JP2958829B2 - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
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- JP2958829B2 JP2958829B2 JP3252783A JP25278391A JP2958829B2 JP 2958829 B2 JP2958829 B2 JP 2958829B2 JP 3252783 A JP3252783 A JP 3252783A JP 25278391 A JP25278391 A JP 25278391A JP 2958829 B2 JP2958829 B2 JP 2958829B2
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- Japan
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- light
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- light receiving
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多数の受光素子をライ
ン状に形成した絶縁基板上に、カラーフィルタ等が積層
された透光性基板を配置して成る複数枚のセンサ基板を
連結接続して構成される長尺密着型イメージセンサの最
端部の構造に関する。
ン状に形成した絶縁基板上に、カラーフィルタ等が積層
された透光性基板を配置して成る複数枚のセンサ基板を
連結接続して構成される長尺密着型イメージセンサの最
端部の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ファクシミリ等に使用される固体
撮像素子には、例えば、絶縁基板上に複数の個別電極，
光電変換層，共通電極を順次積層して受光素子アレイを
形成する薄膜構造とし、原稿等の画像情報を１対１に投
影して電気信号に変換する密着型イメージセンサが提案
されている。薄膜構造の受光素子アレイの幅は、金属膜
や半導体膜を着膜する着膜装置により制限されるので、
例えば日本工業規格Ａ列０番の原稿を読み取り可能とす
るためには、受光素子アレイが形成された３枚のＡ３幅
のセンサ基板を連結接続するように配置し、Ａ０幅の長
尺状受光素子アレイを得ている。
撮像素子には、例えば、絶縁基板上に複数の個別電極，
光電変換層，共通電極を順次積層して受光素子アレイを
形成する薄膜構造とし、原稿等の画像情報を１対１に投
影して電気信号に変換する密着型イメージセンサが提案
されている。薄膜構造の受光素子アレイの幅は、金属膜
や半導体膜を着膜する着膜装置により制限されるので、
例えば日本工業規格Ａ列０番の原稿を読み取り可能とす
るためには、受光素子アレイが形成された３枚のＡ３幅
のセンサ基板を連結接続するように配置し、Ａ０幅の長
尺状受光素子アレイを得ている。
【０００３】近年、カラーの画像を読み取り可能なイメ
ージセンサの開発にともない、例えば図３に示すよう
に、多数の受光素子１０が絶縁基板１上に一列に配列さ
れた受光素子アレイを形成し、赤色，緑色又は青色のフ
ィルタ２１を透明基板２上に形成し、フィルタ２１が各
受光素子１０上に対応するように前記透明基板２を絶縁
基板１上に接着剤１１を介して配置した構造のカラーイ
メージセンサが提案されている。受光素子１０は、離散
的に形成された金属膜から成る個別電極，半導体膜から
なる光電変換層，透明導電膜から成る帯状の共通電極を
絶縁基板１上に順次積層して構成されている。
ージセンサの開発にともない、例えば図３に示すよう
に、多数の受光素子１０が絶縁基板１上に一列に配列さ
れた受光素子アレイを形成し、赤色，緑色又は青色のフ
ィルタ２１を透明基板２上に形成し、フィルタ２１が各
受光素子１０上に対応するように前記透明基板２を絶縁
基板１上に接着剤１１を介して配置した構造のカラーイ
メージセンサが提案されている。受光素子１０は、離散
的に形成された金属膜から成る個別電極，半導体膜から
なる光電変換層，透明導電膜から成る帯状の共通電極を
絶縁基板１上に順次積層して構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】長尺状カラーイメージ
センサを得る場合には、上記構造のカラーイメージセン
サの端部を接続側端部受光素子１０ａから所望の距離
（４００ｄｐｉの場合、約１０μｍ）の位置で切断し、
図３に示すように、接着剤３０によりセンサ支持基板３
上で連結接続されるが、接続部で接着剤３０のはみ出し
部３１が生じ、接続部に入射した光が前記はみ出し部３
１で乱反射して接続部近傍での受光素子の出力値にバラ
ツキが生じるという問題点があった。また、長尺状カラ
ーイメージセンサを構成する個々のカラーイメージセン
サの端部は、接続側端部受光素子１０ａから約１０μｍ
（４００ｄｐｉの場合）の距離で切断されているので、
カラーイメージセンサを構成する両端のセンサ基板の外
側端部受光素子１０ｂは、内側の受光素子１０と比較し
て、図３に示すように原稿面側からの入射光Ａ（画像情
報）が少なくなり（受光素子１０ｂに対して右側方向か
らの原稿面反射光による入射光が少ない）、他の受光素
子１０との均一性が確保できないという問題点があっ
た。更に、透明基板２の端部から入射した光Ｂがフレア
光となるので、各受光素子１０に出力値のバラツキが生
じるという問題点があった。
センサを得る場合には、上記構造のカラーイメージセン
サの端部を接続側端部受光素子１０ａから所望の距離
（４００ｄｐｉの場合、約１０μｍ）の位置で切断し、
図３に示すように、接着剤３０によりセンサ支持基板３
上で連結接続されるが、接続部で接着剤３０のはみ出し
部３１が生じ、接続部に入射した光が前記はみ出し部３
１で乱反射して接続部近傍での受光素子の出力値にバラ
ツキが生じるという問題点があった。また、長尺状カラ
ーイメージセンサを構成する個々のカラーイメージセン
サの端部は、接続側端部受光素子１０ａから約１０μｍ
（４００ｄｐｉの場合）の距離で切断されているので、
カラーイメージセンサを構成する両端のセンサ基板の外
側端部受光素子１０ｂは、内側の受光素子１０と比較し
て、図３に示すように原稿面側からの入射光Ａ（画像情
報）が少なくなり（受光素子１０ｂに対して右側方向か
らの原稿面反射光による入射光が少ない）、他の受光素
子１０との均一性が確保できないという問題点があっ
た。更に、透明基板２の端部から入射した光Ｂがフレア
光となるので、各受光素子１０に出力値のバラツキが生
じるという問題点があった。
【０００５】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、密着型イメージセンサのセンサ基板の端部受光素子
における光学的な不均一を改善し、センサ基板の内側の
受光素子との均一性を図るためのイメージセンサの最端
部の構造を提供することを目的としている。
で、密着型イメージセンサのセンサ基板の端部受光素子
における光学的な不均一を改善し、センサ基板の内側の
受光素子との均一性を図るためのイメージセンサの最端
部の構造を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
決するため本発明の密着型イメージセンサは、多数の受
光素子を形成した絶縁基板上に、前記受光素子側にフィ
ルタを積層した透光性基板を配置してセンサ基板を形成
し、該センサ基板の外側端部を、前記受光素子の最端部
から一画素ピッチ以上外側に位置させる。また、受光素
子の外側最端部から一画素ピッチ以上外側のセンサ基板
上に、遮光膜を形成する。
決するため本発明の密着型イメージセンサは、多数の受
光素子を形成した絶縁基板上に、前記受光素子側にフィ
ルタを積層した透光性基板を配置してセンサ基板を形成
し、該センサ基板の外側端部を、前記受光素子の最端部
から一画素ピッチ以上外側に位置させる。また、受光素
子の外側最端部から一画素ピッチ以上外側のセンサ基板
上に、遮光膜を形成する。
【０００８】
【作用】本発明によれば、密着型イメージセンサの外側
端部は、センサ基板に形成された受光素子の最端部から
一画素ピッチ以上外側に位置させるとともに、遮光膜を
形成したので、センサ基板の端部受光素子へのフレア光
の入射を防ぎ、前記端部受光素子と基板内部に位置する
受光素子とにおいて、光学的に均等な構造を得ることが
できる。
端部は、センサ基板に形成された受光素子の最端部から
一画素ピッチ以上外側に位置させるとともに、遮光膜を
形成したので、センサ基板の端部受光素子へのフレア光
の入射を防ぎ、前記端部受光素子と基板内部に位置する
受光素子とにおいて、光学的に均等な構造を得ることが
できる。
【０００９】
【実施例】本発明の一実施例について図１を参照しなが
ら説明する。カラーイメージセンサは、離散的に形成さ
れた個別電極，光電変換層，共通電極を積層して構成さ
れる受光素子１０をガラスから成る絶縁基板１上に形成
したセンサ基板と、赤色，緑色又は青色のフィルタ２１
が形成された透明基板２とを、各フィルタ２１が各受光
素子１０上に対応するように接着剤３０を介在させて配
置して構成されている。従来例を示す図３と構成が同一
の部分は同一符号を付している。
ら説明する。カラーイメージセンサは、離散的に形成さ
れた個別電極，光電変換層，共通電極を積層して構成さ
れる受光素子１０をガラスから成る絶縁基板１上に形成
したセンサ基板と、赤色，緑色又は青色のフィルタ２１
が形成された透明基板２とを、各フィルタ２１が各受光
素子１０上に対応するように接着剤３０を介在させて配
置して構成されている。従来例を示す図３と構成が同一
の部分は同一符号を付している。
【００１０】長尺状カラーイメージセンサを得る場合、
センサ基板の両端部をダイシングブレード（切断刃）
（図示せず）により切断して複数のセンサ基板を連結接
続して形成する。センサ基板の切断に際しては、連結接
続側においては端部受光素子１０ａから約１０μｍ（４
００ｄｐｉの場合）の距離だけ離れた位置で切断し、長
尺イメージセンサの両端に対応するセンサ基板の外側端
については、このセンサ基板端部に形成された受光素子
１０ｂの最端部から一画素ピッチｔ以上外側で切断す
る。長尺状カラーイメージセンサを構成する各カラーイ
メージセンサは、接着剤３０（例えば日本ロックタイト
社製のアクリル系接着剤、トウホウ化成社製のエポキシ
系接着剤）を介してセンサ支持基板３上に塗布された接
着剤３上で連結接続するとともに、透明基板２上にも同
じ接着剤３０が塗布され、連結接続された複数のカラー
イメージセンサ全体を覆うように長尺の透明部材４を配
置している。この透明部材４は、透明基板２と同様のガ
ラス板又は透明基板２と屈折率が同じ透明の有機膜で形
成されている。
センサ基板の両端部をダイシングブレード（切断刃）
（図示せず）により切断して複数のセンサ基板を連結接
続して形成する。センサ基板の切断に際しては、連結接
続側においては端部受光素子１０ａから約１０μｍ（４
００ｄｐｉの場合）の距離だけ離れた位置で切断し、長
尺イメージセンサの両端に対応するセンサ基板の外側端
については、このセンサ基板端部に形成された受光素子
１０ｂの最端部から一画素ピッチｔ以上外側で切断す
る。長尺状カラーイメージセンサを構成する各カラーイ
メージセンサは、接着剤３０（例えば日本ロックタイト
社製のアクリル系接着剤、トウホウ化成社製のエポキシ
系接着剤）を介してセンサ支持基板３上に塗布された接
着剤３上で連結接続するとともに、透明基板２上にも同
じ接着剤３０が塗布され、連結接続された複数のカラー
イメージセンサ全体を覆うように長尺の透明部材４を配
置している。この透明部材４は、透明基板２と同様のガ
ラス板又は透明基板２と屈折率が同じ透明の有機膜で形
成されている。
【００１１】透明部材４の両端部には、最端部受光素子
１０ｂより一画素ｔ以上外側の上面に、遮光樹脂膜４０
（例えばＣＫー２０００ 富士ハント製のカラーモザイ
ク等）が塗布されている。更に、絶縁基板１，透明基板
２及び透明部材４の両端側面にも、同様の遮光樹脂膜４
１が塗布されている。
１０ｂより一画素ｔ以上外側の上面に、遮光樹脂膜４０
（例えばＣＫー２０００ 富士ハント製のカラーモザイ
ク等）が塗布されている。更に、絶縁基板１，透明基板
２及び透明部材４の両端側面にも、同様の遮光樹脂膜４
１が塗布されている。
【００１２】上記構造によれば、長尺状カラーイメージ
センサの最端部受光素子１０ｂについては、図１に示す
ように、原稿面側から入射する光Ａの範囲がセンサ基板
内部に位置する受光素子１０と同じにすることができ、
他の受光素子１０に対して光学的に均等な構造とするこ
とができるまた、透明部材４を配置したことにより、連
結接続部分での接着剤３０を平坦化させ、接続部近傍で
入射した光の乱反射による受光素子の出力値のバラツキ
を防止でき、原稿画像に忠実な画像信号を得ることがで
きる。更に、遮光樹脂膜４０，４１の塗布により、カラ
ーイメージセンサの端部から透明基板２や透明部材４へ
の光の入射を防ぎ、この光が全反射によりセンサ基板の
内側に入り込むことによって生じるフレアを防止するこ
とができる。
センサの最端部受光素子１０ｂについては、図１に示す
ように、原稿面側から入射する光Ａの範囲がセンサ基板
内部に位置する受光素子１０と同じにすることができ、
他の受光素子１０に対して光学的に均等な構造とするこ
とができるまた、透明部材４を配置したことにより、連
結接続部分での接着剤３０を平坦化させ、接続部近傍で
入射した光の乱反射による受光素子の出力値のバラツキ
を防止でき、原稿画像に忠実な画像信号を得ることがで
きる。更に、遮光樹脂膜４０，４１の塗布により、カラ
ーイメージセンサの端部から透明基板２や透明部材４へ
の光の入射を防ぎ、この光が全反射によりセンサ基板の
内側に入り込むことによって生じるフレアを防止するこ
とができる。
【００１３】図２は本発明の他の実施例を示すもので、
透明基板２上に配置する透明部材４が長尺カラーイメー
ジセンサ幅より長くした例である。本実施例では、長尺
状カラーイメージセンサの最端部受光素子１０ｂより一
画素ｔ以上外側の上面に、遮光樹脂膜４０、透明部材４
の両端側面に遮光樹脂膜４１ａ、絶縁基板１及び透明基
板２の両端側面に遮光樹脂膜４１ｂをそれぞれ塗布して
いる。他の構成は図１と同様であるので同一構成部分に
ついては同一符号を付して説明を省略する。
透明基板２上に配置する透明部材４が長尺カラーイメー
ジセンサ幅より長くした例である。本実施例では、長尺
状カラーイメージセンサの最端部受光素子１０ｂより一
画素ｔ以上外側の上面に、遮光樹脂膜４０、透明部材４
の両端側面に遮光樹脂膜４１ａ、絶縁基板１及び透明基
板２の両端側面に遮光樹脂膜４１ｂをそれぞれ塗布して
いる。他の構成は図１と同様であるので同一構成部分に
ついては同一符号を付して説明を省略する。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、密着型イメージセンサ
のセンサ基板の外側端部は、該センサ基板端部に形成さ
れた受光素子の最端部から一画素ピッチ以上外側に位置
させたので、前記端部受光素子と基板内部に位置する受
光素子とにおいて、光学的に均等な構造を得ることがで
き、出力値のバラツキを防止して原稿画像に忠実な画像
信号を得ることができる。また、遮光膜を形成したこと
のより、センサ基板の端部受光素子へのフレア光の入射
を防ぐことができ、受光素子の出力値のバラツキを防い
で原稿画像に忠実な画像信号を得ることができる。
のセンサ基板の外側端部は、該センサ基板端部に形成さ
れた受光素子の最端部から一画素ピッチ以上外側に位置
させたので、前記端部受光素子と基板内部に位置する受
光素子とにおいて、光学的に均等な構造を得ることがで
き、出力値のバラツキを防止して原稿画像に忠実な画像
信号を得ることができる。また、遮光膜を形成したこと
のより、センサ基板の端部受光素子へのフレア光の入射
を防ぐことができ、受光素子の出力値のバラツキを防い
で原稿画像に忠実な画像信号を得ることができる。
【図１】 本発明の一実施例を示す長尺カラーイメージ
センサの一部断面説明図である。
センサの一部断面説明図である。
【図２】 本発明の他の実施例を示す長尺カラーイメー
ジセンサの一部断面説明図である。
ジセンサの一部断面説明図である。
【図３】 従来のカラーイメージセンサの連結接続状態
を示す断面説明図である。
を示す断面説明図である。
１…絶縁基板、 ２…透明基板、 ３…センサ支持基
板、 ４…透明部材、１０…受光素子、 ２１…フィル
タ、 ３０…接着剤、 ４０，４１…遮光樹脂膜、ｔ…
画素ピッチ
板、 ４…透明部材、１０…受光素子、 ２１…フィル
タ、 ３０…接着剤、 ４０，４１…遮光樹脂膜、ｔ…
画素ピッチ
フロントページの続き (72)発明者 野田 聡 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼ ロックス株式会社海老名事業所内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H04N 1/028
Claims (1)
- 【請求項１】 多数の受光素子を形成した絶縁基板上
に、前記受光素子側にフィルタを積層した透光性基板を
配置してセンサ基板を形成し、該センサ基板の外側端部
を、前記受光素子の最端部から一画素ピッチ以上外側に
位置させるとともに、受光素子の外側最端部から一画素
ピッチ以上外側のセンサ基板上に、遮光膜を形成するこ
とを特徴とする密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252783A JP2958829B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252783A JP2958829B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 密着型イメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0568134A JPH0568134A (ja) | 1993-03-19 |
| JP2958829B2 true JP2958829B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=17242212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3252783A Expired - Fee Related JP2958829B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2958829B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3475037B2 (ja) | 1997-03-14 | 2003-12-08 | 株式会社東芝 | 無線機 |
| JP6296902B2 (ja) * | 2014-05-29 | 2018-03-20 | 株式会社沖データ | 半導体装置、半導体装置を用いた画像形成装置及び画像読み取り装置 |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP3252783A patent/JP2958829B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0568134A (ja) | 1993-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |