JP2987184B2 - Heat treatment apparatus and heat treatment method - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、基板熱処理装置に係り、例えばマスクブラ
ンクスに塗布されたレジストのベーキング処理装置に利
用できるものに関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus, and more particularly to an apparatus that can be used in a baking processing apparatus for resist applied to mask blanks.

［従来の技術］ 各種電子デバイスの製造の際においては、電子デバイ
ス用基板の表面部に均一な熱処理を施す工程が少なから
ずある。[Related Art] In the production of various electronic devices, there are not a few steps of performing a uniform heat treatment on the surface of an electronic device substrate.

第２図は、このような熱処理装置の一例であるレジス
トのベーキング処理を行うレジストベーク処理の従来例
（特開昭64−28918号公報参照）の概略構成を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional example of a resist baking process for performing a resist baking process as an example of such a heat treatment apparatus (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-28918).

第２図において、表面にレジストが塗布されたウエハ
101は、搬送バー104の上下および左右の運動によって順
次移送され、ヒータが埋め込まれた加熱プレート102,
…,102上に各々所定時間載置されると共に、冷媒によっ
て冷却された冷却プレート103上に所定時間載置されて
加熱、冷却の一連の熱処理が施されるようになってい
る。2. In FIG. 2, a wafer having a surface coated with a resist
101 is sequentially transferred by the vertical and horizontal movement of the transport bar 104, the heating plate 102,
, 102 are placed on the cooling plate 103 cooled by the refrigerant for a predetermined time, and are subjected to a series of heating and cooling heat treatments.

［発明が解決しようとする課題］ 上述のような熱処理装置で、加熱プレート上で基板が
加熱される際、基板の中心部の温度が周辺部より高くな
る傾向があり、特に昇温時には、中心部の温度上昇が周
辺部より著しい。また、上述の加熱プレート上で加熱さ
れた基板が、冷却プレートで冷却される際、基板の中心
付近の冷却スピードが周辺部に比べて遅くなる傾向があ
る。[Problems to be Solved by the Invention] When the substrate is heated on the heating plate in the heat treatment apparatus as described above, the temperature of the central portion of the substrate tends to be higher than that of the peripheral portion. The temperature rise in the part is more remarkable than in the peripheral part. When the substrate heated on the heating plate is cooled by the cooling plate, the cooling speed near the center of the substrate tends to be slower than that at the peripheral portion.

例えば、上述の従来タイプの熱処理装置をフォトマス
ク原版製造時におけるレジストのベーク処理用の装置と
してそのまま適用すると、レジストの温度分布の均一性
を満たすことができないため、レジストの現像液に対す
る感応性が不均一となり、最終的に得られるフォトマス
ク原版のマスクパターン線幅に分布を引き起こしてしま
う。この様なフォトマスク原版を用いて回路パターンを
転写した場合に被転写物に断線、ショートなどのパター
ン欠陥を生じさせてしまう。For example, if the above-mentioned conventional heat treatment apparatus is directly applied as an apparatus for baking a resist at the time of manufacturing a photomask master, it is not possible to satisfy the uniformity of the temperature distribution of the resist. It becomes non-uniform and causes a distribution in the mask pattern line width of the finally obtained photomask master. When a circuit pattern is transferred using such a photomask master, a pattern defect such as a disconnection or a short circuit is generated on the transferred object.

このように、従来の熱処理装置では用途によって、基
板表面部の温度均一性を要請される均一度に保つことか
ができなかった。As described above, in the conventional heat treatment apparatus, the temperature uniformity of the substrate surface cannot be maintained at the required uniformity depending on the application.

本発明は上述の背景のもとでなされたものであり、基
板の加熱、昇温時、安定時または冷却時に極めて均一な
熱処理を基板に施すことが可能な熱処理装置を提供する
ことを目的としたものである。The present invention has been made under the above-described background, and has as its object to provide a heat treatment apparatus capable of performing extremely uniform heat treatment on a substrate when the substrate is heated, heated, and stable or cooled. It was done.

［課題を解決するための手段］ 本発明は、以下の各構成とすることにより、上述の課
題を解決している。[Means for Solving the Problems] The present invention has solved the above-described problems by adopting the following configurations.

