JP2958393B2 - 高分子導電・抵抗体およびその製造方法 - Google Patents
高分子導電・抵抗体およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイス用の導電
体、抵抗体等として使用する高分子導電・抵抗体、すな
わち電磁波シールド材、スイッチ、コネクター接点、電
卓用等のキーボード、抵抗、帯電防止材等、また発熱体
等に用いる高分子導電・抵抗体、およびその製造方法に
関する。
体、抵抗体等として使用する高分子導電・抵抗体、すな
わち電磁波シールド材、スイッチ、コネクター接点、電
卓用等のキーボード、抵抗、帯電防止材等、また発熱体
等に用いる高分子導電・抵抗体、およびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】導電性高分子は、高分子自身が導電性を
有するもの、また導電粉を樹脂に分散したもの等が知ら
れている（「高分子への新しい導電性付与技術 その新
用途開発・実用化の実際」第１９３頁、中部経営開発セ
ンター出版部（昭和５８年）、「構造・プロセシング評
価 最新複合材料・技術総覧」第４２６頁、（株）産業
技術サービスセンター（１９９０年）および特開平２−
１８７４２３号公報）。高分子自身が導電性を有するも
のとしては、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオ
フェン等があるが、加工性に問題があり、一部実用化さ
れているのみである。導電粉分散樹脂は、主として成型
用熱可塑性樹脂に、導電性材料として金属粉（ステンレ
ス、アルミニウム、銅等）、金属繊維、カーボンブラッ
ク、炭素繊維等を分散したものであり、カーボンブラッ
クが主として用いられている。樹脂としては、ポリエチ
レン、塩化ビニル、ポリプロピレン、ＡＢＳ樹脂、ポリ
アミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が使用されて
いる。これら導電粉分散樹脂は、樹脂とミリ〜ミクロン
サイズの導電粉を熱溶融混練する方法、溶媒に樹脂を溶
解した溶液に導電粉を分散し、塗布等により成型する方
法等が一般的である（「高分子への新しい導電性付与技
術 その新用途開発・実用化の実際」第１９３頁、中部
経営開発センター出版部（昭和５８年）、「構造・プロ
セシング評価最新複合材料・技術総覧」第４２６頁、
（株）産業技術サービスセンター（１９９０年）、特開
昭４９−９１５９４号公報、同５１−１０６１９号公
報、同５４−１４３４６２号公報および特開平３−３１
３４７号公報）。しかしながら、この場合、導電粉を均
一に分散することが難しく、加工条件により特性が大き
く変動しやすい。また、分散する粒子径が大きいものを
多量に混合するため、透明性が悪く、機械的物性が低下
するという欠点があった。
有するもの、また導電粉を樹脂に分散したもの等が知ら
れている（「高分子への新しい導電性付与技術 その新
用途開発・実用化の実際」第１９３頁、中部経営開発セ
ンター出版部（昭和５８年）、「構造・プロセシング評
価 最新複合材料・技術総覧」第４２６頁、（株）産業
技術サービスセンター（１９９０年）および特開平２−
１８７４２３号公報）。高分子自身が導電性を有するも
のとしては、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオ
フェン等があるが、加工性に問題があり、一部実用化さ
れているのみである。導電粉分散樹脂は、主として成型
用熱可塑性樹脂に、導電性材料として金属粉（ステンレ
ス、アルミニウム、銅等）、金属繊維、カーボンブラッ
ク、炭素繊維等を分散したものであり、カーボンブラッ
クが主として用いられている。樹脂としては、ポリエチ
レン、塩化ビニル、ポリプロピレン、ＡＢＳ樹脂、ポリ
アミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が使用されて
いる。これら導電粉分散樹脂は、樹脂とミリ〜ミクロン
サイズの導電粉を熱溶融混練する方法、溶媒に樹脂を溶
解した溶液に導電粉を分散し、塗布等により成型する方
法等が一般的である（「高分子への新しい導電性付与技
術 その新用途開発・実用化の実際」第１９３頁、中部
経営開発センター出版部（昭和５８年）、「構造・プロ
セシング評価最新複合材料・技術総覧」第４２６頁、
（株）産業技術サービスセンター（１９９０年）、特開
昭４９−９１５９４号公報、同５１−１０６１９号公
報、同５４−１４３４６２号公報および特開平３−３１
３４７号公報）。しかしながら、この場合、導電粉を均
一に分散することが難しく、加工条件により特性が大き
く変動しやすい。また、分散する粒子径が大きいものを
多量に混合するため、透明性が悪く、機械的物性が低下
するという欠点があった。
【０００３】一方、ポリアミック酸溶液に周期律表第１
族金属（ナトリウム、リチウム、カリウム、銀）の塩
（米国特許第３，０７３，７８４号明細書）、または銅
等の金属塩（米国特許第３，０７３，７８５号明細書）
を溶解させ、ポリアミック酸金属塩とした後、塗布、熱
処理して、金属粒子分散ポリイミドを作製する方法が公
知であるが、フリーの金属の場合、酸化等により特性が
変化するという問題があり、また酸化されやすい金属の
場合、真空中または窒素雰囲気下で作製する必要がある
等、作製条件が面倒であるという問題があった。
族金属（ナトリウム、リチウム、カリウム、銀）の塩
（米国特許第３，０７３，７８４号明細書）、または銅
等の金属塩（米国特許第３，０７３，７８５号明細書）
を溶解させ、ポリアミック酸金属塩とした後、塗布、熱
処理して、金属粒子分散ポリイミドを作製する方法が公
知であるが、フリーの金属の場合、酸化等により特性が
変化するという問題があり、また酸化されやすい金属の
場合、真空中または窒素雰囲気下で作製する必要がある
等、作製条件が面倒であるという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、導電
性粒子を均一に分散した安定な電気的特性を有し、耐熱
性の高い高分子導電・抵抗体を提供することにあり、ま
た、そのような高分子導電・抵抗体を簡便な方法で作製
する技術を提供することにある。
性粒子を均一に分散した安定な電気的特性を有し、耐熱
性の高い高分子導電・抵抗体を提供することにあり、ま
た、そのような高分子導電・抵抗体を簡便な方法で作製
する技術を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明者等は、耐熱性高分子または熱硬化型耐熱性
高分子化合物前駆体溶液に有機金属化合物を溶解し、塗
布、乾燥後、加熱して有機金属化合物を熱分解させ、ま
た熱硬化型耐熱性高分子化合物前駆体を用いた場合はそ
の硬化反応を共に起こすとともに、金属酸化物の微粒子
を析出させる方法について検討した。そして、この方法
に関して、種々の高分子、また有機金属化合物を用い検
討した結果、イリジウム酸化物、ルテニウム酸化物、ロ
ジウム酸化物の少なくとも１種を含有する耐熱性高分子
において、前記の課題を解決できることを見いだし、本
発明を完成するに至った。
め、本発明者等は、耐熱性高分子または熱硬化型耐熱性
高分子化合物前駆体溶液に有機金属化合物を溶解し、塗
布、乾燥後、加熱して有機金属化合物を熱分解させ、ま
た熱硬化型耐熱性高分子化合物前駆体を用いた場合はそ
の硬化反応を共に起こすとともに、金属酸化物の微粒子
を析出させる方法について検討した。そして、この方法
に関して、種々の高分子、また有機金属化合物を用い検
討した結果、イリジウム酸化物、ルテニウム酸化物、ロ
ジウム酸化物の少なくとも１種を含有する耐熱性高分子
において、前記の課題を解決できることを見いだし、本
発明を完成するに至った。
【０００６】本発明の第１の高分子導電・抵抗体は、熱
硬化型耐熱性高分子前駆体と、有機イリジウム化合物、
有機ルテニウム化合物、有機ロジウム化合物の少なくと
も１種とが溶解している溶液を、塗布した後、加熱処理
することによって前記熱硬化型耐熱性高分子前駆体の硬
化反応を起こすと共に、イリジウム酸化物、ルテニウム
酸化物、ロジウム酸化物から選ばれる少なくとも１種の
金属酸化物を析出させることによって得られたものであ
って、耐熱性高分子化合物中に上記金属酸化物が分散し
てなることを特徴とする。また、本発明の第２の高分子
導電・抵抗体は、熱硬化型耐熱性高分子前駆体と、有機
イリジウム化合物、有機ルテニウム化合物、有機ロジウ
ム化合物の少なくとも１種、および、シリコン、ビスマ
ス、鉛、アルミニウム、ジルコニウム、カルシウム、
錫、ホウ素、チタンおよびバリウムから選ばれた少なく
とも１種の元素を含む化合物とが溶解している溶液を、
塗布した後、加熱処理することによって前記熱硬化型耐
熱性高分子前駆体の硬化反応を起こすと共に、イリジウ
ム酸化物、ルテニウム酸化物、ロジウム酸化物から選ば
れる少なくとも１種の金属酸化物を析出させることによ
って得られたものであって、耐熱性高分子化合物中に上
記金属酸化物が分散してなることを特徴とする。本発明
