JP2948611B2 - Wiring correction device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はLSI上の部分的に存在する配線の不良場所や
原因の特定あるいは修正に好適な配線修正装置に関す
る。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring repair apparatus suitable for specifying or correcting a defective location or a cause of a partially existing wiring on an LSI.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

LSIの高性能化、高速化を目ざしてパターンの微細
化、高集積化が行われている。これにともないLSIの開
発が難しくなっており、開発期間の長期化を招いてい
る。このような状況下においては、LSIの設計において
もカット・アンド・トライなる回路製作技法が必要であ
ることを示している。すなわち、不良を発生したLSIの
配線を切断したり、任意個所に接続することにより、不
良の発生個所や原因を特定でき、それに続く特性評価や
設計変更が迅速に行える他、そのまま技術サンプルとし
てユーザに出荷することも可能になる。Pattern miniaturization and high integration are being performed with the aim of improving the performance and speed of LSIs. This has made LSI development more difficult, which has led to a longer development period. Under such circumstances, it is shown that a circuit manufacturing technique called cut-and-try is necessary even in LSI design. In other words, by cutting the wiring of the LSI in which the failure occurred or connecting it to an arbitrary location, the location and cause of the failure can be specified, and subsequent characteristic evaluation and design change can be performed quickly. Can be shipped to

このような要求に対応する従来技術としては、たとえ
ば、セミコンダクタ・ワールド（Semiconductor Worl
d）1987年９月号第27頁乃至第32頁（以下第１の従来技
術という）に記載されているように、集束イオンビーム
でLSI表面のパシベーション膜や層間絶縁膜に穴あけを
行い配線を露出させたのち、CVD（Ｃhemical Ｖapor Ｄ
eposition）ガスを導入し集束イオンビームを照射して
金属配線を形成する方法が紹介されている。また、エク
ステンデッド・アブストラクツ・オブ・ザ・セブンティ
ンス・コンファレンス・オン・ソリッドスティト・デバ
イセズ・アンド・マテリアルズ、東京1985年、第193頁
乃至第196頁（Extended Abstracts of the 17th Conter
ence on Solidstate Device and Materials, Tokyo,19
85.pp193〜196）（以下第２の従来技術という）に記載
されているように、CVDガス雰囲気中でレーザ照射を行
い、金属配線を形成する方法が紹介されている。また特
開昭62−127469号公報（以下第３の従来技術という）に
記載されているように、レーザCVDを用いた成膜装置が
提案されている。また特開平１−136973号公報（以下第
４の従来技術という）に記載されているように、レーザ
CVDによる配線形成および絶縁膜形成の方法が提案され
ている。Conventional technologies that meet such demands include, for example, Semiconductor World (Semiconductor World).
d) As described in September 1987, pages 27 to 32 (hereinafter referred to as first prior art), a hole is formed in a passivation film or an interlayer insulating film on an LSI surface with a focused ion beam to perform wiring. After exposing, CVD (C hemical V apor D
eposition) A method of introducing a gas and irradiating a focused ion beam to form a metal wiring is introduced. Also, Extended Abstracts of the Seventh Conference Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo 1985, 193 to 196 (Extended Abstracts of the 17th Conter)
ence on Solidstate Device and Materials, Tokyo, 19
85. pp. 193 to 196) (hereinafter referred to as a second prior art) introduces a method of forming a metal wiring by performing laser irradiation in a CVD gas atmosphere. Further, as described in JP-A-62-127469 (hereinafter referred to as a third conventional technique), a film forming apparatus using laser CVD has been proposed. Further, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-136973 (hereinafter referred to as a fourth prior art),
A method of forming a wiring and an insulating film by CVD has been proposed.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

上記第１の従来技術は、CVDガスとしてＷ（CO）_６を
用い、比抵抗100〜400μΩ・cmのＷ配線を形成でき、Al
配線との接触抵抗は5.5Ω以下そして成膜速度は50μｍ
×50μｍの領域に100nmの膜厚のＷ膜を10分間で形成で
きることを示している。しかるに、上記比抵抗および接
触抵抗から適用範囲が限定される。すなわち、論理LSI
などの高速処理を行う半導体装置において、接続抵抗が
高いと信号が遅延し、正常な動作が行えないので、高速
処理を行う半導体装置を修正する場合、配線の布設距離
が制限され、修正不可能なものも生じる。またスループ
ットの点についても問題があった。配線の布設距離が長
く、かつ布線本数が多い場合、上記第１の従来技術で
は、丸１日費しても修正できないことがあった。The first prior art uses W (CO) ₆ as a CVD gas, can form a W wiring having a specific resistance of 100 to 400 μΩ · cm,
The contact resistance with the wiring is 5.5Ω or less and the deposition rate is 50μm
This indicates that a W film having a thickness of 100 nm can be formed in a region of × 50 μm in 10 minutes. However, the application range is limited by the specific resistance and the contact resistance. That is, logic LSI
In semiconductor devices that perform high-speed processing such as high-speed processing, if the connection resistance is high, signals are delayed and normal operation cannot be performed. Also occur. There was also a problem in terms of throughput. In the case where the wiring laying distance is long and the number of the wirings is large, in the first prior art, it may not be possible to correct even if a full day is spent.

上記第２の従来技術は、Ｍ（CO）_６をCVDガスとして
用い、Arレーザ光を走査してMo配線を形成する技術が紹
介されている。該第２の従来技術によれば、CVDガス圧
が高いほど、Mo配線の膜厚および配線幅は大きく成膜速
度が高くなっている。また第２の従来技術と第１の従来
技術との成膜速度を比較すると、第２の従来技術の方が
５倍以上早く、スループットの点で有利と言える。比抵
抗についても第２の従来技術の方が40μΩ・cmと第１の
従来技術に比べて2/5〜1/10と小さく、接続抵抗の点で
も有利である。しかるに上記第２の従来技術は、単にレ
ーザCVD技術を用いてSiO₂で被覆されたSi基板上にMo配
線を形成することについて記載されているが、実際の半
導体装置の配線を修正するための装置の構成については
何も記載がない。In the second conventional technique, a technique of forming Mo wiring by scanning an Ar laser beam using M (CO) ₆ as a CVD gas is introduced. According to the second conventional technique, as the CVD gas pressure is higher, the film thickness and the wiring width of the Mo wiring are larger and the film forming speed is higher. In addition, comparing the film forming speeds of the second prior art and the first prior art, it can be said that the second prior art is more than five times faster and advantageous in terms of throughput. The specific resistance of the second conventional technique is 40 μΩ · cm, which is 2/5 to 1/10 smaller than that of the first conventional technique, and is advantageous in connection resistance. However, the above-mentioned second prior art describes formation of Mo wiring on a Si substrate covered with SiO ₂ simply by using a laser CVD technique, but it is intended to correct the wiring of an actual semiconductor device. Nothing is described about the configuration of the device.

上記第３の従来技術は、CVDガス供給部から反応容器
に至るまでをヒータなどで加熱し、昇華性物質の蒸気圧
を高め、かつレーザ透過用窓や反応容器の内壁に昇華性
物質が再結晶化するを防止している。しかるに加熱温度
によっては、対物レンズとレーザ光透過用の窓や反応容
器との間の大気に対流が生じ、対物レンズおよびそれを
含む光学系が加熱されて光軸がずれたり、観察像が歪ん
だりし、高精度のレーザ照射を行えないという問題があ
った。According to the third conventional technique, the space from the CVD gas supply section to the reaction vessel is heated by a heater or the like to increase the vapor pressure of the sublimable substance, and the sublimable substance is re-applied to the laser transmission window or the inner wall of the reaction vessel. Prevents crystallization. However, depending on the heating temperature, convection occurs in the atmosphere between the objective lens and the window for transmitting the laser beam and the reaction vessel, and the objective lens and the optical system including the objective lens are heated, and the optical axis shifts and the observed image is distorted. However, there is a problem that high-precision laser irradiation cannot be performed.

上記第４の従来技術は、ノズルよりCVDガスを吹き付
けながらレーザ照射を行って配線および絶縁膜を形成す
る方法が提案されている。しかるに該第４の従来技術で
使用されいる配線成形用のCVDガスは、シボランとシラ
ンの混合ガスであり、形成される配線はボロンドープシ
リコンであるため、比抵抗が高く（一般にｍΩ・cmオー
ダ）、第１の従来技術で述べたように適用範囲が制限さ
れる。また第４の従来技術に第２の従来技術で用いたMo
（CO）_６のCVDガスを用いて低抵抗配線を形成すること
も考えられるが、Mo（CO）_６は昇華性物質であり室温で
の蒸気圧は0.1Torr程度のため、ノズルより得られるCVD
ガスの流量は上記シラン系ガスより桁違いに小さいの
で、ノズルとレーザ光の集光点を非現実的な値にしても
レーザ照射部にCVDガスは安定して供給されず、低抵抗
配線の高速形成は困難であった。さらに第４の従来技術
は対物レンズがチャンバの外方位置に設置されている。
そのため、この構成では修正すべきLSIよりもレーザ光
を透過するための窓の方を大きくしなければならない。
たとえば修正すべきLSIが６インチウエハ内に数個所あ
るとしたならば、窓の大きさは６インチ径以上なければ
修正できないことになる。このとき、窓全体には180kg
近い力が加わる（CVDガスチャンバ内はロータリポンプ
により排気されているため）ので、これに耐えうるよう
に窓の厚さを厚くしなければならなくなり、必然的に対
物レンズも長い作動距離のもの（低N.A.レンズ）を使用
しなければならない。その結果、高精度なレーザ照射が
できないという問題が生じていた。本発明の目的はCVD
ガス圧を高圧の状態で成膜して高スループットで低抵抗
接続と配線成形速度の高速化を可能とする配線修正装置
を提供することにある。The fourth prior art proposes a method of forming a wiring and an insulating film by performing laser irradiation while blowing a CVD gas from a nozzle. However, since the CVD gas for forming the wiring used in the fourth prior art is a mixed gas of siborane and silane, and the formed wiring is boron-doped silicon, the specific resistance is high (generally in the order of mΩ · cm). ), The application range is limited as described in the first prior art. In addition, the fourth prior art uses the Mo used in the second prior art.
CVD (CO) using a ₆ CVD gas is also conceivable to form the low-resistance wiring, Mo (CO) ₆ is the vapor pressure at room temperature a sublimable substance for about 0.1 Torr, obtained from nozzle
Since the flow rate of the gas is orders of magnitude smaller than that of the silane-based gas, even if the nozzle and the focal point of the laser beam are set to an unrealistic value, the CVD gas is not stably supplied to the laser irradiation part, and the low-resistance wiring High speed formation was difficult. Further, in the fourth prior art, the objective lens is installed at a position outside the chamber.
Therefore, in this configuration, the window for transmitting the laser beam must be larger than the LSI to be corrected.
For example, if there are several LSIs to be corrected in a 6-inch wafer, the window cannot be corrected unless the size of the window is 6 inches or more. At this time, the entire window is 180 kg
Since a close force is applied (since the inside of the CVD gas chamber is evacuated by the rotary pump), the window must be thick enough to withstand this, and the objective lens must have a long working distance. (Low NA lens) must be used. As a result, there has been a problem that high-precision laser irradiation cannot be performed. Object of the present invention is CVD
It is an object of the present invention to provide a wire repairing device that enables high-throughput, low-resistance connection and high-speed wire forming speed by forming a film at a high gas pressure.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記目的を達成するために、本発明の配線修正装置に
おいては、メインチャンバ内にサブチャンバと、該サブ
チャンバ内に位置する試料をX,Y,Z方向に位置決めする
X,Y,Zステージとを備え、かつ上記サブチャンバ内を加
熱する加熱手段と上記サブチャンバ内にCVDガスを供給
するCVDガス供給手段と上記試料にレーザ光を照射する
レーザ光学系と上記メインチャンバおよび上記サブチャ
ンバ内を真空にする排気手段とを備え、上記両チャンバ
内を真空雰囲気にして上記サブチャンバ内の温度を上げ
るとともにCVDガス圧を上げて上記試料を配線形成する
ように構成したものである。In order to achieve the above object, in the wiring repair apparatus of the present invention, a sub-chamber in a main chamber and a sample located in the sub-chamber are positioned in X, Y, and Z directions.
A heating means for heating the inside of the sub-chamber, a CVD gas supply means for supplying a CVD gas into the sub-chamber, a laser optical system for irradiating the sample with laser light, and An exhaust means for evacuating the chamber and the sub-chamber, and forming a vacuum atmosphere in both chambers to raise the temperature in the sub-chamber and increase the CVD gas pressure to form the wiring of the sample. Things.

また上記レーザ光学系の対物レンズに高N.A.レンズを
用いて高精度のレーザ照射を行うため、上記対物レンズ
をメインチャンバ内に設け、サブチャンバのレーザ光を
透過する窓に透明導電膜からなる加熱手段を設けたもの
である。Also, in order to perform high-precision laser irradiation using a high NA lens as the objective lens of the laser optical system, the objective lens is provided in the main chamber, and a heating window made of a transparent conductive film is provided in a window of the sub-chamber for transmitting laser light. Means are provided.

またレーザ光学系の対物レンズをよりり高N.A.レンズ
を用いて高精度のレーザ照射を行うため、上記対物レン
ズをサブチャンバ内に設けたものである。In order to perform high-precision laser irradiation using a high NA lens by using an objective lens of a laser optical system, the objective lens is provided in a sub-chamber.

またCVDガスの供給過剰によってサブチャンバとボン
ベとの間で目詰りするのを防止するため、サブチャンバ
全体の加熱温度よりも上流のボンベ側に行くにともなっ
て加熱温度が低くなるように加熱手段を設けたものであ
る。Also, in order to prevent clogging between the sub-chamber and the cylinder due to excessive supply of the CVD gas, a heating means is provided so that the heating temperature becomes lower toward the cylinder upstream of the heating temperature of the entire sub-chamber. Is provided.

また試料を塵埃などが付着することなく搬送しかつ試
料の焦点合せをするため、サブチャンバを構成するチャ
ンバ部材間に上下方向に自由度を有するベローを介挿
し、下方のチャンバ部材と試料台との間に隙間を形成し
て試料台および試料を搬送可能に構成したものである。In addition, in order to transport the sample without dust and the like and focus the sample, a bellows having a degree of freedom in the vertical direction is inserted between the chamber members constituting the sub-chamber, and the lower chamber member and the sample table are connected. The sample stage and the sample can be transported by forming a gap between them.

〔作用〕[Action]

本発明はメインチャンバ内にサブチャンバを設け、該
サブチャンバ内にLSIを挿入したのち、サブチャンバ内
にCVDガスを供給するとともに加熱手段によって温度調
節するので、室温において低蒸気圧の昇華性物質などを
CVD材料として用いても高蒸気圧で導入できる。したが
って高い成膜速度が得られ、高スループットかつ低抵抗
でLSIを配線補修することができる。The present invention provides a sub-chamber in the main chamber, inserts an LSI into the sub-chamber, supplies a CVD gas into the sub-chamber, and adjusts the temperature by heating means. Etc.
Even when used as a CVD material, it can be introduced with a high vapor pressure. Therefore, a high deposition rate can be obtained, and the wiring of the LSI can be repaired with high throughput and low resistance.

また排気系により両チャンバ内を真空雰囲気にしてい
るため、サブチャンバ内の加熱された熱がメインチャン
バに伝わらないし、メインチャンバ内に対物レンズを設
けた場合には対物レンズに伝わらない。そしてメインチ
ャンバとサブチャンバとの圧力差は小さいから、レーザ
光を試料に導入するために窓を大きくしても薄いものを
使用することができ、これによってレーザ光の照射ずれ
を生ずることなくかつ作動距離の短い対物レンズ（高N.
Aレンズ）を使用することができるので、高精度なレー
ザ照射を達成することができる。Further, since both chambers are brought into a vacuum atmosphere by the exhaust system, the heated heat in the sub-chamber is not transmitted to the main chamber, and is not transmitted to the objective lens when the objective lens is provided in the main chamber. And since the pressure difference between the main chamber and the sub-chamber is small, a thin window can be used even if the window is enlarged to introduce the laser beam into the sample, and thereby the laser beam irradiation deviation does not occur and Objective lens with short working distance (high N.
A lens) can be used, so that highly accurate laser irradiation can be achieved.

またサブチャンバ内は50℃位で対物レンズに何ら損傷
を与えないので、対物レンズからのガス放出も問題なく
サブチャンバ内に設置することができそれによってさら
に対物レンズに高N.Aレンズを使用することが可能とな
り、さらに高精度なレーザ照射を達成することができ
る。In addition, since the inside of the sub-chamber does not damage the objective lens at around 50 ° C, outgassing from the objective lens can be installed in the sub-chamber without any problem, thereby further using a high NA lens for the objective lens. Can be achieved, and more accurate laser irradiation can be achieved.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を示す第１図乃至第３図につ
いて説明する。1 to 3 showing an embodiment of the present invention will be described below.

第１図に示すように、メインチャンバ30内にサブチャ
ンバ20が設置されている。該サブチャンバ20はその上面
にレーザ光71および観察光81を導入するための窓21と該
窓21に対応する底部にウエハ状態あるいはチップ状態の
LSI1を載置固定する試料載置台22とを設けている。また
上記サブチャンバ20は、その外壁にヒータ23と、熱電対
24と、温度コントローラ25とを設け、該サブチャンバ20
および上記LSI1を所定温度に保持している。上記窓21は
第２図に示すように加熱手段を設けている。該加熱手段
は窓21の片面あるいは両面（第２図では片面のみ図示し
ている。）にたとえば透明導電膜26と、レーザ光照射な
どに干渉しない位置に上記温度コントローラ25に接続す
る電極27a,27bとを熱電対28とを備え、上記窓21を所定
温度に保持している。また上記窓21の両面には必要に応
じて反射防止膜をコーティングしている。なお、上記メ
インチャンバ30とサブチャンバ20との圧力差は、後述す
るように僅少になっているので、窓21の強度はそれほど
高める必要がない、そのため、窓21は薄く形成でき、そ
れだけ後述の対物レンズ31を作動距離の短いレンズすな
わち高NAレンズを用いることができこれによって高精度
の照射を行なうことが可能である。上記メインチャンバ
30はその上方部にレーザ光71をLSI1に集光照射する対物
レンズ31と、底部にX,Y,Z,θ方向に移動可能で断熱材33
を介して上記サブチャンバ20を載置・固定するステージ
32とを設けている。また上記メインチャンバ30はその側
面に該メインチャンバ30内の圧力を測定するための真空
計34を設けている。40はCVDガス供給手段を構成するボ
ンベにして、CVDガス材料を収めており、ヒータ41と熱
電対42と温度コントローラ43により所定温度に加熱され
ている。また上記ボンベ40は配管44を介して補助チャン
バ47aに接続しており、該補助チャンバ47aは屈曲自在な
配管47bを介して上記サブチャンバ20に接続している。
上記配管44はバルブ45を設け、かつ上記温度コントロー
ラ43に接続する熱電対49と、該配管44および上記フレキ
シブル配管47bを加熱するヒータ48とからなる加熱手段
を設け、該配管44,バルブ45,補助チャンバ47aおよびフ
レキシブル配管47bを所定温度に加熱している。なお上
記に説明したように上記ヒータ23、41、48、および透明
導電膜26により上記LSI1、上記サブチャンバ20、ボンベ
40、上記配管44、バルブ45、補助チャンバ47aおよび配
管47bをそれぞれ所定温度に加熱しているが、サブチャ
ンバ20からボンベ40に至るまでの間、所定の温度勾配が
形成されるように加熱している。すなわち、サブチャン
バ20全体が最も加熱温度が高く、配管47b、補助チャン
バ47a、配管44、バルブ45、ボンベ40の順に加熱温度を
低くし、CVDガスの供給過剰による配管44内の目詰りな
どを防止している。50は不活性ガスボンベにして、フレ
キシブル配管52、54と、該フレキシブル配管52、54にそ
れぞれ設置された流量可変バルブ51、53とを介して上記
メインチャンバ20およびサブチャンバ20に不活性ガスを
供給している。60は真空ポンプにして、フレキシブル配
管62、64と、該フレキシブル配管62、64にそれぞれ設置
されたバルブ61、63とを介して上記メインチャンバ30お
よびサブチャンバ20内の圧力を真空にし、該圧力をそれ
ぞれ真空計34、46にて検出している。71はレーザ光にし
てレーザ光学系によりすなわちレーザ発信器70より出た
のち、シャツタ72が開の場合のみパワー調整部73に達す
ると、パワー調整部73で該レーザ光71がレーザCVDを行
うのに適正なレーザ・パワーに調整され、ダイクロイッ
ク・ミラー74により光路を曲げられて対物レンズ31に入
射したのち、LSI1に集光・照射される。なお、レーザ光
71のパワー調整は、前述のようにパワー調整部73で行わ
れるが、パワーが適性か否かはパワーメータ77により判
定する。すなわち、全反射ミラー75をレーザ光71の光路
中に移動し、その反射光（レーザ光71）をディテクタ76
に照射してその値をパワーメータ77が読み取る。なお、
対物レンズ31の共役像位置に可変開口スリット78を設け
ることにより、任意のスポット径でレーザ光71を照射す
ることができる。またレーザ光71を照射するさいの位置
決めおよびLSI1の観察は、TVカメラ83およびモニタ84を
用いて行う。観察光光源80により出た観察光81は、ハー
フ・ミラー82によって光路を曲げられ、ダイクロイック
・ミラー74をレーザ光71の波長と異なる波長の光が透過
し、対物レンズ31によりLSI1上に集光・照射される。LS
I1より反射した観察光81は、再び対物レンズ31、ダイク
ロイックミラー74、ハーフ・ミラー82を透過して観察像
としてモニタ84に表示する。モニタ84は、観察像を表示
する他、クロスライン85によりレーザ光71のLSI1への照
射位置を表示する。As shown in FIG. 1, a sub-chamber 20 is installed in a main chamber 30. The sub-chamber 20 has a window 21 for introducing a laser beam 71 and an observation beam 81 on an upper surface thereof, and a wafer state or a chip state on a bottom corresponding to the window 21.
A sample mounting table 22 for mounting and fixing the LSI 1 is provided. The sub-chamber 20 has a heater 23 on its outer wall and a thermocouple.
24 and a temperature controller 25, and the sub-chamber 20
Further, the LSI 1 is maintained at a predetermined temperature. The window 21 is provided with a heating means as shown in FIG. The heating means includes, for example, a transparent conductive film 26 on one side or both sides of the window 21 (only one side is shown in FIG. 2), and electrodes 27a connected to the temperature controller 25 at a position which does not interfere with laser beam irradiation or the like. 27b and a thermocouple 28, and the window 21 is maintained at a predetermined temperature. Further, both surfaces of the window 21 are coated with an anti-reflection film as needed. Since the pressure difference between the main chamber 30 and the sub-chamber 20 is small as described later, the strength of the window 21 does not need to be increased so much. Therefore, the window 21 can be formed thin, and As the objective lens 31, a lens having a short working distance, that is, a high NA lens can be used, and thereby, irradiation with high precision can be performed. Above main chamber
Reference numeral 30 denotes an objective lens 31 for converging and irradiating a laser beam 71 onto the LSI 1 at an upper portion thereof, and a heat insulating material 33 movable at X, Y, Z, and θ directions at a bottom portion.
Stage for mounting and fixing the sub-chamber 20 via
32 is provided. Further, the main chamber 30 is provided with a vacuum gauge 34 for measuring a pressure in the main chamber 30 on a side surface thereof. Numeral 40 denotes a cylinder constituting the CVD gas supply means, which contains a CVD gas material and is heated to a predetermined temperature by a heater 41, a thermocouple 42 and a temperature controller 43. The cylinder 40 is connected to an auxiliary chamber 47a via a pipe 44, and the auxiliary chamber 47a is connected to the sub-chamber 20 via a flexible pipe 47b.
The pipe 44 is provided with a valve 45, and a heating means including a thermocouple 49 connected to the temperature controller 43 and a heater 48 for heating the pipe 44 and the flexible pipe 47b is provided, and the pipe 44, the valve 45, The auxiliary chamber 47a and the flexible pipe 47b are heated to a predetermined temperature. As described above, the LSI1, the sub-chamber 20, and the cylinder are formed by the heaters 23, 41, and 48 and the transparent conductive film 26.
40, the pipe 44, the valve 45, the auxiliary chamber 47a, and the pipe 47b are each heated to a predetermined temperature, but are heated so that a predetermined temperature gradient is formed from the sub-chamber 20 to the cylinder 40. ing. That is, the entire sub-chamber 20 has the highest heating temperature, and the heating temperature is lowered in the order of the pipe 47b, the auxiliary chamber 47a, the pipe 44, the valve 45, and the cylinder 40 to prevent clogging in the pipe 44 due to excessive supply of the CVD gas. Preventing. Reference numeral 50 denotes an inert gas cylinder, which supplies inert gas to the main chamber 20 and the sub-chamber 20 via the flexible pipes 52 and 54 and the variable flow rate valves 51 and 53 installed on the flexible pipes 52 and 54, respectively. doing. Reference numeral 60 denotes a vacuum pump, which evacuates the pressure in the main chamber 30 and the sub-chamber 20 through flexible pipes 62 and 64 and valves 61 and 63 provided in the flexible pipes 62 and 64, respectively. Are detected by vacuum gauges 34 and 46, respectively. When the laser beam 71 is emitted from the laser optical system, that is, from the laser transmitter 70, and reaches the power adjusting unit 73 only when the shutter 72 is open, the laser beam 71 performs laser CVD in the power adjusting unit 73. The laser power is adjusted to an appropriate value, the optical path is bent by the dichroic mirror 74, and the laser beam is incident on the objective lens 31 and then condensed and irradiated on the LSI 1. The laser light
The power adjustment of 71 is performed by the power adjustment unit 73 as described above, and whether the power is appropriate is determined by the power meter 77. That is, the total reflection mirror 75 is moved into the optical path of the laser light 71, and the reflected light (laser light 71) is detected by the detector 76.
And the power meter 77 reads the value. In addition,
By providing the variable aperture slit 78 at the conjugate image position of the objective lens 31, it is possible to irradiate the laser beam 71 with an arbitrary spot diameter. Further, positioning when irradiating the laser beam 71 and observation of the LSI 1 are performed using the TV camera 83 and the monitor 84. The optical path of the observation light 81 emitted by the observation light source 80 is bent by the half mirror 82, and light having a wavelength different from the wavelength of the laser light 71 is transmitted through the dichroic mirror 74, and is condensed on the LSI 1 by the objective lens 31.・ It is irradiated. LS
The observation light 81 reflected from I1 again passes through the objective lens 31, the dichroic mirror 74, and the half mirror 82 and is displayed on the monitor 84 as an observation image. The monitor 84 displays the observation position and the irradiation position of the laser beam 71 to the LSI 1 by the cross line 85 in addition to displaying the observation image.

つぎにLSI1の修正手順を第３図を用いて説明する。 Next, a procedure for correcting the LSI 1 will be described with reference to FIG.

第３図に示すLSI1は、Si基板２上に絶縁膜３、下層Al
配線４、層間絶縁膜５、上層Al配線６、パンベーション
膜７の順に成形したものである。上記LSI1に補修配線を
付加成形して修正する場合には、前記第１の従来技術で
説明した収束イオンビーム加工あるいはレーザ加工を用
いて接続すべきAl配線４、６上のパシベーション膜７や
層間絶縁膜５にあらかじめコンタクトホール8a,8bを形
成し、Al配線４、６を露出させる。このような状態のLS
I1を第１図に示した成膜装置の試料台22に載置・固定す
る。このときの操作手順としては、まづバルブ61、63を
閉じ、真空ポンプ60によるメインチャンバ30およびサブ
チャンバ20内の排気を停止する。なお、バルブ45、51、
53は閉状態であり、ヒータ23,41,48および透明導電膜26
は通常状態で所定温度に保持されている。ついでバルブ
51、53を開けてサブチャンバ20およびメインチャンバ30
に不活性ガスを略大気圧まで供給する。しかるのち、真
空計34、46による検出によって、上記両チャンバ20、30
内の圧が略大気圧になるとバルブ51、53を閉じ、不活性
ガスの供給を停止し、上記両チヤンバ20、30のフタ（図
示せず）を開け、LSI1を試料台22上に載置・固定する。
そしてフタを閉じ、バルブ61、63を開いて上記両チャン
バ20、30内を真空ポンプ60により排気する。真空計46の
検出によりサブチャンバ20内が所定の圧力（たとえば10
^-6Torr以下）に達すると、バルブ61を閉じ、バルブ45を
開いて、CVDガスをボンベ40からサブチャンバ20内に該
サブチャンバ20内圧力が所定圧力に達するまで導入す
る。このようにしてサブチャンバ20内の圧力が所定圧力
に達すると、バルブ45を閉じ、CVDガスをサブチャンバ2
0内に閉じ込める。そしてコンタクトホール8a、8b内に
導電性物質を充填するのに適正なレーザ光71のパワー調
整を行う。すなわち、全反射ミラー75をレーザ光71の光
路中に移動し、シャッタ72を開くと、レーザ光71は、パ
ワー調整部73をある割合で通過し、全反射ミラー75によ
り光路を曲げられ、ディテクタ76に入射する。このと
き、パワーメータ77に表示されるレーザ・パワーが所定
の値より外れている場合には、パワー調整部73の透過率
を変えて、所定のレーザ・パワーに調整する。そしてシ
ヤッタ72を閉じ、全反射ミラー75を元の光路外に戻す。An LSI 1 shown in FIG. 3 has an insulating film 3 and a lower Al
The wiring 4, the interlayer insulating film 5, the upper layer Al wiring 6, and the passivation film 7 are formed in this order. When the repair wiring is added to the LSI 1 for correction, the passivation film 7 or the interlayer on the Al wirings 4 and 6 to be connected using the focused ion beam processing or the laser processing described in the first prior art is used. Contact holes 8a and 8b are formed in the insulating film 5 in advance, and the Al wirings 4 and 6 are exposed. LS in such a state
I1 is placed and fixed on the sample stage 22 of the film forming apparatus shown in FIG. As an operation procedure at this time, first, the valves 61 and 63 are closed, and the evacuation of the main chamber 30 and the sub-chamber 20 by the vacuum pump 60 is stopped. In addition, valves 45, 51,
53 is a closed state, and the heaters 23, 41, 48 and the transparent conductive film 26
Is maintained at a predetermined temperature in a normal state. Then valve
Open 51 and 53 to open sub-chamber 20 and main chamber 30
, An inert gas is supplied to approximately atmospheric pressure. Thereafter, the detection by the vacuum gauges 34 and 46 allows the two chambers 20 and 30 to be described.
When the internal pressure becomes substantially atmospheric pressure, the valves 51 and 53 are closed, the supply of the inert gas is stopped, the lids (not shown) of the chambers 20 and 30 are opened, and the LSI 1 is placed on the sample table 22.・ Fix it.
Then, the lid is closed, the valves 61 and 63 are opened, and the inside of both chambers 20 and 30 is evacuated by the vacuum pump 60. A predetermined pressure (for example, 10
^{When the} pressure reaches ^-6 Torr or less, the valve 61 is closed and the valve 45 is opened to introduce the CVD gas from the cylinder 40 into the sub-chamber 20 until the pressure in the sub-chamber 20 reaches a predetermined pressure. When the pressure in the sub-chamber 20 reaches a predetermined pressure in this way, the valve 45 is closed, and the CVD gas is supplied to the sub-chamber 2.
Confine in 0. Then, the power of the laser beam 71 is adjusted appropriately so as to fill the contact holes 8a and 8b with a conductive material. That is, when the total reflection mirror 75 is moved into the optical path of the laser light 71 and the shutter 72 is opened, the laser light 71 passes through the power adjustment unit 73 at a certain rate, the optical path is bent by the total reflection mirror 75, and the detector It is incident on 76. At this time, when the laser power displayed on the power meter 77 is out of the predetermined value, the transmittance of the power adjustment unit 73 is changed to adjust the laser power to the predetermined laser power. Then, the shutter 72 is closed, and the total reflection mirror 75 is returned to the outside of the original optical path.

ついで、モニタ84に映し出されるLSI1の観察像から、
クロスライン85（レーザ光71の照射位置）とコンタクト
ホール8aの中心部とを合わせる。そしてシヤッタ72を開
けて第３図（ａ）に示すように、コンタクトホール8a内
のAl配線４にレーザ光71を照射すると、CVDガスが分解
し、導電性物質91aを析出する。コンタクトホール8aが
導電性物質91aで満たされると、シヤッタ72が閉じてレ
ーザ光71の照射が停止する。Next, from the observed image of LSI1 displayed on the monitor 84,
The cross line 85 (the irradiation position of the laser beam 71) is aligned with the center of the contact hole 8a. When the shutter 72 is opened and the Al wiring 4 in the contact hole 8a is irradiated with the laser beam 71, as shown in FIG. 3A, the CVD gas is decomposed and a conductive substance 91a is deposited. When the contact hole 8a is filled with the conductive substance 91a, the shutter 72 closes and the irradiation of the laser beam 71 stops.

ついで、ステージ32を移動し、上記の同種別のコンタ
クトホール8bの中心部とクロスライン85とを位置合せし
て第３図（ｂ）に示すようにコンタクトホール8bにレー
ザ光71を照射して導電性物質91bを充填する。Next, the stage 32 is moved, the center of the contact hole 8b of the same type is aligned with the cross line 85, and the contact hole 8b is irradiated with the laser beam 71 as shown in FIG. 3 (b). The conductive material 91b is filled.

図示した以外にもコンタクトホールが形成されていた
ら、上記と同様にステージ移動→コンタクトホールの中
心部とクロスラインとの位置合わせ→レーザ光71の照射
を繰返して行う。このようにしてコンタクトホールをす
べて充填し終ったら、つぎに導電性物質91a、91b間の接
続配線を形成するためのパワー調整を上記コンタクトホ
ールに導電性物質を充填する場合と同じ手順で行う。If contact holes other than those shown are formed, the stage movement → positioning of the center of the contact hole and the cross line → irradiation of the laser beam 71 are repeated as described above. After all the contact holes have been filled in this way, power adjustment for forming a connection wiring between the conductive materials 91a and 91b is performed in the same procedure as in the case of filling the contact holes with the conductive material.

レーザパワーが配線形成に適正な値に調整されたなら
ば、第３図（ｃ）に示すように、導電性物質91bを充填
したコンタクトホール8bの中心部から他方のコンタクト
ホール8aの中心部までステージ32を移動させてレーザ光
71を走査する。このレーザ光71の走査により、CVDガス
が分解し、配線92を形成する。レーザ光71の走査が他方
のコンタクトホール8aの中心部まで達したらシヤッタ72
を閉じてレーザ照射を停止するとともにステージ32を停
止する。これにより、第３図（ｄ）に示すように、下層
Al配線４と上層Al配線６とが接続されたことになる。図
示した以外にも配線92を形成する場合は、上記同様にス
テージ移動→位置合わせ→レーザ光走査を繰り返す。When the laser power is adjusted to an appropriate value for forming the wiring, as shown in FIG. 3 (c), from the center of the contact hole 8b filled with the conductive substance 91b to the center of the other contact hole 8a. Move the stage 32 to
Scan 71. The scanning with the laser light 71 decomposes the CVD gas to form the wiring 92. When the scanning of the laser beam 71 reaches the center of the other contact hole 8a, the shutter 72
Is closed to stop the laser irradiation and the stage 32. As a result, as shown in FIG.
This means that the Al wiring 4 and the upper Al wiring 6 are connected. When the wiring 92 is formed other than shown, the stage movement → positioning → laser beam scanning is repeated as described above.

すべての配線形成を終えたらバルブ63を閉じバルブ61
を閉じてCVDガスを排気する。このときにバルブ51を開
いて不活性ガスを導入しながら行っても良い。一定時間
あるいは所定の圧力まで排気したのち、バルブ61を閉
じ、バルブ51、53を開いてサブチャンバ20およびメイン
チャンバ30に不活性ガスを導入する。ほぼ大気圧まで不
活性ガスを導入したらバルブ51、53を閉じ、サブチャン
バ20およびメインチャンバ30のフタを閉じて、修正され
たLSI1を取り出して終了となる。When all wiring is completed, close valve 63 and close valve 61
Is closed and the CVD gas is exhausted. At this time, the operation may be performed while opening the valve 51 and introducing the inert gas. After evacuation for a certain time or to a predetermined pressure, the valve 61 is closed, and the valves 51 and 53 are opened to introduce an inert gas into the sub-chamber 20 and the main chamber 30. When the inert gas is introduced to approximately the atmospheric pressure, the valves 51 and 53 are closed, the lids of the sub-chamber 20 and the main chamber 30 are closed, and the corrected LSI 1 is taken out and the process is completed.

上記実施例において、CVDガスとして、Mo（CO）_６や
ｗ（CO）_６、Cr（CO）_６、CO₂（CO）_８、Ni（CO）_４な
どのカルボニル化合物あるいは、Mo（C₆H₆）_２やCr（C₆
H）_２、などのビス・ベンゼン化合物あるいは、PtHFAcA
c（プラチナビスヘキサフルオロアセチルアセテート）
あるいは、C₇H₇F₆O₂Au（ジメチルゴールドヘキサフルオ
ロアセチルアセテート）、などを用いる。これらの材料
のほとんどは蒸気圧が低く（例えば、Mo（CO）_６の場
合:20℃0.1Torr、Ｗ（CO）_６の場合:20℃0.025Tor
r）、レーザCVDで配線形成を行う場合、供給律速となり
高速成膜ができない。しかるに、上記実施例のように、
ボンベ40からチャンバ20までを加熱することで蒸気圧は
飛躍的に高まるため（たとえば、Mo（CO）_６の場合:50
℃2Torr、Ｗ（CO）_６の場合:50℃0.4Torr）、高速
成膜が可能となり、断面積の大きい配線92を高速形成す
ることができ、これによって高スループットで低抵抗接
続を達成することができる。In the above embodiment, a carbonyl compound such as Mo (CO) ₆ , w (CO) ₆ , Cr (CO) ₆ , CO ₂ (CO) ₈ , Ni (CO) ₄ or Mo (C ₆ H) is used as the CVD gas. _{6) 2} and Cr (C ₆
H) bis-benzene compounds such as ₂ , or PtHFAcA
c (platinum bishexafluoroacetyl acetate)
Alternatively, C ₇ H ₇ F ₆ O ₂ Au (dimethyl gold hexafluoroacetyl acetate) is used. Most of these materials have low vapor pressures (eg, Mo (CO) ₆ : 20 ° C. 0.1 Torr, W (CO) ₆ : 20 ° C. 0.025 Torr)
r), when wiring is formed by laser CVD, the supply is limited and high-speed film formation cannot be performed. However, as in the above example,
The heating from the cylinder 40 to the chamber 20 dramatically increases the vapor pressure (for example, in the case of Mo (CO) ₆ : 50
(2 ° C., 2 Torr, W (CO) ₆ : 50 ° C., 0.4 Torr), high-speed film formation is possible, and the wiring 92 having a large cross-sectional area can be formed at high speed, thereby achieving high-throughput and low-resistance connection. Can be.

そして、上記CVDガスの分解によって金属膜が形成さ
れる。たとえば、Mo（CO）_６やMo（C₆H₆）_２からはMo、
Ｗ（CO）_６からはＷ、Cr（CO）_６やCr（C₆H）_２からはC
r、Ni（CO）_４からはNi、PtHFAcAcからはPt、C₇H₇F₆O₂A
uからはAuが析出する。なお、上記説明において、レー
ザ照射によって析出した導電性物質91および配線92は同
じものであり、これらを総合して補修配線と呼ぶ。Then, a metal film is formed by the decomposition of the CVD gas. For example, from Mo (CO) ₆ or Mo (C ₆ H ₆ ) ₂ ,
W _(CO) W from _6, Cr _{(CO) 6} and Cr (C _{6 H)} C from ₂
r, from Ni (CO) ₄ Ni, Pt from _{PtHFAcAc, C 7 H 7 F 6} O 2 A
Au precipitates from u. In the above description, the conductive substance 91 and the wiring 92 deposited by the laser irradiation are the same, and are collectively referred to as repair wiring.

また、上記CVDガスを分解するために用いるレーザ発
振器70としては、Arレーザ,He−Neレーザ、Krレーザ,YA
Gレーザ，金属蒸気レーザ，アレキサンドライトレー
ザ，各種励起法による色素レーザ，エキシマレーザ、な
どがあり、その基本波や高周波をレーザ光71として用い
る。なお上記装置において、配管52および62にもヒータ
および熱電対を設け、サブチャンバ20と同じ温度以上に
加熱することで、CVDガスが配管52および62の内面に再
凝固することがない。Further, as the laser oscillator 70 used to decompose the CVD gas, an Ar laser, a He-Ne laser, a Kr laser, a YA
There are a G laser, a metal vapor laser, an alexandrite laser, a dye laser using various excitation methods, an excimer laser, and the like. In the above-described apparatus, a heater and a thermocouple are also provided in the pipes 52 and 62 and are heated to a temperature equal to or higher than that of the sub-chamber 20, so that the CVD gas does not re-solidify on the inner surfaces of the pipes 52 and 62.

また、CVDガス排気時にパージを行う必要がなければ
不活性ガスボンベ50はとくに必要ない。その場合、流量
可変バルブ51および53は大気導入のためのリークバルブ
として用いられる。In addition, the inert gas cylinder 50 is not particularly required if it is not necessary to perform a purge when exhausting the CVD gas. In that case, the flow rate variable valves 51 and 53 are used as leak valves for introducing air.

さらに、サブチャンバ20とステージ32との間の断熱材
33は、サブチャンバ20の加熱温度および固定状態によっ
ては不要であるが、逆に、かなりの熱がステージ32にま
で伝わる恐れがある場合は、断熱材33内部に冷却のため
の配管を設け、水などの冷媒を流し、ステージ精度に悪
影響を及ぼさないようにする。Further, a heat insulating material between the sub-chamber 20 and the stage 32
33 is unnecessary depending on the heating temperature and the fixed state of the sub-chamber 20, but conversely, if considerable heat may be transmitted to the stage 32, a pipe for cooling is provided inside the heat insulating material 33, A coolant such as water is allowed to flow so that the stage accuracy is not adversely affected.

さらにまた、補修配線91,92の抵抗をより下げたい場
合は、上記第３図（ｄ）においてCVDガスを排気したの
ち、真空雰囲気中で高パワーのレーザ光71を配線92上に
走査する。これにより、配線92中の化合物が分解し、相
対的に金属成分が増加して比抵抗が低下するため、抵抗
値が減少する。In order to further reduce the resistance of the repair wirings 91 and 92, after exhausting the CVD gas in FIG. 3D, a high-power laser beam 71 is scanned over the wiring 92 in a vacuum atmosphere. As a result, the compound in the wiring 92 is decomposed, the metal component relatively increases, and the specific resistance decreases, so that the resistance value decreases.

そしてまた、上記のCVDガス（配線形成用）ガス同
様、絶縁膜形成用ガスとしてTEOS（テトラエトキシシラ
ン）あるいはジエチルシランあるいは前記第４の従来技
術で用いられたシランやジシランを別のボンベに納め、
バルブあるいはバルブとマス・フロー・コントローラと
を介してサブチャンバ20に直接あるいは補助チャンバ47
および配管44を介してサブチャンバ20に配管する。それ
と共に、O₂ボンベあるいはN₂OボンベあるいはNH₃ボンベ
をバルブおよびマス・フロー・コントローラを介してサ
ブチャンバ20に配管する。そして、上記実施例のCVDガ
ス排気後あるいは配線92のレーザによるアニール後、上
記絶縁膜形成用ガスと反応ガス（O₂またはN₂OまたはN
H₃）を一定の混合比で所定の圧力に導入する。ついで、
絶縁膜を形成するに適正なパワーに設定されたレーザ光
71を補助配線101、102上に走査する。これにより、補助
配線101、102上にはSiO₂あるいはSi₃N₄から成る絶縁膜
が形成される。絶縁膜の形成終了後は、配線形成用ガス
の場合と同様にバルブ61を開けて絶縁形成用ガスを排気
する。絶縁膜形成によって補修配線101、102の水分など
による腐蝕や組立時の力や熱による断線を防止できるた
め、補修した半導体装置の信頼性を補修なしの良品レベ
ルに確保できる。Further, similarly to the above-mentioned CVD gas (for forming a wiring), TEOS (tetraethoxysilane), diethylsilane, or silane or disilane used in the fourth conventional technique is placed in another cylinder as a gas for forming an insulating film. ,
Directly into sub-chamber 20 via valve or valve and mass flow controller or auxiliary chamber 47
And pipes to the sub-chamber 20 via the pipes 44. At the same time, an O ₂ or N ₂ O or NH ₃ cylinder is connected to the sub-chamber 20 via a valve and a mass flow controller. After exhausting the CVD gas of the above embodiment or annealing the wiring 92 by laser, the insulating film forming gas and the reaction gas (O ₂ or N ₂ O or N
H ₃ ) is introduced at a certain mixing ratio and at a given pressure. Then
Laser light set to an appropriate power to form an insulating film
71 is scanned over the auxiliary wirings 101 and 102. Thus, an insulating film made of SiO ₂ or Si ₃ N ₄ is formed on the auxiliary wires 101 and 102. After the formation of the insulating film, the valve 61 is opened and the gas for forming an insulating film is exhausted as in the case of the gas for forming a wiring. The formation of the insulating film can prevent corrosion of the repair wirings 101 and 102 due to moisture and the like and disconnection due to force during assembly and heat, so that the reliability of the repaired semiconductor device can be ensured at a good product level without repair.

ここで、上記の配線形成用ガス雰囲気から絶縁膜形成
用ガス雰囲気への切換えを短時間に行うためには、サブ
チャンバ20をできるだけ小容積とすることであるが、本
実施例におけるサブチャンバ20には、ウエハあるいはチ
ップ状態でのLSI1とそのホルダ22が設けられるだけであ
るため、容易に小容積化が可能である。Here, in order to switch from the gas atmosphere for forming the wiring to the gas atmosphere for forming the insulating film in a short time, the volume of the sub-chamber 20 should be as small as possible. Since only the LSI 1 and its holder 22 in a wafer or chip state are provided, the volume can be easily reduced.

また本実施例においては、サブチャンバ20全体の、加
熱温度に対し配管47b、補助チャンバ47a、フレキシブル
配管44、バルブ45、ボンベ40の順に加熱温度を低くし、
CVDガスの供給過剰によるフレキシブル配管44内の目詰
りを防止することが可能である。In the present embodiment, the heating temperature of the entire sub-chamber 20 is reduced in the order of the heating temperature of the pipe 47b, the auxiliary chamber 47a, the flexible pipe 44, the valve 45, and the cylinder 40 with respect to the heating temperature,
It is possible to prevent clogging in the flexible pipe 44 due to excessive supply of the CVD gas.

つぎに本発明の他の一実施例を示す第４図乃至第８図
について説明する。Next, FIG. 4 to FIG. 8 showing another embodiment of the present invention will be described.

まづ、第４図に示すように、メインチャンバ101は開
閉するゲートバルブ142を介してロードロック室141に連
結されている。該ロードロック室141は排気装置（図示
せず）に接続する排気管144aと該排気管144aに設置され
たバルブ144bとを設け、かつ試料（たとえばLSIチッ
プ）103を試料台104とともに上記メインチャンバ101内
に供給する搬送機構143を設けている。First, as shown in FIG. 4, the main chamber 101 is connected to a load lock chamber 141 via a gate valve 142 that opens and closes. The load lock chamber 141 is provided with an exhaust pipe 144a connected to an exhaust device (not shown), a valve 144b installed in the exhaust pipe 144a, and a sample (for example, an LSI chip) 103 together with a sample stage 104 in the main chamber. A transport mechanism 143 for supplying the inside of the inside 101 is provided.

上記試料台104は内部にヒータ104aを埋め込んでい
る。また上記メインチャンバ101は排気装置に接続する
排気管106aと該排気管106aに設置されたバルブ106bとを
設け、かつ内側底部に駆動装置105aにより搭載する試料
103とともに試料台104をXY方向に移動するXYステージ10
5と、該XYステージ105上に載置され搭載する試料103お
よび試料台104をＺ方向（高さ方向）に移動するＺステ
ージ107と該Ｚステージ107と試料台104との間に介挿さ
れた断熱材107aとを設けている。さらに上記メインチャ
ンバ101はその内側上方部には２個のチャンバ部材108
a、108bからなるチャンバブロック108と２個のチャンバ
部材108a、108b間をＺ方向に自由度を有するように連結
するベローズ109とを設けている。上記２個のチャンバ
部材108a、108bはそれぞれヒータ108c、108dを埋め込ん
でおり、下方のチャンバ部材108bの下面と上記試料台10
4上面との間にはラビリンス（すき間）111を有し、試料
台104と分離可能に構成され、かつ試料台104を円滑に移
動可能にするためベアリング110を設けている。上記ベ
ローズ109は後述するレーザ光の試料照射のさい焦点合
わせのため上記のようにＺ方向に自由度を与えている。
また上記チャンバ101はその上面にチャンバ蓋112を固定
している。該チャンバ蓋112はその内部にサブチャンバ1
02を形成し、内周面にそうてヒータ112aを埋め込み上記
ヒータ104、108cとによりサブチャンバ102全体を加熱し
ている。また上記チャンバ蓋112はサブチャンバ102内の
圧力を検出する真空計113を設けるとともに、CVDガスボ
ンベ121と該CVDガスボンベ121をサブチャンバ102内に接
続するCVDガス供給管122と、該CVDガス供給管122に設置
されたバルブ120とからなるCVDガス供給装置を設けてい
る。The sample stage 104 has a heater 104a embedded therein. Further, the main chamber 101 is provided with an exhaust pipe 106a connected to an exhaust device, a valve 106b installed on the exhaust pipe 106a, and a sample mounted on an inner bottom by a driving device 105a.
XY stage 10 that moves sample stage 104 in the XY direction together with 103
5 and a Z stage 107 for moving the sample 103 and the sample stage 104 mounted and mounted on the XY stage 105 in the Z direction (height direction), and interposed between the Z stage 107 and the sample stage 104. Heat insulating material 107a. Further, the main chamber 101 has two chamber members 108 at its upper inside.
A chamber block 108 composed of a and 108b and a bellows 109 for connecting the two chamber members 108a and 108b with a degree of freedom in the Z direction are provided. The two chamber members 108a and 108b have heaters 108c and 108d embedded therein, respectively, and the lower surface of the lower chamber member 108b and the
(4) A labyrinth (gap) 111 is provided between the sample table 104 and the upper surface, and the bearing 110 is provided so as to be separable from the sample table 104 and to allow the sample table 104 to move smoothly. The bellows 109 gives a degree of freedom in the Z direction as described above for focusing when irradiating the sample with a laser beam to be described later.
The chamber 101 has a chamber lid 112 fixed to the upper surface thereof. The chamber lid 112 has a sub-chamber 1 inside.
02 is formed, and the heater 112a is buried in the inner peripheral surface so as to heat the entire sub-chamber 102 by the heaters 104 and 108c. The chamber lid 112 is provided with a vacuum gauge 113 for detecting the pressure in the sub-chamber 102, a CVD gas cylinder 121, a CVD gas supply pipe 122 connecting the CVD gas cylinder 121 to the inside of the sub-chamber 102, and a CVD gas supply pipe. A CVD gas supply device including a valve 120 installed at 122 is provided.

つぎにレーザ照射系は、レーザ発振器114から出力さ
れたレーザ光115を図示しないパワー設定値により出力
を調整したのち、ハーフミラー116で曲げ、上記チャン
バ蓋112に設置された窓ガラス117を通過し、対物レンズ
118で集光して試料103に照射するように構成されてい
る。またレーザ照射系には上記ハーフミラ116および上
記対物レンズ118を通じて上記試料103の表面を観察する
観察光学系119を設けている。Next, the laser irradiation system adjusts the output of the laser beam 115 output from the laser oscillator 114 by a power set value (not shown), and then bends with the half mirror 116 to pass through the window glass 117 installed on the chamber lid 112. , Objective lens
The light is condensed at 118 and irradiated to the sample 103. The laser irradiation system is provided with an observation optical system 119 for observing the surface of the sample 103 through the half mirror 116 and the objective lens 118.

つぎに配線形成の手順について説明する。 Next, a procedure for forming a wiring will be described.

ゲートバルブ142を閉じた状態で配線を形成すべき試
料103を固定した試料104を搬送機構143に載置し、バル
ブ146を開いてロッドロック室141を真空（たとえば10^-5
Torr台）に排気したのち、ゲートバルブ142を開きメイ
ンチャンバ101内のＺステージ107上に載置する。With the gate valve 142 closed, the sample 104 on which the wiring 103 is to be formed is mounted on the transport mechanism 143, the valve 146 is opened, and the rod lock chamber 141 is evacuated (for example, 10 ^−5).
After evacuating to a pressure (Torr level), the gate valve 142 is opened and placed on the Z stage 107 in the main chamber 101.

ついでバルブ144bおよびゲートバルブ142を閉じ、バ
ルブ106bを開いてメインチャンバ101内およびラビリン
ス111を介してサブチャンバ102内を高真空（たとえば10
^-7Torr台）にする。Then, the valve 144b and the gate valve 142 are closed, and the valve 106b is opened to open a high vacuum (for example, 10 V) in the main chamber 101 and the sub-chamber 102 via the labyrinth 111.
^-7 Torr level).

ついで、図示しないヒータによってあらかじめCVDガ
スボンベ121、CVDガス供給管122およびバルブ120を加熱
しておき、バルブ120を開いてCVDガスボンベ121内のCVD
材料ガス（たとえばMo（CO）_６をサブチャンバ102内に
供給する。上記Mo（CO）_６は昇華性物質で第５図示に示
す蒸気圧特性を有しており、サブチャンバ102内の室温
が20℃であれば、第５図にＡ点で示すように0.1Torrで
ある。本実施例ではCVDガスの圧力を上げることが目的
でサブチャンバ102およびメインチャンバ101全体を加熱
したのでは熱平衡に到達するまでに相当な時間を要する
ので、サブチャンバ102内のみを加熱し、短時間で熱平
衡状態に到達するようにし、これによって安定した高蒸
気圧個所をつぎのように作成している。すなわち、バル
ブ120を閉じた状態でヒータ104a、108c、112aを加熱
し、サブチャンバ102の周囲を50℃位に温度調節したの
ち、Ｚステージ107を上昇してメインチャンバ101とサブ
チャンバ102とを分離する。ただし分離といっても全く
両チャンバ101、102が隔離された状態ではなく、既に説
明したように試料台104と下方のチャンバ部材108bとの
間にはラビリンス111を介して連通しているので、サブ
チャンバ102内のCVD材料ガスはラビリンス111を通って
メインチャンバ101内に流れる。そこで、ラビリンス111
の寸法をたとえばつぎのように設定することによりサブ
チャンバ102内のみ高蒸気圧に保持することが可能であ
る。すなわち今サブチャンバ102を50℃に温度調節して
該サブチャンバ102内のガス雰囲気を40℃としたとき、
このときの蒸気圧は第２図にＢ点で示すように0.5Torr
である。また流量Ｑと、圧力Ｐと、コンダクタンスＣの
関係式 Ｑ＝Ｃ（P₁−P₀） ……（１） において、P₁＝0.5Torr、P₀（＝高真空）０、および
室温で閉じ込み状態でのサブチャンバ102へのガス導入
時間からの算出流量値Ｑ＝1.9×10^-5Torrm³/sから供給
側のコンダクタンスCsは Cs＝Q/P₁＝3.85×10^-5m³/s ……（２） となる。一方ラビリンス111のコンダクタンスの式は が適用できる。ここで第６図の断面図示で示したよう
に、はラビリンス111の長さ、ｂは間隙、Ｄはラビリ
ンス111部分の内径である。今、ラビリンス111部分の内
径Ｄをφ100mm、ラビリンス111の長さを25mmとしたと
きのコンダクタンスCtとラビリンス111の間隙ｂとの関
係を示したのが第６図に151で示すラインである。そし
て、該ライン151と上記式（２）で求めた供給側のコン
ダクタンスCtのライン152よりラビリンス111の間隙ｂを
50μｍとすれば、供給側のコンダクタンスCtがラビリン
ス111のコンダクタンスCsに対し半分以下になるので、
ラビリンス111を通るガス流量を供給量より少なくする
ことができ、サブチャンバ102内の圧力を40℃での蒸気
圧0.5Torrに上げることが出来る。この場合、ラビリン
ス111の間隙ｂを50μｍとすることは機械精度上問題な
く、以上のように構成されたサブチャンバ102により高
蒸気圧埋個所を形成し、配線修正すべき個所を観察光学
系119、XYステージ105によって位置合せをし、XYステー
ジ105を走査することにより、従来と全く同じ方法によ
ってレーザCVD膜の形成が可能である。また本実施例に
よりCVD材料ガスの圧力を高めた状態では、膜形成のXY
ステージ105の走査速度を従来より速くすることが可能
であり、修正個所の多い試料に対しても短時間で修正可
能でる。Next, the CVD gas cylinder 121, the CVD gas supply pipe 122, and the valve 120 are heated in advance by a heater (not shown), and the valve 120 is opened to open the CVD gas in the CVD gas cylinder 121.
Material gas (for example, Mo (CO) ₆ is supplied into the sub-chamber 102. The Mo (CO) ₆ is a sublimable substance and has a vapor pressure characteristic shown in FIG. At 20 ° C., the pressure is 0.1 Torr as shown by point A in Fig. 5. In this embodiment, the entire sub-chamber 102 and the main chamber 101 are heated for the purpose of increasing the pressure of the CVD gas. Since it takes a considerable time to reach the temperature, only the inside of the sub-chamber 102 is heated so as to reach the thermal equilibrium state in a short time, thereby creating a stable high vapor pressure point as follows. Then, the heaters 104a, 108c, and 112a are heated with the valve 120 closed, and the temperature around the subchamber 102 is adjusted to about 50 ° C., and then the Z stage 107 is raised to separate the main chamber 101 and the subchamber 102. However, even if it is called separation Since the two chambers 101 and 102 are not in an isolated state, but communicate with the sample stage 104 and the lower chamber member 108b through the labyrinth 111 as described above, the CVD in the sub-chamber 102 The material gas flows through the labyrinth 111 into the main chamber 101. There, the labyrinth 111
By setting the dimensions as follows, for example, it is possible to maintain the high vapor pressure only in the sub-chamber 102. That is, when the temperature of the subchamber 102 is now adjusted to 50 ° C. and the gas atmosphere in the subchamber 102 is set to 40 ° C.,
The vapor pressure at this time is 0.5 Torr as shown by point B in FIG.
It is. Further, in a relational expression Q = C (P ₁ −P ₀ ) (1) of the flow rate Q, the pressure P, and the conductance C, P ₁ = 0.5 Torr, P ₀ (= high vacuum) 0, and close at room temperature. From the calculated flow rate value Q = 1.9 × 10 ⁻⁵ Torrm ³ / s from the gas introduction time to the sub-chamber 102 in the inflow state, the conductance Cs on the supply side is Cs = Q / P ₁ = 3.85 × 10 ⁻⁵ m ³ / s ... (2) On the other hand, the formula of the conductance of labyrinth 111 is Can be applied. Here, as shown in the sectional view of FIG. 6, is the length of the labyrinth 111, b is the gap, and D is the inner diameter of the labyrinth 111 portion. The relationship between the conductance Ct and the gap b of the labyrinth 111 when the inner diameter D of the labyrinth 111 is φ100 mm and the length of the labyrinth 111 is 25 mm is indicated by a line 151 in FIG. Then, the gap b between the labyrinth 111 and the line 151 is determined from the line 152 of the conductance Ct on the supply side obtained by the above equation (2).
If it is 50 μm, the conductance Ct on the supply side is less than half of the conductance Cs of the labyrinth 111,
The gas flow rate through the labyrinth 111 can be made smaller than the supply amount, and the pressure in the subchamber 102 can be increased to a vapor pressure of 0.5 Torr at 40 ° C. In this case, setting the gap b of the labyrinth 111 to 50 μm has no problem in terms of mechanical accuracy. The sub-chamber 102 configured as described above forms a high vapor pressure buried portion, and the portion where wiring is to be corrected is observed by the observation optical system 119. By performing alignment with the XY stage 105 and scanning the XY stage 105, a laser CVD film can be formed in exactly the same manner as in the related art. Further, when the pressure of the CVD material gas is increased according to the present embodiment, the XY
The scanning speed of the stage 105 can be made faster than in the past, and it is possible to correct a sample having many correction points in a short time.

ついで配線修正が終了すると、バルブ106、144を閉じ
るとともにバルブ106bを開いてCVD材料ガスを排気した
のち、ゲートバルブ142を開いて搬送機構143により試料
103および試料台104をメインチャンバ101内から搬出す
る。Next, when the wiring correction is completed, the valves 106 and 144 are closed and the valve 106b is opened to exhaust the CVD material gas. Then, the gate valve 142 is opened and the sample is moved by the transport mechanism 143.
The sample 103 and the sample stage 104 are unloaded from the main chamber 101.

つぎにサブチャンバ102内のCVDガスの閉じ込め機構の
他の実施例を示す第７図および第８図について説明す
る。Next, another embodiment of the mechanism for confining the CVD gas in the sub-chamber 102 will be described with reference to FIGS. 7 and 8. FIG.

第７図は前記実施例におけるラビリンス111の代りに
Ｏリング131を用いた場合を示し、本実施例において
は、下方のチャンバ部材108bの下面と試料台104と上面
とはＯリング131によって線接触した状態にある。FIG. 7 shows a case where an O-ring 131 is used in place of the labyrinth 111 in the above embodiment. In this embodiment, the lower surface of the lower chamber member 108b, the sample table 104 and the upper surface are in line contact with each other by the O-ring 131. It is in a state of having done.

また第８図はラビリンスレール132を用いた場合を示
し、本実施例においては第７図に示す実施例と同様に下
方のチャンバ部材108bの下面と試料台104の上面とは数
個所で接触している状態にある。FIG. 8 shows a case in which a labyrinth rail 132 is used. In this embodiment, as in the embodiment shown in FIG. 7, the lower surface of the lower chamber member 108b and the upper surface of the sample stage 104 come into contact at several places. In the state of being.

したがって第４図乃至第８図に示す実施例において
は、サブチャンバをメインチャンバと分離し、サブチャ
ンバを小容積にしたので、前記第１図および第２図に示
す実施例と同様に高速で配線形成が可能である。Therefore, in the embodiment shown in FIGS. 4 to 8, the sub-chamber is separated from the main chamber and the sub-chamber is made small in volume, so that the high-speed operation is performed similarly to the embodiment shown in FIGS. Wiring can be formed.

またサブチャンバを構成する下方のチャンバ部材と試
料台の上面とを隙間を有するように分割し試料および試
料台を搬送機構にて搬入、搬出するようにしたので、試
料に塵埃などが付着するのを防止している。In addition, the lower chamber member constituting the sub-chamber and the upper surface of the sample table are divided so as to have a gap, and the sample and the sample table are loaded and unloaded by the transport mechanism, so that dust and the like adhere to the sample. Has been prevented.

