JP2970317B2 - スパッタリング装置及びスパッタリング方法 - Google Patents
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタリング法により
形成される薄膜の基板面内における膜厚、膜質の均一性
向上、およびスパッタリングターゲットの利用効率向上
を目的とした矩形平板ターゲットを有するスパッタリン
グ装置に関する。
形成される薄膜の基板面内における膜厚、膜質の均一性
向上、およびスパッタリングターゲットの利用効率向上
を目的とした矩形平板ターゲットを有するスパッタリン
グ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング法は真空蒸着法に比べ、
高融点材料や化合物の薄膜形成が容易であるという反
面、薄膜形成速度が遅いという問題を有していた。この
欠点を解決し、スパッタリング法による薄膜形成の量産
を可能としたのがマグネトロンスパッタリング法であ
り、現在広く半導体や電子部品等の分野に普及してい
る。
高融点材料や化合物の薄膜形成が容易であるという反
面、薄膜形成速度が遅いという問題を有していた。この
欠点を解決し、スパッタリング法による薄膜形成の量産
を可能としたのがマグネトロンスパッタリング法であ
り、現在広く半導体や電子部品等の分野に普及してい
る。
【０００３】矩形平板ターゲットを有するマグネトロン
スパッタリング電極は、多数の基板をセットした円筒形
の基板ホルダーを回転させながら薄膜形成を行なうカル
ーセル型スパッタリング装置、あるいは多数の基板や大
面積の基板をセットした平板の基板ホルダーをターゲッ
トに対し平行移動させて薄膜形成を行なう大型のムービ
ング型スパッタリング装置等、現在広く使用されている
スパッタリング装置に搭載されているスパッタリング電
極の一種である。
スパッタリング電極は、多数の基板をセットした円筒形
の基板ホルダーを回転させながら薄膜形成を行なうカル
ーセル型スパッタリング装置、あるいは多数の基板や大
面積の基板をセットした平板の基板ホルダーをターゲッ
トに対し平行移動させて薄膜形成を行なう大型のムービ
ング型スパッタリング装置等、現在広く使用されている
スパッタリング装置に搭載されているスパッタリング電
極の一種である。
【０００４】以下、従来の矩形平板ターゲットを有する
マグネトロンスパッタリング電極について、図５、図
６、および図７を参照して説明する。図５は従来の矩形
平板ターゲットを有するマグネトロンスパッタリング電
極の平面図、図６は同Ａ−Ａ′断面図、図７は同斜視図
である。１は矩形平板ターゲットでありインジウム等の
ハンダ剤によりバッキングプレート２に固着され、真空
シール用のＯリング３を介して電極本体４に設置され
る。ターゲット１の裏側にはマグネトロン放電用磁気回
路５が、閉じた磁力線６を形成し、かつ少なくとも磁力
線６の一部がターゲット１表面で平行になるように配置
される。その結果、ターゲット１表面には、図７に示す
ように、トロイダル型の閉じたトンネル状の磁場７が形
成される。
マグネトロンスパッタリング電極について、図５、図
６、および図７を参照して説明する。図５は従来の矩形
平板ターゲットを有するマグネトロンスパッタリング電
極の平面図、図６は同Ａ−Ａ′断面図、図７は同斜視図
である。１は矩形平板ターゲットでありインジウム等の
ハンダ剤によりバッキングプレート２に固着され、真空
シール用のＯリング３を介して電極本体４に設置され
る。ターゲット１の裏側にはマグネトロン放電用磁気回
路５が、閉じた磁力線６を形成し、かつ少なくとも磁力
線６の一部がターゲット１表面で平行になるように配置
される。その結果、ターゲット１表面には、図７に示す
ように、トロイダル型の閉じたトンネル状の磁場７が形
成される。
【０００５】以上のように構成された矩形平板ターゲッ
ト１を有するマグネトロンスパッタリング電極について
その動作原理を図７および図９を参照して説明する。図
９は上述したスパッタリング電極を設置したスパッタリ
ング装置の概略図である。スパッタリング電極２４は通
常、真空チャンバー２１に絶縁材２２を介して設置さ
れ、直流あるいは交流電源２３が接続される。薄膜形成