（１）レジスト付フォトマスクブランクに対して熱の授
受を行う熱授受手段を備えた熱処理装置において、 前記レジスト付フォトマスクブランクの面内温度分布
が実質的に均一になるように、前記熱授受手段とレジス
ト付フォトマスクブランクとの距離を該レジスト付フォ
トマスクブランクの中央部と周辺部とで異ならしめるこ
とによって、前記熱授受手段とレジスト付フォトマスク
ブランクの中央部との間の熱伝達経路の熱伝達度合及び
前記熱授受手段とレジスト付フォトマスクブランクの周
辺部との間の熱伝達経路の熱伝達度合を選定したことを
特徴とする構成。(1) In a heat treatment apparatus provided with a heat exchanging means for exchanging heat with a photomask blank with a resist, the heat exchanging is performed so that an in-plane temperature distribution of the photomask blank with a resist is substantially uniform. The distance between the means and the photomask blank with resist is made different between the central part and the peripheral part of the photomask blank with resist, so that a heat transfer path between the heat transfer means and the central part of the photomask blank with resist is made. And a heat transfer degree of a heat transfer path between the heat transfer means and the periphery of the photomask blank with resist.

（２）レジスト付フォトマスクブランクを加熱する加熱
手段を備えた熱処理装置において、 前記加熱手段から前記レジスト付フォトマスクブラン
クの中央部に供給される熱量よりも、周辺部に供給され
る熱量が多くなるように、前記加熱手段とレジスト付フ
ォトマスクブランクとの距離を該レジスト付フォトマス
クブランクの中央部と周辺部とで異ならしめることによ
り、前記加熱手段とレジスト付フォトマスクブランクの
中央部との間の熱伝達経路の熱伝達度合および前記加熱
手段とレジスト付フォトマスクブランクの周辺部との間
の熱伝達経路の熱伝達度合を選定したことを特徴とする
構成。(2) In a heat treatment apparatus provided with a heating means for heating the photomask blank with resist, the amount of heat supplied to the peripheral portion is larger than the amount of heat supplied to the central portion of the photomask blank with resist from the heating means. Thus, by making the distance between the heating means and the photomask blank with resist different between the central part and the peripheral part of the photomask blank with resist, the heating means and the central part of the photomask blank with resist are separated. And a heat transfer path between the heating means and the peripheral portion of the photomask blank with resist is selected.

（３）レジスト付フォトマスクブランクを冷却する冷却
手段を備えた熱処理装置において、 前記冷却手段によって前記レジスト付フォトマスクブ
ランク周辺部から奪う熱量よりも、中央部から奪う熱量
が多くなるように、前記冷却手段とレジスト付フォトマ
スクブランクとの距離を該レジスト付フォトマスクブラ
ンクの中央部と周辺部とで異ならしめることにより、前
記冷却手段とレジスト付フォトマスクブランクの中央部
との間の熱伝達経路の熱伝達度合および前記冷却手段と
レジスト付フォトマスクブランクの周辺部との間の熱伝
達経路の熱伝達度合を選定したことを特徴とする構成。(3) In a heat treatment apparatus provided with a cooling means for cooling the photomask blank with resist, the heat quantity taken from the central part by the cooling means is larger than the heat quantity taken from the peripheral part of the photomask blank with resist. By making the distance between the cooling means and the photomask blank with resist different between the central part and the peripheral part of the photomask blank with resist, a heat transfer path between the cooling means and the central part of the photomask blank with resist is made. And a heat transfer degree of a heat transfer path between the cooling means and a peripheral portion of the photomask blank with resist is selected.

（４）レジスト付フォトマスクブランクを加熱処理する
加熱処理手段と、前記レジスト付フォトマスクブランク
を冷却処理する冷却処理手段と、 前記レジスト付フォトマスクブランクを次の処理工程
を行う処理手段に搬送する搬送手段とを備えた熱処理装
置において、 前記加熱処理手段として構成（２）に記載の熱処理装
置を用い、 また、冷却処理手段として構成（３）に記載の熱処理
装置を用いたことを特徴とする構成。(4) Heat treatment means for heating the photomask blank with resist, cooling means for cooling the photomask blank with resist, and transporting the photomask blank with resist to processing means for performing the next processing step. In the heat treatment apparatus provided with a transfer means, the heat treatment apparatus according to the configuration (2) is used as the heat treatment means, and the heat treatment apparatus according to the configuration (3) is used as the cooling treatment means. Constitution.

