JP2948382B2 - パッケージ型半導体レーザ装置 - Google Patents
パッケージ型半導体レーザ装置Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光線の発光素子
として、半導体レーザチップを使用し、この半導体レー
ザチップの部分をキャップ体にてパッケージした半導体
レーザ装置の改良に関するものである。
として、半導体レーザチップを使用し、この半導体レー
ザチップの部分をキャップ体にてパッケージした半導体
レーザ装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のパッケージ型半導体レー
ザ装置は、例えば、特開昭６２−２１９６７２号公報又
は実開昭６２−５８０６６号公報等に記載され、且つ、
図１４〜図１６に示すように、炭素鋼等の金属にて直径
Ｄで、且つ、厚さＴの円盤型に形成した放熱板兼用のス
テム１の上面に、ヒートシンク体２を一体的に造形し
て、このヒートシンク体２の側面に、半導体レーザチッ
プ３をサブマウント４を介して装着する一方、前記ステ
ム１の上面に、ガラス等の透明窓６を備えたキャップ体
５を、前記ヒートシンク体２に被嵌するように装着する
ことによって、前記半導体レーザチップ３及びサブマウ
ント４の部分をパッケージするように構成していた。
ザ装置は、例えば、特開昭６２−２１９６７２号公報又
は実開昭６２−５８０６６号公報等に記載され、且つ、
図１４〜図１６に示すように、炭素鋼等の金属にて直径
Ｄで、且つ、厚さＴの円盤型に形成した放熱板兼用のス
テム１の上面に、ヒートシンク体２を一体的に造形し
て、このヒートシンク体２の側面に、半導体レーザチッ
プ３をサブマウント４を介して装着する一方、前記ステ
ム１の上面に、ガラス等の透明窓６を備えたキャップ体
５を、前記ヒートシンク体２に被嵌するように装着する
ことによって、前記半導体レーザチップ３及びサブマウ
ント４の部分をパッケージするように構成していた。
【０００３】但し、符号９は前記ステム１の上面におけ
る凹み部９ａ内に設けたモニター用ホォトダイオード
を、符号７ａは前記ステム１の下面に固着した第１リー
ド端子を、符号７ｂ及び７ｃは前記ステム１に穿設した
貫通孔１ａ，１ｂより挿入した第２及び第３リード端子
を各々示し、前記第２及び第３リード端子７ｂ，７ｃ
は、前記貫通孔１ａ，１ｂ内に絶縁シール材８を介して
絶縁で状態で固着され、更に、前記半導体レーザチップ
３とサブマウント４との間、前記第２リード端子７ｂと
サブマウント４との間、及び前記第３リード端子７ｃと
モニター用ホォトダイオード９との間は、前記キャップ
体５内において、細い金属線Ａ，Ｂ，Ｃにて接続されて
いる。
る凹み部９ａ内に設けたモニター用ホォトダイオード
を、符号７ａは前記ステム１の下面に固着した第１リー
ド端子を、符号７ｂ及び７ｃは前記ステム１に穿設した
貫通孔１ａ，１ｂより挿入した第２及び第３リード端子
を各々示し、前記第２及び第３リード端子７ｂ，７ｃ
は、前記貫通孔１ａ，１ｂ内に絶縁シール材８を介して
絶縁で状態で固着され、更に、前記半導体レーザチップ
３とサブマウント４との間、前記第２リード端子７ｂと
サブマウント４との間、及び前記第３リード端子７ｃと
モニター用ホォトダイオード９との間は、前記キャップ
体５内において、細い金属線Ａ，Ｂ，Ｃにて接続されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来にお
けるパッケージ型半導体レーザ装置は、半導体レーザチ
ップ３を、ステム１から突出するブロック体２に対し
て、当該半導体レーザチップ３から発射されるレーザ光
線Ｅの軸線が前記ステム１の上面から上向き方向となる
ようにして装着したものである。
けるパッケージ型半導体レーザ装置は、半導体レーザチ
ップ３を、ステム１から突出するブロック体２に対し
て、当該半導体レーザチップ３から発射されるレーザ光
線Ｅの軸線が前記ステム１の上面から上向き方向となる
ようにして装着したものである。
【０００５】従って、前記パッケージ型半導体レーザ装
置において、前記レーザ光線Ｅの軸線に沿っての高さ寸
法Ｈは、少なくとも、前記ステム１の厚さＴにヒートシ
ンク２の高さ寸法を加算した値になることに加えて、前
記ステム１における厚さＴも、当該ステム１にヒートシ
ンク２を一体的に造形することのために薄くすることが
できず、前記の高さ寸法Ｈが可成り高くなるから、薄型
にすることができないと言う問題があった。
置において、前記レーザ光線Ｅの軸線に沿っての高さ寸
法Ｈは、少なくとも、前記ステム１の厚さＴにヒートシ
ンク２の高さ寸法を加算した値になることに加えて、前
記ステム１における厚さＴも、当該ステム１にヒートシ
