JP2945129B2 - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JP2945129B2 JP2945129B2 JP32293490A JP32293490A JP2945129B2 JP 2945129 B2 JP2945129 B2 JP 2945129B2 JP 32293490 A JP32293490 A JP 32293490A JP 32293490 A JP32293490 A JP 32293490A JP 2945129 B2 JP2945129 B2 JP 2945129B2
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- JP
- Japan
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- dianhydride
- bis
- aminophenoxy
- dicarboxyphenyl
- insulating layer
- Prior art date
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、素子の高密度実装に伴って要求される放熱
性、基板強度、高寸法安定性等の特徴より使用されてい
るメタルコア基板において、形成される導体の接着強度
に優れかつ絶縁の信頼性にも優れた配線基板に関する。
性、基板強度、高寸法安定性等の特徴より使用されてい
るメタルコア基板において、形成される導体の接着強度
に優れかつ絶縁の信頼性にも優れた配線基板に関する。
（従来の技術） 電子部品の軽薄短小化に伴い部品の実装密度は、著し
く向上し、この傾向に伴い基板も多様化が進んでいる。
スルーホールを有する金属基板であるメタルコア基板も
そのひとつであり、放熱性、基板強度、高寸法安定性等
の特徴より使用されている。
く向上し、この傾向に伴い基板も多様化が進んでいる。
スルーホールを有する金属基板であるメタルコア基板も
そのひとつであり、放熱性、基板強度、高寸法安定性等
の特徴より使用されている。
メタルコア基板は、スルーホールを有する為、スルー
ホール内壁と表面を絶縁し、その上に導体が形成されな
ればならない。現在の製造方法としては、金属板に穴明
けをし両側にエポキシ樹脂を含浸させたガラスクロスと
銅箔を配して熱圧プレスにより接合し、その後穴内に流
動硬化したエポキシ樹脂に穴明けをし以下両面基板と同
様にて加工する方法や金属板に穴明け後電着塗装、静電
粉体塗装、流動浸漬法等により穴の内壁と表面を同時に
有機樹脂を被覆し、その後メッキにより導体を形成する
方法がある。前者は、二度の穴明けにおける位置合わせ
精度が難しく、工程も複雑となる。また表層がエポキシ
樹脂含浸ガラスクロスであるため放熱性も低下すること
となる。後者は、比較的容易に製造することが出来る
が、導体となるメッキ層の接着力が弱く、硬化した有機
絶縁層を粗面化しメッキ核を付け、その後無電解メッキ
を行って導体を形成し、アンカー効果によりメッキ層の
接着力を向上させる手段がとられる。しかしながらこの
粗面化させる為に、クロム酸混液、高濃度アルカリ等の
強い薬剤が使用される。この為絶縁層にピンホールを発
生する危険を有している。
ホール内壁と表面を絶縁し、その上に導体が形成されな
ればならない。現在の製造方法としては、金属板に穴明
けをし両側にエポキシ樹脂を含浸させたガラスクロスと
銅箔を配して熱圧プレスにより接合し、その後穴内に流
動硬化したエポキシ樹脂に穴明けをし以下両面基板と同
様にて加工する方法や金属板に穴明け後電着塗装、静電
粉体塗装、流動浸漬法等により穴の内壁と表面を同時に
有機樹脂を被覆し、その後メッキにより導体を形成する
方法がある。前者は、二度の穴明けにおける位置合わせ
精度が難しく、工程も複雑となる。また表層がエポキシ
樹脂含浸ガラスクロスであるため放熱性も低下すること
となる。後者は、比較的容易に製造することが出来る
が、導体となるメッキ層の接着力が弱く、硬化した有機
絶縁層を粗面化しメッキ核を付け、その後無電解メッキ
を行って導体を形成し、アンカー効果によりメッキ層の
接着力を向上させる手段がとられる。しかしながらこの
粗面化させる為に、クロム酸混液、高濃度アルカリ等の
強い薬剤が使用される。この為絶縁層にピンホールを発
生する危険を有している。
（発明が解決しようとする課題） 本発明の目的は、このような問題に対し導体となるメ
ッキ層の接着力と絶縁信頼性に優れたメタルコア基板を
提供することにある。
ッキ層の接着力と絶縁信頼性に優れたメタルコア基板を
提供することにある。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成した本発明の配線基板は、金属板上に
電気泳動により形成され、メタ配位のジアミンを構成要
素とするポリイミド樹脂より成る有機絶縁層、その上に
メッキにより形成された導体を備えた配線基板であっ
て、上記導体が、上記有機絶縁層の熱硬化前にメッキ核
を付与され硬化後にメッキを行うことにより設けられた
ことを特徴とする。
電気泳動により形成され、メタ配位のジアミンを構成要
素とするポリイミド樹脂より成る有機絶縁層、その上に
メッキにより形成された導体を備えた配線基板であっ
て、上記導体が、上記有機絶縁層の熱硬化前にメッキ核
を付与され硬化後にメッキを行うことにより設けられた
ことを特徴とする。
本発明に使用される金属板としては、特に限定される
ものではないが、通常アルミニウム、鉄、珪素鋼板、陽
極酸化アルミニウム、銅、銅クラッドインバー等が挙げ
られる。
ものではないが、通常アルミニウム、鉄、珪素鋼板、陽
極酸化アルミニウム、銅、銅クラッドインバー等が挙げ
られる。
本発明に使用される有機絶縁層はメタ配位のジアミン
を構成要素とするポリイミド樹脂で形成されているの
で、耐電圧、耐熱性の面において特に優れている。本発
明に用いられるポリイミドとしては、特に限定はされな
いが、接着性の面より例えば3,3′−ジアミノベンゾフ
ェノン、1,3−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼ
ン、4,4′−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン、2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルフィド、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕ケトン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕スルホン等のジアミンと例えばエチレンテトラカ
ルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二
無水物、ピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2,′,3,3′−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,
4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,
3′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス
（3,4−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、2,
2′−ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）プロパン二無
水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）エーテル二
無水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）スルホン
二無水物、1,1−ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）エ
タン二無水物、ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）メ
タン二無水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）メ
タン二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,
4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7
−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8−
フェナントレンテトラカルボン酸二無水物等のテトラカ
ルボン酸二無水物より構成されるポリアミド酸を加熱イ
ミド化して得られるポリイミドが好ましい。これらは単
独でも或いは２種以上混合して用いても構わない。
を構成要素とするポリイミド樹脂で形成されているの
で、耐電圧、耐熱性の面において特に優れている。本発
明に用いられるポリイミドとしては、特に限定はされな
いが、接着性の面より例えば3,3′−ジアミノベンゾフ
ェノン、1,3−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼ
ン、4,4′−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン、2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルフィド、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕ケトン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕スルホン等のジアミンと例えばエチレンテトラカ
ルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二
無水物、ピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2,′,3,3′−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,
4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,
3′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス
（3,4−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、2,
2′−ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）プロパン二無
水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）エーテル二
無水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）スルホン
二無水物、1,1−ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）エ
タン二無水物、ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）メ
タン二無水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）メ
タン二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,
4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7
−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8−
フェナントレンテトラカルボン酸二無水物等のテトラカ
ルボン酸二無水物より構成されるポリアミド酸を加熱イ
ミド化して得られるポリイミドが好ましい。これらは単
独でも或いは２種以上混合して用いても構わない。
又、本樹脂中に放熱性を向上させる目的にて無機フィ
ラーを加えても構わない。この目的で使用される無機フ
ィラーとしては、例えばアルミナ、シリカ、窒化硼素、
炭化珪素、窒化アルミニウム、酸化ベリリウム等が挙げ
られる。
ラーを加えても構わない。この目的で使用される無機フ
ィラーとしては、例えばアルミナ、シリカ、窒化硼素、
炭化珪素、窒化アルミニウム、酸化ベリリウム等が挙げ
られる。
電気泳動によるポリイミド絶縁膜の形成は、以下のよ
うにして行うことが出来る。すなわちポリイミドの前駆
体であるポリアミド酸をアミン等で中和し、水希釈する
ことにより電気液を調製し、本電着液中にて所定の穴明
けをされた金属板を陽極として通常10V〜300Vの電圧に
て電気泳動を行い、金属板にポリアミド酸被膜を形成す
る。その後、加熱イミド化することによりポリイミド絶
縁層を形成することが出来る。
うにして行うことが出来る。すなわちポリイミドの前駆
体であるポリアミド酸をアミン等で中和し、水希釈する
ことにより電気液を調製し、本電着液中にて所定の穴明
けをされた金属板を陽極として通常10V〜300Vの電圧に
て電気泳動を行い、金属板にポリアミド酸被膜を形成す
る。その後、加熱イミド化することによりポリイミド絶
縁層を形成することが出来る。
本発明に使用されるメッキ核としては、パラジウム、
銅、銀等が挙げられるが、ポリアミド酸被膜の加熱イミ
ド化時の酸化防止の面よりパラジウムが望ましい。
銅、銀等が挙げられるが、ポリアミド酸被膜の加熱イミ
ド化時の酸化防止の面よりパラジウムが望ましい。
以下にパラジウム核の被着方法の一例を示す。上記の
如く電着浴中にてポリアミド酸被膜を形成された金属板
を水洗後、塩化錫コロイド液に浸漬し、次いで塩化パラ
ジウム水溶液に浸漬しポリアミド酸被膜上にパラジウム
核を形成する。その後加熱イミド化によりポリアミド酸
を脱水イミド化するとともにパラジウム核をポリイミド
層に固定する。
如く電着浴中にてポリアミド酸被膜を形成された金属板
を水洗後、塩化錫コロイド液に浸漬し、次いで塩化パラ
ジウム水溶液に浸漬しポリアミド酸被膜上にパラジウム
核を形成する。その後加熱イミド化によりポリアミド酸
を脱水イミド化するとともにパラジウム核をポリイミド
層に固定する。
次いで無電解銅メッキを行いポリイミド被膜上に銅導
体層を形成する。この際無電解メッキと電気メッキを併
用してももちろん構わない。無電解メッキ前にメッキ核
の露出を促す為に、必要に応じて溶剤、アルカリにより
有機絶縁層の表面をエッチングしても構わないがあくま
で表面を軽くエッチングを行うことが重要である。
体層を形成する。この際無電解メッキと電気メッキを併
用してももちろん構わない。無電解メッキ前にメッキ核
の露出を促す為に、必要に応じて溶剤、アルカリにより
有機絶縁層の表面をエッチングしても構わないがあくま
で表面を軽くエッチングを行うことが重要である。
メッキされた基板は、通常の両面基板と同様に、例え
ばドライフィルム、スクリーン印刷等の技術により所望
の回路形成が行われ、メタルコア配線基板が得られる。
ばドライフィルム、スクリーン印刷等の技術により所望
の回路形成が行われ、メタルコア配線基板が得られる。
（発明の効果） このようにして得られた本発明の配線基板は従来のメ
タルコア基板の特徴を維持しつつ、導体回路の接着強
度、絶縁特性および放熱特性において優れたものであ
り、産業上有用なものである。すなわち、有機絶縁層の
材料としてメタ配位のジアミンを構成要素とするポリイ
ミド樹脂を用いるので、優れた接着強度が得られるとと
もに大きな絶縁耐圧を得ることができ、しかもピンホー
ルの発生もないので、膜厚を薄くすることができ、した
がって放熱特性を改善することができる。
タルコア基板の特徴を維持しつつ、導体回路の接着強
度、絶縁特性および放熱特性において優れたものであ
り、産業上有用なものである。すなわち、有機絶縁層の
材料としてメタ配位のジアミンを構成要素とするポリイ
ミド樹脂を用いるので、優れた接着強度が得られるとと
もに大きな絶縁耐圧を得ることができ、しかもピンホー
ルの発生もないので、膜厚を薄くすることができ、した
がって放熱特性を改善することができる。
（実施例） 以下、実施例を挙げ、本発明をより具体的に説明す
る。
る。
以下の実施例において、接着強度は導体5mm幅にての9
0゜引き剥がし強度の測定結果をkg/cmの単位に換算し表
示する。絶縁破壊電圧はACにて各電圧を１分間印加しモ
レ電流が5mAに達した場合絶縁破壊とみなす。半田耐熱
性は、常態にて260℃20秒の半田浸漬を行った後の外観
にて判定した。
0゜引き剥がし強度の測定結果をkg/cmの単位に換算し表
示する。絶縁破壊電圧はACにて各電圧を１分間印加しモ
レ電流が5mAに達した場合絶縁破壊とみなす。半田耐熱
性は、常態にて260℃20秒の半田浸漬を行った後の外観
にて判定した。
実施例１ ジアミンとして1,3−ビス（３−アミノフェノキシ）
ベンゼン、テトラカルボン酸二無水物として3,3′,4,
4′−ベンゾフェノンテトラアルボン酸二無水物を反応
させポリアミド酸を得た。本ポリアミド酸をジメチルエ
タノールアミンにて中和し、水を加えて電着液を調製し
た。ドリルにより直径0.5mmの穴を開けたアルミニウム
板を電着液中に浸漬しこのアルミニウム板を陽極とし、
ステンレスの板を陰極として100V30秒間の印加にて電気
泳動を行った。本基板を水洗後、塩化錫コロイド液に１
分間浸漬し、次いで塩化パラジウム水溶液に２分間浸漬
した。本基板を120℃で30分、180℃で30分、次いで250
℃で30分加熱イミド化を行って、メッキ核を有するポリ
イミド絶縁層を形成した。絶縁層厚は、15μｍであっ
た。その後、無電解メッキにて１μｍ、次いで電気メッ
キにより総厚18μｍの銅メッキ層を形成した。メッキ層
の接着強度は、1.5kg/cm。絶縁破壊電圧は、7.5kVであ
った。半田浸漬後の外観は、スルーホール内、表面とも
に異常はなかった。
ベンゼン、テトラカルボン酸二無水物として3,3′,4,
4′−ベンゾフェノンテトラアルボン酸二無水物を反応
させポリアミド酸を得た。本ポリアミド酸をジメチルエ
タノールアミンにて中和し、水を加えて電着液を調製し
た。ドリルにより直径0.5mmの穴を開けたアルミニウム
板を電着液中に浸漬しこのアルミニウム板を陽極とし、
ステンレスの板を陰極として100V30秒間の印加にて電気
泳動を行った。本基板を水洗後、塩化錫コロイド液に１
分間浸漬し、次いで塩化パラジウム水溶液に２分間浸漬
した。本基板を120℃で30分、180℃で30分、次いで250
℃で30分加熱イミド化を行って、メッキ核を有するポリ
イミド絶縁層を形成した。絶縁層厚は、15μｍであっ
た。その後、無電解メッキにて１μｍ、次いで電気メッ
キにより総厚18μｍの銅メッキ層を形成した。メッキ層
の接着強度は、1.5kg/cm。絶縁破壊電圧は、7.5kVであ
った。半田浸漬後の外観は、スルーホール内、表面とも
に異常はなかった。
実施例２ ジアミンとして2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、テトラカルボン酸二無水物
として3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物を反応させポリアミド酸を得た。実施例１と同
様にして電着液を調製し、アルミニウム板に80V40秒の
印加によりポリアミド酸電着を行い、メッキ核を付与し
加熱イミド化を行って、メッキ核を有する、ポリイミド
絶縁層を形成した。絶縁層の厚さは、17μｍであった。
本処理板を30℃10％水酸化ナトリウム水溶液に20秒浸漬
した後、充分水洗し、その後、無電解メッキを行った。
メッキ厚は、18μｍであった。メッキ層の接着強度は、
1.8kg/cm。絶縁破壊電圧は、7.2kVであった。半田浸漬
後の外観は、スルーホール内、表面ともに異常はなかっ
た。
キシ）フェニル〕プロパン、テトラカルボン酸二無水物
として3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物を反応させポリアミド酸を得た。実施例１と同
様にして電着液を調製し、アルミニウム板に80V40秒の
印加によりポリアミド酸電着を行い、メッキ核を付与し
加熱イミド化を行って、メッキ核を有する、ポリイミド
絶縁層を形成した。絶縁層の厚さは、17μｍであった。
本処理板を30℃10％水酸化ナトリウム水溶液に20秒浸漬
した後、充分水洗し、その後、無電解メッキを行った。
メッキ厚は、18μｍであった。メッキ層の接着強度は、
1.8kg/cm。絶縁破壊電圧は、7.2kVであった。半田浸漬
後の外観は、スルーホール内、表面ともに異常はなかっ
た。
実施例３ ジアミンとして3,3′−ジアミノベンゾフェノン、テ
トラカルボン酸二無水物して3,3′,4,4′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物を反応させポリアミド酸
を得た。本ポリアミド酸溶液に平均粒径１μｍのアルミ
ナを対固形分50重量％を加え、３本ロールにより混練し
た。その後実施例１と同様にして電着液を調製し、アル
ミニウム板に120V20秒の印加により電着を行い、メッキ
核を付与し加熱イミド化を行って、メッキ核を有するポ
リイミド絶縁層を形成した。絶縁層の厚さは、25μｍで
あった。その後、無電解メッキと電気メッキを行った。
メッキ厚は、35μｍであった。メッキ層の接着強度は、
1.6kg/cm。絶縁破壊電圧は、9.0kVであった。半田浸漬
後の外観は、スルーホール内、表面ともに異常はなかっ
た。
トラカルボン酸二無水物して3,3′,4,4′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物を反応させポリアミド酸
を得た。本ポリアミド酸溶液に平均粒径１μｍのアルミ
ナを対固形分50重量％を加え、３本ロールにより混練し
た。その後実施例１と同様にして電着液を調製し、アル
ミニウム板に120V20秒の印加により電着を行い、メッキ
核を付与し加熱イミド化を行って、メッキ核を有するポ
リイミド絶縁層を形成した。絶縁層の厚さは、25μｍで
あった。その後、無電解メッキと電気メッキを行った。
メッキ厚は、35μｍであった。メッキ層の接着強度は、
1.6kg/cm。絶縁破壊電圧は、9.0kVであった。半田浸漬
後の外観は、スルーホール内、表面ともに異常はなかっ
た。
比較例１ 実施例１において得られた電着液を用い同一の電着条
件にて電気泳動を行った。本基板を水洗した後、120℃3
0分、180℃30分、次いで250℃30分加熱イミド化を行っ
た。絶縁層厚は、15μｍであった。塩化錫コロイド液に
１分間浸漬し、次いで塩化パラジウム水溶液に２分間浸
漬し、メッキ核を付与した。メッキ核を有するポリイミ
ド絶縁層を形成した。その後、無電解メッキにて１μ
ｍ、次いで電気メッキにより総厚18μｍの銅メッキ層を
形成した。絶縁破壊電圧は、7.5kVであったが、メッキ
層の接着強度は、0.2kg/cmと低く、半田浸漬後の外観
は、スルーホール内、表面ともに絶縁層と銅メッキ層の
間で剥離を生じていた。
件にて電気泳動を行った。本基板を水洗した後、120℃3
0分、180℃30分、次いで250℃30分加熱イミド化を行っ
た。絶縁層厚は、15μｍであった。塩化錫コロイド液に
１分間浸漬し、次いで塩化パラジウム水溶液に２分間浸
漬し、メッキ核を付与した。メッキ核を有するポリイミ
ド絶縁層を形成した。その後、無電解メッキにて１μ
ｍ、次いで電気メッキにより総厚18μｍの銅メッキ層を
形成した。絶縁破壊電圧は、7.5kVであったが、メッキ
層の接着強度は、0.2kg/cmと低く、半田浸漬後の外観
は、スルーホール内、表面ともに絶縁層と銅メッキ層の
間で剥離を生じていた。
比較例２ 実施例１において得られた電着液を用い同一の電着条
件にて電気泳動を行った。本基板を水洗後、120℃30
分、180℃30分、次いで250℃30分加熱イミド化を行いポ
リイミド絶縁層を形成した。絶縁層厚は、15μｍであっ
た。本処理板を80℃の10％水酸化ナトリウム水溶液に２
分間浸漬した後、充分水洗し、塩化錫コロイド液に１分
間浸漬し、次いで塩化パラジウム水溶液に２分間浸漬
し、メッキ核を付与した。その後、無電解メッキにて１
μｍ、次いで電気メッキにより総厚18μｍの銅メッキ層
を形成した。メッキ層の接着強度は、1.6kg/cm、半田浸
漬後の外観は、スルーホール内、表面ともに異常なかっ
たが、絶縁破壊電圧は、0.5kVと低い値であった。
件にて電気泳動を行った。本基板を水洗後、120℃30
分、180℃30分、次いで250℃30分加熱イミド化を行いポ
リイミド絶縁層を形成した。絶縁層厚は、15μｍであっ
た。本処理板を80℃の10％水酸化ナトリウム水溶液に２
分間浸漬した後、充分水洗し、塩化錫コロイド液に１分
間浸漬し、次いで塩化パラジウム水溶液に２分間浸漬
し、メッキ核を付与した。その後、無電解メッキにて１
μｍ、次いで電気メッキにより総厚18μｍの銅メッキ層
を形成した。メッキ層の接着強度は、1.6kg/cm、半田浸
漬後の外観は、スルーホール内、表面ともに異常なかっ
たが、絶縁破壊電圧は、0.5kVと低い値であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 3/38 H05K 3/18 H05K 1/05
Claims (3)
- 【請求項１】金属板上に、電気泳動により形成され、メ
タ配位のジアミンを構成要素とするポリイミド樹脂から
成る有機絶縁層、その上にメッキにより形成された導体
を備えた配線基板であって、上記導体が、上記有機絶縁
層の熱硬化前にメッキ核が付与され、硬化後にメッキを
行うことにより設けられたことを特徴とする配線基板。 - 【請求項２】前記ポリイミド樹脂を、3,3′−ジアミノ
ベンゾフェノン、1,3−ビス（３−アミノフェノキシ）
ベンゼン、4,4′−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフ
ェニル、2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン、2,2−ビス〔４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプ
ロパン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕スルフィド、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル〕ケトン、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕スルホンより選択したジアミンと、エチ
レンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラ
カルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、3,3′,
4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,
2,′,3,3′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,2′,3,3′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）プロパン
二無水物、2,2′−ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）
プロパン二無水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニ
ル）エーテル二無水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェ
ニル）スルホン二無水物、1,1−ビス（2,3−ジカルボキ
シフェニル）エタン二無水物、ビス（2,3−ジカルボキ
シフェニル）メタン二無水物、ビス（3,4−ジカルボキ
シフェニル）メタン二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテ
トラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラ
カルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸
二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水
物、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸二無水
物、1,2,7,8−フェナントレンテトラカルボン酸二無水
物から選択されたテトラカルボン酸二無水物より構成さ
れるポリアミド酸を加熱イミド化して得られた１種また
は２種以上のポリイミド樹脂としたことを特徴とする請
求項１記載の配線基板。 - 【請求項３】前記ポリイミド樹脂より成る有機絶縁層の
膜厚を、25μｍ以下としたことを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の配線基板。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP32293490A JP2945129B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP32293490A JP2945129B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 配線基板 |
Publications (2)
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ID=18149267
Family Applications (1)
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| JP32293490A Expired - Lifetime JP2945129B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 配線基板 |
Country Status (1)
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1990
- 1990-11-28 JP JP32293490A patent/JP2945129B2/ja not_active Expired - Lifetime
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