JP2990901B2 - 光学情報記録媒体 - Google Patents
光学情報記録媒体Info
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- JP2990901B2 JP2990901B2 JP3305852A JP30585291A JP2990901B2 JP 2990901 B2 JP2990901 B2 JP 2990901B2 JP 3305852 A JP3305852 A JP 3305852A JP 30585291 A JP30585291 A JP 30585291A JP 2990901 B2 JP2990901 B2 JP 2990901B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光線を用いた情
報記録再生装置に用いる光学情報記録媒体、とりわけ書
き換え可能な光ディスクに関する。
報記録再生装置に用いる光学情報記録媒体、とりわけ書
き換え可能な光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】信号を記録，再生、及び消去可能な光デ
ィスクとして、記録薄膜材料にカルコゲン化物を用いた
相変化型の光ディスクが知られている。一般には、記録
薄膜材料が結晶状態の場合を未記録状態とし、レーザ照
射で急熱急冷して非晶質状態にすることで信号を記録す
る。又、急熱徐冷で再び結晶状態となり、記録信号は消
去される。
ィスクとして、記録薄膜材料にカルコゲン化物を用いた
相変化型の光ディスクが知られている。一般には、記録
薄膜材料が結晶状態の場合を未記録状態とし、レーザ照
射で急熱急冷して非晶質状態にすることで信号を記録す
る。又、急熱徐冷で再び結晶状態となり、記録信号は消
去される。
【０００３】記録薄膜材料としては、例えばＴe，Ｉn，
Ｓb，Ｓe等を主成分とする非晶質−結晶間で相変化する
材料、或は異なる２種類の結晶構造の間で可逆的に相変
化をおこす物質を用いることが一般的である。
Ｓb，Ｓe等を主成分とする非晶質−結晶間で相変化する
材料、或は異なる２種類の結晶構造の間で可逆的に相変
化をおこす物質を用いることが一般的である。
【０００４】保護層材料としては、例えば、Ａl2Ｏ3，
ＳiＯ2，ＳiＯ，Ｔa2Ｏ5，ＭoＯ3，ＷＯ3，ＺnＳ，Ｚr
Ｏ2，ＡlＮ，ＢＮ，ＳiＮx，ＴiＮ，ＺrＮ，ＰbＦ2，Ｍ
gＦ2等の誘電体或はこれらの適当な組み合わせが知られ
ている。
ＳiＯ2，ＳiＯ，Ｔa2Ｏ5，ＭoＯ3，ＷＯ3，ＺnＳ，Ｚr
Ｏ2，ＡlＮ，ＢＮ，ＳiＮx，ＴiＮ，ＺrＮ，ＰbＦ2，Ｍ
gＦ2等の誘電体或はこれらの適当な組み合わせが知られ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】相変化型光ディスクの
記録・消去の繰り返し回数は、記録薄膜や保護層の材
料，ディスク構成，記録・消去ビームパワー等の最適化
によって向上するが、物性上必ずしも十分に満足しうる
ものとはいえない。
記録・消去の繰り返し回数は、記録薄膜や保護層の材
料，ディスク構成，記録・消去ビームパワー等の最適化
によって向上するが、物性上必ずしも十分に満足しうる
ものとはいえない。
【０００６】本発明は、記録・消去の繰り返し特性を向
上した光学情報記録媒体を提供することを目的としてい
る。
上した光学情報記録媒体を提供することを目的としてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、相変化型光学情報記録媒体の記録薄膜に
接して界面制御層を設けた構造とし、この界面制御層の
主成分を１０００゜Cにおける標準生成自由エネルギーが
−４００kJ/mol Ｏ2から−８００kJ/mol Ｏ2の範囲にあ
る熱的に安定な酸化物とするようにしたものである。
決するために、相変化型光学情報記録媒体の記録薄膜に
接して界面制御層を設けた構造とし、この界面制御層の
主成分を１０００゜Cにおける標準生成自由エネルギーが
−４００kJ/mol Ｏ2から−８００kJ/mol Ｏ2の範囲にあ
る熱的に安定な酸化物とするようにしたものである。
【０００８】
【作用】記録薄膜に接して界面制御層を設けた構造と
し、この界面制御層の主成分を１０００゜Cにおける標準
生成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８００
kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物とすること
により、繰り返しによる記録薄膜の破壊が生じにくくな
る。即ち、良好な繰り返し特性が得られるようになる。
し、この界面制御層の主成分を１０００゜Cにおける標準
生成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８００
kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物とすること
により、繰り返しによる記録薄膜の破壊が生じにくくな
る。即ち、良好な繰り返し特性が得られるようになる。
【０００９】
【実施例】以下図面に基づいて本発明を説明する。
【００１０】本発明の記録媒体の代表的な構造例を図１
に示す。記録，再生、及び消去を行うレーザ光は基板１
の側から入射させる。
に示す。記録，再生、及び消去を行うレーザ光は基板１
の側から入射させる。
【００１１】基板１としては、ＰＭＭＡ，ポリカーボネ
ート等の樹脂或はガラス等、表面の平滑なものを用い
る。光ディスクの場合、通常基板平面１０はレーザ光を
導くためにスパイラル又は同心円状のトラックで覆われ
ている。
ート等の樹脂或はガラス等、表面の平滑なものを用い
る。光ディスクの場合、通常基板平面１０はレーザ光を
導くためにスパイラル又は同心円状のトラックで覆われ
ている。
【００１２】界面制御層３，５は、物理的・化学的に安
定、すなわち記録材料の融点よりも、融点及び軟化温度
が高く、かつその主成分が１０００゜Cにおける標準生成
自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８００kJ/m
ol Ｏ2の範囲にある酸化物からなる。例えば、Ｃr
2Ｏ3，ＭnＯ，ＮbＯ，ＮbＯ2，ＳiＯ2，Ｔa2Ｏ5，ＴiＯ
2，ＶＯ2，Ｖ2Ｏ3，Ｖ2Ｏ5，ＺｎＯあるいはこれらの適
当な組合せからなる。又、界面制御層は、場合によって
は、３或は５の何れか一方だけでもよい。
定、すなわち記録材料の融点よりも、融点及び軟化温度
が高く、かつその主成分が１０００゜Cにおける標準生成
自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８００kJ/m
ol Ｏ2の範囲にある酸化物からなる。例えば、Ｃr
2Ｏ3，ＭnＯ，ＮbＯ，ＮbＯ2，ＳiＯ2，Ｔa2Ｏ5，ＴiＯ
2，ＶＯ2，Ｖ2Ｏ3，Ｖ2Ｏ5，ＺｎＯあるいはこれらの適
当な組合せからなる。又、界面制御層は、場合によって
は、３或は５の何れか一方だけでもよい。
【００１３】保護層２，６の材料は、物理的・化学的に
安定、すなわち記録材料の融点よりも、融点及び軟化温
度が高く、かつ記録材料と相固溶しないことが望まし
い。例えば、Ａl2Ｏ3，ＳiＯx，Ｔa2Ｏ5，ＭoＯ3，ＷＯ
3，ＺnＳ，ＺrＯ2，ＡlＮx，ＢＮ，ＳiＮx，ＴiＮ，Ｚr
Ｎ，ＰbＦ2，ＭgＦ2等の誘電体或はこれらの適当な組み
合わせからなる。保護層は誘電体や透明である必要はな
い。例えば可視光線及び赤外線に対して光吸収性をもつ
ＺnＴeで形成してもよい。又、保護層２，６を異なる材
料で形成すると、熱的及び光学的なディスク設計の自由
度が大きくなる利点がある。もちろん同一材料で形成し
てもよい。又、保護層を前記界面制御層と同一組成で構
成してもかまわない。
安定、すなわち記録材料の融点よりも、融点及び軟化温
度が高く、かつ記録材料と相固溶しないことが望まし
い。例えば、Ａl2Ｏ3，ＳiＯx，Ｔa2Ｏ5，ＭoＯ3，ＷＯ
3，ＺnＳ，ＺrＯ2，ＡlＮx，ＢＮ，ＳiＮx，ＴiＮ，Ｚr
Ｎ，ＰbＦ2，ＭgＦ2等の誘電体或はこれらの適当な組み
合わせからなる。保護層は誘電体や透明である必要はな
い。例えば可視光線及び赤外線に対して光吸収性をもつ
ＺnＴeで形成してもよい。又、保護層２，６を異なる材
料で形成すると、熱的及び光学的なディスク設計の自由
度が大きくなる利点がある。もちろん同一材料で形成し
てもよい。又、保護層を前記界面制御層と同一組成で構
成してもかまわない。
【００１４】記録薄膜４は、結晶状態と非晶質状態との
間で可逆的に構造変化をおこす物質、例えばＴe又はＩ
n，Ｓe等を主成分とする相変化材料からなる。よく知ら
れた相変化材料の主成分としては、Ｔe-Ｓb-Ｇe，Ｔe-
Ｇe，Ｔe-Ｇe-Ｓn，Ｔe-Ｇe-Ｓn-Ａu，Ｓb-Ｔe，Ｓb-Ｓ
e-Ｔe，Ｉn-Ｔe，Ｉn-Ｓe，Ｉn-Ｓe-Ｔl，Ｉn-Ｓb,Ｉn-
Ｓb-Ｓe，Ｉn-Ｓe-Ｔe等が挙げられる。
間で可逆的に構造変化をおこす物質、例えばＴe又はＩ
n，Ｓe等を主成分とする相変化材料からなる。よく知ら
れた相変化材料の主成分としては、Ｔe-Ｓb-Ｇe，Ｔe-
Ｇe，Ｔe-Ｇe-Ｓn，Ｔe-Ｇe-Ｓn-Ａu，Ｓb-Ｔe，Ｓb-Ｓ
e-Ｔe，Ｉn-Ｔe，Ｉn-Ｓe，Ｉn-Ｓe-Ｔl，Ｉn-Ｓb,Ｉn-
Ｓb-Ｓe，Ｉn-Ｓe-Ｔe等が挙げられる。
【００１５】反射層７は、Ａu，Ａl，Ｎi，Ｆe，Ｃr等
の金属元素、或はこれらの合金からなり、記録薄膜への
光吸収効率を高める働きをする。しかし、例えば記録薄
膜４の膜厚を厚くして光吸収効率を高める工夫をするこ
とによって、反射層７を設けない構成とすることも可能
である。或は、記録薄膜と保護層を交互に複数回積み重
ねた構成とすることにより、記録薄膜１層あたりの膜厚
が薄くても、全体として光吸収効率を高めることもでき
る。
の金属元素、或はこれらの合金からなり、記録薄膜への
光吸収効率を高める働きをする。しかし、例えば記録薄
膜４の膜厚を厚くして光吸収効率を高める工夫をするこ
とによって、反射層７を設けない構成とすることも可能
である。或は、記録薄膜と保護層を交互に複数回積み重
ねた構成とすることにより、記録薄膜１層あたりの膜厚
が薄くても、全体として光吸収効率を高めることもでき
る。
【００１６】保護基板９は、樹脂をスピンコートした
り、基板と同様の樹脂板、ガラス板、或は金属板等を接
着剤８を用いて貼り合わせることによって形成する。さ
らには、２組の記録媒体を中間基板或は反射層を内側に
して接着剤を用いて貼り合わせることにより、両面から
記録，再生、消去可能な構造としてもよい。
り、基板と同様の樹脂板、ガラス板、或は金属板等を接
着剤８を用いて貼り合わせることによって形成する。さ
らには、２組の記録媒体を中間基板或は反射層を内側に
して接着剤を用いて貼り合わせることにより、両面から
記録，再生、消去可能な構造としてもよい。
【００１７】記録薄膜，保護層は、通常、電子ビーム蒸
着法，スパタリング法，イオンプレーティング法，ＣＶ
Ｄ法，レーザスパタリング法等によって形成される。
着法，スパタリング法，イオンプレーティング法，ＣＶ
Ｄ法，レーザスパタリング法等によって形成される。
【００１８】Ｔe或はＩnを主成分とする種々の書き換え
可能な相変化型光ディスクにおいて、特定の領域に、同
じ信号パターンを繰り返し記録すると、その領域の終端
（一連の信号を書き終えた部分）から記録薄膜が破れる
現象が見られる。以下、この現象を 記録領域終端部に
おける繰り返し劣化 と呼ぶ。記録領域終端部における
繰り返し劣化の現象は、レーザ照射時に、記録薄膜構成
元素がディスク半径方向、或はディスク周方向にわずか
に拡散移動し、繰り返しレーザ照射によって、記録薄膜
構成元素の拡散移動量が積算していくことに起因すると
考えている。記録領域終端部における繰り返し劣化は、
特に記録パワーが高い時に顕著である。この現象を解決
する手段として、記録薄膜に接して酸化物を主成分とす
る界面制御層を設けることを試みた。その結果、記録薄
膜に接して設けた界面制御層の主成分を１０００゜Cにお