（５）構成（１）ないし（４）に記載の熱処理装置を使
用してレジスト付きフォトマスクブランクを熱処理する
ことを特徴とする構成。(5) A configuration wherein the photomask blank with the resist is heat-treated using the heat treatment apparatus according to any one of the configurations (1) to (4).

［実施例］ 第１図は本発明の一実施例にかかる熱処理装置におけ
る加熱プレート１の側面図、第３図は本発明の一実施例
にかかる熱処理装置の外観斜視図、第４図は冷却プレー
ト４の側面図である。以下、これらの図面を参照にしな
がら一実施例を詳述する。Embodiment FIG. 1 is a side view of a heating plate 1 in a heat treatment apparatus according to one embodiment of the present invention, FIG. 3 is an external perspective view of the heat treatment apparatus according to one embodiment of the present invention, and FIG. It is a side view of the plate 4. Hereinafter, an embodiment will be described in detail with reference to these drawings.

第３図に示されるように、本実施例の熱処理装置は、
順次隣接して配置された３つの加熱プレート1,2,3と、
冷却プレート４と、搬送手段５、５′とから構成され、
レジスト付基板であるフォトマスクブランク100（第１
図参照）に熱処理を施すものである。この熱処理は、フ
ォトマスクブランク100（第３図には図示せず）を、開
閉自在な一対の搬送手段51,52により把持し、加熱プレ
ート１〜３に順次搬送し、各加熱プレート１〜３上で加
熱処理をし、しかる後、冷却プレート４に搬送し、この
冷却プレート４により前工程で加熱されたフォトマスク
ブランク100を冷却することにより行われる。As shown in FIG. 3, the heat treatment apparatus of this embodiment
Three heating plates 1,2,3 arranged adjacent to one another,
It is composed of a cooling plate 4 and transport means 5, 5 '.
Photomask blank 100 (substrate with resist)
(See the figure). In this heat treatment, the photomask blank 100 (not shown in FIG. 3) is gripped by a pair of openable and closable transfer means 51 and 52 and is sequentially transferred to the heating plates 1 to 3. The heat treatment is performed on the upper portion, and then the photomask blank 100 is conveyed to the cooling plate 4 and cooled by the cooling plate 4 to heat the photomask blank 100 heated in the previous step.

加熱プレート１〜３はいずれも同じ構造からなり、第
５図にその斜視図を示したように、上側基板６に形成さ
れた略四角形状の窪状部にフラットヒーター60（600w、
マイカーヒータ・センオール株式会社製）を収納し、こ
れを下側基板７によっておさえるようにして、上側基板
６と下側基板７とにより把持している。ここで、上側基
板６と下側基板７は、共にアルミニウム材からなり、19
5mm×195mmの正方形の主表面を有している。なお、上側
基板６と下側基板７の厚さは、それぞれ、18mm、30mmで
ある。Each of the heating plates 1 to 3 has the same structure, and as shown in a perspective view in FIG. 5, a flat heater 60 (600w,
Mycar Heater Senall Co., Ltd.) is held by the lower substrate 7 and held by the upper substrate 6 and the lower substrate 7. Here, both the upper substrate 6 and the lower substrate 7 are made of aluminum material.
It has a square main surface of 5 mm x 195 mm. The thicknesses of the upper substrate 6 and the lower substrate 7 are 18 mm and 30 mm, respectively.

そして、上側基板６の主表面には、第１図および第３
図に示すように、中央部に100mmφの開口部81を有する
アルミニウム薄膜（厚さ0.014mm）からなる第１スペー
サ８が載置されている。The main surface of the upper substrate 6 is shown in FIGS.
As shown in the figure, a first spacer 8 made of an aluminum thin film (0.014 mm in thickness) having an opening 81 of 100 mmφ in the center is placed.

そして、この第１スペーサ８の四隅には、円盤状のポ
リイミド樹脂からなる第２スペーサ９（厚さ0.1mm）が
固着されている。At the four corners of the first spacer 8, second spacers 9 (0.1 mm thick) made of a disk-shaped polyimide resin are fixed.

