JP2991830B2 - 化学気相成長装置およびそれを用いた化学気相成長方法 - Google Patents
化学気相成長装置およびそれを用いた化学気相成長方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は反応ガスとして、たとえ
ばテトラエトキシシラン（以下、ＴＥＯＳという）など
の有機系液体材料を気化させたガスとＯ3ガスを用いる
常圧の化学気相成長装置およびそれを用いて反応生成膜
を形成する化学気相成長方法に関する。
ばテトラエトキシシラン（以下、ＴＥＯＳという）など
の有機系液体材料を気化させたガスとＯ3ガスを用いる
常圧の化学気相成長装置およびそれを用いて反応生成膜
を形成する化学気相成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術として、反応ガスとしてＴＥ
ＯＳを気化させたガスとＯ3ガスを用いる枚葉、フェー
スダウン式常圧化学気相成長装置の反応室およびその動
作について説明する。
ＯＳを気化させたガスとＯ3ガスを用いる枚葉、フェー
スダウン式常圧化学気相成長装置の反応室およびその動
作について説明する。
【０００３】この種の化学気相成長装置の反応室は、た
とえば図４に示すように構成されている。図４におい
て、１は反応生成膜（図示せず）が形成される半導体ウ
エハ、２は半導体ウエハ１を載置するためのウエハステ
ージ、３は半導体ウエハ１、ウエハステージ２を加熱す
るためのヒーター、４は反応ガスＡを供給するためのガ
スヘッド、５はガスヘッド４上面に多数設けられたガス
吹出口、６は排気ガスＢを取り出すための排気口、７は
排気口６内の反応副生成物Ｃが付着した排気口壁であ
る。排気口壁７は、通常アルミ合金、ステンレス合金な
どの部材が用いられている。
とえば図４に示すように構成されている。図４におい
て、１は反応生成膜（図示せず）が形成される半導体ウ
エハ、２は半導体ウエハ１を載置するためのウエハステ
ージ、３は半導体ウエハ１、ウエハステージ２を加熱す
るためのヒーター、４は反応ガスＡを供給するためのガ
スヘッド、５はガスヘッド４上面に多数設けられたガス
吹出口、６は排気ガスＢを取り出すための排気口、７は
排気口６内の反応副生成物Ｃが付着した排気口壁であ
る。排気口壁７は、通常アルミ合金、ステンレス合金な
どの部材が用いられている。
【０００４】つぎに動作について説明する。前記のよう
に構成された化学気相成長装置の反応室においては、ガ
スヘッド４上面のガス吹出口５より、ＴＥＯＳガスとＯ
3ガスとＮ2ガスの混合ガスである反応ガスＡが、ウエハ
ステージ２に載置、加熱されている半導体ウエハ１に供
給され、半導体ウエハ１上に反応生成膜（図示せず）が
形成される。反応が終わったガスまたは未反応の反応ガ
スＡは、排気ガスＢとして排気口６より反応室の外へ排
気される。
に構成された化学気相成長装置の反応室においては、ガ
スヘッド４上面のガス吹出口５より、ＴＥＯＳガスとＯ
3ガスとＮ2ガスの混合ガスである反応ガスＡが、ウエハ
ステージ２に載置、加熱されている半導体ウエハ１に供
給され、半導体ウエハ１上に反応生成膜（図示せず）が
形成される。反応が終わったガスまたは未反応の反応ガ
スＡは、排気ガスＢとして排気口６より反応室の外へ排
気される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この種の化
学気相成長装置の反応室は以上のように構成されている
ので、未反応のガスまたはある程度反応の進んだ反応ガ
スＡが排気ガスＢとして排気口６に流れ、その間にさら
に反応が進んで排気口壁７に反応副生成物Ｃとなって付
着する。また、ウエハステージ２とガスヘッド４の間で
反応ガスＡの気相反応によって生じた反応副生成物Ｃも
排気ガスＢと一緒に排気口６に流れるため、排気口壁７
に反応副生成物Ｃが付着する。
学気相成長装置の反応室は以上のように構成されている
ので、未反応のガスまたはある程度反応の進んだ反応ガ
スＡが排気ガスＢとして排気口６に流れ、その間にさら
に反応が進んで排気口壁７に反応副生成物Ｃとなって付
着する。また、ウエハステージ２とガスヘッド４の間で
反応ガスＡの気相反応によって生じた反応副生成物Ｃも
排気ガスＢと一緒に排気口６に流れるため、排気口壁７
に反応副生成物Ｃが付着する。
【０００６】このためこの種の化学気相成長装置では、
定期的に装置を止めて排気口壁７に付着している反応副
生成物Ｃを除去しなければならず、そのために作業者の
労力が費やされ、その間装置は止まっているので装置の
稼働率の低下を招いている。そこで本発明者らは、反応
副生成物Ｃの付着について研究した結果、排気口壁７の
温度によって反応副生成物Ｃの付着量や反応副生成物Ｃ
の形態が変化することがわかった。
定期的に装置を止めて排気口壁７に付着している反応副
生成物Ｃを除去しなければならず、そのために作業者の
労力が費やされ、その間装置は止まっているので装置の
稼働率の低下を招いている。そこで本発明者らは、反応
副生成物Ｃの付着について研究した結果、排気口壁７の
温度によって反応副生成物Ｃの付着量や反応副生成物Ｃ
の形態が変化することがわかった。
【０００７】この反応副生成物Ｃの排気口壁７への付着
の様子を図２および図３を用いて説明する。図２および
図３は図４に示される枚葉、フェースダウン式常圧化学
気相成長装置において、反応ガスとしてＴＥＯＳを気化
させたガスとＯ3ガスを用いて反応生成膜を形成したば
あいに排気口壁７に付着する反応副生成物Ｃの付着量の
変化を、横軸にそのときの排気口壁７の表面温度をとっ
て示したものである。このばあい、排気口壁７の表面温
度は、排気口壁をヒーターを設けて加熱することにより
コントロールした。
の様子を図２および図３を用いて説明する。図２および
図３は図４に示される枚葉、フェースダウン式常圧化学
気相成長装置において、反応ガスとしてＴＥＯＳを気化
させたガスとＯ3ガスを用いて反応生成膜を形成したば
あいに排気口壁７に付着する反応副生成物Ｃの付着量の
変化を、横軸にそのときの排気口壁７の表面温度をとっ
て示したものである。このばあい、排気口壁７の表面温
度は、排気口壁をヒーターを設けて加熱することにより
コントロールした。
【０００８】図２は縦軸にＳｉＯ2の微粒子による粉と
しての反応副生成物Ｃの付着量を示したもので、反応副
生成物Ｃは２００℃以下の温度では粉として付着してお
り、その付着量は２００℃に近い温度ほど減少してお
り、さらに高温になると粉の付着は見られない。これは
微粒子の熱泳動の効果によるもので、高温の物体になる
ほど粉は付着しにくい。また２００℃に近い温度で付着
した粉は膜に近い性質の粉となっている。
しての反応副生成物Ｃの付着量を示したもので、反応副
生成物Ｃは２００℃以下の温度では粉として付着してお
り、その付着量は２００℃に近い温度ほど減少してお
り、さらに高温になると粉の付着は見られない。これは
微粒子の熱泳動の効果によるもので、高温の物体になる
ほど粉は付着しにくい。また２００℃に近い温度で付着
した粉は膜に近い性質の粉となっている。
【０００９】図３は縦軸にＳｉＯ2の膜としての反応副
生成物Ｃの付着量を示したもので、反応副生成物Ｃは１
４０℃以上の温度では膜として付着しており、その量は
２８０℃までは増加し、２８０℃をピークにそれ以上の
高温では付着量は減少していく傾向にある。これはＴＥ
ＯＳガスとＯ3ガスによる成膜反応は一定以上の温度で
ないとおこらないのと、高温になっていくほどＯ3ガス
の熱による分解が進んでＯ3ガスが減少してしまうため
である。
生成物Ｃの付着量を示したもので、反応副生成物Ｃは１
４０℃以上の温度では膜として付着しており、その量は
２８０℃までは増加し、２８０℃をピークにそれ以上の
高温では付着量は減少していく傾向にある。これはＴＥ
ＯＳガスとＯ3ガスによる成膜反応は一定以上の温度で
ないとおこらないのと、高温になっていくほどＯ3ガス
の熱による分解が進んでＯ3ガスが減少してしまうため
である。
【００１０】このように、反応副生成物Ｃが排気口壁７
へ粉や膜として付着するが、低温で粉が付着したばあ
い、粉の付着量が多く排気口６が狭まり排気ガスＢが流
れにくくなり、一旦排気口壁７に付着したのちはがれ落
ちた粉がガスヘッド４上面に再付着して反応ガスＡの流
れを乱すなどして半導体ウエハ１上に形成される反応生
成膜である薄膜の膜厚を変動させることとなり、さらに
はがれ落ちた粉は半導体ウエハ１上にも再付着するの
で、これらはこの化学気相成長装置で処理される半導体
ウエハの歩留まりを低下させることになる。また高温で
膜が付着したばあいでも付着した膜の膜厚が厚くなって
くると、膜がはがれ落ちて粉のばあいと同様に半導体ウ
エハの歩留まり低下を招く。
へ粉や膜として付着するが、低温で粉が付着したばあ
い、粉の付着量が多く排気口６が狭まり排気ガスＢが流
れにくくなり、一旦排気口壁７に付着したのちはがれ落
ちた粉がガスヘッド４上面に再付着して反応ガスＡの流
れを乱すなどして半導体ウエハ１上に形成される反応生
成膜である薄膜の膜厚を変動させることとなり、さらに
はがれ落ちた粉は半導体ウエハ１上にも再付着するの
で、これらはこの化学気相成長装置で処理される半導体
ウエハの歩留まりを低下させることになる。また高温で
膜が付着したばあいでも付着した膜の膜厚が厚くなって
くると、膜がはがれ落ちて粉のばあいと同様に半導体ウ
エハの歩留まり低下を招く。
【００１１】本発明は前記のような問題点を解決するた
めになされたもので、前記化学気相成長装置において付
着した反応副生成物Ｃの除去を容易にし、排気口壁７へ
の反応副生成物Ｃの付着量を低減し、または付着した膜
状の反応副生成物Ｃをはがれにくくすることにより、製
造の稼動率を向上させた化学気相成長装置をうることを
目的とする。
めになされたもので、前記化学気相成長装置において付
着した反応副生成物Ｃの除去を容易にし、排気口壁７へ
の反応副生成物Ｃの付着量を低減し、または付着した膜
状の反応副生成物Ｃをはがれにくくすることにより、製
造の稼動率を向上させた化学気相成長装置をうることを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、反応
ガスとしてアルコラート系の有機系液体材料を気化させ
たガスとＯ3ガスを用いる常圧の化学気相成長装置であ
って、排気部表面を１４０〜２００℃に保つことができ
るように排気部表面部材を加熱するヒーターが設けられ
ており、かつ、排気部表面部材が反応室から分離し、交
換されうることを特徴とする化学気相成長装置（以下、
化学気相成長装置Ａという）（請求項１）、前記化学気
相成長装置であって、排気部表面を２００℃以上に保つ
ことができるように排気部表面部材を加熱するヒーター
が設けられており、さらに前記部材として石英ガラスが
用いられており、かつ、排気部表面部材が反応室から分
離し、交換されうることを特徴とする前記化学気相成長
装置（以下、化学気相成長装置Ｂという）（請求項
２）、請求項１記載の化学気相成長装置を用いて半導体
ウエハ上に反応生成膜を形成する際に、排気部表面部材
をヒーターにより１４０〜２００℃に加熱して行なうこ
とを特徴とする化学気相成長方法（請求項３）、および
請求項２記載の化学気相成長装置を用いて半導体ウエハ
上に反応生成膜を形成する際に、排気部表面部材をヒー
ターにより２００℃以上に加熱して行なうことを特徴と
する化学気相成長方法（請求項４）に関する。
ガスとしてアルコラート系の有機系液体材料を気化させ
たガスとＯ3ガスを用いる常圧の化学気相成長装置であ
って、排気部表面を１４０〜２００℃に保つことができ
るように排気部表面部材を加熱するヒーターが設けられ
ており、かつ、排気部表面部材が反応室から分離し、交
換されうることを特徴とする化学気相成長装置（以下、
化学気相成長装置Ａという）（請求項１）、前記化学気
相成長装置であって、排気部表面を２００℃以上に保つ
ことができるように排気部表面部材を加熱するヒーター
が設けられており、さらに前記部材として石英ガラスが
用いられており、かつ、排気部表面部材が反応室から分
離し、交換されうることを特徴とする前記化学気相成長
装置（以下、化学気相成長装置Ｂという）（請求項
２）、請求項１記載の化学気相成長装置を用いて半導体
ウエハ上に反応生成膜を形成する際に、排気部表面部材
をヒーターにより１４０〜２００℃に加熱して行なうこ
とを特徴とする化学気相成長方法（請求項３）、および
請求項２記載の化学気相成長装置を用いて半導体ウエハ
上に反応生成膜を形成する際に、排気部表面部材をヒー
ターにより２００℃以上に加熱して行なうことを特徴と
する化学気相成長方法（請求項４）に関する。
【００１３】
【作用】本発明の化学気相成長装置Ａでは、排気部表面
を加熱するヒーターを設けたので、排気部表面を１４０
〜２００℃の温度に保って運転したばあい、そこに反応
副生成物は粉と膜の両方の形態で付着するが、付着する
反応副生成物の総量を低減することができ、反応副生成
物の除去のための装置停止までの期間を長くできる。ま
た、排気部表面部材を反応室より分離できる構造にして
いるので、この部分を交換するだけで反応副生成物の粉
と膜を除去することができる。
を加熱するヒーターを設けたので、排気部表面を１４０
〜２００℃の温度に保って運転したばあい、そこに反応
副生成物は粉と膜の両方の形態で付着するが、付着する
反応副生成物の総量を低減することができ、反応副生成
物の除去のための装置停止までの期間を長くできる。ま
た、排気部表面部材を反応室より分離できる構造にして
いるので、この部分を交換するだけで反応副生成物の粉
と膜を除去することができる。
【００１４】また、本発明の化学気相成長装置Ｂでは、
排気部表面を加熱するヒーターを設け、排気部表面の部
材に石英ガラスを用いたので、排気部表面を２００℃以
上の温度に保って運転したばあい、排気部表面に膜とし
て付着する反応副生成物がはがれにくくなり、膜の除去
のための装置停止までの期間を長くできる。また、排気
部表面部材を反応室より分離できる構造にしているの
で、この部分を交換するだけで反応副生成物の粉と膜を
除去することができる。
排気部表面を加熱するヒーターを設け、排気部表面の部
材に石英ガラスを用いたので、排気部表面を２００℃以
上の温度に保って運転したばあい、排気部表面に膜とし
て付着する反応副生成物がはがれにくくなり、膜の除去
のための装置停止までの期間を長くできる。また、排気
部表面部材を反応室より分離できる構造にしているの
で、この部分を交換するだけで反応副生成物の粉と膜を
除去することができる。
【００１５】
【実施例】本発明の化学気相成長装置Ａ〜Ｂは、いずれ
も反応ガスとしてアルコラート系の有機系液体材料を気
化させたガスとＯ3ガスを用いる常圧の化学気相成長装
置である。
も反応ガスとしてアルコラート系の有機系液体材料を気
化させたガスとＯ3ガスを用いる常圧の化学気相成長装
置である。
【００１６】前記アルコラート系の有機系液体材料とし
ては、たとえばＴＥＯＳ、ＴＭＯＳ（テトラメトキシシ
ラン）、ＴＯＭＣＡＴ（４−メチルシクロ−テトラシロ
キサン）などが用いられる。前記反応ガスを用いたばあ
い、目的のＳｉＯ２などからなる膜とともに反応副生成
物Ｃとして、たとえば微粒子状のＳｉＯ２などが生成す
る。
ては、たとえばＴＥＯＳ、ＴＭＯＳ（テトラメトキシシ
ラン）、ＴＯＭＣＡＴ（４−メチルシクロ−テトラシロ
キサン）などが用いられる。前記反応ガスを用いたばあ
い、目的のＳｉＯ２などからなる膜とともに反応副生成
物Ｃとして、たとえば微粒子状のＳｉＯ２などが生成す
る。
【００１７】つぎに、本発明の化学気相成長装置Ａにつ
いて、その一実施例として反応ガスとしてＴＥＯＳを気
化させたガスとＯ3ガスを用いる枚葉、フェースダウン
式常圧化学気相成長装置をあげ、図１を用いて説明す
る。
いて、その一実施例として反応ガスとしてＴＥＯＳを気
化させたガスとＯ3ガスを用いる枚葉、フェースダウン
式常圧化学気相成長装置をあげ、図１を用いて説明す
る。
【００１８】図１は本発明の化学気相成長装置の反応室
の構成を示す説明図である。図中、１〜６は図４に示す
従来の装置と同一のため説明を省略する。排気部表面部
材８は従来から用いられているアルミ合金などの部材か
らなり、ヒーター９が設けられている。
の構成を示す説明図である。図中、１〜６は図４に示す
従来の装置と同一のため説明を省略する。排気部表面部
材８は従来から用いられているアルミ合金などの部材か
らなり、ヒーター９が設けられている。
【００１９】前記のように構成された化学気相成長装置
Ａの反応室で、排気部表面部材８をヒーター９により加
熱し１４０〜２００℃の温度に保って反応生成膜を形成
することにより、排気部表面部材８に付着する反応副生
成物Ｃの量を少なくすることができ、また２００℃に近
い温度で付着した粉は膜に近い性質の粉であるためはが
れにくいので、排気部表面部材８に付着した反応副生成
物Ｃの除去のための装置停止までの期間を長くできる。
１４０〜２００℃の温度では図２および３に示すよう
に、排気部表面部材８には反応副生成物Ｃは粉と膜の両
方の形態で付着するが、付着する反応副生成物の総量は
１４０℃未満の温度で粉としてのみ付着する時の付着
量、２００℃をこえる温度で膜としてのみ付着する時の
付着量より少なくなる。さらに排気部表面部材８を反応
室より分離できる構造にしてあるので、この部材を交換
するだけで反応副生成物Ｃの粉と膜を除去することがで
きる。
Ａの反応室で、排気部表面部材８をヒーター９により加
熱し１４０〜２００℃の温度に保って反応生成膜を形成
することにより、排気部表面部材８に付着する反応副生
成物Ｃの量を少なくすることができ、また２００℃に近
い温度で付着した粉は膜に近い性質の粉であるためはが
れにくいので、排気部表面部材８に付着した反応副生成
物Ｃの除去のための装置停止までの期間を長くできる。
１４０〜２００℃の温度では図２および３に示すよう
に、排気部表面部材８には反応副生成物Ｃは粉と膜の両
方の形態で付着するが、付着する反応副生成物の総量は
１４０℃未満の温度で粉としてのみ付着する時の付着
量、２００℃をこえる温度で膜としてのみ付着する時の
付着量より少なくなる。さらに排気部表面部材８を反応
室より分離できる構造にしてあるので、この部材を交換
するだけで反応副生成物Ｃの粉と膜を除去することがで
きる。
【００２０】また、図１を用いて化学気相成長装置Ｂの
反応室を説明する。図中、１〜６は図４に示す従来の化
学気相装置と同一であり、排気部表面部材８は石英ガラ
スからなり、ヒーター９が設けられている。
反応室を説明する。図中、１〜６は図４に示す従来の化
学気相装置と同一であり、排気部表面部材８は石英ガラ
スからなり、ヒーター９が設けられている。
【００２１】前記のように構成された化学気相成長装置
Ｂの反応室で、排気部表面部材８をヒーター９により加
熱し２００℃以上の温度に保って反応生成膜を形成する
ことにより、排気部表面部材８には反応副生成物Ｃは膜
としてのみ付着し（図２および３参照）、石英ガラスと
反応副生成物Ｃの膜はどちらもＳｉＯ2で熱膨張係数が
等しいため排気部表面部材８に付着した反応副生成物Ｃ
の膜ははがれにくく、排気部表面部材８に付着した反応
副生成物Ｃの除去のための装置停止までの期間を長くで
きる。さらに排気部表面部材８を反応室より分離できる
構造にしてあるので、この部材を交換するだけで反応副
生成物Ｃの膜を除去することができる。
Ｂの反応室で、排気部表面部材８をヒーター９により加
熱し２００℃以上の温度に保って反応生成膜を形成する
ことにより、排気部表面部材８には反応副生成物Ｃは膜
としてのみ付着し（図２および３参照）、石英ガラスと
反応副生成物Ｃの膜はどちらもＳｉＯ2で熱膨張係数が
等しいため排気部表面部材８に付着した反応副生成物Ｃ
の膜ははがれにくく、排気部表面部材８に付着した反応
副生成物Ｃの除去のための装置停止までの期間を長くで
きる。さらに排気部表面部材８を反応室より分離できる
構造にしてあるので、この部材を交換するだけで反応副
生成物Ｃの膜を除去することができる。
【００２２】なお、ここまで本発明の化学気相成長装置
Ａ〜Ｂについて、枚葉、フェースダウン式常圧化学気相
成長装置を例にあげて説明したが、反応ガスとしてＴＥ
ＯＳなどのアルコラート系の有機系の液体材料を気化さ
せたガスとＯ3ガスを用いる常圧化学気相成長装置であ
れば他のどのような形態の常圧化学気相成長装置であっ
てもよく、また反応室の構成、形状などもとくに規定す
るものではない。
Ａ〜Ｂについて、枚葉、フェースダウン式常圧化学気相
成長装置を例にあげて説明したが、反応ガスとしてＴＥ
ＯＳなどのアルコラート系の有機系の液体材料を気化さ
せたガスとＯ3ガスを用いる常圧化学気相成長装置であ
れば他のどのような形態の常圧化学気相成長装置であっ
てもよく、また反応室の構成、形状などもとくに規定す
るものではない。
【００２３】［参考例１］ 化学気相成長装置Ａにおいて、排気部表面部材に付着し
た粉を除却するのに、１４０〜２００℃に保っていない
ばあいでは処理枚数１００枚で除却しなければならなか
ったものが、１４０〜２００℃に加熱保持した場合は５
００枚まで除却作業を行なわなくてよかった。
た粉を除却するのに、１４０〜２００℃に保っていない
ばあいでは処理枚数１００枚で除却しなければならなか
ったものが、１４０〜２００℃に加熱保持した場合は５
００枚まで除却作業を行なわなくてよかった。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明の化学気相成長装
置Ａおよびそれを用いた化学気相成長方法では、排気部
表面部材を加熱するヒーターを設けたので、排気部表面
を１４０〜２００℃の温度に保つことにより、そこに反
応副生成物は粉と膜の両方の形態で付着するが、付着す
る反応副生成物の総量を低減することができ、反応副生
成物の除去のための装置停止までの期間を長くできる。
また、排気部表面部材を反応室より分離できる構造にし
ているので、この部分を交換するだけで反応副生成物の
粉と膜を除去することができる。
置Ａおよびそれを用いた化学気相成長方法では、排気部
表面部材を加熱するヒーターを設けたので、排気部表面
を１４０〜２００℃の温度に保つことにより、そこに反
応副生成物は粉と膜の両方の形態で付着するが、付着す
る反応副生成物の総量を低減することができ、反応副生
成物の除去のための装置停止までの期間を長くできる。
また、排気部表面部材を反応室より分離できる構造にし
ているので、この部分を交換するだけで反応副生成物の
粉と膜を除去することができる。
【００２５】化学気相成長装置Ｂおよびそれを用いた化
学気相成長方法では、排気部表面部材を加熱するヒータ
ーを設け、その表面の部材に石英ガラスを用いたので、
排気部表面を２００℃以上の温度に保つことにより、そ
こに反応副生成物は膜として付着するが、膜がはがれに
くくなり、膜の除去のための装置停止までの期間を長く
できる。また、排気部表面部材を反応室より分離できる
構造にしているので、この部分を交換するだけで反応副
生成物の粉と膜を除去することができる。
学気相成長方法では、排気部表面部材を加熱するヒータ
ーを設け、その表面の部材に石英ガラスを用いたので、
排気部表面を２００℃以上の温度に保つことにより、そ
こに反応副生成物は膜として付着するが、膜がはがれに
くくなり、膜の除去のための装置停止までの期間を長く
できる。また、排気部表面部材を反応室より分離できる
構造にしているので、この部分を交換するだけで反応副
生成物の粉と膜を除去することができる。
【００２６】したがって、本発明の化学気相成長装置を
使用することにより、装置の稼動率を向上させることが
できる。
使用することにより、装置の稼動率を向上させることが
できる。
【図１】 本発明の一実施例による化学気相成長装置の
反応室を示す説明図である。
反応室を示す説明図である。
【図２】 枚葉、フェースダウン式常圧化学気相成長装
置の反応室の排気口壁に付着するＳｉＯ2粉付着量と排
気口壁の温度の関係を示すグラフである。
置の反応室の排気口壁に付着するＳｉＯ2粉付着量と排
気口壁の温度の関係を示すグラフである。
【図３】 枚葉、フェースダウン式常圧化学気相成長装
置の反応室の排気口壁に付着するＳｉＯ2膜付着量と排
気口壁の温度の関係を示すグラフである。
置の反応室の排気口壁に付着するＳｉＯ2膜付着量と排
気口壁の温度の関係を示すグラフである。
【図４】 従来の化学気相成長装置の反応室を示す説明
図である。
図である。
８ 排気部表面部材、９ ヒーター、Ａ 反応ガス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−294868（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−89821（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−90631（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 反応ガスとしてアルコラート系の有機系
液体材料を気化させたガスとＯ3ガスを用いる常圧の化
学気相成長装置であって、排気部表面を１４０〜２００
℃に保つことができるように排気部表面部材を加熱する
ヒーターが設けられており、かつ、排気部表面部材が反
応室から分離し、交換されうることを特徴とする化学気
相成長装置。 - 【請求項２】 反応ガスとしてアルコラート系の有機系
液体材料を気化させたガスとＯ3ガスを用いる常圧の化
学気相成長装置であって、排気部表面を２００℃以上に
保つことができるように排気部表面部材を加熱するヒー
ターが設けられており、さらに前記部材として石英ガラ
スが用いられており、かつ、排気部表面部材が反応室か
ら分離し、交換されうることを特徴とする化学気相成長
装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の化学気相成長装置を用い
て半導体ウエハ上に反応生成膜を形成する際に、排気部
表面部材をヒーターにより１４０〜２００℃に加熱して
行なうことを特徴とする化学気相成長方法。 - 【請求項４】 請求項２記載の化学気相成長装置を用い
て半導体ウエハ上に反応生成膜を形成する際に、排気部
表面部材をヒーターにより２００℃以上に加熱して行な
うことを特徴とする化学気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3250585A JP2991830B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 化学気相成長装置およびそれを用いた化学気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3250585A JP2991830B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 化学気相成長装置およびそれを用いた化学気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0586476A JPH0586476A (ja) | 1993-04-06 |
| JP2991830B2 true JP2991830B2 (ja) | 1999-12-20 |
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ID=17210080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3250585A Expired - Lifetime JP2991830B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 化学気相成長装置およびそれを用いた化学気相成長方法 |
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| JP (1) | JP2991830B2 (ja) |
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-
1991
- 1991-09-30 JP JP3250585A patent/JP2991830B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH0586476A (ja) | 1993-04-06 |
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