ける標準生成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から
−８００kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物と
した場合にのみ、記録領域終端部における繰り返し劣化
が軽減した。
可能な相変化型光ディスクにおいて、特定の領域に、同
じ信号パターンを繰り返し記録すると、その領域の終端
（一連の信号を書き終えた部分）から記録薄膜が破れる
現象が見られる。以下、この現象を 記録領域終端部に
おける繰り返し劣化 と呼ぶ。記録領域終端部における
繰り返し劣化の現象は、レーザ照射時に、記録薄膜構成
元素がディスク半径方向、或はディスク周方向にわずか
に拡散移動し、繰り返しレーザ照射によって、記録薄膜
構成元素の拡散移動量が積算していくことに起因すると
考えている。記録領域終端部における繰り返し劣化は、
特に記録パワーが高い時に顕著である。この現象を解決
する手段として、記録薄膜に接して酸化物を主成分とす
る界面制御層を設けることを試みた。その結果、記録薄
膜に接して設けた界面制御層の主成分を１０００゜Cにお
ける標準生成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から
−８００kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物と
した場合にのみ、記録領域終端部における繰り返し劣化
が軽減した。
【００１９】Ｔe或はＩnを主成分とし、記録・消去の繰
り返し可能な相変化型記録薄膜組成は無限の組合せがあ
り、その全てに対して酸化物界面制御層の効果を実験的
に確認することは不可能である。しかし、すでに公知に
なっている、Ｔe或はＩnを主成分とし記録・消去の繰り
返し可能な代表的相変化型記録薄膜の主成分は、Ｔe-Ｓ
b，Ｔe-Ｇe，Ｔe-Ｓe，Ｉn-Ｔe，Ｉn-Ｓb，Ｉn-Ｓeと大
きく分類することができる。上記分類で代表的な記録薄
膜組成を有する光ディスクについて、界面制御層の効果
を調べたところ、界面制御層の主成分を１０００゜Cにお
ける標準生成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から
−８００kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物と
した場合にのみ、記録・消去の繰り返し劣化の抑制効果
が顕著であった。実験結果から、前記物性を有する酸化
物界面制御層の設置が、Ｔe或はＩnを主成分とし、記録
・消去の繰り返し可能な相変化型記録薄膜の記録・消去
の繰り返し劣化−より具体的には記録領域終端部の繰り
返し劣化−の抑制に効果があると判断できる。
り返し可能な相変化型記録薄膜組成は無限の組合せがあ
り、その全てに対して酸化物界面制御層の効果を実験的
に確認することは不可能である。しかし、すでに公知に
なっている、Ｔe或はＩnを主成分とし記録・消去の繰り
返し可能な代表的相変化型記録薄膜の主成分は、Ｔe-Ｓ
b，Ｔe-Ｇe，Ｔe-Ｓe，Ｉn-Ｔe，Ｉn-Ｓb，Ｉn-Ｓeと大
きく分類することができる。上記分類で代表的な記録薄
膜組成を有する光ディスクについて、界面制御層の効果
を調べたところ、界面制御層の主成分を１０００゜Cにお
ける標準生成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から
−８００kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物と
した場合にのみ、記録・消去の繰り返し劣化の抑制効果
が顕著であった。実験結果から、前記物性を有する酸化
物界面制御層の設置が、Ｔe或はＩnを主成分とし、記録
・消去の繰り返し可能な相変化型記録薄膜の記録・消去
の繰り返し劣化−より具体的には記録領域終端部の繰り
返し劣化−の抑制に効果があると判断できる。
【００２０】前述のように、通常、消去の可能な相変化
型光ディスク装置の場合には、記録薄膜の非晶質相を記
録信号に対応させ、結晶相を消去状態に対応させる。
又、光学的に識別しうる２つの異なる結晶状態をそれぞ
れ記録、消去に対応させる場合もある。いずれの場合で
も、光学的に識別しうる２つの記録薄膜の状態のうち、
少なくともいずれかの状態を得るには、レーザ光線の照
射によって、記録薄膜を溶融させる、或は相変態の転移
温度以上に昇温させる必要がある。溶融している状態、
或は高温状態の記録薄膜では、記録薄膜の構成元素が拡
散移動しやすい。すなわち、記録・消去の繰り返し可能
な相変化型光ディスクでは、その記録・消去メカニズム
上、記録薄膜が繰り返し劣化する可能性を内在している
と言える。１０００゜Cにおける標準生成自由エネルギー
が−４００kJ/mol Ｏ2から−８００kJ/mol Ｏ2の範囲に
ある熱的に安定な酸化物を主成分とする界面制御層を記
録薄膜に接して設けた場合に繰り返し劣化が抑制される
メカニズムはよくわからないが、その理由は次にように
考えている。 （１）界面制御層を構成する酸化物の標準生成自由エネ
ルギーが小さすぎる場合は、酸化物を構成する金属元素
と酸素の結合が比較的小さい。このためレーザ照射によ
る記録薄膜の溶融高温時に、本来界面制御層を構成して
いた酸素が記録薄膜を構成する元素に奪われやすくな
る。例えば、記録薄膜の構成材料としてよく用いられる
Ｇe，Ｔe，Ｓb，Ｉnの安定な酸化物（それぞれＧeＯ2，
ＴeＯ2，ＳbＯ2，Ｉn2Ｏ3）を比較すると、１０００℃
における標準生成自由エネルギーはＧeＯ2（hex）が約
−３５０kJ/mol Ｏ2（バルク文献値）で最も大きい。よ
って、１０００℃における標準生成自由エネルギーが−
３５０kJ/mol Ｏ2よりも小さい酸化物で界面制御層を形
成し、かつ記録薄膜にＳbが存在するとすると、レーザ
照射による記録薄膜の溶融高温時に、界面制御層を構成
していた酸素をＳbに奪われることが予想される。又、
酸化物層（この場合は界面制御層）と溶融金属（この場