を行なうには、まず真空チャンバー２１を真空ポンプ２
５により高真空（〜１０-7Ｔｏｒｒ程度）まで排気す
る。
ト１を有するマグネトロンスパッタリング電極について
その動作原理を図７および図９を参照して説明する。図
９は上述したスパッタリング電極を設置したスパッタリ
ング装置の概略図である。スパッタリング電極２４は通
常、真空チャンバー２１に絶縁材２２を介して設置さ
れ、直流あるいは交流電源２３が接続される。薄膜形成
を行なうには、まず真空チャンバー２１を真空ポンプ２
５により高真空（〜１０-7Ｔｏｒｒ程度）まで排気す
る。
【０００６】次にＡｒ等の放電ガス２６を流量調整器２
７を通して導入、コンダクタンスバルブ２８の調整によ
りチャンバー内を１０-3〜１０-2Ｔｏｒｒ程度の圧力に
保つ。ここで矩形平板ターゲット１を取り付けたスパッ
タリング電極２４に負の電圧を印加すると、電場と磁気
回路５のトロイダル型トンネル状磁場７の周辺でマグネ
トロン放電が起こり、ターゲット１がスパッタされ、ス
パッタ粒子が基板ホルダー２９に設置された基板３０に
堆積し薄膜が形成される。
７を通して導入、コンダクタンスバルブ２８の調整によ
りチャンバー内を１０-3〜１０-2Ｔｏｒｒ程度の圧力に
保つ。ここで矩形平板ターゲット１を取り付けたスパッ
タリング電極２４に負の電圧を印加すると、電場と磁気
回路５のトロイダル型トンネル状磁場７の周辺でマグネ
トロン放電が起こり、ターゲット１がスパッタされ、ス
パッタ粒子が基板ホルダー２９に設置された基板３０に
堆積し薄膜が形成される。
【０００７】しかし、上述した矩形平板ターゲットを有
するマグネトロンスパッタリング電極では、ターゲット
１面と平行に通る磁力線の最も強い部分でプラズマ密度
が高くなるためターゲット１上に、スパッタされる領域
（図７の８、以下エロージョン領域と記す）とスパッタ
された粒子が再付着する領域とができ、ターゲット１の
侵食が不均一に進んでしまう。このため、ターゲット１
に対向して設置された基板に形成される薄膜の膜厚均一
性を確保するにはターゲット１の大きさ、磁気回路、さ
らにはターゲット１と基板との距離を充分調整する必要
がある。一般には薄膜の膜厚均一性を確保するため、一
辺が基板の約２倍の大きさを有するターゲットが必要と
される。
するマグネトロンスパッタリング電極では、ターゲット
１面と平行に通る磁力線の最も強い部分でプラズマ密度
が高くなるためターゲット１上に、スパッタされる領域
（図７の８、以下エロージョン領域と記す）とスパッタ
された粒子が再付着する領域とができ、ターゲット１の
侵食が不均一に進んでしまう。このため、ターゲット１
に対向して設置された基板に形成される薄膜の膜厚均一
性を確保するにはターゲット１の大きさ、磁気回路、さ
らにはターゲット１と基板との距離を充分調整する必要
がある。一般には薄膜の膜厚均一性を確保するため、一
辺が基板の約２倍の大きさを有するターゲットが必要と
される。
【０００８】また、スパッタリングが進むとターゲット
１のエロージョン８領域および形状が変化してくるた
め、図８に示すように膜厚分布にも（ａ）から（ｃ）へ
と変化が生じ、エロージョンの進行にともない基板の周
辺で膜厚が薄くなる傾向にある。
１のエロージョン８領域および形状が変化してくるた
め、図８に示すように膜厚分布にも（ａ）から（ｃ）へ
と変化が生じ、エロージョンの進行にともない基板の周
辺で膜厚が薄くなる傾向にある。
【０００９】さらにターゲット１上の部分的なエロージ
ョン領域８は、合金のスパッタリングや反応性スパッタ
リングにおいては基板面内やバッチ間での膜組成や構造
等、薄膜物性の不均一性をも生じさせることとなる。
ョン領域８は、合金のスパッタリングや反応性スパッタ
リングにおいては基板面内やバッチ間での膜組成や構造
等、薄膜物性の不均一性をも生じさせることとなる。
【００１０】その他、ターゲット１の利用効率が一般に
２０〜３０％と悪く、さらにターゲット１が鉄やコバル
ト等の強磁性材料の場合、ターゲット１表面への漏れ磁
束が充分得られないためスパッタリングが困難となるこ
ともある。
２０〜３０％と悪く、さらにターゲット１が鉄やコバル
ト等の強磁性材料の場合、ターゲット１表面への漏れ磁
束が充分得られないためスパッタリングが困難となるこ
ともある。
【００１１】そこで現在、ターゲットエロージョン領域
８の全面均一化に向けた取り組みが幅広く行われてい
る。
８の全面均一化に向けた取り組みが幅広く行われてい
る。
【００１２】その一例として、ターゲット１表面の前方
側面に磁気回路を配置し、ターゲット１全面でターゲッ
ト１に対して平行な磁力線が得られるようにした矩形平
板スパッタリング電極がある。図１０はその矩形平板ス
パッタリング電極の平面図、図１１は図１０におけるＡ
−Ａ′断面図である。また、前述の従来例のマグネトロ
ンスパッタリング電極と同一の物には共通の符号を付
し、その説明は省略する。
側面に磁気回路を配置し、ターゲット１全面でターゲッ
ト１に対して平行な磁力線が得られるようにした矩形平
板スパッタリング電極がある。図１０はその矩形平板ス
パッタリング電極の平面図、図１１は図１０におけるＡ
−Ａ′断面図である。また、前述の従来例のマグネトロ
ンスパッタリング電極と同一の物には共通の符号を付
し、その説明は省略する。
【００１３】ターゲット１の表面の前方側面の片側にＮ
極の磁石３５１、対する側にＳ極の磁石３５２を配置す
ることによりターゲット１表面全域に渡りほぼ均一に平
行な磁力線３６が通るような磁気回路が構成され、ター
ゲット１全面でのエロージョン化が可能となる。図１２
に図１０のＢ−Ｂ′上で、ターゲット１長軸方向に対し
て直角、かつターゲット１表面に平行な磁力線による磁
場強度の一例を示す。磁束密度の符号は、図１０におい
て左側磁気回路３５１（Ｎ極）から右側磁気回路３５２
（Ｓ極）へと磁力線が通る時を正、逆に右側（Ｎ極）か
ら左側（Ｓ極）へ磁力線が通る時を負と定義している。
またターゲット１中心からの距離はターゲット１中心線
を零とし、紙面に対して上側を正、下側を負としてい
る。
極の磁石３５１、対する側にＳ極の磁石３５２を配置す
ることによりターゲット１表面全域に渡りほぼ均一に平
行な磁力線３６が通るような磁気回路が構成され、ター
ゲット１全面でのエロージョン化が可能となる。図１２
に図１０のＢ−Ｂ′上で、ターゲット１長軸方向に対し
て直角、かつターゲット１表面に平行な磁力線による磁
場強度の一例を示す。磁束密度の符号は、図１０におい
て左側磁気回路３５１（Ｎ極）から右側磁気回路３５２
（Ｓ極）へと磁力線が通る時を正、逆に右側（Ｎ極）か
ら左側（Ｓ極）へ磁力線が通る時を負と定義している。
またターゲット１中心からの距離はターゲット１中心線
を零とし、紙面に対して上側を正、下側を負としてい
る。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
構成では磁力線３６の向きが前記ターゲット１全面にお
いて同一方向であるため、磁場と電場による電子の螺旋
運動が一方向３９に限られてしまい、その方向（紙面に
対して下側）に行くほど前記電子の原子、分子との衝突
が増え、プラズマ密度が高くなる。その結果、膜厚分布
は図１３に示すように極端な勾配を持ったものとなって
しまうという欠点を有する。
構成では磁力線３６の向きが前記ターゲット１全面にお
いて同一方向であるため、磁場と電場による電子の螺旋
運動が一方向３９に限られてしまい、その方向（紙面に
対して下側）に行くほど前記電子の原子、分子との衝突
が増え、プラズマ密度が高くなる。その結果、膜厚分布
は図１３に示すように極端な勾配を持ったものとなって
しまうという欠点を有する。
【００１５】本発明は、このような課題を解決するもの
で、矩形平板ターゲットを有するスパッタリング装置に
おいて形成される薄膜の基板面内やバッチ間での膜厚お
よび膜質の均一性の向上、ターゲットの利用効率向上を
図るとともに、強磁性体ターゲットの高速かつ効率的な
スパッタリングを行うことができるスパッタリング装置
の提供を目的とする。
で、矩形平板ターゲットを有するスパッタリング装置に
おいて形成される薄膜の基板面内やバッチ間での膜厚お
よび膜質の均一性の向上、ターゲットの利用効率向上を
図るとともに、強磁性体ターゲットの高速かつ効率的な
スパッタリングを行うことができるスパッタリング装置
の提供を目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の本発明のスッパタリング装置は、
