JP2947644B2 - 樹脂組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性、耐クラック性
に優れた樹脂組成物に関する。すなわち、電子・電気部
品、半導体分野等の絶縁材料、積層板材料、樹脂封止用
材料として、耐熱性、耐クラック性の向上をはかる樹脂
組成物に関わり、特に耐半田クラック性を要求される半
導体装置を封止するのに適した樹脂組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子・電気部品、半導体等の分野
で耐熱性、耐クラック性の優れた樹脂組成物が求められ
ている。例えば、電気・電子部品、とりわけ半導体の分
野では、これを使用する機器、装置の小型化、薄型化に
ともなって部品を取り付ける配線基板への実装密度が高
くなる傾向にあり、また、部品そのものも多機能化の傾
向にある。これを封止する材料には、配線基板への半田
付け工程における高温半田に対して、耐熱性に優れた樹
脂組成物の開発が強く望まれている。従来、このような
用途に対する樹脂組成物、いわゆる半導体封止用樹脂組
成物としては、O-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
に代表されるエポキシ樹脂、その硬化剤としてフェノー
ルノボラック樹脂およびシリカを主成分とする樹脂組成
物が、成形性、信頼性の点で優れており、この分野での
主流となっている。

【０００３】しかしながら、樹脂封止型半導体装置につ
いて言えば、前述の高密度実装化の流れにより表面実装
型の半導体装置に変わりつつある。このような表面実装
型の半導体装置においては、従来の挿入型半導体装置と
違って、基板への半田付け工程で半導体装置全体が 200
℃以上の半田付け温度に曝される。この際、封止樹脂に
クラックが発生し、半導体装置の信頼性を大幅に低下さ
せるという問題が生じてきた。この半田付け時における
クラックは、半導体装置の保管中に吸湿した水分が 200
℃以上の温度で爆発的に膨張し、応力が発生し、これが
封止樹脂の強度を超えるとクラックが発生する。この
際、樹脂に加わる応力は、近似的に次式で表される。 σ＝ｋ・ｐ・ａ²／ｔ² ただし、σ：樹脂に加わる応力 ｋ：定数 ｐ：水蒸気圧 ａ：ダイパッドの短辺の長さ ｔ：ダイパッド下部の樹脂の厚み 従って、封止樹脂のガラス転移温度を高くし水分の膨張
により発生する応力に打ち勝つだけの十分な樹脂強度を
もたせる目的で、イミド系の樹脂が検討されてきた。し
かし、イミド系樹脂の硬化物は吸水率が増大する傾向に
有り、前述の式から考えると、樹脂に加わる応力を増大
させイミド樹脂の特徴である高強度を活かすことが出来
なくなる。従って、吸水率を小さくして半田付け時の水
蒸気圧を下げることはクラックの発生を抑える上で有効
な手段である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、実装
時に於ける耐半田クラック性を要求される樹脂封止型半
導体装置にも適用できる、耐熱性、耐クラック性の優れ
た樹脂組成物を提供することである。本発明の第２の目
的は、絶縁材料、積層板等の耐熱性、耐クラック性の向
上をはかり、電子・電気部品にも巾広く応用できる樹脂
組成物を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意研究を重ねた結果、イミド樹脂とし
て比較的低温度で硬化可能なポリマレイミドを使用し、
更に吸水率の低いフェノールアラルキル樹脂を併用する
ことで封止樹脂の吸水率を増大させる事なく強度を大幅
に向上させることに成功し、本発明を完成するに至っ
た。すなわち、本発明は、一般式（１）で表されるポリ
マレイミドと一般式（２）で表されるフェノールアラル
キル樹脂を含む有機成分、あるいはこれらに更にエポキ
シ樹脂を含む有機成分、および無機充填剤とを含有して
なる樹脂組成物である。より詳しくは、（Ａ）成分とし
て、 （ａ）一般式（１）；

【化１３】 （式中、R₁は少なくとも２個の炭素原子を有するｍ価の
有機基を示し、ｍは２以上の整数を示す）で表されるポ
リマレイミド化合物と（ｂ）一般式（２）；

【化１４】 ( 式中、X は

【化１５】 または

【化１６】 の2 価の基を示し、ｎは 0〜100 の整数を示す）で表さ
れるフェノールアラルキ樹脂、あるいはこれらの樹脂と
フェノール類との混合物とを含む有機成分および（Ｂ）
成分として、無機充填剤とを含有してなる樹脂組成物、
あるいは、（Ａ）成分として、前記の（ａ）のポリマレ
イミド化合物と（ｂ）フェノールアラルキル樹脂または
これらの樹脂とフェノール類との混合物とに、さらに
（ｃ）エポキシ樹脂を含む有機成分と（Ｂ）成分とし
て、無機充填剤とを含有してなる樹脂組成物であり、特
に耐半田クラック性の優れた半導体封止に好適な半導体
封止用樹脂組成物である。

【０００６】本発明の組成物において、有機成分（Ａ）
として使用される（ａ）成分は、一般式（１）で表され
るポリマレイミド化合物である。一般式（１）で表され
るポリマレイミド化合物は、１分子中に２個以上のマレ
イミド基を有する化合物である。このようなポリマレイ
ミド化合物としては、例えば、N,N'- エチレンビスマレ
イミド、N,N'- ヘキサメチレンビスマレイミド、N,N'-
(1,3-フェニレン) ビスマレイミド、N,N'-(1,4-フェニ
レン) ビスマレイミド、ビス(4- マレイミドフェニル)
メタン、ビス(4- マレイミドフェニル) エーテル、ビス
(3- クロロ-4- マレイミドフェニル) メタン、ビス(4-
マレイミドフェニル) スルホン、ビス(4- マレイミドシ
クロヘキシル) メタン、1,4-ビス(4- マレイミドフェニ
ル) シクロヘキサン、1,4-ビス (マレイミドメチル) シ
クロヘキサン、1,4-ビス (マレイミドメチル) ベンゼ
ン、1,3-ビス(4- マレイミドフェノキシ) ベンゼン、1,
3-ビス(3- マレイミドフェノキシ) ベンゼン、ビス［4-
(3- マレイミドフェノキシ) フェニル］メタン、ビス
［4-(4- マレイミドフェノキシ) フェニル］メタン、1,
1-ビス［4-(3- マレイミドフェノキシ) フェニル］エタ
ン、1,1-ビス［4-(4- マレイミドフェノキシ) フェニ
ル］エタン、1,2-ビス［4-(3- マレイミドフェノキシ)
フェニル］エタン、1,2-ビス［4-(4- マレイミドフェノ
キシ) フェニル］エタン、2,2-ビス［4-(3- マレイミド
フェノキシ) フェニル］プロパン、2,2-ビス［4-(4- マ
レイミドフェノキシ) フェニル］プロパン、2,2-ビス
［4-(3- マレイミドフェノキシ) フェニル］ブタン、2,
2-ビス［4-(4- マレイミドフェノキシ) フェニル］ブタ
ン、2,2-ビス［4-(3- マレイミドフェノキシ) フェニ
ル］-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス
［4-(4- マレイミドフェノキシ) フェニル］-1,1,1,3,
3,3-ヘキサフルオロプロパン、4,4'- ビス(3- マレイミ
ドフェノキシ) ビフェニル、4,4'- ビス(4- マレイミド
フェノキシ) ビフェニル、ビス［4-(3- マレイミドフェ
ノキシ) フェニル］ケトン、ビス［4-(4- マレイミドフ
ェノキシ) フェニル］ケトン、ビス［4-(3- マレイミド
フェノキシ) フェニル］スルフィド、ビス［4-(4- マレ
イミドフェノキシ) フェニル］スルフィド、ビス［4-(3
- マレイミドフェノキシ) フェニル］スルホキシド、ビ
ス［4-(4- マレイミドフェノキシ) フェニル］スルホキ
シド、ビス［4-(3- マレイミドフェノキシ)フェニル］
スルホン、ビス［4-(4- マレイミドフェノキシ) フェニ
ル］スルホン、ビス［4-(3- マレイミドフェノキシ) フ
ェニル］エーテル、ビス［4-(4- マレイミドフェノキ
シ) フェニル］エーテル、ポリマレイミドフェニルメチ
レン、及び一般式（５）：

【化１７】 （式中、ｌは平均値で 0〜10である）で表されるポリマ
レイミド化合物が挙げられる。また、これらのポリマレ
イミド化合物は、単独で用いても２種類以上を混合して
用いてもよい。

【０００７】また、本発明の組成物において有機成分
（Ａ）として使用される（ｂ）成分は、一般式（２）で
表されるフェノールアラルキル樹脂または該樹脂とフェ
ノール類との混合物であり、一般式（２）で表されるフ
ェノールアラルキル樹脂を単独またはこれに更に、１分
子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物を
併用してもよい。本発明において、一般式（２）で表さ
れるフェノールアラルキル樹脂は、一般式（２−Ａ）

【化１８】 （式中、ｎは 0〜100 の整数を示す）で表されるフェニ
ルフェノールアラルキル樹脂または一般式（２−Ｂ）

【化１９】 （式中、ｎは０〜100 の整数を示す）で表されるナフト
ールアラルキル樹脂である。フェノールアラルキル樹脂
は一般式 (２) でｎが特に０〜５の整数であるものが低
軟化点を有し、流動性が優れた好ましい樹脂である。こ
れらのフエノールアラルキル樹脂は一般式（６）

【化２０】 （式中、R₄は水素原子または炭素数が４以下のアルキル
基を示す）で表されるアラルキルアルコール誘導体にフ
ェニルフェノールまたは一般式（７）；

【化２１】 で表されるナフトールを酸触媒の存在下で反応させるこ
とにより得ることができる。

【０００８】使用される一般式（６）で表されるアラル
キルアルコール誘導体としては、α，α'-ジヒドロキシ
-p- キシレン、α，α'-ジメトキシ-p- キシレン、α，
α'-ジエトキシ-p- キシレン、α，α'-ジ-n- プロポキ
シ-p- キシレン、α，α'-ジイソプロポキシ-p- キシレ
ン、α，α'-ジ-n-ブトキシ-p- キシレン、α，α'-ジ-
sec- ブトキシ-p- キシレン、α，α'-ジイソブトキシ-
p- キシレン等が挙げられる。また、本発明に使用され
るフェニルフェノールは、o-フェニルフェノール、m-フ
ェニルフェノールおよびp-フェニルフェノールである。
さらに、本発明に使用される一般式（７）で表されるナ
フトールは、α−ナフトールおよびβ−ナフトールが挙
げられる。

【０００９】アラルキルアルコール誘導体とナフトール
またはフェニルフェノールとの反応は、アラルキルアル
コール誘導体の１ｍｏｌに対して、ナフトールまたはフ
ェニルフェノールを通常、１．３〜２０ｍｏｌ、好まし
くは１．５〜１０ｍｏｌの範囲で用い、酸触媒の存在下
に１１０℃以上、好ましくは１３０〜１８０℃の範囲で
加熱、反応させる。 酸触媒としは、無機または有機の
酸、例えば、塩酸、硫酸、燐酸などの鉱酸、塩化亜鉛、
塩化アルミニウム、塩化第二錫、塩化第二鉄などのフリ
ーデルクラフツ型触媒、メタンスルホン酸、ｐ−トルエ
ンスルホン酸などの有機スルホン酸、ジメチル硫酸、ジ
エチル硫酸などの硫酸エステル、トリフロロメタンスル
ホン酸、三ふっ化ほう素などの超強酸等を単独で、ある
いは併用して使用する。触媒の使用量は、ナフトールま
たはフェニルフェノールおよびアラルキルアルコール誘
導体の総重量の約０．０００１〜１０重量％、好ましく
は０．００１〜１重量％程度である。反応が進行するに
つれ、生成するハロゲン化水素、水またはアルコールは
系外に留去する。反応終了後、未反応ナフトールまたは
フェニルフェノールは真空蒸留など任意の方法で除去す
ればよい。