第１図に示すように、フォトマスクブランク100は第
２スペーサ９上に載置される。従って、フォトマスクブ
ランク100の中央部には上側基板６の放熱面6aから、輻
射熱が伝わり、周辺部には、第１スペーサ８の放熱面8a
から、輻射熱が伝わる。このとき、フォトマスクブラン
ク100の中央部から上側基板６の放熱面6aまでの距離は
0.114mmとなり、一方、フォトマスクブランク100の周辺
部から第１スペーサ８の放熱面8aまでの距離は、0.1mm
となっていることから、フォトマスクブランク100の周
辺部が、中央部より多くの熱量を受けることになる。従
って、フォトマスクブランク100の温度差を抑制するこ
とができる。As shown in FIG. 1, the photomask blank 100 is placed on the second spacer 9. Therefore, radiant heat is transmitted from the heat radiation surface 6a of the upper substrate 6 to the center of the photomask blank 100, and to the heat radiation surface 8a of the first spacer 8 to the periphery.
From the radiant heat. At this time, the distance from the center of the photomask blank 100 to the heat radiation surface 6a of the upper substrate 6 is
On the other hand, the distance from the periphery of the photomask blank 100 to the heat radiation surface 8a of the first spacer 8 is 0.1 mm.
Therefore, the peripheral portion of the photomask blank 100 receives more heat than the central portion. Therefore, the temperature difference of the photomask blank 100 can be suppressed.

なお、第２スペーサ９は熱不良導体のポリイミドから
なるので、この第２スペーサ９からのフォトマスクブラ
ンク100に伝わる熱はほとんど無視できる。Since the second spacer 9 is made of polyimide, which is a thermally defective conductor, the heat transmitted from the second spacer 9 to the photomask blank 100 can be almost ignored.

次に冷却プレート４について説明する。冷却プレート
４は、195mm×195mmの正方形で厚さ48mmのアルミ材から
なり、第６図にその断面図を示したように、内部には冷
却水の流路10が形成されている。この流路10は冷却プレ
ート４の表面から9mm下に形成され、この流路10には18
℃の水が2.5/minの流量で供給されている。Next, the cooling plate 4 will be described. The cooling plate 4 is made of aluminum material having a square shape of 195 mm × 195 mm and a thickness of 48 mm. As shown in a sectional view of FIG. 6, a cooling water passage 10 is formed inside. This flow path 10 is formed 9 mm below the surface of the cooling plate 4,
° C water is supplied at a flow rate of 2.5 / min.

そして、この冷却プレート４の表面には、第４図で示
すように、フォトマスクブランク100を載置する第２ス
ペーサ11（厚さ0.1mm）が四隅に、また、第１スペーサ1
2（厚さ0.014mm）が中央部にそれぞれ配設されている。On the surface of the cooling plate 4, as shown in FIG. 4, second spacers 11 (thickness 0.1 mm) for mounting the photomask blank 100 are provided at the four corners, and the first spacers 1 are provided.
2 (0.014mm thick) are arranged at the center respectively.

第１スペーサ12は、アルミニウム薄膜からなり、第２
スペーサ11はポリイミド樹脂からなる。この構成によれ
ば、フォトマスクブランク100の中央部から第１スペー
サ12の冷却面12aまでの距離は0.086mmとなり、フォトマ
スクブランク100の周辺部から冷却プレート４の冷却面4
aまでの距離は0.1mmとなる。従って、フォトマスクブラ
ンク100の中央部は周辺部より早く冷却される。この結
果、冷却工程において、フォトマスクブランク100の全
面において温度差が生じることを防止することができ
る。The first spacer 12 is made of an aluminum thin film,
The spacer 11 is made of a polyimide resin. According to this configuration, the distance from the central portion of the photomask blank 100 to the cooling surface 12a of the first spacer 12 is 0.086 mm, and the distance from the peripheral portion of the photomask blank 100 to the cooling surface 4
The distance to a is 0.1 mm. Therefore, the central part of the photomask blank 100 is cooled faster than the peripheral part. As a result, it is possible to prevent a temperature difference from occurring over the entire surface of the photomask blank 100 in the cooling step.