合は記録薄膜材料）の間の濡れ性は、酸化物の標準生成
自由エネルギーが小さいほど、大きくなる傾向がある
（例えば、日本金属学会誌 VOl.52(1988),pp72）。すな
わち、界面制御層を構成する酸化物の標準生成自由エネ
ルギーが小さすぎる場合は、酸化物界面制御層と記録薄
膜が容易に反応する、ことが予想できる。この結果、記
録薄膜材料を構成する組成が、記録・消去と繰り返すと
ともに変化していき、当初の繰り返し特性が得られなく
なる。実験的に、界面制御層を構成する酸化物の標準生
成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2以下の場合が、
これに当たると推察される。 （２）界面制御層を構成する酸化物の標準生成自由エネ
ルギーが大きすぎる場合は、酸化物界面制御層と溶融記
録薄膜間の濡れ性が小さくなる。この時、例えば両者の
界面における界面張力の温度依存性が極端に大きくなる
などの理由で、記録薄膜を構成する物質が、溶融時にお
いて動きやすくなると考えられる。実験的に、界面制御
層を構成する酸化物の標準生成自由エネルギーが−８０
０kJ/molＯ2以上の場合が、これに当たると推察され
る。
型光ディスク装置の場合には、記録薄膜の非晶質相を記
録信号に対応させ、結晶相を消去状態に対応させる。
又、光学的に識別しうる２つの異なる結晶状態をそれぞ
れ記録、消去に対応させる場合もある。いずれの場合で
も、光学的に識別しうる２つの記録薄膜の状態のうち、
少なくともいずれかの状態を得るには、レーザ光線の照
射によって、記録薄膜を溶融させる、或は相変態の転移
温度以上に昇温させる必要がある。溶融している状態、
或は高温状態の記録薄膜では、記録薄膜の構成元素が拡
散移動しやすい。すなわち、記録・消去の繰り返し可能
な相変化型光ディスクでは、その記録・消去メカニズム
上、記録薄膜が繰り返し劣化する可能性を内在している
と言える。１０００゜Cにおける標準生成自由エネルギー
が−４００kJ/mol Ｏ2から−８００kJ/mol Ｏ2の範囲に
ある熱的に安定な酸化物を主成分とする界面制御層を記
録薄膜に接して設けた場合に繰り返し劣化が抑制される
メカニズムはよくわからないが、その理由は次にように
考えている。 （１）界面制御層を構成する酸化物の標準生成自由エネ
ルギーが小さすぎる場合は、酸化物を構成する金属元素
と酸素の結合が比較的小さい。このためレーザ照射によ
る記録薄膜の溶融高温時に、本来界面制御層を構成して
いた酸素が記録薄膜を構成する元素に奪われやすくな
る。例えば、記録薄膜の構成材料としてよく用いられる
Ｇe，Ｔe，Ｓb，Ｉnの安定な酸化物（それぞれＧeＯ2，
ＴeＯ2，ＳbＯ2，Ｉn2Ｏ3）を比較すると、１０００℃
における標準生成自由エネルギーはＧeＯ2（hex）が約
−３５０kJ/mol Ｏ2（バルク文献値）で最も大きい。よ
って、１０００℃における標準生成自由エネルギーが−
３５０kJ/mol Ｏ2よりも小さい酸化物で界面制御層を形
成し、かつ記録薄膜にＳbが存在するとすると、レーザ
照射による記録薄膜の溶融高温時に、界面制御層を構成
していた酸素をＳbに奪われることが予想される。又、
酸化物層（この場合は界面制御層）と溶融金属（この場
合は記録薄膜材料）の間の濡れ性は、酸化物の標準生成
自由エネルギーが小さいほど、大きくなる傾向がある
（例えば、日本金属学会誌 VOl.52(1988),pp72）。すな
わち、界面制御層を構成する酸化物の標準生成自由エネ
ルギーが小さすぎる場合は、酸化物界面制御層と記録薄
膜が容易に反応する、ことが予想できる。この結果、記
録薄膜材料を構成する組成が、記録・消去と繰り返すと
ともに変化していき、当初の繰り返し特性が得られなく
なる。実験的に、界面制御層を構成する酸化物の標準生
成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2以下の場合が、
これに当たると推察される。 （２）界面制御層を構成する酸化物の標準生成自由エネ
ルギーが大きすぎる場合は、酸化物界面制御層と溶融記
録薄膜間の濡れ性が小さくなる。この時、例えば両者の
界面における界面張力の温度依存性が極端に大きくなる
などの理由で、記録薄膜を構成する物質が、溶融時にお
いて動きやすくなると考えられる。実験的に、界面制御
層を構成する酸化物の標準生成自由エネルギーが−８０
０kJ/molＯ2以上の場合が、これに当たると推察され
る。
【００２１】以下に 具体的な例をもって本発明を詳述
する。 実施例１ 代表的な記録薄膜組成として、Ｇe2Ｓb2Ｔe5を選び、こ
の記録薄膜に接して種々の酸化物からなる界面制御層を
設けた場合の、記録・消去の繰り返し特性−特に繰り返
しに対する記録パワーの許容範囲−を比較した。Ｇe2Ｓ
b2Ｔe5は、良好な記録・消去特性、及び繰り返し特性が
得られる材料として知られている（特開昭62-209742号
広報）。
する。 実施例１ 代表的な記録薄膜組成として、Ｇe2Ｓb2Ｔe5を選び、こ
の記録薄膜に接して種々の酸化物からなる界面制御層を
設けた場合の、記録・消去の繰り返し特性−特に繰り返
しに対する記録パワーの許容範囲−を比較した。Ｇe2Ｓ
b2Ｔe5は、良好な記録・消去特性、及び繰り返し特性が
得られる材料として知られている（特開昭62-209742号
広報）。
【００２２】図１にディスク構造を示す。基板の材質は
5.25インチ径のガラスとした。記録薄膜の膜厚は５０nm
で、膜厚３nmの酸化物界面制御層がその両側をサンドイ
ッチしている。さらにその両側を窒化ケイ素（Ｓi
3Ｎ4）からなる保護層がサンドイッチしている。保護層
の膜厚は、光学的に最適な特性が得られるように決定し
た。具体的には基板側の膜厚が１５０nm、記録薄膜上に
は２００nm設けた。反射層材料には金（Ａu）を用い、
膜厚は２０nmとした。各層の形成はスパタリング法によ
り行った。
5.25インチ径のガラスとした。記録薄膜の膜厚は５０nm
で、膜厚３nmの酸化物界面制御層がその両側をサンドイ