において、耐熱性高分子化合物としては、下記の構造式
（１）で示される繰り返し構造単位よりなる高分子化合
物を用ることが好ましい。
硬化型耐熱性高分子前駆体と、有機イリジウム化合物、
有機ルテニウム化合物、有機ロジウム化合物の少なくと
も１種とが溶解している溶液を、塗布した後、加熱処理
することによって前記熱硬化型耐熱性高分子前駆体の硬
化反応を起こすと共に、イリジウム酸化物、ルテニウム
酸化物、ロジウム酸化物から選ばれる少なくとも１種の
金属酸化物を析出させることによって得られたものであ
って、耐熱性高分子化合物中に上記金属酸化物が分散し
てなることを特徴とする。また、本発明の第２の高分子
導電・抵抗体は、熱硬化型耐熱性高分子前駆体と、有機
イリジウム化合物、有機ルテニウム化合物、有機ロジウ
ム化合物の少なくとも１種、および、シリコン、ビスマ
ス、鉛、アルミニウム、ジルコニウム、カルシウム、
錫、ホウ素、チタンおよびバリウムから選ばれた少なく
とも１種の元素を含む化合物とが溶解している溶液を、
塗布した後、加熱処理することによって前記熱硬化型耐
熱性高分子前駆体の硬化反応を起こすと共に、イリジウ
ム酸化物、ルテニウム酸化物、ロジウム酸化物から選ば
れる少なくとも１種の金属酸化物を析出させることによ
って得られたものであって、耐熱性高分子化合物中に上
記金属酸化物が分散してなることを特徴とする。本発明
において、耐熱性高分子化合物としては、下記の構造式
（１）で示される繰り返し構造単位よりなる高分子化合
物を用ることが好ましい。
【化５】 （式中Ｘは炭素数２以上の４価の有機基を表わし、Ｙは
炭素数２以上の２価の有機基を表わす。）
炭素数２以上の２価の有機基を表わす。）
【０００７】本発明の第１の高分子導電・抵抗体は、耐
熱性高分子またはその耐熱性高分子前駆体と、有機イリ
ジウム化合物、有機ルテニウム化合物、有機ロジウム化
合物の少なくとも１種とが溶解している溶液を、被塗布
基体に塗布した後、加熱処理することによって前記熱硬
化型耐熱性高分子前駆体の硬化反応を起こすと共に、イ
リジウム酸化物、ルテニウム酸化物、ロジウム酸化物か
ら選ばれる少なくとも１種の金属酸化物を析出させるこ
とによって製造することができる。また、本発明の第２
の高分子導電・抵抗体は、耐熱性高分子またはその耐熱
性高分子前駆体と、有機イリジウム化合物、有機ルテニ
ウム化合物、有機ロジウム化合物の少なくとも１種、お
よびシリコン、ビスマス、鉛、アルミニウム、ジルコニ
ウム、カルシウム、錫、ホウ素、チタンおよびバリウム
から選ばれた少なくとも１種の元素を含む化合物とが溶
解している溶液を、被塗布基体に塗布した後、加熱処理
することによって前記熱硬化型耐熱性高分子前駆体の硬
化反応を起こすと共に、イリジウム酸化物、ルテニウム
酸化物、ロジウム酸化物から選ばれる少なくとも１種の
金属酸化物を析出させることによって製造することがで
きる。この場合、耐熱性高分子前駆体として、下記式構
造式（２）で示される繰り返し構造単位よりなるポリア
ミック酸を使用するのが好ましい。
熱性高分子またはその耐熱性高分子前駆体と、有機イリ
ジウム化合物、有機ルテニウム化合物、有機ロジウム化
合物の少なくとも１種とが溶解している溶液を、被塗布
基体に塗布した後、加熱処理することによって前記熱硬
化型耐熱性高分子前駆体の硬化反応を起こすと共に、イ
リジウム酸化物、ルテニウム酸化物、ロジウム酸化物か
ら選ばれる少なくとも１種の金属酸化物を析出させるこ
とによって製造することができる。また、本発明の第２
の高分子導電・抵抗体は、耐熱性高分子またはその耐熱
性高分子前駆体と、有機イリジウム化合物、有機ルテニ
ウム化合物、有機ロジウム化合物の少なくとも１種、お
よびシリコン、ビスマス、鉛、アルミニウム、ジルコニ
ウム、カルシウム、錫、ホウ素、チタンおよびバリウム
から選ばれた少なくとも１種の元素を含む化合物とが溶
解している溶液を、被塗布基体に塗布した後、加熱処理
することによって前記熱硬化型耐熱性高分子前駆体の硬
化反応を起こすと共に、イリジウム酸化物、ルテニウム
酸化物、ロジウム酸化物から選ばれる少なくとも１種の
金属酸化物を析出させることによって製造することがで
きる。この場合、耐熱性高分子前駆体として、下記式構
造式（２）で示される繰り返し構造単位よりなるポリア
ミック酸を使用するのが好ましい。
【化６】 （式中Ｘは炭素数２以上の４価の有機基を表わし、Ｙは
炭素数２以上の２価の有機基を表わす。）
炭素数２以上の２価の有機基を表わす。）
【０００８】本発明の上記方法によれば、導電性粒子の
原料である有機金属化合物が溶解している耐熱性高分子
または耐熱性高分子前駆体を熱処理するため、数ｎｍ〜
数百ｎｍの導電性微粒子が均一に分散した高分子／金属
酸化物複合体を得ることができ、また生成するイリジウ
ム酸化物、ルテニウム酸化物、ロジウム酸化物は安定で
あり、酸化等による特性の劣化／変化が認められないと
いう優れた効果を奏する。
原料である有機金属化合物が溶解している耐熱性高分子
または耐熱性高分子前駆体を熱処理するため、数ｎｍ〜
数百ｎｍの導電性微粒子が均一に分散した高分子／金属
酸化物複合体を得ることができ、また生成するイリジウ
ム酸化物、ルテニウム酸化物、ロジウム酸化物は安定で
あり、酸化等による特性の劣化／変化が認められないと
いう優れた効果を奏する。
【０００９】以下に、本発明について、詳細な作製条
件、化合物例等について説明する。本法の製造工程は次
の４工程に大別できる。すなわち、塗布溶液調製工程、
塗布工程、乾燥工程、熱処理工程である。塗布溶液調製
工程では、下記のような耐熱性高分子を溶媒に溶解さ
せ、または熱硬化型耐熱性高分子前駆体の溶液を作製
し、この溶液に直接有機金属化合物を加えるか、別に調
製した有機金属化合物溶液を加え、均一になるように十
分撹拌する。この際、粘度調整剤やレベリング剤等の添
加物を加えてもよい。また、最終の溶液をフィルターを
用いてろ過してもよい。この溶液の濃度は、次工程の塗
布工程で用いる塗布方法、また最終的に必要な複合膜の
膜厚によって適宜調製する。用いる溶媒は、耐熱性高分
子、熱硬化型耐熱性高分子前駆体等のような使用する原
料を溶解するものであればよく、例えばジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホアミド、ｍ
−クレゾール、ｐ−クロルフェノール、ジメチルイミダ
ゾリドン、テトラメチル尿素、ジグライム、トリグライ
ム、テトラグライム、塩化メチレン、クロロホルム、ト
ルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、酢
酸エチル、ターピネオール、スルホランなどが用いられ
る。
件、化合物例等について説明する。本法の製造工程は次
の４工程に大別できる。すなわち、塗布溶液調製工程、
塗布工程、乾燥工程、熱処理工程である。塗布溶液調製
工程では、下記のような耐熱性高分子を溶媒に溶解さ
せ、または熱硬化型耐熱性高分子前駆体の溶液を作製
し、この溶液に直接有機金属化合物を加えるか、別に調
製した有機金属化合物溶液を加え、均一になるように十
分撹拌する。この際、粘度調整剤やレベリング剤等の添
加物を加えてもよい。また、最終の溶液をフィルターを
用いてろ過してもよい。この溶液の濃度は、次工程の塗
布工程で用いる塗布方法、また最終的に必要な複合膜の
膜厚によって適宜調製する。用いる溶媒は、耐熱性高分
子、熱硬化型耐熱性高分子前駆体等のような使用する原
料を溶解するものであればよく、例えばジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホアミド、ｍ
−クレゾール、ｐ−クロルフェノール、ジメチルイミダ
ゾリドン、テトラメチル尿素、ジグライム、トリグライ
ム、テトラグライム、塩化メチレン、クロロホルム、ト
ルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、酢
酸エチル、ターピネオール、スルホランなどが用いられ
る。
【００１０】またここで用いられる耐熱性高分子化合物
は、溶媒可溶であり、有機金属化合物の熱分解温度で分
解しないものであればよく、特に限定されるものではな
いが、例えばポリカーボネート、ポリエーテルスルホ
ン、ポリアリレート、ポリアミド、ポリアミドイミド等
があげられる。また、熱硬化型耐熱制高分子としては、
エポキシ樹脂等の熱架橋樹脂やポリイミド等が用いられ
るが、本工程ではその前駆体の形で用いる。これら高分
子は次工程の乾燥工程後有機金属化合物が極力析出しな
いよう、有機金属化合物との相溶性が良いものが好まし
い。この点また、耐熱性の点から、これら高分子の中で
は、特にポリイミドが好ましい。ポリイミドは前記一般
式（１）で表わされる繰り返し構造単位よりなるものが
使用されるが、これはその前駆体である一般式（２）で
示される繰り返し構造単位よりなるポリアミック酸から
形成される。
は、溶媒可溶であり、有機金属化合物の熱分解温度で分
解しないものであればよく、特に限定されるものではな
いが、例えばポリカーボネート、ポリエーテルスルホ
ン、ポリアリレート、ポリアミド、ポリアミドイミド等
があげられる。また、熱硬化型耐熱制高分子としては、
エポキシ樹脂等の熱架橋樹脂やポリイミド等が用いられ
るが、本工程ではその前駆体の形で用いる。これら高分
子は次工程の乾燥工程後有機金属化合物が極力析出しな
いよう、有機金属化合物との相溶性が良いものが好まし
い。この点また、耐熱性の点から、これら高分子の中で
は、特にポリイミドが好ましい。ポリイミドは前記一般
式（１）で表わされる繰り返し構造単位よりなるものが
使用されるが、これはその前駆体である一般式（２）で
示される繰り返し構造単位よりなるポリアミック酸から
形成される。
【００１１】なお、式中、Ｘは炭素数２以上の４価の有
機基を表わし、Ｙは炭素数２以上の２価の有機基を表わ
すが、具体的には、Ｘとしては、アルキルまたはフロロ
アルキルによって置換されていてもよい４価のベンゼン
環、または直接結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −、
−Ｃ（ＣＨ3 ）2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −または−（Ｃ
Ｆ2 ）n −（ｋ＝１〜６）によって結合した２つのベン
ゼン環よりなる４価の基があげられる。また、Ｙとして
はアルキル、フロロアルキル、アルコキシ、またはハロ
ゲン原子によって置換されていてもよいフェニレン基、
直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −、
−Ｃ（ＣＨ3 ）2 −および−Ｃ（ＣＦ3）2 −より選択
された１以上によって連結された２〜４個のベンゼン環
よりなる２価の基、または、オルガノポリシロキサンに
よって連結された脂肪族基よりなる２価の基があげられ
る。
機基を表わし、Ｙは炭素数２以上の２価の有機基を表わ
すが、具体的には、Ｘとしては、アルキルまたはフロロ
アルキルによって置換されていてもよい４価のベンゼン
環、または直接結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −、
−Ｃ（ＣＨ3 ）2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −または−（Ｃ
Ｆ2 ）n −（ｋ＝１〜６）によって結合した２つのベン
ゼン環よりなる４価の基があげられる。また、Ｙとして
はアルキル、フロロアルキル、アルコキシ、またはハロ
ゲン原子によって置換されていてもよいフェニレン基、
直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −、
−Ｃ（ＣＨ3 ）2 −および−Ｃ（ＣＦ3）2 −より選択
された１以上によって連結された２〜４個のベンゼン環
よりなる２価の基、または、オルガノポリシロキサンに
よって連結された脂肪族基よりなる２価の基があげられ
る。
【００１２】本発明において、一般式（１）および
（２）における、基Ｘおよび基Ｙに付いて具体例を示す
と、基Ｘとしては下記に記載の構造式で示される有機基
を例示することができる。
（２）における、基Ｘおよび基Ｙに付いて具体例を示す
と、基Ｘとしては下記に記載の構造式で示される有機基
を例示することができる。
【化７】 （式中、ｋは１〜６の整数を表わす。）
【００１３】また、Ｙとしては、下記に記載の構造式で
示される有機基を例示することができる。
示される有機基を例示することができる。
【化８】
【００１４】
【化９】 （式中、ｍは１〜１０００の整数を表わす。）
【００１５】ここに例示したポリアミック酸化合物は、
Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，３０， ２
８８３（１９８５）等で知られているような方法で、一
般式（６）で示される基Ｘを中心構造とするテトラカル
ボン酸二無水物と一般式（７）で示される基Ｙを中心構
造とするジアミンから合成することができる。さらにこ
れらのポリアミック酸化合物を加熱すると、下記に示す
反応が起きてポリイミドとなる。その反応式を以下に示
す。
Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，３０， ２
８８３（１９８５）等で知られているような方法で、一
般式（６）で示される基Ｘを中心構造とするテトラカル
ボン酸二無水物と一般式（７）で示される基Ｙを中心構
造とするジアミンから合成することができる。さらにこ
れらのポリアミック酸化合物を加熱すると、下記に示す
反応が起きてポリイミドとなる。その反応式を以下に示
す。
【００１６】
【化１０】
【００１７】本発明において、塗布溶液の調製では、溶
媒中で一般式（６）で示される化合物と一般式（７）で
示される化合物を反応させて、ポリアミック酸溶液を得
る。ここでポリアミック酸の重合度は、高分子複合体の
強度の関係から、ジメチルアセトアミド等中３０℃での
固有粘度［η］が０．１〜６ｄｌ／ｇの範囲にあること
が好ましい。ここでいう固有粘度は、種々ポリマー濃度
における相対粘度の測定値から計算した、各濃度での対
数粘度または還元比粘度を、濃度０に補外することによ
り求められる値である。上記の値以下の固有粘度のもの
では、得られる膜がもろくなる。
媒中で一般式（６）で示される化合物と一般式（７）で
示される化合物を反応させて、ポリアミック酸溶液を得
る。ここでポリアミック酸の重合度は、高分子複合体の
強度の関係から、ジメチルアセトアミド等中３０℃での
固有粘度［η］が０．１〜６ｄｌ／ｇの範囲にあること
が好ましい。ここでいう固有粘度は、種々ポリマー濃度
における相対粘度の測定値から計算した、各濃度での対
数粘度または還元比粘度を、濃度０に補外することによ
り求められる値である。上記の値以下の固有粘度のもの
では、得られる膜がもろくなる。
【００１８】本発明において、金属酸化物形成のために
用いられる金属成分は、その酸化物が安定に存在し、か
つ高い導電性を有することが必要であり、この要請を満
たすものとして、ルテニウム、イリジウム、ロジウムが
採用される。即ち、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、
酸化ロジウムは、外部環境の影響を受けにくく安定であ
り、高い導電性を有している。また、それぞれの導電率
は１ケタ程度づつ異なっており、使い分けることによっ
て所望の導電性を有する高分子複合体を得ることができ
る。本発明においては、これらの金属成分を混合するこ
とによって導電性の調整を行ってもよい。塗布溶液調製
工程で用いる、それぞれの金属酸化物のための原料であ
る有機ルテニウム化合物、有機イリジウム化合物、有機
ロジウム化合物は、カルボン酸塩、アセチルアセトナー
ト、アルコキシド、市販の金属レジネート等の形で用い
られるが、使用する溶媒に可溶、または、高分子、高分
子前駆体との相互作用により可溶となればよく、特に限
定されるものではない。しかしながら、特に下記一般式
（３）〜（５）で示される化合物が好ましい。 Ｍ（Ｒ1 ＣＯＯ）3 （３） Ｍ（Ｒ2 ＣＯＣＲ4 ＣＯＲ3 ）3 （４）
用いられる金属成分は、その酸化物が安定に存在し、か
つ高い導電性を有することが必要であり、この要請を満
たすものとして、ルテニウム、イリジウム、ロジウムが
採用される。即ち、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、
酸化ロジウムは、外部環境の影響を受けにくく安定であ
り、高い導電性を有している。また、それぞれの導電率
は１ケタ程度づつ異なっており、使い分けることによっ
て所望の導電性を有する高分子複合体を得ることができ
る。本発明においては、これらの金属成分を混合するこ
とによって導電性の調整を行ってもよい。塗布溶液調製
工程で用いる、それぞれの金属酸化物のための原料であ
る有機ルテニウム化合物、有機イリジウム化合物、有機
ロジウム化合物は、カルボン酸塩、アセチルアセトナー
ト、アルコキシド、市販の金属レジネート等の形で用い
られるが、使用する溶媒に可溶、または、高分子、高分
子前駆体との相互作用により可溶となればよく、特に限
定されるものではない。しかしながら、特に下記一般式
（３）〜（５）で示される化合物が好ましい。 Ｍ（Ｒ1 ＣＯＯ）3 （３） Ｍ（Ｒ2 ＣＯＣＲ4 ＣＯＲ3 ）3 （４）
【化１１】 （式中、Ｍはイリジウム、ルテニウムまたはロジウムを
表し、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、それぞれアルキル基ま
たはアリール基を表し、Ｒ4 は水素原子、アルキール基
を表し、Ｒ5 は水素原子、アルキル基またはアルコキシ
基を表す。）
表し、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、それぞれアルキル基ま
たはアリール基を表し、Ｒ4 は水素原子、アルキール基
を表し、Ｒ5 は水素原子、アルキル基またはアルコキシ
基を表す。）
【００１９】具体的には下記のような化合物があげられ
るが、これらに特に限定されるものではない（下記具体
例中の金属：Ｍは、ルテニウム、イリジウム、ロジウム
のいずれかを表す）。一般式（３）で示される化合物の
具体例としては、下記のような化合物があげられる。 金属プロピオネート：Ｍ（Ｃ2 Ｈ5 ＣＯＯ）3 金属ｎ−ブチレート：Ｍ（Ｃ3 Ｈ7 ＣＯＯ）3 金属２−メチルプロピオネート：Ｍ［（ＣＨ3 ）2 ＣＨ
ＣＯＯ）］3 金属ｎ−ペンタネート：Ｍ（Ｃ4 Ｈ9 ＣＯＯ）3 金属２−メチルブチレート：Ｍ［Ｃ2 Ｈ5 （ＣＨ3 ）Ｃ
ＨＣＯＯ）］3 金属３−メチルブチレート：Ｍ［（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＨ
2 ＣＯＯ）］3 金属ピバレート：Ｍ［（ＣＨ3 ）3 ＣＣＯＯ）］3 金属ｎ−ヘキサネート：Ｍ（Ｃ5 Ｈ11ＣＯＯ）3 金属ｎ−オクタネート：Ｍ（Ｃ7 Ｈ15ＣＯＯ）3 金属２−エチルヘキサネート：Ｍ［Ｃ4 Ｈ9 ＣＨ（Ｃ2
Ｈ5 ）ＣＯＯ）］3 金属ｎ−デカネート：Ｍ（Ｃ9 Ｈ19ＣＯＯ）3 金属ｎ−ドデカネート：Ｍ（Ｃ11Ｈ23ＣＯＯ）3 金属ｎ−テトラデカネート：Ｍ（Ｃ13Ｈ27ＣＯＯ）3 金属ｎ−ヘキサデカネート：Ｍ（Ｃ15Ｈ31ＣＯＯ）3 金属ｎ−オクタデカネート：Ｍ（Ｃ17Ｈ35ＣＯＯ）3 金属オレエート：Ｍ（Ｃ8 Ｈ17ＣＨ＝ＣＨＣ7 Ｈ14ＣＯ
Ｏ）3
るが、これらに特に限定されるものではない（下記具体
例中の金属：Ｍは、ルテニウム、イリジウム、ロジウム
のいずれかを表す）。一般式（３）で示される化合物の
具体例としては、下記のような化合物があげられる。 金属プロピオネート：Ｍ（Ｃ2 Ｈ5 ＣＯＯ）3 金属ｎ−ブチレート：Ｍ（Ｃ3 Ｈ7 ＣＯＯ）3 金属２−メチルプロピオネート：Ｍ［（ＣＨ3 ）2 ＣＨ
ＣＯＯ）］3 金属ｎ−ペンタネート：Ｍ（Ｃ4 Ｈ9 ＣＯＯ）3 金属２−メチルブチレート：Ｍ［Ｃ2 Ｈ5 （ＣＨ3 ）Ｃ
ＨＣＯＯ）］3 金属３−メチルブチレート：Ｍ［（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＨ
2 ＣＯＯ）］3 金属ピバレート：Ｍ［（ＣＨ3 ）3 ＣＣＯＯ）］3 金属ｎ−ヘキサネート：Ｍ（Ｃ5 Ｈ11ＣＯＯ）3 金属ｎ−オクタネート：Ｍ（Ｃ7 Ｈ15ＣＯＯ）3 金属２−エチルヘキサネート：Ｍ［Ｃ4 Ｈ9 ＣＨ（Ｃ2
Ｈ5 ）ＣＯＯ）］3 金属ｎ−デカネート：Ｍ（Ｃ9 Ｈ19ＣＯＯ）3 金属ｎ−ドデカネート：Ｍ（Ｃ11Ｈ23ＣＯＯ）3 金属ｎ−テトラデカネート：Ｍ（Ｃ13Ｈ27ＣＯＯ）3 金属ｎ−ヘキサデカネート：Ｍ（Ｃ15Ｈ31ＣＯＯ）3 金属ｎ−オクタデカネート：Ｍ（Ｃ17Ｈ35ＣＯＯ）3 金属オレエート：Ｍ（Ｃ8 Ｈ17ＣＨ＝ＣＨＣ7 Ｈ14ＣＯ
Ｏ）3
【００２０】また、一般式（４）で示される化合物の具
体例としては、下記のような化合物があげられる。 金属２，４−ペンタンジオネート：Ｍ（ＣＨ3 ＣＯＣＨ
ＣＯＣＨ3 ）3 金属３，５−ヘプタンジオネート：Ｍ（Ｃ2 Ｈ5 ＣＯＣ
ＨＣＯＣ2 Ｈ5 ）3 金属４，６−ノナンジオネート：Ｍ（Ｃ3 Ｈ7 ＣＯＣＨ
ＣＯＣ3 Ｈ7 ）3 金属２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオネート：
Ｍ［（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＯＣＨＣＯＣＨ（ＣＨ3 ）2 ］
3 金属５，７−ウンデカンジオネート：Ｍ（Ｃ4 Ｈ9 ＣＯ
ＣＨＣＯＣ4 Ｈ9 ）3 金属３，７−ジメチル−４，６−ノナンジオネート：Ｍ
［Ｃ2 Ｈ5 ＣＨ（ＣＨ3 ）ＣＯＣＨＣＯＣＨ（ＣＨ3 ）
Ｃ2 Ｈ5 ］3 金属２，８−ジメチル−４，６−ノナンジオネート：Ｍ
［（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＨ2 ＣＯＣＨＣＯＣＨ2 ＣＨ（Ｃ
Ｈ3 ）2 ］3 金属２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタン
ジオネート：Ｍ［（ＣＨ3 ）3 ＣＣＯＣＨＣＯＣ（ＣＨ
3 ）3 ］3 金属３−メチル−２， ４−ペンタンジオネート：Ｍ
（ＣＨ3 ＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣＨ3 ）3 金属４−メチル−３，５−ヘプタンジオネート：Ｍ（Ｃ
2 Ｈ5 ＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣ2 Ｈ5 ）3 金属５−メチル４，６−ノナンジオネート：Ｍ（Ｃ3 Ｈ
7 ＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣ3 Ｈ7 ）3 金属２，４，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオネ
ート：Ｍ［（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣＨ（Ｃ
Ｈ3 ）2 ］3 金属６−メチル５，７−ウンデカンジオネート：Ｍ（Ｃ
4 Ｈ9 ＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣ4 Ｈ9 ）3 金属３，５，７−トリメチル−４，６−ノナンジオネー
ト：Ｍ［Ｃ2 Ｈ5 ＣＨ（ＣＨ3 ）ＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣＨ
（ＣＨ3 ）Ｃ2 Ｈ5 ］3 金属２，５，８−トリメチル−４，６−ノナンジオネー
ト：Ｍ［（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＨ2 ＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣＨ
2 ＣＨ（ＣＨ3 ）2 ］3 金属２，２，４，６，６−ペンタメチル−３，５−ヘプ
タンジオネート：Ｍ［（ＣＨ3 ）3 ＣＣＯＣＣＨ3 ＣＯ
Ｃ（ＣＨ3 ）3 ］3
体例としては、下記のような化合物があげられる。 金属２，４−ペンタンジオネート：Ｍ（ＣＨ3 ＣＯＣＨ
ＣＯＣＨ3 ）3 金属３，５−ヘプタンジオネート：Ｍ（Ｃ2 Ｈ5 ＣＯＣ
ＨＣＯＣ2 Ｈ5 ）3 金属４，６−ノナンジオネート：Ｍ（Ｃ3 Ｈ7 ＣＯＣＨ
ＣＯＣ3 Ｈ7 ）3 金属２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオネート：
Ｍ［（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＯＣＨＣＯＣＨ（ＣＨ3 ）2 ］
3 金属５，７−ウンデカンジオネート：Ｍ（Ｃ4 Ｈ9 ＣＯ
ＣＨＣＯＣ4 Ｈ9 ）3 金属３，７−ジメチル−４，６−ノナンジオネート：Ｍ
［Ｃ2 Ｈ5 ＣＨ（ＣＨ3 ）ＣＯＣＨＣＯＣＨ（ＣＨ3 ）
Ｃ2 Ｈ5 ］3 金属２，８−ジメチル−４，６−ノナンジオネート：Ｍ
［（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＨ2 ＣＯＣＨＣＯＣＨ2 ＣＨ（Ｃ
Ｈ3 ）2 ］3 金属２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタン
ジオネート：Ｍ［（ＣＨ3 ）3 ＣＣＯＣＨＣＯＣ（ＣＨ
3 ）3 ］3 金属３−メチル−２， ４−ペンタンジオネート：Ｍ
（ＣＨ3 ＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣＨ3 ）3 金属４−メチル−３，５−ヘプタンジオネート：Ｍ（Ｃ
2 Ｈ5 ＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣ2 Ｈ5 ）3 金属５−メチル４，６−ノナンジオネート：Ｍ（Ｃ3 Ｈ
7 ＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣ3 Ｈ7 ）3 金属２，４，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオネ
ート：Ｍ［（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣＨ（Ｃ
Ｈ3 ）2 ］3 金属６−メチル５，７−ウンデカンジオネート：Ｍ（Ｃ
4 Ｈ9 ＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣ4 Ｈ9 ）3 金属３，５，７−トリメチル−４，６−ノナンジオネー
ト：Ｍ［Ｃ2 Ｈ5 ＣＨ（ＣＨ3 ）ＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣＨ
（ＣＨ3 ）Ｃ2 Ｈ5 ］3 金属２，５，８−トリメチル−４，６−ノナンジオネー
ト：Ｍ［（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＨ2 ＣＯＣＣＨ3 ＣＯＣＨ
2 ＣＨ（ＣＨ3 ）2 ］3 金属２，２，４，６，６−ペンタメチル−３，５−ヘプ
タンジオネート：Ｍ［（ＣＨ3 ）3 ＣＣＯＣＣＨ3 ＣＯ
Ｃ（ＣＨ3 ）3 ］3
【００２１】また、一般式（５）で示される化合物の具
体例としては、下記のような化合物があげられる。式
（８）で示される金属トリス（Ｎ−ベンジリデンアント
ラニレート）、式（９）で示される金属トリス［Ｎ−
（ｐ−メチルベンジリデン）アントラニレート］、式
（１０）で示される金属トリス［Ｎ−（ｐ−エチルベン
ジリデン）アントラニレート］、式（１１）で示される
金属トリス［Ｎ−（ｐ−プロピルベンジリデン）アント
ラニレート］、式（１２）で示される金属トリス［Ｎ−
（ｐ−メトキシベンジリデン）アントラニレート］、式
（１３）で示される金属トリス［Ｎ−（ｐ−エトキシベ
ンジリデン）アントラニレート］、式（１４）で示され
る金属トリス［Ｎ−（ｍ−メチルベンジリデン）アント
ラニレート］、式（１５）で示される金属トリス［Ｎ−
（ｏ−メチルベンジリデン）アントラニレート］であ
る。
体例としては、下記のような化合物があげられる。式
（８）で示される金属トリス（Ｎ−ベンジリデンアント
ラニレート）、式（９）で示される金属トリス［Ｎ−
（ｐ−メチルベンジリデン）アントラニレート］、式
（１０）で示される金属トリス［Ｎ−（ｐ−エチルベン
ジリデン）アントラニレート］、式（１１）で示される
金属トリス［Ｎ−（ｐ−プロピルベンジリデン）アント
ラニレート］、式（１２）で示される金属トリス［Ｎ−
（ｐ−メトキシベンジリデン）アントラニレート］、式
（１３）で示される金属トリス［Ｎ−（ｐ−エトキシベ
ンジリデン）アントラニレート］、式（１４）で示され
る金属トリス［Ｎ−（ｍ−メチルベンジリデン）アント
ラニレート］、式（１５）で示される金属トリス［Ｎ−
（ｏ−メチルベンジリデン）アントラニレート］であ
る。
【００２２】
【化１２】
【００２３】本発明においては、抵抗値を調整するため
に、添加元素として、シリコン、ビスマス、鉛、アルミ
ニウム、ジルコニウム、カルシウム、錫、ホウ素、チタ
ンおよびバリウムから選ばれた少なくとも１種の元素を
含有させてもよい。その場合、これら添加元素を含有す
る化合物を前記有機金属化合物と混合して用いるが、添
加物元素を含有する化合物は、使用する溶媒に可溶、ま
たは高分子、高分子前駆体との相互作用により可溶とな
ればよく、特に限定されるものではない。具体的には、
例えば、次のような化合物、または市販の金属レジネー
ト等があげられる。 Ｓｉ ポリ（ジトリルシロキサン）、テトラエトキシ
シラン Ｂｉ ２−エチルヘキサン酸ビスマス Ｐｂ ２−エチルヘキサン酸鉛 Ａｌ ラウリン酸アルミニウム Ｚｒ ２−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウム Ｃａ ２−エチルヘキサン酸カルシウム Ｓｎ ２−エチルヘキサン酸錫 Ｂ ２−エチルヘキサン酸ホウ素 Ｔｉ テトライソプロポキシチタン Ｂａ ２−エチルヘキサン酸バリウム
に、添加元素として、シリコン、ビスマス、鉛、アルミ
ニウム、ジルコニウム、カルシウム、錫、ホウ素、チタ
ンおよびバリウムから選ばれた少なくとも１種の元素を
含有させてもよい。その場合、これら添加元素を含有す
る化合物を前記有機金属化合物と混合して用いるが、添
加物元素を含有する化合物は、使用する溶媒に可溶、ま
たは高分子、高分子前駆体との相互作用により可溶とな
ればよく、特に限定されるものではない。具体的には、
例えば、次のような化合物、または市販の金属レジネー
ト等があげられる。 Ｓｉ ポリ（ジトリルシロキサン）、テトラエトキシ
シラン Ｂｉ ２−エチルヘキサン酸ビスマス Ｐｂ ２−エチルヘキサン酸鉛 Ａｌ ラウリン酸アルミニウム Ｚｒ ２−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウム Ｃａ ２−エチルヘキサン酸カルシウム Ｓｎ ２−エチルヘキサン酸錫 Ｂ ２−エチルヘキサン酸ホウ素 Ｔｉ テトライソプロポキシチタン Ｂａ ２−エチルヘキサン酸バリウム
【００２４】これらの添加元素の添加により高分子中で
の金属酸化物の量を減少させることなく抵抗値の変更が
可能となる。前記金属酸化物の金属と上記添加元素との
量比は、所望する抵抗値によって決まるが、（添加元
素）／（金属）の原子数比が２／１以下、好ましくは１
／１〜０．０１／１程度になるように用いる。高分子化
合物と金属酸化物を形成するための有機金属化合物との
量比は、所望する電気特性により決定されるが、最終的
な高分子複合体の高分子化合物の繰り返し構造単位あた
りの金属原子のモル％で、１〜３００％であり、好まし
くは５〜２００％である。１％以下であると高分子複合
体が絶縁性になり、３００％以上であると高分子複合体
がもろくなる傾向が見られる。
の金属酸化物の量を減少させることなく抵抗値の変更が
可能となる。前記金属酸化物の金属と上記添加元素との
量比は、所望する抵抗値によって決まるが、（添加元
素）／（金属）の原子数比が２／１以下、好ましくは１
／１〜０．０１／１程度になるように用いる。高分子化
合物と金属酸化物を形成するための有機金属化合物との
量比は、所望する電気特性により決定されるが、最終的
な高分子複合体の高分子化合物の繰り返し構造単位あた
りの金属原子のモル％で、１〜３００％であり、好まし
くは５〜２００％である。１％以下であると高分子複合
体が絶縁性になり、３００％以上であると高分子複合体
がもろくなる傾向が見られる。
【００２５】次に塗布工程について説明する。塗布は、
スピンコーティング、ディップコーティング、バーコー
ティング、スプレーコーティング等の通常よく用いる塗
布方法により、所望の形状の被塗布基体、例えば、デバ
イス等の上に塗布する。ガラス板等に塗布し、後工程の
後に剥離させることにより、容易にフィルム化すること
もできる。また、ファイバー状に加工することもでき
る。塗布後の乾燥工程では、自然乾燥、加熱乾燥、真空
乾燥等、またそれらの組合せのいずれかで行う。加熱乾
燥する場合の温度は、５０〜２００℃で行い、用いる溶
媒によって条件が異なるが、おおむね、５０〜１５０℃
で行うのが好ましい。この乾燥工程は、窒素等の不活性
雰囲気下、フロー下で行っても良い。
スピンコーティング、ディップコーティング、バーコー
ティング、スプレーコーティング等の通常よく用いる塗
布方法により、所望の形状の被塗布基体、例えば、デバ
イス等の上に塗布する。ガラス板等に塗布し、後工程の
後に剥離させることにより、容易にフィルム化すること
もできる。また、ファイバー状に加工することもでき
る。塗布後の乾燥工程では、自然乾燥、加熱乾燥、真空
乾燥等、またそれらの組合せのいずれかで行う。加熱乾
燥する場合の温度は、５０〜２００℃で行い、用いる溶
媒によって条件が異なるが、おおむね、５０〜１５０℃
で行うのが好ましい。この乾燥工程は、窒素等の不活性
雰囲気下、フロー下で行っても良い。
【００２６】熱処理工程は、空気、酸素、空気／酸素の
混合系、窒素等の不活性ガス、不活性ガス／空気の混合
系等の雰囲気下またはフロー下で行う。温度は用いる原
料（高分子、高分子前駆体、有機金属化合物等）の分解
温度、熱硬化温度等に依存し、有機金属化合物の分解温
度、また熱硬化型高分子化合物の熱硬化温度以上、高分
子化合物の分解温度以下である。おおむね１５０〜５０
０℃で行う。熱処理時間は、有機金属化合物の分解速
度、また熱硬化型高分子化合物の熱硬化速度等により決
定されるが、高分子化合物の劣化が起こらないよう、極
力短くするのが好ましい。おおむね１分〜２４時間程度
である。
混合系、窒素等の不活性ガス、不活性ガス／空気の混合
系等の雰囲気下またはフロー下で行う。温度は用いる原
料（高分子、高分子前駆体、有機金属化合物等）の分解
温度、熱硬化温度等に依存し、有機金属化合物の分解温
度、また熱硬化型高分子化合物の熱硬化温度以上、高分
子化合物の分解温度以下である。おおむね１５０〜５０
０℃で行う。熱処理時間は、有機金属化合物の分解速
度、また熱硬化型高分子化合物の熱硬化速度等により決
定されるが、高分子化合物の劣化が起こらないよう、極
力短くするのが好ましい。おおむね１分〜２４時間程度
である。
【００２７】
【実施例】以下に本発明を実施例によってさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の思想を逸脱しない範囲で種々の変形
および応用が可能である。 実施例１ Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｏｌｙｍ． Ｓｃｉ．，４２，２
２６７（１９９１）に記載の方法により合成した下記構
造式（１６）で示される繰り返し構造単位よりなるポリ
アミドイミド（Ｎ−メチル−２−ピロリドン中３０℃で
の固有粘度１．４２ｄ１／ｇ）のＮ−メチル−２−ピロ
リドン溶液（固形分比１０％）５．０ｇに、２−エチル
ヘキサン酸イリジウムのＮ−メチル−２−ピロリドン溶
液（イリジウム含有量３０％）０．２５ｇを加え混合し
た。この混合溶液をエリクセンアプリケータでガラス板
上に塗布し、１３０℃で１時間乾燥した。その後、窒素
雰囲気下３００℃で１時間熱処理を行った。得られたフ
ィルムについて四端子法で表面抵抗を測定した結果、３