さて、上述の実施例の装置における加熱プレート１上
で、フォトマスクブランク100を加熱処理（２分30秒）
したときの、フォトマスクブランク100の中央部と、周
辺部との温度上昇を第７図に示す。なお、第７図におい
て、縦軸が温度（単位；℃）、横軸が時間（単位；分）
である。この温度測定は、第８図に示す位置に熱電対を
〜の５箇所、銀ペーストで固定した状態で行った。
熱電対は、線径0.1mm、Ｔタイプ、0.4級の理科電機工業
株式会社製のものを使用した。第７図に示すように、
〜の温度差は３℃程度であった。Now, the photomask blank 100 is heat-treated on the heating plate 1 in the apparatus of the above-described embodiment (2 minutes 30 seconds).
FIG. 7 shows the temperature rise in the central portion and the peripheral portion of the photomask blank 100 when the above-described process is performed. In FIG. 7, the vertical axis is temperature (unit: ° C.), and the horizontal axis is time (unit: minute).
It is. This temperature measurement was carried out in the state shown in FIG. 8 in which the thermocouples were fixed at five places (1) to (5) with silver paste.
The thermocouple used was a 0.1 mm wire diameter, T type, 0.4 class manufactured by Rika Electric Industry Co., Ltd. As shown in FIG.
Was about 3 ° C.

比較例として、従来のように、フォトマスクブランク
ス100の下面を、ヒートプレート表面全域に接触させた
状態で同様にして５点の温度を測定し、第９図にその結
果を示す。図から明らかな通り、中央部の温度上昇
が、周辺部に比べて急激な勾配になっているの
が分かる。As a comparative example, the temperature of five points was measured in the same manner as in the conventional case in which the lower surface of the photomask blank 100 was in contact with the entire surface of the heat plate, and the results are shown in FIG. As is clear from the figure, it can be seen that the temperature rise at the center has a steeper gradient than at the periphery.

次に、第１スペーサの開口部の径を120mmφ、75mmφ
に設定し、同様の温度測定を行った。その結果を第10
図、第11図にそれぞれ、示す。いずれも従来例に比べる
と温度差は改善されているものの、開口部の径が100mm
φのものに比べると温度差が大きくなっていることが分
かる。このように開口部の径を変えて温度測定を行った
結果、開口径が90mmφ〜110mmφとしたときに著しい温
度差抑制の効果が認められた。Next, the diameter of the opening of the first spacer is set to 120 mmφ, 75 mmφ.
, And the same temperature measurement was performed. The result is the tenth
These are shown in FIG. 11 and FIG. 11, respectively. In both cases, although the temperature difference is improved compared to the conventional example, the diameter of the opening is 100 mm
It can be seen that the temperature difference is larger than that of φ. As a result of performing the temperature measurement while changing the diameter of the opening as described above, a remarkable effect of suppressing the temperature difference was recognized when the opening diameter was 90 mmφ to 110 mmφ.

また、第２スペーサ９を外して、第１スペーサ８の上
に直接フォトマスクブランク100を載置して同様の温度
測定を行った。測定結果を第12図に示す。これによる
と、第２スペーサ９を介設した場合と同程度の温度差抑
制効果が認められた。ただし、第２スペーサ９（厚さ0.
014mm）を介設していないことから、フォトマスクブラ
ンク100の裏面に、ゴミが付着しやすいという欠点があ
る。また、この構成の場合には、フォトマスクブランク
100の中央には、輻射熱が、また、周辺部には伝導熱が
供給されることになる。Further, the second spacer 9 was removed, and the photomask blank 100 was directly mounted on the first spacer 8 to perform the same temperature measurement. FIG. 12 shows the measurement results. According to this, a temperature difference suppression effect comparable to the case where the second spacer 9 was provided was recognized. However, the second spacer 9 (having a thickness of 0.
014 mm), there is a drawback that dust easily adheres to the back surface of the photomask blank 100. In the case of this configuration, the photomask blank
Radiation heat will be supplied to the center of 100 and conduction heat will be supplied to the periphery.

次に、第１スペーサ８の厚さを、0.028mmとした構成
で温度測定を行い、第13図に示す結果を得た。第２スペ
ーサ９の厚さが0.014mmのものに比べて、やや温度差が
大きくなっている。Next, the temperature was measured with the configuration in which the thickness of the first spacer 8 was 0.028 mm, and the results shown in FIG. 13 were obtained. The temperature difference is slightly larger than that of the second spacer 9 having a thickness of 0.014 mm.