ッチしている。さらにその両側を窒化ケイ素（Ｓi
3Ｎ4）からなる保護層がサンドイッチしている。保護層
の膜厚は、光学的に最適な特性が得られるように決定し
た。具体的には基板側の膜厚が１５０nm、記録薄膜上に
は２００nm設けた。反射層材料には金（Ａu）を用い、
膜厚は２０nmとした。各層の形成はスパタリング法によ
り行った。
【００２３】上記構成のディスクを用いて記録・消去の
繰り返し試験を行った。ここで、レーザビーム（波長：
830nm）とディスクの相対速度は１４m/secとし、パルス
幅50nsでランダムデータを２−７変調マークポジション
記録をオーバライト（重ね書き）し、１０万回の繰り返
し記録回数に伴うＢＥＲ（Bit Error Rate）の変化を測
定した（以下の実施例において記録・消去特性を調べる
場合の記録条件は、本条件を踏襲している）。この時、
記録・消去パワーを０．２mWきざみで変化させてＢＥＲ
変化を測定し、繰り返し後のＢＥＲ値が最小となる記録
・消去パワーを最適パワーと呼ぶことにする。最適パワ
ー、及び最適パワーの１５％増しの記録・消去パワーで
繰り返し記録を行なった場合、ＢＥＲが１×１０-5より
も大きくなった時の繰り返し回数を（表１）に示す。
（表１）には、界面制御層材料の酸化物の融点、及び１
０００゜Cにおける標準生成自由エネルギーを併記した。
各物性値は、化学便覧改訂３版基礎編，及び鉄鋼便覧第
３版（日本鉄鋼協会編）から引用した。
繰り返し試験を行った。ここで、レーザビーム（波長：
830nm）とディスクの相対速度は１４m/secとし、パルス
幅50nsでランダムデータを２−７変調マークポジション
記録をオーバライト（重ね書き）し、１０万回の繰り返
し記録回数に伴うＢＥＲ（Bit Error Rate）の変化を測
定した（以下の実施例において記録・消去特性を調べる
場合の記録条件は、本条件を踏襲している）。この時、
記録・消去パワーを０．２mWきざみで変化させてＢＥＲ
変化を測定し、繰り返し後のＢＥＲ値が最小となる記録
・消去パワーを最適パワーと呼ぶことにする。最適パワ
ー、及び最適パワーの１５％増しの記録・消去パワーで
繰り返し記録を行なった場合、ＢＥＲが１×１０-5より
も大きくなった時の繰り返し回数を（表１）に示す。
（表１）には、界面制御層材料の酸化物の融点、及び１
０００゜Cにおける標準生成自由エネルギーを併記した。
各物性値は、化学便覧改訂３版基礎編，及び鉄鋼便覧第
３版（日本鉄鋼協会編）から引用した。
【００２４】
【表１】
【００２５】（表１）より、１０００゜Cにおける標準生
成自由エネルギーが−４００kJ/molＯ2から−８００kJ/
mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物で界面制御層
を形成した場合に、繰り返し特性が良好であることがわ
かる。界面制御層を構成する酸化物の標準生成自由エネ
ルギーが−４００kJ/mol Ｏ2以下（ここではＣoＯ，Ｇe
Ｏ2，ＳnＯ2，ＷＯ2）の場合、繰り返しに伴うＢＥＲの
増加の主因は、ノイズの増加に伴う再生波形の劣化が主
因であることが、オシロスコープを用いた波形観察から
わかった。一方、界面制御層を構成する酸化物の標準生
成自由エネルギーが−８００kJ/mol Ｏ2以上（ここでは
ＣeＯ2，Ｄy2Ｏ3，Ｇd2Ｏ3，ＭgＯ，Ｙ2Ｏ3）の場合、
繰り返しに伴うＢＥＲの増加の主因は、リシンク領域
（信号の同期をとるためデータ16Byte毎に書き込んだ一
定の信号パターンがある領域）、及び記録領域終端部に
おける波形劣化であった。これらの劣化は記録薄膜材料
の物質移動に起因していた。これらの結果から、繰り返
し特性の向上を目的として記録薄膜に接して界面制御層
を設ける場合には、１０００゜Cにおける標準生成自由エ
ネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８００kJ/mol Ｏ2
の範囲にある熱的に安定な酸化物で界面制御層を形成す
るばよい、と結論できる。界面制御層は、複数の酸化物
から構成されていても差し支えない。又、記録層に接し
てどちらか片側にのみ酸化物界面制御層を設けた場合に
おいても、（表１）の結果と同様、１０００゜Cにおける
標準生成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８
００kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物で界面
制御層を形成した場合に、最も繰り返し特性が良好であ
った。
成自由エネルギーが−４００kJ/molＯ2から−８００kJ/
mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物で界面制御層
を形成した場合に、繰り返し特性が良好であることがわ
かる。界面制御層を構成する酸化物の標準生成自由エネ
ルギーが−４００kJ/mol Ｏ2以下（ここではＣoＯ，Ｇe
Ｏ2，ＳnＯ2，ＷＯ2）の場合、繰り返しに伴うＢＥＲの
増加の主因は、ノイズの増加に伴う再生波形の劣化が主
因であることが、オシロスコープを用いた波形観察から
わかった。一方、界面制御層を構成する酸化物の標準生
成自由エネルギーが−８００kJ/mol Ｏ2以上（ここでは
ＣeＯ2，Ｄy2Ｏ3，Ｇd2Ｏ3，ＭgＯ，Ｙ2Ｏ3）の場合、
繰り返しに伴うＢＥＲの増加の主因は、リシンク領域
（信号の同期をとるためデータ16Byte毎に書き込んだ一
定の信号パターンがある領域）、及び記録領域終端部に
おける波形劣化であった。これらの劣化は記録薄膜材料
の物質移動に起因していた。これらの結果から、繰り返
し特性の向上を目的として記録薄膜に接して界面制御層
を設ける場合には、１０００゜Cにおける標準生成自由エ
ネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８００kJ/mol Ｏ2
の範囲にある熱的に安定な酸化物で界面制御層を形成す
るばよい、と結論できる。界面制御層は、複数の酸化物
から構成されていても差し支えない。又、記録層に接し