×１０8 Ω／□であった。
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の思想を逸脱しない範囲で種々の変形
および応用が可能である。 実施例１ Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｏｌｙｍ． Ｓｃｉ．，４２，２
２６７（１９９１）に記載の方法により合成した下記構
造式（１６）で示される繰り返し構造単位よりなるポリ
アミドイミド（Ｎ−メチル−２−ピロリドン中３０℃で
の固有粘度１．４２ｄ１／ｇ）のＮ−メチル−２−ピロ
リドン溶液（固形分比１０％）５．０ｇに、２−エチル
ヘキサン酸イリジウムのＮ−メチル−２−ピロリドン溶
液（イリジウム含有量３０％）０．２５ｇを加え混合し
た。この混合溶液をエリクセンアプリケータでガラス板
上に塗布し、１３０℃で１時間乾燥した。その後、窒素
雰囲気下３００℃で１時間熱処理を行った。得られたフ
ィルムについて四端子法で表面抵抗を測定した結果、３
×１０8 Ω／□であった。
【化１３】
【００２８】実施例２ 乾燥窒素気流下にて、ジメチルアセトアミド２０ｍｌ中
に下記構造式（１７）で示されるジアミノジフェニルエ
ーテル０．９５８ｇを溶解し、完全に溶解したら１０〜
１５℃で下記構造式（１８）で示されるピロメリット酸
２無水物１．０４ｇを徐々に加える。続いて乾燥窒素気
流下にて、１０〜１５℃に保ちながら１時間ゆっくりと
攪拌し、さらに２０〜２５℃に保ちながら３時間撹拌を
続けて下記構造式（１９）で示される繰り返し構造単位
よりなるポリアミック酸の溶液を得た（ジメチルアセト
アミド中３０℃での固有粘度１．５５ｄｌ／ｇ）。この
ポリアミック酸の溶液５ｇにＮＥケムキャット社製イリ
ジウムレジネート（Ａ−１１２３、イリジウム含有量〜
２０％）０．２５ｇを加え混合した。この混合溶液をエ
リクセンアプリケータでガラス板上に塗布し、１時間自
然放置した後、１３０℃で１時間乾燥した。その後、窒
素雰囲気下３５０℃で１時間熱処理を行った。その結
果、イリジウム酸化物を含有する下記構造式（２０）で
示される繰り返し構造単位よりなるポリイミドフィルム
が形成された。フィルム断面をＴＥＭ（透過型電子顕微
鏡）で観察すると、数ｎｍ〜数十ｎｍの粒子が観測され
た。四端子法で表面抵抗を測定した結果、１×１０8 Ω
／□であった。
に下記構造式（１７）で示されるジアミノジフェニルエ
ーテル０．９５８ｇを溶解し、完全に溶解したら１０〜
１５℃で下記構造式（１８）で示されるピロメリット酸
２無水物１．０４ｇを徐々に加える。続いて乾燥窒素気
流下にて、１０〜１５℃に保ちながら１時間ゆっくりと
攪拌し、さらに２０〜２５℃に保ちながら３時間撹拌を
続けて下記構造式（１９）で示される繰り返し構造単位
よりなるポリアミック酸の溶液を得た（ジメチルアセト
アミド中３０℃での固有粘度１．５５ｄｌ／ｇ）。この
ポリアミック酸の溶液５ｇにＮＥケムキャット社製イリ
ジウムレジネート（Ａ−１１２３、イリジウム含有量〜
２０％）０．２５ｇを加え混合した。この混合溶液をエ
リクセンアプリケータでガラス板上に塗布し、１時間自
然放置した後、１３０℃で１時間乾燥した。その後、窒
素雰囲気下３５０℃で１時間熱処理を行った。その結
果、イリジウム酸化物を含有する下記構造式（２０）で
示される繰り返し構造単位よりなるポリイミドフィルム
が形成された。フィルム断面をＴＥＭ（透過型電子顕微
鏡）で観察すると、数ｎｍ〜数十ｎｍの粒子が観測され
た。四端子法で表面抵抗を測定した結果、１×１０8 Ω
／□であった。
【化１４】
【００２９】実施例３ 実施例２と同様にポリアミック酸の溶液を作製し、２−
エチルヘキサン酸イリジウム、イリジウムアセチルアセ
トネート、またはイリジウムトリス［Ｎ−（エチルベン
ジリデン）アントラニレート］、またはその溶液を加
え、ポリアミック酸の繰り返し構造単位に対して、２０
モル％になるように調整した。これをポリイミドフィル
ム（東レデュポン社製：Ｋａｐｔｏｎ）上にエリクセン
アプリケータを用いて塗布した。１３０℃で１時間乾燥
後、３００℃で１時間熱処理を行った。上記いずれのイ
リジウム化合物を用いた場合にも、表面抵抗が約１０7
Ω／□のフィルムが得られた。 実施例４ 有機金属化合物として２−エチルヘキサン酸ルテニウ
ム、またはルテニウムアセチルアセトネートを用い、ポ
リアミック酸の繰り返し構造単位に対して、１０モル％
になるように調整した以外は実施例３と同様に行った。
上記いずれのルテニウム化合物を用いた場合にも、表面
抵抗が約１０7 Ω／□のフィルムが得られた。 実施例５ 有機金属化合物として２−エチルヘキサン酸ロジウム、
またはロジウムアセチルアセトネートを用い、ポリアミ
ック酸の繰り返し構造単位に対して、１５モル％になる
ように調整した以外は実施例３と同様に行った。表面抵
抗は約１０9 Ω／□であった。
エチルヘキサン酸イリジウム、イリジウムアセチルアセ
トネート、またはイリジウムトリス［Ｎ−（エチルベン
ジリデン）アントラニレート］、またはその溶液を加
え、ポリアミック酸の繰り返し構造単位に対して、２０
モル％になるように調整した。これをポリイミドフィル
ム（東レデュポン社製：Ｋａｐｔｏｎ）上にエリクセン
アプリケータを用いて塗布した。１３０℃で１時間乾燥
後、３００℃で１時間熱処理を行った。上記いずれのイ
リジウム化合物を用いた場合にも、表面抵抗が約１０7
Ω／□のフィルムが得られた。 実施例４ 有機金属化合物として２−エチルヘキサン酸ルテニウ
ム、またはルテニウムアセチルアセトネートを用い、ポ
リアミック酸の繰り返し構造単位に対して、１０モル％
になるように調整した以外は実施例３と同様に行った。
上記いずれのルテニウム化合物を用いた場合にも、表面
抵抗が約１０7 Ω／□のフィルムが得られた。 実施例５ 有機金属化合物として２−エチルヘキサン酸ロジウム、
またはロジウムアセチルアセトネートを用い、ポリアミ
ック酸の繰り返し構造単位に対して、１５モル％になる
ように調整した以外は実施例３と同様に行った。表面抵
抗は約１０9 Ω／□であった。
【００３０】実施例６ 乾燥窒素気流下にて、ジメチルアセトアミド７．５ｍｌ
中に下記構造式（２１）で示される２，２−ビス［４
（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフロロプロ
パン１．０２８ｇを溶解し、完全に溶解したら下記構造
式（２２）で示される４，４′−（ヘキサフロロイソプ
ロピリデン）２無水フタル酸０．８８８ｇを徐々に加え
た。続いて乾燥窒素気流下にて、１０〜１５℃に保ちな
がら１時間ゆっくりと攪拌し、さらに２０〜２５℃に保
ちながら２時間攪拌を続けて下記構造式（２３）で示さ
れる高分子化合物の溶液を得た。この溶液を用い実施例
３と同様に高分子複合体を作製した。その結果、イリジ
ウム酸化物を含有する下記構造式（２４）で示されるポ
リイミドフィルムが形成された。その表面抵抗は約１０
7 Ω／□であった。
中に下記構造式（２１）で示される２，２−ビス［４
（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフロロプロ
パン１．０２８ｇを溶解し、完全に溶解したら下記構造
式（２２）で示される４，４′−（ヘキサフロロイソプ
ロピリデン）２無水フタル酸０．８８８ｇを徐々に加え
た。続いて乾燥窒素気流下にて、１０〜１５℃に保ちな
がら１時間ゆっくりと攪拌し、さらに２０〜２５℃に保
ちながら２時間攪拌を続けて下記構造式（２３）で示さ
れる高分子化合物の溶液を得た。この溶液を用い実施例
３と同様に高分子複合体を作製した。その結果、イリジ
ウム酸化物を含有する下記構造式（２４）で示されるポ
リイミドフィルムが形成された。その表面抵抗は約１０
7 Ω／□であった。
【化１５】 （式中ｎ′は約５００である。）
【００３１】実施例７ 実施例３において、イリジウムに対して１０％に相当す
る量になるように２−エチルヘキサン酸ルテニウムをさ
らに加え、高分子複合体の作製を行った。その結果、表
面抵抗は減少した。
る量になるように２−エチルヘキサン酸ルテニウムをさ
らに加え、高分子複合体の作製を行った。その結果、表
面抵抗は減少した。
【００３２】実施例８ 実施例１において記載したと同様の上記構造式（１６）
のポリアミドイミド（Ｎ−メチル−２−ピロリドン中３
０℃での固有粘度１．４２ｄｌ／ｇ）のＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液（固形分比１０％）５．０ｇに、２−
エチルヘキサン酸イリジウムのＮ−メチル−２−ピロリ
ドン溶液（イリジウム含有量３０％）０．４０ｇ、ポリ
（ジトリルシロキサン）０．０１ｇおよび２−エチルヘ
キサン酸ビスマス０．０１ｇを加え混合した。この混合
溶液をエリクセンアプリケータでガラス板上に塗布し、
１３０℃で１時間乾燥した。その後、窒素雰囲気下３０
０℃で１時間熱処理を行った。得られたフィルムについ
て、四端子法で表面抵抗を測定した結果、５×１０8 Ω
／□であった。
のポリアミドイミド（Ｎ−メチル−２−ピロリドン中３
０℃での固有粘度１．４２ｄｌ／ｇ）のＮ−メチル−２