さらに、第２スペーサ９を外し、第１スペーサ８の厚
さを0.028mmとして温度測定を行い、第14図に示す結果
を得た。第１スペーサ８の厚さが0.014mmのものに比べ
ると、やや大きな温度差が生じているのが分かる。Further, the second spacer 9 was removed, and the temperature was measured with the thickness of the first spacer 8 being 0.028 mm, and the results shown in FIG. 14 were obtained. It can be seen that the temperature difference is slightly larger than that of the first spacer 8 having a thickness of 0.014 mm.

次に、加熱プレート３で加熱処理が完了したフォトマ
スクブランク100を冷却プレート４上に載置して降温さ
せたときの温度を測定し、その測定結果を第15図に示
す。尚、この温度測定は加熱処理のときの方法と同一で
ある。第15図に示すように、本実施例の冷却プレート４
によれば、フォトマスクブランク100の５箇所の温度差
を抑制することができる。又、従来の構成の冷却プレー
トで降温させたときの測定結果を第16図に示す。Next, the temperature when the photomask blank 100 having been subjected to the heat treatment on the heating plate 3 was placed on the cooling plate 4 and cooled was measured, and the measurement results are shown in FIG. This temperature measurement is the same as the method used in the heat treatment. As shown in FIG. 15, the cooling plate 4 of the present embodiment
According to the above, it is possible to suppress a temperature difference between five points of the photomask blank 100. FIG. 16 shows the measurement results when the temperature was lowered by the cooling plate having the conventional configuration.

次に、変形例について説明する。上述した実施例にお
いてはスペーサを用いて、フォトマスクブランクスの中
央部と周辺部とにおける、熱の通路となる距離を変えた
が、例えば、第17図又は第18図に示すように加熱プレー
ト101、冷却プレート401の主表面を凹面状、凸面状とし
てもよい。さらには、凹面状、凸面状とする代わりに階
段状としてもよい。Next, a modified example will be described. In the above-described embodiment, the distance between the central portion and the peripheral portion of the photomask blank, which serves as a heat path, was changed by using a spacer. Alternatively, the main surface of the cooling plate 401 may be concave or convex. Further, instead of the concave shape and the convex shape, a step shape may be used.

又、第１スペーサ８の開口部を円形としたが、これ
は、フォトマスクブランク100が正方形からなることに
起因して、同心円状の等温線が形成されるためである。
例えば、フォトマスクブランクが方形からなる場合、等
温線は惰円形状に現れるので、この場合第１スペーサの
開口部を惰円とすればよい。The opening of the first spacer 8 is circular, because concentric isothermal lines are formed due to the photomask blank 100 having a square shape.
For example, when the photomask blank has a rectangular shape, the isotherm appears in a circular shape, and in this case, the opening of the first spacer may be circular.

又、第１スペーサの材質としてはアルミニウム薄膜の
他に、銅薄膜、金薄膜等を使用してもよく第２スペーサ
の材質としてはポリイミドの代わりにテフロンを使用し
てもよい。Further, as the material of the first spacer, a copper thin film, a gold thin film, or the like may be used in addition to the aluminum thin film. As the material of the second spacer, Teflon may be used instead of polyimide.

又、本実施例においては、加熱処理及び冷却処理を連
続して行ったが、本実施例の加熱処理の後に、従来の冷
却処理を、あるいは、従来の加熱処理の後に、本実施例
の冷却処理を施したとしても、従来の一連の加熱処理・
冷却処理を施したものより温度差は改善される。Further, in the present embodiment, the heat treatment and the cooling treatment are continuously performed. However, after the heat treatment of the present embodiment, the conventional cooling treatment is performed, or after the conventional heat treatment, the cooling treatment of the present embodiment is performed. Even if the treatment is performed, the conventional series of heat treatment
The temperature difference is improved as compared with the case where the cooling treatment is performed.

さらに、上述の一実施例では、加熱プレートまたは冷
却プレートと被熱処理基板との間の距離を、中央部と周
辺部とで変えることで、これらの間の熱の授受量を変え
るようにしたが、これは距離を変える代わりに、これら
の間に、熱伝送または熱輻射による熱伝達の度合いの著
しく異なる部材を介在させるようにしてもよい。Further, in the above-described embodiment, the distance between the heating plate or the cooling plate and the substrate to be heat-treated is changed between the central portion and the peripheral portion, so that the amount of heat exchanged between them is changed. Instead of changing the distance, a member having a significantly different degree of heat transfer by heat transfer or heat radiation may be interposed therebetween.