てどちらか片側にのみ酸化物界面制御層を設けた場合に
おいても、（表１）の結果と同様、１０００゜Cにおける
標準生成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８
００kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物で界面
制御層を形成した場合に、最も繰り返し特性が良好であ
った。
【００２６】次に記録薄膜の組成範囲を広げて、結晶化
・非晶質化感度がともに良好で、かつ記録薄膜に接して
熱的に安定な酸化物界面制御層を設けることによって繰
り返し特性が向上するような構成を調べた。実験の結
果、結晶化・非晶質化感度がともに良好（単一ビームに
よる重ね書きを考慮して、結晶化に必要な加熱時間が10
0nsec以下）で、かつ記録・消去の繰り返し時に記録領
域終端部劣化が生じにくい構成は、Ｇe-Ｓb-Ｔe主成分
の組成範囲が、 （Ｇe）x（Ｓb）y（Ｔe）z 0.10≦x≦0.35 0.10≦y 0.45≦z≦0.65 x＋y＋z=1 であった。Ｇe-Ｓb-Ｔe主成分の組成範囲は、図２の
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅで囲まれた範囲である。上記組成範
囲を有する記録薄膜に接して酸化物界面制御層を設ける
場合でも、１０００゜Cにおける標準生成自由エネルギー
が−４００kJ/molＯ2から−８００kJ/mol Ｏ2の範囲に
ある熱的に安定な酸化物で界面制御層を形成した場合
に、繰り返し特性が良好であることを実験的に確かめ
た。
・非晶質化感度がともに良好で、かつ記録薄膜に接して
熱的に安定な酸化物界面制御層を設けることによって繰
り返し特性が向上するような構成を調べた。実験の結
果、結晶化・非晶質化感度がともに良好（単一ビームに
よる重ね書きを考慮して、結晶化に必要な加熱時間が10
0nsec以下）で、かつ記録・消去の繰り返し時に記録領
域終端部劣化が生じにくい構成は、Ｇe-Ｓb-Ｔe主成分
の組成範囲が、 （Ｇe）x（Ｓb）y（Ｔe）z 0.10≦x≦0.35 0.10≦y 0.45≦z≦0.65 x＋y＋z=1 であった。Ｇe-Ｓb-Ｔe主成分の組成範囲は、図２の
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅで囲まれた範囲である。上記組成範
囲を有する記録薄膜に接して酸化物界面制御層を設ける
場合でも、１０００゜Cにおける標準生成自由エネルギー
が−４００kJ/molＯ2から−８００kJ/mol Ｏ2の範囲に
ある熱的に安定な酸化物で界面制御層を形成した場合
に、繰り返し特性が良好であることを実験的に確かめ
た。
【００２７】記録薄膜主成分のＧe-Ｓb-Ｔe組成範囲を
さらに詳しく検討した結果、 （Ｇe2Ｓb2Ｔe5）x（ＧeＳb2Ｔe4）1-x 0≦x≦1 で表わされる範囲の記録薄膜組は、とりわけ結晶化速度
が速いと同時に、繰り返しに記録・消去に伴う記録領域
終端部の劣化−すなわち物質移動による劣化−が顕著で
あった。結晶化速度が速いことは重ね書き可能な相変化
型光ディスクにとって非常に好ましいことである。それ
故、適当な標準生成自由エネルギーを有する酸化物から
なる界面制御層を記録薄膜に接して設けることによる繰
り返し劣化の抑制効果は、 （Ｇe2Ｓb2Ｔe5）x（ＧeＳb2Ｔe4）1-x 0≦x≦1 組成において顕著、かつ重要である。
さらに詳しく検討した結果、 （Ｇe2Ｓb2Ｔe5）x（ＧeＳb2Ｔe4）1-x 0≦x≦1 で表わされる範囲の記録薄膜組は、とりわけ結晶化速度
が速いと同時に、繰り返しに記録・消去に伴う記録領域
終端部の劣化−すなわち物質移動による劣化−が顕著で
あった。結晶化速度が速いことは重ね書き可能な相変化
型光ディスクにとって非常に好ましいことである。それ
故、適当な標準生成自由エネルギーを有する酸化物から
なる界面制御層を記録薄膜に接して設けることによる繰
り返し劣化の抑制効果は、 （Ｇe2Ｓb2Ｔe5）x（ＧeＳb2Ｔe4）1-x 0≦x≦1 組成において顕著、かつ重要である。
【００２８】実施例２ 実施例１では、Ｇe-Ｓb-Ｔe記録薄膜の両側、或は片側
に１０００゜Cにおける標準生成自由エネルギーが−４０
０kJ/mol Ｏ2から−８００kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的
に安定な酸化物で界面制御層を形成した場合に、繰り返
し特性が向上することを示した。他にも、Ｔe或はＩnを
主成分とする記録薄膜、例えばＴe-Ｇe，Ｔe-Ｇe-Ｓn，
Ｔe-Ｇe-Ｓn-Ａu，Ｓb-Ｔe，Ｓb-Ｓe-Ｔe，Ｉn-Ｔe，Ｉ
n-Ｓe，Ｉn-Ｓe-Ｔl，Ｉn-Ｓb,Ｉn-Ｓb-Ｓe，Ｉn-Ｓe-
Ｔe記録薄膜の両側、或は片側に熱的にで特定の物性値
を有する酸化物（具体的には１０００゜Cにおける標準生
成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８００kJ
/mol Ｏ2の範囲にある酸化物）からなる界面制御層を設
けることによって、いずれも記録・消去繰り返し特性が
向上する傾向があることを実験で確かめた。一例とし
て、（表２）に（ＩnＳb）2Ｔe記録薄膜を有する光ディ
スクの繰り返し特性を示す。ディスクの構造は、ガラス
基板、記録薄膜の膜厚は４０nmで、膜厚３nmの酸化物界
面制御層がその両側をサンドイッチしている。さらにそ
の両側を窒化ケイ素（Ｓi3Ｎ4）からなる保護層がサン
ドイッチしている。保護層の膜厚は、光学的に最適な特
性が得られるように決定した。具体的には基板側の膜厚
が１５０nm、記録薄膜上には２００nm設けた。反射層材
料には金（Ａu）を用い、膜厚は２０nmとした。各層の
形成はスパタリング法により行った。実施例１に示した
記録条件で信号を１万回記録した。最適パワーで繰り返
し記録を行なった場合、ＢＥＲが１×１０-5よりも大き
くなった時の繰り返し回数を（表２）に示す。
