JP2959589B2 - 光磁気ディスクの再生方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、特に高密度に情報の
記録再生ができる光磁気ディスクの再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報信号の書き替えが可能な光磁気ディ
スクは、光磁気記録膜を有し、この膜にレーザビームを
照射して加熱することにより、その部分の磁化の方向
（記録ピット）を、記録情報に応じた外部磁界に応じた
ものとして、情報記録を行う。そして、再生は、レーザ
ビームを記録ピットのトラックに照射し、その反射光の
偏光面が磁化の方向によって回転すると言うカー効果を
利用して行う。光磁気ディスクが光磁気膜のほかに反射
膜を有する２層以上の構成の場合には、ファラデー効果
も利用される。

【０００３】ところで、光磁気ディスクへの情報の線記
録密度は、再生信号のＣ／Ｎによって決められている。
従来の一般的な光磁気記録再生においては、図７に示す
ように、光磁気ディスク上のレーザビームによる光照射
領域であるビームスポット１の領域の全てを再生信号検
出領域としている。このため、再生可能な線記録密度
は、レーザビームスポット径により定まる。

【０００４】例えば、図７Ａに示すように、レーザビー
ムスポット１の径ｄが記録ピット２のピッチτよりも小
さければ、スポット１内に２個の記録ピットが入ること
はなく、再生出力波形は図７Ｂに示すようになり、再生
信号は読取り可能である。ところが、図７Ｃに示すよう
に、高密度で記録ピットが形成されており、レーザビー
ムスポット１の径ｄが記録ピット２のピッチτよりも大
きくなると、スポット１内に２個の記録ピットが同時に
入り込み、再生出力波形は図７Ｄに示すように一定とな
り、その２個の記録ピットを分離して再生することがで
きず、再生不能となる。

【０００５】スポット径ｄはレーザ光の波長λと、対物
レンズの開口数ＮＡに依存している。そこで、従来は、
波長λの短いレーザ光を使用し、あるいは対物レンズの
開口数ＮＡを大きくすることによりレーザビームのスポ
ット径ｄを小さくして、高記録密度化を図る工夫がなさ
れている。しかし、これらは、レーザ光源の問題や光学
系上の問題で限界があり、より高記録密度化するときの
障害となっている。

【０００６】また、同様に、トラック密度は、主として
隣接トラックからのクトストークによって制限されてい
るが、このクロストークの量も従来の場合には、レーザ
ビームスポット径ｄに依存し、やはり高密度記録化への
障害となっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本願の出願人は、レー
ザビームスポット径を変更しなくても、読取り可能な線
記録密度及びトラック密度を高くできるようにした光磁
気ディスク及びその再生方法を先に提案している。

【０００８】その１つの方式は、図８Ａに示すように、
記録層３と、中間層４と、再生層５が積層された多層膜
を有する光磁気ディスクを用いる。各層は、そのキュリ
ー温度が、例えば記録層３は３００℃のもの、中間層４
は１２０℃のもの、再生層５は４００℃以上のもの、で
それぞれ構成されている。

【０００９】この光磁気ディスクの場合、再生前の室温
の状態では、記録層３、中間層４、再生層５は、図８Ａ
に示すように、静磁結合あるいは交換結合の状態で磁気
的に結合しており、記録層３の記録ピットは再生層５に
全て転写されている。図中矢印は、各層における磁化の
方向を示している。

【００１０】そして、再生時には、光磁気ディスクに
は、図８Ｂに示すように、レーザビーム６が照射される
と共に、所定の再生磁界Ｈreが与えられる。光磁気ディ
スクには、図８Ｃに示すように、このレーザビーム６の
照射により中間層４のキュリー点以上の温度になる領域
８が生じる。このとき、光磁気ディスクは高速で回転し
ているので、この高温領域８は、図８Ｃに示すように、
照射レーザビーム６の走査スポット７の位置よりもディ
スクの回転移動方向にずれた領域になる。

【００１１】この高温領域（マスク領域）８では、中間
層４の温度がキュリー点Ｔｃ以上であるので、図８Ｂに
示すように、この中間層４の磁性が失われ、この領域８
の部分における記録層３と再生層５の磁気的結合が消滅
し、再生層５の磁化は再生磁界Ｈreの方向となる。つま
り、この高温領域８における再生層５の記録ピットは消
去される。そして、走査スポット７の領域のうち、この
高温領域８との重なり領域を除く領域９が実質上の再生
領域となる。すなわち、レーザビームの走査スポット７
は高温領域８により一部がマスクされ、マスクされない
小さい領域が再生領域９となる。

【００１２】こうして、レーザビームの走査スポット７
がマスク領域８によりマスクされない小さい再生領域９
からの反射光のカー回転角を検出することによりピット
の再生が行なわれるので、レーザ光スポット７のスポッ
ト径ｄを小さくしたことに等しくなり、線記録密度及び
トラック密度を上げることができる。