チャンバー内に配置した矩形平板ターゲットと、前記矩
形平板ターゲットの長軸方向の両側に一対の極性が対向
し、かつ長辺全長に亘って配置された単数若しくは複数
からなる一対の磁石と、前記各磁石の極性を反転させる
手段を備えたものであり、請求項２に記載の本発明は、
一対の磁石の極性を反転させる手段として、前記各磁石
の長軸方向の軸心を中心に回転する手段を備えたこと請
求項１に記載のスパッタリング装置であり、また、請求
項３記載の発明は、チャンバー内に配置した矩形平板タ
ーゲットと、前記矩形平板ターゲットの長軸方向の両側
に一対の極性が対向し、かつ長辺全長に亘って配置され
た単数若しくは複数からなる一対の磁石と、前記各磁石
の極性を反転させる手段により、スパッタ中に、前記矩
形平板ターゲットの短軸表面に発生させた平行磁力線
を、一定時間毎に前記並行磁力線の方向を１８０度変更
することを特徴とするスパッタリング方法である。
に、請求項１に記載の本発明のスッパタリング装置は、
チャンバー内に配置した矩形平板ターゲットと、前記矩
形平板ターゲットの長軸方向の両側に一対の極性が対向
し、かつ長辺全長に亘って配置された単数若しくは複数
からなる一対の磁石と、前記各磁石の極性を反転させる
手段を備えたものであり、請求項２に記載の本発明は、
一対の磁石の極性を反転させる手段として、前記各磁石
の長軸方向の軸心を中心に回転する手段を備えたこと請
求項１に記載のスパッタリング装置であり、また、請求
項３記載の発明は、チャンバー内に配置した矩形平板タ
ーゲットと、前記矩形平板ターゲットの長軸方向の両側
に一対の極性が対向し、かつ長辺全長に亘って配置され
た単数若しくは複数からなる一対の磁石と、前記各磁石
の極性を反転させる手段により、スパッタ中に、前記矩
形平板ターゲットの短軸表面に発生させた平行磁力線
を、一定時間毎に前記並行磁力線の方向を１８０度変更
することを特徴とするスパッタリング方法である。
【００１７】
【作用】上記構成により、矩形平板ターゲットの表面を
平行に通る磁力線の方向を１８０度変更できるように前
記磁石の極性を反転するための手段を備えているため、
磁場と電場による電子の螺旋運動が一方向に限られてし
まうことがなくプラズマの不均一性が相殺される。その
結果、形成される薄膜の基板面内、バッチ間における膜
厚および膜質の均一性を向上できる。またターゲットの
利用効率の向上も達成できる。さらには強磁性体ターゲ
ットの高速かつ効率的なスパッタリングが可能となる。
平行に通る磁力線の方向を１８０度変更できるように前
記磁石の極性を反転するための手段を備えているため、
磁場と電場による電子の螺旋運動が一方向に限られてし
まうことがなくプラズマの不均一性が相殺される。その
結果、形成される薄膜の基板面内、バッチ間における膜
厚および膜質の均一性を向上できる。またターゲットの
利用効率の向上も達成できる。さらには強磁性体ターゲ
ットの高速かつ効率的なスパッタリングが可能となる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の一実施例におけるスパッタリ
ング装置について、図面を参照して説明する。
ング装置について、図面を参照して説明する。
【００１９】図１は本発明の一実施例におけるスパッタ
リング電極の平面図、図２はそのＡ−Ａ′断面図であ
る。以下の説明においては、従来例と同一の物には共通
の符号を付しその説明は省略することにする。
リング電極の平面図、図２はそのＡ−Ａ′断面図であ
る。以下の説明においては、従来例と同一の物には共通
の符号を付しその説明は省略することにする。
【００２０】磁場発生用の磁気回路１５は、ターゲット
１表面の前方側面の左右２か所（左側磁気回路１５１、
右側磁気回路１５２）にターゲット１の長軸に対して平
行に配置される。左側磁気回路１５１および対向する位
置にある右側磁気回路１５２は永久磁石１８で構成され
ており、左右間でＮ極からＳ極へと磁力線１６が通るよ
うに配置される。さらに左側磁気回路１５１および対向
する位置にある右側磁気回路１５２には、それぞれ長軸
方向に磁気回路回転軸１７が取り付けられておりエアー
シリンダー等の駆動方法（図示していない）により矢印
１４に示すように１８０度の往復運動が可能である。
１表面の前方側面の左右２か所（左側磁気回路１５１、
右側磁気回路１５２）にターゲット１の長軸に対して平
行に配置される。左側磁気回路１５１および対向する位
置にある右側磁気回路１５２は永久磁石１８で構成され
ており、左右間でＮ極からＳ極へと磁力線１６が通るよ
うに配置される。さらに左側磁気回路１５１および対向
する位置にある右側磁気回路１５２には、それぞれ長軸
方向に磁気回路回転軸１７が取り付けられておりエアー
シリンダー等の駆動方法（図示していない）により矢印
１４に示すように１８０度の往復運動が可能である。
【００２１】以上のように構成された本実施例の矩形平
板ターゲットを有するスパッタリング電極は、従来のマ
グネトロンスパッタリング電極と同様にスパッタリング
装置内に設置される。
板ターゲットを有するスパッタリング電極は、従来のマ
グネトロンスパッタリング電極と同様にスパッタリング
装置内に設置される。
【００２２】本実施例のスパッタリング装置において
は、スパッタリングを行う場合、まず、初期状態では左
側磁気回路１５１および対向する位置にある右側磁気回
路１５２による磁力線１６が紙面に対し左から右へと通
るように配置されている。この状態において、図１のＢ
−Ｂ′上では、ターゲット長軸方向に対して直角、かつ
ターゲット１表面に平行な磁力線による磁場強度は図３
（ａ）のようになる。
は、スパッタリングを行う場合、まず、初期状態では左
側磁気回路１５１および対向する位置にある右側磁気回
路１５２による磁力線１６が紙面に対し左から右へと通
るように配置されている。この状態において、図１のＢ
−Ｂ′上では、ターゲット長軸方向に対して直角、かつ
ターゲット１表面に平行な磁力線による磁場強度は図３
（ａ）のようになる。
【００２３】そして、従来例と同様にスパッタリングを
行うと、磁場と電場による電子の螺旋運動が紙面に対し
下側に限られるため、その下側に行くほど電子の原子、
分子との衝突が増え、プラズマ密度が高くなる。次に、
ある一定時間後スパッタリングを維持した状態で磁気回
路回転軸１７をエアーシリンダー等により、左右の磁気
回路を同期させて瞬時に１８０度回転させる。これによ
り磁力線１６は紙面に対し右から左へと通るようにな
り、磁場と電場による電子の螺旋運動が紙面に対し上側
へと変化し、プラズマ密度も上側が高くなる。この状態
での磁場強度は図３（ｂ）のように（ａ）とは強度が同
じで符号（方向）が逆になる。さらにある一定時間後、
磁束の方向を反転し、以下スパッタリングが終了するま
で上記の動作を繰り返すことにより、磁場と電場による
電子の螺旋運動が一方向に限られてしまうことがなくプ
ラズマの不均一性が相殺され、膜厚分布も図４に示すよ
うに大幅に改善される。
行うと、磁場と電場による電子の螺旋運動が紙面に対し
下側に限られるため、その下側に行くほど電子の原子、
分子との衝突が増え、プラズマ密度が高くなる。次に、
ある一定時間後スパッタリングを維持した状態で磁気回
路回転軸１７をエアーシリンダー等により、左右の磁気
回路を同期させて瞬時に１８０度回転させる。これによ
り磁力線１６は紙面に対し右から左へと通るようにな
り、磁場と電場による電子の螺旋運動が紙面に対し上側
へと変化し、プラズマ密度も上側が高くなる。この状態
での磁場強度は図３（ｂ）のように（ａ）とは強度が同
じで符号（方向）が逆になる。さらにある一定時間後、
磁束の方向を反転し、以下スパッタリングが終了するま
で上記の動作を繰り返すことにより、磁場と電場による
電子の螺旋運動が一方向に限られてしまうことがなくプ
ラズマの不均一性が相殺され、膜厚分布も図４に示すよ
うに大幅に改善される。
【００２４】なお、本実施例では磁力線の強さを一定と
したが、左右の磁気回路を構成する磁石を分割してター
ゲットの表面での磁力線の強さを部分的に変化させても
構わない。
したが、左右の磁気回路を構成する磁石を分割してター
ゲットの表面での磁力線の強さを部分的に変化させても
構わない。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明のスパッタリング装
置は、チャンバー内に配置した矩形平板ターゲットと、
前記矩形平板ターゲットの長軸方向の両側に一対の極性
が対向し、かつ長辺全長に亘って配置された単数若しく
は複数からなる一対の磁石と、前記各磁石の極性を反転
させる手段を備えているため、成形される薄膜の基板面
内、バッチ間における膜厚および膜質の均一性を向上お
よびターゲットの利用効率の向上が達成できる。さら
に、強磁性体ターゲットの高速かつ効率的スパッタリン
グも可能となる。
置は、チャンバー内に配置した矩形平板ターゲットと、
前記矩形平板ターゲットの長軸方向の両側に一対の極性
が対向し、かつ長辺全長に亘って配置された単数若しく
は複数からなる一対の磁石と、前記各磁石の極性を反転
させる手段を備えているため、成形される薄膜の基板面
内、バッチ間における膜厚および膜質の均一性を向上お
よびターゲットの利用効率の向上が達成できる。さら
に、強磁性体ターゲットの高速かつ効率的スパッタリン
グも可能となる。
【図１】本発明の一実施例における矩形平板ターゲット
を有するスパッタリング電極の平面図
を有するスパッタリング電極の平面図
【図２】図１におけるＡ−Ａ′断面図
【図３】同スパッタリング電極のターゲット上の表面磁
場分布図
場分布図
【図４】同スパッタリング電極による膜厚分布図
【図５】従来の矩形平板ターゲットを有するマグネトロ
ンスパッタリング電極の平面図
ンスパッタリング電極の平面図
【図６】図５におけるＡ−Ａ′断面図
【図７】従来の矩形平板ターゲットを有するマグネトロ
ンスパッタリング電極の斜視図
ンスパッタリング電極の斜視図
【図８】従来のマグネトロンスパッタリング電極のター
ゲットエロージョン進行による膜厚分布図
ゲットエロージョン進行による膜厚分布図
【図９】スパッタリング電極を設置したスパッタリング
装置の概略図
装置の概略図
【図１０】従来の矩形平板ターゲットを有するスパッタ
リング電極（ターゲット表面上一様磁場）の平面図
リング電極（ターゲット表面上一様磁場）の平面図
【図１１】図１０におけるＡ−Ａ′断面図
【図１２】従来の矩形平板ターゲットを有するスパッタ
リング電極（ターゲット表面上一様磁場）のターゲット
上の表面磁場分布図
リング電極（ターゲット表面上一様磁場）のターゲット
上の表面磁場分布図
【図１３】従来の矩形平板ターゲットを有するスパッタ
リング電極（ターゲット表面上一様磁場）による膜厚分
布図
リング電極（ターゲット表面上一様磁場）による膜厚分
布図
１ ターゲット ５，１５，３５ 磁気回路 ６，１６，３６ 磁力線の方向 ７ トロイダル型トンネル状磁場 ８ エロージョン領域 １７ 磁気回路回転軸 １８ 永久磁石 １９，３９ 電子の螺旋運動の方向 １５１，３５１ 左側磁気回路 １５２，３５２ 右側磁気回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 滝澤 貴博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 実開 昭62−153365（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバー内に配置した矩形平板ターゲ
ットと、前記矩形平板ターゲットの長辺の両側に一対の
極性が対向し、かつ長辺全長に亘って配置された単数若
しくは複数個からなる一対の磁石と、前記一対の磁石の
極性をそれぞれ反転させる手段とを備えたことを特徴と
するスパッタリング装置。 - 【請求項２】 各磁石の極性を反転させる手段として、
前記磁石の長軸方向の軸心を中心に回転する手段を備え
たこと請求項１に記載のスパッタリング装置。 - 【請求項３】 チャンバー内に配置した矩形平板ターゲ
ットと、前記矩形平板ターゲットの長軸方向の両側に一
対の極性が対向し、かつ長辺全長に亘って配置された単
数若しくは複数からなる一対の磁石と、前記各磁石の極
性を反転させる手段により、スパッタ中に、前記矩形平
板ターゲットの短軸表面に発生させた平行磁力線を、一
定時間毎に前記並行磁力線の方向を１８０度変更するこ
とを特徴とするスパッタリング方法。
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