に１０００゜Cにおける標準生成自由エネルギーが−４０
０kJ/mol Ｏ2から−８００kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的
に安定な酸化物で界面制御層を形成した場合に、繰り返
し特性が向上することを示した。他にも、Ｔe或はＩnを
主成分とする記録薄膜、例えばＴe-Ｇe，Ｔe-Ｇe-Ｓn，
Ｔe-Ｇe-Ｓn-Ａu，Ｓb-Ｔe，Ｓb-Ｓe-Ｔe，Ｉn-Ｔe，Ｉ
n-Ｓe，Ｉn-Ｓe-Ｔl，Ｉn-Ｓb,Ｉn-Ｓb-Ｓe，Ｉn-Ｓe-
Ｔe記録薄膜の両側、或は片側に熱的にで特定の物性値
を有する酸化物（具体的には１０００゜Cにおける標準生
成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８００kJ
/mol Ｏ2の範囲にある酸化物）からなる界面制御層を設
けることによって、いずれも記録・消去繰り返し特性が
向上する傾向があることを実験で確かめた。一例とし
て、（表２）に（ＩnＳb）2Ｔe記録薄膜を有する光ディ
スクの繰り返し特性を示す。ディスクの構造は、ガラス
基板、記録薄膜の膜厚は４０nmで、膜厚３nmの酸化物界
面制御層がその両側をサンドイッチしている。さらにそ
の両側を窒化ケイ素（Ｓi3Ｎ4）からなる保護層がサン
ドイッチしている。保護層の膜厚は、光学的に最適な特
性が得られるように決定した。具体的には基板側の膜厚
が１５０nm、記録薄膜上には２００nm設けた。反射層材
料には金（Ａu）を用い、膜厚は２０nmとした。各層の
形成はスパタリング法により行った。実施例１に示した
記録条件で信号を１万回記録した。最適パワーで繰り返
し記録を行なった場合、ＢＥＲが１×１０-5よりも大き
くなった時の繰り返し回数を（表２）に示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】（表２）より、１０００゜Cにおける標準生
成自由エネルギーが−４００kJ/molＯ2から−８００kJ/
mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物で界面制御層
を形成した場合に、繰り返し特性が良好であることがわ
かる。界面制御層を構成する酸化物の標準生成自由エネ
ルギーが−４００kJ/mol Ｏ2以下（ここではＣoＯ，Ｇe
Ｏ2，ＳnＯ2，ＷＯ2）の場合、繰り返しに伴うＢＥＲの
増加の主因は、ノイズの増加に伴う再生波形の劣化が主
因であることが、オシロスコープを用いた波形観察から
わかった。一方、界面制御層を構成する酸化物の標準生
成自由エネルギーが−８００kJ/mol Ｏ2以上（ここでは
ＣeＯ2，Ｄy2Ｏ3，Ｇd2Ｏ3，ＭgＯ，Ｙ2Ｏ3）の場合、
繰り返しに伴うＢＥＲの増加の主因は、リシンク領域
（信号の同期をとるためデータ16Byte毎に書き込んだ一
定の信号パターンがある領域）、及び記録領域終端部に
おける波形劣化であった。これらの劣化は記録薄膜材料
の物質移動に起因していた。これらの結果から、繰り返
し特性の向上を目的として記録薄膜に接して界面制御層
を設ける場合には、１０００゜Cにおける標準生成自由エ
ネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８００kJ/mol Ｏ2
の範囲にある熱的に安定な酸化物で界面制御層を形成す
るばよい、と結論できる。界面制御層は、複数の酸化物
から構成されていても差し支えない。又、記録層に接し
てどちらか片側にのみ酸化物界面制御層を設けた場合に
おいても、（表２）の結果と同様、１０００゜Cにおける
標準生成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８
００kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物で界面
制御層を形成した場合に、最も繰り返し特性が良好であ
った。
成自由エネルギーが−４００kJ/molＯ2から−８００kJ/
mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物で界面制御層
を形成した場合に、繰り返し特性が良好であることがわ
かる。界面制御層を構成する酸化物の標準生成自由エネ
ルギーが−４００kJ/mol Ｏ2以下（ここではＣoＯ，Ｇe
Ｏ2，ＳnＯ2，ＷＯ2）の場合、繰り返しに伴うＢＥＲの
増加の主因は、ノイズの増加に伴う再生波形の劣化が主
因であることが、オシロスコープを用いた波形観察から
わかった。一方、界面制御層を構成する酸化物の標準生
成自由エネルギーが−８００kJ/mol Ｏ2以上（ここでは
ＣeＯ2，Ｄy2Ｏ3，Ｇd2Ｏ3，ＭgＯ，Ｙ2Ｏ3）の場合、
繰り返しに伴うＢＥＲの増加の主因は、リシンク領域
（信号の同期をとるためデータ16Byte毎に書き込んだ一
定の信号パターンがある領域）、及び記録領域終端部に
おける波形劣化であった。これらの劣化は記録薄膜材料
の物質移動に起因していた。これらの結果から、繰り返
し特性の向上を目的として記録薄膜に接して界面制御層
を設ける場合には、１０００゜Cにおける標準生成自由エ
ネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８００kJ/mol Ｏ2
の範囲にある熱的に安定な酸化物で界面制御層を形成す
るばよい、と結論できる。界面制御層は、複数の酸化物
から構成されていても差し支えない。又、記録層に接し
てどちらか片側にのみ酸化物界面制御層を設けた場合に
おいても、（表２）の結果と同様、１０００゜Cにおける
標準生成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８
００kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物で界面
制御層を形成した場合に、最も繰り返し特性が良好であ
った。
【００３１】
【発明の効果】記録薄膜に接して界面制御層を設けた構
造とし、この界面制御層の主成分を１０００゜Cにおける