【００１３】以上の再生方法を、以下、消去タイプの再
生方法と称する。

【００１４】また、本願の出願人は、別の方式も提案し
ている。これは、特願平１−２２９３９５号に記載され
ている。

【００１５】この方式の光磁気ディスクの光磁気膜は、
原理的には、記録層と再生層との積層膜からなる。この
場合、記録層と再生層とは静磁結合あるいは磁気的交換
結合している。そして、再生層のキュリー点は記録層よ
り低い。室温では、再生層には記録層の磁化が転写され
る。

【００１６】この方式では、原理的には、再生前に初期
化磁界を光磁気ディスクにかけ、再生層の磁化の方向を
初期化磁界の方向に揃え、再生層の記録ピットを消去す
る。初期化磁界Ｈinの大きさは、再生層の磁化を反転さ
せる磁界Ｈcpより大きく（Ｈin＞Ｈcp）、また、記録層
の磁化を反転させる磁界Ｈcrより十分小さく（Ｈin<<Ｈ
cr）選定されている。

【００１７】再生は、以上のようにして初期化した状態
で、光磁気ディスクにレーザビームを照射する。する
と、前述と同様にして走査スポットよりずれた領域（図
８の領域８）のディスク温度が所定温度Ｔｓより高くな
る。すると、再生層のその領域の保磁力が小さくなるた
め、その所定温度Ｔｓより高温の領域だけに記録層の記
録ピットが転写されて記録ピットが再生層に浮き出る。
そして、その浮き出し領域のうちのレーザビーム走査ス
ポットとの重なり領域からの反射光の偏光面のカー回転
角を検出することにより再生を行う。

【００１８】この方式の場合には、レーザビームの走査
スポットの領域のうち所定温度Ｔｓより高温領域以外の
領域は、記録ピットが現れない領域いわばマスク領域で
ある。そして、浮き出し領域とビームスポットの領域と
の重なり部分が再生領域となり、この領域は、スポット
径より小さいので、前述の方式と同様に線記録密度及び
トラック密度を高くすることができる。

【００１９】なお、実際上は、再生層の初期化状態を安
定に保持し、また、再生時には記録層から記録ピットの
転写を良好に行うため、図９に示すような４層の光磁気
膜がディスクに形成される。

【００２０】すなわち、光磁気ディスクは、記録層１
１、中間層１２、再生補助層１３、再生層１４の４層の
積層膜を有する。各層のキュリー温度は、例えば、記録
層１１は２５０℃、中間層１２は２５０℃、再生補助層
１３は１２０℃、再生層１４は３００℃以上に、それぞ
れ選定されている。

【００２１】記録層１１は、初期化磁界、再生磁界、ま
た再生温度等に影響されずに記録ピットを保持している
層であって、室温、再生温度Ｔｓにおいて十分な保磁力
がある。

【００２２】中間層１２の垂直異方性は再生補助層１
３、記録層１１に比べ小さい。このため、再生層１４
と、記録層１１との間に磁壁を作る際、磁壁が安定にこ
の中間層１２に存在する。そのため、再生層１４、再生
補助層１３は、安定に消去状態（初期化状態）を維持す
る。

【００２３】再生補助層１３は、室温での再生層１４の
保磁力を大きくする働きをしており、このため、初期化
磁界によって揃えられた再生層１４、再生保持層１３の
磁化は磁壁が存在しても安定に存在する。また、再生補
助層１３は、再生時には、再生温度Ｔｓ近辺で保磁力が
急激に小さくなり、このため、中間層１２に閉じこめら
れていた磁壁が再生補助層１３にまで拡がって最終的に
再生層１４を反転させ、磁壁を消滅させる。この過程に
より、再生層１４にピットが生じる。

【００２４】再生層１４は室温でも磁化反転磁界Ｈcpが
小さく、その磁化は容易に反転する。このため、再生層
１４は、初期化磁界Ｈinにより、その全面の磁化が同方
向に揃う。揃った磁化は、再生補助層１３に支えられて
記録層１１との間に磁壁がある場合でも安定な状態が保
たれる。そして、前記のように、再生時には、記録層１
１との間の磁壁が消滅することにより、記録ピットが生
じる。

【００２５】実際の再生に当たっては、再生に先立ち、
図１０Ａに示すように、初期化磁界Ｈinにより再生層１
４及び再生補助層１３の初期化を行う。このとき、中間
層１２に磁壁（図１０において、横向きの矢印で示す）
が安定に存在し、再生層１４、再生補助層１３は、安定
に初期化状態を維持する。

【００２６】次に、図１０Ｂ，Ｃに示すように、レーザ
ビーム１５を記録ピットのトラックに照射すると共に、
再生磁界Ｈreをかける。この再生磁界Ｈreとしては、レ
ーザ光照射による昇温後の再生温度Ｔｓにおいて、再生
層１４、再生補助層１３を反転させ、中間層１２の磁壁
を消滅させる磁界以上の磁界が必要である。また、再生
層１４、再生補助層１３が、その磁界方向を反転してし
まわない程度の大きさとされる。