［発明の効果］ 本発明によれば、被熱処理基板の表面部と、熱授受手
段との熱伝達の度合を、被熱処理基板の温度分布が実質
的に均一になるように、中央部と周辺部とで異ならして
いるので、被処理基板に対して熱の授受を行った際、被
処理基板の温度分布を抑制することができる。[Effects of the Invention] According to the present invention, the degree of heat transfer between the surface of the substrate to be heat-treated and the heat transfer means is adjusted so that the temperature distribution of the substrate to be heat-treated is substantially uniform. Since heat is transferred to and from the processing target substrate, the temperature distribution of the processing target substrate can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第１図は本発明の一実施例の加熱プレートの側面図、第
２図は従来例の概略構成図、第３図は本実施例の一実施
例にかかる熱処理装置の外観斜視図、第４図は冷却プレ
ート４の側面図、第５図は加熱プレートの側面図、第６
図は冷却プレートの側面図、第７図は一実施例による場
合の温度分布を示す図、第８図は温度測定点を示す図、
第９図は従来例による場合の温度分布を示す図、第10図
は開口部の径を120mmとした場合の温度分布を示す図、
第11図は開口部の径を75mmとした場合の温度分布を示す
図、第12図は第２スペーサを取り外した場合の温度分布
を示す図、第13図は第１スペーサの厚さを0.028,mmとし
た場合の温度分布を示す図、第14図は第13図の場合にお
いて第１スペーサを取り外した場合の温度分布を示す
図、第15図は一実施例の冷却プレートによる場合の温度
分布を示す図、第16図は従来例の冷却プレートによる場
合の温度分布を示す図、第17図は加熱プレートの変形例
の側面図、第18図は冷却プレートの変形例の側面図であ
る。 1,2,3……加熱プレート、 ４……冷却プレート、 8,12……第１スペーサ、 9,11……第２スペーサ、81……開口部、 100……フォトマスクブランク。FIG. 1 is a side view of a heating plate according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a conventional example, FIG. 3 is an external perspective view of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. FIG. 5 is a side view of the cooling plate 4, FIG. 5 is a side view of the heating plate, and FIG.
FIG. 7 is a side view of the cooling plate, FIG. 7 is a diagram showing a temperature distribution according to one embodiment, FIG. 8 is a diagram showing temperature measurement points,
FIG. 9 is a diagram showing a temperature distribution in the case of the conventional example, FIG. 10 is a diagram showing a temperature distribution in the case where the diameter of the opening is 120 mm,
FIG. 11 is a diagram showing a temperature distribution when the diameter of the opening is set to 75 mm, FIG. 12 is a diagram showing a temperature distribution when the second spacer is removed, and FIG. 13 is a diagram showing a case where the thickness of the first spacer is 0.028. , mm, FIG. 14 shows the temperature distribution when the first spacer is removed in the case of FIG. 13, and FIG. 15 shows the temperature when the cooling plate of the embodiment is used. FIG. 16 is a diagram showing a distribution, FIG. 16 is a diagram showing a temperature distribution in the case of a conventional cooling plate, FIG. 17 is a side view of a modification of the heating plate, and FIG. 18 is a side view of a modification of the cooling plate. . 1,2,3: Heating plate, 4: Cooling plate, 8,12 First spacer, 9,11 Second spacer, 81 Opening, 100 Photomask blank.

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】レジスト付フォトマスクブランクに対して
熱の授受を行う熱授受手段を備えた熱処理装置におい
て、 前記レジスト付フォトマスクブランクの面内温度分布が
実質的に均一になるように、前記熱授受手段とレジスト
付フォトマスクブランクとの距離を該レジスト付フォト
マスクブランクの中央部と周辺部とで異ならしめること
によって、前記熱授受手段とレジスト付フォトマスクブ
ランクの中央部との間の熱伝達経路の熱伝達度合及び前
記熱授受手段とレジスト付フォトマスクブランクの周辺
部との間の熱伝達経路の熱伝達度合を選定したことを特
徴とする熱処理装置。1. A heat treatment apparatus having a heat transfer means for transferring heat to and from a photomask blank with a resist, wherein the temperature distribution in the surface of the photomask blank with a resist is substantially uniform. By making the distance between the heat transfer means and the photomask blank with resist different between the central part and the peripheral part of the photomask blank with resist, the heat between the heat transfer means and the central part of the photomask blank with resist is increased. A heat treatment apparatus wherein a heat transfer degree of a heat transfer path and a heat transfer degree of a heat transfer path between the heat transfer means and a peripheral portion of the photomask blank with resist are selected. 【請求項２】レジスト付フォトマスクブランクを加熱す
る加熱手段を備えた熱処理装置において、 前記加熱手段から前記レジスト付フォトマスクブランク
の中央部に供給される熱量よりも、周辺部に供給される
熱量が多くなるように、前記加熱手段とレジスト付フォ
トマスクブランクとの距離を該レジスト付フォトマスク
ブランクの中央部と周辺部とで異ならしめることによ
り、前記加熱手段とレジスト付フォトマスクブランクの
中央部との間の熱伝達経路の熱伝達度合および前記加熱
手段とレジスト付フォトマスクブランクの周辺部との間
の熱伝達経路の熱伝達度合を選定したことを特徴とする
熱処理装置。2. A heat treatment apparatus comprising a heating means for heating a photomask blank with a resist, wherein the heat quantity supplied from the heating means to a peripheral portion of the photomask blank with the resist is more than the heat quantity supplied to a central portion of the photomask blank with the resist. The distance between the heating means and the photomask blank with resist is made different between the central part and the peripheral part of the photomask blank with resist, so that the heating means and the central part of the photomask blank with resist are increased. A heat transfer path between the heating means and a peripheral portion of the photomask blank with resist. 【請求項３】レジスト付フォトマスクブランクを冷却す
る冷却手段を備えた熱処理装置において、 前記冷却手段によって前記レジスト付フォトマスクブラ
ンク周辺部から奪う熱量よりも、中央部から奪う熱量が
多くなるように、前記冷却手段とレジスト付フォトマス
クブランクとの距離を該レジスト付フォトマスクブラン
クの中央部と周辺部とで異ならしめることにより、前記
冷却手段とレジスト付フォトマスクブランクの中央部と
の間の熱伝達経路の熱伝達度合および前記冷却手段とレ
ジスト付フォトマスクブランクの周辺部との間の熱伝達
経路の熱伝達度合を選定したことを特徴とする熱処理装
置。3. A heat treatment apparatus having a cooling means for cooling a photomask blank with a resist, wherein a heat quantity taken from a central part by the cooling means is larger than a heat quantity taken from a peripheral part of the photomask blank with the resist. By making the distance between the cooling means and the photomask blank with resist different between the central part and the peripheral part of the photomask blank with resist, the heat between the cooling means and the central part of the photomask blank with resist can be improved. A heat treatment apparatus wherein a heat transfer degree of a heat transfer path and a heat transfer degree of a heat transfer path between the cooling means and a peripheral portion of the photomask blank with resist are selected. 【請求項４】レジスト付フォトマスクブランクを加熱処
理する加熱処理手段と、前記レジスト付フォトマスクブ
ランクを冷却処理する冷却処理手段と、 前記レジスト付フォトマスクブランクを次の処理工程を
行う処理手段に搬送する搬送手段とを備えた熱処理装置
において、 前記加熱処理手段として請求項（２）に記載の熱処理装
置を用い、 また、冷却処理手段として請求項（３）に記載の熱処理
装置を用いたことを特徴とする熱処理装置。4. A heating means for heating the photomask blank with resist, a cooling means for cooling the photomask blank with resist, and a processing means for performing the next processing step on the photomask blank with resist. In a heat treatment apparatus provided with a conveying means for conveying, the heat treatment apparatus according to claim (2) is used as the heat treatment means, and the heat treatment apparatus according to claim (3) is used as a cooling treatment means. A heat treatment apparatus characterized by the above-mentioned. 【請求項５】請求項（１）１ないし（４）に記載の熱処
理装置を使用してレジスト付きフォトマスクブランクを
熱処理することを特徴とする熱処理方法。5. A heat treatment method, comprising: performing a heat treatment on a photomask blank with a resist using the heat treatment apparatus according to any one of (1) to (4).