標準生成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８
００kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物とする
ことにより、繰り返しによる記録薄膜の破壊が生じにく
くなる。即ち、良好な繰り返し特性が得られるようにな
る。
造とし、この界面制御層の主成分を１０００゜Cにおける
標準生成自由エネルギーが−４００kJ/mol Ｏ2から−８
００kJ/mol Ｏ2の範囲にある熱的に安定な酸化物とする
ことにより、繰り返しによる記録薄膜の破壊が生じにく
くなる。即ち、良好な繰り返し特性が得られるようにな
る。
【図１】本発明の実施例の記録媒体の構造を示す断面図
【図２】Ｇe-Ｓb-Ｔeを主成分とする記録薄膜の主成分
組成範囲を示す図
組成範囲を示す図
１ 基板 ２ 保護層 ３ 界面制御層 ４ 記録薄膜 ５ 界面制御層 ６ 保護層 ７ 反射層 ８ 接着層 ９ 保護基板 １０基板平面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−125343（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−195537（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−181029（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−88147（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/24 533
Claims (4)
- 【請求項１】 基板と、前記基板上に形成され、レーザ
光線の照射により相変化を生じて光学特性の異なる状態
へと可逆的に移りうる記録薄膜と、前記記録薄膜の両側
に形成された２つの保護層とを備えた光学情報記録媒体
において、前記記録薄膜と前記２つの保護層との間の少
なくとも一方に界面制御層を設け、前記界面制御層が、
１０００℃における標準生成自由エネルギーが−４００
kJ/molＯ2から−８００kJ/mol Ｏ2の範囲にある酸化物
であり、Ｔａ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ3の２種類の酸化物のいずれか
１種類、或いはこれら酸化物の組み合わせからなること
を特徴とする光学情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記記録薄膜の主成分がＴｅ、又はＩｎ
であることを特徴とする請求項１記載の光学情報記録媒
体。 - 【請求項３】 前記記録薄膜の主成分がＧｅ、Ｓｂ、Ｔ
ｅであり、前記主成分の組成比が、 （Ｇｅ）x（Ｓｂ）y（Ｔｅ）z 0.10≦ｘ≦0.35 0.10≦ｙ 0.45≦ｚ≦0.65 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ で表される範囲内にあることを特徴とする請求項１項記
載の光学情報記録媒体。 - 【請求項４】 前記記録薄膜がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの３つ
の成分を含み、前記３つの成分の組成比が、 （Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5）x（ＧｅＳｂ2Ｔｅ4）1-x 0≦ｘ≦１ で表される範囲内にあることを特徴とする請求項１項記
載の光学情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3305852A JP2990901B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 光学情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3305852A JP2990901B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 光学情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144083A JPH05144083A (ja) | 1993-06-11 |
| JP2990901B2 true JP2990901B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=17950140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3305852A Expired - Fee Related JP2990901B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 光学情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2990901B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003178487A (ja) | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体および製造方法 |
| TW200601322A (en) | 2004-04-07 | 2006-01-01 | Hitachi Maxell | Information recording medium |
-
1991
- 1991-11-21 JP JP3305852A patent/JP2990901B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05144083A (ja) | 1993-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |