が見られ、配向膜にPSI
−XS012やPSI−XS014を使ったパネルでは
一部にC2ツィスト配向が見られたが、C1ツィスト配
向でもC2ツィスト配向でも図18と同様にメモリパル
ス幅が最小となる電圧を持つ電圧−メモリパルス幅特性
が得られたので、C2ユニホーム配向と同様に電圧(V
0+V1)が印加されたときと同じ力をFLC分子に与
える電圧V0/2が存在する。
【0047】実際に図11の電圧波形の組合せを、チッ
ソ社製の配向膜PSI−X7355を使ったFLCパネ
ル1において、電圧V0+V1=50vと固定し、電圧
V0を可変にして、図11(A)の(7)と(8)の電
圧を画素へ印加しその光学的応答をフォトダイオードで
電気信号に測定した特性と、図11(A)の(6)の電
圧を画素へ印加しその光学的応答をフォトダイオードで
電気信号に測定した特性を比較し、ほぼ等しい透過光量
を与える電圧として V0/2=10v V1=30v を得た。また、従来例の図13の駆動波形も同様に重ね
合わせる事ができるが、クロストークが残るので余り好
ましくない。
【0048】そこでV0/2=12v,V1=26vと
して、図11(A)の(6)の電圧の後、図11(A)
の(7)か(8)の電圧を印加し続け、その後図11
(B)の(6)の電圧の後、図11(B)の(7)か
(8)の電圧を印加し続け、これを10Hz周期で繰り返
したがフリッカを感じなかった。無論、図11(A)の
(6)の電圧の代わりに図11(A)の(5)の電圧を
印加すれば画素を一方の状態に書換えられし、図11
(B)の(6)の電圧の代わりに図11(B)の(5)
の電圧を印加すれば画素をもう一方の状態へ書換えられ
た。ところで、電圧V0+V1を50vから下げる為
に、強誘電性液晶SCE−8を誘電異方性が負の化合物
A.Bで薄めた2つの液晶組成物A.B 基となる液晶 薄める化合物 ブレンド比 液晶組成物A SCE−8 化合物A 8:2 液晶組成物B SCE−8 化合物B 9:1 をチッソ社製の配向膜PSI−X012.PSI−X0
14.PSI−X7355を使ったパネルに注入し、電
圧−メモリパルス幅の関係を図14(A)に示す電圧波
形で測定したのが図25と図26である。この図25や
図26と図18を比較すると明らかにメモリパルス幅が
最小となる電圧Vminが小さくなっており、電圧V0
+V1を小さくするには液晶中のカイラルの比率を下げ
ればよいことが判る。
【0049】本実施例で用いられるFLCパネル1の構
成とFLCD4の構成は従来例と同じ図2と図3に示す
ものであり、ここではその説明は省略する。図1は、こ
のFLCD4を用いた表示システムの構成を概略的に示
すブロック図である。この表示システムでは、画像表示
に必要な情報をパーソナルコンピュータ2からCRTデ
ィスプレイ3へ出力しているデジタル信号から得、この
デジタル信号を表示制御装置13でFLCD4で画像表
示をさせる為の信号に変換し、この変換信号によってF
LCD4で画像表示が行われる。
【0050】第4図は、このパーソナルコンピュータ2
からCRTディスプレイ3へ出力される各信号の波形図
であり、そのうち図4(1)はCRTディスプレイ3へ
出力される画像情報の1水平走査区間分の周期を与える
水平同期信号HDであり、図4(2)はその情報の1画
面分の周期を与える垂直同期信号VDであり、図4
(3)はその情報を表示データDataとして1水平走
査区間ごとにまとめて示したものであり添付の数字は1
水平期間毎にデータDataを区別する為のものであ
る。図4(4)は水平同期信号HDの1水平走査区間を
拡大して示す波形図であり、図4(5)は上記表示デー
タDataの1水平走査区間を拡大して示す波形図であ
り添付の数字は1画素毎にデータDataを区別する為
のものであり、、図4(6)はその表示データData
のデータ転送用クロックCLKを示す波形図である。
【0051】ところで、このデジタル信号は9×8画素
分しかないにもかかららず、FLCパネル1の16×1
6画素全部のデータを表示できる。というのは、FLC
パネル1の16×16画素は走査電極L0〜L7と信号
電極S0〜S7からなる表示部分0と、走査電極L0〜
L7と信号電極S8〜SFからなる表示部分1と、走査
電極L8〜LFと信号電極S0〜S7からなる表示部分
2と、走査電極L8〜LFと信号電極S8〜SFからな
る表示部分3とに仮想的に分割され、第5図及び第6図
に示すように入力される9×8画素分のデジタル信号の
第0の水平走査区分のデータで、それに続く第1〜第8
の水平走査区分のデータが前記表示部分0〜3のどれに
対応するかを指示されているからである。
【0052】即ち、第5図及び第6図に従って説明すれ
ば、第0の水平走査区分の第3データが「明」(斜線が
ないデータ)で第7データが「明」なら(第5図はこれ
に相当する。)次に続く第1〜第8の水平走査区分のデ
ータは表示部分0に対応し、第0の水平走査区分の第3
データが「明」で第7データが「暗」(斜線があるデー
タ)なら次に続く第1〜第8の水平走査区分のデータは
表示部分1に対応し、第0の水平走査区分の第3データ
が「暗」で第7データが「明」なら(第6図はこれに相
当する。)次に続く第1〜第8の水平走査区分のデータ
は表示部分2に対応し、第0の水平走査区分の第3デー
タが「暗」で第7データが「暗」なら次に続く第1〜第
8の水平走査区分のデータは表示部分3に対応する。
【0053】図8は表示制御装置13の概略的な構成を
示すブロック図である。この表示制御装置13は、パー
ソナルコンピュータ2からのデジタル信号を受けそれを
必要な回路に分配するインターフェース回路14と、F
LCパネル1へ次に表示させるべき表示データDAを記
録している表示メモリ回路15と、その表示メモリ回路
15のデータの変化を4画素毎にまとめて(1画素でも
変化していれば変化ありと)記録している同異メモリ回
路17と、その表示メモリ回路15のデータの変化を2
走査電極毎にまとめて(1画素でも変化していれば変化
ありと)記録している群メモリ回路16と、これら3つ
のメモリ回路15,16,17へパーソナルコンピュー
タ2からのデジタル信号を書き込むタイミングを制御す
る入力制御回路18と、これら3つのメモリ回路15,
16,17からFLCD4へ出力すべきデータを読み出
すタイミングを制御する出力制御回路19及びアドレス
回路20と、メモリ回路15,16,17と出力制御回
路19及びアドレス回路20からデータ受けてFLCD
4を構成する走査側駆動回路11及び信号側駆動回路1
2の動作を制御する駆動制御回路21より構成される。
【0054】メモリ回路15,17では、第1にメモリ
から入力側アドレスIACx,IASxで指定されるア
ドレスのデータを読み出し、第2にメモリから出力側ア
ドレスOACx,OASxで指定されるアドレスのデー
タを読み出し、第3にメモリへ入力側アドレスIAC
x,IASxで指定されるアドレスへデータを書き込
み、第4にメモリから出力側アドレスOACx,OAS
xで指定されるアドレスのデータを読み出すという連続
した4つのサイクルが繰り返される。また、群メモリ回
路16では、この4つのサイクルのうち第2のサイクル
において出力側アドレスOAGxで指定されるアドレス
のデータを変化なしの状態へ書き換えることをしてい
る。
【0055】この表示制御装置13を使えば、図3のF
LCD4の16本の走査電極Lを2本づつ8つのグルー
プに仮想的に分割し、各グループに属する2本の走査電
極上の画素の表示を変化させる必要があるかが群メモリ
回路16へ記録され、その2本の走査電極上の画素のど
の画素の表示状態を変化させるべきかが4画素毎にまと
めて同異メモリ回路17へ記録され、その画素をどんな
表示状態へ変化させるべきかが1画素毎に表示メモリ回
路15へ記録される。
【0056】FLCD4の表示が図3の「ABCD」で
あるとき、パーソナルコンピュータ2から図5に9×8
のマトリックスで示すデータDataが表示制御装置1
3へ入力されれば、表示制御装置13の群メモリ回路1
6では走査電極L0とL1に対応するグループ0と、走
査電極L2とL3に対応するグループ1と、走査電極L
4とL5に対応するグループ2と、走査電極L6とL7
に対応するグループ3のデータが表示に変化有りとな
り、それ以外のグループ4〜7のデータは表示に変化な
しとなる。
【0057】そこで、グループ0に属する走査電極L0
とL1へ順番に図11(A)の(1)の選択電圧を印加
し、選択電圧が印加された走査電極Li上の画素Aij
に対応する同異メモリ回路17のデータが変化ありであ
り、かつ表示メモリ回路15のデータが暗の表示状態の
時、その画素Aijを暗の表示状態へ書換えるために、
その画素Aijを構成する信号電極Sjへ図11(A)
の(3)の書換え電圧を印加する。また、それ以外のそ
の走査電極Li上の画素Aih(j≠h)を構成する信
号電極Shへは図11(A)の(4)の保持電圧を印加
する。
【0058】次に、グループ0に属する走査電極L0と
L1へ順番に図11(B)の(1)の選択電圧を印加
し、選択電圧が印加された走査電極Li上の画素Aij
に対応する同異メモリ回路17のデータが変化ありであ
り、かつ表示メモリ回路15のデータが明の表示状態の
時、その画素Aijを明の表示状態へ書換えるために、
その画素Aijを構成する信号電極Sjへ図11(B)
の(3)の書換え電圧を印加する。また、それ以外のそ
の走査電極Li上の画素Aih(j≠h)を構成する信
号電極Shへは図11(B)の(4)の保持電圧を印加
する。その後グループ1,2,3と同じ事をし、図3の
FLCD4の表示は「ABCD」から「EBCD」へす
る。
【0059】ところで、画素の表示が暗とか明というの
は、図7(A)に示しFLC分子の安定状態104と1
05のうち、一方の安定状態の長軸方向と図2の偏光版
10aの偏光軸を一致させれば、一致したほうの安定状
態が暗の安定状態となり、もう一方の安定状態が明の安
定状態となる。また、暗の安定状態にあるFLC分子か
ら構成される画素は暗の表示状態であるし、明の安定状
態にあるFLC分子から構成される画素は明の表示状態
である。また、もし総ての走査電極上の画素を書換える
ダイナミック駆動方法に適用するなら、図9の電圧波形
の組合せでなくても、図10の電圧波形の組合せでもさ
しつかえがない。図10の各電圧波形は図10の(6)
の電圧波形を画素に印加した時の透過光量と、図10の
(7)か(8)の電圧波形を画素に印加した時の透過光
量とが等しくならないと言う点で図9の電圧波形の組合
せとは異なるが、その他の点では図9の電圧波形と同じ
なのでここではそれ以上の説明を省略する。さらに、図
10の電圧波形の組合せを図11の電圧波形の組合せと
同様にスタテック駆動方法に適用することも可能であ
る。その場合、図10(A)の(6)の電圧波形が電圧
V1をt0/2時間印加したあと電圧−V1−V0をt
0時間印加する電圧波形となるので、電圧V1によりF
LC分子が受ける力がV1+V0によりFLC分子が受
ける力の約2倍程度でなければならない。
【0060】ところで、図11(A)の(5)または図
11(B)の(5)の電圧波形は一方の極性の電圧しか
含んでいない。この為、前記のグループ0に属する走査
電極L0とL1を図11(A)の電圧波形の組合せで駆
動した後、4:1の飛び越し走査で1本の走査電極上の
画素を図11(A)または図11(B)の電圧波形の組
合せで書き直し、その後グループ0に属する走査電極L
0とL1を図11(B)の電圧波形の組合せで駆動した
後、4:1の飛び越し走査で1本の走査電極上の画素を
図11(B)または図11(A)の電圧波形の組合せで
書き直す等々の駆動をしても、比較的書き直しに伴うフ
リッカは感知しずらい。
【0061】図12に示す波形図は、走査電極LDを図
11(A)の電圧波形を用いて書き直し、グループ6を
図11(A)の電圧波形を用いて駆動し、走査電極L2
を図11(B)の電圧波形を用いて書き直し、グループ
0を図11(B)の電圧波形を用いて駆動し、走査電極
L2を図11(A)の電圧波形を用いて書き直し、グル
ープ0を図11(A)の電圧波形を用いて駆動し、走査
電極L6を図11(B)の電圧波形を用いて書き直し、
グループ1を図11(B)の電圧波形を用いて駆動した
場合のものである。図12(1)に走査電極L2へ印加
される電圧を、(2)に走査電極L3へ印加される電圧
を、(3)に信号電極S1へ印加される電圧を、(4)
に信号電極S2へ印加される電圧を、(5)に画素A2
1へ印加される電圧を、(6)に画素A22へ印加され
る電圧を、(7)に画素A31へ印加される電圧を、
(8)に画素A32へ印加される電圧を示す。
【0062】この図12(5)と(6)の画素A21,
A22へ印加される電圧からわかるとうり、この図11
の電圧波形の組合せを使った駆動で画素A21,A22
の透過光量のピークは、印加電圧波形の組合せを図11
(A)から図11(B)へ替えた時または図11(B)
から図11(A)へ替えた時と、図11(A)の(5)
の電圧波形または図11(B)の(5)の電圧波形が画
素へ印加された時である。
【0063】しかし、図11(A)の(5)の電圧波形
または図11(B)の(5)の電圧波形は一方極性パル
スなので、FLC分子は図7(A)の安定状態105ま
たは104から、チルト角±θの限界による軸107ま
たは106まで動くだけであり、チルト角θとメモリ角
ωがほぼ等しければ、印加電圧波形の組合せを図11
(A)から図11(B)へ替えた時または図11(B)
から図11(A)へ替えた時とたいして変わらない透過
光量の変化を画素に与え、フリッカの目立ちにくい駆動
を実現できる。
【0064】
【発明の効果】この発明によれば、見かけの応答速度が
速くなり、高いコントラストが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】FLCDの表示システムの概略的な構成を示す
ブロック図。
【図2】FLCDで用いられるFLCパネルの構成を示
す断面図。
【図3】FLCDに「ABCD」の文字を表示した状態
を示す図。
【図4】パーソナルコンピュータからの出力信号を示す
波形図。
【図5】出力信号の意味するデータをマトリックス状に
示した図。
【図6】出力信号の意味するデータをマトリックス状に
示した図。
【図7】(A):FLC分子の様子をガラス基板から見
た図。(B):スメクチックC相におけるFLC分子の
状態を示す図。
【図8】本実施例の表示制御装置の概略的な構成を示す
ブロック図。
【図9】本実施例のFLCパネルの駆動に用いられる各
印加電圧を示す波形図。
【図10】本実施例のFLCパネルの駆動に用いられる
各印加電圧を示す波形図。
【図11】本実施例のFLCパネルの駆動に用いられる
各印加電圧を示す波形図。
【図12】本実施例のFLCパネルのいくつかの走査電
極と信号電極と画素にかかる電圧を示す波形図。
【図13】従来例のFLCパネルの駆動に用いられる各
印加電圧を示す波形図。
【図14】図15の測定条件を示す電圧波形。
【図15】従来例におけるΔε<0のFLC材料の電圧
−メモリパルス幅の特性を示すグラフ。
【図16】従来例のFLCパネルの駆動に用いられる各
印加電圧を示す波形図。
【図17】他の従来例におけるFLC材料の電圧−メモ
リパルス幅の特性を示すグラフ。
【図18】実測したFLC材料の電圧−メモリパルス幅
