JP2003198122A - 配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 平滑性に優れた基板上に強固に接着された微
細配線からなる回路を、エッチング工程での回路形状の
悪化を防ぎつつ形成し、かつ配線間の絶縁特性を確保で
きる、配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に、物理的蒸着法により金属層を
形成する工程と、基板と金属層とを貫通するビアを形成
する工程と、金属層上およびビアの内面に、無電解めっ
き法あるいは塗布法により導電層を形成する工程と、ビ
ア内面の導電層を残して導電層を除去する工程と、金属
層上およびビア内面の導電層上に、電解めっき法により
配線を形成する工程と、を含む改変セミアディティブ法
によりプリント配線板を製造する。金属層は第一、第二
金属層から構成し、第二金属層の選択的エッチングによ
り導電層を除去することがより好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気・電子機器等
に広く使用される配線板の製造方法に関し、さらに詳し
くはセミアディティブ工法により製造される高密度プリ
ント配線板の製造方法、および該工法を適用しうるビル
ドアップ多層プリント配線板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】表面に回路を形成したプリント配線板
が、電子部品や半導体素子等を実装するために広く用い
られている。近年の電子機器の小型化、高機能化の要求
に伴い、その様なプリント配線板には、回路の高密度化
や薄型化が強く望まれている。特にライン／スペースの
間隔が２５μｍ／２５μｍ以下であるような微細回路を
形成する方法の確立は、プリント配線板分野の重要な課
題である。

【０００３】上記微細回路を有する、高密度なプリント
配線板の製造方法として、セミアディティブ法と呼ばれ
る方法が検討されており、代表例としては以下のような
工程でプリント配線板が製造されている。

【０００４】まず、高分子材料よりなる絶縁基板の表面
にパラジウム化合物等のめっき触媒を付与した後、その
めっき触媒を核として無電解銅めっきを行い、絶縁基板
の表面全体に厚みの薄い無電解銅めっき皮膜（以下、無
電解銅層と称する）を形成する。

【０００５】次いで、無電解銅層の表面に感光性のレジ
スト膜（フォトレジスト膜）を塗布し、このレジスト膜
上に回路パターンを転写し現像することで、回路形成を
予定する部分のレジスト膜を取り除く。その後、露出し
た無電解銅層の部分を給電電極として電解銅めっきを行
い、その表面に回路形状を有する電解銅めっき皮膜（以
下、電解銅層と称する）を形成する。

【０００６】次に、上記レジスト膜を完全に除去した
後、無電解銅層をエッチング除去して回路パターンを形
成する。場合によっては、形成された回路パターンの表
面にニッケルめっきや金めっきをさらに行って、プリン
ト配線板を製造する事もある。

【０００７】この様なセミアディティブ法は、感光性の
レジスト膜の解像度、すなわち現像精度に応じた回路ピ
ッチで回路パターンの形成がなされる為、厚い金属箔を
エッチングして回路パターンを形成するサブトラクティ
ブ法と呼ばれる方法と比較して、微細な回路パターンを
精度良く形成することが可能となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セミア
ディティブ法は以下に示す問題点を有している事が明ら
かになっている。第一の問題点は、形成される回路パタ
ーンと絶縁基板との間の接着性の問題である。前述のよ
うに絶縁基板と回路パターンとの間には、無電解銅層が
配されている。無電解銅層は、絶縁基板の表面に塗布さ
れた触媒を活性点として形成されるので、本質的には絶
縁基板との接着性はないと考えるべきである。よって、
絶縁基板の表面の凹凸が比較的大きい場合には、回路パ
ターン・絶縁基板間の接着は、無電解銅層のアンカー効
果により良好に保たれるが、絶縁基板の表面が平滑にな
るに従い当然その接着性は弱くなる傾向にある。

【０００９】このためセミアディティブ法では絶縁基板
となる高分子フィルムの表面を粗化する工程が必要とな
り、通常その表面にはＲｚ値換算で３〜５μｍ程度の凹
凸がつけられる。この様な絶縁基板表面の凹凸は、形成
される回路パターンのライン／スペースの値が３０／３
０μｍ以上である場合には比較的問題となりにくいが、
３０／３０μｍ以下、特に２５／２５μｍ以下の線幅の
回路パターン形成には重大な問題となる。それはこの様
な高密度の極細線の回路線が、絶縁基板表面の凹凸の影
響をうけるためである。

【００１０】従って、特に、ライン／スペースの値が２
５／２５μｍ以下の回路パターンの形成には、表面平滑
性の高い絶縁基板、例えば、Ｒｚ値換算で３μｍ以下、
さらに望ましくは１μｍ以下の平面性を有する絶縁基板
への回路形成技術が必要となる。当然この場合には、絶
縁基板に対する無電解銅層のアンカー効果は弱くなり、
接着力としては期待出来なくなるので、別の接着方法の
開発が必要となる。

【００１１】セミアディティブ工法の第二の問題点はそ
のエッチング工程である。電解銅層を形成する際の給電
層となる無電解銅層は、最終的な回路パターンには不要
な層であるから、電解銅層形成後はエッチングによって
取り除く必要がある。しかし、無電解銅層をエッチング
除去する際に、電解銅層からなる回路パターンも幅、厚
みが減少し、精密な回路パターンを再現性良く製造する
ことが難しくなる。これは特に配線の線幅、厚みが小さ
くなるほど重要な問題となる。

【００１２】また、第三の問題として、無電解銅めっき
工程において用いられるめっき触媒が、絶縁基板の表面
に残留しやすいため、得られるプリント配線板の絶縁性
が低下しやすいと言う点がある。また、最終工程で回路
パターンにニッケルめっきや金めっきをさらに行なう場
合には、残留しているめっき触媒の触媒作用で絶縁基板
の表面にもニッケルや金がめっきされて、回路パターン
が形成できない（不所望な結線がなされる）、という点
も挙げられる。特に、微細配線では配線間の絶縁抵抗を
保つ事は特に重要な課題である。そのため、エッチング
能力の高いエッチング液を用いて、無電解銅層をエッチ
ング除去する際に絶縁基板表面のめっき触媒をも同時に
除去すること、が行われている。しかし、エッチング能
力の高いエッチング液を用いて無電解銅層をエッチング
除去した場合、電解銅層が影響を受け、回路パターンの
トップ部分の幅が狭くなり、回路形状が悪くなるという
問題があった。特に、微細配線ではわずかな回路形状の
悪化が配線の伝導率に影響を与える、と言う事が知られ
ている。

【００１３】さらに、第四の問題として、無電解銅層と
電解銅層との間の接着性の問題がある。両者の接着強度
は、回路パターンの配線幅が比較的大きい時はあまり問
題にならないが、本質的にはあまり強いものではなく、
特に、回路が高密度微細配線となるに従って、その接着
能力の不足が問題として顕在化してくる。

【００１４】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的は、表面平滑性に優れた高
分子フィルム（基板の一例）上であっても、強固に接着
された微細な金属回路層を形成することができる、セミ
アディティブ工法による配線板の製造方法を提供するこ
とにある。さらに、上記微細な金属回路層をエッチング
工程での形状悪化を最小限に止めつつ形成することがで
き、かつ、めっき用の給電電極層を上記エッチング工程
で同時に除去することで、層間の絶縁特性を確保可能と
する配線板の製造方法を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる配線板の
製造方法は、上記の課題を解決するために、基板上に、
物理的蒸着法により金属層を形成する工程と、次いで、
上記基板と金属層とを貫通するビアを形成する工程と、
次いで、上記金属層上およびビア（ビアホール：バイア
と同義）の内面に、無電解めっき法（化学めっき法と同
義）あるいは塗布法により導電層を形成する工程と、次
いで、上記ビア内面の導電層を残して、上記導電層を除
去する工程と、次いで、上記金属層上に電解めっき法に
より配線を形成する工程と、を含むことを特徴としてい
る。

【００１６】上記の方法によれば、電解めっき法により
配線を形成する際の給電層となる上記金属層が、無電解
めっき法ではなく、より固着性に優れた物理的蒸着法に
より基板上に形成される。よって、基板と金属層との接
着強度は、仮に基板の平滑性が高い場合であっても実用
上十分な値を示す。このため、上記金属層は、基板と配
線との間の接着層として十分に機能する。

【００１７】一方、上記導電層は、電解めっき法（電気
めっき法）によりビア内部を銅などの配線材料で埋めて
配線を形成する際、給電層の役割を果たす。導電層の形
成は、無電解めっき法あるいは塗布法により、ビア内面
のような微細空間にも比較的均一かつ容易に形成可能と
なるが、この方法で形成された導電層は、電解めっき法
により形成された層（配線）との接着性、特に長時間経
過後の接着性が比較的弱くなる。とりわけ、導電層が導
電性高分子やグラファイト（後述する）からなる層の場
合、この導電層と電解めっき法による配線とは本質的に
接着しない。そこで、上記金属層上に形成された不要な
導電層を取り除いて金属層を露出させる工程を設け、電
解めっき法による配線を上記金属層を介して基板上に強
固に接着するようにする。物理的蒸着法により形成され
た金属層と、電解めっき法で形成された配線との接着強
度は、一般に、無電解めっき法あるいは塗布法による導
電層と、電解めっき法による配線との接着強度よりはる
かに優れている。

【００１８】つまり、本発明にかかる方法によれば、
１）基板の表面に物理的な手法により金属層を設けるこ
と、および、２）導電層を設け、さらにこの導電層をビ
アの内部のみを残して取り除くことで、従来のセミアデ
ィティブ法の欠点をなくした高密度配線板の製造方法を
提供することができる。

【００１９】本発明にかかる配線板の製造方法は、上記
の課題を解決するために、基板の一方の面側に接着層
を、他方の面に物理的蒸着法により金属層を形成した積
層体を作成する工程と、次いで、上記積層体の接着層
と、回路基板の回路形成面とを対向させて、積層体と回
路基板とを接着する工程と、次いで、上記基板と金属層
とを貫通し、上記回路基板の回路形成面に開口するビア
を形成する工程と、次いで、上記金属層上およびビアの
内面に、無電解めっき法あるいは塗布法により導電層を
形成する工程と、次いで、上記ビア内面の導電層を残し
て、上記導電層を除去する工程と、次いで、上記金属層
上およびビア内面の導電層上に電解めっき法により配線
を形成する工程と、を含むことを特徴としている。

【００２０】上記の方法によれば、既に説明したよう
に、１）基板の表面に物理的な手法により金属層を設け
ること、および、２）導電層を設け、さらにこの導電層
をビアの内部のみを残して取り除くことで、従来のセミ
アディティブ法の欠点をなくした、ビルドアップによる
配線板の製造方法を提供することができる。

【００２１】本発明にかかる配線板の製造方法は、上記
何れかの方法を前提として、前記金属層が、スパッタリ
ング法あるいはイオンプレーティング蒸着法により形成
された、銅、銅合金、ニッケルあるいはニッケル合金の
何れかからなる層を、前記基板に接する層として含んで
なることがより好ましい。

【００２２】上記の方法によれば、前記金属層を、エッ
チングにより容易に取り除く事ができるとともに、電解
めっき法による配線と基板との特に強固な接着を実現可
能となる。

【００２３】本発明にかかる配線板の製造方法は、上記
何れかの方法を前提として、前記導電層が、グラファイ
ト層であることがより好ましい。

【００２４】上記の方法によれば、金属層上に設けられ
たグラファイト層は、金属層に対するソフトエッチング
により容易に取り除くことができ、一方、ビア内部のグ
ラファイト層はこのソフトエッチングで取り除かれない
ので、不所望な導電層（グラファイト層）の選択除去が
より容易となる。

【００２５】また、グラファイト層を形成する際には、
無電解銅めっきに必要なパラジウム触媒を必要としない
ので、この触媒の残存に起因する配線間の絶縁性の低下
や、触媒除去作業による配線形状の劣化などを招来する
虞もない。

【００２６】本発明にかかる配線板の製造方法は、上記
何れかの方法を前提として、前記金属層が、物理的蒸着
法で前記基板と接するように形成された第一金属層と、
この第一金属層上に設けられ、第一金属層とは組成が異
なる第二金属層とを含む複層構造をとり、前記導電層を
除去する工程が、ビアの内面の導電層を残して、第二金
属層と導電層とを除去することにより行われることがよ
り好ましい。

【００２７】上記の方法によれば、電解めっき法による
配線形成の際に給電層として機能し、かつ、配線と基板
との接着層としても機能する第一金属層に影響を与える
ことなく導電層を取り除くことが可能となる。なお、導
電層を除去する工程は、例えば、第二金属層の選択的エ
ッチングにより、導電層を物理的に剥離する方法により
行うことがより好ましい。

【００２８】本発明にかかる配線板の製造方法は、さら
に前記第一金属層がニッケルまたはニッケル合金からな
り、第二金属層が銅または銅合金からなり、さらに導電
層が第二金属層とは異なる組成からなることがより好ま
しい。また、前記導電層が、ニッケルまたはニッケル合
金からなることが特に好ましい。

【００２９】上記の方法によれば、例えば、銅の選択的
エッチングにより第二金属層が化学的に除去されるとと
もに、第二金属層上に位置する導電層が物理的に除去さ
れる。この結果、第一金属層（ニッケルを含む層）およ
びビア内部の導電層（場合によりニッケルを含む層）に
影響を与えずに、第二金属層（銅を含む層）と不要な導
電層とを除去可能となる。さらに、上記選択的エッチン
グ後であっても、第一金属層と、電解めっきによる配線
（例えば銅配線）との強固な接着を実現できる。

【００３０】本発明にかかる配線板の製造方法は、さら
に前記第一金属層が銅または銅合金からなり、第二金属
層がニッケルまたはニッケル合金からなり、さらに導電
層が第二金属層とは異なる組成からなることがより好ま
しい。また、前記導電層が銅または銅合金からなること
が特に好ましい。

【００３１】上記の方法によれば、例えば、ニッケルの
選択的エッチングにより第二金属層が化学的に除去され
るとともに、第二金属層上に位置する導電層が物理的に
除去される。この結果、第一金属層（銅を含む層）およ
びビア内部の導電層（場合により銅を含む層）に影響を
与えずに、第二金属層（ニッケルを含む層）と不要な導
電層とを除去可能となる。さらに、上記選択的エッチン
グ後であっても、第一金属層と、電解めっき法による配
線（例えば銅配線）との強固な接着を実現できる。

【００３２】本発明にかかる配線板の製造方法は、上記
何れかの方法を前提として、前記基板がポリイミド樹脂
系フィルムであることがより好ましい。この方法によれ
ば、耐熱性、積層性、絶縁性、等の特性に優れた配線板
の製造が可能となる。

【００３３】本発明にかかる配線板の製造方法は、上記
何れかの方法を前提として、前記基板の表面粗さが１０
点平均高さ（Ｒｚ）で３μｍ以下であることがより好ま
しく、１μｍ以下であることがさらに好ましい。

【００３４】上記の方法によれば、前記基板上に形成さ
れる配線パターンが微細なもの（例えば、ライン／スペ
ースの値が２５／２５μｍ以下の配線パターン）であっ
ても、基板の表面粗さに影響されることなく高精度で形
成可能となる。また、物理的蒸着法により形成された前
記金属層は、無電解めっき法により形成された金属層よ
り接着性は高いものの、基板表面が平滑であれば比較的
取り除きは容易である。よって、絶縁性確保のために前
記金属層の不要部分を後工程で取り除く場合、上記配線
パターンに不所望な損傷を与えることもない。つまり、
回路が高密度かつ高精度に形成されてなる配線板の製造
が可能となる。

【００３５】 ［発明の詳細な説明］ 〔実施の形態１〕以下、図面に基づき、本発明にかかる
配線板の製造方法をより詳細に説明する。上記配線板
（プリント配線板）の製造方法は、改良されたセミアデ
ィティブ法である。より詳細には、図１（ａ）〜（ｆ）
および図２（ａ）〜（ｅ）に示すように、基板１上に、
物理的蒸着法により金属層１１を形成する工程（図１
（ａ）〜（ｂ）参照）と、次いで、基板１と金属層１１
とを貫通するビア７を形成する工程（図１（ｄ）参照）
と、次いで、金属層１１およびビア７の内面に、無電解
めっき法あるいは塗布法により導電層８を形成する工程
（図１（ｅ）参照）と、次いで、上記ビア７内面の導電
層８を残して、導電層８を除去する工程（図１（ｆ）参
照）と、次いで、上記金属層１１上およびビア７内面の
導電層８上に、電解めっき法により配線１０を形成する
工程（図２（ａ）〜（ｅ）参照）と、を含んでなる。ま
た、他の回路基板５と組み合わせてビルドアップによる
配線板（多層プリント配線板）を製造する際には、上記
の工程に加えて、基板１における、金属層１１の形成面
とは異なる面側（背向面側）に接着層３を形成した積層
体１２を作成する工程（図１（ａ）参照）と、次いで、
積層体１２の接着層３と、回路基板５における電極６の
形成面（回路形成面）とを対向させて、積層体１２と回
路基板５とを接着する工程（図１（ｃ）参照）と、次い
で、基板１と金属層１１とを貫通し、回路基板５の回路
形成面に開口するビア７を形成する工程と、を含んでな
る。

【００３６】以下、本発明にかかる配線板の製造方法
を、（１）基板、（２）金属層およびその形成法、
（３）接着層、（４）回路基板との積層工程、（５）穴
あけ（ビア形成）工程、（６）導電層およびその形成工
程、（７）導電層の除去工程、（８）感光性レジストに
よるレジストパターンの形成工程、（９）電解めっき法
による配線の作成工程、（１０）金属層の除去工程、の
順に詳細に説明する。

【００３７】（１） 基板 本発明にて用いられる基板１は、配線形成が可能な絶縁
性基板であれば特に限定されるものではなく、例えば、
ガラス基板や有機高分子フィルム（以下、高分子フィル
ムと称する）などが例示される。また、基板１として、
樹脂材料に無機充填材等を配合した複合板や、ガラス等
の無機質繊維あるいはポリエステル、ポリアミド、木綿
等の有機質繊維からなるクロス、ペーパー等の基材を樹
脂で接着した、基板、シートあるいはフィルム（可撓性
基板）等も好適に使用される。

【００３８】基板１の表面平滑性は特に限定されるもの
ではないが、Ｒｚ値換算（１０点平均高さ：ＪＩＳ規格
Ｂ０６０１）で３μｍ以下であることがより好ましく、
１μｍ以下であることがさらに好ましい。基板１の表面
平滑性が上記値の範囲内、すなわち、実質的に凹凸がな
い状態であれば、最終的なエッチング工程において（図
２（ｅ）参照）、配線１０のエッチングを伴うことなく
金属層１１の不要部分を容易かつ完全に除去することが
容易となる。つまり、金属層１１の不要部分を後工程で
取り除く場合、配線１０に不所望な損傷を与えることが
ない。また、配線１０が極めて微細なもの（例えば、ラ
イン／スペースの値が２５／２５μｍ以下の配線パター
ン）であっても、基板１の表面粗さに影響されることな
く高精度で形成可能となる。つまり、回路が高密度かつ
高精度に形成されてなる配線板の製造が可能となる。

【００３９】また、基板１に対しては、金属層１１との
密着性を向上させるためのコロナ放電処理、プラズマ処
理、火炎処理、加熱処理、プライマー処理等の公知の表
面処理を施しても良い。

【００４０】基板１として特に好適には高分子フィルム
が採用される。高分子フィルムの種類は特に限定される
ものではなく、例えば、エポキシ樹脂系フィルム、フェ
ノール樹脂系フィルム、ポリイミド樹脂系フィルム、不
飽和ポリエステル樹脂系フィルム、ポリエステル樹脂系
フィルム、ポリフェニレンエーテル樹脂系フィルム、ポ
リフェニレンサルファー樹脂系フィルム、ポリアミド樹
脂系フィルム、シアナートエステル樹脂系フィルム、ベ
ンゾシクロブテン系フィルム、液晶ポリマーフィルムな
どが好適に用いられる。また、これらの中では、ポリイ
ミドフィルムや、ポリイミド成分に適当な共単量体成分
を含有させたフィルムなどの、ポリイミド樹脂系フィル
ムが、寸法安定性、耐熱性、電気絶縁性等の観点から特
に好ましい。

【００４１】以下、上記高分子フィルムとして特に好適
なポリイミド樹脂系フィルムについてさらに詳しく説明
する。

【００４２】ポリイミド樹脂系フィルムの製造には公知
の方法が適用可能である。すなわち、１種または２種以
上のテトラカルボン酸二無水物成分と、１種または２種
以上のジアミン成分とを実質的に等モル使用し、有機極
性溶媒（Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミドなど）中で重
合して得られたポリアミド酸重合体溶液をガラス板やス
テンレスベルトなどの支持体上に流延塗布する。次に、
自己支持性を持つ程度に部分的にイミド化または部分的
に乾燥したポリアミド酸フィルム（以下、ゲルフィルム
と称する）を支持体より引き剥がし、端部をピン、クリ
ップなどの方法で固定してさらに加熱してポリアミド酸
を完全にイミド化することで、上記ポリイミド樹脂系フ
ィルムが得られる。

【００４３】ポリアミド酸重合体の製造に用いられるテ
トラカルボン酸二無水物成分としては、公知のものを使
用することができる。具体的には、ピロメリット酸二無
水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナ
フタレンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシ
ジフタル酸無水物、３，３’，４，４’−ジメチルジフ
ェニルシランテトラカルボン酸二無水物、３，３’，
４，４’−テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無
水物、１，２，３，４−フランテトラカルボン酸二無水
物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）ジフェニルプロパン二無水物、４，４’−ヘキサフ
ルオロイソプロピリデンジフタル酸無水物、３，３’，
４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，
３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、ｐ−フェニレンジフタル酸無水物等の芳香族テトラ
カルボン酸二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリッ
ト酸モノエステル無水物）、等が例示される。

【００４４】一方、ポリアミド酸重合体の製造に用いら
れる代表的なジアミン成分としては、公知のものを使用
することができる。具体的には、４，４’−ジアミノジ
フェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエー
テル、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）
プロパン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベン
ゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼ
ン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、
ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフ
ォン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）
スルフォン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）
ビフェニル、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミノジ
フェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルス
ルフォン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオ
レン、ビスアミノフェノキシケトン、４，４’−（１，
４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスア
ニリン、４，４’−（１，３−フェニレンビス（１−メ
チルエチリデン））ビスアニリン、ｍ−フェニレンジア
ミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノベ
ンズアニリド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミ
ノビフェニル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジア
ミノビフェニル、３，３’−ジメチルベンジジン、３，
３’−ジヒドロキシベンジジン、等の芳香族ジアミン、
あるいはその他の脂肪族ジアミンが例示される。

【００４５】なお、ここに記載したテトラカルボン酸二
無水物成分とジアミン成分との組み合わせは、本発明の
ポリイミド樹脂系フィルムを得るための一具体例を示す
ものであり、これらの組み合わせに限らず、用いるテト
ラカルボン酸二無水物成分及びジアミン成分の組み合わ
せ、並びに使用比率を変えて、ポリイミド樹脂系フィル
ムの特性を調整することもできる。また、テトラカルボ
ン酸二無水物成分やジアミン成分に加え、適当な共単量
体を使用して、ポリイミド樹脂系フィルムを製造しても
よい。

【００４６】上記ポリイミド樹脂系フィルムの厚さは特
に限定されるものではないが、５μｍ〜１２５μｍの範
囲内であることが好ましく、特に多層プリント配線板用
途としては５μｍ〜５０μｍの厚さである事がより好ま
しい。また、引張り弾性率は特に限定されるものではな
いが、４ＧＰａ以上であることがより好ましく、８ＧＰ
ａ以上であることがさらに好ましい。線膨張係数は特に
限定されるものではないが、１７ｐｐｍ以下であること
がより好ましく、１０ｐｐｍ以下であることがさらに好
ましい。吸水率は２％以下であることがより好ましく、
１％以下であることがさらに好ましい。ポリイミド樹脂
系フィルムの引張り弾性率、線膨張係数、および吸水率
が上記値の範囲内にあれば、最終的に得られる配線板の
諸特性が特に良好となる。

【００４７】また、上記方法で得られるポリイミド樹脂
系フィルムには、必要に応じて公知の表面処理や後処理
を適用してもよい。具体的には、エンボス処理、サンド
ブラスト処理、コロナ放電処理、プラズマ放電処理、電
子線照射処理、ＵＶ処理、加熱処理、火炎処理、溶剤洗
浄処理、プライマー処理、ケミカルエッチング処理、カ
ップリング剤処理などが適用できる。また、前記ゲルフ
ィルムに対して、上記処理を単独であるいは複数種組み
合せて施した後に、ポリイミド樹脂系フィルムを得ても
よい。

【００４８】（２） 金属層およびその形成法 金属層１１は、基板１の一方の表面に形成される。金属
層１１には、基板１の表面粗さを小さくした場合、例え
ば、Ｒｚ値換算で３μｍ以下あるいは１μｍ以下の場合
であっても、後述する配線１０と基板１との良好な接着
固定層として機能することが望まれる。そこで、基板１
の表面粗さの程度に関わらず良好な接着固定層として機
能する金属層１１の形成法を検討した結果、従来の無電
解めっき法に代えて、物理的蒸着法（物理蒸着法：ＰＶ
Ｄ）が好適であることを見出した。

【００４９】なお、金属層１１が複層構造からなる場合
には、少なくとも基板１に接する第一金属層２（接着固
定層として機能）を物理的蒸着法で形成すればよく、基
板１に接しない第二金属層４の形成方法は特に限定され
ない（図１（ｂ）参照）。ただし、後述するように、第
二金属層４も物理的蒸着法で形成することが特に好まし
い。

【００５０】上記物理的蒸着法とは、例えば、高温加
熱、スパッタリングなどの物理的方法で物質を蒸発し、
基板に凝縮させて薄膜を形成する方法を広く指す。物理
的蒸着法として、具体的には例えば、抵抗加熱蒸着、Ｅ
Ｂ(電子ビーム)蒸着、クラスタイオンビーム蒸着、イオ
ンプレーティング蒸着、等の真空蒸着法や、ＲＦ（異方
性逆）スパッタリング、ＤＣ（直流）スパッタリング、
マグネトロンスパッタリング、イオンビームスパッタリ
ング等の各種スパッタリング法が挙げられ、またこれら
を組み合せた方法も含めいずれも本発明に適用可能であ
る。上記物理的蒸着法の中では、形成される金属層１１
と基板１との密着強度の観点、およびコスト的な観点か
ら、各種スパッタリング法がより好ましく、中でもＤＣ
スパッタリング法が特に好ましい。また、イオンプレー
ティング蒸着法も、金属層１１と基板１（特に高分子フ
ィルム）との間で良好な密着性が得られるので好適に採
用される。

【００５１】以下、上記金属層１１につき、より詳細に
説明する。金属層１１は、後述する配線１０を形成する
ための給電層、および配線１０と基板１との接着固定層
として機能する。金属層１１は単層構造であっても複層
構造（図１（ｂ）参照）であってもよい。なお、金属層
１１が単層構造の場合とは、例えば、図１（ｂ）〜
（ｅ）に示す第二金属層４を形成せずに、基板１と接す
る第一金属層２のみを形成する場合を特に指す。

【００５２】接着固定層として必須な第一金属層２をな
す金属の種類は特に限定されないが、１）基板１との密
着強度に優れ、２）後述する配線１０（電解めっき層）
と強固に接着し、かつ、３）後述するエッチング工程
（図２（ｅ）参照）において、不要部を容易かつほぼ完
全に除去できる金属種であることがより好ましい。第一
金属層２をなす好ましい金属種として、具体的には例え
ば、銅、ニッケル、クロム、チタン、アルミ、モリブデ
ン、タングステン、亜鉛、錫、インジウム等の金属、ま
たは、ニクロムなどこれら金属の一種以上を含む合金が
挙げられ、中でも、銅、ニッケル、クロム、チタン、銅
合金、ニッケル合金がさらに好ましく、ニッケルあるい
はニッケル合金が特に好ましく、ニッケルとクロムとの
合金（ニクロム）が最も好ましい。

【００５３】また、基板１との密着強度やエッチング除
去の容易性の観点からは、第一金属層２をなす金属種お
よびその形成方法の組み合わせを、１）スパッタリング
法によって形成された、銅あるいは銅合金、またはニッ
ケルあるいはニッケル合金とする、あるいは、２）イオ
ンプレーティング蒸着法によって形成された、銅あるい
は銅合金、またはニッケルあるいはニッケル合金とす
る、ことがさらに好ましい。

【００５４】第一金属層２の厚さは特に限定されるもの
ではないが、金属層１１を第一金属層２のみ（単層構
造）で構成する場合には、２０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲
内であることがより好ましい。この理由は、第一金属層
２が２０ｎｍ以上の厚さを有すれば、導電層８を金属層
１１（ここでは第一金属層２）の一部エッチングで取り
除く工程（図１（ｆ）参照）において厚さが薄くなり過
ぎず、上記接着固定層および給電層としての役割を十分
に果たせるためである。一方、第一金属層２が５００ｎ
ｍ以下の厚さであっても、上記接着固定層および給電層
としての役割を果たすには十分であり、かつ最終的なエ
ッチング工程（図２（ｅ）参照）における第一金属層２
の除去に、過剰なエッチングを要しないという利点があ
る。

【００５５】一方、金属層１１を複層構造とする場合、
第一金属層２の厚みは特に限定されるものではないが、
１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることがより好まし
い。金属層１１が複層構造の場合、導電層８を金属層１
１のエッチングで取り除く工程（図１（ｆ）参照）で
は、第二金属層４が専らエッチングの影響を受ける（特
に後述する選択的エッチングの場合）。そのため、金属
層１１が単層構造の場合と比較して、第一金属層２の厚
みをやや薄くしても好ましい結果が得られる。

【００５６】必要に応じて設けられる第二金属層４は、
導電層８をエッチングにより取り除く工程（図１（ｆ）
参照：後述する）をより円滑に行う目的で形成される。
したがって、第二金属層４を構成する金属種は、エッチ
ング可能なものであれば基本的にはその種類を問わず、
具体的には例えば、銅、ニッケル、アルミ、クロム、モ
リブデン、タングステン、亜鉛、スズ、チタン、インジ
ウム等の金属、あるいはこれら金属の一種以上を含む合
金（ニクロムなど）が好適に使用される。

【００５７】また、導電層８をエッチングにより取り除
く工程では、第二金属層４の選択的エッチング、すなわ
ち、後工程で給電層となる第一金属層２およびビア７内
の導電層８に実質的に影響を与えないエッチングを行う
ことが、より好ましい。この目的を達成するためには、
第一金属層２と、第一金属層２上に設けられる第二金属
層４とを、異なる組成の金属により形成し、さらに、導
電層８を第二金属層４と異なる組成の導電性材料で形成
することが必要となる。

【００５８】また、上記選択的エッチングを実現するた
めの第一金属層２と第二金属層４との組み合わせとし
て、特に好適には、１）基板１と接合する第一金属層２
をニッケルまたはニッケル合金からなる金属層とし、第
一金属層２の表面に設けられる第二金属層４を銅あるい
は銅合金からなる金属層とする構成、あるいは、２）基
板１と接合する第一金属層２を銅または銅合金からなる
金属層とし、第二金属層４をニッケルあるいはニッケル
合金からなる金属層とする構成が挙げられる。さらに、
上記１）において導電層８をニッケルまたはニッケル合
金から構成し、上記２）において導電層８を銅または銅
合金から構成することが最も好ましい。この理由は、ニ
ッケルの選択的エッチング液（例えば、メックリムーバ
ーＮＨ−１８６２（メック社製の商品名））が銅または
銅合金をほぼ腐食する虞がなく、また、銅の選択的エッ
チング液（例えば、メックエッチボンドＣＺ−８５００
（メック社製の商品名））がニッケルまたはニッケル合
金をほぼ腐食する虞がないためである。

【００５９】なお、第二金属層４の形成方法は特に限定
されるものではないが、第一金属層２と同様に物理的蒸
着法によることがより好ましい。この物理的蒸着法は、
第一金属層２と同一の方法であっても、異なる方法であ
ってもよい。

【００６０】また、第二金属層４の厚さは、構成する金
属種に応じて適当に設定すればよいが、通常は１０ｎｍ
〜５００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。この
第二金属層４の厚さが１０ｎｍ以上であれば、導電層８
の除去を確実に行うことが可能となる。一方、エッチン
グによる除去工程の効率を考慮すると、第二金属層４の
厚さは５００ｎｍ以下であることがよい。特に、第二金
属層４として、銅またはニッケル、あるいは銅合金また
はニッケル合金を採用する場合には、第二金属層４を上
記値の範囲内とすることがより好ましい。

【００６１】（３） 接着層 他の回路基板５（図１（ｃ）参照）とのビルドアップに
より配線板を製造する際には、基板１の他面側に接着層
３が形成される。接着層３には、例えば、従来の接着性
樹脂が用いられ、適当な樹脂流れ性を有し、強固な接着
性を実現できるものであれば公知の技術を適用すること
ができる。また、接着層３は、金属微小粒などの適当な
導電性粒子を含む、導電性接着層であってもよい。

【００６２】接着層３の種類は特に限定されないが、含
有する接着性樹脂の種類で大別すれば、（Ａ）熱可塑性
樹脂を用いた熱融着性の接着剤、（Ｂ）熱硬化樹脂（熱
硬化型樹脂）の硬化反応を利用した硬化型接着剤、の二
種類が代表的なものとなる。

【００６３】（Ａ）接着層３に熱融着性を与える熱可塑
性樹脂としては、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド
系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、ポリアミド系樹
脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポ
リケトン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリフェニレン
エーテル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレ
ンスルフィド系樹脂、フッ素系樹脂、ポリアリレート系
樹脂、液晶ポリマー樹脂等が挙げられる。これらの１種
または２種以上を適宜組み合わせて、本発明の積層体の
接着層として用いることができる。中でも優れた耐熱
性、電気信頼性、接着性、加工性、柔軟性、寸法安定
性、誘電率、コストパフォーマンス等を有する観点か
ら、接着層３として熱可塑性のポリイミド系樹脂（以
下、熱可塑性ポリイミド系樹脂と称する）を用いること
がより好ましい。以下、熱可塑性ポリイミド系樹脂につ
いて説明する。

【００６４】上記熱可塑性ポリイミド系樹脂は、公知の
酸二無水物成分の１種または２種以上と、公知のジアミ
ン成分の１種または２種以上とを、公知の方法に従い重
合して製造可能である（基板１に関するポリイミド系樹
脂の製造方法の記載も参照）。

【００６５】上記酸二無水物成分およびジアミン成分の
種類は特に限定されるものではない。ただし、熱可塑性
ポリイミド系樹脂が特に優れた熱融着性を発現するため
には、酸二無水物成分として、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンジベンゾエート−３，３’，
４，４’−テトラカルボン酸二無水物、１，２−エチレ
ンビス（トリメリット酸モノエステル無水物）、４，
４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水
物、２，３，３’，４‘−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、４，４’−オキシジフタル酸無水物、３，
３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェ
ノキシ）ビス（無水フタル酸）から選択される一種また
は二種以上を使用することがより好ましい。また、ジア
ミン成分としては、１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、３，３’−ジヒドロキシベンジジン、ビ
ス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフォ
ンから選択される一種または二種以上を使用することが
より好ましい。

【００６６】（Ｂ）接着層３に熱硬化性を与える熱硬化
樹脂の種類は特に限定されず、具体的には例えば、ビス
マレイミド系樹脂、ビスアリルナジイミド系樹脂、フェ
ノール系樹脂、シアナート系樹脂、エポキシ系樹脂、ア
クリル系樹脂、メタクリル系樹脂、トリアジン系樹脂、
ヒドロシリル系硬化樹脂、アリル系硬化樹脂、不飽和ポ
リエステル系樹脂等を挙げることができ、これらを単
独、または適宜組み合わせて用いることができる。中で
も優れた接着性、加工性、耐熱性、柔軟性、寸法安定
性、誘電率、コストパフォーマンス等を有する観点か
ら、エポキシ系樹脂、シアナート系樹脂が特に好まし
い。また、上記例示の熱硬化樹脂以外にも、高分子鎖の
側鎖または末端にエポキシ基、アリル基、ビニル基、ア
ルコキシシリル基、ヒドロシリル基、水酸基等の反応性
基を有する側鎖反応性基型の熱硬化性高分子を熱硬化成
分として使用することも可能である。

【００６７】さらに、加熱接着時の流れ性を制御する目
的で、前記熱可塑性樹脂と熱硬化樹脂とを混合すること
も可能である。両者の混合割合は特に限定されるもので
はないが、熱可塑性樹脂１００重量部に対して、熱硬化
樹脂を１〜１００００重量部加えることがより好まし
く、５〜２０００重量部加えることがさらに好ましい。
上記混合割合がより好ましい理由は、混合樹脂中に占め
る熱硬化樹脂の割合が多くなりすぎると接着層３が脆く
なる虞があり、逆に少なすぎると接着剤（接着層３を構
成）の流れ性や接着性が低下する虞があるからである。

【００６８】なお、前記熱可塑性樹脂と熱硬化樹脂との
混合樹脂としては、エポキシ系樹脂またはシアナート系
樹脂と、前記熱可塑性ポリイミド系樹脂との混合樹脂
が、優れた接着性、加工性、耐熱性、柔軟性、寸法安定
性、誘電率、コストパフォーマンス等を有する観点から
特に好ましい。

【００６９】接着層３の形成方法は従来公知の方法を採
用可能である。例えば、前記接着性樹脂を主成分とした
もので接着層３を構成する場合には、接着性樹脂材料を
溶液状にして塗布乾燥する方法や、この樹脂材料を溶融
塗布する方法、等が好適に採用される。

【００７０】（４） 回路基板との積層工程 既に説明したように、内層配線板のような他の回路基板
５（図１（ｃ）参照）とのビルドアップにより配線板
（多層プリント配線板）を製造する際には、必要に応じ
て、基板１の一面側に金属層１１が、他面側に接着層３
が形成された積層体１２を形成する。なお、基板１上に
金属層１１および接着層３を形成する順序は特に限定さ
れるものではない。

【００７１】積層体１２と回路基板５との積層工程は、
積層体１２の接着層３と、回路基板５の回路形成面とを
対向させ、例えば、加熱および／または加圧を伴う方法
で両者を積層する（図１（ｃ）参照）。この積層工程に
は、油圧プレスの他、例えば、真空プレス、真空ラミネ
ート等も適用できる。中でも、積層時における接着層３
への気泡の咬み込みが抑止され、また、接着層３への内
層回路（電極６）の埋め込み性にも優れる点から、真空
プレス、真空ラミネートがより好ましく使用される。

【００７２】（５） 穴あけ工程（ビア形成工程） 積層体１２と回路基板５との積層工程に次いで、図１
（ｄ）に示すように金属層１１の表面から回路基板５の
電極６に至る穴あけ加工（ビア７の形成加工）を行う。
加工方法としては、公知のドリルマシン、ドライプラズ
マ装置、炭酸ガスレーザー、ＵＶレーザー、エキシマレ
ーザー等を用いた方法が例示されるが、中でも、ＵＶ−
ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーを用いる方法が、小
径かつ良好な形状のビア７形成が可能なためより好まし
い。なお、炭酸ガスレーザーなどを用いる方法のよう
に、レーザー加熱による分解にてビア７を形成する場合
には、さらにデスミア処理を行うことがより好ましい。
デスミア処理により、後工程におけるビア７内部の導電
層８形成をより良好に行うことができる。

【００７３】また、金属層１１と基板１とを貫くビア７
の形成工程は、基板１と他の回路基板５との電気的接続
を確保する場合以外にも、例えば、基板１の両面に形成
された金属配線同士の電気的接続を確保する場合にも必
要な工程である。

【００７４】（６） 導電層およびその形成工程 導電層８は、上記ビア７の内面（貫通スルーホールの内
面を含む）に形成されて、後工程で電解めっきを行う際
の給電層（給電電極）となる。したがって、導電層８を
構成する材料は、給電層として十分な伝導度を持つ材料
であれば特に限定されるものではない。また、導電層８
が必要とする厚さは、用いられる材料の伝導度や、給電
層が必要とする伝導度に応じて適宜設定すればよい。

【００７５】導電層８を構成する材料として、具体的に
は例えば、銅、ニッケル、クロム、チタン、アルミ、モ
リブデン、タングステン、亜鉛、錫、インジウム、金、
銀、等の金属単体、またはこれらの合金（ニクロムな
ど）などの金属材料；ポリピロール、ポリチオフェンな
どの導電性高分子材料；グラファイト、導電性セラミッ
クなどの非金属無機導電材料；等が挙げられる。

【００７６】上記金属材料は、給電層として十分機能す
るだけの伝導性を確保しやすいという観点で優れた材料
であり、中でも、銅または銅合金、あるいはニッケルま
たはニッケル合金がより好適に用いられる。なお、図１
（ｆ）に示す、第二金属層４の選択的エッチングによ
り、ビア７内面の導電層８を残しつつ不要な導電層８を
取り除くためには、前記したように、導電層８をなす金
属材料と第二金属層４との組成が異なることが好まし
い。

【００７７】また、導電層８を構成する材料の種類によ
らず、導電層８の形成は、無電解めっき法あるいは塗布
法により行われる。この理由は、無電解めっき法や塗布
法が、ビア７の内面のような微細空間にも比較的均一か
つ容易に導電層８を形成可能とするためである。

【００７８】例えば、導電層８を前記金属材料で構成す
る場合には、特に好適には、触媒を金属層１１上やビア
７内部に付与して、化学的な金属めっき法（無電解めっ
き法）を行う（図１（ｅ）参照）。

【００７９】また、導電層８を導電性高分子材料で構成
する場合には、無電解めっき法や塗布法を採用する。無
電解めっき法では、適切な酸化剤を金属層１１上やビア
７内部に付与した後に、ピロールやチオフェンモノマー
を含む溶液、例えば、ピロール溶液に、積層体１２を浸
漬すればよい。塗布法では、ポリピロールやポリ１，４
ジオキシチオフェンなどの導電性高分子を溶媒に溶解し
た溶液を用い、この溶液を金属層１１上およびビア７上
に塗布すれば良い。

【００８０】また、導電層８をグラファイトなどの非金
属無機導電材料で構成する場合には、触媒を用いない無
電解めっき法が好適に採用される。グラファイトめっき
を例に挙げて説明すれば、金属層１１およびビア７の表
面を、前処理液で処理した後に、グラファイト分散液に
積層体１２を浸漬すればよい。このプロセスに採用可能
なグラファイトめっき液の代表例として、メック社のグ
ラファイトめっき液であるダイレクトプレーティング
（登録商標）が挙げられる。このグラファイトめっき液
は、前処理液（メックＳプロセス ＳＰ−６５６０）
と、グラファイト分散液（メックＳプロセス ＳＰ−６
６０１）とがセットになったものである。

【００８１】導電層８をグラファイトめっき層とする場
合、その厚さは特に限定されないが、１０ｎｍ〜１００
０ｎｍの範囲内であることがより好ましく、２０ｎｍ〜
２００ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。グラ
ファイトめっき層の厚さが１０ｎｍ以上あれば、電解め
っき法により配線１０を形成する工程で（図２（ｃ）参
照）、給電層として十分機能する。一方、その厚さが１
０００ｎｍ以下であれば、不要なグラファイト層をエッ
チング除去する工程（図１（ｆ）参照）において実質的
にバリヤとならない。この結果、不要なグラファイト層
のエッチング除去が効率的に行われる。

【００８２】なお、導電層８をグラファイト層とする利
点は、例えば、１）金属層１１上に設けられたグラファ
イト層は、金属層１１に対するソフトエッチングにより
容易に取り除くことができ、一方、ビア７内部のグラフ
ァイト層はこのソフトエッチングで取り除かれないの
で、不所望な導電層８（グラファイト層）の選択除去が
より容易となること、２）グラファイト層を形成する際
には、無電解銅めっきに必要なパラジウム触媒を必要と
しないので、この触媒の残存に起因する配線１０間の絶
縁性の低下や、触媒除去作業による配線形状の劣化など
を招来する虞もないこと、が挙げられる。

【００８３】（７） 導電層の除去工程 導電層８は、後工程で給電層として使用されるビア７の
内壁上のものを除き不要である。むしろ、無電解めっき
法または塗布法により形成された導電層８は、電解めっ
き法により形成される層（後述する配線１０）との接着
性が比較的弱いという問題点を有する。そこで、上記金
属層１１上に形成された導電層８を取り除く工程（図１
（ｆ）参照）を設け、電解めっき法による配線１０を金
属層１１を介して基板１上に強固に接着可能とする。

【００８４】導電層８の除去は、下地の金属層１１を部
分的にエッチングする事により行う。エッチングに用い
るエッチング液やガスなど（エッチャント）の種類は、
導電層８と接する金属層１１の部分をエッチング可能
で、かつビア７内部の導電層８に実質的に影響を与えな
いものを選択すればよい。

【００８５】例えば、導電層８を前記金属材料で構成す
る場合は、エッチングにより取り除かれる金属層１１の
部分に対する選択的エッチング液を使用すればよい。例
えば、取り除かれる金属層１１の部分が銅または銅合金
である場合には、メックエッチボンドＣＺ−８５００
（メック社製の商品名）などの銅の選択的エッチング液
が使用でき、また、上記部分がニッケルまたはニッケル
合金の場合には、メックリムーバーＮＨ−１８６２など
のニッケル専用のエッチング液が使用できる。

【００８６】また、導電層８を前記導電性高分子材料で
構成する場合は、硫酸、過酸化水素水などの酸性のエッ
チング液が好適である。このようなエッチング液は、ビ
ア７内部の導電性高分子材料（導電層８）にほとんど影
響を与えることなく金属層１１の表面をエッチングし、
そのエッチングの際に、金属層１１の表面に形成された
導電性高分子材料の層（導電層８）が剥離、除去され
る。

【００８７】また、導電層８を前記グラファイト（特に
無電解めっきグラファイト層）で構成する場合には、導
電層８の剥離、除去には金属エッチャントが好適に使用
出来る。グラファイト層の剥離専用に開発された金属エ
ッチャント（セパレータ）は、本プロセスに特に有効で
ある。その様な、金属エッチャントの例としては、メッ
ク社製グラファイト導電層用セパレータ（メックＳプロ
セス ＳＰ−６８００）などが挙げられる。

【００８８】なお、下地の金属層１１が２層以上の複層
構造（基板１に接触する第一金属層２およびその上に形
成された第二金属層４）になっている場合には、第二金
属層４の選択的なエッチング液を使用することが特に有
効である。例えば、第二金属層４が銅または銅合金であ
る場合には、上記メックエッチボンドＣＺ−８５００が
特に有効に使用できる。また、第二金属層４がニッケル
またはニッケル合金の場合にはニッケル専用の酸性エッ
チング液（例えば、上記メックリムーバーＮＨ−１８６
２）が使用できる。

【００８９】（８） 感光性レジストによるレジストパ
ターンの形成工程 前記説明のように、後工程に不要な導電層８を取り除
き、金属層１１を露出させた後に、配線１０を形成する
ための感光性レジスト（フォトレジスト：感光性めっき
レジスト）９のパターンを、金属層１１上に形成する
（図２（ａ）・（ｂ）参照）。なお、金属層１１が複層
構造からなる場合には、基板１に接する第一金属層２上
に感光性レジスト９のパターンが形成される。

【００９０】上記感光性レジスト９としては、広く市販
されている公知の材料を用いることができる。本発明の
製造方法では、配線の狭ピッチ化に対応するために５０
μｍピッチ以下の解像度を有する感光性レジスト９を用
いることがより好ましく、例えば、液体状のレジストや
ドライフィルムレジストなどが好適に使用される。これ
ら感光性レジスト９は、露出させた金属層１１（複層構
造の場合、第一金属層２）全面に配され、続いて、形成
すべき配線１０の形状に応じた露光・現像工程を経て、
所望する形状にパターニングされる。なお、いうまでも
ないが、感光性レジスト以外の公知のレジストにより、
配線１０を形成するためのレジストパターンを作成して
もよい。

【００９１】（９） 電解めっき法による配線の作成工
程（電気めっき工程） 配線１０の形成は、金属層１１（第一金属層２）および
導電層８を給電層として用いる様々な電解めっき法によ
り行われる。これにより、金属層１１における、感光性
レジスト９のパターンが形成されていない領域、および
ビア７の内部に、配線１０が形成される（図２（ｃ）参
照）。

【００９２】この工程で採用される電解めっき法の種類
は特に限定されないが、具体的には例えば、電解銅めっ
き、電解はんだめっき、電解錫めっき、電解ニッケルめ
っき、等の各種電解めっき法が挙げられる。この中で
は、工業的観点、耐マイグレーション性等の電気特性の
観点より、電解銅めっきがより好ましい。

【００９３】前記したように、物理的蒸着法により形成
された金属層１１（複層構造の場合、第一金属層２）
と、電解めっき法で形成された配線１０との接着強度
は、一般に、無電解めっき法などによる導電層（従来の
無電解銅層や導電層８など）と、電解めっき法による配
線１０との接着強度よりはるかに優れている。よって、
本発明の方法によれば、従来法と比較して、配線１０の
基板１上での固定性に優れ、電気信頼性に優れた配線板
を提供可能となる。

【００９４】なお、上記金属層１１（複層構造の場合、
第一金属層２）と、配線１０との組成の組み合わせを、
両者の接着性の観点から詳細に検討した結果、金属層１
１が物理的蒸着法により形成された銅あるいは銅合金ま
たはニッケルあるいはニッケル合金の何れかであり、配
線１０が電解銅めっきによる銅配線である場合に、両者
が特に強固に接着されることが判明した。

【００９５】（１０） 金属層の除去工程 配線１０を形成し、不要となった感光性レジスト９のパ
ターンを完全に剥離除去した後（図２（ｄ）参照）に、
不要な金属層１１（複層構造の場合、第一金属層２）
は、例えばエッチングなどの方法で除去される（図２
（ｅ）参照）。この際、回路設計値よりも回路厚みが薄
くなる、回路幅が狭くなる、アンダーカットの発生など
で回路形状が劣化するなど、形成した配線１０の形状劣
化をできうる限り防止することが望まれる。配線１０の
形状劣化を防止するためには、１）金属層１１（複層構
造の場合は第一金属層２）の厚みを５００ｎｍ以下とし
て、この金属層１１の除去を容易とする、２）基板１の
表面平滑性をＲｚ値で３μｍ以下（実質的に凹凸がない
状態）として、金属層１１の除去を容易とする、３）金
属層１１（複層構造の場合は第一金属層２）の組成と、
配線１０の組成とを異ならせる、などの対策を講じるこ
とがより好ましい。

【００９６】特に、上記３）の一例について説明する
と、まず、金属層１１を、ニッケルからなる第一金属層
２と、銅からなる第二金属層４との二層構造とし、その
上にグラファイトからなる導電層８を形成する。この場
合、銅の選択的エッチングによる導電層８の剥離工程
で、第二金属層４が取り除かれる。この結果、配線１０
を形成するための給電層は、最終的に第一金属層２（ニ
ッケル層）のみとなる。次いで、第一金属層２を給電層
とした電解銅めっきにより、配線１０（銅配線）を形成
する。さらに、最終的な第一金属層２のエッチング工程
でニッケルの選択的なエッチング液を使用すれば、回路
形成に用いられた配線１０の形状を損なうことなく給電
層（第一金属層２）を除去できる。

【００９７】なお、不要な金属層１１（複層構造の場合
は第一金属層２）の除去工程に次いで、必要に応じて、
配線１０に対しニッケルめっきや金めっきを施す工程を
設けてもよい。

【００９８】以上、（１）から（１０）の各プロセスに
ついて詳細に説明したが、上記製造方法に従いライン／
スペースが１０μｍ／１０μｍである回路パターンを製
造した結果、形状劣化のない良好な回路形成が可能であ
ることが確認された（実施例も参照）。

【００９９】なお、本発明にかかる配線板の製造方法で
は、より好ましくは、金属層１１は表面平滑な基板１上
に形成される。この場合、従来技術である粗化された樹
脂基板の表面に形成された無電解めっき金属層（前記し
た無電解銅層）と比較して、金属層１１はより迅速にエ
ッチング除去される。つまり、粗化された基板表面の奥
深くまでエッチングを行う必要がないことが、本発明に
かかる製造方法にて、設計通りの良好な回路形状が得ら
れる一因であると考えられる。

【０１００】また、本発明にかかる配線板の製造方法の
一特徴点として、回路形成時の絶縁特性の確保が容易で
ある点が挙げられる。すなわち、従来のセミアディティ
ブ法では、絶縁基板の表面に無電解銅めっきや無電解銅
めっき触媒が残留しやすいため、得られる配線板上の配
線間絶縁性が低下しやすい。さらに、最終工程で回路
（配線１０）上にニッケルめっきや金めっきを行う際、
残留している無電解銅めっき触媒の触媒作用で、絶縁基
板の表面にニッケル、金がめっきされ、配線間絶縁性が
確保できないという問題点があった。

【０１０１】しかし、本発明にかかる製造方法では、上
記導電層として触媒を用いた無電解銅めっきを形成する
場合、触媒処理は物理的に形成された金属層上に行なわ
れ、また、配線間の金属層は後工程のエッチングにより
取り除かれるので、無電解銅めっきや触媒が残留すると
いう上記問題は発生しない。従って、本発明にかかる配
線板の製造方法では、基板との密着性に優れ、かつ絶縁
性にも優れた高密度回路（配線）の形成が可能となる。

【０１０２】

【実施例】以下、図面を参照しながら実施例により本発
明をより詳細に説明するが、本発明の権利範囲は特に以
下の実施例の記載のみに限定されるものではない。

【０１０３】〔実施例１〕厚み１２．５μｍのポリイミ
ドフィルム（鐘淵化学株式会社製アピカルＨＰ：基板
１）の片方の面に、マグネトロン ＤＣスパッタリング
法によりニッケル層（第一金属層２）を２００ｎｍの厚
さで、引き続き銅層（第二金属層４）を１００ｎｍの厚
さで形成して、基板１上に金属層１１が形成された積層
構造（Ａ）を得た。なお、上記ポリイミドフィルムの表
面平滑性は、Ｒｚ値で０．８μｍであった。

【０１０４】また、容量２０００ｍｌのガラス製フラス
コ内を窒素ガスで置換し、極性溶媒としてのＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと称する）を入れた
後に、ＤＭＦに１当量のビス｛４−（３−アミノフェノ
キシ）フェニル｝スルホン(以下ＢＡＰＳ−Ｍという)を
溶解した。得られた溶液を氷水で冷却しつつ撹拌しなが
ら、１当量の４，４’−（４，４’−イソプロピリデン
ジフェノキシ）ビス（無水フタル酸）（以下、ＢＰＡＤ
Ａという）を加えて重合反応を行い、固形分濃度３０重
量％のポリアミド酸重合体溶液（以下、ポリアミド酸溶
液）を得た。

【０１０５】このポリアミド酸溶液を２００℃・１８０
分、６６５Ｐａの減圧条件下で加熱し、固形の熱可塑性
ポリイミド樹脂を得た。次いで、この熱可塑性ポリイミ
ド樹脂、ノボラック型のエポキシ樹脂（エピコート１０
３２Ｈ６０：油化シェル社製）、および４，４’−ジア
ミノジフェニルスルフォン（以下、４，４’−ＤＤＳと
する）を、重量比が順に７０／３０／９になるように混
合し、さらに、固形分濃度が２０重量％になるようジオ
キソランに溶解して接着剤溶液を得た。得られた接着剤
溶液を、乾燥後の厚みが９μｍになるよう前記積層構造
（Ａ）のポリイミド面（金属層１１形成面の背向面）に
塗布し、１７０℃で２分間乾燥して接着層３を形成し、
積層体１２を得た。

【０１０６】また、厚さ９μｍの銅箔が一面に形成され
たガラスエポキシ銅張積層板から内層回路板（他の回路
基板５に相当）を作製し、次いで、上記積層体１２を、
温度２００℃、熱板圧力３ＭＰａ、プレス時間２時間、
真空条件１ＫＰａの真空プレス条件で内層回路板に積層
し、接着層３を硬化した。

【０１０７】次いで、ＵＶ−ＹＡＧレーザーにより、内
層回路板の電極６直上に、該電極６に至る内径３０μｍ
のビア７を形成した。次にアルカリ脱脂処理、シンセサ
イザー処理、アクチベーター処理のステップの後、株式
会社日本カニゼン製のＳ−７９５を用いて化学ニッケル
メッキを行った。形成したニッケルメッキ、すなわち導
電層８の厚さは２００ｎｍである。

【０１０８】次にメックエッチボンドＣＺ−８５００を
用いて、第二金属層４である銅層をエッチングした。こ
の第二金属層４のエッチングの際に、その上部に位置す
る導電層８もエッチング除去されるが、下地に銅層を持
たないビア７内部の導電層８はエッチング除去されなか
った。

【０１０９】次いで、液状の感光性レジスト９（日本合
成ゴム株式会社製、ＴＨＢ３２０Ｐ）を、露出した第一
金属層２（ニッケル層）上にコーティングした。次いで
高圧水銀灯を用いてマスク露光を行い、配線１０（基板
上回路、及びビア内配線を含む）の形成を予定する部分
を除く領域にライン／スペースが１０μｍ／１０μｍの
レジストパターンを形成した。続いて、第一金属層２を
給電層とした電解銅めっきを行い、第一金属層２（ニッ
ケル層）が露出する部分の表面に、厚み１０μｍの銅製
の配線１０を形成した。上記電解銅めっきは、感光性レ
ジスト形成後の基板１を、１０体積％硫酸中で３０秒間
予備洗浄し、次に室温中で４０分間めっきする方法で行
った。めっき時の電流密度は２Ａ／ｄｍ²とした。

【０１１０】次いで、アルカリ型の剥離液を用いて感光
性レジスト９を剥離し、不要なスパッタニッケル層（第
一金属層２）をニッケルの選択的エッチング液（メック
株式会社製、ＮＨ−１８６２）で除去してプリント配線
板を得た。

【０１１１】得られたプリント配線板は設計値通りのラ
イン／スペースを有しており、サイドエッチは見られな
かった。また、給電層剥離部分、すなわち第一金属層２
剥離部分のオージェ分析、ＥＰＭＡによる残留金属の有
無の測定を行なったが残存金属の存在は認められなかっ
た。

【０１１２】さらに、配線１０（電解銅めっき配線）
と、第一金属層２（スパッタリングニッケル層）との剥
離強度（ＪＩＳ規格６４７１）は１０Ｎ／ｃｍであり優
れた接着性を有していた。この剥離強度は、耐熱標準加
速試験（ビルドアップ配線板技術標準 ＪＰＣＡ規格ｖ
ｅｒ．２，１５０℃，５００時間）後もほとんど劣化せ
ず、９Ｎ／ｃｍの値をしめした。

【０１１３】例えば、無電解銅めっき層上に電解銅めっ
きを施した場合（従来例）の剥離強度（ＪＩＳ規格６４
７１）が１０Ｎ／ｃｍであり、この剥離強度が上記耐熱
標準加速試験後には５Ｎ／ｃｍとなることと比較すれ
ば、本発明にかかる配線板の製造方法により、基板１と
配線１０との強固な接着性が実現できることが判明し
た。

【０１１４】〔実施例２〕厚み１２．５μｍのポリイミ
ドフィルム（鐘淵化学株式会社製アピカルＨＰ）の片方
の面に、イオンプレーティング蒸着法により銅層（第一
金属層２）を２００ｎｍの厚さで形成し、次にＤＣスパ
ッタリング法によりニッケル層（第二金属層４）を１０
０ｎｍの厚さで積層して積層構造（Ｂ）を得た。それ以
外は、前期実施例１と同じ手法で積層体１２の作製を行
った。

【０１１５】次いで、ＵＶ−ＹＡＧレーザーにより内層
回路板（他の回路基板５）の電極６直上に、該電極６に
至る内径３０μｍのビア７を形成した。次にアルカリ脱
脂処理、パラジュウム触媒付与の後、この触媒を核とし
た化学銅メッキを行った。形成した銅メッキ、すなわち
導電層８の厚さは１００ｎｍである。

【０１１６】次にメック株式会社製、ＮＨ−１８６２を
用いて、第二金属層４であるニッケル層をエッチングし
た。この第二金属層４のエッチングの際に、その上部に
位置する導電層８もエッチング除去されるが、下地にニ
ッケル層を持たないビア７内部の導電層８はエッチング
除去されなかった。

【０１１７】次に、前記実施例１と同様の方法で、感光
性レジストのコーティング、マスク露光、ならびに現像
によるレジストパターン形成を行った。さらに、前記実
施例１と同様の方法で電解銅めっきを行い、第一金属層
２上に厚み１０μｍの銅皮膜（配線１０）を形成した。

【０１１８】次いで、アルカリ型の剥離液を用いて感光
性レジスト９を剥離し、不要なイオンプレーティング銅
層（第一金属層２）を銅の選択的エッチング液（メック
株式会社製エッチング液、ＣＺ−８５００）で除去して
プリント配線板を得た。

【０１１９】得られたプリント配線板は設計値通りのラ
イン／スペースを有しており、サイドエッチは見られな
かった。また、給電層剥離部分、すなわち第一金属層２
剥離部分のオージェ分析、ＥＰＭＡによる残留金属の有
無の測定を行なったが残存金属の存在は認められなかっ
た。

【０１２０】さらに、配線１０（電解銅めっき配線）
と、第一金属層２（イオンプレーティング銅層）との剥
離強度（ＪＩＳ規格６４７１）は１１Ｎ／ｃｍであり優
れた接着性を有していた。この剥離強度は、耐熱標準加
速試験（ビルドアップ配線板技術標準 ＪＰＣＡ規格ｖ
ｅｒ．２，１５０℃，５００時間）後もほとんど劣化せ
ず、１０Ｎ／ｃｍの値をしめした。

【０１２１】例えば、無電解銅めっき層上に電解銅めっ
きを施した場合（従来例）の剥離強度（ＪＩＳ規格６４
７１）が１０Ｎ／ｃｍであり、この剥離強度が上記耐熱
標準加速試験後には５Ｎ／ｃｍとなることと比較すれ
ば、本発明にかかる配線板の製造方法により、基板１と
配線１０との強固な接着性が実現できることが判明し
た。

【０１２２】〔実施例３〕導電層８を形成し、次いで不
要な導電層８を除去する工程以外は、前記実施例１に記
載の方法に従い、プリント配線板を製造した。なお、導
電層８を形成する工程、およびその不要部を除去する工
程は、以下のとおり行った。

【０１２３】導電層８は、メック社のグラファイトめっ
き液であるダイレクトプレーティング（登録商標）を用
いて形成した。まず、ビア７が形成された基板１の表面
（正確には第二金属層４の表面）を前処理液（メックＳ
プロセス ＳＰ−６５６０）にて表面処理し、続いてグ
ラファイト分散液（メックＳプロセス ＳＰ−６６０
１）にて、グラファイトの無電解めっきをほどこした。
導電層８に相当するグラファイト層の厚さは３００ｎｍ
とした。

【０１２４】次いで、メック社製のセパレータ液（メッ
クＳプロセス ＳＰ−６８００）を用いて、第二金属層
４である銅層をエッチングすることにより、不要な導電
層８の除去を行った。１００ｎｍの銅層（第二金属層
４）がエッチングされる間に、不要な導電層８は完全に
取り除かれた。

【０１２５】得られたプリント配線板は設計値通りのラ
イン／スペースを有しており、サイドエッチは見られな
かった。また、給電層剥離部分、すなわち第一金属層２
剥離部分のオージェ分析、ＥＰＭＡによる残留金属の有
無の測定を行なったが残存金属の存在は認められなかっ
た。さらに、回路パターンの剥離強度（ＪＩＳ規格６４
７１）は１０Ｎ／ｃｍであり優れた接着性を有してい
た。この剥離強度は、耐熱標準加速試験（ビルドアップ
配線板技術標準 ＪＰＣＡ規格ｖｅｒ．２，１５０℃，
５００時間）後もほとんど劣化せず、９Ｎ／ｃｍの値を
しめした。

【０１２６】〔実施例４〕厚み１２．５μｍのポリイミ
ドフィルム（鐘淵化学（株）製アピカルＨＰ）の片方の
面に、イオンプレーティング蒸着法により銅層（第一金
属層２）を６００ｎｍの厚さで形成した。なお、本実施
例では、金属層１１を第一金属層２のみからなる単層構
造としている。そして、この点以外は、基本的に前記実
施例３と同様の方法により、プリント配線板を作成し
た。

【０１２７】本実施例では、導電層８（グラファイト
層）の除去のために第一金属層２を１００ｎｍ〜２００
ｎｍ程度エッチングする必要があったが、給電層として
十分な厚さの第一金属層２、およびビア７内部の導電層
８を残して、不要な導電層８を取り除くことができた。
この様に、金属層１１が銅の単層であっても、実施例１
〜３と同様に高密度の配線板作製が可能であった。ただ
し、最終的な給電層（第一金属層２）の除去には実施例
３とは異なり、銅のエッチャントであるメックエッチボ
ンドＣＺ−８５００を用いた。

【０１２８】この様にして作製した配線１０と基板１と
の接着性を測定したが、その剥離強度（ＪＩＳ規格６４
７１）は９Ｎ／ｃｍであった。これは従来のセミアディ
ティブ法である、無電解銅めっき層の上に電解銅めっき
を施した場合の１０Ｎ／ｃｍに比べて遜色のない値であ
った。さらに本発明の方法で形成した配線１０の剥離強
度は、長期の安定性試験においてもほとんど劣化しない
と言う特徴があった。例えば、耐熱標準加速試験（ビル
ドアップ配線板技術標準 ＪＰＣＡ規格ｖｅｒ．２，１
５０℃，５００時間）、および耐湿試験（ＪＩＳ規格Ｃ
００２２、４０℃，９５％，２４０時間）後での、配線
１０の剥離強度（ＪＩＳ規格６４７１）は、それぞれ８
Ｎ／ｃｍ、７Ｎ／ｃｍであった。これらは無電解銅めっ
き層上に電解銅めっきを施した場合（従来法）のそれぞ
れの値である、５Ｎ／ｃｍ、３Ｎ／ｃｍに比べて遥かに
すぐれた特性であった。

【０１２９】〔実施例５〕厚み１２．５μｍのポリイミ
ドフィルム（鐘淵化学（株）製アピカルＨＰ）の片方の
面に、マグネトロンＤＣスパッタリング法によりニッケ
ル層（第一金属層２）を４００ｎｍの厚さで形成した。
なお、本実施例では、金属層１１を第一金属層２のみか
らなる単層構造としている。そして、この点以外は、前
記実施例３と同様の方法によりプリント配線板を作成し
た。金属層１１がニッケルの単層であっても、実施例１
〜４と同様に高密度の配線板作製が可能であった。

【０１３０】〔実施例６〕導電層８としてグラファイト
層に代えて、導電性高分子であるポリチオフェン層を形
成する点以外は、前記実施例３と同様の方法によりプリ
ント配線板を作成した。なお、ポリチオフェン層は、金
属層１１およびビア７の内面に、ポリ１，４ジオキシチ
オフェン（バイエル株式会社製）の水溶液を塗布するこ
とで形成した。導電層８がポリチオフェン層であって
も、実施例１〜５と同様に高密度の配線板作製が可能で
あった。

【０１３１】〔実施例７〕導電層８としてグラファイト
層に代えて、導電性高分子であるポリピロール層を形成
する点以外は、前記実施例３と同様の方法によりプリン
ト配線板を作成した。なお、ポリピロール層は、金属層
１１およびビア７の内面に、０．５mol/Lの過硫酸アン
モニウム水溶液を塗布した後、積層体１２をピロール蒸
気に曝すことで形成した。導電層８がポリピロール層で
あっても、実施例１〜６と同様に高密度の配線板作製が
可能であった。

【０１３２】

【発明の効果】本発明にかかる配線板の製造方法は、以
上のように、基板上に、物理的蒸着法により金属層を形
成する工程と、基板と金属層とを貫通するビアを形成す
る工程と、金属層上およびビアの内面に導電層を形成す
る工程と、ビア内面の導電層を残して導電層を除去する
工程と、金属層上に電解めっき法により配線を形成する
工程と、を含む方法である。

【０１３３】上記の方法によれば、仮に基板の平滑性が
高い場合であっても、上記配線が基板上に強固に固定さ
れてなる配線板の製造方法を提供可能となるという効果
を奏する。

【０１３４】本発明にかかる配線板の製造方法は、以上
のように、基板の一方面側に接着層を、他方面に物理的
蒸着法により金属層を形成した積層体を作成する工程
と、積層体の接着層と回路基板の回路形成面とを対向さ
せて接着する工程と、基板と金属層とを貫通し回路形成
面に開口するビアを形成する工程と、金属層上およびビ
アの内面に導電層を形成する工程と、ビア内面の導電層
を残して導電層を除去する工程と、金属層上およびビア
内面の導電層上に電解めっき法により配線を形成する工
程と、を含む方法である。

【０１３５】上記の方法によれば、仮に基板の平滑性が
高い場合であっても、上記配線が基板上に強固に固定さ
れてなるビルドアップによる配線板の製造方法を提供す
ることができるという効果を奏する。

【０１３６】本発明にかかる配線板の製造方法は、上記
何れかの方法において、金属層が、スパッタリング法あ
るいはイオンプレーティング蒸着法により形成された、
銅、銅合金、ニッケルあるいはニッケル合金の何れかか
らなる層を、基板に接する層として含んでなることがよ
り好ましい。

【０１３７】上記の方法によれば、金属層を容易に取り
除く事ができるとともに、電解めっき法による配線と基
板との特に強固な接着を実現可能となるという効果を加
えて奏する。

【０１３８】本発明にかかる配線板の製造方法は、上記
何れかの方法において、導電層がグラファイト層である
ことがより好ましい。

【０１３９】上記の方法によれば、不所望な導電層の選
択除去がより容易となるとともに、配線間の絶縁性の低
下や配線形状の劣化などを招来する虞もなくなるという
効果を加えて奏する。

【０１４０】本発明にかかる配線板の製造方法は、上記
何れかの方法において、金属層が、基板と接する第一金
属層と第二金属層とを含む複層構造をとり、導電層を除
去する工程が、ビアの内面の導電層を残して、第二金属
層と導電層とを除去することにより行われることがより
好ましい。なお、この工程は、第二金属層の選択的エッ
チングにより行うことがより好ましい。

【０１４１】上記の方法によれば、後工程で給電層とな
る第一金属層に影響を与えることなく導電層を取り除く
ことができるという効果を加えて奏する。

【０１４２】本発明にかかる配線板の製造方法は、上記
の方法において、第一金属層がニッケルまたはニッケル
合金からなり、第二金属層が銅または銅合金からなり、
さらに導電層が第二金属層とは異なる組成からなること
がより好ましい。また、導電層が、ニッケルまたはニッ
ケル合金からなることが特に好ましい。あるいは、第一
金属層が銅または銅合金からなり、第二金属層がニッケ
ルまたはニッケル合金からなり、さらに導電層が第二金
属層とは異なる組成からなることがより好ましい。ま
た、導電層が銅または銅合金からなることが特に好まし
い。

【０１４３】上記何れかの方法によれば、銅またはニッ
ケルの選択的エッチングにより、第一金属層およびビア
内部の導電層に影響を与えずに、第二金属層と不要な導
電層とを除去可能となるという効果を加えて奏する。

【０１４４】本発明にかかる配線板の製造方法は、上記
何れかの方法において、基板がポリイミド樹脂系フィル
ムであることがより好ましい。この方法によれば、耐熱
性、積層性、絶縁性、等の特性に優れた配線板の製造が
可能となるという効果を加えて奏する。

【０１４５】本発明にかかる配線板の製造方法は、上記
何れかの方法において、基板の表面粗さが１０点平均高
さで３μｍ以下であることがより好ましく、この方法に
よれば、回路が高密度かつ高精度に形成されてなる配線
板の製造が可能となるという効果を加えて奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）〜図１（ｆ）は、本発明にかかる配
線板の製造方法の概略の一部を示す断面図である。

【図２】図２（ａ）〜図２（ｅ）は、図１（ａ）〜図１
（ｆ）に示す配線板の製造方法の続きの工程を示す断面
図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 第一金属層（金属層の一部） ３ 接着層 ４ 第二金属層（金属層の一部） ５ 回路基板 ７ ビア ８ 導電層 １０ 配線 １１ 金属層 １２ 積層体

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA03 AA04 BB01 CC03 DD04 DD23 GG01 5E343 AA17 AA18 BB16 BB23 BB24 BB25 BB28 BB34 BB35 BB38 BB39 BB40 BB44 BB45 BB58 BB60 DD33 DD43 EE32 EE35 EE36 GG02 GG08 GG14 5E346 AA15 AA26 AA43 CC04 CC05 CC06 CC09 CC10 CC32 CC33 CC34 CC35 CC36 CC37 CC38 CC39 DD16 DD17 DD25 DD32 DD33 FF04 FF18 GG15 GG17 GG28 HH08 HH11 HH26

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に、物理的蒸着法により金属層を形
   成する工程と、次いで、 上記基板と金属層とを貫通するビアを形成する工程と、
   次いで、 上記金属層上およびビアの内面に、無電解めっき法ある
   いは塗布法により導電層を形成する工程と、次いで、 上記ビア内面の導電層を残して、上記導電層を除去する
   工程と、次いで、 上記金属層上およびビア内面の導電層上に、電解めっき
   法により配線を形成する工程と、を含むことを特徴とす
   る配線板の製造方法。
2. 【請求項２】基板の一方の面側に接着層を、他方の面に
   物理的蒸着法により金属層を形成した積層体を作成する
   工程と、次いで、 上記積層体の接着層と、回路基板の回路形成面とを対向
   させて、積層体と回路基板とを接着する工程と、次い
   で、 上記基板と金属層とを貫通し、上記回路基板の回路形成
   面に開口するビアを形成する工程と、次いで、 上記金属層上およびビアの内面に、無電解めっき法ある
   いは塗布法により導電層を形成する工程と、次いで、 上記ビア内面の導電層を残して、上記導電層を除去する
   工程と、次いで、 上記金属層上およびビア内面の導電層上に電解めっき法
   により配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする
   配線板の製造方法。
3. 【請求項３】前記金属層が、スパッタリング法あるいは
   イオンプレーティング蒸着法により形成された、銅、銅
   合金、ニッケルあるいはニッケル合金の何れかからなる
   層を、前記基板に接する層として含むことを特徴とする
   請求項１または２に記載の配線板の製造方法。
4. 【請求項４】前記導電層が、グラファイト層であること
   を特徴とする請求項１ないし３の何れか一項に記載の配
   線板の製造方法。
5. 【請求項５】前記金属層が、物理的蒸着法で前記基板と
   接するように形成された第一金属層と、この第一金属層
   上に設けられ、第一金属層とは組成が異なる第二金属層
   とを含む複層構造をとり、 前記導電層を除去する工程が、ビアの内面の導電層を残
   して、第二金属層と導電層とを除去することにより行わ
   れることを特徴とする請求項１ないし４の何れか一項に
   記載の配線板の製造方法。
6. 【請求項６】前記第一金属層がニッケルまたはニッケル
   合金からなり、第二金属層が銅または銅合金からなり、
   さらに導電層が第二金属層とは異なる組成からなること
   を特徴とする請求項５に記載の配線板の製造方法。
7. 【請求項７】前記導電層が、ニッケルまたはニッケル合
   金からなることを特徴とする請求項６に記載の配線板の
   製造方法。
8. 【請求項８】前記第一金属層が銅または銅合金からな
   り、第二金属層がニッケルまたはニッケル合金からな
   り、さらに導電層が第二金属層とは異なる組成からなる
   ことを特徴とする請求項５に記載の配線板の製造方法。
9. 【請求項９】前記導電層が銅または銅合金からなること
   を特徴とする請求項８に記載の配線板の製造方法。
10. 【請求項１０】前記導電層を除去する工程が、第二金属
    層の選択的エッチングにより行なわれることを特徴とす
    る請求項５ないし９の何れか一項に記載の配線板の製造
    方法。
11. 【請求項１１】前記基板がポリイミド樹脂系フィルムで
    あることを特徴とする請求項１ないし１０の何れか一項
    に記載の配線板の製造方法。
12. 【請求項１２】前記基板の表面粗さが１０点平均高さ
    （Ｒｚ）で３μｍ以下であることを特徴とする請求項１
    ないし１１の何れか一項に記載の配線板の製造方法。