【００１０】本発明の組成物において、一般式（２）で
表されるフェノールアラルキル樹脂と併用できる１分子
中に２個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール
化合物としては、フェノールおよびまたは置換フェノー
ルとアルデヒド類との反応生成物である一般式（３）

【化２２】 （式中、R₂は水素原子、水酸基または炭素数１〜９のア
ルキル基を示し、ｒは１以上の整数である）で表される
ノボラック型フェノール樹脂が最も好ましく用いられ
が、これ以外のフェノール化合物、例えば、一般式
（８）および（９）；

【化２３】 （式中、qは０〜１００の整数を示す）

【化２４】 （式中、ｑは０〜１００の整数を示す）で表されるアラ
ルキル樹脂、とくに上記式でｑが０〜５の整数である流
動性が優れ低軟化点を有する樹脂、およびトリヒドロキ
シフェニルメタン、テトラヒドロキシフェニルエタン、
アルカンテトラキスフェノール等の多価フェノール類が
挙げられる。

【００１１】一般式（２）で表されるフェノールアラル
キル樹脂に、前記フェノール化合物を併用する場合の両
者の割合は、前者 100重量部に対して後者０〜 100重量
部の範囲で使用することが好ましい。更に、有機成分
（Ａ）として（ｃ）成分を含む場合、（ｃ）成分として
使用されるエポキシ樹脂は、耐熱性、電気特性の点から
フェノールおよびまたは置換フェノールとアルデヒド類
との反応生成物であるノボラック型フェノール樹脂より
誘導される一般式（４）；

【化２５】 （式中、R₃は水素原子または炭素数１〜９のアルキル基
を示し、pは１以上の整数を示す）で表されるエポキシ
樹脂が最も好ましく用いられるが、１分子中に少なくと
も２個のエポキシ基を有するものであれば全て使用可能
である。具体的には、１分子中に２個以上の活性水素を
有する化合物から誘導されるエポキシ樹脂、例えば、ビ
スフェノールＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシン、ビス
ヒドロキシジフェニルエーテル、ビスヒドロキシビフェ
ニル、テトラブロムビスフェノールＡ、トリヒドロキシ
フェニルメタン、テトラヒドロキシフェニルエタン、ア
ルカンテトラキスフェノール等の多価フェノール類；エ
チレングリコール、ネオペンチルグリコール、グリセリ
ン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、
ジエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の
多価アルコール類；エチレンジアミン、アニリン、ビス
（４−アミノフェニル）メタン等のアミン類；アジピン
酸、フタル酸、イソフタル酸等の多価カルボン酸類とエ
ピクロルヒドリンまたは２−メチルエピクロルヒドリン
を反応させて得られるエポキシ樹脂、および一般式（１
０）（１１）：

【化２６】 （式中、ｘは０〜１００の整数を示す）

【化２７】 （式中、ｘは０〜１００の整数を示す）で表されるエポ
キシ樹脂、好ましくは上記式でｘが０〜５の整数である
エポキシ樹脂が低軟化性を有し、流動性がよいものとし
て挙げられる。これらのエポキシ樹脂の１種類または２
種類以上が使用される。また、前記のエポキシ樹脂は、
オイル状、ゴム状等のシリコーン化合物で変性して使用
することもできる。例えば、特開昭 62-270617号、特開
昭 62-273222号に開示されたごとく、エポキシ樹脂とビ
ニルポリマーとの反応物中にシリコーンポリマーの微粒
子を分散させることにより製造されるシリコーン変性エ
ポキシ樹脂である。

【００１２】本発明の組成物において、（Ａ）成分につ
いては、（ａ）成分の一般式（１）で表されるポリマレ
イミド化合物と（ｂ）成分の一般式（２）で表されるフ
ェノールアラルキル樹脂または該樹脂とフェノール類と
の混合物の配合量は、通常、（ａ）成分100 重量部に対
して、（ｂ）成分が10〜500 重量部、好ましくは25〜30
0 重量部の範囲である。また、本発明の組成物におい
て、（Ａ）成分が（ｃ）成分を含む場合には、（ａ）成
分の一般式（１）で表されるポリマレイミド化合物、
（ｂ）成分の一般式（２）で表されるフェノールアラル
キル樹脂または該樹脂とフェノール類との混合物および
（ｃ）成分のエポキシ樹脂の配合量は、（ａ）成分100
重量部に対して、（ｂ）成分と（ｃ）成分の合計量が10
〜500 重量部、好ましくは25〜300 重量部であり、
（ｂ）成分の一般式（２）で表されるフェノールアラル
キル樹脂または該樹脂とフェノール類との混合物に対し
て（ｃ）成分のエポキシ樹脂が当量比で0.1〜10 の範
囲、好ましくは0.5〜2.0の範囲である。 本発明におい
て樹脂組成物を通常のように配合、混練させてもよい
し、ポリマレイミド化合物を上記、（ｂ）成分または
（ｂ）成分と（ｃ）成分の混合物の一部または全部に予
め溶解させておいてもよく、またこれらを反応させたプ
レポリマーとして使用してもよい。

【００１３】本発明の組成物において（Ｂ）成分として
使用される無機充填剤は、無機質の粉体、または繊維体
の物が使用可能で、例えば、結晶性シリカ、溶融シリ
カ、アルミナ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、タルク、ケイ
酸カルシウム、炭酸カルシウム、マイカ、クレー、チタ
ンホワイト等の粉体；ガラス繊維、カーボン繊維等の繊
維体があるが、熱膨張率と熱伝導率の点から、結晶性、
溶融性のシリカ粉末が好ましい。さらに、成形時の流動
性の点から球形、または球形と不定形のシリカ粉末の混
合物が好ましい。（Ｂ）成分の無機充填剤の配合量は、
（ａ）成分の一般式（１）で表されるポリマレイミド化
合物と（ｂ）成分の一般式（２）で表されるフェノール
アラルキル樹脂または該樹脂とフェノール類との混合物
の合計量、あるいはこれに（ｃ）成分のエポキシ樹脂を
加えた合計量100 重量部に対して、100〜900重量部であ
ることが必要であり、好ましくは200〜600重量部であ
る。また上記の無機充填剤は、機械的強度、耐熱性の点
から、樹脂との接着性向上の目的でカップリング剤を併
用することが好ましく、かかるカップリング剤として
は、シラン系、チタネート系、アルミネート系およびジ
ルコアルミネート系等のカップリング剤が使用できる。
その中でもシラン系カップリング剤が好ましく、特に、
反応性の官能基を有するシラン系カップリング剤が最も
好ましい。かかるシラン系カップリング剤の例として
は、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルメ
チルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−
アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、３−アニリノプロピルトリメト
キシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラ
ン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルト
リメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン等を挙げることができ、これらの１種類または２種
類以上が使用される。これらのシラン系カップリング剤
は、予め無機充填剤表面に吸着ないしは反応により固定
されていることが好ましい。

【００１４】本発明において、樹脂組成物を硬化するに
あたっては、硬化促進剤を含有させることが望ましく、
かかる硬化促進剤としては、２−メチルイミダゾール、
２−メチル−４−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシ
ルイミダゾール等のイミダゾール類；トリエタノールア
ミン、トリエチレンジアミン、Ｎ−メチルモルホリン等
のアミン類；トリブチルホスフィン、トリフェニルホス
フィン、トリトリルホスフィン等の有機ホスフィン類；
テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、
トリエチルアンモニウムテトラフェニルボレート等のテ
トラフェニルボロン塩類；１，８−ジアザ−ビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７およびその誘導体が挙げ
られる。これらの硬化促進剤は、単独で用いても２種類
以上を併用してもよく、また、必要に応じて、有機過酸
化物やアゾ化合物を併用することもできる。これら硬化
促進剤の含有量は、（ａ）成分の一般式（１）で表され
るポリマレイミド化合物と（ｂ）成分の一般式（２）で
表されるフェノールアラルキル樹脂または該樹脂とフェ
ノール類との混合物の合計量、あるいはこれに（ｃ）成
分のエポキシ樹脂を加えた合計量に対して、0.01〜10重
量％の範囲である。

【００１５】本発明の樹脂組成物は各種成分の他、必要
に応じてジアリルフタレート、トリアリルイソシアヌレ
ート、o,o'- ジアリルビスフェノールＡ等のイミド樹脂
に対して一般的に使用される反応性希釈剤；各種シリコ
ーンオイル；脂肪酸、脂肪酸塩、ワックスなどの離型
剤；ブロム化合物、アンチモン、リン等の難燃剤；カー
ボンブラック等の着色剤等を配合し、混合・混練し、成
形材料とすることができる。

【００１６】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。なお、実施例において、組成物の性能の試験方法は
次の通りである。 ・ガラス転移温度：TMA 法 ・曲げ強さ及び、曲げ弾性率：JIS K-6911 ・吸水率：曲げ試験用の試験片を用い、65℃、95％の恒
温恒湿槽に 168時間放置した後の重量増加を測定。 ・ＶＰＳテスト：試験用の半導体装置を65℃、95％の恒
温恒湿槽に 168時間放置した後、直ちに260 ℃の溶融半
田浴に投入し、パッケージ樹脂にクラックの発生した半
導体装置の数を数えた。（分子はクラックの発生した半
導体装置の数、分母は試験に供した半導体装置の総
数）。

【００１７】合成例１（o-フェニルフェノールアラルキ
ル樹脂） 攪拌機、温度計、ディーンスターク共沸トラップ、及び
冷却器を装着した反応装置に、α，α’−ジメトキシ−
ｐ−キシレン：332 g(2.0 mol)とo-フェニルフェノー
ル：550 g(3.0 mol)、メタンスルホン酸2.1 g(0.25%)を
装入し、攪拌を行いながら 150〜160 ℃で４時間反応を
行った。生成するメタノールは順次トラップし、系外へ
除去した。反応終了後、未反応o-フェニルフェノールお
よびメタンスルホン酸を減圧蒸留により除去し 595g の
o-フェニルフェノールアラルキル樹脂を得た。高速液体
クロマトグラフィーによる樹脂の組成はn=0 が20.1 %
、n=1が16.9 %、n=2 が13.3 % 、n=3が10.8 %、n≧4
が38.9 %、であった。この樹脂のヒドロキシ当量は283.
8 g/eqであった。また軟化点は94℃であった。

【００１８】合成例２（p-フェニルフェノールアラルキ
ル樹脂） 合成例１と同様の反応装置に、α，α’−ジヒドロキシ
−ｐ−キシレン：207.3g(1.5 mol)とp-フェニルフェノ
ール： 510 g(3.0 mol)、メタンスルホン酸0.35g(0.05
%)を装入し、攪拌を行いながら 150〜160 ℃で４時間反
応を行った。生成する水は順次トラップし、系外へ除去
した。反応終了後、未反応p-フェニルフェノールおよび
メタンスルホン酸を減圧蒸留により除去し 395 gのp-フ
ェニルフェノールアラルキル樹脂を得た。高速液体クロ
マトグラフィーによる樹脂の組成はn=0 が22.3 % 、n=1
が18.3 %、n=2 が15.4 % 、n=3が11.7 %、n≧4 が32.3
%、であった。この樹脂のヒドロキシ当量は299.0 g/eq
であった。また軟化点は 105℃であった。

【００１９】合成例３（α−ナフトールアラルキル樹
脂） 合成例１と同様の反応装置に、α，α’−ジメトキシ−
ｐ−キシレン：249 g(1.5 mol)とα−ナフトール：1,08
0 g(7.5 mol)、メタンスルホン酸4.65 g(0.05%)を装入
し、攪拌を行いながら 150〜160 ℃で４時間反応を行っ
た。生成するメタノールは順次トラップし、系外へ除去
した。 反応終了後、未反応ナフトールを減圧蒸留によ
り除去し 470 gのα−ナフトールアラルキル樹脂を得
た。高速液体クロマトグラフィーによる樹脂の組成はn=
0 が61.5 % 、n=1が18.2 %、n=2 が8.7 % 、n≧3 が11.
6 %、であった。この樹脂のヒドロキシ当量は207.2g/eq
であった。また軟化点は72℃であった。

【００２０】合成例４（β−ナフトールアラルキル樹
脂） 合成例１と同様の反応装置に、α，α’−ジヒドロキシ
−ｐ−キシレン：207.3g(1.5 mol)とβ−ナフトール：
2,160 g(15 mol)、メタンスルホン酸1.18 g(0.05 %)を
装入し、攪拌を行いながら 150〜160 ℃で４時間反応を
行った。 生成する水は順次トラップし、系外へ除去し
た。反応終了後、未反応ナフトールを減圧蒸留により除
去し 438 gのβ−ナフトールアラルキル樹脂を得た。高
速液体クロマトグラフィーによる樹脂の組成はn=0 が8
3.4 % 、n=1が9.2 %、n=2 が4.6 % 、n≧3 が2.8 %、で
あった。この樹脂のヒドロキシ当量は202.6 g/eqであっ
た。また軟化点は42℃であった。

【００２１】実施例１〜16および比較例１〜４ 表１および表２に示す組成（重量部）の配合物をヘンシ
ェルミキサーで混合し、さらに 100〜130 ℃の熱ロール
にて３分間溶融・混練した。この混合物を冷却、粉砕
し、打錠して成形用樹脂組成物を得た。なお、第１表中
で使用した原料で、合成例１〜４によるもの以外は、次
のものを使用した。 ・フェノール化合物；ノボラック型フェノール 樹脂
（PN-80 、日本化薬（株）製） ・エポキシ樹脂；ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂（EOCN-1020、日本化薬（株）製）。 ・無機充填剤；球形溶融シリカ（ハリミックS-CO、
（株）マイクロン製）50重量部と不定形溶融シリカ（ヒ
ューズレックス RD-8 （株）龍森製）50重量部との混合
物。 ・シランカップリング剤（SZ-6083、東レダウコーニン
グシリコーン（株）製） 以上のようにして得られた成形用樹脂組成物を用いてト
ランスファー成形（ 180℃、30kg/cm²、３分間）によ
り、物性測定用の試験片を成形した。また、フラットパ
ッケージ型半導体装置用リードフレームの素子搭載部
に、試験用素子（10mm×10mm角）を搭載した後トランス
ファー成形（ 180℃、30kg/cm²、３分間）により、試験
用半導体装置を得た。これらの試験用成形物は、各試験
を行う前に、 180℃で６時間、後硬化を行った。

【００２２】試験結果を表３および表４に示す。

【表１】

【表２】

【表３】

【表４】

【発明の効果】実施例および比較例から明らかなよう
に、本発明による樹脂組成物は、吸水性を損なう事なく
イミド樹脂の耐熱性を効率良く付与することのできる。
従って、この樹脂組成物でリフローおよびフロー半田付
け方法が適用される表面実装型の半導体装置を封止した
場合、優れた耐半田クラック性を示し、信頼性の高い樹
脂封止型半導体装置を得ることができ、工業的に有益な
発明である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者 鳥飼 基之 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三 井東圧化学株式会社内 (72)発明者 朝比奈 浩太郎 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三 井東圧化学株式会社内 (72)発明者 田中 淳介 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三 井東圧化学株式会社内 (72)発明者 山口 彰宏 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三 井東圧化学株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−45426（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−213335（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−45554（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−138330（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−41353（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C08L 65/00 - 65/04 C08G 59/40 - 59/64 C08K 3/00,5/13 H01L 23/30

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）成分として、（ａ）一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ_１は少なくとも２個の炭素原子を有するｍ価
   の有機基を示し、ｍは２以上の整数を示す）で表される
   ポリマレイミド化合物と、 （ｂ）一般式（２）； 【化２】 （式中、Ｘは 【化３】 【化４】 の2価の基を示し、ｎは０〜１００の整数を示す）で表
   されるフェニルフェノールアラルキル樹脂またはナフト
   ールアラルキル樹脂、あるいはこれらの樹脂とフェノー
   ル類との混合物とを含む有機成分および （Ｂ）成分として、無機充填剤を含有してなる樹脂組成
   物。
2. 【請求項２】 （Ａ）成分として、（ａ）一般式（１） 【化５】 （式中、Ｒ_１は少なくとも２個の炭素原子を有するｍ価
   の有機基を示し、ｍは２以上の整数を示す）で表される
   ポリマレイミド化合物と、 （ｂ）一般式（２）； 【化６】 （式中、Ｘは 【化７】 【化８】 の2価の基を示し、ｎは０〜１００の整数を示す）で表
   されるフェニルフェノールアラルキル樹脂またはナフト
   ールアラルキル樹脂、あるいはこれらの樹脂とフェノー
   ル類との混合物とを含む有機成分と、 （ｃ）エポキシ樹脂とを含む有機成分および （Ｂ）成分として、無機充填剤とを含有してなる樹脂組
   成物。
3. 【請求項３】フェノールアラルキル樹脂が、一般式（２
   −Ａ） 【化９】 （式中、ｎは０〜１００の整数を示す）で表されるフェ
   ニルフェノールアラルキル樹脂である請求項１または２
   記載の樹脂組成物。
4. 【請求項４】フェノールアラルキル樹脂が、一般式（２
   −Ｂ） 【化１０】 （式中、ｎは０〜１００の整数を示す）で表されるナフ
   トールアラルキル樹脂である請求項１または２記載の樹
   脂組成物。
5. 【請求項５】 （ｂ）成分においてフェノールアラルキ
   ル樹脂と混合物を形成するフェノール類が、フェノール
   およびまたは置換フェノールとアルデヒド類との反応生
   成物である一般式（３） 【化１１】 （式中、Ｒ_２は水素原子、水酸基または炭素数１〜９の
   アルキル基を示し、ｒは１以上の整数である）で表され
   るノボラック型フェノール樹脂を含有するものである請
   求項１〜４記載の樹脂組成物。
6. 【請求項６】 エポキシ樹脂（Ｃ）が、フェノールおよ
   び、置換フェノールとアルデヒド類との反応生成物であ
   るノボラック型フェノール樹脂より誘導される一般式
   （４）； 【化１１】 （式中、Ｒ_２は水素原子または炭素数１〜９のアルキル
   基を示し、ｐは１以上の整数を示す）で表されるエポキ
   シ樹脂である請求項２の樹脂組成物。
7. 【請求項７】 請求項１〜６記載の樹脂組成物から実質
   的になる半導体封止用組成物。