の特性を示すグラフ。
【図19】ラビング方向とシェブロンの関係から配向状
態を規定する理論図。
【図20】暗または明のメモリ状態にある画素へ与える
光学的な特性の等しい印加電圧波形の組合せを示す波形
図。
【図21】選択電圧か非選択電圧が走査電極へ印加さ
れ、書換え電圧か保持電圧が信号電極へ印加された4種
類の画素の間の電圧関係を計算する為の波形図。
【図22】暗または明のメモリ状態にある画素へ与える
光学的な特性の等しい印加電圧波形の組合を示す波形
図。
【図23】暗または明のメモリ状態にある画素へ与える
光学的な特性のほぼ等しい印加電圧波形の組合を示す波
形図。
【図24】暗または明のメモリ状態にある画素へ与える
光学的な特性のほぼ等しい印加電圧波形の組合を示す波
形図。
【図25】実測したFLC材料の電圧−メモリパルス幅
の特性を示すグラフ。
【図26】実測したFLC材料の電圧−メモリパルス幅
の特性を示すグラフ。
【符号の説明】
1 FLCパネル 2 パーソナルコンピュータ 3 CRT 4 FLCD 5 ガラス 6 絶縁膜 7 配向膜 8 封止剤 9 FLC 10 偏光版 11 走査側駆動回路 12 信号側駆動回路 13 表示制御装置回路 14 インターフェース回路 15 表示メモリ回路 16 群メモリ回路 17 同異メモリ回路 18 入力制御回路 19 出力制御回路 20 アドレス回路 21 駆動制御回路 L 走査電極 S 信号電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/133 G09G 3/36

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 互いに交差する方向に配列した複数の走
    査電極と複数の信号電極の間に、特定電圧Vminで応
    答速度が最も早くなる特徴をもった強誘電性液晶を介在
    せ、走査電極と信号電極との交差部に画素を形成した
    液晶パネルを用い、走査電極に選択電圧又は非選択電圧
    を選択的印加すると共に、信号電極に書換電圧又は保持
    電圧を選択的に印加し、選択電圧と書換電圧を印加する
    画素へは極性変化のないパルス電圧を印加し、選択電圧
    と保持電圧、非選択電圧と書換電圧、又は非選択電圧と
    保持電圧のいずれかを印加する画素へは極性変化のある
    一連のパルス電圧を印加し、それらの一連のパルス電圧
    は、互いに同じ数の同じ順序で極性が変化する交番パル
    スからなり、最初と最後のパルスは異なる極性を有し、
    各パルスの波高値は液晶分子への影響がほぼ等しくなる
    ようにVmin以上又はVmin以下に設定されたこと
    を特徴とする液晶パネルの駆動方法。
  2. 【請求項2】 走査電極を複数のグループに仮想的に分
    割し、グループ毎にそのグループに属する走査電極上の
    画素の表示を変化させる必要があるか否かを検知する手
    段と、画素毎にその画素の表示を変化させる必要がある
    か否かを判別すると共にその表示の変化の種類を検知す
    る手段を用い、表示を変化させる必要のある画素を含む
    グループに属する走査電極から構成される画素につい
    て、 表示を変化させる必要のある画素を構成する強誘電性液
    晶分子は、その表示させるべき状態に従い一方の安定状
    態からもう一方の安定状態へ書き換えたり、もう一方の
    安定状態から一方の安定状態へ書き換えたりするが、表
    示を変化させる必要のない画素を構成する強誘電性液晶
    分子は、その安定状態を保持することを特徴とする請求
    記載の液晶パネルの駆動方法。
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