【００２７】レーザビーム１５の照射による温度上昇に
より光磁気ディスクには前述と同様に、ビーム走査スポ
ット１６に対し、ディスクの回転方向にずれた部分に再
生温度Ｔｓ以上の高温領域１７が生じる。すると、その
高温領域１７における再生補助層１３の部分（図１０Ｃ
で斜線を付して示す部分）の保磁力が下がる。再生磁界
Ｈreは、記録層１１〜再生層１４間の交換結合力より小
さいので、その部分では中間層１２の磁壁がなくなり、
記録層１１の記録ピットが再生層に転写され、ピットが
再生層１４に生じる。そして、走査スポット１６の領域
のうち、この高温領域１７との重なり領域１８が実質上
の再生領域となる。すなわち、レーザビームの走査スポ
ット１６の領域のうち高温領域１７との重なり領域１８
以外はマスクされ、この重なり領域１８が再生領域とな
る。

【００２８】こうして、レーザビームの走査スポット１
６と高温領域１７とが重なる小さい再生領域１８からの
反射光のカー回転角を検出することによりピットの再生
が行なわれるので、レーザビーム走査スポット１６のス
ポット径ｄを小さくしたことに等しくなり、線記録密度
及びトラック密度を上げることができる。

【００２９】以上の再生方法を、以下、浮き出しタイプ
の再生方法と称する。

【００３０】以上のようにして、レーザ光スポットの径
を小さくすることなく、線記録密度及びトラック密度を
高密度化することが可能になるところが、前記各再生方
法における再生領域９及び１８の大きさは、外部再生磁
界が一定で、レーザ光パワーが一定であっても、光磁気
ディスクの線速度変化に応じて変化してしまうことが判
明した。

【００３１】例えば、消去タイプの再生方法において、
再生位置における線速度が低い場合には、単位移動距離
当たりの走査スポット７の通過時間が長くなるために、
図１１Ｂの曲線２５で示すように、レーザビーム照射に
よる温度分布状態は、キュリー温度Ｔｃを越える高温マ
スク領域が図１１Ａの領域２６で示すように広くなる。
このため、実質的な再生領域９は小さくなる。

【００３２】また、線速度が高い場合には、単位移動距
離当たりの走査スポット７の通過時間が短くなるため
に、図１１Ｂの曲線２７で示すように、レーザビーム照
射による温度分布状態は、キュリー温度Ｔｃを越える高
温マスク領域が図１１Ａの領域２８で示すように狭くな
る。このため、実質的な再生領域９は大きくなる。

【００３３】また、浮き出しタイプの場合には、その原
理から明らかなように、光磁気ディスクの線速度が低い
場合には、再生領域１８が大きくなり、光磁気ディスク
の線速度が高い場合には再生領域１８が小さくなる。

【００３４】したがって、再生位置（レーザビーム走査
スポット位置）により光磁気ディスクの線速度が変化す
る例えば回転速度一定（ＣＡＶ）のディスク回転駆動方
式の場合には、再生位置の光磁気ディスクの半径方向の
違いに応じて前記再生領域９又は１８の大きさを、その
位置での線速度に応じた大きさにするようにコントロー
ルする必要があり、再生装置の構成が複雑になってしま
う。

【００３５】また、前記各再生方法においては、光磁気
ディスク上の線記録密度が変化すると、その線記録密度
に応じて再生領域９及び１８の最適な大きさが変化する
ことも判明した。

【００３６】すなわち、消去タイプ又は浮き出しタイプ
の再生方法において、線記録密度が低い場合には、記録
ピットのピッチ間隔が長く、再生領域９又は１８は大き
いほうがＣ／Ｎの良い再生ができる。一方、線記録密度
が高い場合には、記録ピット間隔が短くなり、再生領域
９又は１８は狭いほうがＣ／Ｎの良い再生ができる。

【００３７】例えば、レーザ光源の出力を変化させる
と、レーザビーム照射により温度上昇する領域、すなわ
ち前記消去タイプの再生方法の場合のマスク領域８の大
きさ及び浮き出しタイプの浮き出し領域１７の大きさを
変えることができ、その結果、再生領域９及び１８の大
きさを変えることができる。例えば、レーザ光源の出力
パワーを大きくすれば、消去タイプの再生方法の場合の
再生領域９は小さくなり、浮き出しタイプの場合の再生
領域１８の大きさは大きくなる。

【００３８】そこで、例えば消去タイプの場合に、パワ
ーレーザ光源の出力パワーと、再生信号のＣ／Ｎとの関
係を調べると、図１２に示すようになる。図１２におい
て、横軸は線記録密度であり、縦軸はＣ／Ｎである。図
中曲線ａで示すのは、レーザ出力パワーを高くしたとき
の特性、曲線ｂで示すのはレーザ出力パワーを低くした
ときの特性、曲線ｃで示すのは、レーザ出力パワーをそ
の中間の値にしたときの特性である。

【００３９】この図１２から明らかなように、Ｃ／Ｎの
良い再生を行うには、線記録密度が低いときにはレーザ
パワーは低いほう良く、線記録密度が高いときにはレー
ザパワーは高い方が良いことが判る。したがって、ＣＡ
Ｖの回転駆動方式を採る場合のように光磁気ディスクの
再生位置により線記録密度が異なる場合には、その再生
位置での線記録密度に応じて前記再生領域９又は１８の
大きさを最適にコントロールする必要があり、そのため
に構成が複雑になってしまう。

【００４０】この発明は、この点にかんがみ、消去タイ
プあるいは浮き出しタイプの再生方法において、再生シ
ステムの構成を簡単にできる再生方法を提供することを
目的とする。

【００４１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明においては、消去タイプあるいは浮き出
しタイプの再生方法を採用する光磁気ディスクの記録層
には、線記録密度一定の状態で情報が記録されている。
そして、この光磁気ディスクを線速度一定の状態で回転
駆動して再生を行う。

【００４２】

【作用】上記の構成であれば、光磁気ディスクに記録さ
れている情報は、半径方向の位置によって線密度及び線
速度は変化しない。したがって、磁気的結合消滅領域又
は浮き出し領域の大きさが一定で、実質的な再生領域の
大きさが変わらなければ、安定にＣ／Ｎの良い再生を行
うことができる。

【００４３】

【実施例】図１は、この発明による再生方法が適用され
たディスク再生装置の要部の一実施例を示すものであ
る。

【００４４】図１において、３１は光磁気ディスクで、
前述した消去タイプあるいは浮き出しタイプの再生方法
が適用されるものである。消去タイプの再生方法が適用
される光磁気ディスクとしては、例えば記録層はＴｂＦ
ｅＣｏで構成され、キュリー温度が３００℃、中間層は
ＴｂＦｅＣｏＡｌで構成され、キュリー温度が１２０
℃、再生層がＧｄＦｅＣｏで構成され、キュリー温度が
４００℃以上のものが用いられるものが使用される。ま
た、浮き出しタイプの再生方法が適用される光磁気ディ
スクとしては、例えば記録層はＴｂＦｅＣｏで構成さ
れ、キュリー温度が２５０℃、中間層はＧｄＦｅＣｏ、
キュリー温度が２５０℃、再生補助層はＴｂＦｅＣｏＡ
ｌで構成され、キュリー温度が１２０℃、再生層がＧｄ
ＦｅＣｏで構成され、キュリー温度が３００℃以上のも
のが用いられるものが使用される。

【００４５】この場合、この光磁気ディスク３１の記録
層には、線記録密度一定の状態で情報の記録がなされ
る。すなわち、この光磁気ディスク３１は、線速度一定
（ＣＬＶ）で回転駆動されて記録がなされる。そして、
以下に説明するように、線速度一定のサーボがかけられ
た状態で再生が行われる。

【００４６】３２はレーザ光源で、このレーザ光源３２
からのレーザビームが光磁気ディスク３１の再生層に入
射する。

【００４７】そして、この例の場合、再生磁界Ｈreが、
磁界発生コイル５１にドライバ５２から駆動電流が供給
されることにより発生する。磁界発生コイル５１は、光
磁気ディスク３１のレーザビームを照射する面とは反対
側の面側において、レーザ光源３２と対向する位置に設
けられる。ドライバ５２には基準値発生回路５３からの
基準値Ｍref が供給され、磁界発生コイル５１から発生
する再生磁界Ｈreの大きさがこの基準値に応じた所定の
一定値になるようにされている。

【００４８】そして、前述した消去タイプ又は浮き出し
タイプの再生方法により、レーザビームスポットのうち
の前記再生領域９又は１８からの反射光が図示しない光
学系を介して再生用フォトディテクタ３３に入射して光
電変換される。

【００４９】このフォトディテクタ３３の出力信号は、
ヘッドアンプ３４を介して信号処理回路３５に供給され
てＲＦ信号が得られ、これがデータ再生系３６に供給さ
れて復調される。

【００５０】この例においては、記録情報中の一定長の
ランレングスを有するものとして記録されている情報、
例えばセクタ同期信号ＳＹＮＣを用いて線速度一定の光
磁気ディスク３１の回転制御を行う。

【００５１】すなわち、データ再生系３６においてデジ
タル復調された同期信号ＳＹＮＣが線速度一定サーボ回
路３７に供給される。このサーボ回路３７は、同期信号
ＳＹＮＣのランレングスを検出し、そのランレングスが
定められた一定長になるように、ディスク駆動モータ３
８の回転を制御する。これにより、光磁気ディスク３１
は、線速度一定の状態で回転するように制御される。

【００５２】このようにすれば、光磁気ディスク３１上
の記録情報の線密度は、再生位置がディスク３１の半径
方向に変化しても一定であり、線速度が変化しないの
で、消去タイプあるいは浮き出しタイプの再生方法にお
いて、再生領域９及び１８の大きさが変化しなければ、
この状態で、何等の制御を行わなくてもＣ／Ｎの良い再
生をすることができる。

【００５３】ところが、各再生方法における再生領域９
及び１８の大きさは、外部再生磁界が一定で、レーザ光
パワーが一定であっても、光磁気ディスク３１の温度変
化に応じて変化してしまうことが判明した。

【００５４】すなわち、光磁気ディスク３１の温度は、
周囲の環境温度等により変化するが、例えば、消去タイ
プの再生方法において、光磁気ディスク３１の温度が高
い場合には、温度分布状態は、図２Ｂの曲線２１で示す
ように温度の高い方にシフトしたようになり、このた
め、キュリー温度Ｔｃを越える高温マスク領域が図２Ａ
に示す領域２２のようになるので、実質的な再生領域９
は小さくなる。

【００５５】また、ディスク温度が低い場合には、温度
分布状態は、図２Ｂの曲線２３で示すように温度の低い
方にシフトした状態になり、キュリー温度Ｔｃを越える
高温マスク領域が図２Ａの領域２４のようになるので、
実質的な再生領域９は大きくなる。

【００５６】また、浮き出しタイプの場合には、その原
理から明らかなように、光磁気ディスク温度が高い場合
には、再生領域が大きくなり、光磁気ディスク温度が低
い場合には再生領域が小さくなる。

【００５７】この例では、以上の点にかんがみ、光磁気
ディスクの温度が変化しても、常に再生領域９又は１８
の大きさを一定に保つことができるようにしている。

【００５８】すなわち、レーザ光源３２のレーザ光の一
部は、レーザパワーモニタ用のフォトディテクタ４１に
入射する。このフォトディテクタ４１の光電変換出力
は、オートパワーコントロール回路４２に供給される。
オートパワーコントロール回路４２では、フォトディテ
クタ４１の出力と、ラッチ回路４４からの再生レーザパ
ワー設定基準値ＲＥＦとが比較され、その比較誤差出力
がレーザドライブ回路４３に供給され、レーザ光源３２
の出力パワーが制御される。すなわち、以上の閉ループ
の制御により、レーザ光源３２の出力パワーが、再生レ
ーザパワー設定基準値ＲＥＦに応じた値になるように制
御される。

【００５９】この例の場合、再生レーザパワー設定基準
値ＲＥＦは、以下に説明するように、光磁気ディスク３
１の温度に変化があっても常に再生領域９又は１８の大
きさが最適の一定値になるようにされている。

【００６０】すなわち、光磁気ディスク３１の近傍に、
この光磁気ディスク３１の温度を検知するために、例え
ばサーミスタ等の温度センサ４５が設けられる。そし
て、この温度センサ４５で検知された温度出力は、再生
レーザパワー設定基準値ＲＥＦのテーブルを記憶してい
るＲＯＭ４６に、その読み出しアドレスとして供給され
る。ＲＯＭ４６からは、温度センサ４５からの温度出力
に応じて異なる再生レーザパワー設定基準値ＲＥＦが読
み出される。そして、読み出された設定基準値ＲＥＦ
は、タイミング信号発生回路４７からのタイミング信号
によりラッチ回路４７にラッチされ、オートパワーコン
トロール回路４２に供給される。この結果、レーザ光源
３２の出力パワーが、その時の光磁気ディスク３１の温
度に応じた設定基準値ＲＥＦに応じたものとなるように
制御される。

【００６１】前述したように、光磁気ディスク３１の温
度が変わると、レーザビーム照射による光磁気ディスク
上の温度分布状態は、ディスク温度に応じてシフトして
しまうが、レーザ出力パワーが変化すれば、光磁気ディ
スク３１の温度が一定でも、図３に示すように変化し、
所定のしきい値温度Ｔθを越える領域の大きさがＳ１、
Ｓ２のように変化する。この領域は、前述したマスク領
域８あるいは浮き出し領域１７であるので、以上のよう
にレーザパワーをコントロールすることにより、光磁気
ディスク３１の温度が変わっても、前記再生領域９及び
１８の大きさを一定に保つことができるものである。

【００６２】この場合、ＲＯＭ４６には、光磁気ディス
ク３１の温度として生じる温度範囲を例えばＲＯＭ４６
の記憶容量に応じて分割して定めた微小温度範囲毎例え
ば１℃毎あるいは数℃毎に１対１に対応するレーザパワ
ー設定基準値ＲＥＦのテーブルが記憶されている。そし
て、予め、光磁気ディスク３１の温度が各温度範囲のと
きに、消去タイプのディスク又は浮き出しタイプの光磁
気ディスクにおいて、前述した実質的な再生領域９又は
１８の大きさが、常に再生に適切な一定の大きさとなる
ような再生レーザパワー設定基準値ＲＥＦが検出され、
その各温度範囲ごとに対応する再生レーザパワー設定基
準値ＲＥＦがＲＯＭ４６に書き込まれている。

【００６３】再生領域９又は１８の大きさが最適の一定
の大きさであるか否かは、例えば所定の基準パターンの
情報を再生したときに信号処理回路３５からのＲＦ信号
レベルが所定値になっているか否かにより予め検出で
き、各温度に応じた設定基準値ＲＥＦを設定できる。

【００６４】したがって、ＲＯＭ４６からは、温度セン
サ４５で検出された光磁気ディスク３１の温度に応じた
再生レーザパワー設定値ＲＥＦが常に読み出されるが、
再生レーザパワー設定基準値ＲＥＦは、常時、変更する
必要はなく、光磁気ディスク３１の温度変化時点を十分
に考慮にいれた時点で良い。このため、この例では、タ
イミング信号発生回路４７からのタイミング信号により
ラッチ回路４４にＲＯＭ４６の出力がラッチされ、その
タイミング信号時点で再生レーザパワー設定値ＲＥＦが
変更されるものである。

【００６５】この設定基準値ＲＥＦの変更時点は、任意
に選定可能であるが、この例では再生開始時点と、再生
中、温度変化が生じると考えられる所定時間間隔毎、例
えば１０分毎とされ、タイミング信号発生回路４７から
は、これら再生開始時点と、再生開始時点から１０分毎
にタイミング信号が発生する。

【００６６】以上のようにして、光磁気ディスク３１の
温度が周囲の雰囲気温度などのため変動しても、レーザ
パワーをコントロールすることにより、消去タイプ又は
浮き出しタイプの再生方法における再生領域９又は１８
を一定に保つことができるので、常に、安定な再生を行
うことができる。

【００６７】なお、温度センサ４５として、上記の例の
ようにサーミスタ等の光磁気ディスク３１の周辺温度を
検出することにより光磁気ディスク３１の温度を検出す
るセンサを用いる代わりに、光磁気ディスク３１自身の
表面温度を検出する赤外線検出センサ用いるようにすれ
ば、より精度の高い制御を行うことができる。

【００６８】また、レーザパワー設定基準値ＲＥＦの発
生回路は、ＲＯＭ４６を用いる代わりに、温度センサか
らの検出温度の情報からレーザパワー設定基準値ＲＥＦ
を演算により求める回路を用いるようにしても良い。

【００６９】以上の例では、レーザパワーをコントロー
ルして光磁気ディスクの温度が変わっても再生領域９及
び１８の大きさを一定にするようにしたが、外部磁界
（再生磁界Ｈre）を制御するようにしても、同様の効果
が得られる。

【００７０】すなわち、例えば消去タイプの再生方法を
考えた場合、前述の図８において、マスク領域８ができ
始める温度は、正確には中間層４のキュリー温度Ｔc2で
はなく、再生磁界Ｈreも関与し、再生層５の保磁力をＨ
c1、再生層５と記録層３との間の交換結合力をＨｗとし
たとき、 Ｈc1＋Ｈｗ＜Ｈre ……（１） となる温度である。再生層５と記録層３間の交換結合力
Ｈｗは、温度が上がるにしたがい小さくなり、中間層４
のキュリー温度Ｔc2で零になる。

【００７１】Ｈc1＋Ｈｗの温度特性を図示すると、図４
に示すようになる。この図でＴc1は再生層５のキュリー
温度であり、中間層４のキュリー温度Ｔc2以上の温度で
は、再生層５が１層の場合の保磁力と同様になる。

【００７２】この光磁気ディスクの再生層５の磁化を一
方向に揃えるには、前記（１）式に示したように、Ｈc1
＋Ｈｗより大きい磁界をかければ良い。したがって、同
じ温度分布状態でも、図４で再生磁界ＨreとしてＨr0を
かけた場合には、キュリー温度Ｔc2以上の範囲がマスク
領域８となるが、再生磁界Ｈreの大きさがＨr1の場合に
は、キュリー温度Ｔc2より低い温度Ｔａまでの範囲がマ
スク領域８となり、再生磁界Ｈreの大きさに応じてマス
ク領域の大きさが変わり、この結果、再生領域９の大き
さが変わる。

【００７３】したがって、光磁気ディスク３１の温度に
応じて外部磁界例えば再生磁界Ｈreを変えるコントロー
ルをすることにより、常に再生領域を一定の大きさにす
ることができる。

【００７４】浮き出しタイプの再生方法の場合にも、同
様にして再生磁界をコントロールすることにより、再生
領域１８の大きさを一定にすることができる。

【００７５】図５は、再生磁界を光磁気ディスクの温度
に応じてコントロールする場合の再生装置の要部の一例
である。

【００７６】この例の場合、基準値発生回路４８からの
一定のレーザパワー設定基準値ＲＥＦがオートパワーコ
ントロール回路４２に供給され、レーザ光源３２の出力
レーザパワーは、この基準値ＲＥＦに応じた一定値に制
御される。

【００７７】また、基準値発生回路５３からの基準値Ｍ
ref は加算回路５４に供給され、ラッチ回路５５からの
補正値と加算される。そして、その加算値の駆動信号が
ドライバ５２に供給される。したがって、再生磁界Ｈre
の大きさは、補正値が零の場合には、基準値Ｍref に応
じた所定値となり、補正値に応じてその所定値を中心と
して変化するものとなる。

【００７８】そして、この例の場合、光磁気ディスク３
１の温度に応じた補正値のテーブルを記憶するＲＯＭ５
６が設けられ、温度センサ４５からの検出温度出力がこ
のＲＯＭ５６の読み出しアドレスとして入力される。こ
の例の場合も、ＲＯＭ５６に記憶された補正値は、光磁
気ディスク３１の各温度のときに再生領域９及び１８の
大きさが常に一定になる値とされている。

【００７９】この場合にも、再生領域９又は１８の大き
さが最適の一定の大きさであるか否かは、例えば所定の
基準パターンの情報を再生したときに信号処理回路３５
からのＲＦ信号レベルが所定値になっているか否かによ
り検出できる。

【００８０】そして、このＲＯＭ５６から読み出された
補正値は、ラッチ回路５５にタイミング信号発生回路５
７からのタイミング信号により前記の例のタイミング信
号発生回路４７と同様のタイミングでラッチされる。そ
して、このラッチ回路５５にラッチされた補正値が加算
回路５４に供給され、光磁気ディスク３１の温度に応じ
て再生磁界の大きさが制御され、再生領域９及び１８の
大きさが常に一定になるようにされる。

【００８１】なお、補正値の発生回路は、ＲＯＭ５６を
用いる代わりに、温度センサからの検出温度の情報から
補正値を演算により求める回路を用いるようにしても良
い。

【００８２】また、上記の例のように光磁気ディスク３
１の温度に応じてレーザパワーや外部磁界をそれぞれ単
独に制御しても良いが、レーザパワーと外部磁界を同時
に制御するようにしても良い。

【００８３】また、以下に説明する実施例のように温度
センサ４５を設けずに、光磁気ディスク３１からの再生
信号を用いて、再生領域９あるいは１８の大きさを最適
の一定値に制御することもできる。

【００８４】この例の場合、光磁気ディスク３１の例え
ば最内周の管理情報等を記録する部分の一部、あるいは
最内周又は最外周のデータ記録領域以外の部分には、例
えば一定の繰り返しパターンからなる基準情報が記録さ
れている。この基準情報としては、その光磁気ディスク
の再生に最適となる前記再生領域９又は１８を設定する
ための情報パターンが用いられる。例えばその光磁気デ
ィスクにおいて、最高記録密度となる繰り返しのパター
ン例えば「１１１１…」や「１０１０１０…」等を用い
ることができる。どのようなパターンを用いるかは、デ
ジタルデータの記録変調方式による。

【００８５】図６は、再生磁界とレーザ光源３２の出力
レーザパワーとを上記基準情報の再生信号レベルに応じ
てコントロールする場合の再生装置の要部の一例であ
る。

【００８６】この例の場合、再生レーザパワー設定基準
値ＲＥＦは、後述するように、レーザ光源３２の出力レ
ーザパワーが、基準情報の再生出力レベルが最適レベル
と一致する値になるような値に設定される。すなわち、
レーザ出力パワーが基準情報の再生出力レベルに応じて
制御されて、再生領域９又は１８の大きさが所定のもの
となるように制御される。

【００８７】すなわち、実際のデータ再生に先立ち、光
磁気ディスク３１の前記基準情報の読み出しがなされ
る。このときフォトディテクタ３３から得られる基準情
報の再生信号は、ヘッドアンプ３４、信号処理回路３５
を介してＲＦレベル検出回路６１に供給される。そし
て、このＲＦレベル検出回路６１で検出された再生信号
のＲＦレベルがレベル比較回路６２に供給されて、最適
レベル発生回路６３からの最適ＲＦレベルと比較され
る。

【００８８】この比較回路６２の比較誤差信号は、再生
レーザパワー設定基準値発生回路６４に供給される。再
生レーザパワー設定基準値発生回路６４は、再生レーザ
パワー設定基準値ＲＥＦとして、比較誤差がゼロのとき
には予め定められた所定値を出力し、その他のときは比
較誤差の正負及びその絶対値に応じてその所定値を中心
として変化する値を出力する。

【００８９】この再生レーザパワー設定基準値発生回路
６４からの再生レーザパワー設定基準値ＲＥＦは、ラッ
チ付きゲート回路６５を介してオートパワーコントロー
ル回路４２に供給される。ゲート回路６５は、この再生
レーザパワー設定基準値ＲＥＦの設定モードにおいて
は、ゲート開の状態となっている。したがって、この再
生レーザパワー設定基準値ＲＥＦの設定モードにおいて
は、フォトディテクタ３３からレーザ光源３２に至る閉
ループが形成され、レーザ光源３２の出力レーザパワー
は、後述する再生磁界の制御と相俟って、基準情報の再
生出力レベルが最適レベルと一致する値になるように制
御される。

【００９０】また、この例の場合、比較回路６２の比較
誤差信号が、再生磁界の大きさを補正する補正値を発生
する補正値発生回路６６にも供給される。この補正値発
生回路６６からの補正値はラッチ付きゲート回路６７に
供給され、基準情報を読み出すモードのときには、この
ゲート回路６７が開とされて、閉ループが形成される。
これにより、上記のレーザパワーの制御との組み合わせ
によって、基準情報のＲＦ信号のレベルが最適レベルと
なるような再生磁界の大きさの制御のための補正値が、
この補正値発生回路６６より出力されるように制御され
る。

【００９１】この再生レーザパワー設定基準値ＲＥＦの
設定モードが解除されると、その解除直前の時点でラッ
チ信号発生回路６８からラッチ信号が発生し、このラッ
チ信号によりゲート回路６５に、基準情報の再生出力レ
ベルが最適レベルとなる再生レーザパワー設定基準値Ｒ
ＥＦがラッチされると共に、ゲート回路６７に再生磁界
の大きさの制御のための補正値がラッチされる。したが
って、その後、行われる実際のデータの再生時には、そ
のラッチされた再生レーザパワー設定基準値ＲＥＦ及び
補正値が用いられて、レーザ光源３２の出力パワー及び
再生磁界Ｈreの制御がなされ、再生領域９及び１８の大
きさが常に最適の大きさになるようにされる。

【００９２】再生レーザパワー設定基準値ＲＥＦの設定
モードは、マニュアルでモード設定するようにしても良
いが、例えば再生開始時点に実際のデータ再生に先立ち
必ずこの設定モードに自動的になるようにしても良い。
また、再生中、温度変化が生じると考えられるなど、再
生レーザパワー設定基準値ＲＥＦの設定の変更が必要と
考えられる所定時間間隔毎、例えば１０分毎に、一時的
に、この設定モードに自動的に移行させるようにしても
良い。

【００９３】この図６の例によれば、設定される線速度
が光磁気ディスクの種類によって異なる場合において
も、常に自動的に再生領域９又は１８の大きさを、同種
の光磁気ディスクに対し設定された線速度に最適な一定
値にすることができる。

【００９４】以上説明した実施例によれば、周囲温度等
により光磁気ディスク３１の温度が変化しても、その温
度の影響を除去して、常に実質的な再生領域の大きさを
一定にすることができ、より安定に再生を行うことがで
きる。したがって、品質の良い再生信号を常に得ること
ができる。

【００９５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、光磁気ディスクには線記録密度一定の状態で記録を
行い、再生時、線速度一定のディスク回転制御を行うよ
うにしたことにより、光磁気ディスクの半径方向の再生
位置の変化により線記録密度及び線速度が変化しないの
で、消去タイプの再生方法及び浮き出しタイプの再生方
法を実施する場合に、実質的な再生領域９又は１８の大
きさは、回転速度一定の状態でディスクを駆動して記録
再生を行う場合のように、再生位置に応じて変化するこ
とはない。

【００９６】したがって、回転速度一定の状態でディス
クを駆動して記録再生を行う場合のように、光磁気ディ
スクの半径方向の再生位置の変化に応じてレーザパワー
や再生磁界をコントロールして、再生領域９及び１８の
大きさのコントロールを行う必要はなく、再生装置の構
成を簡単にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による再生方法が適用されたディスク
再生装置の一実施例のブロック図である。

【図２】光磁気ディスクの温度変化により実質的な再生
領域が変化することを説明するための図である。

【図３】レーザパワーを変えることによりマスク領域が
変わることを説明するための図である。

【図４】外部磁界を変えることによりマスク領域が変わ
ることを説明するための図である。

【図５】この発明による再生方法が適用されたディスク
再生装置の他の実施例のブロック図である。

【図６】この発明による再生方法が適用されたディスク
再生装置のさらに他の実施例のブロック図である。

【図７】レーザビームスポット径と、再生可能な記録ピ
ットの記録密度との関係を説明するための図である。

【図８】消去タイプの再生方法及びその光磁気ディスク
の実質的な再生領域を説明するための図である。

【図９】浮き出しタイプの再生方法の光磁気ディスクの
一例を示す図である。

【図１０】浮き出しタイプの再生方法及びその光磁気デ
ィスクの実質的な再生領域を説明するための図である。

【図１１】光磁気ディスクの線速度変化により実質的な
再生領域が変化することを説明するための図である。

【図１２】光磁気ディスクの線記録密度と実質的な再生
領域の大きさとの関係を説明するための図である。

【符号の説明】

３，１１ 記録層 ４，１２ 中間層 ５，１４ 再生層 ８ マスク領域 ９，１８ 再生領域 １７ 浮き出し領域 ３１ 光磁気ディスク ３２ レーザ光源 ３７ 線速度一定のサーボ回路 ３８ ディスク駆動モータ ４１ レーザパワーモニタ用のフォトディテクタ ４２ オートパワーコントロール回路 ４６ 再生レーザパワー設定基準値発生用ＲＯＭ ５１ 磁界発生コイル ５６ 磁界補正値発生用ＲＯＭ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 11/10

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録層と再生層とを有し、記録層と、再
   生層とが定常状態で磁気的に結合しており、再生時の光
   照射により所定温度以上に温度上昇する領域の前記記録
   層と再生層との磁気的結合を消滅させ、その磁気的結合
   消滅領域を除く光照射領域において前記記録層に保持さ
   れた記録情報を前記再生層から読み出すようにする光磁
   気ディスクの再生方法において、前記記録層に線密度一
   定の状態で情報が記録されている前記光磁気ディスクを
   線速度一定の状態で回転駆動するようにした光磁気ディ
   スクの再生方法。
2. 【請求項２】記録層と再生層とを有し、再生層の磁化の
   方向を揃えた後、再生時の光照射により所定温度以上に
   温度上昇する領域において前記記録層に保持された記録
   情報を再生層に転写させて浮き出させ、この再生層の浮
   き出し領域のうちの前記再生時の光照射領域との重なり
   領域から前記記録情報を読み出すようにする光磁気ディ
   スクの再生方法において、前記記録層の線密度一定の状
   態で情報が記録されている前記光磁気ディスクを線速度
   一定の状態で回線駆動するようにした光磁気ディスクの
   再生方法。