なお上記実施例においては、CVD材料ガスとしてMo（C
O）_６を用いた場合について説明したが、これに限定さ
れるものでなく、たとえばタングステンカルボニルＷ
（CO）_６、クロムカルボニルCr（CO）₆Ni（CO）_４など
の有機金属ガスや絶縁膜を形成するシラン系ガスを用い
ることも可能である。In the above embodiment, Mo (C
O) ₆ has been described, but is not limited thereto. For example, tungsten carbonyl W
It is also possible to use an organic metal gas such as (CO) ₆ and chromium carbonyl Cr (CO) ₆ Ni (CO) ₄ or a silane-based gas for forming an insulating film.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明によれば、サブチャンバ
をメインチャンバ内に分離して構成したので、CVD材料
ガスの圧力を早期に上げることができ、これによって高
速で配線形成を行いLSIの機能動作、確認およびデバッ
グを速く実施することができる。As described above, according to the present invention, since the sub-chamber is formed separately from the main chamber, the pressure of the CVD material gas can be increased at an early stage. Operation, confirmation, and debugging can be performed quickly.

またメインチャンバとサブチャンバをそれぞれ排気手
段により真空にし、両チャンバの間を真空雰囲気にして
いるので、熱による光軸ずれや観察像の歪みを防止する
ことができ、かつ両チャンバ内の圧力差が小さいので、
サブチャンバのレーザ光を導入する窓を薄くすることが
でき、これによって高精度のレーザ照射を達成すること
ができる。In addition, since the main chamber and the sub-chamber are each evacuated by the exhaust means, and a vacuum atmosphere is provided between the two chambers, it is possible to prevent optical axis shift and distortion of an observed image due to heat, and to reduce a pressure difference between the two chambers. Is small,
The window for introducing the laser beam in the sub-chamber can be made thinner, whereby high-precision laser irradiation can be achieved.

またレーザ光学系の対物レンズをメインチャンバに設
け、サブチャンバのレーザ光を透過する窓に透明導電膜
からなる加熱手段を設けたので、対物レンズに高N.Aレ
ンズを用いて高精度のレーザ照射を行うことができる。In addition, the objective lens of the laser optical system is provided in the main chamber, and the heating means made of a transparent conductive film is provided in the window for transmitting the laser light in the sub-chamber. It can be carried out.

またレーザ光学系の対物レンズをサブチャンバに設
け、試料との距離を近づけることができるため、対物レ
ンズにさらに高N.Aレンズを用いることができ、これに
よってさらに高精度のレーザ照射を行うことができる。In addition, since the objective lens of the laser optical system is provided in the sub-chamber and the distance to the sample can be reduced, a higher NA lens can be used as the objective lens, thereby enabling more accurate laser irradiation. .

またCVDガス供給手段はサブチャンバ全体が最も高く
ボンベに行くにともなって加熱温度が低くなるように加
熱手段を設けたので、サブチャンバとボンベとの間で目
詰りするのを防止することができる。In addition, since the heating means is provided in the CVD gas supply means so that the heating temperature becomes lower as the entire subchamber goes to the cylinder, the clogging between the subchamber and the cylinder can be prevented. .

またサブチャンバを構成するチャンバ部材間に上下方
向に自由度を有するベローを介挿し、かつ下方のチャン
バ部材と試料台との間に隙間を形成し、試料台および該
試料台上の試料を搬送可能に構成したので、試料を塵埃
などが付着することなく搬送することができ、かつ試料
の焦点合せを行うことができる。Further, a bellow having a degree of freedom in the vertical direction is interposed between the chamber members constituting the sub-chamber, and a gap is formed between the lower chamber member and the sample stage to transfer the sample stage and the sample on the sample stage. Since the configuration is made possible, the sample can be transported without adhering dust and the like, and the sample can be focused.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第１図は本発明の一実施例である配線修正装置を示す説
明図、第２図は第１図に示すサブチャンバの窓部分を示
す拡大断面図、第３図は本発明による配線修正装置を用
いたLSIの修正手順を示す図、第４図は本発明の他の一
実施例である配線修正装置を示す説明図、第５図はCVD
材料ガスとしてモリブデンカルボニル（Mo（CO）_６）を
用いた場合の温度と蒸気圧との関係を示す図、第６図は
ガス供給量とコンダクタンスの関係を示す図、第７図は
下方のチャンバ部材と試料台との間にＯリングを設けた
実施例を示す図、第８図は下方のチャンバ部材と試料台
との間にラビリンスシールを設けた実施例を示す図であ
る。 1,103……試料、20,102……サブチャンバ、21,117……
窓、22,104……試料台、31,118……対物レンズ、32,105
……XYステージ、33,107……Ｚステージ、40,121……CV
Dガスボンベ、50……不活性ガスボンベ、60……真空ポ
ンプ。FIG. 1 is an explanatory view showing a wiring repair apparatus according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged sectional view showing a window portion of a sub-chamber shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a wiring repair apparatus according to the present invention. FIG. 4 is a view showing an LSI repairing procedure using a semiconductor device, FIG. 4 is an explanatory view showing a wiring repairing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 6 shows a relationship between temperature and vapor pressure when molybdenum carbonyl (Mo (CO) ₆ ) is used as a material gas, FIG. 6 shows a relationship between gas supply amount and conductance, and FIG. 7 shows a lower chamber. FIG. 8 is a diagram showing an embodiment in which an O-ring is provided between the member and the sample stage, and FIG. 8 is a diagram showing an embodiment in which a labyrinth seal is provided between the lower chamber member and the sample stage. 1,103 ... sample, 20,102 ... subchamber, 21,117 ...
Window, 22,104 ... Sample stage, 31,118 ... Objective lens, 32,105
…… XY stage, 33,107 …… Z stage, 40,121 …… CV
D gas cylinder, 50 ... Inert gas cylinder, 60 ... Vacuum pump.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐野 秀造 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 原口 龍仁 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 高橋 貴彦 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日 立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 伊藤 文和 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−127469（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−127470（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/3205 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hidezo Sano 292 Yoshidacho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Hitachi, Ltd. Production Engineering Laboratory Co., Ltd. (72) Tatsuhito Haraguchi 292 Yoshidacho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Stock (72) Inventor Takahiko Takahashi 2326 Imai, Ome-shi, Tokyo Inside the Device Development Center, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Fumikazu Ito 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture, Ltd. (56) References JP-A-62-127469 (JP, A) JP-A-62-127470 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁶ , DB name) H01L 21/3205

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】メインチャンバ内に分離されたサブチャン
バと、該サブチャンバ内に位置する試料をX,Y,Z方向に
位置決めするX,Y,Zステージとを備え、かつ上記サブチ
ャンバ内を加熱する加熱手段と、上記サブチャンバ内に
CVDガスを供給するCVDガス供給手段と、上記試料にレー
ザ光を照射するレーザ光学系と上記メインチャンバおよ
び上記サブチャンバ内を真空にする排気手段とを備え、
上記両チャンバ内を真空雰囲気にて上記サブチャンバ内
の温度を上げるとともにCVDガス供給手段からガスを供
給してサブチャンバ内のCVDガス圧を上げて上記試料を
配線形成するように構成した配線修正装置。1. A sub-chamber separated in a main chamber, and an X, Y, Z stage for positioning a sample located in the sub-chamber in X, Y, and Z directions. Heating means for heating, and
A CVD gas supply unit that supplies a CVD gas, a laser optical system that irradiates the sample with laser light, and an exhaust unit that evacuates the main chamber and the sub-chamber,
Wiring correction configured to raise the temperature in the sub-chamber in a vacuum atmosphere in both chambers and supply gas from the CVD gas supply means to raise the CVD gas pressure in the sub-chamber to form the wiring of the sample apparatus. 【請求項２】上記レーザ光学系の対物レンズをメインチ
ャンバに設け、サブチャンバのレーザ光を透過する窓に
加熱手段を設けた請求項１記載の配線修正装置。2. The wiring repair apparatus according to claim 1, wherein an objective lens of the laser optical system is provided in the main chamber, and heating means is provided in a window of the sub-chamber through which the laser light is transmitted. 【請求項３】上記レーザ光学系の対物レンズをサブチャ
ンバ内に設けた請求項１記載の配線修正装置。3. The apparatus according to claim 1, wherein the objective lens of the laser optical system is provided in the sub-chamber. 【請求項４】上記CVDガス供給手段はボンベ側からサブ
チャンバ側に行くに従って加熱温度が高くなるように加
熱手段を設けた請求項２記載の配線修正装置。4. The wiring repair apparatus according to claim 2, wherein said CVD gas supply means is provided with a heating means so that the heating temperature increases from the cylinder side to the sub-chamber side. 【請求項５】上記サブチャンバを構成するチャンバ部材
間に上下方向に自由度を有するベローを介挿し、かつ、
下方のチャンバ部材と試料台との間に隙間を形成し、試
料台および該試料台上の試料を搬送可能に構成した請求
項３記載の配線修正装置。5. A bellow having a degree of freedom in the vertical direction is interposed between chamber members constituting the sub-chamber, and
4. The wiring correction device according to claim 3, wherein a gap is formed between the lower chamber member and the sample stage so that the sample stage and the sample on the sample stage can be transported. 【請求項６】上記下方のチャンバ部材と試料台との間に
Ｏリングを設けた請求項５記載の配線修正装置。6. The wiring repair apparatus according to claim 5, wherein an O-ring is provided between the lower chamber member and the sample stage. 【請求項７】上記下方のチャンバ部材と試料台との間に
ラビリンスシールを設けた請求項５記載の配線修正装
置。7. The wiring repair apparatus according to claim 5, wherein a labyrinth seal is provided between the lower chamber member and the sample stage.