ンク２を一体的に造形することのために薄くすることが
できず、前記の高さ寸法Ｈが可成り高くなるから、薄型
にすることができないと言う問題があった。
【０００６】しかも、前記従来のパッケージ型半導体レ
ーザ装置においては、ステム１の上面に、半導体レーザ
チップ３を装着するためのヒートシンク２を一体的に造
形する構成であって、前記ステム１にヒートシンク２を
一体的に造形すること、及びステム１に対して第２及び
第３リード端子７ｂ，７ｃを、絶縁シール８にて絶縁状
態で固着することに多大の加工手数を必要とするから、
製造コストが大幅にアップすると言う問題もあった。
ーザ装置においては、ステム１の上面に、半導体レーザ
チップ３を装着するためのヒートシンク２を一体的に造
形する構成であって、前記ステム１にヒートシンク２を
一体的に造形すること、及びステム１に対して第２及び
第３リード端子７ｂ，７ｃを、絶縁シール８にて絶縁状
態で固着することに多大の加工手数を必要とするから、
製造コストが大幅にアップすると言う問題もあった。
【０００７】本発明は、これらの問題を解消したパッケ
ージ型半導体レーザ装置を提供することを技術的課題と
するものである。
ージ型半導体レーザ装置を提供することを技術的課題と
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「金属板製の支持板と、前記支持板の
上面と略平行の方向にレーザ光線を発射するように前記
支持板にマウントした半導体レーザチップと、前記支持
板に前記半導体レーザチップの周囲を囲うように上面開
放型に形成した合成樹脂製の枠体と、前記枠体の上面を
塞ぐ透明板とから成り、前記枠体の内部に、前記枠体又
は前記支持板と一体的に形成した装着部を設け、この装
着部に、前記半導体レーザチップから発射されるレーザ
光線を前記透明板に向かって方向変換するための反射部
を装着する。」という構成にした。
るため本発明は、「金属板製の支持板と、前記支持板の
上面と略平行の方向にレーザ光線を発射するように前記
支持板にマウントした半導体レーザチップと、前記支持
板に前記半導体レーザチップの周囲を囲うように上面開
放型に形成した合成樹脂製の枠体と、前記枠体の上面を
塞ぐ透明板とから成り、前記枠体の内部に、前記枠体又
は前記支持板と一体的に形成した装着部を設け、この装
着部に、前記半導体レーザチップから発射されるレーザ
光線を前記透明板に向かって方向変換するための反射部
を装着する。」という構成にした。
【０００９】
【発明の作用及び効果】このように、支持板の上面に、
半導体レーザチップを横向きに装着する一方、前記支持
板の周囲に、上面を透明板に塞いだ合成樹脂製の枠体を
形成し、該枠体内に、前記半導体レーザチップからのレ
ーザ光線を前記透明板に向かって方向変換するようにし
た反射部を設ける構成にしたことにより、レーザ光線
を、支持板の上面から上向き方向に発射するものであり
ながら、従来におけるパッケージ型半導体レーザ装置に
おいて必要であったヒートシンクを省略することができ
るから、前記レーザ光線の軸線に沿っての高さ寸法を低
くすることができると共に、支持板の加工に要する手数
を大幅に軽減できるのである。
半導体レーザチップを横向きに装着する一方、前記支持
板の周囲に、上面を透明板に塞いだ合成樹脂製の枠体を
形成し、該枠体内に、前記半導体レーザチップからのレ
ーザ光線を前記透明板に向かって方向変換するようにし
た反射部を設ける構成にしたことにより、レーザ光線
を、支持板の上面から上向き方向に発射するものであり
ながら、従来におけるパッケージ型半導体レーザ装置に
おいて必要であったヒートシンクを省略することができ
るから、前記レーザ光線の軸線に沿っての高さ寸法を低
くすることができると共に、支持板の加工に要する手数
を大幅に軽減できるのである。
【００１０】また、前記前記半導体レーザチップに対す
る各リード端子を、前記合成樹脂製の枠体に埋設したこ
とにより、各リード端子を絶縁状態で固着することが、
前記合成樹脂製枠体の成形によって同時にできるから、
各リード端子を絶縁状態で固着することの手数をも大幅
に低減できるのである。従って、本発明によると、パッ
ケージ型半導体レーザ装置を、薄型にすることができる
と共に、その製造コストを大幅に低減できる効果を有す
る。
る各リード端子を、前記合成樹脂製の枠体に埋設したこ
とにより、各リード端子を絶縁状態で固着することが、
前記合成樹脂製枠体の成形によって同時にできるから、
各リード端子を絶縁状態で固着することの手数をも大幅
に低減できるのである。従って、本発明によると、パッ
ケージ型半導体レーザ装置を、薄型にすることができる
と共に、その製造コストを大幅に低減できる効果を有す
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面について説明す
る。図１〜図３は、第１の実施例であって、この図にお
いて符号１０は、本発明によるパッケージ型の半導体レ
ーザ装置を示し、このパッケージ型半導体レーザ装置１
０は、金属板製の支持板１１と、該支持板１１の周囲に
一体的に成形した合成樹脂製の枠体１２と、該枠体１２
の上面に、当該上面における解放部を塞ぐように接着剤
等によって固着したガラス板等の透明板１３とによって
構成されている。
る。図１〜図３は、第１の実施例であって、この図にお
いて符号１０は、本発明によるパッケージ型の半導体レ
ーザ装置を示し、このパッケージ型半導体レーザ装置１
０は、金属板製の支持板１１と、該支持板１１の周囲に
一体的に成形した合成樹脂製の枠体１２と、該枠体１２
の上面に、当該上面における解放部を塞ぐように接着剤
等によって固着したガラス板等の透明板１３とによって
構成されている。
【００１２】前記枠体１２内における支持板１１の上面
には、上面の一部にモニター用ホォトダイオード１５を
備えたサブマウント１４が固着され、このサブマウント
１４の上面に、半導体レーザチップ１６を、当該半導体
レーザチップ１６における前方劈開面１６ａからのレー
ザ光線を前記支持板１１の上面と略平行の方向に発射す
るように横向きに固着する。
には、上面の一部にモニター用ホォトダイオード１５を
備えたサブマウント１４が固着され、このサブマウント
１４の上面に、半導体レーザチップ１６を、当該半導体
レーザチップ１６における前方劈開面１６ａからのレー
ザ光線を前記支持板１１の上面と略平行の方向に発射す
るように横向きに固着する。
【００１３】一方、前記支持板１１から一体的に延びる
第１リード端子１７の左右両側には、第２リード端子１
８及び第３リード端子１９を各々平行に配設して、これ
ら第２及び第３リード端子１８，１９を、前記支持板１
１の周囲に前記枠体１２を成形するとき、当該枠体１２
内に埋設するように構成する。そして、前記枠体１２内
のうち前記半導体レーザチップ１５に対向する部位に
は、反射部用の装着部２０を前記枠体１２に一体的に造
形して設け、この装着部２０に、前記半導体レーザチッ
プ１６における前方劈開面１６ａから発射されるレーザ
光線Ｅを、前記透明板１３に向かって方向変換するよう
にした反射部２１を固着する。
第１リード端子１７の左右両側には、第２リード端子１
８及び第３リード端子１９を各々平行に配設して、これ
ら第２及び第３リード端子１８，１９を、前記支持板１
１の周囲に前記枠体１２を成形するとき、当該枠体１２
内に埋設するように構成する。そして、前記枠体１２内
のうち前記半導体レーザチップ１５に対向する部位に
は、反射部用の装着部２０を前記枠体１２に一体的に造
形して設け、この装着部２０に、前記半導体レーザチッ
プ１６における前方劈開面１６ａから発射されるレーザ
光線Ｅを、前記透明板１３に向かって方向変換するよう
にした反射部２１を固着する。
【００１４】なお、この第１の実施例の場合、前記サブ
マウント１４の上面のうち半導体レーザチップ１６にお
ける後方劈開面１６ｂとモニター用ホォトダイオード１
５との間には、前記後方劈開面１６ｂから発射されるモ
ニター用レーザ光線をモニター用ホォトダイオード１５
に導くための透明又は半透明合成樹脂製の導波体２２が
塗着されている。
マウント１４の上面のうち半導体レーザチップ１６にお
ける後方劈開面１６ｂとモニター用ホォトダイオード１
５との間には、前記後方劈開面１６ｂから発射されるモ
ニター用レーザ光線をモニター用ホォトダイオード１５
に導くための透明又は半透明合成樹脂製の導波体２２が
塗着されている。
【００１５】このように構成すると、枠体１２内におけ
る半導体レーザチップ１６を、支持板１１の上面に対し
て横向きに装着したものでありながら、この横向きの半
導体レーザチップ１６における前方劈開面１６ａからの
レーザ光線Ｅを、反射部２１による方向変換によって、
前記枠体１２の上面に固着した透明体１３を透して支持
板１１の上面から上向きの方向に発射することができる
のである。
る半導体レーザチップ１６を、支持板１１の上面に対し
て横向きに装着したものでありながら、この横向きの半
導体レーザチップ１６における前方劈開面１６ａからの
レーザ光線Ｅを、反射部２１による方向変換によって、
前記枠体１２の上面に固着した透明体１３を透して支持
板１１の上面から上向きの方向に発射することができる
のである。
【００１６】従って、半導体レーザチップ１６を、支持
板１１の上面に対して縦向きにして装着することを必要
としないから、従来のパッケージ型半導体レーザ装置に
おいて、半導体レーザチップを縦向きに取付けることの
ために必要であったヒートシンクを廃止することができ
るのである。また、前記半導体レーザチップ１６に対す
る第２及び第３リード端子１８，１９を、前記枠体１２
の成形と同時に、当該枠体１２に対して絶縁状態で固着
することができるのである。
板１１の上面に対して縦向きにして装着することを必要
としないから、従来のパッケージ型半導体レーザ装置に
おいて、半導体レーザチップを縦向きに取付けることの
ために必要であったヒートシンクを廃止することができ
るのである。また、前記半導体レーザチップ１６に対す
る第２及び第３リード端子１８，１９を、前記枠体１２
の成形と同時に、当該枠体１２に対して絶縁状態で固着
することができるのである。
【００１７】ところで、この構成のパッケージ型の半導
体レーザ装置１０の製造に際しては、以下に述べるよう
な方法を採用することができる。すなわち、先づ、図４
に示すように、支持板１１から一体的に延びる第１リー
ド端子１７、その両側における第２及び第３リード端子
１８，１９を、長手方向に沿って適宜間隔で一体的に造
形して成るリードフレーム２３を用意し、このリードフ
レーム２３を、その長手方向に沿って移送する途中にお
いて、図５に示すように、支持板１１を備えた第１リー
ド端子１７の中程部を、支持板１１が第２及び第３リー
ド端子１８，１９より適宜寸法だけ低くするように屈曲
し、次いで、前記各リード端子１７，１８，１９の先端
部を、図示しない一対の金型に挟み付けたのち、両金型
の合わせ面に形成されている成形用キャビティー内に合
成樹脂を溶融状態で圧注入することにより、図６〜図８
に示すように、前記支持板１１の周囲に、合成樹脂製の
枠体１２を、当該枠体１２の内部に前記第２及び第３リ
ード端子１８，１９を埋設するように一体的に成形す
る。
体レーザ装置１０の製造に際しては、以下に述べるよう
な方法を採用することができる。すなわち、先づ、図４
に示すように、支持板１１から一体的に延びる第１リー
ド端子１７、その両側における第２及び第３リード端子
１８，１９を、長手方向に沿って適宜間隔で一体的に造
形して成るリードフレーム２３を用意し、このリードフ
レーム２３を、その長手方向に沿って移送する途中にお
いて、図５に示すように、支持板１１を備えた第１リー
ド端子１７の中程部を、支持板１１が第２及び第３リー
ド端子１８，１９より適宜寸法だけ低くするように屈曲
し、次いで、前記各リード端子１７，１８，１９の先端
部を、図示しない一対の金型に挟み付けたのち、両金型
の合わせ面に形成されている成形用キャビティー内に合
成樹脂を溶融状態で圧注入することにより、図６〜図８
に示すように、前記支持板１１の周囲に、合成樹脂製の
枠体１２を、当該枠体１２の内部に前記第２及び第３リ
ード端子１８，１９を埋設するように一体的に成形す
る。
【００１８】そして、前記枠体１２内に、サブマウント
１４及び半導体レーザチップ１６をマウントし、これら
の相互間及びこれらと各リード端子１８，１９との相互
間を金属線（図示せず）にてワイヤーボンディングした
のち、枠体１２の上面に透明板１３を固着し、最後に、
リードフレーム２３から切り放すことにより、図１〜図
３に示すようなパッケージ型の半導体レーザ装置１０を
製造することができるのである。
１４及び半導体レーザチップ１６をマウントし、これら
の相互間及びこれらと各リード端子１８，１９との相互
間を金属線（図示せず）にてワイヤーボンディングした
のち、枠体１２の上面に透明板１３を固着し、最後に、
リードフレーム２３から切り放すことにより、図１〜図
３に示すようなパッケージ型の半導体レーザ装置１０を
製造することができるのである。
【００１９】次に、図９〜図１１は、第２の実施例を示
すもので、この第２の実施例は、支持板１１の上面にサ
ブマウント１４を介して横向きに装着した半導体レーザ
チップ１６における後方劈開面を反射膜２４にて完全に
塞くことによって、レーザ光線の全てが前方劈開面１６
ａから発射するようにする一方、前記支持板１１の先端
部に、傾斜状に折り曲げた反射部用装着部２０ａを一体
的に造形し、この反射部用装着部２０ａに、モニター用
のホォトダイオード２５を装着し、このホォトダイオー
ド２５の表面に、前記半導体レーザチップ１６における
前方劈開面１６ａから発射されるレーザ光線の大部分
（約８０％）を透明板１３に向かって方向変換し残りの
レーザ光線をホォトダイオード２５に対して透すように
した反射膜２１ａを設けたものである。
すもので、この第２の実施例は、支持板１１の上面にサ
ブマウント１４を介して横向きに装着した半導体レーザ
チップ１６における後方劈開面を反射膜２４にて完全に
塞くことによって、レーザ光線の全てが前方劈開面１６
ａから発射するようにする一方、前記支持板１１の先端
部に、傾斜状に折り曲げた反射部用装着部２０ａを一体
的に造形し、この反射部用装着部２０ａに、モニター用
のホォトダイオード２５を装着し、このホォトダイオー
ド２５の表面に、前記半導体レーザチップ１６における
前方劈開面１６ａから発射されるレーザ光線の大部分
（約８０％）を透明板１３に向かって方向変換し残りの
レーザ光線をホォトダイオード２５に対して透すように
した反射膜２１ａを設けたものである。
【００２０】この第２の実施例におけるパッケージ型の
半導体レーザ装置１０ａによると、半導体レーザチップ
１６における前方劈開面１６ａから発射するレーザ光線
Ｅを、ホォトダイオード２５にて直接的にモニターする
ことができるから、モニターの出力を高くすることがで
きると共に、レーザ光線のモニターによる制御精度を向
上できる利点がある。
半導体レーザ装置１０ａによると、半導体レーザチップ
１６における前方劈開面１６ａから発射するレーザ光線
Ｅを、ホォトダイオード２５にて直接的にモニターする
ことができるから、モニターの出力を高くすることがで
きると共に、レーザ光線のモニターによる制御精度を向
上できる利点がある。
【００２１】そして、この第２の実施例におけるパッケ
ージ型の半導体レーザ装置１０ａの製造に際しては、図
１２に示すように、反射部用装着部２０ａ付き支持板１
１から一体的に延びる第１リード端子１７、その両側に
おける第２及び第３リード端子１８，１９を、長手方向
に沿って適宜間隔で一体的に造形して成るリードフレー
ム２３ａを用意し、このリードフレーム２３ａを、その
長手方向に沿って移送する途中において、図１３に示す
ように、支持板１１を備えた第１リード端子１７の中程
部を、支持板１１が第２及び第３リード端子１８，１９
より適宜寸法だけ低くするように屈曲すると共に、反射
部用装着部２０ａを傾斜状に屈曲し、次いで、前記第１
の実施例の場合と同様に、枠体１２の成形、サブマウン
ト１４及び半導体レーザチップ１６のマウント、金属線
によるワイヤーボンディング及び透明板１３の固着を行
うのち、リードフレーム２３ａから切り放すようにする
のである。
ージ型の半導体レーザ装置１０ａの製造に際しては、図
１２に示すように、反射部用装着部２０ａ付き支持板１
１から一体的に延びる第１リード端子１７、その両側に
おける第２及び第３リード端子１８，１９を、長手方向
に沿って適宜間隔で一体的に造形して成るリードフレー
ム２３ａを用意し、このリードフレーム２３ａを、その
長手方向に沿って移送する途中において、図１３に示す
ように、支持板１１を備えた第１リード端子１７の中程
部を、支持板１１が第２及び第３リード端子１８，１９
より適宜寸法だけ低くするように屈曲すると共に、反射
部用装着部２０ａを傾斜状に屈曲し、次いで、前記第１
の実施例の場合と同様に、枠体１２の成形、サブマウン
ト１４及び半導体レーザチップ１６のマウント、金属線
によるワイヤーボンディング及び透明板１３の固着を行
うのち、リードフレーム２３ａから切り放すようにする
のである。
【図１】本発明における第１の実施例による半導体レー
ザ装置の縦断正面図である。
ザ装置の縦断正面図である。
【図２】図１のII−II視平断面図である。
【図３】図１のIII −III 視断面図である。
【図４】第１の実施例による半導体レーザ装置の製造に
使用するリードフレームの斜視図である。
使用するリードフレームの斜視図である。
【図５】前記リードフレームにおける第１リード端子を
屈曲した状態の斜視図である。
屈曲した状態の斜視図である。
【図６】前記リードフレームにおける各支持板に合成樹
脂製の枠体を成形した状態の斜視図である。
脂製の枠体を成形した状態の斜視図である。
【図７】図６のVII −VII 視断面図である。
【図８】図６のVIII−VIII視断面図である。
【図９】本発明における第２の実施例による半導体レー
ザ装置の縦断正面図である。
ザ装置の縦断正面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ視平断面図である。
【図１１】図９のXI−XI視断面図である。
【図１２】第２の実施例による半導体レーザ装置の製造
に使用するリードフレームの斜視図である。
に使用するリードフレームの斜視図である。
【図１３】前記リードフレームにおける第１リード端子
を屈曲した状態の斜視図である。
を屈曲した状態の斜視図である。
【図１４】従来における半導体レーザ装置の縦断正面図
である。
である。
【図１５】図１４のXV−XV視断面図である。
【図１６】図１４のXVI −XVI 視断面図である。
１０，１０ａ 半導体レーザ装置 １１ 放熱板 １２ 枠体 １３ 透明板 １４ サブマウント １６ 半導体レーザチップ １７ 第１リード端子 １８，１９ 第２及び第３リード端子 ２０，２０ａ 反射部用装着部 ２１，２１ａ 反射部 ２５ モニター用ホォトダイオード
Claims (2)
- 【請求項１】金属板製の支持板と、前記支持板の上面と
略平行の方向にレーザ光線を発射するように前記支持板
にマウントした半導体レーザチップと、前記支持板に前
記半導体レーザチップの周囲を囲うように上面開放型に
形成した合成樹脂製の枠体と、前記枠体の上面を塞ぐ透
明板とから成り、前記枠体の内部に、前記枠体と一体的
に形成した装着部を設け、この装着部に、前記半導体レ
ーザチップから発射されるレーザ光線を前記透明板に向
かって方向変換するための反射部を装着したことを特徴
とするパッケージ型半導体レーザ装置。 - 【請求項２】金属板製の支持板と、前記支持板の上面と
略平行の方向にレーザ光線を発射するように前記支持板
にマウントした半導体レーザチップと、前記支持板に前
記半導体レーザチップの周囲を囲うように上面開放型に
形成した合成樹脂製の枠体と、前記枠体の上面を塞ぐ透
明板とから成り、前記枠体の内部に、前記支持板と一体
的に形成した装着部を設け、この装着部に、前記半導体
レーザチップから発射されるレーザ光線を前記透明板に
向かって方向変換するための反射部を装着したことを特
徴とするパッケージ型半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30482091A JP2948382B2 (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | パッケージ型半導体レーザ装置 |
| US07/967,279 US5327443A (en) | 1991-10-30 | 1992-10-27 | Package-type semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30482091A JP2948382B2 (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | パッケージ型半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05145186A JPH05145186A (ja) | 1993-06-11 |
| JP2948382B2 true JP2948382B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=17937650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30482091A Expired - Fee Related JP2948382B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-11-20 | パッケージ型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2948382B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10303508A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | パッケージケースと半導体モジュール |
| JP7174230B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2022-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
| JP2019192442A (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置、プロジェクター、および光源装置の製造方法 |
| JP7052532B2 (ja) * | 2018-04-26 | 2022-04-12 | 株式会社デンソー | 光学装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-11-20 JP JP30482091A patent/JP2948382B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05145186A (ja) | 1993-06-11 |
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| Date | Code | Title | Description |
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