−ピロリドン溶液（固形分比１０％）５．０ｇに、２−
エチルヘキサン酸イリジウムのＮ−メチル−２−ピロリ
ドン溶液（イリジウム含有量３０％）０．４０ｇ、ポリ
（ジトリルシロキサン）０．０１ｇおよび２−エチルヘ
キサン酸ビスマス０．０１ｇを加え混合した。この混合
溶液をエリクセンアプリケータでガラス板上に塗布し、
１３０℃で１時間乾燥した。その後、窒素雰囲気下３０
０℃で１時間熱処理を行った。得られたフィルムについ
て、四端子法で表面抵抗を測定した結果、５×１０8 Ω
／□であった。
【００３３】実施例９ 乾燥窒素気流下にて、ジメチルアセトアミド２０ｍｌ中
に前記構造式（１７）で示されるジアミノジフェニルエ
ーテル０．９５８ｇを溶解し、完全に溶解したら１０〜
１５℃で前記構造式（１８）で示されるピロメリット酸
２無水物１．０４ｇを徐々に加える。続いて乾燥窒素気
流下にて、１０〜１５℃に保ちながら１時間ゆっくりと
攪拌し、さらに２０〜２５℃に保ちながら３時間撹拌を
続けて前記構造式（１９）で示される繰り返し構造単位
よりなるポリアミック酸の溶液を得た（ジメチルアセト
アミド中３０℃での固有粘度１．４５ｄｌ／ｇ）。この
ポリアミック酸の溶液５ｇにＮＥケムキャット社製イリ
ジウムレジネート（Ａ−１１２３、イリジウム含有量〜
２０％）０．５０ｇ、２−エチルヘキサン酸鉛０．０１
ｇおよび２−エチルヘキサン酸バリウム０．０１ｇを加
えて混合した。この混合溶液をエリクセンアプリケータ
でガラス板上に塗布し、１時間自然放置後、１３０℃で
１時間乾燥した。その後、窒素雰囲気下３５０℃で１時
間熱処理を行った。その結果、イリジウム酸化物、鉛お
よびバリウムを含有する前記構造式（２０）で示される
繰り返し構造単位よりなるポリイミドフィルムが形成さ
れた。フィルム断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観
察すると、数ｎｍ〜数十ｎｍの粒子が観測された。四端
子法で表面抵抗を測定した結果、３×１０8 Ω／□であ
った。
に前記構造式（１７）で示されるジアミノジフェニルエ
ーテル０．９５８ｇを溶解し、完全に溶解したら１０〜
１５℃で前記構造式（１８）で示されるピロメリット酸
２無水物１．０４ｇを徐々に加える。続いて乾燥窒素気
流下にて、１０〜１５℃に保ちながら１時間ゆっくりと
攪拌し、さらに２０〜２５℃に保ちながら３時間撹拌を
続けて前記構造式（１９）で示される繰り返し構造単位
よりなるポリアミック酸の溶液を得た（ジメチルアセト
アミド中３０℃での固有粘度１．４５ｄｌ／ｇ）。この
ポリアミック酸の溶液５ｇにＮＥケムキャット社製イリ
ジウムレジネート（Ａ−１１２３、イリジウム含有量〜
２０％）０．５０ｇ、２−エチルヘキサン酸鉛０．０１
ｇおよび２−エチルヘキサン酸バリウム０．０１ｇを加
えて混合した。この混合溶液をエリクセンアプリケータ
でガラス板上に塗布し、１時間自然放置後、１３０℃で
１時間乾燥した。その後、窒素雰囲気下３５０℃で１時
間熱処理を行った。その結果、イリジウム酸化物、鉛お
よびバリウムを含有する前記構造式（２０）で示される
繰り返し構造単位よりなるポリイミドフィルムが形成さ
れた。フィルム断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観
察すると、数ｎｍ〜数十ｎｍの粒子が観測された。四端
子法で表面抵抗を測定した結果、３×１０8 Ω／□であ
った。
【００３４】実施例１０ 実施例９と同様にポリアミック酸の溶液を作製し、２−
エチルヘキサン酸イリジウム、イリジウムアセチルアセ
トネート、またはイリジウムトリス［Ｎ−（エチルベン
ジリデン）アントラニレート］、またはその溶液を加
え、ポリアミック酸の繰り返し構造単位に対して、２０
モル％になるように調整した。これにラウリン酸アルミ
ニウムをイリジウムに対して１０％になるように加えて
混合した。これをガラス板上にエリクセンアプリケータ
を用いて塗布した。１３０℃で１時間乾燥後、３００℃
で１時間熱処理を行った。上記いずれのイリジウム化合
物を用いた場合にも、表面抵抗が約１０8 Ω／□のフィ
ルムが得られた。
エチルヘキサン酸イリジウム、イリジウムアセチルアセ
トネート、またはイリジウムトリス［Ｎ−（エチルベン
ジリデン）アントラニレート］、またはその溶液を加
え、ポリアミック酸の繰り返し構造単位に対して、２０
モル％になるように調整した。これにラウリン酸アルミ
ニウムをイリジウムに対して１０％になるように加えて
混合した。これをガラス板上にエリクセンアプリケータ
を用いて塗布した。１３０℃で１時間乾燥後、３００℃
で１時間熱処理を行った。上記いずれのイリジウム化合
物を用いた場合にも、表面抵抗が約１０8 Ω／□のフィ
ルムが得られた。
【００３５】実施例１１ 実施例１０において、イリジウム化合物をポリアミック
酸の繰り返し構造単位に対して１５モル％になるように
調整し、２−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムを１５
％になるように加えた以外は、実施例１０と同様に作製
した。表面抵抗が、約１０9 Ω／□のフィルムが得られ
た。 実施例１２ 有機金属化合物として２−エチルヘキサン酸ルテニウム
またはルテニウムアセチルアセトネートを用い、ポリア
ミック酸の繰り返し構造単位に対して、１０モル％にな
るように調整し、２−エチルヘキサン酸カルシウム、２
−エチルヘキサン酸錫を１：１で総量がルテニウムに対
して１０％になるように加えた以外は、実施例１０と同
様に行った。上記いずれのルテニウム化合物を用いた場
合にも、表面抵抗が約１０8 Ω／□のフィルムが得られ
た。 実施例１３ 有機金属化合物として２−エチルヘキサン酸ロジウムま
たはロジウムアセチルアセトネートを用い、高分子の繰
り返し構造単位に対して、１５モル％になるように調整
し、２−エチルヘキサン酸ホウ素とテトライソプロポキ
シチタンを１：１で総量がロジウムに対して１５％にな
るように加えた以外は、実施例１０と同様に行った。上
記いずれのロジウム化合物を用いた場合にも、表面抵抗
が約１０10Ω／□のフィルムが得られた。
酸の繰り返し構造単位に対して１５モル％になるように
調整し、２−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムを１５
％になるように加えた以外は、実施例１０と同様に作製
した。表面抵抗が、約１０9 Ω／□のフィルムが得られ
た。 実施例１２ 有機金属化合物として２−エチルヘキサン酸ルテニウム
またはルテニウムアセチルアセトネートを用い、ポリア
ミック酸の繰り返し構造単位に対して、１０モル％にな
るように調整し、２−エチルヘキサン酸カルシウム、２
−エチルヘキサン酸錫を１：１で総量がルテニウムに対
して１０％になるように加えた以外は、実施例１０と同
様に行った。上記いずれのルテニウム化合物を用いた場
合にも、表面抵抗が約１０8 Ω／□のフィルムが得られ
た。 実施例１３ 有機金属化合物として２−エチルヘキサン酸ロジウムま
たはロジウムアセチルアセトネートを用い、高分子の繰
り返し構造単位に対して、１５モル％になるように調整
し、２−エチルヘキサン酸ホウ素とテトライソプロポキ
シチタンを１：１で総量がロジウムに対して１５％にな
るように加えた以外は、実施例１０と同様に行った。上
記いずれのロジウム化合物を用いた場合にも、表面抵抗
が約１０10Ω／□のフィルムが得られた。
【００３６】実施例１４ 乾燥窒素気流下にて、ジメチルアセトアミド７．５ｍｌ
中に前記構造式（２１）で示される２，２−ビス［４
（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフロロプロ
パン１．０２８ｇを溶解し、完全に溶解したら前記構造
式（２２）で示される４，４′−（ヘキサフロロイソプ
ロピリデン）２無水フタル酸０．８８８ｇを徐々に加え
た。続いて乾燥窒素気流下にて、１０〜１５℃に保ちな
がら１時間ゆっくりと攪拌し、さらに２０〜２５℃に保
ちながら２時間攪拌を続けて前記構造式（２３）で示さ
れるポリアミック酸の溶液を得た。この溶液を用い実施
例１０と同様に高分子複合体を作製した。その結果、イ
リジウム酸化物およびアルミニウムを含有する前記構造
式（２４）で示される繰り返し構造単位よりなるポリイ
ミドフィルムが形成された。その表面抵抗は約１０8 Ω
／□であった。 実施例１５ 実施例１０において、イリジウムに対して１０％に相当
する量になるように２−エチルヘキサン酸ルテニウムを
さらに加え、高分子複合体の作製を行った。その結果、
表面抵抗は減少した。
中に前記構造式（２１）で示される２，２−ビス［４
（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフロロプロ
パン１．０２８ｇを溶解し、完全に溶解したら前記構造
式（２２）で示される４，４′−（ヘキサフロロイソプ
ロピリデン）２無水フタル酸０．８８８ｇを徐々に加え
た。続いて乾燥窒素気流下にて、１０〜１５℃に保ちな
がら１時間ゆっくりと攪拌し、さらに２０〜２５℃に保
ちながら２時間攪拌を続けて前記構造式（２３）で示さ
れるポリアミック酸の溶液を得た。この溶液を用い実施
例１０と同様に高分子複合体を作製した。その結果、イ
リジウム酸化物およびアルミニウムを含有する前記構造
式（２４）で示される繰り返し構造単位よりなるポリイ
ミドフィルムが形成された。その表面抵抗は約１０8 Ω
／□であった。 実施例１５ 実施例１０において、イリジウムに対して１０％に相当
する量になるように２−エチルヘキサン酸ルテニウムを
さらに加え、高分子複合体の作製を行った。その結果、
表面抵抗は減少した。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、電気的特性の安定した
高分子導電体／抵抗体を、簡便なプロセスで得ることが
できる。また。添加元素を加えた場合、容易に抵抗値の
調整が可能になる。さらに薄膜、ファイバー等への加工
も容易である。このような構成の本発明によれば、本発
明の技術分野に示したような電子デバイス等に応用で
き、また任意の形状の電子デバイス等の上に簡単に、か
つ低温で直接成膜でき、高品質、安価なデバイスを可能
とする。
高分子導電体／抵抗体を、簡便なプロセスで得ることが
できる。また。添加元素を加えた場合、容易に抵抗値の
調整が可能になる。さらに薄膜、ファイバー等への加工
も容易である。このような構成の本発明によれば、本発
明の技術分野に示したような電子デバイス等に応用で
き、また任意の形状の電子デバイス等の上に簡単に、か
つ低温で直接成膜でき、高品質、安価なデバイスを可能
とする。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−159907（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−49396（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−162752（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−41124（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−314302（ＪＰ，Ａ) 特公 昭57−29551（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01B 1/20 C08K 3/22 C08L 101/00 H01C 7/00
Claims (6)
- 【請求項１】 熱硬化型耐熱性高分子前駆体と、有機イ
リジウム化合物、有機ルテニウム化合物、有機ロジウム
化合物の少なくとも１種とが溶解している溶液を、塗布
した後、加熱処理することによって前記熱硬化型耐熱性
高分子前駆体の硬化反応を起こすと共に、イリジウム酸
化物、ルテニウム酸化物、ロジウム酸化物から選ばれる
少なくとも１種の金属酸化物を析出させることによって
得られた、耐熱性高分子化合物中に上記金属酸化物が分
散してなる高分子導電・抵抗体。 - 【請求項２】 熱硬化型耐熱性高分子前駆体と、有機イ
リジウム化合物、有機ルテニウム化合物、有機ロジウム
化合物の少なくとも１種、および、シリコン、ビスマ
ス、鉛、アルミニウム、ジルコニウム、カルシウム、
錫、ホウ素、チタンおよびバリウムから選ばれた少なく
とも１種の元素を含む化合物とが溶解している溶液を、
塗布した後、加熱処理することによって前記熱硬化型耐
熱性高分子前駆体の硬化反応を起こすと共に、イリジウ
ム酸化物、ルテニウム酸化物、ロジウム酸化物から選ば
れる少なくとも１種の金属酸化物を析出させることによ
って得られた、耐熱性高分子化合物中に上記金属酸化物
が分散してなる高分子導電・抵抗体。 - 【請求項３】 耐熱性高分子化合物が、下記の構造式
（１）で示される繰り返し構造単位よりなる高分子化合
物であることを特徴とする請求項１または２記載の高分
子導電・抵抗体。 【化１】 （式中Ｘは炭素数２以上の４価の有機基を表わし、Ｙは
炭素数２以上の２価の有機基を表わす。） - 【請求項４】 下記の構造式（２）で示される繰り返し
構造単位よりなるポリアミック酸と、有機イリジウム化
合物、有機ルテニウム化合物、有機ロジウム化合物の少
なくとも１種とが溶解している溶液を、塗布した後、加
熱処理することによって前記熱硬化型耐熱性高分子前駆
体の硬化反応を起こすと共に、イリジウム酸化物、ルテ
ニウム酸化物、ロジウム酸化物から選ばれる少なくとも
１種の金属酸化物を析出させることを特徴とする耐熱性
高分子化合物中に、上記金属酸化物を含有する請求項１
記載の高分子導電・抵抗体の製造方法。 【化２】 （式中Ｘは炭素数２以上の４価の有機基を表わし、Ｙは
炭素数２以上の２価の有機基を表わす。） - 【請求項５】 下記の構造式（２）で示される繰り返し
構造単位よりなるポリアミック酸と、有機イリジウム化
合物、有機ルテニウム化合物、有機ロジウム化合物の少
なくとも１種、および、シリコン、ビスマス、鉛、アル
ミニウム、ジルコニウム、カルシウム、錫、ホウ素、チ
タンおよびバリウムから選ばれた少なくとも１種の元素
を含む化合物とが溶解している溶液を、塗布した後、加
熱処理することによって前記熱硬化型耐熱性高分子前駆
体の硬化反応を起こすと共に、イリジウム酸化物、ルテ
ニウム酸化物、ロジウム酸化物から選ばれる少なくとも
１種の金属酸化物を析出させることを特徴とする耐熱性
高分子化合物中に、上記金属酸化物と、シリコン、ビス
マス、鉛、アルミニウム、ジルコニウム、カルシウム、
錫、ホウ素、チタンおよびバリウムから選ばれた少なく
とも１種の元素とを含有する請求項２記載の高分子導電
・抵抗体の製造方法。 【化３】 （式中Ｘは炭素数２以上の４価の有機基を表わし、Ｙは
炭素数２以上の２価の有機基を表わす。） - 【請求項６】 有機イリジウム化合物、有機ルテニウム
化合物、有機ロジウム化合物が、下記一般式（３）〜
（５）で示される化合物から選択された少なくとも１種
である請求項４または５記載の高分子導電・抵抗体の製
造方法。 Ｍ（Ｒ1 ＣＯＯ）3 （３） Ｍ（Ｒ2 ＣＯＣＲ4 ＣＯＲ3 ）3 （４） 【化４】 （式中、Ｍはイリジウム、ルテニウムまたはロジウムを
表し、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、それぞれアルキル基ま
たはアリール基を表し、Ｒ4 は水素原子、アルキル基ま
たはアリール基を表し、Ｒ5 は水素原子、アルキル基ま
たはアルコキシ基を表す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5272971A JP2958393B2 (ja) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | 高分子導電・抵抗体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5272971A JP2958393B2 (ja) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | 高分子導電・抵抗体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07105724A JPH07105724A (ja) | 1995-04-21 |
| JP2958393B2 true JP2958393B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=17521350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5272971A Expired - Fee Related JP2958393B2 (ja) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | 高分子導電・抵抗体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2958393B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008192455A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Narumi China Corp | 加熱調理器用ガラストッププレート |
| JP6932905B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2021-09-08 | 住友金属鉱山株式会社 | 抵抗ペースト及びその焼成により作製される抵抗体 |
-
1993
- 1993-10-06 JP JP5272971A patent/JP2958393B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105724A (ja) | 1995-04-21 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |